CN215933563U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：安装基板(91)，其具有由平面布线图案形成的地电极层(915)；作为多个外部连接端子的多个地端子(93)，所述多个地端子(93)配置于安装基板(91)的主面(91b)，被设定为地电位；以及第一高频部件(例如接收用滤波器(62)和/或低噪声放大器(22))，其安装于主面(91b)，其中，多个地端子(93)配置在与第一高频部件相比靠主面(91b)的外周侧的位置，并且与地电极层(915)连接，在俯视安装基板(91)时，第一高频部件的至少一部分与地电极层(915)重叠。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和具备该高频模块的通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是随着多频段化的发展，构成高频前端电路的电路元件增加，从而难以实现高频模块的小型化。
在专利文献1中公开了一种通过双面安装型的基板来实现小型化的半导体模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-040602号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在上述以往的高频模块中，安装于基板的高频部件的屏蔽效果有时不足。
本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高安装于基板的高频部件的屏蔽效果的高频模块等。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：安装基板，其具有由平面布线图案形成的地电极层；多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述安装基板的第一主面，被设定为地电位；以及第一高频部件，其安装于所述第一主面，其中，所述多个外部连接端子配置在与所述第一高频部件相比靠所述第一主面的外周侧的位置，并且与所述地电极层连接，在俯视所述安装基板时，所述第一高频部件的至少一部分与所述地电极层重叠。
优选地，所述安装基板在俯视时具有矩形形状，所述多个外部连接端子配置在沿着所述安装基板的四条边的四个边缘部，所述第一高频部件配置在被所述四个边缘部包围的中央部，在所述四个边缘部中的各边缘部配置有所述多个外部连接端子中的至少一个外部连接端子。
优选地，所述多个外部连接端子中的至少一个外部连接端子包括配置于在与该边缘部的边垂直的方向上与所述第一高频部件相向的位置处的外部连接端子。
优选地，在俯视所述安装基板时，所述第一高频部件整体与所述地电极层重叠。
优选地，所述高频模块还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括接收用滤波器，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括发送用滤波器。
优选地，所述高频模块还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括低噪声放大器，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括功率放大器。
优选地，所述高频模块还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括第一匹配元件，所述第一匹配元件取得低噪声放大器与接收用滤波器之间的阻抗匹配，所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括第二匹配元件，所述第二匹配元件取得功率放大器与发送用滤波器之间的阻抗匹配。
优选地，所述第一高频部件包括接收用滤波器，所述第二高频部件包括发送用滤波器。
优选地，所述第一高频部件还包括低噪声放大器。
优选地，所述高频模块还具备第一匹配元件，所述第一匹配元件取得所述低噪声放大器与所述接收用滤波器之间的阻抗匹配，所述第一匹配元件安装于所述第一主面。
优选地，在俯视所述安装基板时，所述第一匹配元件不与所述地电极层重叠。
优选地，所述第二高频部件还包括功率放大器。
优选地，所述高频模块还具备第二匹配元件，所述第二匹配元件取得所述功率放大器与所述发送用滤波器之间的阻抗匹配，所述第二匹配元件安装于所述第二主面。
优选地，所述高频模块还具备：树脂构件，其形成在所述第二主面上，覆盖所述第二高频部件的至少一部分；以及屏蔽电极层，其覆盖所述树脂构件的表面，与所述地电极层连接。
优选地，所述多个外部连接端子中的各外部连接端子是铜柱状电极。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：射频信号处理电路，其对由天线元件发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传递所述高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提高安装于基板的高频部件的屏蔽效果。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式所涉及的高频模块的仰视图。
图4是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
