CN114460347A - 电流传感器及电气控制装置 - Google Patents

电流传感器及电气控制装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114460347A
CN114460347A CN202111109900.6A CN202111109900A CN114460347A CN 114460347 A CN114460347 A CN 114460347A CN 202111109900 A CN202111109900 A CN 202111109900A CN 114460347 A CN114460347 A CN 114460347A
Authority
CN
China
Prior art keywords
core
magnetic
current sensor
shield
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111109900.6A
Other languages
English (en)
Inventor
平野裕幸
高桥真
毛受良一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN114460347A publication Critical patent/CN114460347A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/007—Environmental aspects, e.g. temperature variations, radiation, stray fields
    • G01R33/0076—Protection, e.g. with housings against stray fields
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/207—Constructional details independent of the type of device used
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种电流传感器，其用于检测由电流在第一方向上流动的导体产生的磁，其特征在于，具备可检测磁的磁检测部、集磁芯、以及磁屏蔽。集磁芯包含：第一芯部，其与第一方向实质上平行；第二芯部及第三芯部，它们与和第一方向正交的第二方向上的第一芯部的两端部分别连续。第二芯部及第三芯部分别以沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向的方式从第一芯部的端部延伸。磁检测部在第二方向上具有磁敏方向，位于第三方向上的第二芯部的端部附近和第三芯部的端部附近所夹持的芯间隙。磁屏蔽包含以沿着第三方向观察时与芯间隙重叠的方式定位的板状屏蔽部。

Description

电流传感器及电气控制装置
技术领域
本发明涉及电流传感器及电气控制装置。
背景技术
近年来，在混合动力电动汽车(HEV：HybridElectricVehicle)或电动汽车(EV：Electric Vehicle)等的蓄电池的余量的测定、马达的驱动电流的测定、转换器、逆变器等电力控制设备中使用电流传感器。作为该电流传感器，已知具备磁传感器的电流传感器，该磁传感器包含可以检测通过在汇流条等导体中流动电流而产生的磁场的磁检测元件。在电流传感器中，例如，通过AMR元件、GMR元件、TMR元件等磁阻效应元件、霍尔元件等磁检测元件以非接触状态检测汇流条等导体中流动的电流。
目前，已知电流传感器具备具有空隙(间隙)的环状的磁性体芯，且在该空隙配置有包含磁检测元件的磁传感器(参照专利文献1)。通过具有这种构造，能够使从导体产生的磁通汇聚于磁性体芯，使通过磁性体芯汇聚的磁通施加在配置于空隙的磁检测元件上。
现有技术文献
非专利文献
专利文献1：日本特开2019－78542号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1公开的电流传感器中，如果导体中流动的电流相对变大，则从导体产生的磁场变强，由此，磁性体芯容易磁饱和，因此，磁传感器的输出的线性有可能恶化。如果扩大磁性体芯的空隙(间隔)、或增大磁性体芯的体积，则能够改善磁传感器的输出的线性的恶化。但是，如果扩大磁性体芯的空隙(间隔)，则从导体产生的磁场以外的磁场(以下，有时称为“干扰磁场”。)容易施加于磁检测元件，电流传感器的检测精度有可能降低。
鉴于上述问题，本发明的目的在于，提供一种能够抑制干扰磁场的影响的电流传感器及电气控制装置。
用于解决问题的技术方案
为了解决上述问题，本发明提供一种电流传感器，其用于检测由电流在第一方向上流动的导体产生的磁，其特征在于，具备可检测所述磁的磁检测部、集磁芯、以及磁屏蔽，所述集磁芯包含：第一芯部，其与所述第一方向实质上平行；第二芯部及第三芯部，它们与和所述第一方向正交的第二方向上的所述第一芯部的两端部分别连续，所述第二芯部及所述第三芯部分别以沿着与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向的方式从所述第一芯部的端部延伸，所述磁检测部在所述第二方向上具有磁敏方向，位于所述第三方向上的所述第二芯部的端部附近和所述第三芯部的端部附近所夹持的芯间隙，所述磁屏蔽包含以沿着所述第三方向观察时与所述芯间隙重叠的的方式定位的板状屏蔽部。
也可以是，所述集磁芯还包含与所述第二芯部的端部的附近连续的第四芯部及与所述第三芯部的端部的附近连续的第五芯部，所述第四芯部及所述第五芯部沿着所述第二方向以相互接近的方式延伸。所述导体可以为将厚度方向设为所述第二方向，且沿所述第一方向延伸的板状体，也可以为将厚度方向设为所述第三方向，且沿所述第一方向延伸的板状体。
也可以是，所述磁屏蔽包含与沿着所述第一方向的所述板状屏蔽部的两端部分别连续，且沿着所述第三方向延伸的第一屏蔽部及第二屏蔽部，沿着所述第一方向观察时，所述磁检测部位于所述第一屏蔽部及所述第二屏蔽部所夹持的所述芯间隙内。
也可以是在所述板状屏蔽部可以形成在所述第三方向上贯通的狭缝部，沿着所述第三方向观察时，所述狭缝部的长边方向可以与所述第一方向实质上一致，所述狭缝部的长边方向也可以与所述第二方向实质上一致。多个所述狭缝部也可以形成于所述板状屏蔽部。
也可以是，所述磁屏蔽的构成材料的铁损比所述集磁芯的构成材料的铁损大，所述磁检测部也可以包含磁阻效应元件或霍尔元件，所述磁阻效应元件也可以为GMR元件或TMR元件。所述导体也可以被设置为沿着所述第一方向贯通由所述集磁芯的所述第一芯部、所述第二芯部及所述第三芯部形成的空间。
本发明提供一种电气控制装置，其特征在于，具备上述电流传感器。
发明效果
根据本发明，能够提供一种可以抑制干扰磁场的影响的电流传感器及电气控制装置。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的立体图。
图2是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的侧视图。
图3是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的侧视图。
图4是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的局部放大切断端面图。
图5A是用于说明芯间隙具有相对窄的集磁芯，且不具有磁屏蔽的电流传感器中的X方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图5B是用于说明芯间隙具有相对窄的集磁芯，且不具有磁屏蔽的电流传感器中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图6A是用于说明芯间隙具有相对宽的集磁芯，且不具有磁屏蔽的电流传感器中的X方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图6B是用于说明芯间隙具有相对宽的集磁芯，且不具有磁屏蔽的电流传感器中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图6C是用于说明芯间隙具有相对宽的集磁芯和磁屏蔽的电流传感器中的X方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图7是表示本发明实施方式的电流传感器的概略结构的框图。
图8是概略地表示本发明的实施方式中的磁检测部的电路结构的电路图。
图9是表示本发明的实施方式中的磁阻效应元件的一方式的概略结构的立体图。
图10是表示本发明的实施方式中的磁阻效应元件的一方式的概略结构的切断端面图。
图11A是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的变形例的概略结构的立体图。
图11B是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的变形例的概略结构的立体图。
图11C是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的变形例的概略结构的立体图。
图11D是表示本发明实施方式的电流传感器的第一方式的变形例的概略结构的立体图。
图12A是用于说明本发明实施方式的电流传感器中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图12B是用于说明本发明实施方式的电流传感器的变形例中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图12C是用于说明本发明实施方式的电流传感器的变形例中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图13是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的概略结构的立体图。
图14是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的概略结构的侧视图。
图15是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的概略结构的侧视图。
图16是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的概略结构的局部放大切断端面图。
图17A是用于说明本发明实施方式的电流传感器的第二方式中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图17B是用于说明本发明实施方式的电流传感器的第二方式中的X方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图18A是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的变形例的概略结构的立体图。
图18B是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的变形例的概略结构的立体图。
图18C是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的变形例的概略结构的立体图。
图18D是表示本发明实施方式的电流传感器的第二方式的变形例的概略结构的立体图。
图19是用于说明本发明的实施方式中的电流传感器的第二方式的变形例中的Y方向的干扰磁场产生的影响的侧视图。
图20是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的概略结构的立体图。
图21是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的概略结构的侧视图。
图22是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的概略结构的侧视图。
图23A是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的变形例的概略结构的立体图。
图23B是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的变形例的概略结构的立体图。
图23C是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的变形例的概略结构的立体图。
图23D是表示本发明实施方式的电流传感器的第三方式的变形例的概略结构的立体图。
图24是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的概略结构的立体图。
图25是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的概略结构的侧视图。
图26是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的概略结构的侧视图。
图27A是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的变形例的概略结构的立体图。
图27B是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的变形例的概略结构的立体图。
图27C是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的变形例的概略结构的立体图。
图27D是表示本发明实施方式的电流传感器的第四方式的变形例的概略结构的立体图。
图28是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的概略结构的立体图。
图29是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的概略结构的侧视图。
图30是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的概略结构的侧视图。
图31A是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的变形例的概略结构的立体图。
图31B是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的变形例的概略结构的立体图。
图31C是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的变形例的概略结构的立体图。
图31D是表示本发明实施方式的电流传感器的第五方式的变形例的概略结构的立体图。
图32是表示电流传感器中的集磁芯的构成材料和磁屏蔽的构成材料的铁损差引起的频率特性的图表。
具体实施方式
参照附图对本发明的一实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的立体图，图2是表示本实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的侧视图，图3是表示本实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的侧视图，图4是表示本实施方式的电流传感器的第一方式的概略结构的局部放大切断端面图。
在对本实施方式进行说明之前，根据需要，在几个附图中规定“第一方向、第二方向及第三方向”。在此，第一方向是在导体中流动的电流的方向。第二方向是与第一方向正交的方向，且为第一～第三方式及第五方式中的导体的宽度方向以及第四方式中的导体的厚度方向。第三方向是与第一方向及第二方向正交的方向，且为第一～第三方式及第五方式中的导体的厚度方向以及第四方式中的导体的宽度方向。此外，在本说明书及附图中，有时将第一方向称为“Z方向”，将第二方向称为“X方向”，将第三方向称为“Y方向”。
如图1～图4所示，本实施方式的电流传感器1的第一方式具备可检测磁的磁检测部2、集磁芯3、磁屏蔽4、电流在Z方向上流动的导体5。
集磁芯3具有：与Z方向实质上平行的第一芯部31、与第一芯部31的X方向上的两端部31A、31B连续且沿Y方向(+Y方向)延伸的第二芯部32及第三芯部33、与第二芯部32的Y方向上的端部32A连续且沿X方向(－X方向)延伸的第四芯部34、与第三芯部33的Y方向上的端部33A连续且沿X方向(+X方向)延伸的第五芯部35。第四芯部34及第五芯部35从第二芯部32的端部32A及第三芯部33的端部33A沿着X方向延伸，以使它们的端面相互靠近。被相互对置的第四芯部34的端面和第五芯部35的端面夹持的空隙(空间)为芯间隙CG。即，集磁芯3为具有芯间隙CG的环状，沿着Z方向观察时，为大致C字状的芯。
在本实施方式中，集磁芯3的第一芯部31的端部31A和第二芯部32的连续部、第一芯部31的端部31B和第三芯部33的连续部、第二芯部32的端部32A和第四芯部34的连续部、及第三芯部33的端部33A和第五芯部35的连续部均具有弯曲形状(圆角形状)，但不限定于该方式。例如，这些连续部可以为曲折折形状(具有角的形状)，也可以为角被倒角的C倒角形状。
芯间隙CG的X方向的长度LCG(第四芯部34的端面和第五芯部35的端面的X方向上的距离)例如可以为6mm以上，也可以为6～12mm程度。通过该长度LCG为6mm以上，能够有效地实现本实施方式的电流传感器1具备磁屏蔽4带来的效果即通过磁屏蔽4抑制干扰磁场施加于磁检测部2的效果。
假设本实施方式的电流传感器1不具备磁屏蔽4时，如果芯间隙CG的X方向的长度LCG相对小，第四芯部34的端面及第五芯部35的端面与磁检测部2接近，则X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场HY均被集磁芯3吸收，难以施加于磁检测部2(参照图5A及图5B)。即，电流传感器不易受到干扰磁场Hx、HY产生的影响。另一方面，当导体5中流动的电流变大时，集磁芯3容易磁饱和，且磁检测部2的输出的线性有可能恶化。为了改善磁检测部2的输出的线性，如果使芯间隙CG的X方向的长度LCG相对大(例如6mm以上)，使第四芯部34的端面及第五芯部35的端面从磁检测部2分开，则虽然集磁芯3不易磁饱和，但X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场HY均容易施加于磁检测部2(参照图6A及图6B)。如本实施方式的电流传感器1，通过以沿着Y方向观察时与芯间隙CG重叠的方式设置磁屏蔽4，能够将至少X方向的干扰磁场Hx引导到集磁芯3及磁屏蔽4(参照图6C)。因此，能够抑制至少X方向的干扰磁场Hx施加于磁检测部2。
集磁芯3的Z方向上的宽度W3只要为5～20mm程度即可。在本实施方式的电流传感器1中，磁检测部2配置于集磁芯3的芯间隙CG，但如果上述宽度W3相对小(例如低于5mm)，则由于从导体5产生的磁通，集磁芯3有可能容易磁饱和。另一方面，如果上述宽度W3相对大，则电流传感器1的尺寸会相对变大。
磁屏蔽4和集磁芯3的Y方向上的间隙的长度G34例如可以为3mm以下，也可以为1～2mm程度。如果该间隙的长度G34超过3mm，则X方向的干扰磁场Hx有可能会穿过该间隙而施加于磁检测部2。另外，如果该间隙的长度G34相对短(例如低于1mm)，则形成从集磁芯3通向磁屏蔽4的磁路，因为磁通容易向磁屏蔽4流动，所以集磁芯3容易磁饱和，并且应由磁检测部2检测的磁通有可能会减少。
由铜等构成的导体5是将长边方向设为与Z方向实质上平行，将厚度方向设为与Y方向实质上平行的板状体，在具有芯间隙CG的环状的集磁芯3内沿Z方向贯通地设置。导体5的长边方向只要与Z方向实质上平行即可，例如，导体5的轴线(穿过导体5的中心的线)只要相对于Z方向以2°以下的角度交叉即可。另外，导体5的厚度方向只要与Y方向实质上平行即可，例如只要相对于Y方向以2°以下的角度交叉即可。
磁检测部2只要设置于芯间隙CG即可。在本实施方式的电流传感器1的第一方式中，当电流在导体5中流动时，从导体5产生磁通，且该磁通汇聚于具有芯间隙CG的环状的集磁芯3。通过集磁芯3形成具有芯间隙CG的环状，包含芯间隙CG的集磁芯3整体成为磁通的路径(磁路)。即，设置于芯间隙CG的磁检测部2可以位于汇聚于集磁芯3的磁通的路径(磁路)。因此，本实施方式中“磁检测部2设置于芯间隙CG”是指只要磁检测部2位于上述磁路即可，磁检测部2的整体可以位于芯间隙CG内，磁检测部2的一部分也可以位于芯间隙CG内。此外，后述磁检测部2的详细结构。
磁屏蔽4包含沿着Y方向观察时与芯间隙CG重叠的板状屏蔽部41。由于在沿着Y方向观察时，板状屏蔽部41与芯间隙CG重叠，从而X方向的干扰磁场Hx被引导到集磁芯3及磁屏蔽4。因此，能够抑制X方向的干扰磁场Hx施加于磁检测部2。
在本实施方式中，沿着Y方向观察时，磁屏蔽4被配置为板状屏蔽部41与芯间隙CG完全重叠。即，磁屏蔽4的板状屏蔽部41的X方向上的长度L41只要为芯间隙CG的X方向上的长度LCG以上即可，且只要为集磁芯3的X方向的长度L3以下即可。板状屏蔽部41的X方向上的长度L41相对长时，可提高相对于X方向的干扰磁场Hx的屏蔽效果。另外，板状屏蔽部41的Z方向上的长度W41只要为芯间隙CG的Z方向上的长度、即集磁芯3的Z方向上的宽度W3以上即可。例如，板状屏蔽部41的X方向上的长度L41只要为芯间隙CG的X方向的长度LCG+4mm以上、集磁芯3的X方向的长度L3以下程度即可，Z方向上的长度W41只要为集磁芯3的Z方向上的宽度W3以上、集磁芯3的Z方向上的宽度W3+8mm程度即可。此外，本实施方式的电流传感器1不限定于该方式。例如，只要可以通过磁屏蔽4至少抑制X方向的干扰磁场Hx施加于磁检测部2，则板状屏蔽部41也可以不与芯间隙CG完全重叠。
板状屏蔽部41的厚度(Y方向上的长度)没有特别限定，但例如只要为1～3mm程度即可。如果该厚度相对过薄(例如低于1mm)，则磁屏蔽4容易饱和，并且，有可能给予来自电流传感器1的输出的线性不良影响。另一方面，在该厚度相对厚的情况下，有可能给予电流传感器1的制造成本及电流传感器1的高度尺寸影响。
集磁芯3及磁屏蔽4只要均由硅钢、电磁钢、纯铁(SUY)、坡莫合金等软磁性材料构成即可，但从低成本化的观点考虑，优选硅钢、电磁钢、纯铁等。磁屏蔽4的构成材料的铁损只要比集磁芯3的构成材料的铁损大即可。通过规定的电流在导体5中流动，从导体5产生的磁场向集磁芯3及磁屏蔽4流动。如果导体5中流动的电流的频率变高，则由铁损相对大的材料构成的磁屏蔽4的频率特性恶化，且向磁屏蔽4流动的磁场相对减少。由铁损相对小的材料构成的集磁芯3的频率特性也恶化，虽然磁场容易流动，但向集磁芯3流动的磁场相对增加向磁屏蔽4流动的磁场相对减少的量。作为其结果，与不具有磁屏蔽4的电流传感器1相比，认为施加于磁检测部2的磁场的磁通密度稳定。这在后述的试验例中是明确的，但两者的铁损的差越大，频率特性越得到改善，能够抑制施加于磁检测部2的磁场的磁通密度的衰减(参照图32)。其结果，能够使电流传感器1相对于交流电流的响应特性稳定化。集磁芯3的构成材料的铁损和磁屏蔽4的构成材料的铁损的差例如优选为2.0W/kg以上，更优选为4.5～10.0W/kg。铁损是根据基于JIS－C－2550的规定的爱泼斯坦试验法，作为频率50Hz时的最大磁通密度1.5T的正弦波励磁时的每单位重量的铁损的大小(轧制方向和与之相对的直角方向的平均)而求出的值。此外，集磁芯3的构成材料只要为铁损比磁屏蔽4的构成材料小的材料，则可以为与磁屏蔽4的构成材料相同种类的材料，也可以为不同种类的材料。例如，集磁芯3和磁屏蔽4均由电磁钢构成，但构成磁屏蔽4的电磁钢的铁损只要比构成集磁芯3的电磁钢的铁损大即可。
本实施方式的电流传感器1具备磁检测部2和信号处理部6。信号处理部6包含将从磁检测部2输出的模拟信号转换为数字信号的A/D(模拟数字)转换部61和对通过A/D转换部61进行了数字转换的数字信号进行运算处理的运算部62。此外，在将通过运算部62进行了运算处理的运算处理结果作为模拟信号输出的情况下，信号处理部6只要在运算部62的下游侧进一步包含D/A(数字模拟)转换部(省略图示)即可。
在本实施方式中，磁检测部2的电路结构可以为将第一电阻部Rl、第二电阻部R2、第三电阻部R3及第四电阻部R4的四个电阻部桥接而成的惠斯通电桥电路C，也可以为将第一电阻部R1及第二电阻部R2的两个电阻部半桥连接而成的电路。第一～第四电阻部Rl～R4可以包含单一的磁阻效应元件(AMR元件、GMR元件、TMR元件等)或霍尔元件，也可以包含多个磁阻效应元件(AMR元件、GMR元件、TMR元件等)或霍尔元件。
磁检测部2具有的惠斯通电桥电路C包含电源端口V、接地端口G、两个输出端口El、E2、串联连接的第一电阻部R1及第二电阻部R2、串联连接的第三电阻部R3及第四电阻部R4。第一电阻部R1及第三电阻部R3的各一端与电源端口V连接。第一电阻部R1的另一端与第二电阻部R2的一端和输出端口E1连接。第三电阻部R3的另一端与第四电阻部R4的一端和输出端口E2连接。第二电阻部R2及第四电阻部R4的各另一端与接地端口G连接。对电源端口V施加规定的大小的电源电压，接地端口G接地。
在本实施方式中，惠斯通电桥电路C中所含的第一～第四电阻部R1～R4可以包含AMR元件、GMR元件或TMR元件等MR元件，也可以包含霍尔元件。GMR元件及TMR元件包含磁化方向被固定的磁化固定层、磁化方向根据施加的磁场的方向而变化的自由层、配置于磁化固定层及自由层之间的非磁性层。AMR元件包含具有形状各向异性的磁性层。
构成第一～第四电阻部R1～R4的GMR元件或TMR元件等MR元件只要具有多个第一电极71、多个MR膜80以及多个第二电极72即可。多个第一电极71设置于基板(未图示)上。第一电极71还被称为下部引线电极。各第一电极71具有细长的形状。在第一电极71的长边方向上相邻的两个第一电极71之间形成有间隙。在第一电极71的上表面上的、长边方向的两端附近分别设置有MR膜80。MR膜80在俯视时为大致圆形状，包含从第一电极71侧依次层叠的自由层81、非磁性层82、磁化固定层83及反铁磁性层84。自由层81与第一电极71电连接。反铁磁性层84由反铁磁性材料构成，通过在与磁化固定层83之间产生交换耦合，实现固定磁化固定层83的磁化的方向的效果。多个第二电极72设置于多个MR膜80上。各第二电极72具有细长的形状，配置于在第一电极71的长边方向上相邻的两个第一电极71上，将相邻的两个MR膜80的反铁磁性层84彼此电连接。第二电极72还称为上部引线电极。此外，MR膜80也可以具有从第二电极72侧依次层叠自由层81、非磁性层82、磁化固定层83及反铁磁性层84而成的结构。另外，也可以通过将磁化固定层83设为铁磁性层/非磁性中间层/铁磁性层的层叠铁结构，将两铁磁性层与反铁磁性地结合而成的、所谓的自固定型的固定层(Synthetic Ferri Pinned层、SFP层)，省略反铁磁性层84。
在TMR元件中，非磁性层82为隧道势垒层。在GMR元件中，非磁性层82为非磁性导电层。在TMR元件、GMR元件中，电阻值根据自由层81的磁化的方向相对于磁化固定层83的磁化的方向而形成的角度变化，在该角度为0°(相互的磁化方向为平行)时，电阻值成为最小，在为180°(相互的磁化方向为反平行)时，电阻值成为最大。
在第一～第四电阻部R1～R4由TMR元件或GMR元件构成的情况下，在磁检测部2的惠斯通电桥电路C中，第一电阻部R1及第二电阻部R2的磁化固定层83的磁化方向与X方向平行，第一电阻部R1的磁化固定层83的磁化方向和第二电阻部R2的磁化固定层83的磁化方向为相互反平行方向。另外，第三电阻部R3及第四电阻部R4的磁化固定层83的磁化方向与X方向平行，第三电阻部R3的磁化固定层83的磁化方向和第四电阻部R4的磁化固定层83的磁化方向为相互反平行方向。在磁检测部2中，输出端口El、E2的电位差根据从导体5产生的X方向的磁场的磁场强度的变化而变化，与输出端口El、E2的电位差对应的信号作为传感器信号S向信号处理部6输出。差分检测器(图示省略)将与输出端口E1、E2的电位差对应的信号放大，并作为传感器信号S向信号处理部6的A/D转换部61输出。
A/D转换部61将从磁检测部2输出的传感器信号S(与电流相关的模拟信号)转换为数字信号，并将该数字信号向运算部62输入。运算部62进行关于通过A/D转换部61从模拟信号转换的数字信号的运算处理。该运算部62例如由微型计算机、ASlC(ApplicationSpecific lntegrated Circuit)等构成。
在本实施方式的电流传感器1的第一方式中，如图11A～11D所示，也可以在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成在Y方向上贯通的狭缝部42。狭缝部42可以形成为将其长边方向设为与X方向实质上平行(参照图11A)，也可以形成为将其长边方向设为与Z方向实质上平行(参照图11B及图11C)，还可以形成为使其长边方向与X方向及Z方向交叉(参照图11D)。在磁屏蔽4的板状屏蔽部41可以形成一个狭缝部42(参照图11A、图11B及图11D)，也可以形成多个狭缝部42(参照图11C)。狭缝部42可以形成为沿着Y方向观察时，与磁检测部2重叠即磁检测部2的至少一部分从狭缝部42露出(参照图11A、图11B及图11D)，也可以形成为不与磁检测部2重叠(参照图11C)。
在本实施方式的电流传感器1的第一方式中，如果在磁屏蔽4的板状屏蔽部41没有形成狭缝部42，则Y方向的干扰磁场HY在磁屏蔽4的板状屏蔽部41的厚度方向上透过(参照图12A)。即使对沿X方向具有灵敏度轴的磁检测部2施加Y方向的干扰磁场HY，通常，也不会受到大的影响。但是，在由电流传感器1中的磁检测部2的安装误差等而磁检测部2的灵敏度轴从X方向向±Y方向偏移的情况下，没有形成狭缝部42的板状屏蔽部41会使Y方向的干扰磁场HY在该板状屏蔽部41的厚度方向上透过，因此，电流传感器1有可能会受到干扰磁场HY产生的影响。
另一方面，通过在板状屏蔽部41形成狭缝部42，能够使Y方向的干扰磁场HY向狭缝部42的两侧(沿着Y方向观察时的狭缝部42的短边方向上的两侧)分散。因此，在形成为沿着Y方向观察时，狭缝部42与磁检测部2重叠的情况下，能够抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2(参照图12B)。
此外，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42不与磁检测部2重叠的方式形成的情况下，难以抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2，但能够抑制从磁屏蔽4的外侧绕入而引导到磁屏蔽4的干扰磁场HY对电流传感器1造成影响(参照图12C)。
在图11A所示的方式中，狭缝部42的长边方向(X方向)的长度L42可以比芯间隙CG的X方向上的长度LCG短，也可以长，还可以与该长度LCG相同。在图11A～11D所示的方式中，狭缝部42的短边方向的长度W42例如只要为1～4mm程度即可，优选为2～3mm程度。如果该长度W42低于1mm，则不能通过狭缝部42有效地分散干扰磁场HY，干扰磁场HY有可能沿厚度方向透过磁屏蔽4的板状屏蔽部41而施加于磁检测部2。另外，如果该长度W42超过4mm，则Y方向的干扰磁场HY有可能穿过狭缝部42而施加于磁检测部2。
根据本实施方式的电流传感器1的第一方式，通过以从Y方向观察时与集磁芯2的芯间隙CG重叠的方式设置磁屏蔽4，能够将至少X方向的干扰磁场Hx引导到集磁芯2及磁屏蔽4，能够抑制该干扰磁场Hx产生的影响。因此，根据本实施方式的电流传感器1的第一方式，能够以高精度检测导体5中流动的电流。
对本实施方式的电流传感器1的第二方式进行说明。此外，对与上述第一方式同样的结构标注相同的符号，并省略其详细的说明。如图13～16所示，电流传感器1的第二方式具备可检测磁的磁检测部2、集磁芯3、磁屏蔽4、在Z方向上流动电流的导体5。
磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的Z方向的两端部41A、41B连续，且沿着Y方向延伸的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。板状屏蔽部41的X方向的长度L41与第一屏蔽部43的X方向的长度L43及第二屏蔽部44的X方向的长度相同。即，磁屏蔽4在沿着X方向观察时，具有大致U字状。
在本实施方式的电流传感器1的第二方式中，磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的Z方向的两端部41A、41B连续的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。第一屏蔽部43及第二屏蔽部44从板状屏蔽部41的两端部41A、41B向－Y方向延伸。通过磁屏蔽4包含第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，Y方向的干扰磁场HY被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17A)，因此，能够抑制该干扰磁场HY施加于磁检测部2。另外，X方向的干扰磁场Hx被从集磁芯3的第四芯部34或第五芯部35引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17B)，因此，能够抑制该干扰磁场Hx施加于磁检测部2。
第一屏蔽部43及第二屏蔽部44的Y方向上的长度T43、T44只要为不与导体5接触的程度，就没有特别限定，但优选为沿着Z方向观察时与芯间隙CG完全重叠的程度的长度以上(参照图16)。通过沿着Z方向观察时，第一屏蔽部43及第二屏蔽部44与芯间隙CG完全重叠，能够有效地抑制X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场HY均施加于磁检测部2。该长度T43、T44例如只要为6～10mm程度即可。此外，第一屏蔽部43的Y方向上的长度T43和第二屏蔽部44的Y方向上的长度T44可以相互相同，也可以不同。
在本实施方式中，板状屏蔽部41的两端部41A、41B和第一屏蔽部43及第二屏蔽部44的连续部均具有弯曲形状(圆角形状)，但不限定于该方式。例如，这些连续部可以为曲折形状(具有角的形状)，也可以为角被倒角的C倒角形状。
在本实施方式的电流传感器1的第二方式中，如图18A～18D所示，也可以在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成在Y方向上贯通的狭缝部42。狭缝部42可以形成为将其长边方向设为与X方向实质上平行(参照图18A)，也可以形成为将其长边方向设为与Z方向实质上平行(参照图18B及图18C)，还可以形成为使其长边方向与X方向及Z方向交叉(参照图18D)。在磁屏蔽4的板状屏蔽部41可以形成一个狭缝部42(参照图18A、图18B及图18D)，也可以形成多个狭缝部42(参照图18C)。狭缝部42可以形成为沿着Y方向观察时与磁检测部2重叠即磁检测部2的至少一部分从狭缝部42露出(参照图18A、图18B及图18D)，也可以形成为不与磁检测部2重叠(参照图18C)。
在本实施方式的电流传感器1的第二方式中，Y方向的干扰磁场HY容易被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，但如果在磁屏蔽4的板状屏蔽部41没有形成狭缝部42，则Y方向的干扰磁场HY的一部分会在磁屏蔽4的板状屏蔽部41的厚度方向上透过(参照图17A)。其结果，电流传感器1有可能受到干扰磁场HY产生的影响。
另一方面，通过在板状屏蔽部41形成狭缝部42，能够使Y方向的干扰磁场HY向狭缝部42的两侧(沿着Y方向观察时的狭缝部42的短边方向(Z方向)上的两侧)分散，容易将该干扰磁场HY更有效地引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。因此，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42与磁检测部2重叠的方式形成的情况下，能够有效地抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2(参照图19)。
此外，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42不与磁检测部2重叠的情况下，能够抑制从磁屏蔽4的外侧绕入而被引导到磁屏蔽4的干扰磁场HY对电流传感器1造成影响(参照图12C)。
在图18A所示的方式，狭缝部42的长边方向(X方向)的长度L42可以比芯间隙CG的X方向上的长度LCG短，也可以长，还可以与该长度LCG相同。在图18A～18D所示的方式中，狭缝部42的短边方向的长度W42例如只要为1～4mm程度即可，优选为2～3mm程度。如果该长度W42低于1mm，则分散狭缝部42产生的干扰磁场HY的效果降低。在厚度方向上透过磁屏蔽4的板状屏蔽部41的干扰磁场HY有可能会施加于磁检测部2。另外，如果该长度W42超过4mm，则Y方向的干扰磁场HY可能会穿过狭缝部42施加于磁检测部2。
在具有上述的结构的本实施方式的电流传感器1的第二方式中，通过磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的两端部41A、41B连续的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，能够将Y方向的干扰磁场HY引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。另外，X方向的干扰磁场Hx被引导到磁屏蔽4的板状屏蔽部41及集磁芯3。因此，根据电流传感器1的第二方式，能够抑制因X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场Hy而产生检测误差。
对本实施方式的电流传感器1的第三方式进行说明。此外，对与上述第一方式及第二方式同样的结构标注相同的符号，并省略其详细的说明。如图20～22所示，电流传感器1的第三方式具备可检测磁的磁检测部2、集磁芯3、磁屏蔽4、在Z方向上流动电流的导体5。
集磁芯3包含：第一芯部31；第二芯部32及第三芯部33，其与第一芯部31的两端部31A、31B连续；第四芯部34，其与第二芯部32的Y方向上的规定的位置321连续，且沿着X方向延伸；第五芯部35，其与第三芯部33的Y方向上的规定的位置331连续，且沿着X方向延伸。第二芯部32从与第四芯部34的连续部321进一步沿着Y方向延伸，第三芯部33从与第五芯部35的连续部331进一步沿着Y方向延伸。即，第四芯部34不与第二芯部32的端部32A连续，第五芯部35不与第三芯部33的端部33A连续。第四芯部34及第五芯部35沿着X方向延伸，以使它们的端面相互接近。被第四芯部34的端面和第五芯部35的端面夹持的空隙(空间)为芯间隙CG。
在本实施方式的电流传感器1的第三方式中，通过该第二芯部32从第二芯部32的与第四芯部34的连续部321沿着Y方向延伸，且该第三芯部33从第三芯部33的与第五芯部35的连续部331沿着Y方向延伸，能够将X方向的干扰磁场Hx引导到集磁芯3的第一芯部31侧和第二芯部32的端部32A侧或第三芯部33的端部33A侧，能够抑制该干扰磁场Hx产生的影响。
在本实施方式中，集磁芯3的第一芯部31的端部31A和第二芯部32的连续部、第一芯部31的端部31B和第三芯部33的连续部、第二芯部32和第四芯部34的连续部321、及第三芯部33和第五芯部35的连续部331均具有曲折形状(具有角的形状)，但不限定于该方式。例如，这些连续部可以为弯曲形状(圆角形状)，也可以为角被倒角的C倒角形状。
在以使第一芯部31向下方，使第二芯部32及第三芯部33从第一芯部31的两端部31A、31B向上方延伸的方式安置集磁芯3时，磁屏蔽4的板状屏蔽部41被配置为在第四芯部34及第五芯部35的上方，在X方向上，夹持于第二芯部32及第三芯部33之间。在具有这种结构的电流传感器1的第三方式中，第二芯部32的从第四芯部34的连续部321至端部32A的沿着Y方向的长度T322及第三芯部33的从第五芯部35的连续部331至端部33A的沿着Y方向的长度T332没有特别限定。例如，该长度T322、T332可以为第二芯部32的端部32A及第三芯部33的端部33A比板状屏蔽部41向上方突出的程度的长度，也可以为板状屏蔽部41比第二芯部32的端部32A及第三芯部33的端部33A向上方突出的程度的长度。另外，该长度T322、T332也可以为板状屏蔽部41的上表面和两端部32A、33A位于相同的平面(XZ平面)上的程度的长度。
磁屏蔽4(板状屏蔽部41)和集磁芯3(第四芯部34及第五芯部35)的Y方向上的间隙的长度G34例如可以为3mm以下，也可以为1～2mm程度。如果该间隙的长度G34超过3mm，则Y方向的干扰磁场HY有可能从磁屏蔽4的Z方向上的端面的外侧朝向磁检测部2绕入，而施加于磁检测部2。另外，如果该间隙的长度G34相对短(例如低于1mm)，则形成从集磁芯3通过磁屏蔽4的磁路，且磁通容易向磁屏蔽4流动，因此，集磁芯3容易磁饱和，并且应由磁检测部2检测的磁通有可能减少。
在本实施方式中，沿着Y方向观察时，磁屏蔽4被配置为板状屏蔽部41与芯间隙CG完全重叠。即，磁屏蔽4的板状屏蔽部41的X方向上的长度L41及Z方向上的长度W41只要为芯间隙CG的X方向上的长度LCG及Z方向上的长度以上、即集磁芯3的Z方向上的宽度W3以上即可。例如，板状屏蔽部41的X方向上的长度L41只要为芯间隙CG的X方向的长度LCG+4mm以上、集磁芯3的X方向的长度L3以下程度即可，Z方向上的长度W41只要为集磁芯3的Z方向上的宽度W3以上、集磁芯3的Z方向上的宽度W3+8mm程度即可。此外，本实施方式的电流传感器1的第三方式不限定于该方式。例如只要通过磁屏蔽4可以抑制Y方向的干扰磁场HY施加于磁检测部2，则板状屏蔽部41也可以与芯间隙CG不完全重叠。
在本实施方式的电流传感器1的第三方式中，如图23A～23D所示，也可以在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成在Y方向上贯通的狭缝部42。狭缝部42可以形成为将其长边方向设为与X方向实质上平行(参照图23A)，也可以形成为将其长边方向设为与Z方向实质上平行(参照图23B及图23C)，还可以形成为使其长边方向与X方向及Z方向交叉(参照图23D)。在磁屏蔽4的板状屏蔽部41可以形成一个狭缝部42(参照图23A、图23B及图23D)，也可以形成多个狭缝部42(参照图23C)。狭缝部42可以形成为沿着Y方向观察时，与磁检测部2重叠即磁检测部2的至少一部分从狭缝部42露出(参照图23A、图23B及图23D)，也可以形成为不与磁检测部2重叠(参照图23C)。
在本实施方式的电流传感器1的第三方式中，当在磁屏蔽4的板状屏蔽部41未形成狭缝部42时，Y方向的干扰磁场HY的一部分会在磁屏蔽4的板状屏蔽部41的厚度方向上透过(参照图12A)。其结果，电流传感器1有可能受到干扰磁场HY产生的影响。
另一方面，通过在板状屏蔽部41形成狭缝部42，能够使Y方向的干扰磁场HY向狭缝部42的两侧(沿着Y方向观察时的狭缝部42的短边方向(Z方向)上的两侧)分散。因此，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42与磁检测部2重叠的方式形成情况下，能够有效地抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2(参照图12B〉。
此外，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42不与磁检测部2重叠的方式形成情况下，能够抑制从磁屏蔽4的外侧绕入而被引导到磁屏蔽4的干扰磁场HY对电流传感器1造成影响(参照图12C)。
在图23A所示的方式中，狭缝部42的长边方向(X方向)的长度L42可以比芯间隙CG的X方向上的长度LCG短，也可以长，还可以与该长度LCG相同。在图23A～23D所示的方式中，狭缝部42的短边方向的长度W42例如只要为1～4mm程度即可，优选为2～3mm程度。如果该长度W42低于1mm，则使狭缝部42产生的干扰磁场HY分散的效果降低，在厚度方向上透过磁屏蔽4的板状屏蔽部41的干扰磁场HY有可能施加于磁检测部2。另外，如果该长度W42超过4mm，则Y方向的干扰磁场HY有可能穿过狭缝部42施加于磁检测部2。
根据具有上述的结构的电流传感器1的第三方式，能够抑制受到X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场HY产生的影响，因此，能够以高精度检测在导体5中流动的电流。
对本实施方式的电流传感器1的第四方式进行说明。此外，对与上述第一～第三方式同样的结构标注相同的符号，并省略其详细的说明。如图24～26所示，电流传感器1的第四方式具备可检测磁的磁检测部2、集磁芯3、磁屏蔽4、在Z方向上流动电流的导体5。
集磁芯3具有与Z方向实质上平行的第一芯部31、与第一芯部31的X方向上的两端部31A、31B连续且沿Y方向(+Y方向)延伸的第二芯部32及第三芯部33。被X方向上相互对置的第二芯部32的端部附近和第三芯部33的端部附近夹持的空隙(空间)为芯间隙CG。即，集磁芯3具有芯间隙CG，沿着Z方向观察时，为大致U字状的芯。在第四方式中，从导体5产生且汇聚于集磁芯3的磁通从第二芯部32的端部或第三芯部33的端部出来而被第三芯部33的端部或第二芯部32的端部吸收，但“第二芯部32的端部附近”及“第三芯部33的端部附近”可以规定为在第二芯部32的端部及第三芯部33的端部产生上述磁通的区域、在第二芯部32的端部及第三芯部33的端部吸收上述磁通的区域。产生或吸收该磁通的区域例如可以通过磁模拟等求出。
芯间隙CG的X方向的长度LCG(第二芯部32的端部附近和第三芯部33的端部附近的X方向上的距离)例如可以为6mm以上，也可以为6～12mm程度。通过该长度LCG为6mm以上，可以有效地实现本实施方式的电流传感器1具备磁屏蔽4带来的效果、即通过磁屏蔽4抑制干扰磁场施加于磁检测部2的效果。
磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的Z方向的两端部41A、41B连续且沿着Y方向延伸的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。板状屏蔽部41的X方向的长度L41与第一屏蔽部43的X方向的长度L43及第二屏蔽部44的X方向的长度相同。即，磁屏蔽4沿着X方向观察时，具有大致U字状。
在本实施方式的电流传感器1的第四方式中，磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的Z方向的两端部41A、41B连续的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。第一屏蔽部43及第二屏蔽部44从板状屏蔽部41的两端部41A、41B向－Y方向延伸。通过磁屏蔽4包含第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，Y方向的干扰磁场HY被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17A)，因此，能够抑制该干扰磁场HY施加于磁检测部2。另外，X方向的干扰磁场Hx从集磁芯3的第四芯部34或第五芯部35被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17B)，因此，能够抑制该干扰磁场Hx施加于磁检测部2。
第一屏蔽部43及第二屏蔽部44具有在X方向上的实质上的中央向+Y方向凹下的凹部45、46。该凹部45、46的X方向上的长度L45、L46没有特别限定，但只要比导体5的厚度大即可。在电流传感器1的第四方式中，导体5被设置为将厚度方向设为X方向，并沿Z方向延伸。通过将导体5的一部分配置于该凹部45、46内，能够不增大电流传感器1的整体的尺寸，而实现通过第一屏蔽部43及第二屏蔽部44抑制Y方向的干扰磁场HY施加于磁检测部2的效果。
导体5被设置为将其厚度方向设为X方向，将其宽度方向设为Y方向，沿Z方向延伸。通过以这种方式配置导体5，能够使电流传感器1的X方向上的尺寸紧凑。另一方面，如果以这种方式配置导体5，则电流传感器1的Y方向上的尺寸会变大，但通过在第一屏蔽部43及第二屏蔽部44设置凹部45、46，并在其凹部45、46内配置导体5的一部分，能够防止电流传感器1的Y方向上的尺寸变大。
在本实施方式的电流传感器1的第四方式中，如图27A～27D所示，也可以在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成在Y方向上贯通的狭缝部42。狭缝部42可以形成为将其长边方向设为与X方向实质上平行(参照图27A)，也可以形成为将其长边方向设为与Z方向实质上平行(参照图27B及图27C)，还可以形成为使其长边方向与X方向及Z方向交叉(参照图27D)。在磁屏蔽4的板状屏蔽部41可以形成一个狭缝部42(参照图27A、图27B及图27D)，也可以形成多个狭缝部42(参照图27C)。狭缝部42可以形成为沿着Y方向观察，与磁检测部2重叠，即磁检测部2的至少一部分从狭缝部42露出(参照图27A、图27B及图27D)，也可以形成为不与磁检测部2重叠(参照图27C)。
在本实施方式的电流传感器1的第四方式中，如果在磁屏蔽4的板状屏蔽部41未形成狭缝部42，则Y方向的干扰磁场HY的一部分会沿磁屏蔽4的板状屏蔽部41的厚度方向透过(参照图17A)。其结果，电流传感器1有可能受到干扰磁场HY产生的影响。
另一方面，通过在板状屏蔽部41形成狭缝部42，能够使Y方向的干扰磁场HY向狭缝部42的两侧(沿着Y方向观察时的狭缝部42的短边方向(Z方向)上的两侧)分散。因此，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42与磁检测部2重叠的方式形成情况下，能够有效地抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2(参照图19)。
此外，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42不与磁检测部2重叠的方式形成的情况下，能够抑制从磁屏蔽4的外侧绕入而被引导到磁屏蔽4的干扰磁场HY对电流传感器1造成影响(参照图12C)。
在图27A所示的方式中，狭缝部42的长边方向(X方向)的长度L42可以比芯间隙CG的X方向上的长度LCG短，也可以长，还可以与该长度LCG相同。在图27A～27D所示的方式中，狭缝部42的短边方向的长度W42例如只要为1～4mm程度即可，优选为2～3mm程度。如果该长度W42低于1mm，则分散狭缝部42产生的干扰磁场HY的效果降低，沿厚度方向透过磁屏蔽4的板状屏蔽部41的干扰磁场Hy会施加于磁检测部2。另外，如果该长度W42超过4mm，则Y方向的干扰磁场HY有可能穿过狭缝部42而施加于磁检测部2。
根据具有上述的结构的电流传感器1的第四方式，能够抑制受到X方向的干扰磁场Hx及Y方向的干扰磁场HY产生的影响，因此，能够以高精度检测在导体5中流动的电流。
对本实施方式的电流传感器1的第五方式进行说明。此外，对与上述第一～第四方式同样的结构标注相同的符号，并省略其详细的说明。如图28～30所示，电流传感器1的第五方式具备可检测磁的磁检测部2、集磁芯3、磁屏蔽4、在Z方向上流动电流的导体5。
在本实施方式的电流传感器1的第五方式中，磁屏蔽4包含与板状屏蔽部41的Z方向的两端部41A、41B连续的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44。第一屏蔽部43及第二屏蔽部44从板状屏蔽部41的两端部41A、41B向－Y方向延伸。通过磁屏蔽4包含第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，Y方向的干扰磁场HY被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17A)，能够抑制该干扰磁场HY施加于磁检测部2。另外，X方向的干扰磁场HX从集磁芯3的第四芯部34或第五芯部35被引导到第一屏蔽部43及第二屏蔽部44(参照图17B)，因此，能够抑制该干扰磁场HX施加于磁检测部2。
板状屏蔽部41的X方向的长度L41比第一屏蔽部43的X方向的长度L43及第二屏蔽部44的X方向的长度长。第一屏蔽部43的X方向的长度L43及第二屏蔽部44的X方向的长度可以与芯间隙CG的X方向的长度LCG相同，也可以比该长度LCG长，还可以比其短。
在本实施方式的电流传感器1的第五方式中，如图31A～31D所示，也可以在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成在Y方向上贯通的狭缝部42。狭缝部42可以形成为将其长边方向设为与X方向实质上平行(参照图31A)，也可以形成为将其长边方向设为与Z方向实质上平行(参照图31B及图31C)，还可以形成为使其长边方向与X方向及Z方向交叉(参照图31D)。在磁屏蔽4的板状屏蔽部41可以形成一个狭缝部42(参照图31A、图31B及图31D)，也可以形成多个狭缝部42(参照图31C)。狭缝部42可以形成为沿着Y方向观察时，与磁检测部2重叠，即磁检测部2的至少一部分从狭缝部42露出(参照图31、图31B及图31D)，也可以形成为不与磁检测部2重叠(参照图31C)。
在本实施方式的电流传感器1的第五方式中，如果在磁屏蔽4的板状屏蔽部41未形成狭缝部42，则Y方向的干扰磁场HY的一部分会沿磁屏蔽4的板状屏蔽部41的厚度方向透过(参照图17A)。其结果，电流传感器1有可能受到干扰磁场HY产生的影响。
另一方面，通过在板状屏蔽部41形成狭缝部42，能够使Y方向的干扰磁场HY向狭缝部42的两侧(沿着Y方向观察时的狭缝部42的短边方向(Z方向)上的两侧)分散。因此，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42与磁检测部2重叠的方式形成的情况下，能够有效地抑制沿着Y方向朝向磁检测部2的干扰磁场HY施加于磁检测部2(参照图19)。
此外，在以沿着Y方向观察时，狭缝部42不与磁检测部2重叠的方式形成的情况下，能够抑制从磁屏蔽4的外侧绕入而引导到磁屏蔽4的干扰磁场HY对电流传感器1造成影响(参照图12C)。
在图31A所示的方式中，狭缝部42的长边方向(X方向)的长度L42可以比芯间隙CG的X方向上的长度LCG短，也可以长，还可以与该长度LCG相同。在图31A～31D所示的方式中，狭缝部42的短边方向的长度W42例如只要为1～4mm程度即可，优选为2～3mm程度。如果该长度W42低于1mm，则分散狭缝部42产生的干扰磁场HY的效果降低，沿厚度方向透过磁屏蔽4的板状屏蔽部41的干扰磁场HY有可能施加于磁检测部2。另外，如果该长度W42超过4mm，则Y方向的干扰磁场HY有可能穿过狭缝部42而施加于磁检测部2。
根据具有上述的结构的电流传感器1的第五方式，能够抑制受到X方向的干扰磁场HX及Y方向的干扰磁场HY产生的影响，因此，能够以高精度检测在导体5中流动的电流。
电气控制装置可以具备具有上述结构的本实施方式的电流传感器1。此外，作为本实施方式中的电气控制装置，例如，举出混合动力电动汽车(HEV：Hybrid ElectricVehicIe)或电动汽车(EV：Electric Vehicle)等的蓄电池管理***、逆变器及转换器等。本实施方式的电流传感器1用于测定来自电源的输入输出电流，并将与测定到的电流相关的信息向电气控制装置输出等。
以上说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，不是为了限定本发明而记载的。因此，上述实施方式中公开的各要素是还包含属于本发明的技术的范围的所有的设计变更及均等物的宗旨。
在上述实施方式的电流传感器1的第三方式(参照图20等)中，磁屏蔽4也可以具有与板状屏蔽部41的Z方向上的两端部连续，且沿着Y方向延伸的第一屏蔽部及第二屏蔽部。
实施例
以下，举出试验例对本发明进行更详细说明，但本发明不限定于下述的试验例。
[试验例1]
在具有图1所示的构造的电流传感器1中，通过模拟分别求出将X方向的干扰磁场HX设为OmT(miltesla)时的来自电流传感器1的输出信号和将X方向的干扰磁场HX设为10mT时的来自电流传感器1的输出信号，并算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)(Sample 1)。同样，通过模拟分别求出将Y方向的干扰磁场HX设为OmT(miltesla)时的来自电流传感器1的输出信号和将Y方向的干扰磁场HX设为10mT时的来自电流传感器1的输出信号，并算出因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 1)。将模拟结果示于表1。
[试验例2]
除使用具有图11A所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 2)。将模拟结果示于表1。
[试验例3]
除使用具有图23A所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 3)。将模拟结果示于表1。
[试验例4]
除使用具有图13所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 4)。将模拟结果示于表1。
[试验例5]
除使用具有图18A所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 5)。将模拟结果示于表1。
[试验例6]
除使用具有图18B所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 6)。将模拟结果示于表1。
[试验例7]
除使用具有图18C所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 7)。将模拟结果示于表1。
[试验例8]
除使用具有图24所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 8)。将模拟结果示于表1。
[试验例9]
除使用具有图28所示的构造的电流传感器1以外，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample 9)。将模拟结果示于表1。
[试验例10]
除不具有磁屏蔽4以外，使用具有与上述试验例1同样的构造的电流传感器，与上述试验例1同样，算出因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EX，％)及因Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差(EY，％)(Sample10)。将模拟结果示于表1。
表1
EX(％) EY(％)
Sample 1 1.89 1.96
Sample 2 1.24 1.45
Sample 3 1.24 1.45
Sample 4 0.90 1.45
Sample 5 0.97 1.43
Sample6 0.93 1.41
Sample 7 0.88 1.41
Sample 8 0.72 1.50
Sample 9 1.08 1.64
Sample 10 4.66 1.67
从表1所示的结果可知：与使用不具有磁屏蔽4的电流传感器的试验例10(Sample10)相比，在使用具有磁屏蔽4的电流传感器1的试验例1～9(Sample 1-9)中，至少可以降低因X方向的干扰磁场HX而产生的电流传感器1的输出信号的误差。
另外，从试验例1(Sample 1)、试验例2(Sample 2)及试验例3(Sample 3)的结果可知：通过在磁屏蔽4的板状屏蔽部41形成狭缝部42，可以降低因X方向的干扰磁场HX及Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差。
进而，从试验例1(Sample 1)和试验例4(Sample 4)的结果可知：通过磁屏蔽4具有板状屏蔽部41和与其Z方向上的两端部41A、41B连续的第一屏蔽部43及第二屏蔽部44，可以降低因X方向的干扰磁场HX及Y方向的干扰磁场HY而产生的电流传感器1的输出信号的误差。
[试验例11]
在具有图13所示的构造，使用硅钢(50H230，日本制铁公司制，铁损＝2.3W/kg)作为集磁芯3及磁屏蔽4的构成材料的电流传感器1(Sample 11)中，通过模拟求出使在导体5中流动的交流电流的频率在1Hz～100kHz的范围内变动时的施加于磁检测元件2的磁通密度的衰减量(dB)。将结果示于图32。
[试验例12]
除使用硅钢(50H470，日本制铁公司制，铁损：4.7W/kg)作为磁屏蔽4的构成材料以外，在具有与试验例11的电流传感器1(Sample 11)同样的构造的电流传感器1(Sample 12)中，通过模拟求出使在导体5中流动的交流电流的频率在1Hz～100kHz的范围内变动时的施加于磁检测元件2的磁通密度的衰减量(dB)。将结果示于图32。
[试验例13]
除使用硅钢(50H700，日本制铁公司制，铁损：7.0W/kg)作为磁屏蔽4的构成材料以外，在具有与试验例11的电流传感器1(Sample 11)同样的构造的电流传感器1(Sample 13)中，通过模拟求出使在导体5中流动的交流电流的频率在1Hz～100kHz的范围内变动时的施加于磁检测元件2的磁通密度的衰减量(dB)。将结果示于图32。
[试验例14]
除使用硅钢(50H1000，日本制铁公司制，铁损：10.0W/kg)作为磁屏蔽4的构成材料以外，在具有与试验例11的电流传感器1(Sample11)同样的构造的电流传感器1(Sample14)中，通过模拟求出使在导体5中流动的交流电流的频率在1Hz～100kHz的范围内变动时的施加于磁检测元件2的磁通密度的衰减量(dB)。将结果示于图32。
如图32所示，可知：通过集磁芯3的构成材料的铁损比磁屏蔽4的构成材料的铁损小，可以提高电流传感器1的频率特性。因此，通过集磁芯3由铁损比磁屏蔽4的构成材料小的材料构成，即使在导体5中流动交流电流的情况下，也能够使电流传感器1的输出稳定化。
符号说明
1…电流传感器
2…磁检测部
3…集磁芯
4…磁屏蔽
5…导体

Claims (14)

1.一种电流传感器，其特征在于，
是用于检测由电流在第一方向上流动的导体产生的磁的电流传感器，
具备能够检测所述磁的磁检测部、集磁芯、以及磁屏蔽，
所述集磁芯包含：第一芯部，其与所述第一方向实质上平行；第二芯部及第三芯部，它们与和所述第一方向正交的第二方向上的所述第一芯部的两端部分别连续，
所述第二芯部及所述第三芯部分别以沿着与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向的方式从所述第一芯部的端部延伸，
所述磁检测部在所述第二方向上具有磁敏方向，位于所述第三方向上的所述第二芯部的端部附近和所述第三芯部的端部附近所夹持的芯间隙，
所述磁屏蔽包含以沿着所述第三方向观察时与所述芯间隙重叠的方式定位的板状屏蔽部。
2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述集磁芯还包含与所述第二芯部的端部的附近连续的第四芯部及与所述第三芯部的端部的附近连续的第五芯部，
所述第四芯部及所述第五芯部沿着所述第二方向以相互接近的方式延伸。
3.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
所述导体为将厚度方向设为所述第三方向，沿所述第一方向延伸的板状体。
4.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述导体为将厚度方向设为所述第二方向，沿所述第一方向延伸的板状体。
5.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
所述磁屏蔽包含与沿着所述第一方向的所述板状屏蔽部的两端部分别连续，且沿着所述第三方向延伸的第一屏蔽部及第二屏蔽部，
沿着所述第一方向观察时，所述磁检测部位于被所述第一屏蔽部及所述第二屏蔽部夹持的所述芯间隙内。
6.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
在所述板状屏蔽部形成有在所述第三方向上贯通的狭缝部。
7.根据权利要求6所述的电流传感器，其特征在于，
沿着所述第三方向观察时，所述狭缝部的长边方向与所述第一方向实质上一致。
8.根据权利要求6所述的电流传感器，其特征在于，
沿着所述第三方向观察时，所述狭缝部的长边方向与所述第二方向实质上一致。
9.根据权利要求6所述的电流传感器，其特征在于，
多个所述狭缝部形成于所述板状屏蔽部。
10.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
所述磁屏蔽的构成材料的铁损比所述集磁芯的构成材料的铁损大。
11.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
所述磁检测部包含磁阻效应元件或霍尔元件。
12.根据权利要求11所述的电流传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件为GMR元件或TMR元件。
13.根据权利要求1或2所述的电流传感器，其特征在于，
所述导体被设置为沿着所述第一方向贯通由所述集磁芯的所述第一芯部、所述第二芯部及所述第三芯部形成的空间。
14.一种电气控制装置，其特征在于，具备权利要求13所述的电流传感器。
CN202111109900.6A 2020-11-10 2021-09-18 电流传感器及电气控制装置 Pending CN114460347A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-187249 2020-11-10
JP2020187249A JP7367657B2 (ja) 2020-11-10 2020-11-10 電流センサ及び電気制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114460347A true CN114460347A (zh) 2022-05-10

Family

ID=81256276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111109900.6A Pending CN114460347A (zh) 2020-11-10 2021-09-18 电流传感器及电气控制装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US11506729B2 (zh)
JP (1) JP7367657B2 (zh)
CN (1) CN114460347A (zh)
DE (1) DE102021129216B4 (zh)

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0581731U (ja) 1992-04-06 1993-11-05 住友電気工業株式会社 電流センサ
JP2001033491A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Nippon Soken Inc 電流計測装置
US20060219436A1 (en) 2003-08-26 2006-10-05 Taylor William P Current sensor
JP2005221492A (ja) 2004-01-08 2005-08-18 Fuji Electric Systems Co Ltd 電流センサおよび電力監視システム
JP2006046922A (ja) 2004-07-30 2006-02-16 Hioki Ee Corp 電流センサ
JP2007128951A (ja) 2005-11-01 2007-05-24 Hitachi Ferrite Electronics Ltd リアクトル
JP2008190920A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Akebono Brake Ind Co Ltd 電流センサ
JP2010044025A (ja) 2008-08-18 2010-02-25 Tokai Rika Co Ltd 電流センサ
JP2010266209A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Yaskawa Electric Corp 電流センサ
JP2011220983A (ja) 2010-04-02 2011-11-04 Kohshin Electric Corp 電流センサ
JP2013228315A (ja) 2012-04-26 2013-11-07 Tdk Corp 電流センサ
JP6205127B2 (ja) * 2012-12-19 2017-09-27 富士通コンポーネント株式会社 電流センサ
JP2014126384A (ja) 2012-12-25 2014-07-07 Mitsubishi Electric Corp 電流センサ
JP6119296B2 (ja) 2013-02-20 2017-04-26 アイシン精機株式会社 電流センサ
JP5900402B2 (ja) 2013-04-01 2016-04-06 株式会社デンソー 電流センサ用の磁気シールド体
JP6541962B2 (ja) * 2014-12-17 2019-07-10 日置電機株式会社 電流センサおよび測定装置
JP2016148620A (ja) 2015-02-13 2016-08-18 株式会社フジクラ 電流センサ
JP6533101B2 (ja) 2015-06-04 2019-06-19 アルプスアルパイン株式会社 電流センサ
JP6711086B2 (ja) * 2016-04-01 2020-06-17 日立金属株式会社 電流センサ
JP2018189504A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 矢崎総業株式会社 電流センサ
JP6596033B2 (ja) * 2017-05-08 2019-10-23 矢崎総業株式会社 電流センサ
JP2019078542A (ja) 2017-10-20 2019-05-23 トヨタ自動車株式会社 電流センサ
JP7298264B2 (ja) 2019-04-17 2023-06-27 Dic株式会社 樹脂着色用マスターバッチ、芳香族ポリエステル樹脂組成物、成形品およびそれらの製造方法
JP7215451B2 (ja) 2020-03-19 2023-01-31 Tdk株式会社 電流センサ及びその製造方法、電気制御装置、並びに電流センサの設計方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102021129216B4 (de) 2024-06-06
US20220146598A1 (en) 2022-05-12
JP2022076722A (ja) 2022-05-20
DE102021129216A1 (de) 2022-05-12
US11852697B2 (en) 2023-12-26
US11506729B2 (en) 2022-11-22
US20230047508A1 (en) 2023-02-16
JP7367657B2 (ja) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10088505B2 (en) Current sensor
US9417269B2 (en) Current sensor
JP5531215B2 (ja) 電流センサ
US9063185B2 (en) Current sensor
US10060953B2 (en) Current sensor
JP2013238580A (ja) 電流センサ
US10006945B2 (en) Electric current sensor
WO2012046547A1 (ja) 電流センサ
JP5487403B2 (ja) 電流センサ
US11555834B2 (en) Magnetic sensor and method of manufacturing such, magnetic control device, and current sensor design method
US11675028B2 (en) Magnetic sensor, and a current sensor and position detection device using a magnetic sensor
JP7367657B2 (ja) 電流センサ及び電気制御装置
JP5678285B2 (ja) 電流センサ
US11543469B2 (en) Current sensor, and electric control apparatus including the current sensor
JP2012063285A (ja) 電流センサ
WO2012035906A1 (ja) 電流センサ
JP2023104335A (ja) 電流センサ、電気制御装置、電流センサモジュールおよびその製造方法
WO2015046206A1 (ja) 電流センサ
JP2021135186A (ja) 電流センサ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination