CN112005501B - 高频模块以及具备该高频模块的通信装置 - Google Patents

Abstract

能够抑制支持4G标准或5G标准的发送电路的发送信号的谐波跳到支持2G标准的发送电路。第一发送电路发送支持2G标准的第一频带的第一发送信号。第二发送电路发送支持2G标准的第二频带的第二发送信号。第二频带比第一频带高。旁路端子(T15)与第二发送电路的输出端连接。第三发送电路(130)发送支持4G标准或5G标准的第三频带的第三发送信号。第三发送信号的谐波的频率与第二频带重叠。基板(5)具有地层(52)。地层(52)配置于第二发送电路的一部分与第三发送电路的一部分之间。

Description

高频模块以及具备该高频模块的通信装置

技术领域

本发明一般涉及一种高频模块以及具备该高频模块的通信装置，更详细地说，涉及一种能够支持2G(第二代移动通信)标准以及4G(***移动通信)标准或5G(第五代移动通信)标准的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

背景技术

以往，已知一种使用载波聚合(Carrier Aggregation)的电子***(例如，参照专利文献1)。

专利文献1的图2B中记载了一种电子***，该电子***包括1个天线、1个同向双工器、2个天线开关、8个双工器、2个频带选择开关、2个方向性耦合器、以及2个功率放大器(第一功率放大器和第二功率放大器)。

在上述的电子***中，同向双工器与天线连接。另外，在上述的电子***中，2个功率放大器分别经由2个方向性耦合器中的对应的方向性耦合器来与2个频带选择开关中的对应的频带选择开关连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-17691号公报

发明内容

发明要解决的问题

有时要求一种通信装置，该通信装置具备：低频段系的高频模块，其包括具有支持2G标准的低频段(第一频带)的功率放大器(第一功率放大器)的发送电路(第一发送电路)、具有支持4G标准或5G标准的低频段(第三频带)的功率放大器(第三功率放大器)的发送电路(第三发送电路)；以及中频段系的高频模块，其支持4G标准或5G标准的中频段。

另外，在上述通信装置中，有时要求在尺寸比中频段系的高频模块的尺寸小的低频段系的高频模块中设置具有支持2G标准的中频段(第二频带)的功率放大器(第二功率放大器)的发送电路(第二发送电路)。

在该情况下，在通信装置中，需要将2G标准的中频段用的功率放大器的输出侧的信号路径借助旁路路径连接到中频段系的高频模块的天线开关。

然而，例如，在设置使低频段系的高频模块的第一发送电路的第一频带为Band8、且使中频段系的高频模块支持Band3的接收电路来进行载波聚合的情况下，作为Band8的发送频带的发送信号的谐波之一的二次谐波的频率与2G标准的中频段的频带重叠，因此该谐波(的不需要的辐射)会跳到第二发送电路。存在以下情况：Band8的发送信号的谐波经由旁路路径传到接收电路从而使接收电路的接收性能劣化。

本发明的目的在于提供一种能够抑制支持4G标准或5G标准的发送电路的发送信号的谐波跳到支持2G标准的发送电路的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频模块具备第一发送电路、第二发送电路、旁路端子、第三发送电路以及基板。所述第一发送电路具有第一功率放大器以及与所述第一功率放大器的第一输出端子连接的第一匹配电路。所述第一发送电路发送支持2G标准的第一频带的第一发送信号。所述第二发送电路具有第二功率放大器以及与所述第二功率放大器的第二输出端子连接的第二匹配电路。所述第二发送电路发送支持2G标准的第二频带的第二发送信号。所述第二频带比所述第一频带高。所述旁路端子与所述第二发送电路的输出端连接。所述第三发送电路具有第三功率放大器以及与所述第三功率放大器的第三输出端子连接的第三匹配电路。第三发送电路发送支持4G标准或5G标准的第三频带的第三发送信号。所述基板具有相互背对的第一主面和第二主面。在所述基板设置有所述第一发送电路、所述第二发送电路以及所述第三发送电路。所述第三发送信号的谐波的频率与所述第二频带重叠。所述基板具有地层。所述地层配置于所述第二发送电路的一部分与所述第三发送电路的一部分之间。

本发明的一个方式所涉及的通信装置具备第一高频模块和第二高频模块。所述第一高频模块是所述高频模块。所述第二高频模块具备第四发送电路。所述第四发送电路具有第四功率放大器。所述第四发送电路发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号。所述第四频带比所述第三频带高。所述第二频带的至少一部分与所述第四频带的至少一部分重叠。

发明的效果

本发明的一个方式所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置能够抑制支持4G标准或5G标准的第三发送电路的第三发送信号的谐波跳到支持2G标准的第二发送电路。

附图说明

图1是本发明的实施方式1所涉及的高频模块的电路图。

图2涉及到同上的高频模块，是图1的主要部分A的具体电路结构图。

图3是具备同上的高频模块的通信装置的电路图。

图4是同上的高频模块的俯视图。

图5涉及到同上的高频模块，是图4的Y-Y截面图。

图6是本发明的实施方式2所涉及的高频模块的截面图。

图7是本发明的实施方式3所涉及的高频模块的俯视图。

图8是本发明的实施方式4所涉及的高频模块的俯视图。

具体实施方式

在下面的实施方式1～4等中参照的图4～8均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。

(实施方式1)

下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。

(1)高频模块以及具备该高频模块的通信装置的电路结构

参照图1～3来说明实施方式1所涉及的高频模块1以及具备该高频模块1的通信装置400的电路结构。实施方式1所涉及的高频模块1例如构成支持多频段以及支持2个频带的同时使用(例如，载波聚合)的移动通信机(例如，便携式电话等)的高频前端电路250。高频模块1是能够支持2G(第二代移动通信)标准的中频段与4G(***移动通信)标准的低频段的载波聚合的模块，但是不限于此。例如，高频模块1也可以是能够支持2G标准的中频段和5G(第五代移动通信)标准的低频段的双连接(dual connectivity)的模块。2G标准例如是GSM(注册商标)标准(GSM：Global System for Mobile Communications(全球移动通信***))。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。作为GSM(注册商标)标准的低频段，有GSM850、GSM900。作为GSM标准的中频段，有GSM1800、GSM1900。作为3GPP LTE标准的中频段，例如有Band3。Band3的下行链路频带是1805MHz-1880MHz。Band3的上行链路频带是1710MHz-1785MHz。

具备高频模块1的通信装置400能够支持在下行链路(Downlink)中同时使用多个(在实施方式1中为2个)频带的载波聚合(下行链路-载波聚合)。另外，具备高频模块1的通信装置400能够支持在上行链路(Uplink)中同时使用多个(在实施方式1中为2个)频带的载波聚合(上行链路-载波聚合)。作为3GPP LTE标准的低频段，例如有Band8。Band8的下行链路频带是925MHz-960MHz。Band8的上行链路频带是880MHz-915MHz。另外，具备高频模块1的通信装置400也可以不支持载波聚合，而是能够支持上述的双连接。在该情况下，作为5G NR的低频段，例如有n8。n8的下行链路频带是925MHz-960MHz。n8的上行链路频带是880MHz-915MHz。

(1.1)高频模块的电路结构

如图1所示，高频模块1具备第一发送电路110、第二发送电路120以及第三发送电路130。第一发送电路110具有第一功率放大器11和第一匹配电路14。第二发送电路120具有第二功率放大器12和第二匹配电路15。第三发送电路130具有第三功率放大器13和第三匹配电路16。另外，高频模块1具备低频段用天线端子T10、低频段用第一信号输入端子T11、中频段用信号输入端子T12以及低频段用第二信号输入端子T13。另外，高频模块1具备旁路端子T15和低频段用天线开关19。另外，高频模块1还具备多个低频段用信号输出端子T81、T82、T83。

第一功率放大器11具有第一输入端子111和第一输出端子112。第一功率放大器11将输入到第一输入端子111的2G标准的低频段的第一发送信号放大后从第一输出端子112输出。第一发送信号是支持2G标准的第一频带的发送信号。第一输入端子111与低频段用第一信号输入端子T11连接。第一输出端子112与第一匹配电路14连接。

第二功率放大器12具有第二输入端子121和第二输出端子122。第二功率放大器12将输入到所述第二输入端子121的2G标准的中频段的第二发送信号放大后从所述第二输出端子122输出。第二发送信号是支持2G标准的第二频带的发送信号。第二频带的下限频率比第一频带的上限频率高。第二输入端子121与中频段用信号输入端子T12连接。第二输出端子122与第二匹配电路15连接。

第三功率放大器13具有第三输入端子131和第三输出端子132。第三功率放大器13将输入到第三输入端子131的4G标准或5G标准的低频段的第三发送信号放大后从第三输出端子132输出。第三发送信号是支持4G标准或5G标准的第三频带的发送信号。第三输入端子131与低频段用第二信号输入端子T13连接。第三输出端子132与第三匹配电路16连接。

第一发送信号的频带(第一频带)例如包含GSM850的频带和GSM900的频带。第二发送信号的频带(第二频带)例如包含GSM1800的频带和GSM1900的频带。第三发送信号的频带(第三频带)例如包含LTE标准的Band8的频带。

低频段用天线端子T10与天线200(参照图3)电连接。

旁路端子T15与第二功率放大器12的第二输出端子122电连接。更详细地说，旁路端子T15经由第二匹配电路15来与第二功率放大器12的第二输出端子122电连接。

低频段用天线开关19设置于第一功率放大器11的第一输出端子112及第三功率放大器13的第三输出端子132与低频段用天线端子T10之间。低频段用天线开关19具有1个公共端子190和多个(4个)选择端子191～194。低频段用天线开关19的公共端子190与低频段用天线端子T10连接。

第一匹配电路14设置于第一功率放大器11的第一输出端子112与低频段用天线开关19的选择端子191之间。第一匹配电路14是用于使在第一匹配电路14的前级设置的电路的输出阻抗与在第一匹配电路14的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第一匹配电路14在第一功率放大器11的接近天线端子T10的一侧将第一发送信号的基本频率下的阻抗(第一功率放大器11的输出阻抗)例如调整为50Ω。

第二匹配电路15设置于第二功率放大器12的第二输出端子122与旁路端子T15之间。第二匹配电路15是用于使在第二匹配电路15的前级设置的电路的输出阻抗与在第二匹配电路15的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第二匹配电路15在第二功率放大器12的接近旁路端子T15的一侧将第二发送信号的基本频率下的阻抗(第二功率放大器12的输出阻抗)例如调整为50Ω。

第三匹配电路16设置于第三功率放大器13的第三输出端子132与低频段用天线开关19的选择端子192～194之间。在此，高频模块1在第三匹配电路16与低频段用天线开关19之间具备低频段用频段切换开关17和多个(3个)低频段用双工器81、82、83。因此，详细地说，第三匹配电路16设置于第三功率放大器13的第三输出端子132与低频段用频段切换开关17之间。第三匹配电路16是用于使在第三匹配电路16的前级设置的电路的输出阻抗与在第三匹配电路16的后级设置的电路的输入阻抗匹配的阻抗匹配电路。更详细地说，第三匹配电路16将从第三功率放大器13观察到的天线端子T10侧的、第三发送信号的基本频率下的阻抗(第三功率放大器13的输出阻抗)例如调整为50Ω。

多个低频段用双工器81～83各自具备接收滤波器和发送滤波器。接收滤波器是使接收频带的信号通过、使接收频带以外的信号衰减的滤波器。发送滤波器是使发送频带的信号通过、使发送频带以外的信号衰减的滤波器。接收滤波器和发送滤波器例如分别是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器，但是不限于SAW滤波器，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器、电介质滤波器。

多个低频段用双工器81～83具有互不相同的发送频带，具有互不相同的接收频带。

多个低频段用双工器81～83各自具有天线侧端子Ax1、Ax2、Ax3、发送端子Tx1、Tx2、Tx3、以及接收端子Rx1、Rx2、Rx3。多个低频段用双工器81～83的天线侧端子Ax1～Ax3与低频段用天线开关19连接。在多个低频段用双工器81～83中，接收滤波器的输出端子被用作接收端子Rx1、Rx2、Rx3，与多个低频段用信号输出端子T81、T82、T83连接。另外，在多个低频段用双工器81～83中，发送滤波器的输入端子被用作发送端子Tx1、Tx2、Tx3，与低频段用频段切换开关17的选择端子171～173连接。另外，在多个低频段用双工器81～83中，与发送滤波器的输出端子及接收滤波器的输入端子连接的端子(ANT端子)被用作天线侧端子Ax1、Ax2、Ax3，与低频段用天线开关19的选择端子192～194连接。

低频段用天线开关19设置于天线端子T10与多个(3个)低频段用双工器81～83之间。在低频段用天线开关19中，4个选择端子191～194中的1个选择端子191与第一匹配电路14连接，剩余的3个选择端子192～194与多个低频段用双工器81～83一对一地连接。低频段用天线开关19例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。

低频段用频段切换开关17设置于第三功率放大器13的第三输出端子132与多个低频段用双工器81～83的发送端子Tx1～Tx3之间。低频段用频段切换开关17将多个低频段用双工器81～83中的1个低频段用双工器连接到第三功率放大器13的第三输出端子132。

高频模块1还具备控制电路100。控制电路100例如从基带信号处理电路402(参照图3)接收控制信号，基于控制信号来对第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、低频段用天线开关19以及低频段用频段切换开关17分别进行控制。控制电路100例如是IC(Integrated Circuit)。

如图2所示，上述的第二匹配电路15包括多个(6个)电感器L1、L2、L3、L4、L5、L6。另外，第二匹配电路15包括多个(5个)电容器C1、C2、C3、C4、C5。在第二匹配电路15中，电感器L1的一端与第二功率放大器12的第二输出端子122连接，电感器L1的另一端经由2个电感器L2、L3与电容器C1的串联电路来连接于旁路端子T15。在第二匹配电路15中，在2个电感器L1、L2的连接点与地之间连接有电容器C2。另外，在第二匹配电路15中，电容器C3与电感器L4的串联电路同电容器C2并联连接。另外，在第二匹配电路15中，在2个电感器L2、L3的连接点与地之间连接有电容器C4与电感器L5的串联电路。另外，在第二匹配电路15中，在电感器L3同电容器C1的连接点与地之间连接有电容器C5与电感器L6的串联电路。第二匹配电路15兼做滤波器。此外，第一匹配电路14包括多个(2个)电感器L11、L12和多个(2个)电容器C11、C12(参照图4)。第一匹配电路14兼做滤波器。第三匹配电路16包括多个(2个)电感器L21、L22和多个(2个)电容器C21、C22(参照图4)。

高频模块1还具备偏置电路18(参照图2)。偏置电路18是用于从控制电路100向第二功率放大器12提供偏置电压Vcc的电路。偏置电路18包括电感器L0和电容器C0。电感器L0的一端与控制电路100电连接。电感器L0的另一端与第二功率放大器12的第二输出端子122电连接。控制电路100例如通过改变经由偏置电路18向第二功率放大器12提供的动作电压Vcc的电压值来控制第二功率放大器12。

(1.2)通信装置的电路结构

如图3所示，通信装置400具备同向双工器300、高频模块1(下面，也称为第一高频模块1)、以及第二高频模块2。另外，通信装置400还具备RF信号处理电路401和基带信号处理电路402。

同向双工器300具有低频段用滤波器301和中频段用滤波器302，与天线200连接。低频段用滤波器301是低通滤波器。中频段用滤波器302是高通滤波器。

第一高频模块1与同向双工器300的低频段用滤波器301电连接。因此，第一高频模块1经由低频段用滤波器301来与天线200电连接。

第二高频模块2与同向双工器300的中频段用滤波器302电连接。因此，第二高频模块2经由中频段用滤波器302来与天线200电连接。

在第一高频模块1中，低频段用天线端子T10与低频段用滤波器301连接。

第一高频模块1的低频段用第一信号输入端子T11、中频段用信号输入端子T12、低频段用第二信号输入端子T13以及多个低频段用信号输出端子T81、T82、T83与RF信号处理电路401连接。

第二高频模块2具备中频段用天线端子T20、具有第四功率放大器21的第四发送电路210、中频段用信号输入端子T21以及中频段用天线开关24。另外，第二高频模块2具备中频段用发送路径MT1、多个(3个)中频段用双工器31、32、33、中频段用频段切换开关22、以及多个(3个)中频段用信号输出端子T31、T32、T33。另外，第二高频模块2还具备与中频段用发送路径MT1连接的中继端子T25。

中频段用天线端子T20与同向双工器300的中频段用滤波器302连接。

第四功率放大器21具有第四输入端子211和第四输出端子212。第四功率放大器21将输入到第四输入端子211的4G标准或5G标准的中频段的第四发送信号放大后从第四输出端子212输出。第四发送信号是支持4G标准或5G标准的第四频带的发送信号。第四功率放大器21的第四输入端子211与中频段用信号输入端子T21连接。

中频段用天线开关24设置于第四功率放大器21的第四输出端子212与中频段用天线端子T20之间。中频段用天线开关24设置于中频段用天线端子T20与多个(3个)中频段用双工器31～33之间。中频段用天线开关24具有1个公共端子240和多个(4个)选择端子241～244。中频段用天线开关24的公共端子240与中频段用天线端子T20连接。在中频段用天线开关24中，4个选择端子241～244中的3个选择端子241～243与多个中频段用双工器31～33一对一地连接，剩余的1个选择端子244经由中频段用发送路径MT1来与中继端子T25连接。中频段用天线开关24例如是开关IC(Integrated Circuit)。此外，中频段用天线开关24的隔离度例如是20dB～30dB左右。

中频段用发送路径MT1与中频段用天线开关24连接，并与第一高频模块1的旁路端子T15连接。更详细地说，中频段用发送路径MT1经由中继端子T25来与第一高频模块1的旁路端子T15连接。

多个(3个)中频段用双工器31、32、33各自具有天线侧端子Ax4、Ax5、Ax6、发送端子Tx4、Tx5、Tx6、以及接收端子Rx4、Rx5、Rx6。多个中频段用双工器31～33的天线侧端子Ax4～Ax6与中频段用天线开关24连接。在多个中频段用双工器31～33中，接收滤波器的输出端子被用作接收端子Rx4、Rx5、Rx6，与多个中频段用信号输出端子T31、T32、T33连接。另外，在多个中频段用双工器31～33中，发送滤波器的输入端子被用作发送端子Tx4、Tx5、Tx6，与中频段用频段切换开关22的选择端子221～223连接。另外，在多个中频段用双工器31～33中，与发送滤波器的输出端子及接收滤波器的输入端子连接的端子(ANT端子)被用作天线侧端子Ax4、Ax5、Ax6，与中频段用天线开关24的选择端子241～243连接。

中频段用频段切换开关22设置于第四功率放大器21的第四输出端子212与多个中频段用双工器31、32、33的发送端子Tx4、Tx5、Tx6之间。中频段用频段切换开关22将多个中频段用双工器31～33中的1个中频段用双工器连接到第四功率放大器21的第四输出端子212。

多个(3个)中频段用信号输出端子T31、T32、T33与多个(3个)中频段用双工器31、32、33的接收端子Rx4、Rx5、Rx6一对一地连接。

RF信号处理电路401与第一高频模块1及第二高频模块2连接。更详细地说，RF信号处理电路401与第一高频模块1的低频段用第一信号输入端子T11、中频段用信号输入端子T12、低频段用第二信号输入端子T13及多个低频段用信号输出端子T81、T82、T83连接。另外，RF信号处理电路401与第二高频模块2的中频段用信号输入端子T21及多个中频段用信号输出端子T31、T32、T33连接。

RF信号处理电路401例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对从多个低频段用信号输出端子T81、T82、T83、多个中频段用信号输出端子T31、T32、T33输出的高频信号(接收信号)进行信号处理。RF信号处理电路401对从天线200经由第一高频模块1或第二高频模块2输入的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将通过该信号处理生成的接收信号输出到基带信号处理电路402。

基带信号处理电路402例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。被基带信号处理电路402处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。

另外，RF信号处理电路401例如对从基带信号处理电路402输出的发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的发送信号(高频信号)输出到第一高频模块1或第二高频模块2。基带信号处理电路402例如对来自通信装置400的外部的发送信号进行规定的信号处理。

通信装置400还具备旁路路径180和控制电路20。

旁路路径180将旁路端子T15与中频段用发送路径MT1电连接。更详细地说，旁路路径180将旁路端子T15与连接于中频段用发送路径MT1的中继端子T25电连接。旁路路径180例如包括安装了第一高频模块1和第二高频模块2的印刷电路板的布线导体。在该情况下，通信装置400包括印刷电路板作为其结构要素。

控制电路20对中频段用天线开关24进行切换，使得多个中频段用双工器31～33和中频段用发送路径MT1中的1个与同向双工器300的中频段用滤波器302连接。

在通信装置400中，第一发送信号的第一频带包含GSM850的频带和GSM900的频带。第二发送信号的第二频带包含GSM1800的频带和GSM1900的频带。第三发送信号的第三频带包含LTE标准的Band8的频带。第四发送信号的第四频带包含LTE标准的Band3的频带。多个中频段用双工器31、32、33中的1个(中频段用双工器31)是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band3的双工器或支持5G NR的n8的双工器。在第二高频模块2中，中频段用天线开关24与中频段用信号输出端子T31之间的信号路径构成了中频段用接收路径MR1。因而，通信装置400能够支持Band8与Band3的下行链路-载波聚合或者n8与Band3的双连接。中频段用双工器32是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band12的双工器。另外，中频段用双工器33是支持4G标准或5G标准的双工器，例如是支持LTE标准的Band20的双工器。

(2)高频模块的构造

下面，参照图4及图5来说明高频模块1的构造。

如上所述，高频模块1具备：具有第一功率放大器11和第一匹配电路14的第一发送电路110；具有第二功率放大器12和第二匹配电路15的第二发送电路120；以及具有第三功率放大器13和第三匹配电路16的第三发送电路130。另外，高频模块1具备低频段用天线端子T10、旁路端子T15、低频段用频段切换开关17以及低频段用天线开关19。另外，高频模块1具备基板5。在基板5至少安装有第一功率放大器11、第二功率放大器12以及第三功率放大器13。另外，在基板5安装有低频段用天线开关19。

在高频模块1中，第一功率放大器11和第二功率放大器12集成在1个半导体芯片10上。另外，第三功率放大器13是半导体芯片10以外的其它半导体芯片。

在高频模块1中，低频段用频段切换开关17是开关IC。另外，低频段用天线开关19是开关IC。低频段用频段切换开关17和低频段用天线开关19安装于基板5。另外，构成控制电路100的IC安装于基板5。

第一匹配电路14的多个电感器L11、L12中的各电感器例如是芯片电感器。另外，第一匹配电路14的多个电容器C11、C12中的各电容器是芯片电容器。第一匹配电路14的多个电感器L11、L12和多个电容器C11、C12安装于基板5。

第二匹配电路15的多个电感器L1～L6中的L1、L2、L3、L5、L6分别是芯片电感器，安装于基板5。电感器L4是内层电感器，形成于基板5内。另外，第二匹配电路15的多个电容器C1～C5中的各电容器是芯片电容器，安装于基板5。

另外，第三匹配电路16的多个电感器L21、L22中的各电感器例如是芯片电感器。另外，第三匹配电路16的多个电容器C21、C22中的各电容器是芯片电容器。第三匹配电路16的多个电感器L21、L22和多个电容器C21、C22安装于基板5。

基板5是包括多个电介质层和多个导体图案层的多层基板，更详细地说是印刷电路板。多个电介质层和多个导体图案层在基板5的厚度方向D1上层叠。多个导体图案层分别形成为规定图案。多个导体图案层中的各导体图案层在与基板5的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导体图案层的材料例如是铜。

基板5具备电介质基板51和地层52。基板5具有相互背对的第一主面511和第二主面512。在此，第一主面511和第二主面512分别是与基板5的厚度方向D1交叉的面。地层52远离第一主面511地设置。更详细地说，地层52在基板5的厚度方向D1上远离第一主面511地设置在电介质基板51中。地层52在与厚度方向D1正交的面内的面积与电介质基板51在与厚度方向D1正交的面内的面积大致相同。地层52形成有孔520以避免与后述的贯通电极53短路。由此，地层52在与厚度方向D1正交的面内的面积比电介质基板51的面积小与孔520的开口面积相当的量。基板5能够通过地层52来增强第一主面511侧的导体图案层等与第二主面512侧的导体图案层等的隔离度。也就是说，能够增强基板5的第一主面511与第二主面512的隔离度。

电介质基板51包括多个电介质层。电介质基板51具有电绝缘性。电介质基板51呈板状。在从基板5的厚度方向D1俯视时，电介质基板51和基板5例如是长方形状，但是不限于此，例如也可以是正方形状。

地层52由多个导体图案层中的1个导体图案层构成。地层52例如是被提供地电位的地电极。地层52位于基板5的比第一主面511靠第二主面512侧的位置。

另外，在高频模块1中设置成：低频段用天线端子T10、低频段用第一信号输入端子T11、中频段用信号输入端子T12、低频段用第二信号输入端子T13、旁路端子T15以及多个低频段用信号输出端子T81～T83分别作为外部连接端子来在基板5的第二主面512侧从基板5突出。另外，在高频模块1中设置成：经由通路导体55与地层52连接的地端子59作为外部连接端子来在基板5的第二主面512侧从基板5突出。

在高频模块1中，半导体芯片10(也就是说，第一功率放大器11和第二功率放大器12)、第三功率放大器13以及第三匹配电路16配置于基板5的第一主面511侧。半导体芯片10和第三功率放大器13以倒装芯片的安装方式安装于基板5。与此相对，与第二功率放大器12的第二输出端子122连接的第二匹配电路15的、多个电感器L1～L6中的至少1个电感器L1配置于基板5的比第一主面511靠第二主面512侧的位置。更详细地说，在基板5的厚度方向D1上，多个电感器L1～L6中的至少1个电感器L1配置于地层52的接近第二主面512的一侧。在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个电感器L1～L6配置于基板5的比第一主面511靠第二主面512侧的位置。

电感器L1配置于基板5的第二主面512的与第一主面511侧相反的一侧。也就是说，电感器L1安装于基板5的表面。在实施方式1所涉及的高频模块1中，在基板5的厚度方向D1上，第二功率放大器12与电感器L1重叠。在此，高频模块1的基板5具备贯通电极53。贯通电极53在厚度方向D1上贯通电介质基板51，将电感器L1与第二功率放大器12的第二输出端子122连接。基板5的第二主面512包括导体图案层的表面，该导体图案层包括将电感器L1与电容器C3连接的布线导体54。

第二匹配电路15的1个电感器L4配置于基板5内。

另外，高频模块1还具备在基板5的第一主面511侧覆盖安装于基板5的多个电子部件等的覆盖层6(参照图5)。在此，多个电子部件包括上述的半导体芯片10(包括第一功率放大器11和第二功率放大器12的半导体芯片)、第三功率放大器13、第一匹配电路14的2个电感器L11、L12及2个电容器C11、C12、第三匹配电路16的2个电感器L21、L22及2个电容器C21、C22、多个低频段用双工器81～83、低频段用天线开关19、低频段用频段切换开关17、控制电路100等。此外，在图4中，省略了覆盖层6的图示。

覆盖层6具有电绝缘性。覆盖层6密封了多个电子部件等。覆盖层6的材料例如是电绝缘性的树脂(例如，环氧树脂)。覆盖层6具有与基板5的厚度方向D1交叉的主面611和沿着厚度方向D1的侧面613。

(3)效果

实施方式1所涉及的高频模块1具备第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、低频段用天线端子T10、旁路端子T15、第二匹配电路15、第三匹配电路16以及基板5。第一功率放大器11具有第一输入端子111和第一输出端子112，将输入到第一输入端子111的2G标准的低频段的第一发送信号放大后从第一输出端子112输出。第二功率放大器12具有第二输入端子121和第二输出端子122，将输入到第二输入端子121的2G标准的中频段的第二发送信号放大后从第二输出端子122输出。第三功率放大器13具有第三输入端子131和第三输出端子132，将输入到第三输入端子131的4G标准或5G标准的低频段的第三发送信号放大后从第三输出端子132输出。旁路端子T15与第二输出端子122电连接。第二匹配电路15与第二输出端子122电连接，包括1个以上的电感器L1～L6。第三匹配电路16与第三输出端子132电连接，包括1个以上的电感器L21、L22。在基板5上设置第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第二匹配电路15、以及第三匹配电路16，基板5内具有地层52。地层52配置于第二匹配电路15中的1个以上的电感器L1～L6中的至少1个电感器L1与第三匹配电路16的电感器L21、L22中的至少一个电感器之间。

在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第三功率放大器13的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。在此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制以下情况：在使用支持4G标准或5G标准的低频段的第三功率放大器13来发送例如Band8的第三发送信号时，从第三匹配电路16的电感器L21、L22中的至少1个电感器放出的不需要的辐射(第三发送信号的谐波)跳到支持2G标准的中频段的第二功率放大器12的第二输出端子122侧的第二匹配电路15的至少1个电感器L1。也就是说，在高频模块1中，能够抑制以下情况：由于第三匹配电路16的电感器L21、L22中的至少1个电感器与第二匹配电路15的至少1个电感器L1的磁耦合，发生不需要的辐射的跳跃。

另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备低频段用天线开关19和接收滤波器。低频段用天线开关19设置于第一功率放大器11的第一输出端子112及第三功率放大器13的第三输出端子132与低频段用天线端子T10之间。接收滤波器设置于低频段用天线开关19与第三匹配电路16之间，支持4G标准或5G标准的低频段。也就是说，接收滤波器使支持4G标准或5G标准的第三频带的接收信号通过。由此，在实施方式1所涉及的通信装置400中，例如，在进行Band8与Band3的2个下行链路-载波聚合的情况下，能够抑制Band8的谐波经由旁路端子T15流入到第二高频模块2的中频段用双工器31，能够实现通信性能的提高。在进行2个下行链路-载波聚合的情况下的2个频段的组合也可以是Band8与Band3的组合以外的组合。

此外，通信装置400不同时进行2G标准的中频段的发送和4G或5G标准的中频段的接收。

(实施方式2)

下面，参照图6来说明实施方式2所涉及的高频模块1a。关于实施方式2所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式2所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：具备覆盖覆盖层6的屏蔽层7。

另外，屏蔽层7的材料是金属。屏蔽层7覆盖了基板5的侧面513的一部分以及覆盖层6的主面611及侧面613。屏蔽层7与地层52接触。由此，能够使屏蔽层7的电位与地层52的电位相同。

实施方式2所涉及的高频模块1a与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第三功率放大器13的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。另外，实施方式2所涉及的高频模块1a通过具备屏蔽层7，能够比实施方式1所涉及的高频模块1进一步减少不需要的辐射的影响。也可以采用高频模块1a来代替实施方式1所涉及的通信装置400的第一高频模块1。

(实施方式3)

下面，参照图7来说明实施方式3所涉及的高频模块1b。关于实施方式3所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式3所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1同样地具备半导体芯片10。半导体芯片10包括第一功率放大器11(图1及图5参照)和第二功率放大器12(参照图1及图5)。实施方式3所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：半导体芯片10中的第二功率放大器12的第二输出端子122经由接合线W1来与基板5的电极150连接。实施方式3所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第三功率放大器13的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。也可以采用高频模块1b来代替实施方式1所涉及的通信装置400的第一高频模块1。

(实施方式4)

下面，参照图8来说明实施方式4所涉及的高频模块1c。关于实施方式4所涉及的高频模块1c，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。

实施方式4所涉及的高频模块1c在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：第三功率放大器13的第三输出端子132经由接合线W2来与基板5的电极160连接。

实施方式4所涉及的高频模块1c与实施方式1的高频模块1同样地，如图1所示那样具备第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、低频段用天线端子T10、旁路端子T15、第二匹配电路15、第三匹配电路16、以及基板5(参照图8)。第一功率放大器11具有第一输入端子111和第一输出端子112，将输入到第一输入端子111的2G标准的低频段的第一发送信号放大后从第一输出端子112输出。第二功率放大器12具有第二输入端子121和第二输出端子122，将输入到第二输入端子121的2G标准的中频段的第二发送信号放大后从第二输出端子122输出。第三功率放大器13具有第三输入端子131和第三输出端子132，将输入到第三输入端子131的4G标准或5G标准的低频段的第三发送信号放大后从第三输出端子132输出。旁路端子T15与第二输出端子122电连接。第二匹配电路15与第二输出端子122电连接，包括1个以上的电感器(L1～L6)(参照图2、5)。如图8所示，第三匹配电路16经由接合线W2来与第三输出端子132电连接，包括1个以上的电感器L21、L22。在基板5上设置第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第二匹配电路15、以及第三匹配电路16，基板5内具有地层52。地层52配置于第二匹配电路15中的1个以上的电感器L1～L6中的至少1个电感器L1与接合线W2之间。

实施方式4所涉及的高频模块1c与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，能够抑制以下情况：作为4G标准或5G标准的低频段用的功率放大器的第三功率放大器13的输出侧的不需要的辐射跳到作为2G标准的中频段用的功率放大器的第二功率放大器12的输出侧。也可以采用高频模块1c来代替实施方式1所涉及的通信装置400的第一高频模块1。

上述的实施方式1～4不过是本发明的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1～4，只要能够达到本发明的目的即可，能够根据设计等来进行各种变更。

在实施方式1所涉及的高频模块1中，第二匹配电路15的电感器L1～L6中的除电感器L4以外的全部电感器安装于基板5的第二主面512上。在基板5的厚度方向D1上，电感器L1～L6全部配置于地层52的接近第二主面512的一侧。但是不限于此。在高频模块1中，只要如下即可：关于第二匹配电路15的多个电感器L1～L6，在基板5的厚度方向D1上，至少1个电感器配置于地层52的接近第二主面512的一侧。在此，在高频模块1中，优选的是，在基板5的厚度方向D1上，多个电感器L1～L6中的在电气上与第二功率放大器12的第二输出端子122最接近的电感器L1配置于地层52的接近第二主面512的一侧。

另外，也可以是，第二匹配电路15中的多个电感器L1～L6全部配置于基板5的第二主面512的与第一主面511侧相反的一侧。也就是说，也可以是，多个电感器L1～L6全部安装于表面。

地层52的物理配置不限定于实施方式1～4的例子，只要配置于第二发送电路120的一部分与第三发送电路130的一部分之间即可。即，以下情况不是必须的：在从基板5的厚度方向D1俯视时，配置于第二发送电路120的一部分与第三发送电路130的一部分之间的地层52同第二发送电路120的多个结构要素(第二功率放大器12、第二匹配电路15等)的全部和第三发送电路130的多个结构要素(第三功率放大器13、第三匹配电路16等)的全部重叠。例如，地层52也可以为配置于第二功率放大器12或第二匹配电路15与第三功率放大器13或第三匹配电路16之间的结构。另外，第二匹配电路15和第三匹配电路16分别兼做滤波器(发送滤波器)，但是不限于此。例如，也可以是，第二发送电路120具备与第二匹配电路15独立的发送滤波器，第三发送电路130具备与第三匹配电路16独立的发送滤波器。在该情况下，通过使地层52至少配置于第二发送电路120的发送滤波器与第三发送电路130的发送滤波器之间，能够抑制第三发送电路130的第三发送信号的谐波跳到第二发送电路120。另外，在第三发送电路130包括多个低频段用双工器81～83的情况下，通过使地层52配置于多个低频段用双工器81～83与第二发送电路120的发送滤波器之间，能够抑制第三发送电路130的第三发送信号的谐波跳到第二发送电路120。

另外，在实施方式4所涉及的高频模块1c中，包括第一功率放大器11和第二功率放大器12的半导体芯片10以及第三匹配电路16设置于基板5的第一主面511侧，但是不限于此，也可以是，半导体芯片10和第三匹配电路16设置于基板5的第二主面512侧。在该情况下，也可以是，第三功率放大器13的第三输出端子132经由接合线来与基板5的第二主面512侧的电极连接。

另外，实施方式1、2、3、4所涉及的高频模块1、1a、1b、1c也可以分别具备发送滤波器和接收滤波器来代替低频段用双工器81～83。低频段用双工器81～83未必安装于基板5。另外，实施方式1、2、3、4所涉及的高频模块1、1a、1b、1c也可以具备多工器来代替低频段用双工器81～83。

另外，也可以是，实施方式1、2、3、4所涉及的高频模块1、1a、1b、1c中的任一个包括第二高频模块2的结构的一部分或全部。另外，也可以是，实施方式1、2、3、4所涉及的高频模块1、1a、1b、1c中的任一个包括第二高频模块2的结构的一部分或全部以及同向双工器300。

另外，通信装置400只要是能够支持至少2个下行链路的结构即可，例如也可以是能够支持3个下行链路的结构。在该情况下，只要具备三工器来代替同向双工器300即可。

(总结)

根据以上说明的实施方式等，公开了以下的方式。

第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)具备第一发送电路(110)、第二发送电路(120)、旁路端子(T15)、第三发送电路(130)以及基板(5)。第一发送电路(110)具有第一功率放大器(11)以及与第一功率放大器(11)的第一输出端子(112)连接的第一匹配电路(14)。第一发送电路(110)发送支持2G标准的第一频带的第一发送信号。第二发送电路(120)具有第二功率放大器(12)以及与第二功率放大器(12)的第二输出端子(122)连接的第二匹配电路(15)。第二发送电路(120)发送支持2G标准的第二频带的第二发送信号。第二频带比第一频带高。旁路端子(T15)与第二发送电路(120)的输出端连接。第三发送电路(130)具有第三功率放大器(13)以及与第三功率放大器(13)的第三输出端子(132)连接的第三匹配电路(16)。第三发送电路(130)发送支持4G标准或5G标准的第三频带的第三发送信号。基板(5)具有相互背对的第一主面(511)和第二主面(512)。在基板(5)设置有第一发送电路(110)、第二发送电路(120)以及第三发送电路(130)。第三发送信号的谐波的频率与第二频带重叠。基板(5)具有地层(52)。地层(52)配置于第二发送电路(120)的一部分与第三发送电路(130)的一部分之间。

在第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够抑制支持4G标准或5G标准的第三发送电路(130)的第三发送信号的谐波跳到支持2G标准的第二发送电路(120)。

在第二方式中，在第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第二发送电路(120)中的第二匹配电路(15)安装于基板(5)的第二主面(512)，第三发送电路(130)中的第三匹配电路(16)安装于基板(5)的第一主面(511)。地层(52)配置于第二匹配电路(15)与第三匹配电路(16)之间。

在第三方式中，在第一方式或第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第二匹配电路(15)包括1个以上的电感器(L1～L6)。第三匹配电路(16)包括1个以上的电感器(L21、L22)。地层(52)配置于第二匹配电路(15)中的1个以上的电感器(L1～L6)中的至少1个电感器(L1)与第三匹配电路(16)中的1个以上的电感器(L21、212)中的至少1个电感器(L21、L22)之间。

在第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够抑制第三发送信号的谐波从支持4G标准或5G标准的第三发送电路(130)的第三匹配电路(16)跳到支持2G标准的第二发送电路(120)的第二匹配电路(15)。

在第四方式中，在第一方式～第三方式中的任一个方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，还具备低频段用天线端子(T10)、低频段用天线开关(19)以及接收滤波器。低频段用天线开关(19)设置于第一功率放大器(11)的第一输出端子(112)及第三功率放大器(13)的第三输出端子(132)与低频段用天线端子(T10)之间。接收滤波器设置于低频段用天线开关(19)与第三匹配电路(16)之间，使支持4G标准或5G标准的第三频带的接收信号通过。

在第五方式中，在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，具备多个低频段用双工器(81、82、83)、低频段用频段切换开关(17)以及多个低频段用信号输出端子(T81、T82、T83)。多个低频段用双工器(81、82、83)各自具有天线侧端子(Ax1、Ax2、Ax3)、发送端子(Tx1、Tx2、Tx3)以及接收端子(Rx1、Rx2、Rx3)，天线侧端子(Ax1、Ax2、Ax3)与低频段用天线开关(19)连接。低频段用频段切换开关(17)设置于第三输出端子(132)与多个低频段用双工器(81、82、83)的发送端子(Tx1、Tx2、Tx3)之间。低频段用频段切换开关(17)将多个低频段用双工器(81、82、83)中的1个低频段用双工器(81或82或83)连接到第三输出端子(132)。多个低频段用信号输出端子(T81、T82、T83)与多个低频段用双工器(81、82、83)的接收端子(Rx1、Rx2、Rx3)一对一地连接。

在第六方式中，在第一方式～第五方式中的任一个方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第一频带包含GSM850的频带和GSM900的频带。第二频带包含GSM1800的频带和GSM1900的频带。第三频带包含LTE标准的Band8的频带或5G NR的n8的频带。

在第七方式中，在第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第一功率放大器(11)和第三功率放大器(13)配置于基板(5)的比第二主面(512)靠第一主面(511)侧的位置。第二匹配电路(15)中的至少1个电感器(L1)配置于基板(5)的第二主面(512)的与第一主面(511)侧相反的一侧。

在第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够抑制第三功率放大器(13)的输出侧的不需要的辐射跳到第二功率放大器(12)的输出侧(信号路径LT2)。

在第八方式中，在第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第二匹配电路(15)中的1个以上的电感器(L1～L6)配置于基板(5)的第二主面(512)的与第一主面(511)侧相反的一侧。

在第八方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，与第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)相比，能够进一步抑制不需要的辐射的跳跃。

在第九方式中，在第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第二匹配电路(15)中的至少1个电感器(L4)配置于基板(5)内。

在第九方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，能够使基板(5)小型化，另外，基板(5)的第二主面(512)侧的电子部件的布局的自由度变高。

在第十方式中，在第一方式或第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第二匹配电路(15)与第二输出端子(122)电连接，包括1个以上的电感器(L1～L6)。第三匹配电路(16)经由接合线(W2)来与第三输出端子(132)电连接，包括1个以上的电感器(L21、L22)。地层(52)配置于第二匹配电路(15)中的1个以上的电感器(L1～L6)中的至少1个电感器(L1)与接合线(W2)之间。

在第十一方式中，在第一方式～第十方式中的任一个方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，还具备第四发送电路(210)。第四发送电路(210)具有第四功率放大器(21)。第四发送电路(210)发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号。第四发送频带比第三频带高。第二频带的至少一部分与第四频带的至少一部分重叠。

在第十二方式中，在第十一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，还具备中频段用天线端子(T20)、中频段用天线开关(24)、中频段用接收路径(MR1)以及中频段用发送路径(MT1)。中频段用天线端子(T20)与天线(200)电连接。中频段用天线开关(24)与中频段用天线端子(T20)连接。中频段用接收路径(MR1)与中频段用天线开关(24)连接，支持第四频带。

第十二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)能够支持载波聚合或双连接。

在第十三方式中，在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，还具备第四发送电路(210)、中频段用天线端子(T20)、中频段用天线开关(24)、中频段用接收路径(MR1)、中频段用发送路径(MT1)以及同向双工器(300)。第四发送电路(210)具有第四功率放大器(21)。第四发送电路(210)发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号。第四发送频带比第三频带高。中频段用天线端子(T20)与天线(200)电连接。中频段用天线开关(24)与中频段用天线端子(T20)连接。中频段用接收路径(MR1)与中频段用天线开关(24)连接，支持第四频带。同向双工器(300)具有低频段用滤波器(301)和中频段用滤波器(302)。第二频带的至少一部分与第四频带的至少一部分重叠。低频段用天线端子(T10)与低频段用滤波器(301)连接。中频段用天线端子(T20)与中频段用滤波器(302)连接。

在第十四方式中，在第十三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c)中，第四功率放大器(21)的第四输出端子(212)与中频段用天线开关(24)连接。

第十五方式所涉及的通信装置(400)具备第一高频模块和第二高频模块(2)。第一高频模块是第一方式～第十方式中的任一个方式的高频模块(1；1a；1b；1c)。第二高频模块(2)具备发送第四频带的第四发送信号的第四发送电路(210)。第四频带比第三频带高，第四频带支持4G标准或5G标准。第二频带的至少一部分与第四频带的至少一部分重叠。

在第十五方式所涉及的通信装置(400)中，能够抑制支持4G标准或5G标准的第三发送电路(130)的第三发送信号的谐波跳到支持2G标准的第二发送电路(120)。

附图标记说明

1、1a、1b、1c：高频模块(第一高频模块)；2：第二高频模块；5：基板；51：电介质基板；511：第一主面；512：第二主面；513：侧面；52：地层；520：孔；53：贯通电极；54：布线导体；55：通路导体；59：地端子；6：覆盖层；611：主面；613：侧面；7：屏蔽层；10：半导体芯片；11：第一功率放大器；110：第一发送电路；111：第一输入端子；112：第一输出端子；12：第二功率放大器；120：第二发送电路；121：第二输入端子；122：第二输出端子；13：第三功率放大器；130：第三发送电路；131：第三输入端子；132：第三输出端子；14：第一匹配电路；15：第二匹配电路；16：第三匹配电路；17：低频段用频段切换开关；170：公共端子；171～173：选择端子；18：偏置电路；19：低频段用天线开关；190：公共端子；191～194：选择端子；20：控制电路；21：第四功率放大器；210：第四发送电路；211：第四输入端子；212：第四输出端子；22：中频段用频段切换开关；220：公共端子；221～223：选择端子；24：中频段用天线开关；240：公共端子；241～244：选择端子；31～33：中频段用双工器；81～83：低频段用双工器；100：控制电路；150：电极；160：电极；180：旁路路径；200：天线；300：同向双工器；301：低频段用滤波器；302：中频段用滤波器；400：通信装置；401：RF信号处理电路；402：基带信号处理电路；Ax1～Ax6：天线侧端子；Rx1～Rx6：接收端子；Tx1～Tx6：发送端子；D1：厚度方向；L0：电感器；L1～L6：电感器；L11、L12、L21、L22：电感器；C0：电容器；C1～C5：电容器；C11、C12、C21、C22：电容器；LT2：信号路径；MT1：中频段用发送路径；MR1：中频段用接收路径；T10：低频段用天线端子；T11：低频段用第一信号输入端子；T12：中频段用第二信号输入端子；T13：低频段用第三信号输入端子；T15：旁路端子；T20：中频段用天线端子；T21：第四信号输入端子；T25：中继端子；T31～T33：中频段用信号输出端子；T81～T83：低频段用信号输出端子；Vcc：偏置电压；W1：接合线；W2：接合线。

Claims (13)

1.一种高频模块，具备：

第一发送电路，其具有第一功率放大器以及与所述第一功率放大器的第一输出端子连接的第一匹配电路，发送支持2G标准的第一频带的第一发送信号；

第二发送电路，其具有第二功率放大器以及与所述第二功率放大器的第二输出端子连接的第二匹配电路，发送支持2G标准的第二频带的第二发送信号，其中，所述第二频带比所述第一频带高；

旁路端子，其与所述第二发送电路的输出端连接；

第三发送电路，其具有第三功率放大器以及与所述第三功率放大器的第三输出端子连接的第三匹配电路，发送支持4G标准或5G标准的第三频带的第三发送信号；以及

基板，其具有相互背对的第一主面和第二主面，设置有所述第一发送电路、所述第二发送电路以及所述第三发送电路，

其中，所述第三发送信号的谐波的频率与所述第二频带重叠，

所述基板具有配置于所述第二发送电路的一部分与所述第三发送电路的一部分之间的地层，

所述第二发送电路中的所述第二匹配电路安装于所述基板的所述第二主面，

所述第三发送电路中的所述第三匹配电路安装于所述基板的所述第一主面，

所述地层配置于所述第二匹配电路与所述第三匹配电路之间，

所述第二匹配电路包括1个以上的电感器，

所述第三匹配电路包括1个以上的电感器，

所述地层配置于所述第二匹配电路中的所述1个以上的电感器中的至少1个电感器与所述第三匹配电路中的所述1个以上的电感器中的至少1个电感器之间。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，还具备：

低频段用天线端子；

低频段用天线开关，其设置于所述第一输出端子及所述第三输出端子与所述低频段用天线端子之间；以及

接收滤波器，其设置于所述低频段用天线开关与所述第三匹配电路之间，使支持4G标准或5G标准的所述第三频带的接收信号通过。

3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，具备：

多个低频段用双工器，所述多个低频段用双工器各自具有天线侧端子、发送端子以及接收端子，所述天线侧端子与所述低频段用天线开关连接；以及

低频段用频段切换开关，其设置于所述第三输出端子与所述多个低频段用双工器的所述发送端子之间，将所述多个低频段用双工器中的1个低频段用双工器连接到所述第三输出端子；以及

多个低频段用信号输出端子，所述多个低频段用信号输出端子与所述多个低频段用双工器的所述接收端子一对一地连接，

其中，所述多个低频段用双工器中的1个低频段用双工器包括所述接收滤波器。

4.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第一频带包含GSM850的频带和GSM900的频带，

所述第二频带包含GSM1800的频带和GSM1900的频带，

所述第三频带包含LTE标准的Band8的频带或5G NR的n8的频带。

5.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第一功率放大器和所述第三功率放大器配置于所述基板的比所述第二主面靠所述第一主面侧的位置，

所述第二匹配电路中的所述至少1个电感器配置于所述基板的所述第二主面的与所述第一主面侧相反的一侧。

6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，

所述第二匹配电路中的所述1个以上的电感器配置于所述基板的所述第二主面的与所述第一主面侧相反的一侧。

7.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第二匹配电路中的所述至少1个电感器配置于所述基板内。

8.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述第二匹配电路与所述第二输出端子电连接，包括1个以上的电感器，

所述第三匹配电路经由接合线来与所述第三输出端子电连接，包括1个以上的电感器，

所述地层配置于所述第二匹配电路中的所述1个以上的电感器中的至少1个电感器与所述接合线之间。

9.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

还具备第四发送电路，所述第四发送电路具有第四功率放大器，发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号，其中，所述第四频带比所述第三频带高，

所述第二频带的至少一部分与所述第四频带的至少一部分重叠。

10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，还具备：

中频段用天线端子；

中频段用天线开关，其与所述中频段用天线端子连接；

中频段用接收路径，其与所述中频段用天线开关连接，支持所述第四频带；以及

中频段用发送路径，其与所述中频段用天线开关连接，并与所述旁路端子连接。

11.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，还具备：

第四发送电路，其具有第四功率放大器，发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号，其中，所述第四频带比所述第三频带高；

中频段用天线端子；

中频段用天线开关，其与所述中频段用天线端子连接；

中频段用接收路径，其与所述中频段用天线开关连接，支持所述第四频带；

中频段用发送路径，其与所述中频段用天线开关连接，并与所述旁路端子连接；以及

同向双工器，其具有低频段用滤波器和中频段用滤波器，

其中，所述第二频带的至少一部分与所述第四频带的至少一部分重叠，

所述低频段用天线端子与所述低频段用滤波器连接，

所述中频段用天线端子与所述中频段用滤波器连接。

12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，

所述第四功率放大器的第四输出端子与所述中频段用天线开关连接。

13.一种通信装置，具备：

第一高频模块；以及

第二高频模块，

其中，所述第一高频模块是根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，

第二高频模块具备第四发送电路，所述第四发送电路发送支持4G标准或5G标准的第四频带的第四发送信号，其中，所述第四频带比所述第三频带高，

所述第二频带的至少一部分与所述第四频带的至少一部分重叠。

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