TW202205501A - 用於基板容器之歧管 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種基板容器，其包含界定一內部空間之一殼體及具有一進口及一氣體分配表面之一歧管。該殼體包含一前開口、一底壁及一後壁。該歧管附接至該底壁且更靠近該前開口而非該後壁。該氣體分配表面經構形以將淨化氣體分配至該內部空間中。一種淨化一開口基板容器之方法包含將淨化氣體之一第一流供應至一歧管及將淨化氣體之一第二流供應至該基板容器之一內部空間。該方法亦包含該歧管將該第一流之該淨化氣體分配於該基板容器之該內部空間內。

Description

用於基板容器之歧管
本發明大體上係關於一種具有一前開口之基板容器。更具體言之，本發明係關於將淨化氣體供應至容器之內部。
呈晶圓形式之基板可經處理以形成半導體裝置。晶圓基板(或簡稱基板)經歷一系列程序步驟。例示性程序步驟可包含(但不限於)基板之材料層沈積、摻雜、蝕刻或(若干)材料化學或物理反應。一基板容器用於儲存及運送製造設施內程序步驟之間的程序中晶圓。在一些程序步驟期間，基板在一無塵環境(例如一無塵室)內由處理設備處理。基板可自基板容器透過一設備前端模組(EFEM)轉移至處理工具。EFEM一般包含用於接收基板容器之一裝載埠、一轉移單元、一框架或「迷你環境」及用於在EFEM內產生氣流之一風扇過濾單元。
在使用中，使基板容器對接於一裝載埠上，且打開EFEM 18之門。接著，使門自基板容器脫離以容許收容於EFEM內之轉移單元接取容納於基板容器內之基板用於處理。由風扇過濾單元引入之一氣流「氣體」沿自EFEM之一頂部至EFEM之一底部之一方向流動通過EFEM。當基板容器之前開口與EFEM之裝載埠開口界接時，流動通過EFEM且橫穿裝載埠開口之一些氣體可能意外導引至容器之內部中以可能藉由暫時引起基板容器之微環境內之相對濕度及/或氧含量增增大來干擾基板容器之淨化能力，此不是吾人期望的。
在一實施例中，一種淨化一打開前開口基板容器之方法包含：將淨化氣體之一第一流供應至該基板容器內之一歧管之一進口，該歧管將該淨化氣體分配於一內部空間內；及將淨化氣體之一第二流供應至該內部空間。該第一流經由更靠近該前開口而非該基板容器之一後壁之一前進口埠來供應。該第二流經由更靠近該後壁而非該基板容器之一後進口埠來供應。
在一實施例中，一種基板容器包含一殼體及一歧管。該殼體界定一內部空間且包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁及一底壁。該底壁具有沿該殼體之該前開口延伸於該第一側壁與該第二側壁之間的一前邊緣。該歧管可附接至該底壁、該頂壁或一側壁或其等之某一組合之任何者。在一實施例中，該歧管附接至該底壁且更靠近該前開口而非該後壁。該歧管包含用於接收淨化氣體之一進口及經構形以將該淨化氣體分配於該內部空間內之一氣體分配表面。該氣體分配表面包含沿一方向延伸於該第一側壁與該第二側壁之間的一第一氣體分配部分。在另一實施例中，該歧管包含用於排放一淨化氣體之一出口。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，除非本文另外明確指示，否則單數形式「一」及「該」包含複數個指涉物。如本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，除非本文另外明確指示，否則術語「或」一般用於意在包含「及/或」。
術語「約」一般係指被視為等效於所列值(例如具有相同功能或結果)之一數值範圍。在諸多例項中，術語「約」可包含捨入至最近有效數位之數值。
應參考圖式來解讀以下詳細描述，其中不同圖式中之類似元件編號相同。詳細描述及圖式(其未必按比例繪製)描繪說明性實施例且不意欲限制本發明之範疇。所描繪之說明性實施例僅意在例示。除非明確相反說明，否則任何說明性實施例之選定特徵可併入至一額外實施例中。
本發明大體上係關於一種用於一基板容器之前歧管，基板容器具有用於進入基板容器之內部空間之一前開口。基板容器用於(諸如)在半導體製造期間載送基板。更具體言之，本發明係關於一種歧管，其經構形以將淨化氣體分配於一內部空間內以防止氣體在打開時進入基板容器之前開口。在一些實施例中，歧管可構形為一出口以促進淨化氣體在基板容器關閉時自基板容器排放。
呈晶圓形式之基板可經處理以形成半導體裝置。一基板容器係用於在處理期間載送基板之一容器。基板可在不同程序步驟之前及不同程序步驟期間儲存於一基板容器內。透過基板容器之一前開口來進入基板容器。基板容器可為(例如)一前開式晶圓傳送盒(FOUP)。
圖1至圖3展示根據本發明之一實施例之一基板容器1。圖1及圖2A各係基板容器1之一前透視圖。圖2B係基板容器1在附接至一設備前端模組3時之一橫截面圖。圖3係基板容器1之一仰視圖。圖中提供虛線來指示遮蔽特徵(例如邊緣、開口等等)。如圖1中所展示，基板容器1包含一前門4及一殼體6。前門4接收於殼體6之一前開口12內且形成一封閉內部空間8。下文將更詳細討論內部空間8。
圖2A繪示其中移除(例如打開)前門4之基板容器1。如圖2A中所展示，殼體6界定基板容器1之一內部空間8。基板(例如圖8A中之基板590)儲存於基板容器1之內部空間8中。殼體6包含一前開口12。門4接收於殼體6之前開口12內以封阻前開口12。基板容器1可藉由移動(例如打開、移除)門4來進入。例如，圖1中之門4藉由將門4***至殼體6中來接收於殼體6中。在一實施例中，門4及殼體6之一或多者可包含用於防止意外移除門4之一鎖定機構(圖中未展示)。
如圖2A中所展示，殼體6包含一前開口12、一第一側壁14、一第二側壁16、一後壁18及一頂壁20及一底壁22。第一側壁14與第二側壁16對置，且頂壁20與底壁22對置。第一側壁14可指稱左側，而第二側壁16可指稱右側。頂壁20及底壁22各延伸於第一側壁14與第二側壁16之間。殼體6包含延伸於對置壁之間的一前邊緣。底壁22包含沿前開口12延伸之一前邊緣24A。前邊緣24A亦延伸於殼體6之第一側壁14與第二側壁16之間。第一側壁14包含沿前開口12延伸之一前邊緣24B。第一側壁14之前邊緣24B亦延伸於殼體6之頂壁20與底壁22之間。如圖2A中所展示，在一實施例中，前邊緣24A及24B各直接相鄰於前開口12。
基板容器1可在殼體6之頂壁20上包含一設備掛鉤26。在一實施例中，設備掛鉤26允許用於移動基板容器1之一標準自動附件(圖中未展示)(諸如(但不限於)一自動臂)連接至基板容器1。例如，自動臂可用於在不同處理設備之間移動基板容器1。在一實施例中，基板容器1可包含允許一使用者(例如一技術人員等等)手動移動基板容器1之一或多個手把(圖中未展示)。
基板容器1可包含用於使基板(圖中未展示)保持於內部空間8中之複數個層架28。第一側壁14上之層架28之部分在圖2A中被遮蔽，其可具有類似於第二側壁16上之層架28上之部分之一構形(例如圖7A之基板容器中之插槽)。層架28經設定大小以各使一基板(圖中未展示)保持於內部空間8內。例如，在一實施例中，層架28經設定大小以保持一特定大小之基板(例如150 mm晶圓、200 mm晶圓等等)。
當基板容器1打開時，可將淨化氣體供應至內部空間8以減少外部環境(例如氣體、粒子、濕氣等等)透過前開口12進入基板容器1中。例如，所供應之淨化氣體經組態以自內部空間8透過前開口12流出，其有助於最小化任何向內流透過前開口12進入內部空間8。淨化氣體可為一大體上惰性氣體。淨化氣體可包含(例如但不限於)氮氣、清潔乾燥空氣(CDA)及超清潔乾燥空氣(xCDA)之一或多者。
相反地，當門4接收於前開口12內且基板容器1關閉時，淨化氣體可繼續供應至基板容器1之內部空間8。淨化氣體可透過一或多個歧管排放至基板容器1之外部(諸如本文中根據各種實施例所描述)，歧管可充當一進口及一出口兩者或僅充當一出口，其取決於組態及所要應用。內部空間8內之淨化氣體之一正壓產生一擴散梯度以促進淨化氣體自內部空間流動通過一或多個出口而至基板容器外。在一些實施例中，(若干)歧管可包含容許空氣引入至內部空間8中及/或容許空氣自內部空間排出(其取決於空氣之定向流動)之一止回閥。
基板容器1包含用於將淨化氣體供應至內部空間8中之複數個進口埠34A、34B、36A、36B。例如，基板容器1經構形以透過一第一進口埠34A被供應淨化氣體之一第一流f1 、透過一第二進口埠34B被供應淨化氣體之一第二流f2 。淨化氣體之另一流f3 供應至後進口埠36A。基板容器1包含將淨化氣體之第一流f1 分配至內部空間8中之一前歧管40。圖2A中之前歧管40亦分配淨化氣體之第二流f2 。
圖2B係基板容器1在附接至一設備前端模組3時之一橫截面圖。當一基板容器1附接至設備前端模組3時，前開口12沿設備前端模組之內部定位。一氣流f4 (例如xCDA或氮氣)經持續導引通過設備前端模組3之內部以減少設備前端模組3內之污染物。氣流f4 流動通過前開口12 (例如沿方向D1 )。前歧管40經構形以沿前開口12分配淨化氣體以抵制透過前開口12進入內部空間8之氣體紊流。流動通過設備前端模組之氣體之進入可暫時引起基板容器之微環境內之相對濕度及/或氧含量增大，此不是吾人期望的。下文將更詳細討論前歧管40。
如圖3中所展示，底壁22包含進口埠34A、34B、36A、36B。殼體6具有一外表面30。例如，底壁22形成外表面30之一部分。進口埠34、34B、36A、36B各自內部空間8 (如圖2A中所展示)延伸穿過底壁22而至殼體6之外表面30。基板容器1包含四個進口埠34A、34B、36A、36B。然而，在一實施例中，基板容器1可包含不同數目個進口埠34A、34B、36A、36B。在一實施例中，基板容器1可包含一或多個進口埠34A、34B、36A、36B。在一實施例中，基板容器1可包含一或多個前進口埠34A、34B及一或多個後進口埠36A、36B。在一實施例中，基板容器1可包含用於後進口埠36A、36B之各者之一分配結構(圖中未展示)。在一實施例中，前埠34A、34B之一者可為將內部空間8中之氣體釋放至基板容器1外之一出口埠。
如圖2A中所展示，前歧管40包含一第一進口42A、一第二進口42B、一框架44及一氣體分配表面46。歧管40之第一進口42A附接至第一進口埠34A。歧管40之第二進口42B附接至第二進口埠34B。在圖2A中，前歧管40連接至兩個進口埠34A、34B。然而，在一實施例中，前歧管40可連接至一或多個進口埠34A。在一實施例中，前歧管40可連接至一單一進口埠34A。在此一實施例中，前歧管40可具有連接至單一進口埠34A之一單一進口42A。
在圖2A中，氣體分配表面46包繞框架44。如圖2中所展示，框架44具有一大體上圓柱形形狀。框架44具有沿氣體分配表面46之長度L1 安置之複數個開口45。例如，開口45安置於大體上圓柱形框架之橫向表面中。框架44內之淨化氣流透過(若干)開口45離開框架，流動通過覆蓋(若干)開口45之分配表面46之(若干)部分，且分配至內部空間8中。
在一實施例中，氣體分配表面46由一多孔材料製成。一多孔材料係包含由微小開孔形成之通道之材料。多孔材料可包含(例如但不限於)一非編織聚合物、一燒結聚合物材料及一聚合物薄膜。例如，一燒結聚合物材料藉由至少將聚合物粒子燒結在一起來形成。聚合物係適合用於處置半導體晶圓之聚合物，諸如(但不限於)聚四氟乙烯(PTFE)、不飽和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。
流入至歧管40中之淨化氣體由氣體分配表面46分配。氣體分配表面46經構形以將流入至歧管40中之淨化氣體(例如淨化氣體之第一流f1 、淨化氣體之第二流f2 )分配至內部空間8中。在一實施例中，氣體分配表面46經構形以沿朝向前開口12之方向D2 將淨化氣體之一部分分配至內部空間8中。在一實施例中，歧管40可包含用於導引淨化氣體沿方向D2 自氣體分配表面46流動之一導流器(圖中未展示)。在此一實施例中，導流器可為藉由卡扣至框架44上來附接之導流器上之一卡扣。
如圖2A中所展示，氣體分配表面46具有沿一方向DS 延伸於殼體6之第一側壁14與第二側壁16之間的一第一氣體分配部分48A。第一氣體分配部分48A亦沿殼體6之底壁22之前邊緣24A延伸。第一氣體分配部分48A具有沿第一側壁14與第二側壁16之間的大部分距離d1 延伸之一長度L1 。
如圖2B中所展示，氣體分配表面46之第一氣體分配部分48A沿相對於殼體6之底壁22成一角度α之方向D2 將淨化氣體之一部分分配至內部空間8中。圖2B中之角度α相對於底壁22成30°。在一實施例中，第一氣體分配部分48A依相對於底壁22之自0°至180°之一角度α (0≤α≤180)自1公升/分鐘(LPM)至50 LPM分配。在一實施例中，第一氣體分配部分依相對於底壁22成90°或小於90°且大於0°之一角度α (0＜α≤90)分配淨化氣體之一部分。在一實施例中，第一表面分配表面部分48A經構形以自3 LPM至300 LPM分配淨化氣體。在一實施例中，第一分配表面經構形以沿方向D2 自3 LPM至300 LPM分配淨化氣體。
圖4係根據本發明之另一實施例之一前歧管140之一前透視圖。除下文將描述之外，歧管140依類似於圖2之前歧管40之一方式附接至一基板容器之內部空間內。歧管140經構形以沿其基板容器之前開口將淨化氣體分散至內部空間中，如圖2中針對歧管40所類似討論。
歧管140包含一進口142、一框架144及一分配表面146。進口142附接至一基板容器之一殼體之一底壁中之一前進口埠(例如前進口埠34A、前進口埠34B)。進口142經構形以接收通過前進口埠之淨化氣體之一流(例如淨化氣體之第一流f1 、淨化氣體之第二流f2 )。在圖4中，歧管140包含一單一進口142。然而，在一實施例中，歧管140可包含複數個進口142。例如，在一實施例中，歧管140可包含類似於圖2中之歧管40之兩個進口。
