CN110392926A - 高频模块 - Google Patents

高频模块 Download PDF

Info

Publication number
CN110392926A
CN110392926A CN201880016507.2A CN201880016507A CN110392926A CN 110392926 A CN110392926 A CN 110392926A CN 201880016507 A CN201880016507 A CN 201880016507A CN 110392926 A CN110392926 A CN 110392926A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
circuit portion
terminal
frequency model
aforesaid substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880016507.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110392926B (zh
Inventor
渡边敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN110392926A publication Critical patent/CN110392926A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110392926B publication Critical patent/CN110392926B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/0003—Software-defined radio [SDR] systems, i.e. systems wherein components typically implemented in hardware, e.g. filters or modulators/demodulators, are implented using software, e.g. by involving an AD or DA conversion stage such that at least part of the signal processing is performed in the digital domain
    • H04B1/0028—Software-defined radio [SDR] systems, i.e. systems wherein components typically implemented in hardware, e.g. filters or modulators/demodulators, are implented using software, e.g. by involving an AD or DA conversion stage such that at least part of the signal processing is performed in the digital domain wherein the AD/DA conversion occurs at baseband stage
    • H04B1/0042—Digital filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

高频模块(1)的放大电路部(40)经由第一外部端子(41)安装于基板(10)，开关电路部(20)经由第二外部端子(22)安装于基板(10)，匹配电路部(30)经由第一端子(31)以及第二端子(32)安装于基板(10)。第一端子(31)与开关电路部(20)的第二外部端子(22)电连接，第二端子(32)与放大电路部(40)的第一外部端子(41)电连接。在从与基板(10)的一个主面(10a)垂直的方向观察的情况下，第一端子(31)与开关电路部(20)的第二外部端子(22)重合，另外，第二端子(32)与放大电路部(40)的第一外部端子(41)重合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及放大并传输高频信号的高频模块。
背景技术
近年来，作为构成高频模块的部件的开关电路部件以及放大电路部件等的高集成化不断发展。随着这些部件的高集成化，连接各部件的布线以及连接各部件与匹配元件的布线变得复杂。
作为这种高频模块的一个例子，在专利文献1记载了具备内置于基板的集成电路元件、和安装在基板的一个主面的电感器元件的高频模块。在该高频模块中，使用集成电路元件所包含的信号处理电路，进行所输入的高频信号的信号处理。
专利文献1：日本特开2012－238799号公报
然而，在专利文献1所记载的高频模块中，根据集成电路元件与电感器元件的布线的引绕方法，有在该布线与其它的布线之间产生寄生电容，而对高频信号的信号处理造成妨碍的情况。特别是，在集成电路元件中包含有放大电路的情况下，有由于产生寄生电容而放大电路的特性劣化这样的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于在高频模块中，抑制由寄生电容的产生引起的放大电路的特性的劣化。
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的高频模块具备：基板；匹配电路部，安装在上述基板的一个主面；以及开关电路部和放大电路部，安装在上述基板的另一主面或者内部，上述放大电路部具有第一外部端子，并经由上述第一外部端子安装于上述基板，上述开关电路部具有第二外部端子，并经由上述第二外部端子安装于上述基板，上述匹配电路部具有相互不同的第一端子以及第二端子，并经由上述第一端子以及上述第二端子安装于上述基板，上述第一端子与上述开关电路部的上述第二外部端子电连接，上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子电连接，在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，具有上述第一端子与上述开关电路部的上述第二外部端子重合的状态、以及上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子重合的状态中至少一方的状态。
据此，能够以最短距离的布线连接匹配电路部的第一端子与开关电路部的第二外部端子。因此，不容易在连接第一端子以及第二外部端子的布线与其它的布线之间产生寄生电容。另外，能够以最短距离的布线连接匹配电路部的第二端子与放大电路部的第一外部端子。因此，不容易在连接第二端子以及第一外部端子的布线与其它的布线之间产生寄生电容。由此，能够抑制由寄生电容的产生引起的放大电路部的特性的劣化。
另外，也可以在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，至少上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子重合。
据此，能够以最短距离的布线连接匹配电路部的第二端子与放大电路部的第一外部端子。因此，能够抑制在连接位于放大电路部的附近的第一外部端子与第二端子的布线上产生寄生电容。由此，能够抑制由寄生电容的产生引起的放大电路部的特性的劣化。
也可以还具备：第一树脂密封部，在上述基板的一个主面上形成为覆盖上述匹配电路部；以及第一屏蔽膜，形成为覆盖上述基板的侧面以及上述第一树脂密封部的侧面，在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，上述匹配电路部配置在上述基板的中央区域。
这样，通过将匹配电路部配置在基板的中央区域，从而匹配电路部与第一屏蔽膜的距离增大，能够抑制由于屏蔽而匹配电路部的电特性降低。由此，能够维持匹配电路部的电特性，能够抑制放大电路部的NF(噪声指数)特性的劣化。
另外，也可以上述匹配电路部是芯片电感器，***在上述开关电路部与上述放大电路部之间，以使上述开关电路部、上述匹配电路部以及上述放大电路部串联连接。
这样，通过使用芯片电感器作为匹配电路部，能够通过品质系数较高的电感器取得开关电路部与放大电路部的阻抗匹配。另外，在高频模块形成有第一屏蔽膜，且在基板的中央区域配置有作为匹配电路部的芯片电感器的情况下，芯片电感器与第一屏蔽膜的距离较远，所以芯片电感器的磁通被遮挡的重要因素减少，抑制了品质系数的劣化，能够改善放大电路部的NF特性。
另外，也可以上述芯片电感器在上述基板上安装为线圈轴与上述基板的上述一个主面平行。
例如，若电感器被配置为与基板的一个主面交叉，则也有通过电感器形成的磁场对其它的电路部件造成影响的情况。与此相对，通过如本发明那样，将电感器配置为线圈轴与一个主面平行，能够抑制磁场对其它的电路部件的影响。
另外，也可以高频模块具有多个上述芯片电感器，多个上述芯片电感器中的至少两个上述芯片电感器在上述基板上安装为一方的上述芯片电感器的线圈轴与另一方的上述芯片电感器的线圈轴交叉。
这样各芯片电感器配置在不容易遮挡其它的芯片电感器的磁通的方向，所以能够抑制与其它的芯片电感器干扰或者磁场耦合。由此，能够抑制高频信号路径的信号的泄露所引起的衰减特性的劣化。
另外，也可以一方的上述芯片电感器的线圈轴与另一方的上述芯片电感器的线圈轴正交。
这样一方的芯片电感器配置在与另一方的芯片电感器正交的方向，所以能够抑制与其它的芯片电感器干扰或者磁场耦合，能够抑制高频信号路径的信号的泄露所引起的衰减特性的劣化。
也可以还具备与上述开关电路部连接的带通滤波器，上述带通滤波器安装在上述基板的上述另一主面或者上述内部。
根据该高频模块，能够进行多个频带下的信号的发送接收。
另外，也可以上述开关电路部以及上述放大电路部安装在上述基板的另一主面，高频模块还具备：突起电极，从上述基板的另一主面突出；第二树脂密封部，在上述基板的上述另一主面上形成为覆盖上述开关电路部的侧面以及上述放大电路部的侧面、及上述突起电极的侧面；以及第二屏蔽膜，形成为覆盖上述第二树脂密封部的侧面。
据此，能够使用突起电极进行高频信号的输入输出或者与地线的连接。
