JP2007129459A - 多層基板モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック多層基板1、アンテナスイッチ用IC4、セラミック多層基板1の上面に搭載された弾性表面波デュプレクサ2、3及び複数の整合用実装部品7とを備えた多層基板モジュール。セラミック多層基板1の内部には、グランド導体層11に電気的に接続されたグランド用ビアホール導体13と、信号ライン16に電気的に接続された信号用ビアホール導体14(整合用ビアホール導体を含む)とを有している。グランド導体層11によって発生する寄生インダクタンスLsによる低周波側へのシフトを考慮し、弾性表面波デュプレクサ2,3単体の減衰極の位置は、多層基板モジュール21に搭載されたときに設定されるべき位置より高周波側にあらかじめシフトされている。
【選択図】図1
Description
図1は第1実施例である多層基板モジュール21の断面図である。図1に示すように、多層基板モジュール21は、実装状態で開口部が下向きとなるダウンキャビティ1aを有するセラミック多層基板1と、ダウンキャビティ1a内に搭載されたアンテナスイッチ用IC4と、セラミック多層基板1の上面に搭載された800MHz帯の弾性表面波デュプレクサ2、2GHz帯の弾性表面波デュプレクサ3及び複数の整合用実装部品7とを備えている。
図4は第2実施例である多層基板モジュール51の断面図である。図4に示すように、多層基板モジュール51は、セラミック多層基板31と、セラミック多層基板31の上面に搭載された弾性表面波デュプレクサ32,33、スイッチフリップチップ34及び複数の整合用実装部品37とを備えている。
なお、本発明に係る多層基板モジュールは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
2,3,32,33…弾性表面波デュプレクサ
7,37…整合用実装部品
11,41…グランド導体層
14,44…整合用ビアホール導体
21,51…多層基板モジュール
Ls…寄生インダクタンス
Claims (3)
- 内部にグランド導体層を有する基板本体と、該基板本体上に搭載された弾性表面波フィルタ又は弾性表面波デュプレクサと、を備え、
前記弾性表面波フィルタ単体又は弾性表面波デュプレクサ単体の減衰極が、前記基板本体に搭載されたときの減衰極より高周波側にシフトしており、
前記弾性表面波フィルタ又は弾性表面波デュプレクサが、前記グランド導体層によって発生する寄生インダクタンスの少なくとも一部を相殺し、かつ、前記弾性表面波フィルタ又は弾性表面波デュプレクサの減衰極のシフトが、前記寄生インダクタンスによる低周波側へのシフトを超えない範囲であること、
を特徴とする多層基板モジュール。 - 前記基板本体上に搭載された整合用実装部品を備え、
前記整合用実装部品が、前記グランド導体層によって発生する寄生インダクタンスの一部を相殺し、
前記弾性表面波フィルタ又は弾性表面波デュプレクサが相殺する寄生インダクタンスの量は、前記グランド導体層によって発生する寄生インダクタンスのうち、前記整合用実装部品で相殺するインダクタンスを除いた分であること、
を特徴とする請求項1に記載の多層基板モジュール。 - 前記基板本体内に設けられた整合用ビアホール導体を備え、
前記整合用ビアホール導体が、前記グランド導体層によって発生する寄生インダクタンスの一部を相殺し、
前記弾性表面波フィルタ又は弾性表面波デュプレクサが相殺する寄生インダクタンスの量は、前記グランド導体層によって発生する寄生インダクタンスのうち、前記整合用ビアホール導体で相殺するインダクタンスを除いた分であること、
を特徴とする請求項1に記載の多層基板モジュール。
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