分配表面146可包含一第一氣體分配部分148A、一第二氣體分配部分148B、一第三氣體分配部分148C及一第四氣體分配部分148D。表面分配部分148A至148D之各者定位成相鄰於且在一些實施例中附接至相鄰於前開口之基板容器之內部空間之一不同壁(例如第一側壁14、第二側壁16、頂壁20、底壁22)。第一氣體分配部分148A具有類似於圖2A中之第一氣體分配部分48A之一位置。第二氣體分配部分148B經構形以沿基板容器之殼體之一第二側壁(例如殼體6之第一側壁14)延伸。
第二氣體分配部分148B延伸於殼體之頂壁與底壁之間(例如殼體6之頂壁20與底壁22之間)。第二氣體分配部分148B亦沿殼體之一第一側壁之前邊緣(例如沿殼體6之第一側壁14之前邊緣24B)延伸。第二氣體分配部分148B具有沿殼體之一頂壁與一底壁之間的大部分距離(例如沿殼體6之頂壁20與底壁22之間的大部分距離)延伸之一長度L2 。
第三氣體分配部分148C依類似於上文相對於第二氣體分配部分148B及殼體之第一側壁所討論之方式之一方式沿殼體之第二側壁(例如殼體6之第二側壁16)定位。第四氣體分配部分148D依類似於上文相對於第二氣體分配部分148B及殼體之第一側壁所討論之方式之一方式沿殼體之頂壁(例如殼體6之頂壁20)定位。
在一些實施例中，如圖4中所描繪，氣體分配表面146依類似於上文相對於圖2中之氣體分配表面46及框架44所討論之方式之一方式包繞一框架144。框架144包含類似於圖2中之開口45之(若干)開口145。開口145沿氣體分配表面146之各部分之長度定位。例如，框架144包含沿表面分配部分148A至148D之各者之(若干)開口145。在其他實施例中，氣體分配部分148A至148D可類似於下文將參考圖6A及圖6B展示及描述之氣體分配部分般構形且可包含由一框架包圍之一薄膜或多孔材料。
在一實施例中，表面分配部分148A至148D之一或多者經構形以沿朝向殼體之前開口(例如朝向殼體6之前開口12)之一方向D3 將淨化氣體之一部分分配至內部空間中。在一實施例中，表面分配部分148A至148D之各者經構形以沿朝向殼體之前開口之一方向D3 將淨化氣體之一部分分配至內部空間中。
圖5A及圖5B展示根據本發明之另一實施例之一前歧管240。圖5A係前歧管240之一前透視圖。圖5B係前歧管240之一分解圖。除下文將描述之外，歧管240依類似於圖2A之前歧管40之一方式附接於一基板容器之內部空間內。歧管240經構形以沿其基板容器之前開口將淨化氣體分散至內部空間中，如圖2A中針對歧管40所類似討論。
歧管240包含兩個進口242A、242B、一框架244及一薄膜247。薄膜247包含一氣體分配表面246。進口242A、242B附接至一基板容器之一殼體之一底壁中之一第一前進口埠及一第二前進口埠(例如第一前進口埠34A、第二前進口埠34B)。進口242A、242B各經構形以接收通過其各自前進口埠之淨化氣體之一各自流(例如淨化氣體之第一流f1 、淨化氣體之第二流f2 )。圖5A及圖5B中之歧管240包含兩個進口242A、242B。然而，在一實施例中，歧管240可包含不同數目個進口242A、242B。例如，在一實施例中，歧管240可包含類似於圖4中之歧管140之一單一進口242A、242B。
氣體分配表面246包含一第一氣體分配部分248A、一第二氣體分配部分248B、一第三氣體分配部分248C及一第四氣體分配部分248D。表面分配部分248A至248D之各者沿相鄰於前開口之基板容器之內部空間之一不同壁(例如第一側壁14、第二側壁16、頂壁20、底壁22)延伸。例如，第一氣體分配部分248A具有類似於圖2中之第一氣體分配部分48A之一位置。例如，第二氣體分配部分248B、第三氣體分配部分248C及第四氣體分配部分248D各具有類似於上文針對圖4中之歧管140之第二氣體分配部分148B、第三氣體分配部分148C及第四氣體分配部分148D所討論之位置之一位置。
圖5B繪示與框架244分離時之薄膜247。在一實施例中，薄膜247可附接至框架244。薄膜247可藉由(例如但不限於)熱接合來附接至框架244。在一實施例中，薄膜247可為一晶粒切割薄膜或一薄膜片。一薄膜係一多孔材料之一實例。在一實施例中，多孔材料可為一非編織聚合物、一燒結聚合物材料及一聚合物薄膜之一者(例如薄膜247)。薄膜247包含一或多個聚合物。薄膜247之(若干)聚合物係適合用於處置半導體晶圓之聚合物，諸如(但不限於)聚四氟乙烯(PTFE)、不飽和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在一實施例中，燒結材料或非編織聚合物可用於代替薄膜247。
框架244包含一通道249。薄膜247沿通道249定位。來自進口242A、242B之淨化氣體流動通過通道249，接著通過薄膜247而離開歧管240。薄膜247將淨化氣體分配至內部空間中。更具體言之，薄膜247之分配表面246將淨化氣體分配至內部空間中。
前歧管240經構形使得氣體分配表面246沿朝向基板容器之殼體之前開口(例如前開口12)之一方向D4 分配淨化氣體之至少一部分。在一實施例中，框架244可經構形以使氣體分配表面246分配淨化氣體之方向D4 成角度。
在圖5A及圖5B中，歧管240經構形以沿基板容器之前開口之整個周邊延伸。然而，在一實施例中，歧管240可經構形以沿基板容器之一或多個壁延伸。例如，在一實施例中，歧管240可僅沿基板容器之底壁(例如殼體6之底壁22)延伸，類似於圖2中之歧管40。
圖6A係一基板容器300之一實施例之一前透視圖。圖6A中移除基板容器300之前門(例如，基板容器300打開)。基板容器300由類似於圖1中之前門4之一前門關閉。基板容器300包含一殼體306及一前歧管340。除相對於前歧管340之外，基板容器300可具有類似於圖1至圖3中之基板容器1之一結構及構形。例如，基板容器300包含一內部空間308、一前開口312、一第一側壁314及一第二側壁316、具有一前邊緣324A之一底壁322及殼體306之底壁322中之埠334A、334B、336A、336B，類似於圖1至圖3中之基板容器1。在一實施例中，基板容器300及其殼體306可具有上文相對於圖1至圖3中之基板容器1所類似討論之特徵(例如額外進口、單一後進口、插槽等等)。
如圖6A中所展示，淨化氣體之一第一流f1 可透過殼體306之底壁322中之一第一進口埠334A供應至基板容器300。前歧管340經構形以將淨化氣體分配至內部空間308中。第一進口埠334A可附接至進口埠342A。歧管340包含一氣體分配表面346。流入至歧管340中之淨化氣體由氣體分配表面346分配。淨化氣體之一部分自氣體分配表面346沿一向上方向D5 導引。
氣體分配表面346包含沿殼體306之底壁322之前邊緣324A延伸於殼體306之第一側壁314與第二側壁316之間的一第一氣體分配部分348A。例如，第一氣體分配部分348A可具有類似於上文所討論之圖2A之第一氣體分配部分48A之一構形(例如長度、相對於前開口312之位置、內部空間中或沿內部空間之相對位置等等)。
圖6B係歧管340之一分解圖。歧管340包含一進口342A、一框架344、一薄膜347、一通道349及一蓋350。進口342A附接至殼體306之底壁322中之第一前埠334A。薄膜347保持於蓋350與框架344之間的適當位置中。在各種實施例中，薄膜347可依不同於蓋350之一方式附接至框架344。例如，在一實施例中，薄膜347可藉由超音波焊接、在一曲折路徑中機械捕捉(例如使用蓋350)或藉由雷射焊接來附接至框架344。
薄膜347可為(例如)一多孔材料。在一實施例中，多孔材料可為一非編織聚合物、一燒結聚合物材料或一聚合物薄膜之一者。薄膜347包含一或多個聚合物。薄膜347之(若干)聚合物係適合用於處置半導體晶圓之聚合物，諸如(但不限於)聚四氟乙烯(PTFE)、不飽和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在一實施例中，燒結材料或非編織聚合物可用於代替薄膜347。
通道349流體連接至第一進口342A且安置於薄膜347下方。透過第一進口342A進入之淨化氣體流入至通道349中且接著離開歧管340，通過薄膜347且接著自歧管340流動通過薄膜347之氣體分配表面346。
框架344在基板容器300內附接至殼體306之底壁322。例如，框架344可至少部分安置於殼體306之底壁322中，如圖6A所展示。在一實施例中，框架344可與殼體306一體成型。在此一實施例中，框架344可形成為殼體306之底壁322之一整合部分(例如，殼體306經模製以包含框架344)。
基板容器300包含安置於殼體306之底壁322中之一第二前埠334B。歧管340之第二進口342B附接至第二前埠334B。如圖6A中所展示，第二前埠334B在殼體306之底壁322中安置於進口342A與第二側壁316之間。在一實施例中，第二前埠334B構形為用於自內部空間308放出氣體之一出口埠。在此一實施例中，淨化氣體藉由透過一或多個後埠336A、336B供應淨化氣體且自封閉內部空間308透過歧管340及第二前埠334B放出淨化氣體來循環通過封閉內部空間308 (例如當前門4關閉時)。在一些情況中，後埠336A、336B可與一淨化氣體歧管或淨化塔(諸如(例如)圖7中所展示)配合以促進淨化氣體供應至內部空間308中。
在一些情況中，一閥(諸如(例如)一止回閥)可併入至第二前埠334B中，其將在自基板容器之內部空間308內施加正壓之後打開以促進淨化氣體透過第二前埠334B排放。在其他實施例中，第一前埠334A及第二前埠334B之各者可經構形使得其等可取決於應用而操作為一進口埠及/或一出口埠兩者。在一實例中，第一前埠334A及/或第二前埠334B之各者可包含一閥(諸如(例如)一傘式閥)，其取決於氣流通過閥之方向而沿一第一方向或一第二方向打開。
在各種實施例中，圖1至圖3之基板容器1中之第二前埠34B可類似構形為一出口埠。
圖7A係一基板容器400之一實施例之一前透視圖。圖7中移除基板容器400之前門(例如，基板容器400打開)。基板容器400由類似於圖1中之前門4之一前門關閉。
基板容器400包含一殼體406及一前歧管440。除相對於一前歧管440之外，基板容器400可具有類似於圖1至圖3中之基板容器1之一結構及構形。例如，基板容器400包含一內部空間408、一前開口412、一底壁422及殼體406之底壁422中之埠434A、434B、436A、436B，類似於圖1至圖3中之基板容器1。在一實施例中，殼體406可具有上文相對於圖1至圖3中之基板容器1所類似討論之特徵(例如額外進口、單一後進口、插槽等等)。如圖7A中所展示，後埠436A、436B可各具有一氣體分配歧管438A、438B，其有助於增加沿內部空間408之高度供應至各自後埠436A、436B之淨化氣體之分配。
歧管440包含一框架444及一薄膜447。薄膜447包含一氣體分配表面446。依類似於上文相對於圖6A中之基板容器300所討論之方式之一方式，淨化氣體之一流透過一第一前埠434A供應至基板容器400且由歧管440之氣體分配表面446分配至內部空間408中。淨化氣體流動通過薄膜447且自氣體分配表面446分配至內部空間408中。氣體分配表面446包含依類似於上文針對圖6A中之第一分配表面部分348A所討論之方式之一方式沿前開口412延伸之一第一分配表面部分448A。
基板容器400包含殼體406之底壁422中之一第二前埠434B。第二前埠434B係用於自內部空間408放出氣體(例如淨化氣體)，如上文相對於圖6A之基板容器300中之第二前埠334B所類似討論。框架444包含支撐第二前埠434B之一唇緣435之一凸緣452。歧管440不覆蓋第二前埠434B。例如，內部空間408中之氣體可流入且通過第二前埠434B且不通過薄膜447或氣體分配表面446。
圖7B展示前歧管440之一前透視圖。歧管包含一進口442、框架444及薄膜447。進口442附接至殼體406中之第一前埠434A。凸緣452包含一開口454。當安裝至基板容器400中時，第二前埠434B之唇緣435配合至由凸緣452形成之開口中，其將框架444固定於適當位置中且有助於防止前歧管440意外拆離或移動。在一實施例中，薄膜447可藉由超音波焊接、在一曲折路徑中機械捕捉(例如使用蓋350)或雷射焊接之一者來附接至框架444。
薄膜447係一多孔材料之一實例。在一實施例中，多孔材料可為一非編織聚合物、一燒結聚合物材料及一聚合物薄膜之一者(例如薄膜447)。薄膜447包含一或多個聚合物。薄膜447之(若干)聚合物係適合用於處置半導體晶圓之聚合物，諸如(但不限於)聚四氟乙烯(PTFE)、不飽和聚乙烯(UPE)及聚乙烯。在一實施例中，燒結材料或非編織聚合物可用於代替薄膜447。
圖8A係一基板容器500之一實施例之一前透視圖。圖8B係根據一實施例之基板容器500之一橫截面圖。圖8A及圖8B中移除基板容器500之前門(例如，基板容器500打開)。例如，基板容器500可由類似於圖1中之前門4之一前門(圖中未展示)關閉。
如圖8A中所展示，基板容器500包含一殼體506、一第一前歧管540A及一第二前歧管540B。除相對於前歧管540A、540B之外，基板容器500可大體上具有類似於圖1至圖3中之基板容器1之一結構及構形。例如，基板容器500包含一內部空間508、一前開口512、一第一壁514、一第二壁516、具有一前邊緣524B之一頂部520、具有一前邊緣524A之一底壁522及殼體506之底壁522中之埠534A、536，類似於圖1至圖3中之基板容器1。在一實施例中，殼體506可具有上文相對於圖1至圖3中之基板容器1所類似討論之特徵(例如額外進口、單一後進口、插槽等等)。如圖8A中所展示，後埠536可具有有助於分配供應至後埠536之淨化氣體之一氣體分配歧管538。