另外，也可以上述突起电极具有与上述另一主面相接的根部、和位于与上述根部相反的位置的前端部，上述前端部从上述第二树脂密封部的表面露出，上述根部的一部分沿着上述基板的上述另一主面从上述第二树脂密封部的上述侧面露出，并与上述第二屏蔽膜连接。
这样，通过将突起电极与第二屏蔽膜连接，能够增加与屏蔽膜连接的电极的接地面积，降低电阻值而提高屏蔽性能。另外，在将高频模块安装于母板的情况下，能够在距离母板较近的位置，将突起电极与屏蔽膜连接，能够提高屏蔽性能。
另外，也可以上述突起电极具有与上述另一主面相接的根部、和位于与上述根部相反的位置的前端部，上述前端部的剖面积比上述根部大，并从上述第二树脂密封部的表面露出。
这样，通过增大突起电极的前端部的剖面积，在将高频模块安装于母板的情况下，能够增大对母板的连接面积，能够提高安装强度。
在高频模块中，能够抑制由寄生电容的产生引起的放大电路的特性的劣化。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的电路构成的图。
图2A是从正面观察实施方式1所涉及的高频模块的情况下的剖视图。
图2B是俯视实施方式1所涉及的高频模块的情况下的剖视图。
图3是表示实施方式2所涉及的高频模块的电路构成的图。
图4是俯视实施方式2所涉及的高频模块的情况下的剖视图。
图5是从正面观察实施方式3所涉及的高频模块的情况下的剖视图。
图6是从正面观察实施方式4所涉及的高频模块的情况下的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行说明。此外，以下说明的实施方式均示出本发明的优选的一个具体例。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式、制造工序、以及制造工序的顺序等是一个例子，并不意在对本发明进行限定。另外，以下的实施方式的构成要素中未记载于表示最上位概念的独立权利要求的构成要素被描述为任意的构成要素。另外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比并不一定严格。另外，在各图中，实际上对相同的构成标注相同的附图标记，并省略或者简化重复的说明。
(实施方式1)
[1－1.高频模块的构成]
首先，对实施方式1所涉及的高频模块1的电路构成进行说明。
图1是表示高频模块1的电路构成的图。
高频模块1是放大并传输高频信号的电路模块。在高频模块1的天线端子1a连接有天线元件2，在输入输出端子1b连接有RFIC(RF信号处理电路)7。此外，在图1中，示出由高频模块1和RFIC7构成的通信装置9。在本实施方式中，例举作为接收电路的高频模块1进行说明。
高频模块1在连接天线端子1a与输入输出端子1b的路径上，从天线端子1a开始依次配置匹配元件(MN)3a、带通滤波器70、匹配元件(MN)3b、开关电路部20、匹配电路部30、放大电路部40以及输入输出端子1b。匹配元件3a是取得天线元件2与带通滤波器70的阻抗匹配的元件。匹配元件3b是取得带通滤波器70与开关电路部20的阻抗匹配的元件。
开关电路部20具有第一外部端子21和第二外部端子22。匹配电路部30具有第一端子31和第二端子32。放大电路部40具有第一外部端子41和第二外部端子42。
开关电路部20的第一外部端子21例如为输入端子，与匹配元件3b连接。第二外部端子22例如是输出端子，与匹配电路部30的第一端子31连接。开关电路部20例如是开关IC(SW)。
匹配电路部30的第一端子31例如是输入端子，与开关电路部20的第二外部端子22连接。第二端子32例如是输出端子，与放大电路部40的第一外部端子41连接。匹配电路部30是取得开关电路部20与放大电路部40的阻抗匹配的电路。匹配电路部30例如是电感器(L1)，***在开关电路部20与放大电路部40之间，以使开关电路部20、匹配电路部30以及放大电路部40串联连接。
放大电路部40的第一外部端子41例如是输入端子，与匹配电路部30的第二端子32连接。第二外部端子42例如是输出端子，与高频模块1的输入输出端子1b连接。放大电路部40例如是低噪声放大器(LNA)。在本实施方式中，通过由一体的元件构成的集成电路元件IC1构成开关电路部20以及放大电路部40。
接下来，对高频模块1的安装结构进行说明。
图2A是从正面观察高频模块1的情况下的剖视图。图2B是俯视高频模块1的情况下的剖视图，具体而言，是图2A的IIB－IIB线上的剖视图。
如图2A以及图2B所示，高频模块1具备基板10、安装在基板10的一个主面10a的匹配电路部30以及带通滤波器70、安装在另一主面10b的开关电路部20以及放大电路部40。此外，在图2A以及图2B中，省略匹配元件3a、3b的图示。另外，以下，将与基板10的一个主面10a垂直的方向称为Z方向，将与一个主面10a平行的规定方向称为X方向，并将与Z方向以及X方向双方平行的方向称为Y方向。
在基板10的外周区域11设置有从另一主面10b垂直地突出的多个突起电极80。多个突起电极80的一部分是上述的天线端子1a、以及输入输出端子1b，多个突起电极80的另一部分例如是与地线连接的端子。
在基板10的一个主面10a上将第一树脂密封部51设置为覆盖匹配电路部30和带通滤波器70。另外，将第一屏蔽膜61设置为覆盖基板10的侧面10c、第一树脂密封部51的侧面51c以及顶面51a。
在基板10的另一主面10b上将第二树脂密封部52设置为覆盖集成电路元件IC1的侧面(开关电路部20的侧面20c以及放大电路部40的侧面40c)以及突起电极80的侧面80c。另外，将第二屏蔽膜62设置为覆盖第二树脂密封部52的侧面52c。
作为第一树脂密封部51以及第二树脂密封部52的材料，例如能够使用环氧树脂等热固化性树脂材料。作为第一屏蔽膜61以及第二屏蔽膜62的材料，例如能够使用Cu、Ag、Ni等。
带通滤波器70是能在500MHz以上6GHz以下的频带中的任意的频带使用的SAW(Surface Accoustic Wave：表面声波)滤波器。带通滤波器70为长方体状，在底面设置有多个信号端子(图示省略)。此外，带通滤波器70并不限定于SAW滤波器，也可以是BAW(BulkAccoustic Wave：体声波)滤波器。
在带通滤波器70为SAW滤波器的情况下，具备基板和IDT(Interdigitaltransducer：叉指换能器)电极。
基板是至少在表面具有压电性的基板。例如，也可以在表面具备压电薄膜，并由声速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等层叠体构成。另外，基板也可以在基板整体具有压电性。该情况下，基板是由压电体层一层构成的压电基板。
开关电路部20以及放大电路部40如上述那样是包含于集成电路元件IC1的部分。集成电路元件IC1为长方体状，底面安装于基板10的另一主面10b，顶面从第二树脂密封部52的表面52a露出。具体而言，开关电路部20经由第一外部端子21以及第二外部端子22被焊接到基板10的另一主面10b。放大电路部40经由第一外部端子41以及第二外部端子42被焊接到基板10的另一主面10b。
匹配电路部30例如是利用包含片材层叠法、打印层叠法或者薄膜形成法的方法制造的芯片电感器。匹配电路部30的外形为长方体状，在两端或者底面设置有一对端子亦即第一端子31以及第二端子32。匹配电路部30经由第一端子31以及第二端子32被焊接到基板10的一个主面10a。在本实施方式中，作为匹配电路部30，采用品质系数Q较高的电感器。
作为芯片电感器的匹配电路部30在基板10上安装为电感器的线圈轴a1与基板10的一个主面10a平行(在本实施方式中与X方向平行)。另外，匹配电路部30配置在基板10的中央区域12，以不过于接近第一屏蔽膜61。另外，作为电感器的匹配电路部30成为与第一屏蔽膜61的距离较远，磁通的遮挡较少的结构。
此外，中央区域12是在将设置有突起电极80的区域设为外周区域11的情况下，位于外周区域11的内侧的区域。另外，中央区域12是包含基板10的一个主面10a的中心，且占一个主面10a的面积的50％的区域。另外，中央区域12也可以是在俯视时与集成电路元件IC1重合的区域。
基板10具有通过层叠多个陶瓷基材而形成的基材部15、设置在基板10的内部的第一内部导体16、第二内部导体17以及多个接地电极18。第一内部导体16、第二内部导体17以及接地电极18例如分别通过以铜为主成分的金属材料形成。第一内部导体16以及第二内部导体17分别由面内导体和层间导体形成。接地电极18由面内导体形成，并与第一屏蔽膜61连接。
开关电路部20的第二外部端子22经由第一内部导体16与匹配电路部30的第一端子31连接。匹配电路部30的第二端子32经由第二内部导体17与放大电路部40的第一外部端子41连接。通过该连接，开关电路部20、匹配电路部30以及放大电路部40依次串联连接。
本实施方式的高频模块1在从与基板10的一个主面10a垂直的方向(Z方向)观察的情况下，匹配电路部30的第一端子31与开关电路部20的第二外部端子22重合。而且，第一端子31与第二外部端子22经由第一内部导体16以最短距离连接。通过布线为以最短距离连接第一端子31以及第二外部端子22，从而成为不容易在连接第一端子31以及第二外部端子22的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容的结构。
另外，高频模块1在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，匹配电路部30的第二端子32与放大电路部40的第一外部端子41重合。而且，第二端子32与第一外部端子41经由第二内部导体17以最短距离连接。通过布线为以最短距离连接第二端子32以及第一外部端子41，从而成为不容易在连接第二端子32以及第一外部端子41的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容的结构。
另外，高频模块1被配置为在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，匹配电路部30的第一端子31以及第二端子32不与接地电极18重合。通过该配置，成为不容易在第一端子31或者第二端子32与接地电极18之间产生寄生电容的结构。另外，基板10内的第一内部导体16、第二内部导体17以及接地电极18分别配置为不相互重合。通过该配置，成为不容易在第一内部导体16或者第二内部导体17与接地电极18之间产生寄生电容的结构。
[1－2.高频模块的制造方法]
接下来，对高频模块1的制造方法进行说明。
首先，通过使用了丝网印刷等的打印层叠法，分别以规定图案打印包含陶瓷材料的陶瓷图案以及包含导电材料的内部导体图案，并将这些图案反复涂覆多层从而形成成为基底的层叠块。其后，对层叠块进行烧制并形成基板10。
接下来，使用安装机在基板10的一个主面10a安装匹配电路部30以及带通滤波器70。另外，在基板10的另一主面10b安装由开关电路部20以及放大电路部40构成的集成电路元件IC1。另外，为了形成多个突起电极80，而在另一主面10b焊接柱状的铜部件。其后，在基板10的一个主面10a上涂覆树脂，以覆盖匹配电路部30以及带通滤波器70，形成第一树脂密封部51。另外，在基板10的另一主面10b上涂覆树脂，以覆盖集成电路元件IC1以及突起电极80，形成第二树脂密封部52。接下来，在与另一主面10b垂直的方向(Z方向)上，除去第二树脂密封部52的一部分、集成电路元件IC1的一部分、以及突起电极80的一部分，使它们的高度一致。通过这些除去加工，使集成电路元件IC1以及突起电极80在第二树脂密封部52的表面52a露出。接下来，在基板10的侧面10c、第一树脂密封部51的侧面51c、顶面51a以及第二树脂密封部52的侧面52c同时形成屏蔽膜(第一屏蔽膜61以及第二屏蔽膜62)。通过这些工序，制成高频模块1。
[1－3.效果等]
本实施方式所涉及的高频模块1具备基板10、安装在基板10的一个主面10a的匹配电路部30、安装在基板10的另一主面10b的开关电路部20以及放大电路部40。放大电路部40具有第一外部端子41，并经由第一外部端子41安装于基板10。开关电路部20具有第二外部端子22，并经由第二外部端子22安装于基板10。匹配电路部30具有相互不同的第一端子31以及第二端子32，并经由第一端子31以及第二端子32安装于基板10。第一端子31与开关电路部20的第二外部端子22电连接，第二端子32与放大电路部40的第一外部端子41电连接。而且，在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，第一端子31与开关电路部20的第二外部端子22重合，另外，第二端子32与放大电路部40的第一外部端子41重合。
通过这样的端子的配置，能够以最短距离的布线连接第一端子31与第二外部端子22。因此，不容易在连接第一端子31以及第二外部端子22的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容。另外，能够以最短距离的布线连接第二端子32与第一外部端子41。因此，不容易在连接第二端子32以及第一外部端子41的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容。由此，能够抑制由寄生电容的产生引起的放大电路部40的增益特性的劣化。
此外，第一端子31与第二外部端子22、以及第二端子32与第一外部端子41并不一定需要双方都重合，只要至少一方重合即可。即，高频模块1只要在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，具有第一端子31与第二外部端子22重合的状态、以及第二端子32与第一外部端子41重合的状态中至少一方的状态即可。
另外，既可以第二端子32的一部分与第一外部端子41重合，也可以第二端子32的全部与第一外部端子41重合。在图2B中，第一外部端子41成为比第二端子32大的面积，但也可以是比第二端子32小的面积。第一端子31以及第二外部端子22的关系也与上述相同。
(实施方式2)
接下来，对实施方式2所涉及的高频模块1A进行说明。实施方式2所涉及的高频模块1A具有三个高频信号路径。
图3是表示高频模块1A的电路构成的图。
如图3所示，高频模块1A具有天线端子1a和三个输入输出端子1b。在天线端子1a连接有天线元件2，在三个输入输出端子1b连接有RFIC7。
高频模块1A在连结天线端子1a与输入输出端子1b的路径上，具备天线开关8和三个高频信号路径。天线开关8具有一个共用端子和三个选择端子。各高频信号路径具备匹配元件(MN)3a、带通滤波器70、匹配元件(MN)3b、开关电路部20、匹配电路部30以及放大电路部40。在本实施方式中，与各高频信号路径对应地配置集成电路元件IC1、IC2、IC3。各集成电路元件IC1～IC3包含开关电路部20以及放大电路部40。
图4是俯视高频模块1A的情况下的剖视图。
如图4所示，高频模块1A具备基板10、安装在基板10的一个主面10a的三个匹配电路部30以及三个带通滤波器70、及安装在另一主面10b的三个集成电路元件IC1～IC3。另外，在基板10的一个主面10a设置有电源电路。
三个带通滤波器70分别是在中频段、高频段、超高频段的频带下使用的滤波器。
在各集成电路元件IC1～IC3中，开关电路部20至少经由第二外部端子22被焊接到基板10的另一主面10b，放大电路部40至少经由第一外部端子41被焊接到基板10的另一主面10b。
匹配电路部30例如是芯片电感器。三个匹配电路部30的外形分别为长方体状，在两端或者底面设置有一对端子亦即第一端子31以及第二端子32。匹配电路部30经由第一端子31以及第二端子32被焊接到基板10的一个主面10a。
三个匹配电路部30分别配置在基板10的中央区域12，以不过于接近第一屏蔽膜61。
三个匹配电路部30中的与集成电路元件IC1连接并配置在中频段的高频信号路径的匹配电路部30在基板10上安装为电感器的线圈轴a1与X方向平行。三个匹配电路部30中的与集成电路元件IC2连接并配置在高频段的高频信号路径的匹配电路部30在基板10上安装为电感器的线圈轴a2与Y方向平行。三个匹配电路部30中的与集成电路元件IC3连接并配置在超高频段的高频信号路径的匹配电路部30在基板10上安装为电感器的线圈轴a3与X方向平行。
即，三个匹配电路部30被配置为各电感器的线圈轴a1、a3与线圈轴a2交叉(具体而言正交)，不容易遮挡其它的电感器的磁通。另外，分别具有线圈轴a1、a3的两个匹配电路部30分别配置为电感器的线圈轴a1与线圈轴a3平行。具体而言，具有线圈轴a3的匹配电路部30被配置为线圈轴a3与线圈轴a1不在同一轴上而在Y方向上分离，抑制遮挡具有线圈轴a1的匹配电路部30的磁通。另外，在本实施方式中，三个匹配电路部30中相邻的两个匹配电路部30的线圈轴正交。具体而言，配置为具有线圈轴a1的匹配电路部30与具有线圈轴a2的匹配电路部30相互相邻，并且线圈轴a1与线圈轴a2正交。另外，配置为具有线圈轴a2的匹配电路部30与具有线圈轴a3的匹配电路部30相互相邻，并且线圈轴a2与线圈轴a3正交。
这样各匹配电路部30配置在不遮挡其它的匹配电路部30的磁通的方向，所以能够抑制与其它的匹配电路部30干扰或者磁场耦合。由此，能够抑制各高频信号路径的信号的泄露所引起的衰减特性的劣化。
另外，本实施方式的高频模块1A在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，各匹配电路部30的第一端子31与各开关电路部20的第二外部端子22重合。具体而言，三个第一端子31与三个第二外部端子22经由各个第一内部导体以最短距离连接。这样，通过布线为以最短距离连接第一端子31以及第二外部端子22，从而成为不容易在连接第一端子31以及第二外部端子22的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容的结构。
另外，高频模块1A在从与基板10的一个主面10a垂直的方向观察的情况下，各匹配电路部30的第二端子32与各放大电路部40的第一外部端子41重合。具体而言，三个第二端子32与三个第一外部端子41经由各个第二内部导体以最短距离连接。这样，通过布线为以最短距离连接第二端子32以及第一外部端子41，从而成为不容易在连接第二端子32以及第一外部端子41的布线与其它的布线(例如接地电极18)之间产生寄生电容的结构。
通过这些结构，在高频模块1A中，能够抑制由寄生电容的产生引起的放大电路部40的增益特性的劣化。
(实施方式3)
接下来，对实施方式3所涉及的高频模块1B进行说明。实施方式3所涉及的高频模块1B的突起电极80的根部81较粗，并且根部81与第二屏蔽膜62连接。
图5是从正面观察高频模块1B的情况下的剖视图。
如图5所示，高频模块1B具备基板10、安装在基板10的一个主面10a的匹配电路部30、以及安装在另一主面10b的集成电路元件IC1。在基板10的一个主面10a使用焊料等接合部件76接合有多个安装部件75。
高频模块1B具有多个突起电极80，其中的一部分的突起电极80是与地线连接的电极。如图5所示，与地线连接的突起电极80具有与基板10的另一主面10b相接的根部81、和位于与根部81相反的位置的前端部82。前端部82从第二树脂密封部52的表面52a露出。根部81的一部分沿着基板10的另一主面10b从第二树脂密封部52的侧面52c露出，并与第二屏蔽膜62连接。
在本实施方式所涉及的高频模块1B中，将与地线连接的突起电极80与第二屏蔽膜62连接。由此，能够增加与屏蔽膜连接的电极的接地面积，降低电阻值，能够提高屏蔽性能。例如，在仅使用基板10的接地电极与屏蔽膜连接的情况下的接地面积为10μm2，与此相对，在如高频模块1B那样使用突起电极80与屏蔽膜连接的情况下，能够使接地面积为100μm2(十倍)。
另外，在将高频模块1B安装于母板(其它的安装基板)的情况下，能够在距离母板较近的位置，将突起电极80与第二屏蔽膜62连接，能够提高屏蔽性能。
接下来，对高频模块1B的制造方法进行说明。
首先，在未烧制的基板10的另一主面10b侧依次层叠第一约束层和第二约束层，形成未烧制的复合层叠体。第一以及第二约束层分别由包含在基板10的烧制温度下实际上未烧结的材料的基材、和包含在基板10的烧制温度以下的温度烧结的金属材料的突起电极用图案构成。具体而言，在第一约束层将与根部81对应的形状的突起电极图案形成为贯通第一约束层的基材。在第二约束层将与前端部82对应的形状的突起电极用图案形成为贯通第二约束层的基材。
接下来，以基板10的烧制温度对上述复合层叠体进行烧制。通过该烧制，突起电极用图案烧结，形成突起电极80。另一方面，第一以及第二约束层的基材部分成为未烧结的状态。
接下来，从复合层叠体除去未烧结的上述基材部分。通过该除去加工，在基板10的另一主面10b出现具有根部81和前端部82的阶梯状的突起电极80。
接下来，使用安装机在基板10的一个主面10a安装匹配电路部30、带通滤波器70。另外，在基板10的另一主面10b安装包含开关电路部20以及放大电路部40的集成电路元件IC1。其后，在基板10的一个主面10a上涂覆树脂以覆盖匹配电路部30以及带通滤波器70，形成第一树脂密封部51。另外，在基板10的另一主面10b上涂覆树脂以覆盖集成电路元件IC1以及突起电极80，形成第二树脂密封部52。接下来，在基板10的侧面10c、第一树脂密封部51的侧面51c以及顶面51a、第二树脂密封部52的侧面52c同时形成屏蔽膜(第一屏蔽膜61以及第二屏蔽膜62)。
通过以上的工序，制成高频模块1B。根据该工序，能够容易地形成许多异形状的突起电极80。
(实施方式4)
接下来，对实施方式4所涉及的高频模块1C进行说明。实施方式4所涉及的高频模块1C的突起电极80的前端部82比根部81粗。
图6是从正面观察高频模块1C的情况下的剖视图。
如图6所示，高频模块1C具备基板10、安装在基板10的一个主面10a的匹配电路部30、以及安装在另一主面10b的集成电路元件IC1。在基板10的一个主面10a使用焊料等接合部件76接合有多个安装部件75。
高频模块1C具有多个突起电极80。如图6所示，突起电极80具有与基板10的另一主面10b相接的根部81、和位于与根部81相反的位置的前端部82。前端部82与根部81相比剖面积较大，并从第二树脂密封部52的表面52a露出。剖面积是在与突出方向(Z方向)垂直的面切断突起电极80的情况下的面积。
此外，为了使突起电极80的前端部82的剖面积比根部81的剖面积大，只要在实施方式3中说明的高频模块的制造方法中，在打印内部导体图案时，使突起电极80的前端部82的面积比根部81的面积大即可。
在本实施方式所涉及的高频模块1C中，突起电极80的前端部82的剖面积较大，所以在将高频模块1C安装于母板(其它的安装基板)的情况下，能够增大对母板的连接面积，能够提高安装强度。
(其它的实施方式)
以上，对本发明的实施方式1～4所涉及的高频模块进行了说明，但本发明并不限定于各个实施方式1～4。也可以只要不脱离本发明的主旨，对实施方式1～4实施了本领域技术人员想到的各种变形后的实施方式、组合不同的实施方式中的构成要素而构建出的方式也包含在本发明的一个或者多个方式的范围内。
在本实施方式中，利用一体的集成电路元件IC1构成开关电路部20以及放大电路部40，但并不限定于此。例如，也可以分别通过独立的电路元件构成开关电路部20以及放大电路部40。
在本实施方式中，将开关电路部20以及放大电路部40安装在基板10的另一主面10b，但并不限定于此。例如，也可以开关电路部20以及放大电路部40埋设在基板10的内部，内置于基板10。也可以带通滤波器70也埋设在基板10的内部，内置于基板10。
在本实施方式中，作为匹配电路部30例示了芯片电感器，但并不限定于此。匹配电路部30也可以是内置电感器元件和其它的无源元件的复合部件。例如，匹配电路部30也可以由串联***到开关电路部20与放大电路部40之间的电容器、和分路连接的电感器构成。另外，匹配电路部30并不限定于层叠电感器，也可以是绕线电感器。
在实施方式1中，将高频模块1作为接收电路进行了说明，但并不限定于此，高频模块1也可以是发送电路。在该情况下，放大电路部40成为功率放大器(PA)，作为放大电路部40的输出端子的第一外部端子41与匹配电路部30的第二端子32连接，匹配电路部30的第一端子31与作为开关电路部20的输入端子的第二外部端子22连接。
另外，在高频模块的制造方法中，并不限定于打印层叠法，也可以利用片材层叠法形成层叠块。
本发明的高频模块能够广泛地作为移动信息终端等电子设备的构成部件进行利用。
附图标记说明
1、1A、1B、1C…高频模块，1a…天线端子，1b…输入输出端子，2…天线元件，3a、3b…匹配元件(MN)，7…RFIC，8…天线开关，9…通信装置，10…基板，10a…一个主面，10b…另一主面，10c…侧面，11…外周区域，12…中央区域，15…基材部，16…第一内部导体，17…第二内部导体，18…接地电极，20…开关电路部(SW)，20c…开关电路部的侧面，21…第一外部端子，22…第二外部端子，30…匹配电路部，31…第一端子，32…第二端子，40…放大电路部(LNA)，40c…放大电路部的侧面，41…第一外部端子，42…第二外部端子，51…第一树脂密封部，51a…第一树脂密封部的顶面，51c…第一树脂密封部的侧面，52…第二树脂密封部，52a…第二树脂密封部的表面，52c…第二树脂密封部的侧面，61…第一屏蔽膜，62…第二屏蔽膜，70…带通滤波器，75…安装部件，76…接合部件，80…突起电极，80c…突起电极的侧面，81…根部，82…前端部，L1、L2、L3…电感器，a1、a2、a3…线圈轴，IC1、IC2、IC3…集成电路元件。

Claims (11)

1.一种高频模块，具备：
基板；
匹配电路部，安装在上述基板的一个主面；以及
开关电路部以及放大电路部，安装在上述基板的另一主面或者内部，
上述放大电路部具有第一外部端子，并经由上述第一外部端子安装于上述基板，
上述开关电路部具有第二外部端子，并经由上述第二外部端子安装于上述基板，
上述匹配电路部具有相互不同的第一端子以及第二端子，并经由上述第一端子以及上述第二端子安装于上述基板，
上述第一端子与上述开关电路部的上述第二外部端子电连接，
上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子电连接，
在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，
具有上述第一端子与上述开关电路部的上述第二外部端子重合的状态、以及上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子重合的状态中至少一方的状态。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，
至少上述第二端子与上述放大电路部的上述第一外部端子重合。
3.根据权利要求1或者2所述的高频模块，其中，还具备：
第一树脂密封部，在上述基板的一个主面上形成为覆盖上述匹配电路部；以及
第一屏蔽膜，形成为覆盖上述基板的侧面以及上述第一树脂密封部的侧面，
在从与上述基板的上述一个主面垂直的方向观察的情况下，
上述匹配电路部配置在上述基板的中央区域。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的高频模块，其中，
上述匹配电路部是芯片电感器，***在上述开关电路部与上述放大电路部之间，以使上述开关电路部、上述匹配电路部以及上述放大电路部串联连接。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
上述芯片电感器在上述基板上安装为线圈轴与上述基板的上述一个主面平行。
6.根据权利要求4或者5所述的高频模块，其中，
具有多个上述芯片电感器，
多个上述芯片电感器中的至少两个上述芯片电感器在上述基板上安装为一方的上述芯片电感器的线圈轴与另一方的上述芯片电感器的线圈轴交叉。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
一方的上述芯片电感器的线圈轴与另一方的上述芯片电感器的线圈轴正交。
8.根据权利要求6或者7所述的高频模块，其中，
还具备与上述开关电路部连接的带通滤波器，
上述带通滤波器安装在上述基板的上述另一主面或者上述内部。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的高频模块，其中，
上述开关电路部以及上述放大电路部安装在上述基板的另一主面，
上述高频模块还具备：
突起电极，从上述基板的另一主面突出；
第二树脂密封部，在上述基板的上述另一主面上形成为覆盖上述开关电路部的侧面以及上述放大电路部的侧面、及上述突起电极的侧面；以及
第二屏蔽膜，形成为覆盖上述第二树脂密封部的侧面。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
上述突起电极具有与上述另一主面相接的根部、和位于与上述根部相反的位置的前端部，
上述前端部从上述第二树脂密封部的表面露出，
上述根部的一部分沿着上述基板的上述另一主面从上述第二树脂密封部的上述侧面露出，并与上述第二屏蔽膜连接。
11.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
上述突起电极具有与上述另一主面相接的根部、和位于与上述根部相反的位置的前端部，
上述前端部与上述根部相比剖面积较大，并从上述第二树脂密封部的表面露出。
CN201880016507.2A 2017-03-14 2018-03-08 高频模块 Active CN110392926B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017048707 2017-03-14
JP2017-048707 2017-03-14
PCT/JP2018/009052 WO2018168653A1 (ja) 2017-03-14 2018-03-08 高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110392926A true CN110392926A (zh) 2019-10-29
CN110392926B CN110392926B (zh) 2022-12-06

Family

ID=63523112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880016507.2A Active CN110392926B (zh) 2017-03-14 2018-03-08 高频模块

Country Status (4)

Country Link
US (4) US10608682B2 (zh)
JP (1) JP6729790B2 (zh)
CN (1) CN110392926B (zh)
WO (1) WO2018168653A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6451605B2 (ja) * 2015-11-18 2019-01-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN213936168U (zh) * 2018-05-08 2021-08-10 株式会社村田制作所 高频模块
JP6947153B2 (ja) * 2018-12-20 2021-10-13 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP6888606B2 (ja) * 2018-12-21 2021-06-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2020120185A (ja) * 2019-01-21 2020-08-06 株式会社村田製作所 フロントエンドモジュール及び通信装置
CN215933563U (zh) * 2019-03-07 2022-03-01 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2020218289A1 (ja) 2019-04-26 2020-10-29 株式会社村田製作所 モジュール部品、アンテナモジュール及び通信装置
JP2020202483A (ja) * 2019-06-10 2020-12-17 株式会社村田製作所 フィルタモジュール
CN114041265A (zh) 2019-06-26 2022-02-11 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN113940008B (zh) * 2019-07-03 2023-06-16 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
WO2021131775A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021251160A1 (ja) * 2020-06-10 2021-12-16 株式会社村田製作所 モジュールおよび部品
WO2022024641A1 (ja) * 2020-07-28 2022-02-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN116508147A (zh) * 2020-11-13 2023-07-28 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2022131157A1 (ja) * 2020-12-15 2022-06-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209737A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111938A (ja) * 2002-08-28 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2008271421A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Hitachi Metals Ltd 弾性波フィルタ及び複合部品
JP2009177040A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体スイッチング素子の配線方法
US20140118093A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic component module
WO2014171225A1 (ja) * 2013-04-16 2014-10-23 株式会社村田製作所 高周波部品およびこれを備える高周波モジュール
US20160156335A1 (en) * 2013-08-06 2016-06-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module

Family Cites Families (157)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2976049B2 (ja) 1992-07-27 1999-11-10 株式会社村田製作所 積層電子部品
JPH1131913A (ja) * 1997-05-15 1999-02-02 Murata Mfg Co Ltd チップアンテナ及びそれを用いた移動体通信機
KR100563122B1 (ko) * 1998-01-30 2006-03-21 다이요 유덴 가부시키가이샤 하이브리드 모듈 및 그 제조방법 및 그 설치방법
JP2000133765A (ja) 1998-10-23 2000-05-12 Sony Corp 高周波集積回路装置
JP2002203938A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Toshiba Corp ハイブリッド半導体装置
TWI252582B (en) * 2001-02-27 2006-04-01 Sanyo Electric Co Switch circuit device
JP2003060523A (ja) 2001-08-09 2003-02-28 Tdk Corp 無線通信モジュール
JP3890947B2 (ja) * 2001-10-17 2007-03-07 松下電器産業株式会社 高周波半導体装置
US6873529B2 (en) * 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
JP2004088372A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Renesas Technology Corp 受信機及びそれを用いた無線通信端末機器
EP1394857A3 (en) 2002-08-28 2004-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device
DE10321247B4 (de) * 2003-05-12 2005-08-04 Epcos Ag Verlustarmes Sendemodul
JP2005045345A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
DE10340438B4 (de) * 2003-09-02 2005-08-04 Epcos Ag Sendemodul mit verbesserter Wärmeabführung
JP3885793B2 (ja) 2003-10-31 2007-02-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2005203633A (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、半導体装置実装体、および半導体装置の製造方法
TWI269492B (en) 2004-01-27 2006-12-21 Murata Manufacturing Co Laminated electronic part and its manufacturing method
WO2005071742A1 (ja) 2004-01-27 2005-08-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型電子部品の製造方法
JP2005235807A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Murata Mfg Co Ltd 積層型電子部品およびその製造方法
US20100253435A1 (en) * 2004-03-18 2010-10-07 Ikuroh Ichitsubo Rf power amplifier circuit utilizing bondwires in impedance matching
KR100659521B1 (ko) 2004-04-06 2006-12-20 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 내부도체의 접속구조 및 다층기판
WO2006002347A1 (en) * 2004-06-23 2006-01-05 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated rf front end
JP2006049602A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
CN100576760C (zh) * 2004-08-06 2009-12-30 株式会社村田制作所 高频复合器件
US7348842B2 (en) * 2005-01-19 2008-03-25 Micro-Mobio Multi-substrate RF module for wireless communication devices
JP2006319512A (ja) 2005-05-11 2006-11-24 Murata Mfg Co Ltd 多層配線基板装置
US7840201B2 (en) * 2005-06-09 2010-11-23 Panasonic Corporation Communication module having tuner units that are separated and isolated from each other, and method of manufacturing the same
US7768792B2 (en) * 2005-09-12 2010-08-03 Lg Innotek Co., Ltd. Front end module
DE112006001884B4 (de) * 2005-09-12 2018-09-27 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement
JP2007115852A (ja) 2005-10-19 2007-05-10 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板の製造方法
JP2007129459A (ja) 2005-11-02 2007-05-24 Murata Mfg Co Ltd 多層基板モジュール
JP4678408B2 (ja) * 2006-01-31 2011-04-27 株式会社村田製作所 複合高周波部品および移動体通信装置
CN101438505B (zh) * 2006-05-08 2013-04-03 日立金属株式会社 高频电路、高频部件及通信装置
US20080136559A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Wataru Takahashi Electronic device and rf module
JP2008172711A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 薄膜バルク弾性波共振器およびフィルタおよびそれを用いた高周波モジュール
JP5029946B2 (ja) 2007-04-24 2012-09-19 日立金属株式会社 スイッチモジュール
JP2009094713A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Hitachi Media Electoronics Co Ltd モジュール及びそれを用いた移動通信端末
CN101978490B (zh) * 2008-03-31 2012-10-17 株式会社村田制作所 电子元器件组件及该电子元器件组件的制造方法
JP5407667B2 (ja) * 2008-11-05 2014-02-05 株式会社村田製作所 半導体装置
EP2352229A4 (en) * 2008-11-05 2014-11-26 Hitachi Metals Ltd HIGH FREQUENCY SWITCHING, HIGH FREQUENCY ELEMENT AND MULTI-BAND COMMUNICATION DEVICE
JPWO2010052839A1 (ja) 2008-11-06 2012-03-29 パナソニック株式会社 半導体装置
US7804365B2 (en) * 2008-11-07 2010-09-28 Epcos Ag Multilayer amplifier module
JP5451645B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
US8229367B2 (en) * 2009-04-14 2012-07-24 Qualcomm, Incorporated Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch
US8432237B2 (en) * 2009-05-21 2013-04-30 Qualcomm, Incorporated Output circuit with integrated impedance matching, power combining and filtering for power amplifiers and other circuits
JP5152409B2 (ja) * 2009-06-11 2013-02-27 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
JP2011014659A (ja) 2009-06-30 2011-01-20 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品モジュール
JP2011040602A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Renesas Electronics Corp 電子装置およびその製造方法
TWI519083B (zh) * 2009-11-20 2016-01-21 日立金屬股份有限公司 高頻電路、高頻電路元件及通信裝置
WO2012035724A1 (ja) * 2010-09-15 2012-03-22 株式会社村田製作所 複合電子モジュール
JP5158166B2 (ja) * 2010-09-27 2013-03-06 株式会社村田製作所 複合電子モジュール、この複合電子モジュールの製造方法
JP5620812B2 (ja) * 2010-12-27 2014-11-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 高周波モジュールおよび無線通信システム
GB201102143D0 (en) * 2011-02-08 2011-03-23 Cambridge Silicon Radio Ltd A receiver
JP5736949B2 (ja) 2011-05-13 2015-06-17 株式会社村田製作所 高周波回路モジュール
JP5823168B2 (ja) * 2011-05-24 2015-11-25 太陽誘電株式会社 通信モジュール
JP5768889B2 (ja) * 2011-09-07 2015-08-26 株式会社村田製作所 モジュールの製造方法およびモジュール
JP5812449B2 (ja) * 2011-09-15 2015-11-11 株式会社村田製作所 電力増幅器およびその動作方法
WO2013115158A1 (ja) * 2012-02-01 2013-08-08 株式会社村田製作所 アンテナ装置および無線通信装置
JP5440748B1 (ja) * 2012-02-28 2014-03-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN104170266B (zh) * 2012-04-05 2016-04-27 株式会社村田制作所 复合模块
JP5278579B2 (ja) 2012-05-25 2013-09-04 ソニー株式会社 高周波モジュールおよび受信装置
CN104471707B (zh) * 2012-07-26 2017-07-04 株式会社村田制作所 半导体模块
WO2014017160A1 (ja) 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 モジュールおよびモジュール搭載装置
WO2014017159A1 (ja) 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
JP5285806B1 (ja) * 2012-08-21 2013-09-11 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
CN204441433U (zh) * 2012-09-04 2015-07-01 株式会社村田制作所 电路模块
JP5342704B1 (ja) * 2012-11-12 2013-11-13 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
JP2014116844A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Murata Mfg Co Ltd 半導体モジュール
US20150236748A1 (en) * 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
JP5888786B2 (ja) 2013-04-02 2016-03-22 太陽誘電株式会社 回路基板
WO2014171033A1 (ja) * 2013-04-19 2014-10-23 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN105230140B (zh) * 2013-05-08 2018-09-25 株式会社村田制作所 多层布线基板
CN105247784B (zh) * 2013-05-29 2017-09-01 株式会社村田制作所 高频模块元器件
JP6282410B2 (ja) 2013-06-10 2018-02-21 太陽誘電株式会社 モジュール
CN105453427B (zh) * 2013-08-06 2018-02-09 株式会社村田制作所 高频模块
US9319006B2 (en) * 2013-10-01 2016-04-19 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency coupler
US9425753B2 (en) * 2013-11-07 2016-08-23 Qualcomm Incorporated Low-noise amplifier matching
US9374042B2 (en) * 2014-03-27 2016-06-21 Infineon Technologies Ag System and method for a low noise amplifier
US9490852B2 (en) * 2014-04-14 2016-11-08 Infineon Technologies Ag Multiple input and multiple output switch network
JP2015207639A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 ソニー株式会社 高周波スイッチ用半導体装置、高周波スイッチおよび高周波モジュール
US9847804B2 (en) * 2014-04-30 2017-12-19 Skyworks Solutions, Inc. Bypass path loss reduction
US9774485B2 (en) * 2014-05-16 2017-09-26 Qualcomm Incorporated Multiplex modules for carrier aggregation receivers
US10390343B2 (en) * 2014-06-23 2019-08-20 Qualcomm Incorporated Carrier aggregation diversity antenna module with integrated LNA banks
CN106537793B (zh) * 2014-07-01 2019-09-06 株式会社村田制作所 高频模块
JP6269846B2 (ja) * 2014-09-08 2018-01-31 株式会社村田製作所 複合部品およびフロントエンドモジュール
JP6386312B2 (ja) * 2014-09-09 2018-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9485001B2 (en) * 2014-10-31 2016-11-01 Skyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with switching network
US9893752B2 (en) * 2014-10-31 2018-02-13 Skyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with variable-gain amplifiers
US9571037B2 (en) * 2014-10-31 2017-02-14 Skyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with impedance matching components
US10050694B2 (en) * 2014-10-31 2018-08-14 Skyworks Solution, Inc. Diversity receiver front end system with post-amplifier filters
WO2016069947A2 (en) * 2014-10-31 2016-05-06 Skyworks Solutions, Inc. Dynamic switch controller
US9825660B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Systems, devices and methods related to diversity receivers
US9813137B2 (en) * 2014-10-31 2017-11-07 Skyworks Solutions, Inc. Diversity receiver front end system with flexible routing
WO2016104011A1 (ja) * 2014-12-25 2016-06-30 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2016127162A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2016125719A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
JP2016152392A (ja) 2015-02-19 2016-08-22 株式会社村田製作所 プリント回路板、その製造方法、及びインダクタ製品
JP6476016B2 (ja) * 2015-03-09 2019-02-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路、通信モジュール、及びスマートメータ
US9929761B2 (en) * 2015-04-17 2018-03-27 Qorvo Us, Inc. High band TDD antenna swapping method with improved receiver sensitivity
JP6640851B2 (ja) 2015-06-01 2020-02-05 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 受信システム、無線周波数モジュールと無線装置
JP6222406B2 (ja) * 2015-06-24 2017-11-01 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置、受信装置、高周波フロントエンド回路、通信装置、およびマルチプレクサのインピーダンス整合方法
JP6597461B2 (ja) * 2015-07-02 2019-10-30 株式会社村田製作所 増幅回路
US10181829B2 (en) * 2015-07-02 2019-01-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Amplification circuit
CN107710628B (zh) * 2015-07-03 2020-08-04 株式会社村田制作所 前端模块
CN107710610B (zh) * 2015-07-03 2019-04-23 株式会社村田制作所 高频模块
JP6528845B2 (ja) * 2015-07-31 2019-06-12 株式会社村田製作所 アンテナ整合回路、アンテナ回路、フロントエンド回路および通信装置
JP6451605B2 (ja) * 2015-11-18 2019-01-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2017111975A1 (en) * 2015-12-22 2017-06-29 Intel Corporation Microelectronic devices with high frequency communication modules having compound semiconductor devices integrated on a package fabric
US10291269B2 (en) * 2015-12-24 2019-05-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
JP2017118338A (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US9716475B1 (en) * 2016-01-21 2017-07-25 Peregrine Semiconductor Corporation Programmable low noise amplifier
WO2017138539A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2017169645A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP2017184060A (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社村田製作所 高周波信号増幅回路、電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP2017200183A (ja) * 2016-04-29 2017-11-02 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 遮蔽されたダイバーシティ受信モジュール
JP2018019231A (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
KR102171945B1 (ko) * 2016-08-10 2020-10-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전력 증폭 모듈, 프런트 엔드 회로, 및 통신 장치
JP2018042100A (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 株式会社村田製作所 送信モジュール及び送受信モジュール
WO2018051864A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6721472B2 (ja) * 2016-09-20 2020-07-15 株式会社東芝 受信回路、無線通信モジュール、無線通信装置
WO2018056224A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
US10250214B2 (en) * 2016-10-31 2019-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device, multiplexer, radio-frequency front end circuit, and communication device
WO2018111249A1 (en) 2016-12-14 2018-06-21 Intel Corporation Integrated circuit packages with plates
WO2018123698A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2018123972A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
TWI681524B (zh) * 2017-01-27 2020-01-01 日商村田製作所股份有限公司 半導體晶片
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2018181943A (ja) * 2017-04-05 2018-11-15 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
US10103696B1 (en) * 2017-04-13 2018-10-16 Tagore Technology, Inc. Integrated gallium nitride power amplifier and switch
US10454434B2 (en) * 2017-07-21 2019-10-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Communication unit
WO2019049647A1 (ja) * 2017-09-07 2019-03-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2019065419A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2019065569A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置
JP2019068205A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社村田製作所 高周波回路、フロントエンドモジュールおよび通信装置
JP2019071534A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 株式会社村田製作所 双方向性結合器
WO2019146284A1 (ja) * 2018-01-25 2019-08-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN214123862U (zh) * 2018-03-23 2021-09-03 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
CN112005501B (zh) * 2018-03-30 2022-12-16 株式会社村田制作所 高频模块以及具备该高频模块的通信装置
WO2019215988A1 (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10516372B1 (en) * 2018-07-03 2019-12-24 Nxp B.V. Low cost LF driver current sense topology
JP2020027975A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP6947153B2 (ja) * 2018-12-20 2021-10-13 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP6888606B2 (ja) * 2018-12-21 2021-06-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6900947B2 (ja) * 2018-12-28 2021-07-14 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN113940008B (zh) * 2019-07-03 2023-06-16 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
KR102584100B1 (ko) * 2019-07-09 2023-10-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2021039226A1 (ja) * 2019-08-28 2021-03-04 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2021039068A1 (ja) * 2019-08-30 2021-03-04 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021061577A (ja) * 2019-10-09 2021-04-15 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021072583A (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021103713A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2021106341A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021175053A (ja) * 2020-04-22 2021-11-01 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2022018955A (ja) * 2020-07-16 2022-01-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2022083835A (ja) * 2020-11-25 2022-06-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111938A (ja) * 2002-08-28 2004-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2008271421A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Hitachi Metals Ltd 弾性波フィルタ及び複合部品
JP2009177040A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Fuji Electric Systems Co Ltd 半導体スイッチング素子の配線方法
US20140118093A1 (en) * 2012-10-30 2014-05-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic component module
WO2014171225A1 (ja) * 2013-04-16 2014-10-23 株式会社村田製作所 高周波部品およびこれを備える高周波モジュール
US20160156335A1 (en) * 2013-08-06 2016-06-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module

Also Published As

Publication number Publication date
US20200007174A1 (en) 2020-01-02
US10608682B2 (en) 2020-03-31
US11476878B2 (en) 2022-10-18
US20220060201A1 (en) 2022-02-24
US11201633B2 (en) 2021-12-14
JPWO2018168653A1 (ja) 2019-11-07
CN110392926B (zh) 2022-12-06
WO2018168653A1 (ja) 2018-09-20
US20200195284A1 (en) 2020-06-18
US10911080B2 (en) 2021-02-02
JP6729790B2 (ja) 2020-07-22
US20210152198A1 (en) 2021-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110392926A (zh) 高频模块
US11387810B2 (en) High-frequency module
JP5510613B2 (ja) 回路モジュール
JP5262413B2 (ja) マルチバンドデュプレクサモジュール
JP5777694B2 (ja) 分波器、分波器モジュールおよび通信装置
JP2020102693A (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
US8405472B2 (en) Elastic wave filter device
US11825603B2 (en) High-frequency module
KR101622452B1 (ko) 모듈 기판 및 모듈
CN107078715A (zh) 高频模块
JP5975198B1 (ja) 高周波モジュール
KR20080092853A (ko) 고성능 필터용 콤팩트 코일
CN108432133A (zh) 高频模块
JP5630697B2 (ja) 電子部品
US10645798B2 (en) Composite component-embedded circuit board and composite component
CN108476016A (zh) 高频模块
US11558035B2 (en) Multiplexer
JP2019192992A (ja) フロントエンドモジュールおよび通信装置
CN108886352A (zh) 复合滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
CN118539889A (zh) 一种滤波器封装结构、封装方法及通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant