JP5158166B2 - 複合電子モジュール、この複合電子モジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、非可逆回路素子が基板に実装された複合電子モジュールおよび複合電子モジュールの製造方法に関する。

従来より、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送する特性を利用して、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子が携帯電話や無線ＬＡＮ機器などの通信端末の送信回路部の電力増幅モジュールなどの複合電子モジュールに使用されている。このような複合電子モジュールを形成する基板に実装される非可逆回路素子５００は、例えば、図１１に示すように、主面５０２に互いに電気的に絶縁された中心電極５０３，５０４が形成された一対の直方体形状の永久磁石５０１の間にフェライト５０５が挟み込まれて形成される（例えば特許文献１〜３参照）。

また、フェライト５０５は直方体形状を有し、上端面および下端面には永久磁石５０１に形成された中心電極５０３，５０４をそれぞれ電気的に接続するための中継用電極５０６が形成されている。このように非可逆回路素子５００を形成することで、中心電極として銅線を巻き回したフェライトを一対の永久磁石の間に配置した従来の非可逆回路素子の構成と比較すると、製造が容易であると共に素子の小型化を図ることができる。そして、永久磁石５０１による磁界の影響を抑制するために、非可逆回路素子５００は、電磁シールドとして機能する金属製のヨークと共に基板に実装されて各種複合電子モジュールが形成される。なお、図１１は従来の非可逆回路素子５００の一例を示す図であって、（ａ）は非可逆回路素子５００の分解斜視図であり、（ｂ）は非可逆回路素子５００の斜視図である。

特開２００６−３１１４５５号公報（段落［００１９］〜［００３３］、図１，２など） 特開２００７−２０８９４３号公報（段落［００１６］〜［００３７］、図１，２など） 特開２００９−４９８７９号公報（段落［００１３］〜［００３２］、図１，２など）

ところで、近年、通信端末の小型化および薄型化に伴い、通信端末に実装される各種複合電子モジュールの小型化および低背化が要求されている。そこで、複合電子モジュールの小型化および低背化を図るために、ヨークを省いて非可逆電子素子５００を基板に実装して複合電子モジュールを形成することが考えられる。このようにすれば、ヨークを実装するスペースを基板上に確保しなくてもよいため、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。

ところが、この場合、電磁シールドとして機能するヨークが基板に実装されていないため、複合電子モジュールを形成する際に、非可逆回路素子と磁性体を含む電子部品とを一緒に基板上に実装するときに、非可逆回路素子の周辺に実装される電子部品が永久磁石５０１の磁力により移動して所望の位置からずれるおそれがあり、位置ずれ防止の対策が求められている。

この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ると共に、非可逆回路素子の周辺に配置される電子部品が永久磁石の磁力により移動して位置ずれするのを防止することができる複合電子モジュール、および、この複合電子モジュールを容易に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の複合電子モジュールは、永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、前記電子部品は、前記非可逆回路素子と接触した状態で前記基板に実装されていることを特徴としている（請求項１）。

また、前記非可逆回路素子の少なくとも前記電子部品との接触部分には、絶縁性材料によるコーティングが施されているとよい（請求項２）。

また、前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されており、前記電子部品は、永久磁石を含む部品を含み、前記永久磁石を含む部品は、前記非可逆回路素子の前記一対の永久磁石の各磁極の並ぶ方向に前記非可逆回路素子と接触した状態で配置されていることが望ましい（請求項３）。

また、本発明の複合電子モジュールの製造方法は、永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備える複合電子モジュールの製造方法において、接触状態の前記非可逆回路素子および前記電子部品を前記基板の所定位置に配置する工程を備えることを特徴としている（請求項４）。

また、永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、磁性体を含む電子部品と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備える複合電子モジュールの製造方法において、前記基板にはんだペーストを塗布する工程と、前記非可逆回路素子および前記電子部品を前記基板の所定位置に離間した状態で配置する工程と、前記非可逆回路素子および前記電子部品が所定位置に配置された前記基板をリフローすることにより前記はんだペーストを溶融し、前記永久磁石の磁力により前記電子部品を移動させて当該電子部品と前記非可逆回路素子とを接触させる工程とを備えることを特徴としている（請求項５）。

請求項１の発明によれば、磁性体を含む電子部品は、永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子に接触した状態で基板に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、非可逆回路素子に接触して配置された電子部品が永久磁石の磁力により移動して位置ずれするおそれがなく、非可逆回路素子の周辺に配置される電子部品が永久磁石の磁力により移動して位置ずれするのを防止することができる。

また、金属製のヨークなどを基板に実装しなくても、非可逆回路素子に接触して配置された電子部品が永久磁石の磁力により移動して位置ずれするおそれがないため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュールの小型化および低背化を図ることができる。

請求項２の発明によれば、永久磁石は導電性を有するが、非可逆回路素子の少なくとも電子部品との接触部分には、絶縁性材料によるコーティングが施されているので、非可逆回路素子と電子部品とが接触して配置されても、非可逆回路素子と電子部品とが電気的に接続されるおそれがないので実用的である。

請求項３の発明によれば、電子部品は永久磁石を含む部品を含んでいるが、非可逆回路素子は、一対の永久磁石を有し、一方の永久磁石の一の磁極と他方の永久磁石の反対の磁極との間にフェライトが配置されて形成されており、永久磁石を含む部品は、非可逆回路素子の一対の永久磁石の各磁極の並ぶ方向に非可逆回路素子と接触した状態で配置されているため、電子部品が含む永久磁石により、非可逆回路素子のフェライトに印加される磁束が変化しないので、非可逆回路素子の特性を変化させずに電子部品を非可逆回路素子に接触して配置することができる。

請求項４の発明によれば、接触状態の非可逆回路素子および電子部品が基板の所定位置に配置されることにより、電子部品が非可逆回路素子に接触した状態で基板に実装された複合電子モジュールを容易に製造することができる。

請求項５の発明によれば、基板にはんだペーストが塗布され、非可逆回路素子および電子部品が基板の所定位置に離間した状態で配置された後に、非可逆回路素子および電子部品が所定位置に配置された基板がリフローされることで、はんだペーストが溶融して粘性が弱まり、永久磁石の磁力により電子部品が移動して当該電子部品と非可逆回路素子とが接触するので、電子部品が非可逆回路素子に接触した状態で基板に実装された複合電子モジュールを容易に製造することができる。

本発明の複合電子モジュールの一実施形態を示し、（ａ）は配置状態を示す図、（ｂ）は回路ブロック図である。 電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。 電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。 複合電子モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。 複合電子モジュールの製造方法の他の例を示すフローチャートである。 非可逆回路素子と電子部品とが離間して配置された状態を示す図である。 非可逆回路素子と離間して配置された電子部品が移動した状態を示す図である。 本発明の複合電子モジュールの他の実施形態を示す図である。 複合電子モジュールの回路ブロック図である。 複合電子モジュールの回路ブロック図である。 従来の非可逆回路素子の一例を示す図である。

＜一実施形態＞
本発明の複合電子モジュールの一実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。図１は本発明の複合電子モジュール１の一実施形態を示す図であって、（ａ）は配置状態を示す図、（ｂ）は機能ブロック図である。図２および図３はそれぞれ電子部品の配置位置による永久磁石の磁界の影響を調べた実験結果の一例を示す図である。図４は複合電子モジュール１の製造方法の一例を示すフローチャートである。図５は複合電子モジュール１の製造方法の他の例を示すフローチャートである。図６は非可逆回路素子３と電子部品５とが離間して配置された状態を示す図である。図７は非可逆回路素子３と離間して配置された電子部品５が移動することにより非可逆回路素子３と接触した状態を示す図である。

（構成）
図１に示す複合電子モジュール１は、樹脂やセラミックなどにより形成された基板２に、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送する特性を有するアイソレータにより形成される非可逆回路素子３、送信信号を増幅するパワーアンプ４、各種電子部品５などが実装されて形成される電力増幅モジュールであって、無線ＬＡＮ規格やＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）規格の無線通信機器、携帯電話などの通信端末の送信回路部において使用される。

基板２は、所定の電極パターンが形成された複数枚のセラミックグリーンシートの積層体が焼成された積層基板や積層樹脂基板などが目的に応じて選択されて使用される。また、複合電子モジュール１の使用目的に応じて、コンデンサやコイルなどの電子部品が内蔵された基板２を採用してもよい。

非可逆回路素子３は、一対の永久磁石３ａ，３ｂと、フェライト３ｃとを有し、一方の永久磁石３ａの一の磁極と他方の永久磁石３ｂの反対の磁極との間にフェライト３ｃが配置されて形成されている。具体的には、永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃは直方体状に形成されており、永久磁石３ａ，３ｂの磁界が、フェライト３ｃの主面に対してほぼ垂直方向に印加されるように、永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃが接合される。また、一方の永久磁石３ａの一の磁極側の主面と、他方の永久磁石３ｂの反対の磁極側の主面と、フェライト３ｃの上端面および下端面とには、中心電極としての電極パターン３ｄが形成される。永久磁石３ａ，３ｂおよびフェライト３ｃが接合されたとき、電極パターン３ｄはフェライト３ｃに巻回し、その巻回状態を適宜調整することで、非可逆回路素子３の入力インピーダンスや挿入損失などの電気的特性を調整することができる。

なお、永久磁石３ａ，３ｂの主面に形成される電極パターン３ｄは、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料（ペーストまたは接着剤）などの電極膜材料により、印刷や転写により薄膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、永久磁石３ａ，３ｂの主面に電極パターン３ｄを所定の形状に形成してもよい。

また、フェライト３ｃの上端面および下端面に形成される電極パターン３ｄは、永久磁石３ａ，３ｂの主面に形成された電極パターン３ｄを中継するための中継電極および基板２に非可逆回路素子３を接続するための接続用電極として使用されるものであって、銀、銅、金やその合金からなる電極膜材料、金や銀などの導体粉とエポキシ樹脂などからなる導体複合材料（ペーストまたは接着剤）などの電極膜材料により、印刷や転写により厚膜として形成される。また、これらの電極膜材料と感光物質とを混合してフォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、フェライト３ｃの上端面および下端面に電極パターン３ｄを所定の形状に形成してもよい。

また、永久磁石３ａ，３ｃの材質としては、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れ、高周波帯における絶縁性（低損失性）にも優れているストロンチウム系フェライトマグネットや、残留磁束密度、保磁力といった磁気特性に優れており、小型化に適し、高周波帯における絶縁性を考慮しても使用可能なランタン・コバルト系フェライトマグネットなど、どのような材質のものを採用してもよい。

また、非可逆回路素子３の少なくとも電子部品５との接触部分には、樹脂などにより形成された絶縁性材料によるコーティングが施されている。

また、非可逆回路素子３は、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向（図１（ａ）における紙面上の左右方向）において、基板２の端縁からの距離Ｘが約１．２ｍｍ以上となる位置に基板２に配置されており、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極とほぼ直交する方向（図１（ａ）における紙面上の上下方向）において、基板２の端縁からの距離Ｙが０．８ｍｍ以上となる位置に基板２に配置されている。

このようにすると、例えばマザー基板に複合電子モジュール１が実装される際に、マザー基板上の複合電子モジュール１の周りに実装される各種電子部品は、複合電子モジュール１の基板２と約０．１ｍｍ離間した状態でマザー基板上に配置されるため、マザー基板上に配置された電子部品と、複合電子モジュール１が有する非可逆回路素子３との距離は、Ｘ方向において１．３ｍｍ以上となり、Ｙ方向において０．９ｍｍ以上となる。

本発明者は、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向において非可逆回路素子３から距離Ｘの位置に、外部電極などにＮｉなどの磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂの磁力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を計数した。図２は永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向において非可逆回路素子３から距離Ｘの位置に、外部電極などにＮｉなどの磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂにより形成される磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。

図２に示すように、非可逆回路素子３からの距離Ｘが約１．１ｍｍ以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした。これは、電子部品と永久磁石３ａ，３ｂとの距離が近いため、永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響によるものと考えられる。一方、非可逆回路素子３からの距離Ｘが約１．３ｍｍ以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりしなかった。これは、電子部品と永久磁石３ａ，３ｂとの距離を離すことで、電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けにくくなったためだと考えられる。

また、本発明者は、永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向とほぼ直交する方向において非可逆回路素子３から距離Ｙの位置に、外部電極などにＮｉなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂの磁力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を計数した。図３は永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の配置方向とほぼ直交する方向において非可逆回路素子３から距離Ｙの位置に、外部電極などにＮｉなどの上記した磁性体を含むチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品を５回繰り返して配置した場合に、永久磁石３ａ，３ｂにより形成された磁界による磁気力により当該電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりした回数を示すものである。

図３に示すように、非可逆回路素子３からの距離Ｘが約０．７ｍｍ以下の位置に電子部品が配置されれば、ほぼすべての電子部品が移動したり、傾いたり、回転した。これは、電子部品と永久磁石３ａ，３ｂとの距離が近いため、永久磁石３ａ，３ｂによる次回の影響によるものと考えられる。一方、非可逆回路素子３からの距離Ｙが約０．９ｍｍ以上の位置に電子部品が配置されれば、すべての電子部品が移動したり、傾いたり、回転したりしなかった。これは、距離を離すことで、電子部品が永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けにくくなったためと考えられる。

したがって、基板２の端縁から非可逆回路素子３までの距離を適切に設定して基板２上に非可逆回路素子３を実装することにより複合電子モジュール１を形成することで、複合電子モジュール１と他の電子部品とをマザー基板などに一緒に実装するときに、マザー基板上の複合電子モジュール１の周辺に配置された電子部品と複合電子モジュールに搭載された非可逆回路素子３との間に適切な間隔を設けることができるため、複合電子モジュール１の周辺に配置された電子部品が、当該電子部品に接触して電子部品を支持するような部材や部品が無いにもかかわらず、非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂによる磁界の影響を受けて、移動したり、傾いたり、回転したりすることで位置ずれしたりするのを防止することができる。

パワーアンプ４は、送信信号を増幅する機能を有し、複合電子モジュール１の使用目的に応じて、高周波帯域の送信信号を増幅する機能を有するものなど、適宜、種々の回路構成でパワーアンプ４を形成すればよい。

電子部品５は、整合回路など、複合電子モジュール１を形成するのに必要な種々の回路を形成するために、チップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などが適宜選択されて基板２上に実装されたものである。なお、この実施形態では、外部電極や内部の電極パターンなどにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの磁性体を含む電子部品５が、非可逆回路素子３と接触した状態で基板２に実装されている。

そして、この実施形態では、図１（ｂ）に示すように、入力ポートＰｉｎを介して入力された送信信号がパワーアンプ４により増幅され、増幅された送信信号が非可逆回路素子３を介して出力ポートＰｏｕｔから出力される複合電子モジュール１が形成されている。なお、図１（ｂ）では、複合電子モジュール１の機能のみを示し、整合回路など回路構成は図示省略されている。

（複合電子モジュール１の製造方法の一例）
図４を参照して、複合電子モジュール１の製造方法の一例について説明する。まず、基板２の必要な箇所にはんだペーストが塗布される（ステップＳ１）。そして、電子部品５が、非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂによる磁力や接着剤により非可逆回路素子３の所定位置に取り付けられて、非可逆回路素子３および電子部品５が一体化される（ステップＳ２）。

次に、一体化された非可逆回路素子３および電子部品５が、基板２上の所定位置に配置され（ステップＳ３）、所定位置に非可逆回路素子３および電子部品５が配置された基板２がリフローされることにより、電子部品５が非可逆回路素子３に接触した状態で基板２に実装された複合電子モジュール１が製造される（ステップＳ４）。

このようにすると、接触状態の非可逆回路素子３および電子部品５が基板２の所定位置に配置されることにより、電子部品５が非可逆回路素子３に接触した状態で基板２に実装された複合電子モジュール１を容易に製造することができる。

（複合電子モジュール１の製造方法の他の例）
図５〜図７を参照して、複合電子モジュール１の製造方法の他の例について説明する。図５に示す製造方法の他の例では、外部電極５ａを有するチップコンデンサやチップコイル、チップ抵抗などの電子部品５が基板２に実装されるときを例に挙げて説明する。

まず、基板２の必要な箇所にはんだペーストが塗布される（ステップＳ１１）。そして、図６に示すように、非可逆回路素子３が基板２上の所定位置に配置され（ステップＳ１２）、電子部品５が基板２上の所定位置に非可逆回路素子３と離間した状態で配置される（ステップＳ１３）。

このとき図６中に示すように、基板２の所定位置には電極パッド２ａが形成されており、各電子部品５の外部電極５ａと電極パッド２ａとが位置合わせされて電子部品５が基板２上に配置されるが、電極パッド２ａに塗布されたはんだペーストはある程度の粘性を有している。したがって、非可逆回路素子３と離間して配置された電子部品５は、はんだペーストの粘着力によって非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂの磁力に抗して電極パッド２ａ上に留まることとなる。

次に、図７に示すように、非可逆回路素子３および電子部品５が所定位置に配置された基板２がリフローされることによりはんだペーストが溶融し、はんだペーストの粘着力が弱まるため、永久磁石３ａ，３ｂの磁力により磁性体を含む電子部品５を移動させて電子部品５と非可逆回路素子３とを接触させた状態で基板２が冷却されてはんだが固化することにより、電子部品５が非可逆回路素子３に接触した状態で基板２に実装された複合電子モジュール１が製造される（ステップＳ１４）。

なお、非可逆回路素子３と離間して配置された電子部品５が、非可逆回路素子３の永久磁石の磁力により非可逆回路素子３に引き付けられて移動しても、電子部品５の外部電極５ａとの電気的な接続状態が維持されるように、電子部品５が磁力により移動する方向に電子部品５が移動する距離分を見越して、基板２の所定位置に形成される電極パッド２ａは、外部電極５ａよりもやや大きめの形状に形成されている。

また、電子部品５が基板２上の所定位置に配置された際に、はんだペーストの粘着力を超える永久磁石３ａ，３ｂの磁力により電子部品５が移動して、電子部品５と非可逆回路素子３とが接触しても、該接触状態でリフローされることにより、電子部品５と非可逆回路素子３とが接触した状態で基板２に実装されることとなるため、何ら問題はないのはもちろんである。

このようにすると、基板２にはんだペーストが塗布され、非可逆回路素子３および電子部品５が基板２の所定位置に離間した状態で配置された後に、非可逆回路素子３および電子部品５が所定位置に配置された基板２がリフローされることで、はんだペーストが溶融して粘性が弱まり、永久磁石３ａ，３ｂの磁力により電子部品５が移動して当該電子部品５と非可逆回路素子３とが接触するので、電子部品５が非可逆回路素子３に接触した状態で基板２に実装された複合電子モジュール１を容易に製造することができる。

以上のように、上記した実施形態によれば、磁性体を含む電子部品５は、永久磁石３ａ，３ｂ、フェライト３ｃおよび電極パターン３ｄで構成された非可逆回路素子３に接触した状態で基板２に実装されているため、例えば金属製のヨークを省略しても、非可逆回路素子３に接触して配置された電子部品５が永久磁石３ａ，３ｂの磁力により移動して位置ずれするおそれがなく、非可逆回路素子３の周辺に配置される電子部品５が永久磁石３ａ，３ｂの磁力により移動して位置ずれすることを防止することができる。

また、金属製のヨークなどを基板に実装しなくても、非可逆回路素子３に接触して配置された電子部品５が永久磁石３ａ，３ｂの磁力により移動して位置ずれするおそれがないため、ヨークなどの電磁シールドとして機能する部材を実装するためのスペースを基板２上に確保しなくてもよいので、複合電子モジュール１の小型化および低背化を図ることができる。

また、非可逆回路素子３の永久磁石３ａ，３ｂの磁力による影響を受けない位置に、電子部品５を非可逆回路素子３から離間して配置すると、非可逆回路素子３と電子部品５との間隔が広がり、複合電子モジュール１の小型化が妨げられるが、この実施形態では、非可逆回路素子３および電子部品５が接触して配置されているため、各部品間の距離がゼロとなり、実装機により非可逆回路素子３および電子部品５が基板２に離間して配置されて形成されたモジュールと比較すると、複合電子モジュール１のさらなる小型化を図ることができる。

また、永久磁石３ａ，３ｂは導電性を有するが、非可逆回路素子３の少なくとも電子部品５との接触部分には、絶縁性材料によるコーティングが施されているので、非可逆回路素子３と電子部品とが接触して配置されても、非可逆回路素子３と電子部品５とが電気的に接続されるおそれがないので実用的である。

また、非可逆回路素子３と電子部品５とが接触して一体的に基板２に実装されることにより、非可逆回路素子３および電子部品５が個別に基板２に配置されるのに比べると、実装されることにより非可逆回路素子３と電子部品５は基板２上で一体化され、電子部品５が非可逆回路素子３によって支持されるため実装部品のぐらつきなどが防止されて、複合電子モジュール１の機械的な強度が向上する。

＜他の実施形態＞
本発明の複合電子モジュールの他の実施形態について、図８を参照して説明する。図８は本発明の複合電子モジュール１０の他の実施形態を示す図である。この実施形態が上記した実施形態と異なる点は、永久磁石３ａ，３ｂを含む２個の非可逆回路素子３が、一対の永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向に、対となる磁極が接触した状態で配置されている点である。なお、その他の構成については、上記した実施形態と同様であるため、その構成については同一符号を付すことによりその説明を省略する。

このように構成すると、永久磁石３ａ，３ｂを含む２個の非可逆回路素子３が接触配置されているが、非可逆回路素子３の一対の永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向に接触した状態で配置されているため、一方の非可逆回路素子３が含む永久磁石３ａ，３ｂにより、他方の非可逆回路素子３のフェライト３ｃに印加される磁束が変化しないので、非可逆回路素子３の特性を変化させずに非可逆回路素子３どうしを接触して配置することができる。

なお、永久磁石を含む部品を非可逆回路素子３に接触して配置する際には、非可逆回路素子３の一対の永久磁石３ａ，３ｂの各磁極の並ぶ方向に接触した状態で永久磁石を含む部品を配置することにより、上記したように、非可逆回路素子３の特性を変化させずに永久磁石を含む部品を非可逆回路素子３に接触配置することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、図９に示すように、複合電子モジュール１に、段間フィルタ６（ＳＡＷフィルタ）や電力検出器７がさらに実装されていてもよいし、図１０に示すように、複合電子モジュール１に、デュプレクサ８がさらに実装されていてもよい。また、複合電子モジュール１に、図示省略したスイッチ、ダイプレクサなどのマルチプレクサ、カプラなどがさらに搭載されていてもよい。なお、図９および図１０は複合電子モジュールのそれぞれ異なる例の回路ブロック図である。

また、複合電子モジュール１は、非磁性体金属や磁性体金属などのカバーをさらに備えてもよいし、樹脂でモールドされてもよい。

また、非可逆回路素子３は、上記した構成を有するアイソレータに限られるものではなく、その他の構成を有する周知のアイソレータを適宜、非可逆回路素子３として採用してもよい。また、サーキュレータにより非可逆回路素子３を形成してもよい。

また、非可逆回路素子３に接触して配置される電子部品５は、永久磁石３ａ，３ｂの磁界による特性や動作などの変化が無視できるほど小さい、チップ抵抗やチップコンデンサが望ましいが、磁界による特性や動作の変化が大きい、チップコイルや小型スピーカ、マイクなどであっても、永久磁石３ａ，３ｂの磁界による影響を複合電子モジュールの設計段階において考慮することにより、非可逆回路素子３に接触して配置してもよいのはもちろんである。

また、基板２上に配設される電子部品としては上記した例に限られるものではなく、複合電子モジュール１の使用目的や設計に応じて、適宜、最適な電子部品を選択すればよい。

１ 複合電子モジュール
２ 基板
３ 非可逆回路素子
３ａ，３ｂ 永久磁石
３ｃ フェライト
３ｄ 電極パターン
５ 電子部品

Claims (5)

1. 永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、
   磁性体を含む電子部品と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備え、
   前記電子部品は、前記非可逆回路素子と接触した状態で前記基板に実装されている
   ことを特徴とする複合電子モジュール。
2. 前記非可逆回路素子の少なくとも前記電子部品との接触部分には、絶縁性材料によるコーティングが施されていることを特徴とする請求項１に記載の複合電子モジュール。
3. 前記非可逆回路素子は、一対の前記永久磁石を有し、一方の前記永久磁石の一の磁極と他方の前記永久磁石の反対の磁極との間に前記フェライトが配置されて形成されており、
   前記電子部品は、永久磁石を含む部品を含み、
   前記永久磁石を含む部品は、前記非可逆回路素子の前記一対の永久磁石の各磁極の並ぶ方向に前記非可逆回路素子と接触した状態で配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の複合電子モジュール。
4. 永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、
   磁性体を含む電子部品と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備える複合電子モジュールの製造方法において、
   接触状態の前記非可逆回路素子および前記電子部品を前記基板の所定位置に配置する工程
   を備えることを特徴とする複合電子モジュールの製造方法。
5. 永久磁石、フェライトおよび電極パターンで構成された非可逆回路素子と、
   磁性体を含む電子部品と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品が実装される基板とを備える複合電子モジュールの製造方法において、
   前記基板にはんだペーストを塗布する工程と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品を前記基板の所定位置に離間した状態で配置する工程と、
   前記非可逆回路素子および前記電子部品が所定位置に配置された前記基板をリフローすることにより前記はんだペーストを溶融し、前記永久磁石の磁力により前記電子部品を移動させて当該電子部品と前記非可逆回路素子とを接触させる工程と
   を備えることを特徴とする複合電子モジュールの製造方法。

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