JP2010044025A - 電流センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化が可能で、外部に対する磁界の漏れを防止する電流センサを提供する。
【解決手段】電流センサ1は、磁気シールド2の開口21内に、バスバー4と、基板4上に設けられた磁気センサ5とが挿入されている。電流9がバスバー3を流れるとき、本体20と凹凸部22を経由する磁路7が形成される。さらに電流センサ1は、凹凸部22によって磁束密度が略均一な磁界6を形成し、その磁束密度が略均一な磁界6内に磁気センサ5を配置するので、正確な電流9を測定することができる。
【選択図】図2
【解決手段】電流センサ1は、磁気シールド2の開口21内に、バスバー4と、基板4上に設けられた磁気センサ5とが挿入されている。電流9がバスバー3を流れるとき、本体20と凹凸部22を経由する磁路7が形成される。さらに電流センサ1は、凹凸部22によって磁束密度が略均一な磁界6を形成し、その磁束密度が略均一な磁界6内に磁気センサ5を配置するので、正確な電流9を測定することができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、電流センサに関する。
従来の技術として、電流が流れる導体と、強磁性体によって形成され、リングの一部分に空隙を有する強磁性体コアと、空隙に設けられたホール素子と、を備えた電流センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
この電流センサによると、リングの中央部に導体を挿入し、導体に流れる電流による磁界が強磁性体コアを経由してホール素子に作用し、ホール素子は、磁界の強さに基づいたホール電圧の出力を行う。
特開昭64−83154号公報
しかし、従来の電流センサは、磁束密度が均一な磁界を得るためには、大きな強磁性体コアが必要となるため、小型化が困難であった。
従って本発明の目的は、小型化が可能で、外部に対する磁界の漏れを防止する電流センサを提供することにある。
(1)本発明は上記目的を達成するため、筒形状に形成され、流れる電流に基づいて磁界を発生させる導体を囲うように設けられ、前記磁界の経路である磁路を変更する磁路変更部と、前記磁路変更部の対向する内壁に間隔を有して設けられ、変更された前記磁路が階段状に形成された一方端部から他端部へと伝播することによって前記間隔に磁束密度が略均一な磁界を形成する磁界形成部と、前記略均一な磁界内に設けられ、前記略均一な磁界に基づいて出力信号を出力する磁気センサと、を備えた電流センサを提供する。
(2)本発明は上記目的を達成するため、前記磁路変更部及び前記磁界形成部は、軟磁性体によって形成される前記(1)に記載の電流センサを提供する。
(3)本発明は上記目的を達成するため、前記磁界形成部は、前記導体との距離が離れるにつれて前記一方端部と他端部との前記間隔が狭く形成される前記(1)に記載の電流センサを提供する。
(4)本発明は上記目的を達成するため、前記磁界形成部は、前記磁路変換部の本体との間に空隙を有する前記(1)に記載の電流センサを提供する。
(5)本発明は上記目的を達成するため、軟磁性体によって筒形状に形成され、流れる電流に基づいて磁界を発生させる導体を囲うように設けられ、前記磁界の経路である磁路を変更する磁路変更部と、前記磁路変更部の対向する内壁に間隔を有して設けられ、変更された前記磁路が階段状に形成された一方端部から他端部へと伝播することによって前記間隔に磁束密度が略均一な磁界を形成し、前記磁界が弱くなるにつれて前記一方端部と他端部との前記間隔が狭く形成され、前記磁路変換部の本体との間に空隙を有する磁界形成部と、前記略均一な磁界内に配置され、前記略均一な磁界に基づいて出力信号を出力する磁気センサと、を備えた電流センサを提供する。
このような発明によれば、小型化が可能で、外部に対する磁界の漏れを防止するができる。
以下に、本発明の電流センサの実施の形態を図面を参考にして詳細に説明する。
[実施の形態]
(電流センサの構成)
図1は、本発明の実施の形態に係る電流センサの概略図である。電流センサ1は、バスバー3を流れる電流によって発生する磁界の強度を後述する磁気センサで検出し、磁気センサの出力に基づいてECU(Electronic Control Unit)(図示せず)によって電流の大きさを測定するものであり、図1に示すように、磁気シールド(磁路変更部)2と、バスバー(導体)3と、後述する磁気センサと、を備えて概略構成されている。
(電流センサの構成)
図1は、本発明の実施の形態に係る電流センサの概略図である。電流センサ1は、バスバー3を流れる電流によって発生する磁界の強度を後述する磁気センサで検出し、磁気センサの出力に基づいてECU(Electronic Control Unit)(図示せず)によって電流の大きさを測定するものであり、図1に示すように、磁気シールド(磁路変更部)2と、バスバー(導体)3と、後述する磁気センサと、を備えて概略構成されている。
なお、電流は、バスバー3を流れているものに限定されず、電線等の導体を流れる電流を測定するように構成されても良い。
(磁気シールドの構成)
図2は、本発明の実施の形態に係る図1におけるA−A線断面図である。磁気シールド2は、図2に示すように、軟磁性体によって筒形状に形成された本体20と、本体20に形成され、バスバー3が挿入される開口21と、開口21の対向する内壁に設けられた凹凸部(磁界形成部)22と、凹凸部22と本体20との間に形成された空隙部26と、を備えて概略構成されている。
図2は、本発明の実施の形態に係る図1におけるA−A線断面図である。磁気シールド2は、図2に示すように、軟磁性体によって筒形状に形成された本体20と、本体20に形成され、バスバー3が挿入される開口21と、開口21の対向する内壁に設けられた凹凸部(磁界形成部)22と、凹凸部22と本体20との間に形成された空隙部26と、を備えて概略構成されている。
本体20は、図1及び図2に示すように、筒形状を有していることから、バスバー3に流れる電流9によって発生する磁界6が、外部に漏れるのを防止することができる。本体20は、軟磁性体によって形成されることで磁化し難く、磁路7が本体20を経由し易くなるように構成されている。
凹凸部22は、本体20と同様に軟磁性体によって形成され、図2に示すように、一例として、第1の凸部23と、第2の凸部24と、第3の凸部25と、が左右対称となるように、階段状に形成されており、バスバー3からの距離が離れている順、言い換えるなら、磁界6の強度が弱い順に左右の間隔が狭く形成されている。
凹凸部22は、第1〜第3の凸部23〜25によって磁束密度が略均一な磁界6を領域8に形成することができ、また、領域8における磁界6の強度を向上させることができる。なお、凹凸部22に形成される凸部の個数、及び間隔は、上記に限定されず、用途に応じて変更可能である。
また凹凸部22は、本体20との間に空隙部26を有している。これは、バスバー3を流れる電流9によって形成された磁界6の磁路7が、確実に凹凸部22を経由するようにするために設けられている。
(バスバーの構成)
バスバー3は、図1に示すように、一例として、銅又は銅の合金からなる金属材料によって中央部にコ字状部分が形成され、その両端部には、取付部30が形成されている。
バスバー3は、図1に示すように、一例として、銅又は銅の合金からなる金属材料によって中央部にコ字状部分が形成され、その両端部には、取付部30が形成されている。
取付部30は、一例として、ねじ(図示せず)が挿入されるねじ穴31が設けられ、測定対象の電流9が流れる電子回路を有する基板(図示せず)等にねじを介して固定される。
バスバー3は、一例として、基板等に取り付けられた状態において、基板の電子回路、及びねじを介して電流9がバスバー3を流れるように構成されている。
バスバー3を流れる電流9は、進行方向、すなわち、図2において表側から裏側に向かう方向に対して右ねじの方向に磁界6を発生させ、図2に示す磁路7を形成している。
(磁気センサの構成)
磁気センサ5は、図2に示すように、図示しない電子回路等を有する基板4上に設けられている。また、磁気センサ5は、バスバー3及び基板4と共に、本体20内の開口21に挿入され、一例として、樹脂部材によって開口21内は封止されている。さらに磁気センサ5は、左右の凹凸部22の第1〜第3の凸部23〜25同士が作る間隔中に磁界6を感知する面が挿入されるように配置される。
磁気センサ5は、図2に示すように、図示しない電子回路等を有する基板4上に設けられている。また、磁気センサ5は、バスバー3及び基板4と共に、本体20内の開口21に挿入され、一例として、樹脂部材によって開口21内は封止されている。さらに磁気センサ5は、左右の凹凸部22の第1〜第3の凸部23〜25同士が作る間隔中に磁界6を感知する面が挿入されるように配置される。
図3は、本発明の実施の形態に係る磁気センサの配置を変更した場合の図1のA−A線断面図である。
磁気センサ5は、一例として、ホール素子、磁気抵抗素子又は巨大磁気抵抗効果素子等を用いて構成された磁界感応型のセンサであり、平行方向からの磁界6の変化に基づいて出力信号を出力する磁気センサ5は、磁界6を感知する面が磁界6と平行となるように基板4上に配置され、垂直方向からの磁界6の変化に基づいて出力信号を出力する磁気センサ5は、磁界6を感知する面が磁界6と垂直となるように、図3に示すように、基板4上に立てて配置される。例えば、ホール素子によって構成された磁気センサ5は、図3に示すように、凹凸部22から漏れ出す磁界6に対して、磁界6を感知する面を垂直にする必要があるため、基板4上に立てて配置される。
(動作)
以下に、本実施の形態における電流センサの動作を各図を参照して詳細に説明する。
以下に、本実施の形態における電流センサの動作を各図を参照して詳細に説明する。
電流センサ1は、測定対象の電流9がバスバー3に流されると、図2に示す磁界6が発生する。
バスバー3の周囲に発生した磁界6は、図2に示すように、本体20の内部を経由して、右側の凹凸部22から漏れ出して左側の凹凸部22に吸い込まれ、本体20内部に戻る磁路7を形成する。
具体的には、左側にある第1の凸部23から漏れ出した磁界6は、右側にある第1の凸部23に吸い込まれ、左側にある第2の凸部24から漏れ出した磁界6は、右側にある第2の凸部24に吸い込まれ、左側にある第3の凸部25から漏れ出した磁界6は、右側にある第3の凸部25に吸い込まれる。
凹凸部22は、磁界6の強さによって凸部と凸部の間隔を変えているので、図2に示す領域8の磁界6は、磁束密度が略均一な磁界となる。
磁気センサ5は、その磁束密度が略均一な磁界内に配置、すなわち、磁束密度が略均一な磁界が形成された領域8を検出領域とするように配置されているので、その磁界6に基づいた出力信号をECUに出力することができ、ECUは、出力された出力信号に基づいて電流9の大きさを測定することができる。
(効果)
(1)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22によって磁気センサ5の検出領域に磁束密度が略均一な磁界6を形成することができるので、正確な電流9を測定することができる。
(1)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22によって磁気センサ5の検出領域に磁束密度が略均一な磁界6を形成することができるので、正確な電流9を測定することができる。
(2)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、本体20及び凹凸部22は、軟磁性体によって形成され、バスバー3によって形成される磁界6によって磁化され難いので、本体20及び凹凸部22を経由した磁路7が形成される。
(3)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22は、磁界6の強度が弱くなる場所に応じて、凸部と凸部の間隔を変えているので、領域8に磁束密度が略均一な磁界6を形成することができる。
(4)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22と本体20との間に空隙部26を備えているので、磁路7が本体20内部で閉じることなく確実に凹凸部22を経由し、その結果、領域8に磁束密度が略均一な磁界6を形成することができる。
(5)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、従来のコアを必要としないので、小型化が可能となる。
(6)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、外部に対する磁界6の漏れを防止することができるので、複数の電流センサ1を隣接して配置することができる。
(7)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22によって領域8内の磁界6の強度も向上するので、さらに正確な電流9を測定することができる。
(8)上記した実施の形態における電流センサ1によれば、凹凸部22によって自由に磁束密度が略均一な磁界6を形成することができるので、磁気センサ5の配置に自由度が増し、設計が容易になる。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
1…電流センサ、2…磁気シールド、3…バスバー、4…基板、5…磁気センサ、6…磁界、7…磁路、8…領域、9…電流、20…本体、21…開口、22…凹凸部、23…第1の凸部、24…第2の凸部、25…第3の凸部、26…空隙部、30…取付部、31…ねじ穴
Claims (5)
- 筒形状に形成され、流れる電流に基づいて磁界を発生させる導体を囲うように設けられ、前記磁界の経路である磁路を変更する磁路変更部と、
前記磁路変更部の対向する内壁に間隔を有して設けられ、変更された前記磁路が階段状に形成された一方端部から他端部へと伝播することによって前記間隔に磁束密度が略均一な磁界を形成する磁界形成部と、
前記略均一な磁界内に設けられ、前記略均一な磁界に基づいて出力信号を出力する磁気センサと、
を備えた電流センサ。 - 前記磁路変更部及び前記磁界形成部は、軟磁性体によって形成される請求項1に記載の電流センサ。
- 前記磁界形成部は、前記導体との距離が離れるにつれて前記一方端部と他端部との前記間隔が狭く形成される請求項1に記載の電流センサ。
- 前記磁界形成部は、前記磁路変換部の本体との間に空隙を有する請求項1に記載の電流センサ。
- 軟磁性体によって筒形状に形成され、流れる電流に基づいて磁界を発生させる導体を囲うように設けられ、前記磁界の経路である磁路を変更する磁路変更部と、
前記磁路変更部の対向する内壁に間隔を有して設けられ、変更された前記磁路が階段状に形成された一方端部から他端部へと伝播することによって前記間隔に磁束密度が略均一な磁界を形成し、前記磁界が弱くなるにつれて前記一方端部と他端部との前記間隔が狭く形成され、前記磁路変換部の本体との間に空隙を有する磁界形成部と、
前記略均一な磁界内に配置され、前記略均一な磁界に基づいて出力信号を出力する磁気センサと、
を備えた電流センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008209927A JP2010044025A (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008209927A JP2010044025A (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 電流センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010044025A true JP2010044025A (ja) | 2010-02-25 |
Family
ID=42015519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209927A Pending JP2010044025A (ja) | 2008-08-18 | 2008-08-18 | 電流センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010044025A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018169188A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社Soken | 電流検出装置 |
WO2018198610A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
US11506729B2 (en) | 2020-11-10 | 2022-11-22 | Tdk Corporation | Current sensor and electric control device |
-
2008
- 2008-08-18 JP JP2008209927A patent/JP2010044025A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018169188A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社Soken | 電流検出装置 |
WO2018198610A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
JP2018185230A (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-22 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
US11105831B2 (en) | 2017-04-26 | 2021-08-31 | Denso Corporation | Current sensor |
US11506729B2 (en) | 2020-11-10 | 2022-11-22 | Tdk Corporation | Current sensor and electric control device |
US11852697B2 (en) | 2020-11-10 | 2023-12-26 | Tdk Corporation | Current sensor and electric control device |
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