图5是实施方式所涉及的高频模块的地电极层的仰视图。
图6是实施方式的变形例1所涉及的高频模块的仰视图。
图7是实施方式的变形例2所涉及的高频模块的仰视图。
图8是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的仰视图。
图9是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细地说明本实用新型的实施方式及其变形例。此外，下面说明的实施方式及其变形例均表示总括性的或具体的例子。下面的实施方式及其变形例中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等为一例，并不旨在限定本实用新型。将下面的实施方式及其变形例的构成要素中的未记载于独立权利要求中的构成要素作为任意的构成要素来说明。
此外，各图是为了示出本实用新型而适当进行强调、省略或比率调整的示意图，未必严格地进行图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，X轴和Y轴是在与安装基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，Z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
另外，在本实用新型中，“连接”不仅包括用连接端子和/或布线导体直接连接的情况，还包括经由其它的电路元件进行电连接的情况。
另外，在本实用新型中，平行和垂直等表示要素间的关系的用语、矩形等表示要素的形状的用语、以及数值范围并非仅表示严格的意义，而是表示实质上同等的范围、例如还包括百分之几左右的差异。
另外，在本实用新型中“俯视”是指从Z方向将物体投影到XY平面来观察。
(实施方式)
参照图1～图5来说明实施方式。
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
首先，参照图1来具体地说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。
图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线元件2、RF(射频)信号处理电路(RFIC)3 以及基带信号处理电路(BBIC)4。
高频模块1在天线元件2与RFIC 3之间传递高频信号。高频模块1例如是将在LTE(Long Term Evolution：长期演进)、Wi-Fi(注册商标)、Bluetooth(注册商标)、GPS(GlobalPositioning System：全球定位***)等无线前端电路中使用的各种功能部件进行一体化而得到的集成模块。此外，本实用新型所涉及的高频模块不限定于此。
天线元件2与高频模块1的公共端子31连接，接收来自外部的高频信号并将该高频信号向高频模块1输出。
RFIC 3是用于对由天线元件2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路。例如，RFIC 3对经由高频模块1的接收输出端子82输入并传递的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将进行该信号处理而生成的接收信号输出到BBIC 4。
BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以进行图像显示，或者，被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，天线元件2和BBIC 4并不是本实用新型所涉及的通信装置所必需的构成要素。
在此，说明高频模块1的详细结构。在本实施方式中，高频模块1构成高频信号的发送接收电路。
如图1所示，高频模块1具备公共端子31、发送输入端子81、接收输出端子82、功率放大器21、低噪声放大器22、发送用滤波器61、接收用滤波器62 以及匹配电路41及42。
公共端子31与天线元件2连接。
功率放大器21是第二高频部件的一例，对从发送输入端子81输入的高频发送信号进行放大。
低噪声放大器22是第一高频部件的一例，以低噪声的方式对从天线元件 2经由接收用滤波器62输入的高频接收信号进行放大。
发送用滤波器61是第二高频部件的一例，是以规定频段(频带)的发送带为通带的滤波器元件。
接收用滤波器62是第一高频部件的一例，是以规定频段(频带)的接收带为通带的滤波器元件。
在发送用滤波器61的频段与接收用滤波器62的频段相同的情况下，发送用滤波器61和接收用滤波器62也可以构成该频段用的双工器。另外，发送用滤波器61和接收用滤波器62也可以是声表面波滤波器、使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、压电薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一种，并且不限定于此。
匹配电路41连接于将功率放大器21与发送用滤波器61连结的路径。匹配电路41取得功率放大器21与发送用滤波器61之间的阻抗匹配。具体地说，匹配电路41是用于使功率放大器21的输出阻抗与发送用滤波器61的输入阻抗匹配的电路。匹配电路41作为第二匹配元件的一例，包括电感器和电容器等无源元件。
匹配电路42连接于将低噪声放大器22与接收用滤波器62连结的路径。匹配电路42取得低噪声放大器22与接收用滤波器62之间的阻抗匹配。具体地说，匹配电路42是用于使接收用滤波器62的输出阻抗与低噪声放大器22的输入阻抗匹配的电路。匹配电路42作为第一匹配元件的一例，包括电感器和电容器等无源元件。
[1.2高频模块1内的电路元件的配置结构]
接着，参照图2～图4来具体地说明构成高频模块1的电路元件的配置结构。
图2是实施方式所涉及的高频模块1的俯视图。图3是实施方式所涉及的高频模块1的仰视图。图4是实施方式所涉及的高频模块1的截面图。具体地说，图4是图2和图3的IV-IV线处的截面图。
此外，在图2和图3中，省略树脂构件941及942以及屏蔽电极层95的记载。另外，在图3中，为了区别输入输出端子92与地端子93，对地端子93标注阴影线。另外，在图4中，省略安装基板91内的除了地电极层915之外的平面布线图案的记载。
如图2～图4所示，高频模块1除了具备图1所示的电路元件之外，还具备安装基板91、输入输出端子92、地端子93、树脂构件941及942、屏蔽电极层 95以及其它电路元件(无附图标记)。
安装基板91例如是印刷电路板(Printed Circuit Board：PCB)、低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、或树脂多层基板等。在本实施方式中，如图2和图3所示，安装基板91在俯视时具有矩形形状，但不限定于此。
安装基板91具有彼此相向的主面91a和91b。在此，主面91a是第二主面的一例，有时称为表面或上表面。另一方面，主面91b是第一主面的一例，有时称为背面或下表面。在本实施方式中，发送电路被安装于主面91a，接收电路被安装于主面91b。也就是说，发送用滤波器61、功率放大器21以及匹配电路41被安装于主面91a，接收用滤波器62、低噪声放大器22以及匹配电路42被安装于主面91b。此外，也可以在主面91a安装接收电路，在主面91b 安装发送电路。
另外，如图4所示，安装基板91具有地电极层915。地电极层915由平面布线图案形成。使用图5在后面叙述地电极层915的平面配置。此外，地电极层915可以由单层的平面布线图案形成，也可以由多层的平面布线图案形成。
树脂构件941形成在主面91a上，覆盖发送用滤波器61、匹配电路41以及功率放大器21。树脂构件941具有确保发送用滤波器61、匹配电路41以及功率放大器21的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件941也可以不覆盖发送用滤波器61、匹配电路41以及功率放大器21的全部面。例如，树脂构件941也可以仅覆盖功率放大器21的侧面。
树脂构件942形成在主面91b上，覆盖接收用滤波器62、匹配电路42以及低噪声放大器22。树脂构件942具有确保接收用滤波器62、匹配电路42以及低噪声放大器22的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件942 也可以不覆盖接收用滤波器62、匹配电路42以及低噪声放大器22的全部面。例如，树脂构件942也可以仅覆盖低噪声放大器22的侧面。
输入输出端子92中的各输入输出端子是用于与外部基板(未图示)进行电信号的交换的端子。输入输出端子92中的各输入输出端子是从安装基板91的主面91b沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通树脂构件942以将安装基板91与外部基板连接。外部基板例如是配置在高频模块1的Z轴负方向侧的母基板。
地端子93是配置于安装基板91的主面91b并且被设定为地电位的多个外部连接端子的一例。在本实施方式中，地端子93中的各地端子是从安装基板 91的主面91b沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通树脂构件942以将安装基板91 与外部基板连接。也就是说，地端子93的端面93b从树脂构件942向Z轴负方向侧露出，与外部基板的地端子(未图示)连接。
另外，地端子93与地电极层915连接。具体地说，地端子93的端面93a经由通路导体916与地电极层915连接。此外，同地电极层915连接的端面93a与同外部基板连接的端面93b彼此相向。此外，在图4中，地端子93仅经由通路导体916与地电极层915连接，但连接方式不限定于此。例如，地端子93也可以经由平面布线图案和通路导体这两者与地电极层915连接。
如图3所示，输入输出端子92及地端子93配置在与接收用滤波器62及低噪声放大器22相比靠主面91b的外周侧的位置。具体地说，输入输出端子92 和地端子93配置在沿着安装基板91的四条边911的四个边缘部912。另外，接收用滤波器62、匹配电路42以及低噪声放大器22配置在由四个边缘部912包围的中央部913。在图3中，四个边缘部912中的各边缘部是主面91b上的由虚线包围的在X方向或Y方向上长的矩形区域。四个边缘部912中的相邻的两个边缘部912在安装基板91的各角区域处重叠。
在本实施方式中，在四个边缘部912中的各边缘部配置三个或四个地端子93。另外，在四个边缘部912中的各边缘部，在与该边缘部的边垂直的方向上与接收用滤波器62和低噪声放大器22分别相向的位置处配置有地端子 93。
例如，地端子931配置于在与配置该地端子931的边缘部912的边911垂直的X方向上与接收用滤波器62相向的位置。同样地，地端子932配置于在与配置该地端子932的边缘部912的边911垂直的X方向上与接收用滤波器62相向的位置。其它的两个地端子933和934各自配置于在与配置该地端子933或934 的边缘部912的边911垂直的Y方向上与接收用滤波器62相向的位置。此时，接收用滤波器62在X方向上被夹在两个地端子931和932之间，在Y方向上被夹在两个地端子933和934之间。
此外，输入输出端子92和地端子93不需要是柱状和铜制的，其形状和材质并不限定。例如，输入输出端子92和地端子93也可以是半球状的电极(凸块)，例如也可以是焊锡球或铜芯球。
屏蔽电极层95覆盖树脂构件941的表面，与地电极层915连接。例如，屏蔽电极层95在安装基板91的侧面与屏蔽电极层95连接。
此外，树脂构件941及942以及屏蔽电极层95并不是本实用新型所涉及的高频模块1所必需的构成要素。另外，输入输出端子92也可以不配置于主面 91b，例如也可以置换为接合线等。
[1.3地电极层915的平面配置]
在此，参照图5来具体地说明地电极层915的平面配置。图5是实施方式所涉及的高频模块1的地电极层915的仰视图。在图5中，安装于安装基板91 的主面91b的电路元件和端子被投影到标注了点图案的地电极层915。
如图5所示，在俯视时，地电极层915与接收用滤波器62及低噪声放大器 22重叠，不与匹配电路42重叠。也就是说，接收用滤波器62和低噪声放大器 22被地电极层915覆盖，但匹配电路42不被地电极层915覆盖。在此，在与形成于地电极层915的开口部915a对应的区域配置有匹配电路42。
此外，在图5中，接收用滤波器62和低噪声放大器22整体与地电极层915 重叠，但不限定于此。例如，也可以是，接收用滤波器62及低噪声放大器22 的一部分与地电极层915重叠。也就是说，在俯视安装基板91时，接收用滤波器62和/或低噪声放大器22的至少一部分与地电极层915重叠即可。
[1.4效果等]
如上所述，根据本实施方式，高频模块1能够具备：安装基板91，其具有由平面布线图案形成的地电极层915；作为多个外部连接端子的多个地端子93，其配置于安装基板91的主面91b，被设定为地电位；以及第一高频部件，其安装于主面91b。在此，多个地端子93能够配置在与第一高频部件相比靠主面91b的外周侧的位置，并且与地电极层915连接，在俯视安装基板91 时，第一高频部件的至少一部分能够与地电极层915重叠。
由此，能够用地电极层915来覆盖安装于在外周侧配置有作为多个外部连接端子的多个地端子93的主面91b的第一高频部件的至少一部分。因而，能够通过地电极层915和多个地端子93来降低从第一高频部件向安装基板91 侧(也就是说上方)和多个地端子93侧(也就是说侧方)辐射的信号以及从上方和侧方入射到第一高频部件的外来噪声。也就是说，能够提高第一高频部件的屏蔽效果。另外，地电极层915与多个地端子93连接，因此能够使地电位稳定，能够使第一高频部件的屏蔽效果稳定。
另外，根据本实施方式，也可以是，安装基板91在俯视时具有矩形形状，多个地端子配置在沿着安装基板91的四条边的四个边缘部912，第一高频部件配置在被四个边缘部912包围的中央部913，在四个边缘部912中的各边缘部配置多个地端子93中的至少一个地端子。
由此，在四个边缘部912配置多个地端子93中的至少一个地端子，因此能够进一步提高配置在中央部913的第一高频部件的侧方处的屏蔽效果。
另外，根据本实施方式，多个地端子93中的至少一个地端子能够包括配置于在与该边缘部的边垂直的方向上与第一高频部件相向的位置处的地端子。
由此，能够将地端子与第一高频部件相向地配置，能够进一步提高第一高频部件的侧方处的屏蔽效果。
另外，根据本实施方式，在俯视安装基板91时，第一高频部件整体可以与地电极层915重叠。
由此，能够用地电极层915覆盖第一高频部件的整体，因此能够进一步提高第一高频部件的上方处的屏蔽效果。
另外，根据本实施方式，高频模块1能够还具备安装在安装基板91的与主面91b相反一侧的主面91a的第二高频部件，第一高频部件和第二高频部件中的一方能够包括接收用滤波器62，第一高频部件和第二高频部件中的另一方能够包括发送用滤波器61。
由此，能够将发送用滤波器61和接收用滤波器62隔着地电极层915地安装于安装基板91的各个主面。因而，能够提高包括发送用滤波器61的发送电路与包括接收用滤波器62的接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，高频模块1能够还具备安装在安装基板91的与主面91b相反一侧的主面91a的第二高频部件，第一高频部件和第二高频部件中的一方能够包括低噪声放大器22，第一高频部件和第二高频部件中的另一方能够包括功率放大器21。
由此，能够将功率放大器21和低噪声放大器22隔着地电极层915地安装于安装基板91的各个主面。因而，能够提高包括功率放大器21的发送电路与包括低噪声放大器22的接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，高频模块1能够还具备安装在安装基板91的与主面91b相反一侧的主面91a的第二高频部件，第一高频部件和第二高频部件中的一方能够包括用于取得低噪声放大器22与接收用滤波器62之间的阻抗匹配的第一匹配元件(匹配电路42)，第一高频部件和第二高频部件中的另一方能够包括用于取得功率放大器21与发送用滤波器61之间的阻抗匹配的第二匹配元件(匹配电路41)。
由此，能够将第一匹配元件和第二匹配元件隔着地电极层915地安装于安装基板91的各个主面。因而，能够提高包括第二匹配元件的发送电路与包括第一匹配元件的接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，第一高频部件能够包括接收用滤波器62，第二高频部件能够包括发送用滤波器61。
由此，能够将接收用滤波器62安装于配置有多个地端子93的主面91b，将发送用滤波器61安装在与主面91b相反一侧的主面91a。因而，能够将构成比发送电路更容易受到外来噪声的影响的接收电路的接收用滤波器62安装于主面91b，能够使用地电极层915来有效地保护接收电路不受外来噪声的影响。
另外，根据本实施方式，第一高频部件能够还包括低噪声放大器22。
由此，能够将低噪声放大器22安装在与安装有发送用滤波器61的主面 91a不同的主面91b。因而，能够进一步提高发送电路与接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，高频模块1可以还具备取得低噪声放大器22与接收用滤波器62之间的阻抗匹配的第一匹配元件(匹配电路42)，第一匹配元件可以安装于主面91b。
由此，能够将取得低噪声放大器22与接收用滤波器62之间的阻抗匹配的第一匹配元件安装在与安装有发送用滤波器61的主面91a不同的主面91b。因而，能够进一步提高发送电路与接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，在俯视安装基板91时，能够使第一匹配元件不与地电极层915重叠。
由此，能够抑制第一匹配元件受到来自地电极层915的不良影响。例如在第一匹配元件为电感器的情况下，能够降低电感器的磁场分布受到地电极层915的影响，能够抑制电感器的Q值劣化。特别是，地电极层915由平面布线图案形成，因此能够比屏蔽电极层95更容易地形成开口部915a。由此，不需要确保电感器与地电极层915的在Z方向上的距离，还能够实现高频模块1 的高度降低。
另外，根据本实施方式，第二高频部件能够还包括功率放大器21。
由此，能够将功率放大器21安装在与安装有接收用滤波器62的主面91b 不同的主面91a。因而，能够进一步提高发送电路与接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，高频模块1可以还具备取得功率放大器21与发送用滤波器61之间的阻抗匹配的第二匹配元件(匹配电路41)，第二匹配元件可以安装在主面91a。
由此，能够将取得功率放大器21与发送用滤波器61之间的阻抗匹配的第二匹配元件安装在与安装有接收用滤波器62的主面91b不同的主面91a。因而，能够抑制由于第一匹配元件与第二匹配元件进行电磁场耦合而发送信号不经由发送用滤波器61和接收用滤波器62地向低噪声放大器22和RFIC 3泄漏。因此，能够进一步提高发送电路与接收电路之间的隔离特性。
另外，根据本实施方式，高频模块1能够还具备：树脂构件941，其形成在主面91a上，覆盖第二高频部件的至少一部分；以及屏蔽电极层95，其覆盖树脂构件941的表面，与地电极层915连接。
由此，能够通过屏蔽电极层95来降低从第二高频部件向上方和侧方辐射的信号以及从上方和侧方入射到第二高频部件的外来噪声。其结果，能够提高第二高频部件的屏蔽效果。
另外，根据本实施方式，多个地端子93中的各地端子可以为铜柱状电极。
由此，与多个地端子93为凸块电极的情况相比，能够缩减多个地端子93 的大小以及间距，能够提高多个地端子93的密度。其结果，能够进一步提高第一高频部件的侧方处的屏蔽效果。
另外，根据本实施方式，通信装置5能够具备用于对由天线元件2发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路(RFIC)3、以及在天线元件2与 RFIC 3之间传递高频信号的高频模块1。
由此，能够提供能够提高安装于基板的高频部件的屏蔽效果的通信装置 5。
(实施方式的变形例1)
接着，说明上述实施方式的变形例1。在本变形例中，与上述实施方式的不同之处主要在于配置于安装基板的背面的地端子的数量和配置。下面，以与上述实施方式不同的点为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1A。此外，高频模块1A的电路结构与上述实施方式所涉及的高频模块1相同，因此省略说明和图示。
参照图6来具体地说明高频模块1A的地端子93A的配置结构。图6是实施方式的变形例1所涉及的高频模块1A的仰视图。在图6中，与图3同样地省略树脂构件942的记载，对地端子93A标注阴影线。
在本变形例中，两个地端子93A配置在安装基板91的一条对角线上。也就是说，在两个相邻的边缘部912的重叠区域配置两个地端子93A。即使在该情况下，也在四个边缘部912中的各边缘部配置两个地端子93A中的一个地端子。
如上所述，根据本变形例，能够在四个边缘部912中的各边缘部配置两个地端子93A中的一个地端子。像这样，即使地端子93A的数量为两个，与在边缘部912没有一个地端子的情况相比，也能够提高接收用滤波器62等的侧方处的屏蔽效果。
(实施方式的变形例2)
接着，说明上述实施方式的变形例2。在本变形例中，与上述实施方式的不同之处主要在于配置于安装基板的背面的输入输出端子和地端子的数量和配置。下面，以与上述实施方式不同的点为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1B。此外，高频模块1B的电路结构与上述实施方式所涉及的高频模块1相同，因此省略说明和图示。
参照图7来具体地说明本变形例所涉及的高频模块1B的输入输出端子 92B和地端子93B的配置结构。图7是实施方式的变形例2所涉及的高频模块 1B的仰视图。在图7中，与图3同样地省略树脂构件942的记载，对地端子93B 标注阴影线。另外，在图7中，对输入输出端子92B和地端子93B各标注了一个附图标记，为了避免繁杂而省略剩下的端子的附图标记。
在本变形例中，输入输出端子92B和地端子93B以两列的方式配置在安装基板91的四个边缘部912。具体地说，输入输出端子92B沿着安装基板91 的四条边911排列，地端子93B在输入输出端子92B的内侧沿着四条边911排列。
如上所述，根据本变形例，能够实现多种的输入输出端子和地端子的数量和配置。
(实施方式的变形例3)
此外，在上述实施方式和各变形例中，在安装基板的两面安装有电路元件，但在本变形例中，仅在安装基板的背面安装电路元件。下面，以与上述实施方式和各变形例不同的点为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1C。此外，高频模块1C的电路结构与上述实施方式所涉及的高频模块1相同，因此省略说明和图示。
参照图8和图9来具体地说明本变形例所涉及的高频模块1C的电路元件和端子的配置结构。图8是实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的仰视图。图9是实施方式的变形例3所涉及的高频模块1C的截面图。具体地说，图9是图8的IX-IX线处的截面图。在图8中，与图3同样地省略树脂构件942C的记载，对地端子93C标注阴影线。
本变形例所涉及的高频模块1C除了具备图1所示的电路元件之外，还具备安装基板91C、输入输出端子92C、地端子93C、树脂构件942C以及其它电路元件(无附图标记)。
安装基板91C是与上述实施方式所涉及的安装基板91同样地在俯视时具有矩形形状的印刷电路板等，但不限定于此。安装基板91C具有彼此相向的主面91Ca和91Cb。主面91Ca有时称为表面或上表面。主面91Cb是第一主面的一例，有时称为背面或下表面。在本变形例中，不在主面91Ca安装电路元件，在主面91Cb安装发送电路和接收电路这两者。也就是说，发送用滤波器 61、功率放大器21、匹配电路41、接收用滤波器62、低噪声放大器22以及匹配电路42安装在主面91Cb。
另外，如图9所示，安装基板91C具有由平面布线图案形成的地电极层915C。在俯视时，地电极层915C与发送用滤波器61、功率放大器21、接收用滤波器62及低噪声放大器22重叠，不与匹配电路41及42重叠。
树脂构件942C形成在主面91Cb上，覆盖发送用滤波器61、功率放大器 21、匹配电路41、接收用滤波器62、低噪声放大器22以及匹配电路42。树脂构件942C具有确保各电路元件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。此外，树脂构件942C也可以不覆盖发送用滤波器61、功率放大器21、匹配电路41、接收用滤波器62、匹配电路42以及低噪声放大器22的全部面。例如，树脂构件942C也可以仅覆盖功率放大器21和低噪声放大器22的侧面。
输入输出端子92C中的各输入输出端子是用于与外部基板进行电信号的交换的端子。输入输出端子92C中的各输入输出端子是从安装基板91C的主面91Cb沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通树脂构件942C以将安装基板91C与外部基板连接。
地端子93C中的各地端子是配置于安装基板91C的主面91Cb并且被设定为地电位的外部连接端子的一例。地端子93C中的各地端子是从安装基板 91C的主面91Cb沿Z方向延伸的铜柱状电极，贯通树脂构件942C以将安装基板91C与外部基板连接。另外，地端子93C中的各地端子经由通路导体916C 与地电极层915C连接。
如图8所示，输入输出端子92C和地端子93C配置在沿着安装基板91C的四条边911C的四个边缘部912C。另外，发送用滤波器61、功率放大器21、匹配电路41、接收用滤波器62、低噪声放大器22以及匹配电路42配置在被四个边缘部912C包围的中央部913C。在图8中，四个边缘部912C中的各边缘部是主面91Cb上的由虚线包围的在X方向或Y方向上长的矩形区域。
此外，本变形例所涉及的输入输出端子92C和地端子93C不需要是柱状和铜制的，其形状和材质并不限定。例如，输入输出端子92C和地端子93C 也可以是半球状的电极(凸块)，例如也可以是焊锡球或铜芯球。
如上所述，根据本变形例，在安装基板91C的主面91Cb安装发送电路和接收电路这两者，因此也可以不在主面91Ca安装电路元件。因而，高频模块 1C也可以不具备屏蔽电极层，能够缩减部件件数。并且，能够在高频模块1C 的制造中省略用于形成屏蔽电极层的工序，高频模块1C还能够实现制造工时的缩减。
(其它变形例等)
以上，列举出实施方式及其变形例对本实用新型所涉及的高频模块和通信装置进行了说明，但本实用新型所涉及的高频模块和通信装置并不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的构成要素组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的主旨的范围内想到的各种变形而得到的变形例、以及内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述实施方式所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在将附图中公开的各电路元件与信号路径连接的路径之间***其它的电路元件和布线等。例如，也可以在将公共端子31与发送用滤波器61及接收用滤波器62 连结的路径上配置开关。在该情况下，开关也可以是对天线元件2与发送用滤波器61之间的导通和不导通进行切换、并且对天线元件2与接收用滤波器 62之间的导通和不导通进行切换的多连接型的开关。并且，还可以将匹配元件连接于用于将开关与发送用滤波器61连结的路径以及用于将开关与接收用滤波器62连结的路径。
此外，在上述实施方式和各变形例中，在俯视时地电极层不与匹配电路重叠，但不限定于此。例如，在能够确保匹配电路所需的特性的情况下，在俯视时，地电极层也可以与匹配电路的一部分或全部重叠。也就是说，匹配电路也可以包括在第一高频部件或第二高频部件中。
此外，在上述实施方式和各变形例中，高频模块具备发送电路和接收电路这两者，但也可以具备发送电路和接收电路中的仅一方。在该情况下，发送电路和接收电路中的一方也可以仅安装于安装基板的背面，还可以安装于双面。
另外，在上述实施方式和各变形例中，高频模块具备两个滤波器，但也可以具备更多的滤波器。例如，高频模块也可以支持载波聚合，具备多个发送用滤波器和多个接收用滤波器。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置在前端部的高频模块，能够广泛地利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B、1C：高频模块；2：天线元件；3：RF信号处理电路(RFIC)； 4：基带信号处理电路(BBIC)；5：通信装置；21：功率放大器；22：低噪声放大器；31：公共端子；41、42：匹配电路；61：发送用滤波器；62：接收用滤波器；81：发送输入端子；82：接收输出端子；91、91C：安装基板； 91a、91Ca、91b、91Cb：主面；92、92B、92C：输入输出端子；93、93A、 93B、93C、931、932、933、934：地端子；93a、93b：端面；95：屏蔽电极层；911、911C：边；912、912C：边缘部；913、913C：中央部；915、915C：地电极层；915a：开口部；916、916C：通路导体；941、942、942C：树脂构件。

Claims (18)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有由平面布线图案形成的地电极层；
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子配置于所述安装基板的第一主面，被设定为地电位；以及
第一高频部件，其安装于所述第一主面，
其中，所述多个外部连接端子配置在与所述第一高频部件相比靠所述第一主面的外周侧的位置，并且与所述地电极层连接，
在俯视所述安装基板时，所述第一高频部件的至少一部分与所述地电极层重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述安装基板在俯视时具有矩形形状，
所述多个外部连接端子配置在沿着所述安装基板的四条边的四个边缘部，
所述第一高频部件配置在被所述四个边缘部包围的中央部，
在所述四个边缘部中的各边缘部配置有所述多个外部连接端子中的至少一个外部连接端子。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子中的至少一个外部连接端子包括配置于在与该边缘部的边垂直的方向上与所述第一高频部件相向的位置处的外部连接端子。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
在俯视所述安装基板时，所述第一高频部件整体与所述地电极层重叠。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括接收用滤波器，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括发送用滤波器。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括低噪声放大器，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括功率放大器。
7.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二高频部件，所述第二高频部件安装在所述安装基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的一方包括第一匹配元件，所述第一匹配元件取得低噪声放大器与接收用滤波器之间的阻抗匹配，
所述第一高频部件和所述第二高频部件中的另一方包括第二匹配元件，所述第二匹配元件取得功率放大器与发送用滤波器之间的阻抗匹配。
8.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述第一高频部件包括接收用滤波器，
所述第二高频部件包括发送用滤波器。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述第一高频部件还包括低噪声放大器。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
还具备第一匹配元件，所述第一匹配元件取得所述低噪声放大器与所述接收用滤波器之间的阻抗匹配，
所述第一匹配元件安装于所述第一主面。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其特征在于，
在俯视所述安装基板时，所述第一匹配元件不与所述地电极层重叠。
12.根据权利要求8～11中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第二高频部件还包括功率放大器。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于，
还具备第二匹配元件，所述第二匹配元件取得所述功率放大器与所述发送用滤波器之间的阻抗匹配，
所述第二匹配元件安装于所述第二主面。
14.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，还具备：
树脂构件，其形成在所述第二主面上，覆盖所述第二高频部件的至少一部分；以及
屏蔽电极层，其覆盖所述树脂构件的表面，与所述地电极层连接。
15.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，还具备：
树脂构件，其形成在所述第二主面上，覆盖所述第二高频部件的至少一部分；以及
屏蔽电极层，其覆盖所述树脂构件的表面，与所述地电极层连接。
16.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，还具备：
树脂构件，其形成在所述第二主面上，覆盖所述第二高频部件的至少一部分；以及
屏蔽电极层，其覆盖所述树脂构件的表面，与所述地电极层连接。
17.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子中的各外部连接端子是铜柱状电极。
18.一种通信装置，其特征在于，具备：
射频信号处理电路，其对由天线元件发送接收的高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～17中的任一项所述的高频模块，其在所述天线元件与所述射频信号处理电路之间传递所述高频信号。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114373741A (zh) * 2022-03-08 2022-04-19 荣耀终端有限公司 模组、晶粒、晶圆和晶粒的制造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112970201B (zh) * 2018-11-02 2022-08-23 株式会社村田制作所 高频模块、发送功率放大器以及通信装置
JP2021150849A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2022102288A1 (ja) * 2020-11-16 2022-05-19 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN116438746A (zh) * 2020-11-25 2023-07-14 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2023021887A1 (ja) * 2021-08-20 2023-02-23 株式会社村田製作所 電子部品モジュール

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3403669B2 (ja) * 1999-06-04 2003-05-06 富士通株式会社 アンテナ分波器
JP4072816B2 (ja) * 2002-08-08 2008-04-09 太陽誘電株式会社 複合モジュール及びその製造方法
US6973330B2 (en) * 2002-10-04 2005-12-06 Sony Corporation Optimized two-sided wireless modem card component placement
JP4418250B2 (ja) * 2004-02-05 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 高周波回路モジュール
CN103814439B (zh) * 2011-09-09 2016-10-19 株式会社村田制作所 模块基板
CN110392926B (zh) * 2017-03-14 2022-12-06 株式会社村田制作所 高频模块

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114373741A (zh) * 2022-03-08 2022-04-19 荣耀终端有限公司 模组、晶粒、晶圆和晶粒的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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