如圖8A中所展示，第一歧管540A附接至底壁522且第二歧管540B附接至頂壁520。第一歧管540A及第二歧管540B各包含沿一方向DS 延伸於第一側壁514與第二側壁516之間的一氣體分配表面546A、546B。第一歧管540A之氣體分配表面546A亦沿底壁522之前邊緣524A延伸，且第二歧管540B之氣體分配表面546B亦沿頂壁520之前邊緣524B延伸。
第一歧管540A之氣體分配表面546A具有一第一氣體分配部分548A，其具有用於分配淨化氣體之至少一狹縫。狹縫541可沿第一氣體分配部分548A之長度L3 延伸。狹縫541經構形以高速(例如大於0.3 m/s之空氣速度)排出淨化氣體之一噴流，其可挾帶及導引周圍空氣且導引周圍空氣之流動。在一些實施例中，第一氣體分配部分548A可包含沿第一氣體分配表面之一長度分佈之複數個狹縫541。
如圖8B中所展示，基板容器500包含用於將淨化氣體供應至內部空間508中之複數個進口埠534A、536。例如，基板容器500經構形以透過一第一進口埠534A被供應淨化氣體之一第一流f1 。淨化氣體之另一流f3 亦供應至後進口埠536 (一後進口埠在圖8A中被遮蔽)。
歧管540A經構形以分配透過第一前進口埠534A供應之淨化氣體。歧管540A之一進口542A經由第一進口埠534A來接收淨化氣體且歧管540A之分配表面546A將淨化氣體分配至內部空間508中。淨化氣體之噴流沿一向前方向D6 自分配表面546A之狹縫541高速(例如大於0.3 m/s之空氣速度)排出至內部空間508中。例如，淨化氣體可自分配表面546A之第一氣體分配部分548A分散。在一實施例中，淨化氣體之噴流可依一角度排出。
除附接至殼體506之頂壁520之外，第二歧管540B可具有類似於第一歧管540A之一構形。在一實施例中，殼體506中之內部通道580可將淨化氣體之第一流f1 之淨化氣體之一部分供應至第二歧管540B之一進口542B。替代地，淨化氣體之一流可透過殼體506之頂壁520中之一進口埠534C供應。
圖9A及圖9B展示根據本發明之又一實施例之一基板容器600之不同視圖。圖9A及圖9B中移除基板容器600之前門(例如，基板容器600打開)。例如，基板容器600可由類似於圖1中之前門4之一前門(圖中未展示)關閉。
如圖9A中所展示，基板容器600包含一殼體606、一第一歧管640A及一第二歧管640B。除相對於前歧管640A、640B之外，基板容器600可大體上具有類似於圖1至圖3中之基板容器1之一結構及構形。例如，基板容器600包含一內部空間608、一前開口612、一第一壁614、一第二壁616、具有一前邊緣624B之一頂壁620、具有一前邊緣624A之一底壁622及殼體606之底壁622中之埠634A、634B、636A、636B，類似於圖1至圖3中之基板容器1。在一實施例中，殼體606可具有上文相對於圖1至圖3中之基板容器1所類似討論之特徵(例如額外進口、單一後進口、插槽等等)。埠634A、634B、636A、636B可用於將淨化氣體供應至內部空間608中且在一些實施例中自內部空間608排放氣體。後埠之至少一者636A (如圖9A中最佳所見)可具有有助於分配供應至後埠636A之淨化氣體之一氣體分配歧管638。
如圖9A中所展示，第一歧管640A附接至底壁622且第二歧管640B附接至頂壁620。第一歧管640A及第二歧管640B各包含沿一方向延伸於第一側壁614與第二側壁616之間的一氣體分配表面646A、646B。第一歧管640A之氣體分配表面646A亦沿底壁622之前邊緣624A延伸，且第二歧管640B之氣體分配表面646B亦沿頂壁620之前邊緣624B延伸。
第一歧管640A之氣體分配表面646A具有一氣體分配部分648A，其具有用於分配淨化氣體之複數個狹縫641。狹縫641沿第一氣體分配部分648A之長度提供。各狹縫641經構形以高速排出淨化氣體之一噴流，其可挾帶及導引周圍空氣且導引周圍空氣之流動。歧管640之氣體分配部分648A經由第一進口埠634A來接收淨化氣體且歧管640A之分配表面646A將淨化氣體分配至內部空間608中。淨化氣體之噴流沿一向前方向D6 自分配表面646A之狹縫641高速排出至內部空間608中。在一實施例中，淨化氣體可自氣體分配表面646A之第一氣體分配部分648A分散。在另一實施例中，淨化氣體之噴流可依一角度排出。
在一實施例中，歧管640A亦可包含一氣體擴散部分650A，其經構形以促進淨化氣體在容器關閉時自內部606透過歧管640A及埠634B排放。氣體擴散部分650A可包含可為多孔之一氣體擴散表面654A。例如，在一實施例中，氣體擴散表面654A可包含一多孔薄膜，諸如本文中所描述。在另一實施例中，氣體擴散表面654A可包含一多孔陶瓷或一燒結多孔材料。基板容器600之內部606內之正壓產生基板容器600之內部606與外部之間的一壓力梯度，其引起淨化氣體透過擴散部分650A之擴散表面654A進入歧管640A且離開容器。
除附接至殼體606之頂壁620之外，第二歧管640B可具有類似於第一歧管640A之一構形。在一實施例中，殼體606中之內部通道680可將淨化氣體之第一流之淨化氣體之一部分供應至第二歧管640B之一進口。替代地，淨化氣體之一流可透過殼體606之頂壁620中之一進口埠(圖中未展示)來供應。
替代地，在一實施例中，歧管640B亦可包含一氣體擴散部分650B，其經構形以促進淨化氣體在容器關閉時自內部606透過歧管640B及頂壁620中之一出口埠排放。氣體擴散部分650B可包含可為多孔之一氣體擴散表面654B。例如，在一實施例中，氣體擴散表面654B可包含一多孔薄膜，諸如本文中所描述。在另一實施例中，氣體擴散表面654B可包含一多孔陶瓷或一燒結多孔材料。基板容器600之內部606內之正壓產生基板容器600之內部606與外部之間的一壓力梯度，其引起淨化氣體透過擴散部分650B之擴散表面654B進入歧管640B且離開容器。
圖10係在打開時淨化一前開式基板容器(例如圖2A中所展示之基板容器1或基板容器300、400、500之任何者)之一方法800之一實施例之一方塊圖。例如，當前門(例如前門4)已自基板容器之前開口(例如前開口12、312、412、512)移除時，基板容器打開。方法開始於810。
在810中，將淨化氣體之一第一流(例如淨化氣體之第一流f1 )供應至基板容器內之一歧管(例如歧管40、140、240、340、440、540A、540B)之一進口。淨化氣體之第一流經由基板容器之一壁(例如底壁22、頂壁520)中之一第一進口埠(例如進口埠34A、34B)供應至歧管之一進口(例如進口42A)。歧管安置成更靠近前開口而非基板容器之一後壁(例如後壁18)。接著，方法進行至820。
在820中，歧管將第一流之淨化氣體分配於基板容器之一內部空間(例如內部空間108)內。在一實施例中，820可包含歧管沿朝向基板容器之前開口之一方向(例如方向D2 )分配淨化氣體之一部分。接著，方法進行至830。
在830中，經由安置於基板容器之一壁(例如底壁22)中之一第二進口埠將淨化氣體之一第二流(例如淨化氣體之第二流f2 )供應至基板容器之內部空間。第二進口埠安置成更靠近基板容器之一後壁(例如後壁18)而非基板容器之前開口。在一實施例中，第一進口埠及第二進口埠可安置於基板容器之相同壁中。
方法可視情況在830之後包含840，如圖10中所展示。淨化氣體之第一流及第二流之流速可經調整使得內部空間具有小於一預定濕度濃度。基板容器之內部空間期望小於一預定濕度量。此預定量可基於(例如)基板之材料。基板容器內部空間內之濕度可能不是吾人期望的。
在一實施例中，方法800可基於圖1至圖8B中所揭示及上文所描述之基板容器及歧管之一或多者來修改。
在其中歧管之至少一者構形為用於自基板容器排放淨化氣體之一出口之實施例中，一方法可包含將一淨化氣體之一或多個流引入至基板容器之內部中。淨化氣體可由包含一進口、一氣體分配表面之一或多個歧管引入至基板容器中。替代地或另外，淨化氣體可由一淨化氣體進口或淨化氣體塔引入至基板容器中。接著，淨化氣體自基板容器之內部經由構形為一出口歧管之至少一歧管排放，如本文中根據各種實施例所描述。在一些實施例中，歧管包含連接至基板容器之一埠之一出口及一氣體擴散表面。當基板容器之門用於密封內部時，基板容器之內部內之淨化氣體可達成一正壓。當正壓達到一預定臨限值時，淨化氣體透過歧管之氣體擴散表面擴散且自容器經由連接至基板容器壁中之一埠之出口埠排放。 態樣
態樣1至15之任何者可與態樣16及17之任何者組合。
態樣1. 一種基板容器，其包括：一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口，一第一側壁、一第二側壁、一後壁及一底壁，該底壁包含沿該殼體之該前開口延伸於該第一側壁與該第二側壁之間的一前邊緣；及一歧管，其附接至該底壁，更靠近該殼體之該前開口而非該後壁，該歧管包含：一進口，其經構形以接收淨化氣體之一第一流；及一氣體分配表面，其經構形以將淨化氣體之該第一流分配至該內部空間中，該氣體分配表面包含沿該底壁之該前邊緣沿一方向延伸於該第一側壁與該第二側壁之間的一第一氣體分配部分。
態樣2. 如態樣1之基板容器，其中該歧管之該進口附接至該殼體之該底壁中之一進口埠。
態樣3. 如態樣1或2中任一項之基板容器，其中該第一氣體分配部分具有沿該第一側壁與該第二側壁之間的一距離之大部分延伸之一長度。
態樣4. 如態樣1至3中任一項之基板容器，其中該第一氣體分配部分經構形以沿朝向該殼體之該前開口之一方向分配該淨化氣體之至少一部分。
態樣5. 如態樣1至4中任一項之基板容器，其中該氣體分配表面包括一多孔材料。
態樣6. 如態樣1至5中任一項之基板容器，其中該氣體分配表面包含在該第一側壁與該第二側壁之間沿該氣體分配表面之一長度配置之複數個開口。
態樣7. 如態樣1至6中任一項之基板容器，其進一步包括用於支撐複數個基板之複數個層架，該複數個層架經構形以保持基板，該歧管更靠近該前開口而非該等層架。
態樣8. 如態樣1至7中任一項之基板容器，其中該底壁具有面向該內部空間之一內表面，且該歧管經構形以依相對於該底壁之該內表面之一角度自該氣體分配表面分配該淨化氣體。
態樣9. 如態樣1至8中任一項之基板容器，其中該氣體分配表面包含沿該第一側壁之一前邊緣或該第二側壁之一前邊緣之一者延伸之一第二氣體分配部分。
態樣10. 如態樣1至9中任一項之基板容器，其中該氣體分配表面至少部分安置於該內部空間內。
態樣11. 如態樣1至10中任一項之基板容器，其中該歧管包含支撐該氣體分配表面之一框架。
態樣12. 如態樣1至11中任一項之基板容器，其進一步包括用於自該內部空間放出氣體之一出口埠，該出口埠安置於第一進口與該第二側壁之間的該底壁中，且該第一氣體分配部分延伸於該進口與該出口埠之間。
態樣13. 如態樣12之基板容器，其中該歧管包含附接至該出口埠之一第二進口。
態樣14. 如態樣1至13中任一項之基板容器，其中該殼體包含與該前開口對置之一後壁，且該底壁包含用於將淨化氣體之一第二流引入至該內部空間中之一後進口埠，該後進口埠安置成靠近該後壁而非該前開口。
態樣15. 如態樣1至14中任一項之基板容器，其進一步包括經構形以接收於由該殼體界定之該前開口內以封閉該內部空間之一門。
態樣16. 一種在具有打開之一前開口時淨化一基板容器之方法，其包括：經由安置於該基板容器之一壁中之一前進口埠將淨化氣體之一第一流供應至安置於該基板容器內之一歧管之一進口，該歧管安置成更靠近該前開口而非該基板容器之一後壁；經由該歧管將該第一流之該淨化氣體分配於該基板容器之一內部空間內；及經由該基板容器之一壁中之一第二進口埠將淨化氣體之一第二流供應至該基板容器之該內部空間，該第二進口埠安置成更靠近該基板容器之該後壁而非該基板容器之該前開口。
態樣17. 如態樣16之方法，其中將該淨化氣體分配於該基板容器之一內部空間內包含：該歧管沿朝向該基板容器之該前開口之一方向導引該淨化氣體之一部分。
因此，儘管已描述本發明之若干說明性實施例，但熟習技術者應易於瞭解，可在隨附申請專利範圍之範疇內製造及使用其他實施例。已在以上描述中闡述由本發明涵蓋之本發明之諸多優點。然而，應瞭解，本發明在諸多方面僅供說明。可在不超出本發明之範疇之情況下對細節(尤其關於部件之形狀、大小及配置)作出改變。當然，本發明之範疇以表述隨附申請專利範圍之語言界定。
1:基板容器 3:設備前端模組(EFEM) 4:前門 6:殼體 8:內部空間 12:前開口 14:第一側壁 16:第二側壁 18:後壁 20:頂壁 22:底壁 24A:前邊緣 24B:前邊緣 26:設備掛鉤 28:層架 30:外表面 34A:第一進口埠/前進口埠 34B:第二進口埠/前進口埠 36A:後進口埠 36B:後進口埠 40:前歧管 42A:第一進口 42B:第二進口 44:框架 45:開口 46:氣體分配表面 48A:第一氣體分配部分 140:前歧管 142:進口 144:框架 145:開口 146:分配表面 148A:第一氣體分配部分 148B:第二氣體分配部分 148C:第三氣體分配部分 148D:第四氣體分配部分 240:前歧管 242A:進口 242B:進口 244:框架 246:氣體分配表面 247:薄膜 248A:第一氣體分配部分 248B:第二氣體分配部分 248C:第三氣體分配部分 248D:第四氣體分配部分 249:通道 300:基板容器 306:殼體 308:內部空間 312:前開口 314:第一側壁 316:第二側壁 322:底壁 324A:前邊緣 334A:第一前埠 334B:第二前埠 336A:後埠 336B:後埠 340:前歧管 342A:進口/第一進口 342B:第二進口 344:框架 346:氣體分配表面 347:薄膜 348A:第一氣體分配部分 349:通道 350:蓋 400:基板容器 406:殼體 408:內部空間 412:前開口 422:底壁 434A:第一前埠 434B:第二前埠 435:唇緣 436A:後埠 436B:後埠 438A:氣體分配歧管 440:歧管/前歧管 442:進口 444:框架 446:氣體分配表面 447:薄膜 448A:第一分配表面部分 452:凸緣 454:開口 500:基板容器 506:殼體 508:內部空間 512:前開口 514:第一側壁 516:第二側壁 520:頂壁 522:底壁 524A:前邊緣 524B:前邊緣 534A:第一前進口埠 534C:進口埠 536:後進口埠 538:氣體分配歧管 540A:第一前歧管 540B:第二前歧管 541:狹縫 542A:進口 542B:進口 546A:氣體分配表面 546B:氣體分配表面 548A:第一氣體分配部分 580:內部通道 590:基板 600:基板容器 606:殼體 608:內部空間 612:前開口 614:第一側壁 616:第二側壁 620:頂壁 624A:前邊緣 624B:前邊緣 634A:埠 634B:埠 636A:埠 636B:埠 638:氣體分配歧管 640A:第一歧管/前歧管 640B:第二歧管/前歧管 641:狹縫 646A:氣體分配表面 646B:氣體分配表面 648A:氣體分配部分 650A:氣體擴散部分 650B:氣體擴散部分 654A:氣體擴散表面 654B:氣體擴散表面 680:內部通道 800:方法 810:將淨化氣體之一第一流供應至安置於基板容器內之一歧管之一進口 820:歧管將第一流之淨化氣體分配於容器之一內部空間內 830:將淨化氣體之一第二流供應至基板容器之內部空間 840:調整淨化氣體之第一流及第二流之流速，使得內部空間具有小於一預定濕度濃度 d1 :距離 D1 :方向 D2 :方向 D3 :方向 D4 :方向 D5 :向上方向 D6 :向前方向 DS :方向 f1 :淨化氣體之第一流 f2 :淨化氣體之第二流 f3 :淨化氣體之另一流 f4 :氣流 L1 :長度 L2 :長度 L3 :長度 α:角度
將藉由以下圖式來更好理解一基板容器及淨化一基板容器之一方法之所描述及其他特徵、態樣及優點。
圖1係一基板容器之一實施例之一前透視圖。
圖2A係根據一實施例之圖1中之基板容器在打開時之一前透視圖。
圖2B係根據一實施例之圖2A中之基板容器在附接至一設備前端模組時之一橫截面圖。
圖3係根據一實施例之圖1中之基板容器之一仰視圖。
圖4係一基板容器之一歧管之一實施例之一前透視圖。
圖5A係一基板容器之一歧管之一實施例之一前透視圖。
圖5B係圖5A中之歧管之一分解圖。
圖6A係一基板容器之一實施例之一前透視圖。
圖6B係根據一實施例之圖6A中之基板容器之一歧管之一分解圖。
圖7A係一基板容器之一實施例之一前透視圖。
圖7B係根據一實施例之圖7A中之基板容器之一歧管之一前透視圖。
圖8A係一基板容器之一實施例之一前透視圖。
圖8B係根據一實施例之圖8A之基板容器之一橫截面圖。
圖9A係一基板容器之一實施例之一前透視圖。
圖9B係圖9A之基板容器之一仰視透視圖。
圖10係淨化一基板容器之一方法之一實施例之一方塊圖。
儘管本發明可接受各種修改及替代形式，但其具體細節已依舉例方式展示於圖式中且將被詳細描述。然而，應瞭解，吾人不意欲使本發明之態樣受限於所描述之特定說明性實施例。相反地，意欲涵蓋落於本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
1:基板容器
6:殼體
8:內部空間
12:前開口
14:第一側壁
16:第二側壁
18:後壁
20:頂壁
22:底壁
24A:前邊緣
24B:前邊緣
26:設備掛鉤
28:層架
34A:第一進口埠/前進口埠
34B:第二進口埠/前進口埠
36A:後進口埠
36B:後進口埠
42A:第一進口
42B:第二進口
44:框架
45:開口
46:氣體分配表面
d1:距離
D1:方向
D2:方向
D3:方向
f1:淨化氣體之第一流
f2:淨化氣體之第二流
f3:淨化氣體之另一流
L1:長度

Claims (20)

  1. 一種基板容器，其包括： 一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁、一底壁及沿該殼體之該前開口延伸於對置壁之間的一前邊緣；及 一歧管，其附接至該底壁、該頂壁、該第一側壁及/或該第二側壁，更靠近該殼體之該前開口而非該後壁，該歧管包含： 一進口，其經構形以接收淨化氣體之一流；及 一氣體分配部分，其包含經構形以將淨化氣體之該流分配至該內部空間中之一氣體分配表面，該氣體分配部分包含沿該殼體之一前邊緣沿一方向延伸於對置壁之間的該氣體分配表面。
  2. 如請求項1之基板容器，其中該歧管之該進口附接至該殼體之該底壁中之一進口埠。
  3. 如請求項1之基板容器，其中該氣體分配部分具有沿該第一側壁與該第二側壁之間的一距離之大部分延伸之一長度。
  4. 如請求項1之基板容器，其中該氣體分配表面經構形以沿朝向該殼體之該前開口之一方向分配該淨化氣體之至少一部分。
  5. 如請求項1之基板容器，其中該氣體分配表面包括一多孔材料。
  6. 如請求項1之基板容器，其中該氣體分配表面包含在該第一側壁與該第二側壁之間沿該氣體分配表面之一長度配置之複數個開口。
  7. 如請求項1之基板容器，其中該歧管包含經構形以促進該淨化氣體自該基板容器之該內部空間排放之一出口。
  8. 如請求項1之基板容器，其中該底壁、該頂壁、該第一側壁或該第二側壁之各者具有面向該內部空間之一內表面，且該歧管經構形以依相對於其附接之各自底壁、頂壁、第一側壁或第二側壁之該內表面之一角度自該氣體分配表面分配該淨化氣體。
  9. 如請求項1之基板容器，其中該歧管至少包含具有沿該第一側壁之該前邊緣延伸之一氣體分配表面之一第一氣體分配部分及具有沿該殼體之該第二側壁之一前邊緣之一者延伸之一氣體分配表面之一第二氣體分配部分，其中該第一側壁與該殼體之該第二側壁對置。
  10. 如請求項1之基板容器，其中該歧管包含支撐包含該氣體分配表面之該氣體分配部分之一框架。
  11. 如請求項1之基板容器，其進一步包括： 一出口埠，其用於自該內部空間放出氣體，其中該氣體分配部分延伸於該進口與該出口埠之間。
  12. 如請求項11之基板容器，其中該歧管包含附接至該出口埠之一額外進口。
  13. 如請求項12之基板容器，其中包含該氣體分配表面之該氣體分配部分經構形以允許淨化氣體在該容器之該內部空間中之正壓下透過該氣體分配表面擴散且經由該出口埠自該容器排放。
  14. 如請求項1之基板容器，其中該歧管進一步包括連接至用於自該內部空間放出氣體之一出口埠之一氣體擴散部分。
  15. 如請求項1之基板容器，其進一步包括附接至該容器之該頂壁之一額外歧管。
  16. 如請求項1之基板容器，其中 該殼體包含與該前開口對置之一後壁，且 該底壁包含用於將淨化氣體之一額外流引入至該內部空間中之一後進口埠，該後進口埠安置成靠近該後壁而非該前開口。
  17. 如請求項1之基板容器，其進一步包括： 一門，其經構形以接收於由該殼體界定之該前開口內以封閉該內部空間。
  18. 一種基板容器，其包括： 一殼體，其界定一內部空間，該殼體包含一前開口、一第一側壁、一第二側壁、一後壁、一頂壁、一底壁且包含沿該殼體之該前開口延伸於對置壁之間的一前邊緣及該殼體之該底壁及/或該頂壁中之一埠；及 一歧管，其在該前開口附近附接至該殼體，該歧管包含： 一氣體擴散部分，其包含經構形以容許淨化氣體之該流自該內部空間擴散至該歧管中之一氣體擴散表面，該氣體擴散部分包含沿一方向延伸於該殼體之該第一側壁與該第二側壁之間的該氣體擴散表面；及 一出口，其耦合至該殼體中之至少一埠，該出口經構形以經由該殼體中之該埠將該淨化氣體自該歧管排放至該基板容器之一外部。
  19. 如請求項18之基板容器，其中該歧管附接至該殼體之該底壁或該頂壁中之該埠。
  20. 一種在具有打開之一前開口時淨化一基板容器之方法，其包括： 經由安置於該基板容器之一壁中之一前進口埠將淨化氣體之一第一流供應至安置於該基板容器內之一歧管之一進口，該歧管安置成更靠近該前開口而非該基板容器之一後壁； 經由該歧管將該第一流之該淨化氣體分配於該基板容器之一內部空間內；及 經由該基板容器之一壁中之一第二進口埠將淨化氣體之一第二流供應至該基板容器之該內部空間，該第二進口埠安置成更靠近該基板容器之該後壁而非該基板容器之該前開口。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230128154A1 (en) * 2021-10-27 2023-04-27 Entegris, Inc. Purge flow distribution system for a substrate container and method for performing the same
WO2023076156A1 (en) * 2021-10-27 2023-05-04 Entegris, Inc. Method and device to regulate purge into a container
WO2024145403A1 (en) * 2022-12-30 2024-07-04 Entegris, Inc. Substrate container with purge gas diffuser

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277579A (en) * 1991-03-15 1994-01-11 Tokyo Electron Sagami Limited Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus provided with a wafers transferring system
US6899145B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Asm America, Inc. Front opening unified pod
JP5041348B2 (ja) * 2010-02-26 2012-10-03 Ｔｄｋ株式会社 清浄ガスの置換機能を備えた基板収納ポッド
JP5547576B2 (ja) * 2010-07-30 2014-07-16 近藤工業株式会社 Ｎ２ガスパージ用ブリージングフィルターユニットおよび該フィルターユニットを搭載した半導体ウエハ収納容器をｎ２ガスパージするパージ装置
KR101147192B1 (ko) * 2011-11-11 2012-05-25 주식회사 엘에스테크 웨이퍼 표면상의 증착 이물 제거 장치
TWI645492B (zh) * 2013-06-18 2018-12-21 恩特葛瑞斯股份有限公司 具有重量壓載器的前開式晶圓容置盒
KR101366135B1 (ko) * 2013-10-10 2014-02-25 주식회사 엘에스테크 포스트 퍼지 장치
JP6217977B2 (ja) * 2014-02-27 2017-10-25 Tdk株式会社 ポッド、及び該ポッドを用いたパージシステム
US9881826B2 (en) * 2014-10-24 2018-01-30 Lam Research Corporation Buffer station with single exit-flow direction
KR101756743B1 (ko) * 2016-12-30 2017-07-12 김태훈 웨이퍼 가공 설비용 버퍼 챔버 유닛
US11139188B2 (en) * 2017-04-28 2021-10-05 Sinfonia Technology Co., Ltd. Gas supply device, method for controlling gas supply device, load port, and semiconductor manufacturing apparatus
US10903103B2 (en) * 2018-01-22 2021-01-26 Nanya Technology Corporation Front opening unified pod
KR102113275B1 (ko) * 2018-04-19 2020-05-20 주식회사 저스템 버퍼 챔버용 웨이퍼 퍼지 장치
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
KR20200022682A (ko) * 2018-08-23 2020-03-04 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
US11610795B2 (en) * 2018-08-28 2023-03-21 Entegris, Inc. Membrane diffuser for a substrate container
KR102172073B1 (ko) * 2018-09-28 2020-10-30 세메스 주식회사 기판 수납 장치 및 상기 기판 수납 장치를 이용한 기판 처리 장치
KR102123275B1 (ko) * 2019-01-30 2020-06-16 주식회사 에이케이테크 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛 및 상기 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트용 측면 노즐 유닛을 포함하는 사이드 스토리지의 웨이퍼 수용 카세트
US11723152B2 (en) * 2020-01-24 2023-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Oxygen and humidity control in storage device

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