CN110265326A - 用于衬底涂覆的气垫设备和技术 - Google Patents

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Abstract

能够在衬底上提供涂层。所述涂层的制造能够包括:在使用气垫在涂覆***中支撑衬底的同时,在衬底的指定区域中形成固体层。例如,在由气垫支撑衬底的同时,能够在指定区域上打印液体涂层。在已打印带图案的液体之后,能够固持衬底指定的持续时间。在使用气垫支撑衬底的同时,能够将衬底输送到处理区。能够处理液体涂层以提供固体层,包括继续使用气垫支撑衬底。

Description

用于衬底涂覆的气垫设备和技术
优先权要求
本专利申请要求以下各项中的每一项的优先权的权益:(1)2014年4月30日提交的标题为“Systems and Methods for the Fabrication of Inkjet printed EncapsulationLayers”的美国临时专利申请序列号61/986,868;以及(2)2014年5月23日提交的标题为“DISPLAY DEVICE FABRICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES USING INERT ENVIRONMENT”的美国临时专利申请序列号62/002,384,其中的每一项的全部内容特此通过引用并入本文。
背景技术
能够在衬底上形成材料层,以便提供电子装置的一个或多个功能层或非功能层。在一种方法中,这种装置上的膜层能够部分地经由使用许多技术中的任一种将一系列薄膜真空沉积于衬底上来制造,所述技术包括(但不限于)化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、溅射、电子束蒸发和热蒸发。然而,以此方式进行的真空加工相对:(1)复杂,通常涉及大真空室和泵送子***以维持这种真空;(2)浪费所沉积的原材料,因为在这种***中一大部分材料通常被沉积到沉积室内部的壁和夹具上,使得相比于沉积到衬底上的材料,通常更多的材料被浪费;以及(3)难以维持,诸如涉及频繁地停止真空沉积工具的操作以打开和从壁和夹具清洁去除累积的废料。在衬底的表面积大于通常可用的硅晶圆的表面积的情况下,这些问题提出了进一步挑战。
在某些应用中,能够期望以指定图案沉积膜。在另一种方法中,能够将粘敷涂层(blanket coating)沉积于衬底上,并且能够考虑光刻术以实现期望的图案。但是,在各种应用中,这种光刻工艺能够损害现有的所沉积的膜层。当使用真空沉积技术时,能够使用所谓的荫罩直接使所沉积的层形成图案。在这种情况下的荫罩包括带有用于沉积区域的切口的物理型板(stencil),其能够例如由金属片制成。荫罩通常在沉积之前与衬底对齐、被放置成接近或接触所述衬底,在沉积期间被保持在恰当位置,并且然后在沉积之后被移除。
经由荫罩进行的这种直接形成图案为基于真空的沉积技术增添了相当大的复杂性,其通常涉及额外的机构和夹具以相对于衬底准确地操纵和定位罩,从而进一步增加材料浪费(由于来自沉积到荫罩上的材料的浪费),并且进一步增加了对维护的需求以持续地清洁和更换荫罩。这种薄罩能够在大的区域上机械不稳定,从而限制了能够加工的衬底的最大尺寸,并且因此情况是再次地,对于表面积大于通常可用的硅晶圆的表面积的衬底,这些问题尤其具有挑战性。
附图说明
图1总体地图示涂覆***的至少一部分的平面图的示例。
图2总体地图示涂覆***的至少一部分的平面图的示例,所述涂覆***诸如能够包括两个或更多个打印区和处理区。
图3A至图3D总体地图示涂覆***的至少一部分的平面图的另外的示例。
图4A总体地图示一种技术(诸如,方法),其能够包括在衬底上形成有图案的固体层,诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的***。
图4B总体地图示一种技术(诸如,方法),其能够包括形成有机封装层(OEL),诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的***。
图5总体地图示描绘衬底的各种区域的示例。
图6总体地图示气体净化方案的示意性表示,所述气体净化方案能够关于本文中所描述的一个或多个其它示例的部分或整体使用,以便构建或维持封闭件中的受控环境。
图7总体地图示***的至少一部分的示例,所述***用于整合并控制一个或多个气体或空气源,以便构建作为漂浮输送***的一部分被包括的漂浮控制区。
图8A和图8B包括卡盘构造的说明性示例,所述卡盘构造能够构建加压气垫以诸如在沉积(例如,打印)、固持或处理过程中的一个或多个期间支撑衬底,以及在图8C中的所得的已加工衬底中实现对应的均匀性。
图9总体地图示说明处理***的图式的示例,所述处理***诸如能够被配置成使衬底暴露至诸如能够用在处理衬底上的涂层的光(例如,紫外光)。
图10A和图10B总体地图示处理***的至少一部分的示例,其能够包括诸如能够用在处理衬底上的涂层中的光源的线性构造。
图11A和图11B总体地图示***的一部分(诸如,包括转移模块)的视图,其能够作为涂覆***的一部分被包括,或能够被用以在由涂覆***加工之前或之后操控衬底。
图12总体地图示***的一部分(诸如,包括转移模块的另一示例),其能够作为涂覆***的一部分被包括或能够用以在由涂覆***加工之前或之后操控衬底。
图13A和图13B总体地图示***的一部分的视图,诸如能够包括能够用在加工衬底中的衬底加工区域的层叠构造。
具体实施方式
根据本教导的封闭的涂覆***的实施例能够对于广泛范围的技术领域中的多种设备和装置的制造中的衬底的涂覆而言是有用的,所述设备和装置例如(但不限于)有机发光二极管(OLED)显示器、OLED照明、有机光伏装置、钙钛矿太阳能电池、印刷电路板和有机及无机半导体装置或电路。
除其它之外,本发明人已认识到,能够在处于或接近大气压力的周围压力下在衬底上形成固体层,诸如使用打印技术以将液体墨沉积在衬底的指定区域上,并处理液体墨以使液体墨凝固从而提供固体层,包括在这种打印期间至少部分地使用气垫来支撑衬底,且包括在处理液体墨期间继续至少部分地使用气垫来支撑衬底。除其它之外,本发明人还已认识到,以此方式,能够减少许多操纵步骤,诸如以便实现以下各项中的一项或多项:减少延迟、减少在接合期间例如由操纵器对衬底的机械损害,或提高由本教导的涂覆***的各种实施例提供的固体层的均匀性。能够在本教导的涂覆***的实施例中执行的各种过程能够包括:在液体墨的这种打印之后且在处理之前,将衬底保持指定的持续时间,包括在所执行的各种过程期间继续至少部分地使用气垫来支撑衬底。
广泛地说,打印操作能够包括一个或多个液体涂覆过程,诸如喷墨打印、喷嘴打印、狭缝模头涂覆(有图案或无图案),或丝网印刷,且液体墨能够包括有机材料(例如,单体或聚合物)或无机材料中的一种或多种,并且能够包括载运流体(carrier fluid)。对液体墨的处理能够包括的曝光(例如,包括紫外光、红外光或可见光中的一个或多个)、加热或冷却、高于周围压力或者真空中的一者或多者。这种处理能够通过以下各项中的一者或多者导致液体墨的凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一者或多者,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化至另一种化合物)或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。所打印的层能够形成图案地或粘敷地涂覆在衬底上,并且能够涂覆以下各项或能够作为以下各项的一部分被包括:发光装置(例如,显示器或照明面板)、光吸收装置(例如,光电检测器或太阳能电池)、印刷电路组件或其它电子装置或电路。
除其它之外,本发明人已认识到,能够使用具有封闭件的***来实施打印技术和其它加工操作,所述封闭件被配置成提供受控的环境,所述受控环境诸如包括一定气氛,该气氛包括与沉积于被加工的衬底上或包括所述衬底的一个或多个物质种类最小程度地反应或不反应的气体,这种气体具有指定的纯度水平。这种指定的纯度水平也能够包括与使用本教导的涂覆***的实施例制造的装置的各种材料和部件反应的物质种类的受控的最大杂质浓度,诸如(但不限于)氧、臭氧和水蒸汽,以及各种有机溶剂蒸气。将各种反应性物质种类控制到指定的纯度水平能够在制造期间防止在衬底上制造的材料和装置的退化、在制造期间减少或防止杂质结合于制造在衬底上的材料和装置中(杂质的结合可随后引起、加速或促进在制造之后这种材料或装置的退化),或者阻止或抑制缺陷。也能够提供微粒控制,以便维持受控环境内的指定微粒水平。
封闭件的布置能够包括具有单个地维持的受控环境的相应模块,或这些模块中的一个或多个能够与其它模块共享受控环境。诸如气体净化、温度控制、溶剂减少或微粒控制的设施能够在模块之间共享,或者能够以专用方式提供。根据本教导的气体净化的各种示例能够包括将各种反应性物质种类(包括各种反应性气氛气体,诸如水蒸汽、氧、臭氧以及有机溶剂蒸气)的水平维持在1000 ppm或更低,例如在100 ppm或更低、在10 ppm或更低、在1.0 ppm或更低,或在0.1 ppm或更低。
能够使用有机材料(包括使用加工技术来提供一个或多个膜层)来制造各种装置(诸如,电子装置或光电子装置)。由于有机光电子装置的相对薄且平面的结构,其能够是体积紧凑的,并且诸如相比于其它显示技术,其提供提高的功率效率和提高的视觉性能。不同于竞争的技术,这种装置能够是机械柔性的(例如,可折叠或可弯曲),或光学透明的。有机光电子装置的应用能够包括例如普通照明、用作背光照明源或用作电致发光显示器中的像素光源或其它元件。一类有机光电子装置包括有机发光二极管(OLED)装置,其能够使用电致发光发射性有机材料(诸如,小分子材料、聚合物材料、荧光材料或磷光材料)来生成光。
在示例中,打印操作能够包括喷墨打印包括有机材料的液体墨,且处理液体墨能够包括将液体墨暴露于光(诸如,紫外(UV)光),以使液体墨固化从而提供固体层。固化过程(诸如,包括UV照明)能够诱发交联反应,由此形成带图案的固体层。例如,带图案的固体层能够涂覆制造在衬底上的发光装置或其它装置的至少一部分。固体层能够封装衬底上的指定区域,诸如将指定区域包括在层的层叠中从而形成封装结构。
能够使用本文中所描述的***和技术以支持加工一系列不同的衬底构造。例如,能够至少部分地使用本文中所描述的***或技术来制造平板显示装置。这种平板显示装置能够包括有机发光二极管(OLED)平板显示器。能够在衬底上加工若干OLED平板显示器。词语“衬底”或短语“所制造的衬底”的使用通常是指诸如能够包括OLED装置的在加工中(in-process)的组件。本文中的示例无需限制于具体面板几何形状或大小。例如,能够使用这种***和技术以支持在具有第2代(“Gen 2”)大小(诸如,具有包括大约37厘米(cm)乘大约47cm的尺寸的矩形几何形状)的衬底上的显示装置的制造。本文中所描述的***还能够用于稍微更大的衬底几何形状,诸如支持在具有第3.5代(“Gen 3.5”)衬底大小(诸如,具有包括大约61厘米(cm)乘大约72 cm的尺寸的矩形几何形状)的衬底上的显示装置的制造。本文中所描述的***还能够用于甚至更大的衬底几何形状,诸如支持在具有对应于“Gen 5.5”(具有大约130 cm×150 cm的尺寸),或“Gen 7”或“Gen 7.5”衬底(具有大约195 cm×225 cm的尺寸)的衬底大小的衬底上的显示装置的制造。例如,能够将Gen 7或Gen 7.5衬底分割(例如,切割或以其它方式分离)成八个42英寸(对角尺寸)或六个47英寸(对角尺寸)的平板显示器。“Gen 8”衬底能够包括大约216×246 cm的尺寸。“Gen 8.5”衬底能够包括大约220 cm×250 cm的尺寸,并且能够被分割以每个衬底提供六个55英寸或八个46英寸的平板。
能够使用本文中所描述的***和技术来支持超过Gen 8.5的尺寸。例如,能够至少部分地使用本文中所描述的***和技术来制造具有大约285 cm×305 cm或超出该尺寸的尺寸的“Gen 10”衬底。本文中所描述的面板尺寸虽然通常可应用于玻璃衬底,但其也能够应用于适合在显示装置制造(且特别是能够包括使用打印技术形成一层或多层的OLED显示器制造)中使用的任何材料的衬底。例如,能够使用多种玻璃衬底材料以及多种聚合衬底材料(例如,聚酰亚胺)。
图1总体地图示涂覆***2600的至少一部分的平面图的示例。***2600能够被配置成在衬底的指定区域(诸如,面向上的衬底的第一侧)中提供固体层。固体层能够覆盖衬底的至少一部分(诸如,以指定图案形成)。***2600能够包括多个区的布置,诸如每个区被配置成至少部分地使用气垫布置来支撑衬底,所述气垫布置使用被提供到衬底的与第一侧相对的第二侧的加压气体。例如,固体层能够带图案地或粘敷涂覆在衬底上,并且能够覆盖以下各项或能够作为以下各项的一部分被包括:发光装置(例如,显示器或照明面板)、光吸收装置(例如,光电检测器或太阳能电池)、印刷电路组件或其它电子装置或电路。
涂覆***2600能够包括打印***2000,所述打印***2000诸如能够包括被配置成将液体涂层沉积于衬底的指定区域上(例如,提供粘敷或带图案的液体涂层)的喷墨打印头。例如,打印***2000能够包括用于将墨滴可靠地放置在衬底上的特定位置上的设备。这种设备能够包括以下各项中的一者或多者:打印头组件2501、墨递送***、衬底支撑设备(诸如,提供加压气体的平台(例如,漂浮“台”)、装载和卸载设备以及用于打印头的管理的设施。
在图1的说明性示例中,打印***2000能够包括桥2130,所述桥诸如附接到起升器(riser)。桥能够支撑第一滑架(carrier)组件2301和第二滑架组件2302,其中这种滑架能够沿桥2130沿至少一个轴线(例如,“X轴线”)运动。第一滑架组件能够控制打印头组件2501横跨桥2130的运动,诸如使用线性空气轴承运动***,这能够是固有地低颗粒生成的。在示例中,第一滑架组件2301或第二滑架组件2302中的一者或多者能够具有安装于其上的竖直(例如,“Z轴线”)运动板。在示例中,第一滑架组件2301和第二滑架组件2302能够各自承载打印头组件。在另一示例(诸如图1中所示)中,第一滑架组件2301能够承载打印头组件2501,且第二滑架组件2302能够承载一个或多个摄像机(诸如,用于监测或检查衬底涂覆操作的摄像机2303)。
每个打印头组件(诸如,打印头组件2501)能够具有安装在至少一个打印头装置中的多个打印头。打印头装置能够包括例如(但不限于)与至少一个打印头的射流连接(fluidic connection)和电子连接;每个打印头具有能够以受控速率、速度和大小喷射墨水的多个喷嘴或口。例如,打印头组件2501能够包括大约1个到大约60个之间的打印头装置,其中每个打印头装置能够具有在每个打印头装置中大约1个到大约30个之间的打印头。根据说明性示例,打印头(例如,工业喷墨头)能够具有大约16个到大约2048个之间的喷嘴,所述喷嘴能够排出大约0.1皮升(pL)到大约200 pL之间的液滴体积。
如上文所提及的,打印操作能够包括一个或多个液体涂覆过程,诸如喷墨打印、喷嘴打印、狭缝模头涂覆(有图案或无图案),或丝网印刷,且液体墨能够包括有机材料(例如,单体或聚合物)或无机材料中的一种或多种,并且能够包括载运流体。处理液体墨能够包括以下各项中的一者或多者:曝光(例如,包括紫外光、红外光或可见光中的一者或多者)、加热或冷却、高于周围压力或真空。这种处理能够通过以下各项中的一者或多者导致液体墨的凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一种或多种,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化至另一种化合物)或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。在另一种方法中,固相材料能够被热汽化以便通过喷射沉积到衬底上。在又一种方法中,材料能够被溶解或以其它方式悬浮在载运液体中,并且包括所述材料的层能够通过以下步骤形成:将连续的流体流从喷嘴分配到衬底上以形成线条(所谓的“喷嘴打印”或“喷嘴喷射”)并且随后使载液蒸发以提供线条图案的层。
在打印液体涂层之前,能够由操纵器(例如,转移机器人)通达区域2100以便允许将衬底放置在第一区Z1的区域2100中(例如,如由朝向区域2100的箭头所指示的那样)。然后至少部分地由加压气体支撑衬底(诸如在第一区Z1的区域2100中)。打印***能够具有在第一区Z1中的第二区域2200,以便提供加压气体与真空的组合,从而更准确地控制衬底的漂浮“飞行高度(fly height)”(诸如在打印操作期间或之后)。下文关于图7的说明性示例提供使用仅压力或使用压力与真空的组合的进一步论述。
返回参考图1,能够至少部分地使用位于第一区Z1中的漂浮台来输送衬底。能够通过衬底的机械接合来增强或以其它方式促进这种输送,所述机械接合诸如包括使用辊或夹持器(例如,真空夹持器)中的一者或多者,如在下文的示例中进一步论述的。第一区Z1、第二区Z2或第三区Z3中的一者或多者能够被配置成至少部分地使用气垫来持续地支撑衬底。例如,在打印操作之后,能够诸如沿由包括箭头的曲线所指示的路径诸如经由第二区Z2将衬底输送至作为处理***3000的一部分被包括的第三区Z3。这种输送能够包括在输送和贯穿处理期间继续至少部分地使用气垫支撑衬底。处理***3000能够处理液体涂层(例如,所打印的液体墨)以在衬底上提供固体层。
如上文所提及的,液体墨的处理能够包括以下各项中的一个或多个:曝光(例如,包括紫外光、红外光或可见光中的一个或多个)、加热或冷却、高于周围压力或真空。这种处理能够通过以下各项中的一个或多个导致液体墨的凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一种或多种,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化到另一种化合物)或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。所打印的层能够带图案地或粘敷涂覆在衬底上,并且能够覆盖以下各项或能够作为以下各项的一部分被包括:发光装置(例如,显示器或照明面板)、光吸收装置(例如,光电检测器或太阳能电池)、印刷电路组件或其它电子装置或电路。
例如,处理***3000能够包括一个或多个光源(例如,一个或多个可见光源、红外光源或紫外光源,诸如源910)。源910能够包括“条”源的线性阵列,所述阵列诸如能够包括紫外发光二极管阵列,如关于本文中其它示例所论述的那样。能够平移或扫描衬底或源910中的一个或多个,以便在衬底的指定区域上实现曝光的期望的受控持续时间或剂量。这种曝光能够被用于加热衬底(例如,使用红外光或可见光)或引发化学反应(例如,交联或化学转化)。所述处理无需包括使用光。例如,处理***3000能够被配置成加热或冷却衬底,或者为衬底提供一定环境,以便从一种状态演变到另一种状态。
例如,处理能够包括使用加热来烘烤或干燥衬底。这种加热能够是对流驱动(例如,使用气垫或构建其它气体流)或辐射驱动(例如,使用一个或多个源,诸如提供红外辐射的灯)中的一种或多种。如下文在其它示例中所论述的,能够控制在处理区3000或其它地方中在处理期间衬底的温度,诸如使用以下各项中的一者或多者:横穿衬底表面的温度受控气体流(诸如,层流)的受控应用,能够提供所述温度受控的气体流以流动穿过衬底的平面;或使用作为用以支撑衬底的气垫的一部分被提供的温度受控流。这种对流技术能够被用于处理衬底,以烘烤或干燥液体涂层从而使液体涂层凝固,从而提供固体层。这种对流技术能够与辐射处理相结合,诸如能够包括使用红外灯以实现烘烤或干燥液体涂层中的一者或多者。处理能够包括提供环境以使衬底上的一个或多个层致密化,诸如能够包括烘烤操作。在另一个示例中,在处理期间能够使用至少部分真空环境,诸如也能够包括衬底的辐射处理。
在示例中,能够在打印操作之后但在处理操作之前将衬底固持指定的持续时间(或直至满足指定的标准),以便允许衬底从一种条件演变到另一种条件。在出于使衬底演变的目的进行固持的情况下,例如,能够固持衬底以便允许所打印的液体层沉降(settle)或流动。如在上文的示例中那样,在这种演变期间,能够通过横穿衬底表面的温度受控气体流(诸如层流)的受控应用控制衬底的温度,能够提供所述温度受控气体流以流动穿过衬底的平面。
能够在衬底位于第一区Z1的区域2100或2200中的任一者中的情况下执行固持。例如,能够在打印操作之后使第一衬底在打印区Z1中保持静止指定的固持持续时间。然而,能够诸如通过将衬底输送至第二区Z2并将第二区Z2的至少一部分用作固持区或执行一个或多个其它操作来提高生产量。例如,能够将另一个衬底递送到***2600的第一区Z1以进行打印操作,并且能够将第一衬底输送到第二区Z2以空出发生打印的区域。如果第二区是细长的,则一系列衬底能够被固持或连续地输送通过区Z2。第二区Z2也能够被用于使等待处理或其它加工(例如,衬底无需被固持在区Z2中仅指定的持续时间,或者仅针对从一种状态演变到另一种状态)的一系列衬底排队或缓冲,或能够在第二区Z2中执行加工,诸如能够包括烘烤或干燥衬底中的一种或多种。能够使用其它配置,诸如在图2、图3A、图3B、图3C或图3D的示例中所示。额外地或代替地,第三区Z3能够被用于在打印之后但在处理之前将衬底固持指定的持续时间。
涂覆***2600能够位于封闭件1010内,以便提供处于或接近大气压力的受控的加工环境。能够构建这种受控的加工环境以保持低于微粒污染水平、水蒸汽含量、氧含量、臭氧含量和有机蒸气含量中的一者或多者的指定限制。例如,受控的加工环境能够包括氮或另一种气体或指定与使用***2600沉积在所加工的衬底上的物质种类最小程度地反应或不反应的气体的混合物。如下文在其它示例中所描述的,能够至少部分地使用被包括在***2600的各种部分内或联接到***2600的各种部分的气体净化***来构建这种受控的加工环境。也能够控制受控环境的微粒水平,诸如使用联接到***2600或位于***2600内的设备。在示例中,封闭件1010能够包括在没有加压的惰性气体再循环***的情况下构建的环境,诸如能够包括封闭件1010被维持在相对于外部压力略为正的内部压力下,以便保护使得如果封闭件1010中发生任何泄漏,外侧气体或空气不能够进入内部。根据本教导的封闭件1010和***2600的各种说明性示例,能够将封闭件1010的内部维持在相对于封闭件1010外部的周围气氛,例如至少2毫巴的压力下,例如至少4毫巴的压力下、至少6毫巴的压力下、至少8毫巴的压力下或更高压力下。
图2总体地图示涂覆***2700的至少一部分的平面图的示例,其诸如能够包括两个或更多个打印区和处理区。图2能够包括两个或更多个涂覆***2600A或2600B,诸如每个涂覆***均具有与上文关于图1论述的***2600的构造相同或相似的构造。在图2中,能够将衬底4000运送到第一涂覆***2600A的区Z1A中,所述衬底诸如在打印过程期间至少部分地使用由打印区Z1A中的漂浮台所提供的气垫来支撑。例如,包括端部效应器(effector)1420的操纵器2732能够被用于操控衬底4000,以便将衬底4000放置在恰当位置中,以便在区Z1A中进行打印或处理操作,或在这种操作之后诸如从区Z3A取回衬底。在图2的说明性示例中,除了具有其它自由度之外,操纵器2732还能够横越轨2734。
能够使用各种运输技术,使用漂浮台级输送***在涂覆***2600A内转移衬底4000(诸如,通过第二区Z2A)。这种技术能够包括使用线性空气轴承或机械轴承***、用于固持衬底的夹持器组件、辊等等中的一者或多者。如本文先前所论述的,能够将衬底4000保持在固持区中指定的固持持续时间或由其它加工活动的延迟确定的持续时间(诸如,在已完成打印过程之后且在处理操作之前)。在这种固持操作期间,能够继续至少部分地使用气垫来支撑衬底4000。
能够将衬底4000运输到处理区Z3A,所述处理区诸如作为处理***3000A的一部分被包括。如在本文中其它地方所论述的,能够使用各种技术处理衬底4000以便通过使液体层凝固来形成固体层。这种处理能够通过以下各项中的一个或多个导致液体墨凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一种或多种,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化到另一种化合物)或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。在涂覆***2600A内的加工期间,能够在整个序列的加工操作(包括打印、固持和处理中的一个或多个)期间至少部分地使用气垫来支撑衬底4000。
除其它之外,本发明人已认识到,以这种方式,能够减少许多包括机器人(例如,操纵器2732)的操纵步骤,诸如以便实现以下各项中的一个或多个:减少延迟、减少在接合期间由操纵器2713对衬底的机械损害,或提高由涂覆***2600A提供的固体层(例如,膜层)的均匀性。上文提及的各种运输技术能够被用于输送衬底通过涂覆***2600A,诸如在除了包括所制造的电子装置的衬底的显示区域之外的指定区域中接触衬底,或至少部分地使用与这种区域相对的气垫来支撑衬底。
***2700能够包括诸如类似于第一涂覆***2600配置的第二涂覆***2600B,所述第二涂覆***诸如包括第一区Z1B、第二区Z2B和第三区Z3B,连同打印***2000B和处理***3000B。第二涂覆***2600B能够被配置成打印液体层,并且然后以类似于第一涂覆***2600B的方式处理液体层以提供固体层。以此方式,相比于仅具有单个打印***2000或单个涂覆***2600A或2600B的拓扑结构,第二涂覆***2600B能够提供冗余或提高的生产量中的一者或多者。在示例中,由第二涂覆***2600B提供的固体层能够不同于由第一涂覆***块2600A提供的层(例如,在组成方面或在衬底上涂覆的位置方面)。
***2700能够包括各种封闭件,诸如用于第一涂覆***块2600A的第一封闭件1010A和用于第二涂覆***块2600B的封闭件1010B。所述封闭件能够各自具有如关于本文中的其它示例所论述的受控环境。操纵器2732能够位于转移模块1400B内,所述转移模块也具有受控环境。转移模块1400B的内部环境能够通常与第一涂覆***块2600A或第二涂覆***块2600B中的一个或多个一起维持,或能够单独维持。例如,那个在操纵器2732放置衬底或从第一涂覆***块2600A或第二涂覆***块2600B取回衬底处的区域中使用一个或多个闸式阀或气帘布置。
***2700能够包括一个或多个其它模块(诸如,第一模块1100A或第二模块1100B),所述模块能够包括贯通布置或负载锁定布置中的一者或多者。例如,模块1100B(例如,“输出”模块)能够包括负载锁定布置,所述负载锁定布置至少部分地被配置成使衬底4000从转移模块1400B内的第一环境过渡到不同于转移模块1400B的环境的另一个环境(例如,从真空环境过渡到处于或接近大气压力的压力/从处于或接近大气压力的压力过渡到真空环境,或从具有不同受控特性(诸如气体、湿度、微粒或其它组成中的一个或多个)的气氛环境过渡/过渡到所述气氛环境)。类似地,模块1100A(例如,“输入模块”)能够包括负载锁定布置或贯通布置。另一个转移模块1400A能够包括操纵器1410,以便将衬底4000放置到模块1100A中或从模块1100A取回衬底4000。能够包括其它模块,诸如第一加工或固持模块1200A,或者第二加工或固持模块1200B。这种加工或固持模块1200A或1200B能够包括衬底4000位置的层叠布置,诸如在图13A或图13B的示例中说明性地示出的那样。这种层叠布置能够被用于在加工之前或之后固持衬底,或用于其它目的。例如,除了仅简单地出于衬底流管理的目的固持衬底(诸如,固持衬底一定时间段直到另一个模块准备好接收其,或者提供位置以固持有缺陷或受损的衬底直到能够将其移除)之外,也能够使用加工或固持模块来固持衬底一定时间段作为功能加工流的一部分。
第一模块1100A或第二模块1100B能够联接到真空源或净化源或两者,并且能够被配置成用于独立地密封通向***2700的界面端口以及通向前个或下个环境(其能够是周围环境或与另一封闭加工模块相关联的受控环境)的界面端口。以此方式,第一模块1100A或第二模块1100B能够内部地密封,并且能够使模块1100A或1100B的内部环境在不与***2700的其它部分相容的环境到相容的环境(例如,处于大约大气压力下或高于大气压力的受控环境,当所述受控环境经由界面端口暴露于***2700时,其将实质上维持***2700中的受控环境的品质)之间过渡。类似地,能够使用第一模块1100A或第二模块1100B以将衬底转移到适合于其它加工的环境(例如,处于或接近大气压力但具有与受控环境不同的组成的第二环境,或真空环境)。以此方式,第一模块1100A或第二模块1100B能够在***2700的受控环境与其它设备之间提供转移管道。第一模块1100A或其它模块能够包括永久附接的构造,或者推车或其它可运输构造。
在示例中,模块(例如,第一模块1100A或第二模块1100B)然后能够设有非反应性气氛或以其它方式使用净化气体流“充装”(诸如包括一个或多个净化操作),以准备负载模块(例如,第一模块1100A或第二模块1100B)的内部区域以便暴露于封闭***2700的内部部分。例如,一个或多个所述模块的内部区域能够至少部分地被排空或净化,以便以超出由***2700的其它部分限定的封闭区域内的受控加工环境的微粒污染水平、水蒸汽含量、氧含量、臭氧含量和有机蒸气含量的指定限制的方式避免污染。
类似地,在由***2700加工之后,能够将所加工的衬底放置在第一模块1100A或第二模块1100B中。作为说明,模块(例如,第一模块1100A或第二模块1100B)能够与***2700中的其它地方的非反应性气体环境隔离,诸如联接至真空源,将被排空以便在真空条件下进行后续加工,或以其它方式用于将所制造的衬底运输到其它设备或在真空条件、周围条件或某些其它静态受控环境下进行加工。作为进一步说明,第一模块1100A或第二模块1100B中的一个能够被配置成将衬底提供于***2700内的受控加工环境,而不使封闭区域内的反应性物质种类的浓度升高多于例如百万分之1000,或类似地,不使周围颗粒水平升高多于指定量,或不使多于每平方米衬底面积指定数量的具有指定大小的颗粒沉积到衬底上。
在示例中,第一模块1100A能够通过端口(例如,包括具有实质上气体不可渗透密封件的物理门)或气帘联接到其它模块。当端口打开时,能够由位于第一转移模块1400A中的操纵器通达第一模块1100A的内部。操纵器1410能够包括机器人组件,该机器人组件具有各种自由度,以便使用端部效应器来操控衬底。这种端部效应器能够包括例如配置成通过重力支撑衬底的叉状件、托盘或框架,或端部效应器能够牢固地抓持、夹持或以其它方式保持衬底,以便允许使衬底从面向上或面向下的构造重新取向至一个或多个其它构造。能够使用其它端部效应器构造,诸如包括气动或真空操作的特征,以或者致动端部效应器的部分,或者以其它方式保持衬底。下文描述包括操纵器的转移模块的另外的说明性示例。
能够使用其它涂覆***构造,诸如具有类似于图1或图2的示例的方面,但具有不同的线条构造或“拓扑结构”。例如,图3A至图3D总体地图示涂覆***的至少一部分的平面图的另外的示例。图3A总体地图示能够被称为“U”构造的涂覆***2800A,诸如用于提供液体层,并处理所述液体层以提供固体层。***2800A能够包括打印***2000,诸如具有包括漂浮台设备的第一区Z1,所述漂浮台设备被配置成至少部分地使用气垫来支撑衬底4000(如在其它示例中)。第二区Z2A至Z2N能够被用作固持或加工区域5000A至5000N,以便在打印操作之前或之后固持一系列衬底,包括继续至少部分地使用气垫支撑衬底。能够提供处理***3000,诸如具有第三区Z3。
在顺列式(in-line)示例中,能够将衬底4000引入***2800A中(诸如,通过第一模块1100A)。衬底能够由诸如位于转移模块1400B内的操纵器2732操控,并被放置在区Z1中的漂浮台上以便进行打印操作。能够沿区Z1到区Z2A至Z2N输送衬底4000,并且然后输送到区Z3以便进行处理操作。在区Z1、区Z2A至Z2N和区Z3中的横越或操作期间,能够至少部分地使用气垫来支撑(诸如持续地支撑)衬底4000。如上文所提及的,除气垫布置之外,还能够使用其它运输技术。在完成一序列至少一个打印和处理操作时,能够由操纵器2734取回衬底并将其放置在第二模块1100B中,诸如以便进行进一步加工。如果包括第二打印***,则图2的拓扑结构能够扩展以形成“M”构造。包括一个或两个打印***(例如,打印***2000)是说明性的,并且能够包括额外的打印***,以便提高生产量、增加冗余或者提供额外的加工操作。
图3B总体地图示能够包括“部分圆盘传送带(carousel)”构造的***2800B,诸如包括能够旋转以允许将衬底输送到***2800B的各种部分的旋转部分3001(例如,平台、室或其它构造)。如在其它示例中那样,能够将衬底4000引入至诸如第一模块1100A,在所述第一模块处,操纵器1410能够取回衬底4000并将其放置在区Z1中以便进行打印操作。然后能够将衬底4000输送到区Z2A或Z2B中的一者,诸如以便在固持或加工区域5000A或5000B中进行固持操作或其它加工,包括继续至少部分地使用气垫支撑衬底4000。能够将衬底4000输送回区Z1,然后在旋转部分3001的旋转之后,然后能够将衬底4000输送到区Z3,诸如以便进行处理操作。在示例中,能够将衬底4000直接从区Z1输送到区Z3,而无需在区Z2A或Z2B中进行固持或其它加工。例如,如果区Z2A或Z2B已被占用,则能够在打印区Z1或处理区Z3中发生固持或其它加工。在打印和处理之后,能够将衬底输送回沿区Z1的位置,诸如以便由操纵器1410进行取回。能够使衬底返回模块1100A或将其放置在另一个模块1100B中,诸如以进行进一步加工。在其它示例中,其它漂浮台输送结构能够沿除朝向区Z1的方向之外的方向径向地延伸。
图3C总体地图示“弧”拓扑结构,所述拓扑结构诸如能够包括转移模块1400C,所述转移模块在径向位于转移模块1400C周围的点处与***2800C的各种部分连接。例如,能够将衬底4000引入***2800C(诸如经由第一模块1100A)。操纵器1410能够从第一模块1100A取回衬底4000,并将其放置在区Z1中,诸如以便使用打印***2000进行打印操作。然后能够将衬底4000输送至区Z2A中的区域5000A,诸如在区Z2A中保持静止指定的持续时间,或在指定的持续时间内横越包括区域5000A至5000N的区Z2A至Z2N。能够在处理区域3000中处理衬底4000,并且然后由操纵器1410取回所述衬底,诸如以便放回模块1100A中或输出模块(诸如模块1100B)中。
图3D总体地图示***2800D的至少一部分的视图的另一示例,所述***2800D能够被用于在衬底4000上提供固体涂层。***2800D能够包括***的至少一部分的层叠构造。虽然图3A、图3B和图3C的示例总体地图示了单个衬底高度(例如,衬底实质上在衬底自身的平面中在操作之间被侧向输送),但这种示例能够与本文中所描述的其它示例结合,诸如包括具有层叠构造的一个或多个部分。***2800D能够包括模块1100A(诸如输入模块),所述模块诸如联接至转移模块1400B。转移模块1400B能够包括操纵器2732,诸如能够横越轨2734以通达***2800D的其它部分。转移模块1400B能够联接到***2800的其它部分,诸如模块1100B(例如,输出模块),或者一个或多个其它模块(诸如,固持或加工模块1200A,或者固持或加工模块1200B)。
操纵器2732能够向打印***2000附近的第一区Z1提供衬底,诸如以便将液体墨层沉积(例如,打印)于衬底4000上。然后能够经由漂浮台级输送***2630将衬底4000输送到区域5000中区Z2A至Z2N的层叠阵列中的指定的一者。能够使这种区Z2A至Z2N下降或上升,例如,使得层叠阵列中的指定一者在打印区Z1的实质上相同的平面中被侧向地对齐,以便输送衬底。在区域5000中固持指定的持续时间或经历其它加工之后,或直至诸如作为处理***3000的一部分被包括的区Z3可用为止,区Z2A至Z2N中的指定一者能够与区Z3对齐,且能够经由漂浮将衬底输送到区Z3。在图3D的示例中,区Z3被示为具有大约与Z1相同的高度,但情况无需如此。例如,处理区Z3能够处于与区Z2A至Z2N或者打印区Z1不同的高度。
如在上文的其它示例中那样,在诸如***2800D内的打印或处理的操作期间,能够贯穿一序列过程将衬底4000至少部分地支撑在气垫上,诸如减少操纵步骤或衬底4000与加工设备之间的机械接触中的一者或多者。在不受理论束缚的情况下,相信涉及操纵器2732的操纵步骤的这种减少或者机械接触的减少能够提高涂覆层均匀性,诸如通过帮助抑制微粒污染物的形成或循环,或通过帮助抑制由于热或静电非均匀性造成的遍及衬底的非均匀性。
图4A总体地图示一种技术6001(诸如方法),其能够包括在衬底上形成涂层,诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的***。在某些操作期间(诸如在打印、固持或处理中的一者或多者期间),能够由漂浮设备使用加压气体或加压气体与真空的组合来支撑衬底。在6101处,能够将衬底转移到涂覆***。例如,能够在诸如具有制造在衬底上的一个或多个层的其它地方加工衬底。如上文所提及的,衬底能够包括带图案的或粘敷涂覆在衬底上的层,并且这种层能够覆盖以下各项或能够作为以下各项的一部分被包括:发光装置(例如,显示器或照明面板)、光吸收装置(例如,光电检测器或太阳能电池)、印刷电路组件或者其它电子装置或电路。
在6201处,能够将衬底支撑在涂覆***中,诸如至少部分地使用被提供至衬底的与待形成带图案的固体层的区域相对的侧面的气垫,诸如包括继续至少部分地使用气垫支撑衬底。在6301处,能够在衬底上沉积液体涂层,诸如使用打印技术。广泛地,打印操作能够包括一个或多个液体涂覆过程,诸如喷墨打印、喷嘴打印、狭缝模头涂覆(带图案或无图案),或丝网印刷,且液体墨能够包括有机材料(例如,单体或聚合物)或无机材料中的一种或多种,并且能够包括载运流体。
可选地,在6401处,能够固持衬底,诸如在被布置成用于这种固持的区域或区(例如,沿漂浮台布置定位或作为漂浮台布置的一部分被包括的区)中。这种固持能够发生指定的固定持续时间,或者能够被指定为包括足够的持续时间以准许衬底从一种状态过渡或演变到另一种不同状态。还能够至少部分地由其它加工区域(诸如处理区域)的延迟或可用性来构建这种固持。在固持操作期间,能够继续至少部分地由气垫支撑衬底。在6501处,能够将衬底输送到处理区,包括继续至少部分地使用气垫支撑衬底。在示例中,6501处的输送能够发生在6401处所提及的可选的固持之前。在另一个示例中,能够在衬底仍位于打印区中的同时发生6401处所提及的可选的固持。
在6601处,能够处理6301处提供的液体涂层。液体墨的处理能够包括以下各项中的一项或多项:曝光(例如,包括紫外光、红外光或可见光中的一者或多者)、加热或冷却、高于周围压力或真空。这种处理能够通过以下各项中的一项或多项导致液体墨的凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一种或多种,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化到另一种化合物),或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。在图4B的示例中,这种处理包括暴露于紫外光,以便提供对应于沉积液体墨的一个或多个区域的带图案的固体层。
能够使用沉积在制造于衬底上的装置上的一个或多个膜层来封装电子装置(诸如发光装置或光吸收装置)的部分。在示例中,这种膜层能够包括层(包括无机材料和有机材料)的层叠或其它构造。图4B总体地图示一种技术6002(诸如方法),其能够包括形成有机封装层(OEL),诸如能够包括使用图1、图2或图3A至图3D的示例中所示的涂覆***的一个或多个方面。这种OEL能够作为封装结构的一部分被包括。
在6102处,能够将衬底转移到封闭的有机薄膜封装***,所述封装***被配置成在衬底的第一侧上的指定区域中沉积层(例如,带图案的有机层),所述有机层覆盖制造于衬底上的装置的至少一部分。在6202处,能够至少部分地使用气垫在封闭的薄膜封装***中支撑衬底,所述气垫被提供于衬底的与指定区域相对的第二侧。在6302处,能够将液体墨(在示例中,其能够是有机单体基墨)打印(例如,喷墨打印)在衬底的指定区域上,并且其中衬底位于包括打印***的打印区中,同时至少部分地由气垫支撑衬底。在6402处,能够将衬底输送到固持区,并且能够固持衬底指定的持续时间,包括继续至少部分地使用气垫支撑衬底。在6502处,能够将衬底输送到处理区,包括继续至少部分地使用气垫来支撑衬底。如关于其它示例所提及的,将衬底输送到处理区能够发生在固持之前或之后,并且固持操作无需在固持区中执行。例如,代替地或另外地,能够在打印区或处理区中的一者或多者中执行这种固持。
在6602处,能够处理衬底,包括处理液体墨(在示例中,其能够是有机单体基墨),以在指定区域中在衬底上提供聚合有机层,所述处理在继续至少部分地使用气垫支撑衬底的同时发生。带图案的有机层能够包括封装结构的一部分,所述结构被构建成封装衬底上的发光装置的至少一部分。
图5总体地图示描绘衬底4000的各种区域的示例,所述衬底诸如能够至少部分地使用加压气体端口或加压气体区域,或者这种加压气体连同真空端口或真空区域一起的组合被支撑。衬底4000能够包括玻璃材料或一种或多种其它材料。在平板显示器的说明性示例中,衬底4000能够或者包括单个大显示器,或者包括能够从衬底4000分割的两个或更多个更小的显示器。在图5的说明性示例中,示出四个显示区域4002A、4002B、4002C和4002D。这些显示区域能够被称为(例如)“活动”区域或“发射区域”。在该示例中,使用术语“活动(active)”并非从某种程度上暗示这种区域在加工期间是实际上光学发射性的,而是指能够包括被配置成发射光的装置的区域或者以其它方式形成为最终用户可见的显示器的发射性或透射性部分的区域。通常,区域4002A至4002D中的可见缺陷将被认为是最终用户所不能够接受的,并且相应地能够使用各种技术以便提高区域4002A至4002D的可见均匀性。衬底4000的面板构造的其它变型是可能的。例如,衬底4000能够包括单个显示器或OLED装置的阵列。在其它示例中,衬底4000能够分成两个、四个或八个区域,诸如构建用于支撑的对应周界,或诸如具有如在本文中的其它示例中所提及的对应的分布式多孔介质区域。对于其中其它装置(诸如光学、电学或光电子装置)位于衬底上且被涂覆(诸如被涂覆有有机封装层)的其它制造示例,能够调整“活动”的定义以合适地涵盖对应于那些装置的区域。这种装置的示例能够包括电子电路、太阳能电池、印刷电路板和平板显示器。
在示例中,能够在加工期间提供支撑,诸如使用在显示区域4002A至4002D中构建在衬底下方的表面上的加压气垫。通过衬底与夹具(诸如能够包括夹持器、辊、提升销(liftpin)或其它夹具中的一者或多者)之间的物理接触能够接合区域4004,所述区域4004围绕衬底4000的周边延伸并且延伸进入显示区域4002A至4002D中的每一个之间的内部空间中。这种区域4004能够被称为“不得入内”区域,其指示能够使显示器的发射或活动元件(或如上文关于除显示器之外的其它类型的装置提及的其它元件)避开这种接合区域(或反之亦然)。例如,一个或多个“提升销”能够位于如图5中说明性示出的区域中,诸如在第一区域2124A、第二区域2124B(例如,在显示区域4002A与4002B之间的位置中),和“第N”区域2124N中。这种提升销能够提供衬底4000与一个或多个端口或分布式加压气体源之间的增加的空隙,所述分布式加压气体源诸如能够被用于在区域4002A、4002B、4002C或4002D中支撑衬底。
漂浮平台或卡盘能够包括小压力孔的连续阵列,或连续多孔板,从而诸如提供加压气体流使衬底能够浮在其上。仍能够在卡盘表面(诸如2124A和2124B)中例如为提升销(当收回时其安置于卡盘表面之下)提供洞(hole),但由于衬底在卡盘表面上方漂浮,所以能够减少或消除在这种洞之上的涂层中“不均瑕疵(mura)”或不均匀性的存在。以此方式,即使位于区域4002A至4002D之间的内部区域也可以被用作活动区域,改进生产率并且使得能够制造更大的连续活动装置。如在还有的其它示例中,能够使用加压气体端口与真空端口的组合,诸如在其它地方示出和描述的那样。例如,能够诸如在区域2124A至2124N中诸如通过一个或多个真空端口(例如,环形端口或狭槽)来保持衬底4000,如在区域4004中所示。
如上文所提及的,这种区域4004能够再次包括衬底4000的周边。在说明性示例中,在某些加工操作期间(诸如在沉积(例如,在衬底4000上打印材料)、固持、处理或其它加工中的一个或多个期间),衬底4000与任何夹具之间的物理接触通常能够限于这种周边区域4004。这种区域4004能够例如从衬底的边缘向内延伸100毫米或200毫米。在其它地方,能够使用一个或多个加压气体端口在区域4002中至少部分地支撑衬底。真空端口与加压气体端口的这种组合能够避免在大衬底4000上施加不当的应力,因为衬底能够被物理地支撑在周边区域4004中,并且至少部分地由加压气体支撑在中央区域4002中。以此方式,衬底4000是包括被制造的单个大显示器还是若干更小的显示器是无关紧要的。因此,针对多种不同的显示器构造,能够使用普通输送机或漂浮台构造,因为在用加压气体支撑衬底4000(例如,居中地)的同时能够将接触限制于衬底4000的周边区域4004。
在其中衬底4000能够排他地由气垫支撑的加工中,能够通过端口或分布式区域的布置施加正气体压力与真空的组合。具有压力和真空控制两者的这种区能够有效地在漂浮台或平台与衬底4000之间提供射流弹簧(fluidic spring)。正压力与真空控制的组合能够提供带有双向刚度的射流弹簧。存在于衬底(例如,衬底4000)与表面之间的间隙能够被称为“飞行高度(fly height)”,并且能够通过控制正压力和真空端口状态来控制或以其它方式构建这种高度。以此方式,能够小心地控制衬底取向,诸如针对打印、固持、处理或其它加工中的一者或多者。
在其它地方(诸如,无需准确地控制飞行高度的情况),能够提供仅压力(pressure-only)漂浮区,诸如沿输送机或在其它地方。能够诸如沿输送机或台提供“过渡”区(诸如,其中压力与真空喷嘴或面积之比逐渐增大或减小)。在说明性示例中,在压力-真空区、过渡区和仅压力区之间能够存在基本上均匀的高度,使得在公差内,这三个区能够基本上位于一个平面中。在仅压力区的其它地方之上衬底4000的飞行高度能够大于压力-真空区之上衬底4000的飞行高度,诸如以便允许足够的高度使得在仅压力区中衬底将不与漂浮台碰撞。
在说明性示例中,衬底能够在仅压力区上方具有大约150微米(μ)到大约300 μ之间的飞行高度,且然后在压力-真空区上方具有大约10 μ到大约50 μ的飞行高度。在说明性示例中,漂浮平台或台的一个或多个部分能够包括由NewWay®空气轴承(美国,宾夕法尼亚州,阿斯顿市)或Coreflow(以色列)提供的“空气轴承”组件。虽然关于图5论述了衬底的气体加压支撑的示例,但是能够在除了其它输送或支撑方法之外或代替其它输送或支撑方法使用这种技术。
图6总体地图示气体净化方案的示意性表示,能够关于本文中所描述的一个或多个其它示例的部分或整体使用所述气体净化方案,以便构建或维持封闭件中的受控环境。例如,气体封闭***502能够包括气体封闭件组件100(例如,具有受控环境的封闭件)、与气体封闭件组件100流体连通的气体净化回路130,和热调节***140(例如,如在本文中的其它示例中能够被称为温度控制器)。
***502能够包括加压气体再循环***300,其能够供应气体以便操作各种装置,诸如衬底漂浮台或其它加压气体装置(诸如用于本文中所描述的各种涂覆***示例)。加压气体再循环***300能够包括或使用压缩机、鼓风机或两者。另外,气体封闭***502能够具有位于气体封闭***502内部的循环和过滤***(例如,如在本文中的其它示例中描述的一个或多个风扇过滤器单元(FFU))。
针对气体封闭件组件的各种实施例,一个或多个导管或挡板能够将循环通过气体净化回路130的非反应性气体与以其它方式在内部过滤和循环的非反应性气体分开。例如,气体净化回路130能够包括来自气体封闭件组件100的出口管线131。能够提供溶剂移除部件132以便减少溶剂,并且能够将待净化的气体从溶剂移除部件132按路线发送(route)到气体净化***134。能够使经净化除去溶剂和其它反应性气体物质种类(诸如,臭氧、氧和水蒸汽中的一种或多种)的气体循环回到气体封闭件组件100(诸如,通过入口管线133)。
气体净化回路130能够包括适当的管道和连接件以便与监测或控制装置相互连接(interface)。例如,能够包括臭氧、氧、水蒸汽或溶剂蒸气传感器。能够独立地提供气体循环单元(诸如,风扇、鼓风机或其它布置)或将其整合于例如气体净化***134中,以便使气体循环通过气体净化回路130。在图6的图示中,溶剂移除部件132和气体净化***134被示为独立单元。然而,溶剂移除部件132和气体净化***134能够作为单个单元被装纳在一起。
图6的气体净化回路130能够具有放置在气体净化***134上游的溶剂移除部件132,使得从气体封闭件组件100循环的气体能够穿过溶剂移除部件132(诸如经由出口管线131)。在示例中,溶剂移除部件132能够包括溶剂捕集***,其基于从穿过溶剂移除部件132的气体吸收溶剂蒸气。例如,一个或多个吸附剂(诸如活性炭、分子筛等等)的底座能够有效地移除多种多样的有机溶剂蒸气。在另一个示例中,作为溶剂移除部件132的一部分,能够使用冷捕集技术移除溶剂蒸气。能够使用传感器(诸如臭氧、氧、水蒸汽和溶剂蒸气传感器)来监测这种物质种类从持续地循环通过气体封闭***(诸如气体封闭***502)的气体的移除。例如,从这种传感器或其它装置获得的信息能够指示吸附剂(诸如活性炭、分子筛等等)何时已达到饱和或以其它方式已变得更不有效,使得例如能够使一个或多个吸附剂的底座再生或更换一个或多个吸附剂的底座。
分子筛的再生能够涉及:加热分子筛、使分子筛与合成气体接触、其组合等等。例如,通过加热和暴露于合成气体能够使被配置成捕集各种物质种类(包括臭氧、氧、水蒸汽或溶剂)的分子筛再生。在说明性示例中,这种合成气体能够包括氢,例如,合成气体包括大约96%的氮和大约4%的氢,并且其中所述百分数是按体积计或按重量计。能够使用在受控环境下进行加热的程序完成活性炭的物理再生。
气体净化回路130的气体净化***134的一部分能够包括能够从例如新罕布什尔州(New Hampshire),Statham的 MBRAUN Inc.或者马萨诸塞州(Massachusetts),Amesbury的Innovative Technology获得的***。能够使用气体净化***134来净化气体封闭***502中的一种或多种气体,例如以净化气体封闭件组件内的整个气体气氛。如上文所提及的,为了使气体循环通过气体净化回路130,气体净化***134能够例如具有气体循环单元(诸如风扇或鼓风机)。取决于封闭件的体积,能够选择或配置气体净化***,所述封闭件的体积能够限定用于使非反应性气体运动通过气体净化***的体积流动速率。在说明性示例中,具有气体封闭件组件的气体封闭***能够包括大约4立方米的体积,并且能够使用每小时能够运动大约84立方米的气体净化***。在另一个说明性示例中,具有气体封闭件组件的气体封闭***能够包括大约10立方米的体积,并且能够使用每小时能够运动大约155立方米的气体净化***。在又一说明性示例中,具有在大约52到大约114立方米之间的体积的气体封闭件组件,能够使用多于一个气体净化***。
气体过滤器、干燥器或其它净化装置能够被包括在气体净化***134中。例如,气体净化***134能够包括两个或更多个净化装置,诸如呈平行构造或以其它方式布置,使得能够将装置中的一个取下线以便维修,并且能够使用一个或多个其它装置继续***操作而不中断。例如,气体净化***134能够包括一个或多个分子筛(诸如至少第一分子筛和第二分子筛),使得当分子筛中的一个变得杂质饱和,或以其它方式被认为未充分有效地操作时,***能够在使已饱和的或不有效的分子筛再生的同时切换到另一分子筛。能够提供控制单元以便确定每个分子筛的操作效率,以便在不同分子筛的操作之间切换,以便使一个或多个分子筛再生,或用于其组合。如先前所提及的,能够使分子筛再生和重新使用分子筛。
图6的热调节***140能够包括至少一个冷却器142,其能够具有用于使冷却剂循环进入气体封闭件组件中的流体出口管线141,和用于使冷却剂返回冷却器的流体入口管线143。能够提供至少一个流体冷却器142以便冷却气体封闭***502内的气体气氛。例如,流体冷却器142能够将冷却的流体递送到封闭件内的热交换器,其中能够使气体经过封闭件内部的过滤***。也能够使气体封闭***502设有至少一个流体冷却器,以冷却从封闭在气体封闭***502内的设备散发的热。在说明性示例中,也能够为气体封闭***502提供流体冷却器以冷却从涂覆***散发的热。热调节***140能够包括热交换或珀耳帖(Peltier)装置,并且能够具有各种冷却能力。例如,冷却器能够提供在大约2千瓦(kW)到大约20 kW之间的容量的冷却能力。根据各种示例,气体封闭***502能够具有多个流体冷却器,其能够冷却一种或多种流体。流体冷却器能够使用各种流体作为传热介质,例如水、防冻剂、制冷剂或其组合。能够将无泄漏的、锁定连接件用于连接相关联的管道和***部件。
虽然以上示例提及冷却能力和致冷应用,但以上示例也能够被应用于其中包括在受控环境中缓冲衬底的应用,或能够应用于其中能够将循环气体维持在与***的其它部分相似的温度下以便避免从所制造的衬底不期望地传递热,或者避免破坏遍及衬底或衬底之间的温度均匀性的应用。
图7总体地图示***505的至少一部分的示例,其用于整合并控制一个或多个气体或空气源,以便构建作为基于漂浮的支撑或输送***的一部分被包括的漂浮控制区。这种***505能够包括台2250,所述台诸如具有被配置成通过构建气垫支撑衬底的各种区域。在该说明性示例中,仅出于说明的目的,能够将区域2100、2200和2300称为输入区域、打印区域和输出区域。能够将这种区域用于其它加工步骤,诸如输送衬底或支撑衬底(诸如根据其它示例,在固持、干燥、烘烤或其它处理或衬底的其它加工中的一者或多者期间)。在图7的说明中,第一鼓风机3284A被配置成在漂浮台设备的输入区域2100或输出区域2300中的一个或多个中提供加压气体。这种加压气体能够是温度受控的,诸如使用联接到第一热交换器1502A的第一冷却器142A。能够使用第一过滤器1503A过滤这种加压气体。温度监测器8701A能够联接至第一冷却器142(或其它温度控制器)。
相似地,第二鼓风机3284B能够联接至漂浮台的打印区域2200。独立的冷却器142B能够联接至包括第二热交换器1502B和第二过滤器1503B的回路。能够使用第二温度监测器8701B以提供对由第二鼓风机3284B提供的加压气体的温度的独立调节。在该说明性示例中,输入区域2100和输出区域2300被供应有正压力,而打印区域2200能够包括使用正压力与真空控制的组合,以提供对衬底位置的准确控制。例如,使用正压力与真空控制的这种组合,能够在由打印区域2200限定的区中使用由***504提供的漂浮气垫专门控制衬底。真空能够由第三鼓风机3290来构建,诸如也提供鼓风机壳体3282内用于第一鼓风机3284A和第二鼓风机3284B的补充气体的至少一部分。
图8A和图8B包括卡盘或台构造的说明性示例,所述卡盘或台构造能够构建加压气垫以诸如在沉积(例如,打印)、固持或处理过程中的一个或多个期间支撑衬底,以及在图8C中所得的已加工衬底4006C中实现对应的均匀性。图8A总体地图示卡盘2420B构造的示例,所述卡盘构造包括被配置成构建加压气垫以诸如在沉积、固持操作、材料分散或流动操作,或者处理过程中的一个或多个期间支撑衬底4006B的端口。在这种方法中,由于在各种过程期间不需要衬底4006B接触卡盘2420B的热不均匀特征,因此衬底4006B能够避免大且高度可见的不均瑕疵。能够使用不同的端口构造,诸如在区域2406A中具有第一端口密度,且在区域2406B中具有第二端口密度。
如在本文中其它示例中所提及的,能够诸如通过诸如在区域2406A和2406B的阵列中使用真空端口与加压气体端口的组合来构建飞行高度“h”。例如,在每行端口中,端口能够在被指定为真空端口或加压气体端口之间交替。以此方式,能够确立对高度h的准确控制,并且能够相对于卡盘表面沿z维度稳定衬底4006B。如在本文中其它示例中那样,也能够使用机械锚固与加压气体的组合。例如,能够诸如通过使用一个或多个侧向止动件或防撞器(bumper)来限制衬底4006B的侧向运动(例如,沿平行于卡盘的表面的方向),并且能够使用一个或多个辊或夹持器(诸如在周边处接合衬底)促进衬底4006B的输送。
图8B总体地图示卡盘构造的示例,所述卡盘构造包括多孔介质1906以便在沉积、固持、处理或其它加工中的一个或多个期间构建分布式压力,从而诸如在如图8C中所示的所得衬底4006C中提供均匀性。如关于本文中的其它示例所提及的,诸如在不使用如图8A中所示的大孔的情况下,多孔介质1906“板”(诸如联接到卡盘2420C或漂浮平台或者作为卡盘2420C或漂浮平台的一部分被包括)能够提供“分布式”加压气垫以支撑衬底4006C,并且提供如图8C中所示的已减少或最小化不均瑕疵或其它可见缺陷的形成的衬底4006C。如关于本文中其它示例所提及的,诸如在不使用如图8A中所示的单个孔的情况下,多孔介质1906“板”(诸如,联接到卡盘2420C或作为卡盘2420C的一部分被包括)能够提供“分布式”压力,以使衬底4006C在加工期间均匀地漂浮。
能够诸如从Nano TEM Co. Ltd.(日本,Niigata)获得多孔介质1906或如在本文中其它地方所提及的相似的分布式压力或真空区域,其诸如具有指定为占用整个衬底4006C或者衬底的指定区域(诸如显示区域或在显示区域外侧的区域)的物理尺寸。这种多孔介质能够包括一定孔隙大小(pore size),该孔隙大小指定为诸如在固持、处理或其它加工期间在指定区域之上提供提升力,同时减少或消除不均瑕疵或其它可见缺陷的形成。在不受理论束缚的情况下,相信使用多孔介质能够提高衬底4006C上的涂层或膜层的均匀性,诸如通过减少或最小化与遍及衬底的表面或者在与涂层或膜层相对的表面上的不均匀热分布(profile)或静电场分布相关联的不均瑕疵或其它可见缺陷。多孔介质能够联接至气动供给,以便提供气垫,或者各种多孔介质区域能够分别联接至气动供给和真空供给,以提供具有受控的“飞行高度”的气垫(诸如在如上文关于图7所提及的一个或多个指定区中)。当使用这种多孔介质提供分布式压力供给以使衬底在卡盘表面上方漂浮时,用于提升销的洞(例如,用于收回的提升销)的存在无需在由气垫支撑衬底的同时产生的所得涂层中引起可见缺陷,因此使得衬底区域的更大的一部分可用于活动区域。
图9总体地图示说明处理***的图式的示例,所述处理***诸如能够被配置成使衬底暴露于诸如能够被用于处理衬底上的涂层的光。所述处理***能够作为本文中所描述的其它***或技术的一部分被包括,诸如用于在固化过程中使用或者执行包括烘烤或干燥液体墨层中的一种或多种以使液体墨层凝固从而提供固体层的操作。处理***能够包括诸如被配置成将能量联接到衬底4000的表面的光源组件912。所述源组件能够包括被配置成发射紫外光(UV)、红外光(IR)或可见光中的一种或多种的源。如在其它示例中那样,处理***8314能够包括受控环境,所述受控环境诸如由一个或多个气体净化回路提供并联接到一个或多个风扇过滤器单元(FFU),以便提供具有指定的最大水平的微粒或反应性污染物的环境。
能够将衬底4000输送到处理***8314,诸如使用如关于本文中所描述的其它示例所提及的漂浮台输送布置。台920能够被用于支撑衬底4000,诸如使用如在其它示例中所提及的气垫布置。能够使用一个或多个提升销,以便进一步升高衬底4000,使得在处理之后(例如,在衬底4000上形成带图案的固体层之后),能够由操纵器的端部效应器操控衬底4000。
在涉及紫外光处理的说明性示例中,源(诸如源910A至910N)的阵列能够提供紫外光能,诸如包括选自大约350纳米到大约400纳米的范围的波长。例如,能够使用大约385纳米或大约395纳米的波长。源能够包括多种构造,诸如使用相对小量的大功率源或使用相对低功率源的阵列。所述源能够包括能够普遍获得的紫外光发射器(诸如,发射紫外光的发光二极管(UV LED))或者一个或多个汞基装置(诸如一个或多个汞弧源)。在另一个示例中,源910A至910N能够包括灯或其它源(诸如能够发射可见光或红外光辐射中的一种或多种的源)。例如,能够诸如使用红外光发射源的阵列热处理衬底。
在示例中,源组件912的衬底或壳体918能够用液体或空气冷却。例如,能够提供压力通风***(plenum)914,诸如具有一个或多个鼓风机(诸如鼓风机915)以迫使气体横穿或通过源组件912的一部分。这种冷却回路能够与处理***8314内的受控环境分开。围绕源910A至910N的环境能够包括处理***8314受控环境,或围绕源910A至910N的环境能够形成独立的封闭件,诸如具有窗916以允许能量从源封闭件传递到处理***8314。以此方式,源封闭件的维护不必须干扰处理***8314内的受控环境。
窗916无需是均匀透射性的。例如,窗能够包括或能够联接到光学器件,以使能量汇聚、发散或准直。在另一个示例中,窗916能够包括在窗的区域之上以指定方式变化的透射特性,以便在衬底4000的平面中(诸如在衬底的指定区域内)转化(invert)或以其它方式补偿所递送的能量的非均匀功率密度。在图9的示例中,窗和源910A至910N被示出为以平面构造布置,但其它构造也是可能的(诸如,圆筒形、抛物线形或球形构造)。在示例中,能够使用源910A至910N来处理一个或多个有机材料层以封装作为衬底4000的一部分制造的装置。这种装置的示例能够包括电子电路、太阳能电池、印刷电路板和平板显示器。这种处理能够包括提供在指定的波长范围内的指定剂量的紫外光能量,且在衬底4000的指定区域之上具有指定的均匀性。
总体上能够依据紫外光曝光的期望的剂量或剂量范围(诸如依据每单位面积的能量(例如,焦耳每平方厘米)所指定的)构建处理过程。诸如通过用曝光持续时间乘入射功率密度能够计算剂量。强度(例如,入射功率)与曝光持续时间之间能够存在权衡。例如,能够使用相对大功率的源并且能够使用相对短的曝光持续时间实现期望的剂量,这有益于缩短加工时间。然而,大功率UV辐射例如可以损坏显示器组件的其它部分或使其退化,因此能够存在关于由紫外光源在衬底处提供的功率密度的限制,以便避免这种损坏或退化。
也能够控制所递送的紫外光能量的均匀性,以便避免衬底4000的表面之上涂覆层特性发生变化。能够依据入射功率或所递送的剂量指定均匀性,诸如具有在衬底4000的指定固化区域之上从最高到最低入射功率或剂量不多于20%的变化的值,或具有在衬底4000的指定固化区域之上从最高到最低入射功率或剂量不多于50%的变化,或具有在衬底4000的指定固化区域之上从最高到最低入射功率或剂量不多于10%的变化。
针对源910A至910N能够使用各种源构造。例如,能够使用线性阵列或“条棒”源,如图10A的构造8315中所示。这种条棒构造能够包括精度反射器,以便使能量沿朝向衬底4000的方向聚焦或准直。在另一个示例中,这种条棒构造能够包括漫射器或透射式滤波器中的一者或多者,或者能够使用二维阵列构造。这些源构造中的一种或多种能够被机械地固定,或能够横穿衬底的表面扫过。在这种示例中,能够扫描衬底4000或源910A至910N中的任一者或两者。例如,能够固定源910A至910N,并且能够重新定位衬底4000,以便在衬底4000和源910A至910N之间产生相对运动以实现扫描。
图10A和图10B总体地图示处理***8315的至少一部分的示例,所述处理***能够包括诸如能够被用于处理衬底上的涂层的光源的线性构造。在示例中,处理***8315能够包括源的线性阵列构造910。能够沿至少一个轴线扫描线性阵列910以使发射的光束922(例如,紫外光发射)扫略过衬底4000的指定区域。在说明性示例中,这种区域能够包括已沉积有液体墨(在示例中,其能够是有机单体基墨)并且将用紫外光固化或以其它方式处理所述液体墨的区域。能够通过诸如在处理期间重新定位衬底4000或线性阵列910中的任一者或两者来实现这种扫描。诸如当线性阵列910位于与装纳衬底4000的室8314分离的封闭件中时,能够使用窗916。这种窗916能够包括或能够联接到一个或多个光学器件或滤波器。
线性阵列910能够提供更少的源(例如,在说明性示例中,大约5个到大约10个UVLED源)的优点。然而,这种线性区域910可以导致额外的***复杂性,其中使用机械扫描以向衬底4000的所有指定区域提供曝光。通过指定线性阵列910至少与衬底的一条轴线同样宽或同样长,能够部分地简化机械扫描。以此方式,能够用光辐射处理衬底4000的整个宽度或长度,同时仅沿单个轴线扫描线性阵列910“门架”。线性阵列910能够包括如上文所提及的精度反射器构造。作为说明性示例,供应处于或接近395 nm波长的光的大功率UV LED光条能够从Phoseon Technology(美国,俄勒冈州(Oregon),Hillsboro)获得,诸如包括反射器构造以提高由线性阵列910照亮的场的均匀性。除这种精度反射器之外或代替这种精度反射器,能够使用一个或多个滤波器或漫射器,诸如静态地配置在窗916附近或作为窗916的一部分被包括。在另一个示例中,一个或多个滤波器或漫射器能够作为线性阵列910组件的一部分被包括,诸如作为线性阵列910的一部分被机械地扫描。在示例中,由线性UV源供应的功率密度在20 mW/cm2与400 mW/cm2之间。
在图10B中,从衬底4000的面向上的部分开始的线性阵列910源高度能够由“H”表示,由阵列910发射的光能与衬底之间的相对速度能够由“V”表示。该速度能够通过使一个或多个阵列910相对于衬底4000运动(例如,机械地扫描阵列)或使衬底4000相对于阵列运动(诸如,通过使衬底漂浮在气垫上或者通过使支撑衬底的卡盘920运动)来确立。照亮的宽度能够由“W”表示,并且其中这种宽度随H增加而增加且随H减小而减小。为了剂量建模,能够用照亮的宽度W乘阵列910的宽度以估计由阵列910辐照的衬底4000的面积。
总体地,鉴于能够由本文中所描述的示例容纳的衬底4000的大规模,生产量是一个考虑因素。相应地,一个目标能够是以在短时间或最小量的时间中递送适当剂量的方式来提供光剂量,这也能够通过减少或最小化暴露于来自源的能量或者仅仅通过减少或最小化加工衬底的时间来降低损坏衬底4000的其它部分的可能性。然而,在各种加工参数之间能够存在权衡,使得通常不随意确立速度、能量的剂量和源高度H。
上文的示例提及用于使用光来处理衬底以便通过处理所打印的液体墨层提供固体涂覆层的各种技术。能够使用其它处理技术,诸如能够包括以下各项中的一个或多个:加热或冷却衬底、辐射烘烤或干燥衬底、使用更高压力的气体流(相比于涂覆***的其它部分)、使用真空(或部分真空)及其组合。这种处理能够通过以下各项中的一个或多个导致液体墨的凝固以提供固体层:移除载运流体(例如,干燥或烘烤中的一种或多种,诸如包括真空干燥或真空烘烤)、化学反应(例如,交联或从一种化合物化学转化到另一种化合物),或致密化(例如,烘烤,诸如包括真空烘烤)。如关于本文中的其它示例所提及的,能够使用以下各项中的一个或多个来实现温度控制:用以支撑衬底的加压气体的受控温度,或诸如遍及衬底的表面构建的气体流(例如,层流),诸如关于图13B说明性地示出。
图11A和图11B总体地图示***的一部分(诸如包括转移模块)的视图,其能够作为涂覆***的一部分被包括或能够被用于在由涂覆***加工之前或之后操控衬底。***的各种封闭件内的受控环境能够包括受控的微粒水平。诸如通过使用空气循环单元和过滤器(诸如能够被称为风扇过滤器单元(FFU))能够减少或最小化微粒。FFU的阵列能够定位成沿在加工期间由衬底横越的路径。FFU无需提供空气流的向下流动方向。例如,FFU或导管***能够定位成提供穿过衬底的表面沿侧向方向的实质上的层流。沿侧向方向的这种层流能够提高或以其它方式提供微粒控制。
在图11A或图11B的示例中,能够使用一个或多个风扇过滤器单元(FFU)(诸如FFU1500A、1500B、1500C至1500F)来辅助维持转移模块1400A内的环境具有受控的微粒或污染物水平。能够使用导管(诸如第一和第二导管5201A或5201B)以便提供如在图11A的向下流动示例中所示的回流空气通路。能够至少部分地使用温度控制器8700来维持受控的温度,该温度控制器诸如联接到一个或多个热交换器1502。一个或多个温度监测器(诸如温度监测器8701)能够放置在指定位置(例如,在衬底或端部效应器上或在其附近)中,以提供反馈从而辅助使衬底或衬底附近的区域维持在指定的温度范围内。在示例中,如下文所论述的,温度监测器能够是非接触式传感器,诸如配置成提供指示由传感器取样的表面温度的信息的红外温度监测器。其它构造是可能的,诸如能够包括将热交换器放置在室的下部分中回流空气导管内或附近,如在图13B中说明性地示出。
图12总体地图示***的一部分(诸如包括转移模块的另一示例),其能够作为涂覆***的一部分被包括,或者能够被用于在由涂覆***加工之前或之后操控衬底。如在图11A的示例中,转移模块1400B能够包括一个或多个风扇过滤器单元(FFU),诸如1500A至1500N(例如,14个FFU)。与图11A的转移模块1400A的操纵器1410A对比,转移模块1400B内的操纵器能够包括轨构造,以便提供操纵器沿轴线的线性平移。广泛范围的其它室或模块能够诸如以群簇式构造联接到转移模块1400B,而无需以从单个点辐射出的方式联接每个其它模块或室。一个或多个导管能够位于操纵器的运动范围外侧的区域中转移模块1400B的部分中。例如,能够使用这种位置来提供回流导管以将气体(例如,氮气)从转移模块1400B的下部分向上带到FFU阵列上方的压力通风***。
图13A和图13B总体地图示***的一部分的视图,所述***的一部分诸如能够包括能够用来加工或固持衬底的衬底4000区域的层叠构造。加工模块1200的端口能够包括一个或多个门或舱口(诸如门3301)。例如,这种门能够机械地或电气地互锁,使得除非***上或***内其它地方的对应的门关闭,否则不能够打开可通达制造***的外部的门。例如,能够使用门3301来执行维护,同时加工模块1200以其它方式与制造***的其它封闭部分中的惰性环境或者微粒或污染物受控的环境隔离。
如上文所提及的,能够至少部分地使用一个或多个FFU 1500来维持微粒或污染物受控的环境。在图13B的示例中,使用交叉流动(cross flow)构造,以便维持横穿能够包括衬底的一个或多个电池单元3350中的每一个的气体(例如,非反应性气体)的实质上层流。热交换器1502能够(但无需)位于FFU 1500附近或作为FFU 1500的一部分。例如,热交换器1502能够位于衬底操纵区域下方,诸如被包括在回流导管5201内或作为回流导管5201的一部分被包括。能够通过温度控制器8700控制温度,温度控制器8700诸如联接到温度传感器8701。能够至少部分地使用计算流体动力技术来指定导管5201的部分的曲线轮廓,以便维持加工模块1200内的指定流动特性(例如,层流)。
除使衬底排队之外(或代替使衬底排队),诸如直到***的另一部分准备好接收这种衬底,加工模块1200能够在功能上参与衬底制造过程,例如通过提供干燥功能,或者通过固持衬底指定的持续时间(或直到满足指定的标准),以便允许衬底从一种条件演变到另一种条件。例如,在出于使衬底演变的目的固持的情况下,能够固持衬底以便允许液体沉降或流动。在这种演变期间,能够通过横穿衬底表面的温度受控的气体流的受控应用(诸如层流)来控制衬底的温度,能够提供所述温度受控的气体流以横穿衬底的平面流动,如图13B中所指示的。
总体地,固持模块温度无需与***的其它模块中或围绕***的其它模块的环境的温度相同。在另一示例中,衬底能够安置在温度受控的气体的垫上,类似于本文中所描述的其它示例,诸如其中针对打印、固持或其它操作中的一个或多个使用漂浮气垫来支撑衬底的示例,所述其它操作诸如包括以下各项中的一个或多个的处理操作:辐射烘烤或干燥、对流烘烤或干燥,或将衬底暴露于光以便诱发化学反应,及其组合。
在于加工模块1200中干燥衬底的情况下,能够提供受控的环境以便经由蒸气捕集或气体再循环和净化***持续地移除蒸发的蒸气,并且能够通过横穿衬底表面的气体流的受控应用(诸如层流)进一步控制干燥过程,能够提供所述气体流来流动穿过衬底的平面,如图13B中所指示的。
各种备注&示例
示例1能够包括或使用主题(诸如用于执行动作的设备、方法、构件,或者包括指令的装置可读介质,当由装置执行所述指令时,能够引起装置执行动作),诸如能够包括在衬底上提供涂层的方法,所述方法包括:将衬底转移到涂覆***,所述涂覆***被配置成在衬底的第一侧上的指定区域中提供固体层,所述固体层覆盖衬底的至少一部分;使用气垫在涂覆***中支撑衬底,所述气垫被提供到衬底的与指定区域相对的第二侧;将液体涂层打印在衬底的指定区域上,并且其中在由气垫支撑衬底的同时衬底位于使用打印***的打印区中;将衬底输送到处理区,包括继续使用气垫支撑衬底;以及在涂覆***中处理液体涂层以在指定区域中在衬底上提供固体层,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例2能够包括示例1的主题,或者能够可选地与示例1的主题相结合,以可选地包括:固体层包括封装结构的至少一部分;以及衬底包括电子装置,所述封装结构构建成封装衬底上的电子装置的至少一部分。
示例3能够包括示例1或2中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括使液体涂层聚合。
示例4能够包括示例1至3中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:在打印液体涂层之后固持衬底指定的持续时间,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例5能够包括示例4的主题或者能够可选地与示例4的主题相结合,以可选地包括:将衬底输送到固持区以便固持衬底指定的持续时间。
示例6能够包括示例5的主题或者能够可选地与示例5的主题相结合,以可选地包括:使用被配置成使用气垫固持和支撑多个衬底的固持区。
示例7能够包括示例1或6中的一项或任意组合的主题或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括用光辐照液体涂层。
示例8能够包括示例7的主题或者能够可选地与示例7的主题相结合,以可选地包括:光包括紫外(UV)光。
示例9能够包括示例7的主题或能够可选地与示例7的主题相结合,以可选地包括:用光辐照液体涂层包括辐射性地烘烤液体涂层。
示例10能够包括示例7的主题或者能够可选地与示例7的主题相结合,以可选地包括:用光辐照液体涂层包括辐射性地干燥液体涂层。
示例11能够包括示例1至10中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括将衬底暴露于红外辐射或温度受控的气体流中的一种或多种。
示例12能够包括示例1至11中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:衬底的第一侧上的指定区域与衬底的包括电子装置的活动区域重叠,并且其中,气垫被提供到衬底的与活动区域相对的第二侧。
示例13能够包括示例1至12中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:输送衬底包括使用与衬底的物理接触来接合或夹持衬底。
示例14能够包括示例1至13中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:通过迫使气体通过多孔陶瓷材料以在所述多孔陶瓷材料上方支撑衬底的第二侧来构建气垫。
示例15能够包括示例1至14中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:使用加压气体区域和至少部分真空的组合来构建打印区中的气垫。
示例16能够包括示例15的主题,或者能够可选地与示例15的主题相结合,以可选地包括:用于构建气垫的加压气体或排空气体中的至少一者被回收(recover)和再循环。
示例17能够包括示例1至16中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以包括主题(诸如用于执行动作的设备、方法、构件,或者包括指令的机器可读介质,当由机器执行所述指令时,能够引起机器执行动作),所述主题诸如能够包括在衬底上提供涂层的方法,所述方法包括:将衬底转移到封闭的涂覆***,所述封闭的涂覆***被配置成在衬底的第一侧上的指定区域中提供固体层,所述固体层覆盖制造于衬底上的电子装置的至少一部分;使用气垫在封闭的涂覆***中支撑衬底,所述气垫被提供到衬底的与指定区域相对的第二侧;将液体涂层打印在衬底的指定区域上,并且其中在由气垫支撑衬底的同时衬底位于包括打印***的打印区中;将衬底输送到处理区,包括继续使用气垫支撑衬底;以及在处理区中处理液体涂层,以在指定区域中在衬底上提供固体层,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例18能够包括示例17的主题,或者能够可选地与示例17的主题相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括烘烤或干燥液体涂层以提供固体层中的一种或多种。
示例19能够包括示例18的主题,或者能够可选地与示例18的主题相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括将衬底暴露于红外辐射或温度受控的气体流中的一种或多种。
示例20能够包括示例17至19中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理液体涂层包括通过诱发化学反应或移除包括在液体涂层中的载运流体中的一种或多种来使液体涂层凝固。
示例21能够包括示例17至20中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:固体层包括封装结构的至少一部分,所述封装结构被构建成封装衬底上的电子装置的至少一部分。
示例22能够包括示例17至21中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:将衬底输送到固持区;以及固持衬底指定的持续时间,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例23能够包括示例1至22中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以包括主题(诸如用于执行动作的设备、方法、构件,或包括指令的机器可读介质,当由机器执行所述指令时,能够引起机器执行动作),所述主题诸如能够包括用于在衬底上提供固体层的涂覆***,所述***包括:平台,其被配置成使用气垫支撑衬底,以及被配置成沿所述平台输送衬底;打印***,其被配置成当衬底位于平台的打印区中时并且在由气垫在与第一侧相对的第二侧上支撑衬底的同时,在衬底的第一侧上的指定区域中沉积液体涂层;处理***,其被配置成当衬底位于平台的处理区中时并且在由气垫支撑衬底的同时,处理所沉积的液体以在指定区域中在衬底上提供固体层,并且所述平台被配置成在于打印区中进行打印操作期间和在于处理区中进行处理操作期间持续地支撑衬底。
示例24能够包括示例23的主题,或者能够可选地与示例23的主题相结合,以可选地包括:固体层包括封装结构的至少一部分;以及衬底包括电子装置,所述封装结构被构建成封装衬底上的电子装置的至少一部分。
示例25能够包括示例23或24中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理***包括光源,所述源被配置成辐照液体涂层以提供固体层。
示例26能够包括示例25的主题,或者能够可选地与示例25的主题相结合,以可选地包括:源包括紫外光(UV)源。
示例27能够包括示例25的主题,或者能够可选地与示例25的主题相结合,以可选地包括:源包括红外光源。
示例28能够包括示例23至25中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理***被配置成进行烘烤或干燥液体涂层中的一种或多种以提供固体层。
示例29能够包括示例23至28中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:处理***被配置成通过诱发化学反应或移除被包括在液体涂层中的载运流体中的一种或多种来使液体涂层凝固。
示例30能够包括示例23至29中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:平台被配置成在打印操作之后且在处理操作之前固持衬底指定的持续时间,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例31能够包括示例30的主题,或者能够可选地与示例30的主题相结合,以可选地包括:平台包括与打印区和处理区分开的固持区,所述固持区被配置成固持衬底指定的持续时间,包括继续使用气垫支撑衬底。
示例32能够包括示例23至30中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:装纳打印***、处理***和平台的封闭件包括受控加工环境,所述受控加工环境处于或接近大气压力并且被构建成保持低于微粒污染水平、水蒸汽含量、氧含量和臭氧含量的指定限制。
示例33能够包括示例23至32中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:位于衬底的第一侧上的指定区域与衬底的包括电子装置的活动区域重叠,并且其中,平台被配置成将气体提供到衬底的与活动区域相对的第二侧。
示例34能够包括示例23至33中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:平台被配置成输送衬底,包括使用与衬底的物理接触来接合或夹持衬底。
示例35能够包括示例23至34中的一项或任意组合的主题,或者能够可选地与其相结合,以可选地包括:通过迫使气体通过多孔陶瓷材料以在所述多孔陶瓷材料上方支撑衬底的第二侧来构建气垫。
本文中所描述的每个非限制性示例均能够独立存在,或者能够以各种排列或组合与一个或多个其它示例相结合。
以上详细描述包括参照附图,这些附图形成详细描述的一部分。以图示的方式,附图示出能够在其中实践本发明的具体实施例。这些实施例在本文中也称作“示例”。这种示例能够包括除所示出或描述的那些元件之外的元件。然而,本发明人也预想到其中仅提供所示出或描述的那些元件的示例。此外,本发明人也预想到使用或者关于具体示例(或其一个或多个方面)或者关于本文中所示出或描述的其它示例(或其一个或多个方面)所示出或描述的那些元件的任何组合或排列的示例(或其一个或多个方面)。在本文献与通过引用并入的任何文献之间使用不一致的情况下,本文献中的使用具有控制权。
在本文献中,如在专利文献中普遍的那样,独立于任何其它实例或者“至少一个”或“一个或多个”的使用,使用术语“一”或“一个”以包括一个或一个以上。在本文献中,除非另有指示,否则术语“或”用来指代非排它性的“或”,使得“A或B”包括“A但没有B”、“B但没有A”以及“A和B”。在本文献中,术语“包括”和“其中”被用作相应的术语“包括”和“其中”的简单英语语言等价物。而且,在以下权利要求中,术语“包括”和“包含”是开放式的,即,包括除在权利要求中在这种术语之后列举的那些元件之外的元件的***、装置、物品、组合物、配方或过程仍被认为落在该权利要求的范围内。此外,在以下权利要求中,术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标记,并且不旨在将数值要求强加在其对象上。
本文中所描述的方法示例能够是至少部分地机器实现或计算机实现的。一些示例能够包括用指令编码的计算机可读介质或机器可读介质,所述指令可操作成将电子装置配置成执行如以上示例中所描述的方法。这种方法的实施方案能够包括代码,诸如微代码、汇编语言代码、更高级语言代码等等。这种代码能够包括用于执行各种方法的计算机可读指令。代码可形成计算机程序产品的部分。此外,在示例中,代码能够被有形地存储在一个或多个易失性、非暂时性或者非易失性有形计算机可读介质上(诸如在执行期间或在其它时间)。这些有形的计算机可读介质的示例能够包括但不限于硬盘、可移动磁盘、可移动光盘(例如,压缩光盘和数字视频光盘)、磁带盒、存储卡或记忆棒、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)等等。
以上描述旨在是说明性的而非限制性的。例如,上文描述的示例(或其一个或多个方面)可以彼此结合使用。能够诸如由本领域普通技术人员在审阅以上描述之后使用其它实施例。提供摘要以遵照37 C.F.R. §1.72(b),从而允许读者快速确定技术公开的本质。其在将不被用于诠释或限制权利要求的范围或意义的理解的情况下被提交。而且,在以上具体实施方式中,可以将各种特征集合在一起以精简本公开。这不应被诠释为旨在使未要求保护的所公开的特征对于任何权利要求而言是必需的。而且,本发明的主题可在于具体公开的实施例的少于全部的特征。因此,以下权利要求特此作为示例或实施例并入具体实施方式,并且其中每个权利要求作为单独的实施例独立存在,并且预想到这种实施例能够以各种组合或排列彼此结合。本发明的范围应参考所附权利要求以及被赋予这种权利要求的等价物的完整范围来确定。

Claims (68)

1.一种用于在衬底上形成材料层的***,所述***包括:
多个涂覆***,每个涂覆***包括:
打印区,所述打印区包括打印***,以在打印区中将材料沉积在衬底的表面上;
处理区,所述处理区包括处理***,以处理沉积在衬底的表面上的材料,以从所述材料形成固体层;和
衬底输送设备,以在打印区和处理区之间输送衬底;以及
衬底操控器,以固持衬底,所述衬底操控器能选择性地定位以将衬底装载到每个涂覆***中且将衬底从每个涂覆***卸载。
2.根据权利要求1所述的***,其中,打印区还包括配置成建立气垫以悬浮衬底的衬底支撑设备。
3.根据权利要求1所述的***,其中,处理区还包括配置成建立气垫以悬浮衬底的衬底支撑设备。
4.根据权利要求1所述的***,其中,衬底输送设备配置成在打印区和处理区之间输送期间悬浮衬底。
5.根据权利要求1所述的***,还包括输送模块,所述输送模块容纳衬底操控器且联接到所述多个涂覆***中的每个。
6.根据权利要求5所述的***,其中:
所述多个涂覆***中的每个容纳在封装件内,所述封装件配置成保持受控环境;以及
所述输送模块连接到其中容纳所述多个涂覆***中的每个的封装件中的每个。
7.根据权利要求6所述的***,其中,所述输送模块配置成保持受控环境,所述受控环境是所述多个涂覆***中的每个的受控环境。
8.根据权利要求6所述的***,其中,所述输送模块配置成保持受控环境,所述受控环境独立于所述多个涂覆***中的每个的受控环境。
9.根据权利要求6所述的***,还包括一个或多个闸式阀或气帘,定位在衬底操控器能定位以将衬底装载到每个涂覆***中且将衬底从每个涂覆***卸载的位置。
10.根据权利要求6所述的***,还包括一个或多个负载锁定模块,操作性地联接到输送模块,所述一个或多个负载锁定模块配置成将衬底装载到输送模块中和/或将衬底装载到输送模块之外。
11.根据权利要求10所述的***,其中,所述一个或多个负载锁定模块包括固持衬底并将衬底装载到输送模块中和/或从输送模块卸载衬底的另一衬底操控器。
12.根据权利要求1所述的***,其中,所述多个涂覆***中的每个还包括固持区,所述固持区相对于打印区和处理区布置,使得衬底输送设备能够将衬底输送通过打印区、固持区和处理区中的每个。
13.根据权利要求12所述的***,其中,固持区包括配置成建立气垫以在固持区支撑衬底的衬底支撑设备。
14.根据权利要求1所述的***,还包括联接到所述多个涂覆***的固持模块,所述固持模块接收要在所述多个涂覆***中的一个或多个中处理的一个或多个衬底。
15.根据权利要求14所述的***,其中,所述固持模块包括处于堆叠布置的多个衬底固持区域。
16.根据权利要求1所述的***,其中,所述处理***被配置成进行选自干燥、烘烤和化学反应中的至少一种的处理过程,以从沉积在衬底上的材料形成固体层。
17.根据权利要求1所述的***,其中,所述处理***包括光源,所述光源被配置成引起热或化学反应中的一个,以处理沉积在衬底的表面上的材料,以从所述材料形成固体层。
18.根据权利要求1所述的***,其中,所述打印***包括选自喷墨打印装置、喷嘴打印装置和丝网印刷装置的打印装置。
19.根据权利要求1所述的***,其中,所述打印***配置成沉积有机发光材料。
20.根据权利要求1所述的***,其中,所述打印***配置成沉积固化以在衬底上的有机发光装置上方形成封装层的材料。
21.根据权利要求1所述的***,其中,衬底操控器能以沿轨道平移的方式移动。
22.根据权利要求1所述的***,其中,衬底操控器是具有多个自由度的机器人组件。
23.根据权利要求1所述的***,其中,每个涂覆***容纳在封装件中,所述封装件配置成保持处于或接近大气压力且处于或低于一种或多种反应性物种的指定水平的受控处理环境。
24.根据权利要求23所述的***,其中,所述一种或多种反应性物种选自颗粒物质、水蒸气、氧气和臭氧。
25.一种用于在衬底上形成材料层的***,所述***包括:
打印区,所述打印区包括打印***,打印***配置成将材料沉积在衬底的表面上,且经由气垫支撑衬底;
处理区,所述处理区包括处理***,处理***配置成处理沉积在衬底的表面上的材料,且经由气垫支撑衬底,以在衬底上形成固体层;
固持区,所述固持区操作性地联接到打印区和处理区,所述固持区配置成固持衬底且经由气垫支撑衬底。
26.根据权利要求25所述的***,还包括衬底操控器,所述衬底操控器能选择性地定位以将衬底装载到打印区、处理区和固持区中的一个或多个且将衬底从打印区、处理区和固持区中的一个或多个卸载。
27.根据权利要求26所述的***,其中,衬底操控器是具有多个自由度的机器人组件。
28.根据权利要求26所述的***,其中,衬底操控器能以沿轨道平移的方式移动。
29.根据权利要求25所述的***,还包括可旋转结构,所述可旋转结构定位成将衬底在打印区与固持区和处理区中的至少一个之间旋转地输送。
30.根据权利要求29所述的***,其中,所述可旋转结构配置成建立气垫以支撑衬底。
31.根据权利要求25所述的***,其中,打印区、固持区和处理区沿着能由衬底操控器通达的弧线定位。
32.根据权利要求31所述的***,其中,所述弧线在衬底操控器的径向外部。
33.根据权利要求25所述的***,其中,所述固持区包括接收衬底的多个固持区域,所述多个固持区域处于堆叠布置。
34.根据权利要求33所述的***,其中,所述多个固持区域的堆叠布置配置成降低或升高,以选择性地将所述多个固持区域中的一个与打印区的平面对齐。
35.根据权利要求33所述的***,其中,打印区、固持区和处理区以线性系列布置。
36.根据权利要求35所述的***,还包括衬底操控器,所述衬底操控器能选择性地定位以将衬底装载到打印区、处理区和固持区中的一个或多个且将衬底从打印区、处理区和固持区中的一个或多个卸载。
37.根据权利要求36所述的***,其中,衬底操控器能以沿轨道平移的方式平行于打印区、固持区和处理区的线性布置的方向移动。
38.根据权利要求25所述的***,其中,打印区和处理区位于彼此不同的高度处。
39.根据权利要求25所述的***,其中,打印区、固持区和处理区以U形的方式布置。
40.根据权利要求39所述的***,其中:
打印区与固持区和处理区中的一个布置为U形的相对支腿,以及
固持区和处理区中的另一个布置为U形的连接相对支腿的连接部分。
41.根据权利要求40所述的***,还包括衬底操控器,所述衬底操控器在U形的与U形的连接部分相对的端部处。
42.根据权利要求25所述的***,其中,打印区、固持区和处理区依次以线性布置定位。
43.根据权利要求25所述的***,还包括衬底操控器,所述衬底操控器配置成沿轨道平移,以通达打印区、固持区和处理区中的每个。
44.根据权利要求25所述的***,其中,打印***还包括运动***,所述运动***配置成在打印区中移动衬底。
45.根据权利要求25所述的***,其中,打印***和处理***中的至少一个包括配置成排出气体以建立气垫的多孔陶瓷平台。
46.根据权利要求25所述的***,其中,所述处理***被配置成进行选自干燥、烘烤和化学反应中的至少一种的处理过程,以从沉积在衬底上的材料形成固体层。
47.根据权利要求25所述的***,其中,所述处理***包括光源,所述光源被配置成引起热或化学反应中的一个,以处理沉积在衬底的表面上的材料,以从所述材料形成固体层。
48.根据权利要求25所述的***,其中,所述打印***包括选自喷墨打印装置、喷嘴打印装置和丝网印刷装置的打印装置。
49.根据权利要求25所述的***,其中,所述打印***配置成沉积有机发光材料。
50.根据权利要求25所述的***,其中,所述打印***配置成沉积固化以在衬底上的有机发光装置上方形成封装层的材料。
51.根据权利要求25所述的***,其中,衬底操控器是具有多个自由度的机器人组件。
52.根据权利要求25所述的***,还包括容纳打印区、处理区和固持区的封装件,所述封装件配置成保持处于或接近大气压力的受控处理环境。
53.根据权利要求25所述的***,还包括容纳打印区、处理区和固持区的封装件,所述封装件配置成保持处于或低于一种或多种反应性物种的指定水平的受控处理环境。
54.根据权利要求53所述的***,其中,所述一种或多种反应性物种选自颗粒物质、水蒸气、氧气和臭氧。
55.一种用于在衬底上形成材料层的方法,所述方法包括:
在打印区中经由材料沉积在衬底上,同时悬浮衬底;
将已经有材料沉积在其上的衬底从打印区输送到处理区,同时悬浮衬底;以及
在处理区中处理沉积在衬底上的材料,同时悬浮衬底,以在衬底上形成固体层。
56.根据权利要求55所述的方法,还包括:在沉积和处理中的一个之前或之后,在固持区中固持衬底。
57.根据权利要求56所述的方法,还包括:在固持区中固持衬底时,悬浮衬底。
58.根据权利要求55所述的方法,还包括:保持打印区和处理区的受控处理环境。
59.根据权利要求58所述的方法,其中,受控处理环境处于或接近大气压力。
60.根据权利要求58所述的方法,其中,受控处理环境处于或低于一种或多种反应性物种的指定水平。
61.根据权利要求60所述的方法,其中,所述一种或多种反应性物种选自颗粒物质、水蒸气、氧气和臭氧。
62.根据权利要求55所述的方法,其中,在打印区中沉积材料包括使用喷墨打印装置、喷嘴打印装置和丝网印刷装置中的一个来沉积材料。
63.根据权利要求55所述的方法,其中,在打印区中沉积材料包括沉积有机发光材料。
64.根据权利要求55所述的方法,其中,在打印区中沉积材料包括沉积固化以在衬底上的有机发光装置上方形成封装层的材料。
65.根据权利要求55所述的方法,其中,处理材料包括使材料进行干燥、烘烤和化学反应中的至少一种以形成固体层。
66.根据权利要求55所述的方法,其中,处理材料包括照射材料以形成固体层。
67.根据权利要求55所述的方法,还包括:选择性地定位衬底操控器,以将衬底装载到打印区、处理区和固持区中的一个或多个且将衬底从打印区、处理区和固持区中的一个或多个卸载。
68.根据权利要求67所述的方法,其中,选择性地定位衬底操控器包括沿轨道平移衬底操控器和以多个自由度铰接衬底操控器中的至少一种。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
EP3787016B1 (en) 2013-12-26 2023-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
KR102022816B1 (ko) 2014-01-21 2019-11-04 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
WO2015168036A1 (en) 2014-04-30 2015-11-05 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
WO2015195493A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Kateeva, Inc. Printing systems assemblies and methods
CN105449123B (zh) * 2015-11-18 2018-03-06 上海大学 水氧阻隔层的制备方法
JP6238254B2 (ja) * 2016-05-12 2017-11-29 株式会社明治 固液分離装置の固液分離カラム内における固液分布検出方法及び検出装置
US9961782B2 (en) 2016-07-08 2018-05-01 Kateeva, Inc. Transport path correction techniques and related systems, methods and devices
US20180229497A1 (en) * 2017-02-15 2018-08-16 Kateeva, Inc. Precision position alignment, calibration and measurement in printing and manufacturing systems
US11101163B2 (en) * 2018-01-30 2021-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for automated robotic arm sensing
US11135835B2 (en) * 2018-12-20 2021-10-05 Kateeva, Inc. Ejection control using substrate alignment features and print region alignment features
US11123983B2 (en) 2018-12-20 2021-09-21 Kateeva, Inc. Inkjet printer with substrate flatness detection
TWI839413B (zh) * 2018-12-21 2024-04-21 美商凱特伊夫公司 用於控制基材之漂浮的裝置、系統及方法
CN113711697A (zh) 2019-03-15 2021-11-26 Asml荷兰有限公司 Euv光源中的目标材料控制
KR20220005790A (ko) * 2020-07-07 2022-01-14 세메스 주식회사 약액 토출 장치
JP7469997B2 (ja) * 2020-09-08 2024-04-17 株式会社日立ハイテク 半導体処理装置
EP4385065A1 (en) * 2021-08-10 2024-06-19 Kateeva, Inc. Substrate preparation chamber with substrate positioning features
CN114103454B (zh) * 2021-11-22 2023-01-10 Tcl华星光电技术有限公司 喷墨打印***及喷头维护方法
WO2023225420A1 (en) * 2022-05-19 2023-11-23 Kateeva, Inc. Dual-substrate inkjet printing
CN114798299B (zh) * 2022-07-01 2023-04-14 江苏特创科技有限公司 一种cpu水冷散热用冷头硅脂清洁涂抹装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5053355A (en) * 1989-01-14 1991-10-01 Nukem Gmbh Method and means for producing a layered system of semiconductors
US20020022377A1 (en) * 2000-04-11 2002-02-21 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US20060008591A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Innolux Display Corp. Coating apparatus and method using the same
TW200729335A (en) * 2005-10-19 2007-08-01 Tokyo Electron Ltd Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
TW200731449A (en) * 2005-07-19 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd Surfacing type substrate transportation processing apparatus
US20080273072A1 (en) * 2003-11-17 2008-11-06 Jin-Koo Chung Apparatus for forming a thin film using an inkjet printing method
CN101331588A (zh) * 2005-12-15 2008-12-24 东京毅力科创株式会社 涂敷设备和涂敷方法
US20130307898A1 (en) * 2008-06-13 2013-11-21 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing

Family Cites Families (400)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3216858A (en) 1963-04-26 1965-11-09 Cons Edison Co New York Inc Method of purging gas-conduit tubing in gas-filled electric cables
US3251139A (en) 1965-03-10 1966-05-17 Us Dynamics Mfg Corp Dynamic insulating systems
US3498343A (en) 1966-12-13 1970-03-03 Lawrence R Sperberg Apparatus for inflating pneumatic tires with an inert gas
US3632374A (en) 1968-06-03 1972-01-04 Eastman Kodak Co Method of making photographic elements
US3670466A (en) 1970-08-03 1972-06-20 Metal Products Corp Insulated panel
JPS549294B2 (zh) 1972-02-16 1979-04-23
US3885362A (en) 1973-04-19 1975-05-27 Gordon J Pollock Modular noise abatement enclosure and joint seal
US4226897A (en) 1977-12-05 1980-10-07 Plasma Physics Corporation Method of forming semiconducting materials and barriers
IT1116334B (it) 1977-12-28 1986-02-10 Olivetti & Co Spa Dispositivo di scrittura senza impatto ad emissione selettiva di particelle solide di inchiostro
JPS57135184A (en) 1981-02-17 1982-08-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Printer
US4409889A (en) 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
US4581478A (en) 1982-04-07 1986-04-08 Pugh Paul F Gas pressurized cable and conduit system
NL8203318A (nl) * 1982-08-24 1984-03-16 Integrated Automation Inrichting voor processing van substraten.
US5202659A (en) 1984-04-16 1993-04-13 Dataproducts, Corporation Method and apparatus for selective multi-resonant operation of an ink jet controlling dot size
JPS6144034A (ja) 1984-08-07 1986-03-03 Omron Tateisi Electronics Co 車両のスイツチ制御装置
JPS6172947A (ja) 1984-09-18 1986-04-15 Takasago Thermal Eng Co Ltd クリ−ンル−ムの形成法およびこの方法に使用する空気調和設備ユニツト
US4721121A (en) 1984-11-16 1988-01-26 Adams Charles R Combination pressing comb dryer and blow dryer
JPS6298783A (ja) 1985-10-25 1987-05-08 Toshiba Corp 発光ダイオ−ド
US4676144A (en) 1985-12-30 1987-06-30 Smithkline Beckman Corporation Clean room system
US4751531A (en) 1986-03-27 1988-06-14 Fuji Xerox Co., Ltd. Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus
JPH0790665B2 (ja) 1986-08-27 1995-10-04 株式会社日立製作所 熱転写方法及びこれに用いる熱転写用インクシート
DE3715533C2 (de) * 1987-05-09 1997-07-17 Krieger Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Schwebendführen von Materialbahnen
US5041161A (en) 1988-02-24 1991-08-20 Dataproducts Corporation Semi-solid ink jet and method of using same
US5065169A (en) 1988-03-21 1991-11-12 Hewlett-Packard Company Device to assure paper flatness and pen-to-paper spacing during printing
US5141918A (en) 1988-04-22 1992-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate
JP2575205B2 (ja) 1989-01-13 1997-01-22 キヤノン株式会社 インクタンク
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP2836749B2 (ja) 1989-05-09 1998-12-14 株式会社リコー 液体噴射記録ヘッド
US5029518A (en) 1989-10-16 1991-07-09 Clean Air Technology, Inc. Modular clean room structure
KR960007979B1 (ko) 1991-04-17 1996-06-17 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 클리인공간시스템
JPH05218176A (ja) * 1992-02-07 1993-08-27 Tokyo Electron Tohoku Kk 熱処理方法及び被処理体の移載方法
US5314377A (en) 1992-10-05 1994-05-24 Airo Clean Inc. Clean air isolation enclosure
US6189989B1 (en) 1993-04-12 2001-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Embroidering using ink jet printing apparatus
US5896154A (en) 1993-04-16 1999-04-20 Hitachi Koki Co., Ltd. Ink jet printer
DK85093D0 (da) 1993-07-16 1993-07-16 Landsforeningen Til Kraeftens Method and apparatus for performing operations
US5344365A (en) 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
US5405710A (en) 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5623292A (en) 1993-12-17 1997-04-22 Videojet Systems International, Inc. Temperature controller for ink jet printing
US5633133A (en) 1994-07-14 1997-05-27 Long; David M. Ligation with hammerhead ribozymes
US5801721A (en) 1994-09-09 1998-09-01 Signtech U.S.A. Ltd. Apparatus for producing an image on a first side of a substrate and a mirror image on a second side of the substrate
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
JPH08118641A (ja) 1994-10-20 1996-05-14 Canon Inc インクジェットヘッド、インクジェットヘッドカートリッジ、インクジェット装置およびインクが再注入されたインクジェットヘッドカートリッジ用インク容器
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP3575103B2 (ja) 1995-02-17 2004-10-13 ソニー株式会社 記録方法
US5651625A (en) 1995-04-10 1997-07-29 Security Operating Systems, Inc. Printer enclosure and controller unit
US6086196A (en) 1995-04-14 2000-07-11 Sony Corporation Printing device
KR100244041B1 (ko) 1995-08-05 2000-02-01 엔도 마코토 기판처리장치
US6586763B2 (en) 1996-06-25 2003-07-01 Northwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP3460500B2 (ja) 1997-03-14 2003-10-27 株式会社荏原製作所 気体の清浄装置とそれを用いた密閉空間の清浄方法及び密閉空間
US5956051A (en) 1997-05-29 1999-09-21 Pitney Bowes Inc. Disabling a mailing machine when a print head is not installed
US5951770A (en) * 1997-06-04 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Carousel wafer transfer system
US5865860A (en) 1997-06-20 1999-02-02 Imra America, Inc. Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6095630A (en) 1997-07-02 2000-08-01 Sony Corporation Ink-jet printer and drive method of recording head for ink-jet printer
US5898179A (en) 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR100232852B1 (ko) 1997-10-15 1999-12-01 윤종용 잉크젯 프린터 헤드 및 이의 제조방법
US6086679A (en) 1997-10-24 2000-07-11 Quester Technology, Inc. Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition
US6453810B1 (en) 1997-11-07 2002-09-24 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for dispensing material in a printer
US5947022A (en) 1997-11-07 1999-09-07 Speedline Technologies, Inc. Apparatus for dispensing material in a printer
US6065825A (en) 1997-11-13 2000-05-23 Eastman Kodak Company Printer having mechanically-assisted ink droplet separation and method of using same
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
US6326224B1 (en) 1998-04-27 2001-12-04 Motorola, Inc. Method of purifying a primary color generated by an OED
US6089282A (en) 1998-05-08 2000-07-18 Aeronex, Inc. Method for recovery and reuse of gas
TW399344B (en) 1998-09-09 2000-07-21 Jan Shr Shiung High intensity light emitting diode (LED) and the manufacturing method thereof
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6086195A (en) 1998-09-24 2000-07-11 Hewlett-Packard Company Filter for an inkjet printhead
GB9822963D0 (en) 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
US6023899A (en) 1998-11-03 2000-02-15 Climatecraft Technologies, Inc. Wall panel assembly with airtight joint
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
JP2000223548A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Toshiba Corp 表示装置の製造装置
US6250747B1 (en) 1999-01-28 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Print cartridge with improved back-pressure regulation
US6228171B1 (en) 1999-01-29 2001-05-08 Tokyo Electron Ltd. Heat processing apparatus
IES20000264A2 (en) 1999-04-07 2000-11-15 Mv Res Ltd A system and method for the inspection of dielectric materials
US6203151B1 (en) 1999-06-08 2001-03-20 Hewlett-Packard Company Apparatus and method using ultrasonic energy to fix ink to print media
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
US6444400B1 (en) 1999-08-23 2002-09-03 Agfa-Gevaert Method of making an electroconductive pattern on a support
JP2001107272A (ja) 1999-10-08 2001-04-17 Hitachi Ltd 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4827294B2 (ja) * 1999-11-29 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び発光装置の作製方法
KR100319772B1 (ko) 1999-12-02 2002-01-09 오길록 유기물 마이크로 공진 레이저
US6312083B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Xerox Corporation Printhead assembly with ink monitoring system
US6276782B1 (en) 2000-01-11 2001-08-21 Eastman Kodak Company Assisted drop-on-demand inkjet printer
US6375304B1 (en) 2000-02-17 2002-04-23 Lexmark International, Inc. Maintenance mist control
CN1416365A (zh) 2000-02-22 2003-05-07 基因谱公司 微阵列制造技术及设备
JP2001298068A (ja) 2000-04-18 2001-10-26 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 局所清浄化法及び局所清浄化加工処理装置
JP2001326162A (ja) 2000-05-17 2001-11-22 Canon Inc 半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
US6604810B1 (en) 2000-05-23 2003-08-12 Silverbrook Research Pty Ltd Printhead capping arrangement
US6663219B2 (en) 2000-06-01 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Inkjet recording apparatus
JP4889883B2 (ja) * 2000-07-10 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法および成膜装置
KR100408269B1 (ko) 2000-07-20 2003-12-01 삼성전자주식회사 잉크제트 프린트헤드
US6755519B2 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Creo Inc. Method for imaging with UV curable inks
JP2002069650A (ja) 2000-08-31 2002-03-08 Applied Materials Inc 気相堆積方法及び装置並びに半導体装置の製造方法及び装置
JP2002093878A (ja) 2000-09-12 2002-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US6781684B1 (en) 2000-11-07 2004-08-24 Donald L. Ekhoff Workpiece levitation using alternating positive and negative pressure flows
US6601936B2 (en) 2000-11-14 2003-08-05 Cypress Semiconductor Corp. Real time adaptive inkjet temperature regulation controller
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
DE10061628B4 (de) * 2000-12-11 2006-06-08 Leica Microsystems Wetzlar Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Ergreifen und Transportieren von Wafern
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4011337B2 (ja) * 2000-12-12 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法。
US6513903B2 (en) 2000-12-29 2003-02-04 Eastman Kodak Company Ink jet print head with capillary flow cleaning
ATE402017T1 (de) 2001-02-09 2008-08-15 Seiko Epson Corp Tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung, steuerungs- und tintennachfüllsverfahren in der vorrichtung ausgeführt, tintenversorgungssystem in der vorrichtung, und verwaltungsverfahren der von dem system versorgt tintenmenge
US6629756B2 (en) 2001-02-20 2003-10-07 Lexmark International, Inc. Ink jet printheads and methods therefor
US6688798B2 (en) 2001-02-27 2004-02-10 Incumed, Inc. Adjustable locking mount and methods of use
US6472962B1 (en) 2001-05-17 2002-10-29 Institute Of Microelectronics Inductor-capacitor resonant RF switch
JP2003007800A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003017543A (ja) 2001-06-28 2003-01-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および搬送装置
FR2827682B1 (fr) 2001-07-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Regulation de pression par transfert d'un volume de gaz calibre
US6824262B2 (en) 2001-08-10 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Ink set and ink jet recording method
US6878636B2 (en) 2001-08-27 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Method for enhancing substrate processing
US7431968B1 (en) 2001-09-04 2008-10-07 The Trustees Of Princeton University Process and apparatus for organic vapor jet deposition
US7404862B2 (en) 2001-09-04 2008-07-29 The Trustees Of Princeton University Device and method for organic vapor jet deposition
WO2003025245A1 (en) 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
US6644149B2 (en) 2001-09-17 2003-11-11 Newfrey Llc Extraction tool for tanged helically coiled inserts with improved removability
JP2007175703A (ja) 2001-09-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置
TW529317B (en) 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US6733734B2 (en) 2001-10-31 2004-05-11 Matheson Tri-Gas Materials and methods for the purification of hydride gases
US6460972B1 (en) 2001-11-06 2002-10-08 Eastman Kodak Company Thermal actuator drop-on-demand apparatus and method for high frequency
JP3868280B2 (ja) 2001-12-04 2007-01-17 株式会社美和製作所 有機電界発光素子の製造装置
US6939212B1 (en) * 2001-12-21 2005-09-06 Lam Research Corporation Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization
JP2003257654A (ja) 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
TWI222423B (en) 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
US6582875B1 (en) 2002-01-23 2003-06-24 Eastman Kodak Company Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer
JP4066661B2 (ja) 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置
US7098069B2 (en) 2002-01-24 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same
JP3979113B2 (ja) 2002-02-12 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置
DE60318145T2 (de) 2002-03-11 2008-12-24 Seiko Epson Corp. Optischer Schreibkopf wie organische elektrolumineszente Belichtungskopf-Matrizen, Verfahren zu dessen Herstellung und Bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt
JP2003270417A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Fuji Xerox Co Ltd 屈折率周期構造体およびその製造方法
JP3925257B2 (ja) 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
JP3979135B2 (ja) 2002-03-20 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置
US7133905B2 (en) 2002-04-09 2006-11-07 Akamai Technologies, Inc. Method and system for tiered distribution in a content delivery network
JP4543617B2 (ja) 2002-04-22 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造装置、電気光学装置の製造装置、及び電気機器の製造装置
JP4954434B2 (ja) 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10224128A1 (de) 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
JP4354675B2 (ja) 2002-06-04 2009-10-28 ローツェ株式会社 薄板状電子部品クリーン移載装置および薄板状電子製品製造システム
CN100375925C (zh) 2002-06-10 2008-03-19 精工爱普生株式会社 调色剂的制造方法、调色剂及调色剂制造装置
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6986654B2 (en) 2002-07-03 2006-01-17 Therics, Inc. Apparatus, systems and methods for use in three-dimensional printing
US20040009304A1 (en) 2002-07-09 2004-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh Process and tool with energy source for fabrication of organic electronic devices
US6811896B2 (en) 2002-07-29 2004-11-02 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with thick (100 to 250 nanometers) porphyrin buffer layer
JP3690380B2 (ja) 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4008387B2 (ja) 2002-08-02 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US7086917B2 (en) 2002-08-12 2006-08-08 National Research Council Of Canada Photoresist mask/smoothing layer ensuring the field homogeneity and better step-coverage in OLED displays
WO2004021784A1 (en) 2002-09-03 2004-03-18 Bioprospect Limited Eremophilone and eremophilone derivatives for pest control
US20040050325A1 (en) 2002-09-12 2004-03-18 Samoilov Arkadii V. Apparatus and method for delivering process gas to a substrate processing system
JP4440523B2 (ja) 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機el表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
JP2004146369A (ja) 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
SE523667C2 (sv) 2002-09-20 2004-05-11 Alstom Switzerland Ltd Förfarande och anordning för avskiljning av gasformiga föroreningar från varma gaser medelst partikelformigt absorbentmaterial samt blandare för befuktning av absorbentmaterialet
AU2003263609A1 (en) 2002-09-20 2004-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6911671B2 (en) 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US7067170B2 (en) 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
GB0222360D0 (en) 2002-09-26 2002-11-06 Printable Field Emitters Ltd Creating layers in thin-film structures
JP2004160449A (ja) * 2002-10-24 2004-06-10 Seiko Epson Corp デバイス製造装置及びデバイスの製造方法、電子機器
TW555652B (en) 2002-10-25 2003-10-01 Ritdisplay Corp Ink jet printing device and method
US6666548B1 (en) 2002-11-04 2003-12-23 Eastman Kodak Company Method and apparatus for continuous marking
JP4313026B2 (ja) * 2002-11-08 2009-08-12 株式会社ヒラノテクシード 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機elパネルの製造装置及び製造方法
JP4588445B2 (ja) 2002-11-11 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6975067B2 (en) * 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
JP4378950B2 (ja) 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US6896346B2 (en) 2002-12-26 2005-05-24 Eastman Kodak Company Thermo-mechanical actuator drop-on-demand apparatus and method with multiple drop volumes
US6861800B2 (en) 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2004247111A (ja) 2003-02-12 2004-09-02 Seiko Epson Corp 長尺体配設構造、液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP2004253332A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toshiba Corp 塗布用基板、インク塗布システム及びその塗布方法並びにそれを用いたデバイス製造装置
JP2004291456A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置用チューブ、液滴吐出装置
JP4294360B2 (ja) 2003-04-11 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 ニス塗布方法、ニス塗布装置および印刷機
US20040206307A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
JP2004363560A (ja) 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4407164B2 (ja) 2003-06-03 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 チャンバ装置およびこれを備えたワーク処理設備
JP4098181B2 (ja) * 2003-08-05 2008-06-11 株式会社日立製作所 重質油の処理方法及び重質油類処理システム
US7077019B2 (en) 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
US6917159B2 (en) 2003-08-14 2005-07-12 Eastman Kodak Company Microcavity OLED device
US8123862B2 (en) 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP2005074299A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Seiko Epson Corp ドラフトチャンバ、ヘッド洗浄設備、ヘッド保管設備および液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
US20050079278A1 (en) 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
KR101193201B1 (ko) 2003-11-18 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 색 전환 소자를 포함하는 전기발광 장치 및 전기발광 장치의 제조 방법
US7759127B2 (en) 2003-12-05 2010-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Organic materials able to detect analytes
JP4801346B2 (ja) 2003-12-26 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI225008B (en) 2003-12-31 2004-12-11 Ritdisplay Corp Ink-jet printing apparatus
JP2005218899A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Toshiba Corp 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置
JP2007527784A (ja) 2004-02-13 2007-10-04 ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル マイクロ流体デバイスを作製するための官能性材料及び新規方法
KR100590545B1 (ko) 2004-02-27 2006-06-19 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트헤드의 구동 방법
US7410240B2 (en) 2004-03-04 2008-08-12 Fujifilm Corporation Inkjet recording head and inkjet recording apparatus
JP2005254038A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Neomax Co Ltd リニアモータ駆動ステージ及びそれを用いた機能性薄膜用製造装置、並びにz軸リニアモータ
WO2005086588A2 (en) 2004-03-17 2005-09-22 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact thermal platforms
GB2412088B (en) 2004-03-19 2007-09-19 Zipher Ltd Liquid supply system
JP4423082B2 (ja) 2004-03-29 2010-03-03 京セラ株式会社 ガスノズルおよびその製造方法とそれを用いた薄膜形成装置
US20080241587A1 (en) 2004-03-29 2008-10-02 Tadahiro Ohmi Film-Forming Apparatus And Film-Forming Method
US7585371B2 (en) 2004-04-08 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Substrate susceptors for receiving semiconductor substrates to be deposited upon
KR101195628B1 (ko) 2004-04-14 2012-10-30 코레플로우 사이언티픽 솔루션스 리미티드 편평한 물체의 대향면상에 광학 장치를 포커싱하는 방법
US7354845B2 (en) 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP4652120B2 (ja) * 2004-05-21 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造装置、およびパターン形成方法
US7023013B2 (en) 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
JP2006002972A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd クリーンルーム、局所クリーン化システム、その使用方法及びクリーンルームセキュリティシステム
JP4805555B2 (ja) 2004-07-12 2011-11-02 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7431435B2 (en) 2004-08-06 2008-10-07 Matthew Grant Lopez Systems and methods for varying dye concentrations
JP4802467B2 (ja) 2004-09-09 2011-10-26 ブラザー工業株式会社 インクジェットプリンタ
JP2006085933A (ja) 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法及び製造装置
KR100718555B1 (ko) 2004-10-11 2007-05-15 두산디앤디 주식회사 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치
JP2006120382A (ja) 2004-10-20 2006-05-11 Seiko Epson Corp 有機el装置の製造装置及び方法、並びに電気光学装置及び電子機器
US7374984B2 (en) 2004-10-29 2008-05-20 Randy Hoffman Method of forming a thin film component
KR100668309B1 (ko) 2004-10-29 2007-01-12 삼성전자주식회사 노즐 플레이트의 제조 방법
US7657368B2 (en) 2004-11-08 2010-02-02 General Motors Company System and method for large route data handling within a telematics communication system
US7908885B2 (en) 2004-11-08 2011-03-22 New Way Machine Components, Inc. Non-contact porous air bearing and glass flattening device
KR20060044265A (ko) 2004-11-11 2006-05-16 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조장치
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
JP4459037B2 (ja) 2004-12-01 2010-04-28 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
US7288469B2 (en) 2004-12-03 2007-10-30 Eastman Kodak Company Methods and apparatuses for forming an article
JP4691975B2 (ja) 2004-12-08 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 ワークギャップ調整方法、ワークギャップ調整装置、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP2008523451A (ja) 2004-12-14 2008-07-03 ラドーフ ゲーエムベーハー フォトリソグラフィ転写用のコリメートされたuv光線を生成するプロセスおよび装置
US7883832B2 (en) 2005-01-04 2011-02-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for direct referencing of top surface of workpiece during imprint lithography
KR100685806B1 (ko) 2005-01-17 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 증착 장치
JP4413789B2 (ja) 2005-01-24 2010-02-10 東京エレクトロン株式会社 ステージ装置および塗布処理装置
US7406761B2 (en) 2005-03-21 2008-08-05 Honeywell International Inc. Method of manufacturing vibrating micromechanical structures
DE202005005902U1 (de) 2005-04-07 2005-06-16 M + W Zander Facility Engineering Gmbh Gerät zur Handhabung und/oder Behandlung von Erzeugnissen
JP4642533B2 (ja) * 2005-04-08 2011-03-02 キヤノン株式会社 画像形成システムおよび該システムの記録制御方法
US7910166B2 (en) 2005-04-26 2011-03-22 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
US20070021050A1 (en) 2005-06-16 2007-01-25 Kennedy Michael A System for providing and managing a laminar flow of clean air
US7522258B2 (en) 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US20070026151A1 (en) 2005-07-13 2007-02-01 Higginson John A Fluid Deposition Cluster Tool
CN101243543A (zh) 2005-07-13 2008-08-13 富士胶片迪麦提克斯公司 流体沉积组合设备工具
JP2007030464A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Fujifilm Holdings Corp 画像形成装置
US8795769B2 (en) * 2005-08-02 2014-08-05 New Way Machine Components, Inc. Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
JP2007050565A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Fujifilm Corp インク供給装置、インクジェット記録装置及びインクカートリッジ
ATE552918T1 (de) 2005-08-24 2012-04-15 Brother Ind Ltd Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von schichten und herstellungsverfahren für einen piezoelektrischen aktuator
KR100729089B1 (ko) 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20070059459A1 (en) 2005-09-12 2007-03-15 Haixin Yang Ink jet printable hydrogel for sensor electrode applications
JP2007076168A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Fujifilm Corp 液体吐出ヘッド及び画像形成装置
KR20080059207A (ko) 2005-09-15 2008-06-26 코레플로우 사이언티픽 솔루션스 리미티드 컨베이어의 컨베잉 성능을 향상시키는 기구 및 방법
TWI269773B (en) * 2005-09-20 2007-01-01 Kingroup Automation Industry C Substrate delivering device
JP4726123B2 (ja) 2005-09-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 塗布システム
JP2007095343A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 印刷物の製造方法および印刷物
JP4396607B2 (ja) 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
KR100710482B1 (ko) 2005-10-18 2007-04-24 두산디앤디 주식회사 Rgb 패턴 형성용 질소 인클루저 및 질소가스 회수방법
JP2007122914A (ja) 2005-10-25 2007-05-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置
US20070098891A1 (en) 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
US7657390B2 (en) 2005-11-02 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Reclaiming substrates having defects and contaminants
US7677690B2 (en) 2005-11-22 2010-03-16 Fujifilm Corporation Liquid ejection apparatus and liquid agitation method
US20070134512A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing an anthracene derivative
KR20070079834A (ko) * 2006-02-03 2007-08-08 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2007273093A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4926530B2 (ja) 2006-04-27 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 シール部材、減圧容器、減圧処理装置、減圧容器のシール機構、および減圧容器の製造方法
JP2007299616A (ja) 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd 有機el素子の製造方法および有機el素子
KR20070106472A (ko) 2006-04-29 2007-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 분사 메커니즘을 갖는 파킹 구조물을 사용하여 잉크젯 인쇄헤드를 유지하기 위한 방법 및 장치
TW200803606A (en) 2006-06-13 2008-01-01 Itc Inc Ltd The fabrication of full color OLED panel using micro-cavity structure
KR100790557B1 (ko) * 2006-06-23 2008-01-02 세메스 주식회사 선입선출을 하는 버퍼 시스템
JP2008047340A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5148088B2 (ja) 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US7690881B2 (en) 2006-08-30 2010-04-06 Asm Japan K.K. Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
US7524226B2 (en) 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
KR100739309B1 (ko) 2006-10-13 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광표시장치
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
KR101308750B1 (ko) 2006-12-26 2013-09-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
EP2097938B1 (en) 2006-12-28 2019-07-17 Universal Display Corporation Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (oled) structures
CN100553013C (zh) 2006-12-29 2009-10-21 清华大学 一种有机电致发光器件
KR101098859B1 (ko) 2007-02-21 2011-12-26 울박, 인크 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20080206036A1 (en) 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
JP4942182B2 (ja) 2007-02-28 2012-05-30 株式会社第一興商 カラオケシステム
US20080259101A1 (en) 2007-03-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for minimizing the number of print passes in flat panel display manufacturing
US20080238310A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Forrest Stephen R OLED with improved light outcoupling
US20090326703A1 (en) 2007-04-30 2009-12-31 Presley Bryan S Integrated miniature microelectronic device factory
US8057602B2 (en) 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
WO2008142966A1 (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Ulvac, Inc. 有機el装置の製造装置
JP5135432B2 (ja) 2007-06-14 2013-02-06 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 薄膜積層の方法および装置
US7612971B2 (en) 2007-06-15 2009-11-03 General Electric Company Micro-electromechanical system based switching in heating-ventilation-air-conditioning systems
US20090004368A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Weyerhaeuser Co. Systems and methods for curing a deposited layer on a substrate
US7966743B2 (en) 2007-07-31 2011-06-28 Eastman Kodak Company Micro-structured drying for inkjet printers
JP4400656B2 (ja) 2007-08-02 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
ES2574154T3 (es) * 2007-08-07 2016-06-15 Abbvie Deutschland Gmbh & Co Kg Compuestos de quinolina adecuados para tratar trastornos que responden a la modulación del receptor de serotonina 5-HT6
KR100899423B1 (ko) 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP4561795B2 (ja) 2007-08-30 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 吸引装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
US8182608B2 (en) 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8398770B2 (en) 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
JP2009112889A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Nakan Corp 液状原料塗工装置、液状原料塗工方法、およびそれを用いた基体
KR101404546B1 (ko) 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2009085344A2 (en) 2007-12-28 2009-07-09 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP4600483B2 (ja) 2008-01-28 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、吐出方法、カラーフィルタの製造方法、有機el装置の製造方法
US20090220680A1 (en) 2008-02-29 2009-09-03 Winters Dustin L Oled device with short reduction
JP5217564B2 (ja) * 2008-03-28 2013-06-19 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
JP2009248918A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Autonetworks Technologies Ltd 画像表示装置、画像表示方法及びコンピュータプログラム
CN102083549B (zh) 2008-04-22 2013-09-18 弗拉季斯拉夫·尤里叶维奇·米尔切夫 紫外线照射固化物质的方法及实现该方法的设备及紫外线照射固化油墨
US20090295857A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink jet printing apparatus
KR101005880B1 (ko) * 2008-06-04 2011-01-06 세메스 주식회사 컨베이어 타입의 다단 베이크 유닛을 구비하는 기판 처리장치 및 그의 처리 방법
JP5658858B2 (ja) * 2008-06-10 2015-01-28 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US20090308860A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Short thermal profile oven useful for screen printing
WO2011075299A1 (en) 2009-11-27 2011-06-23 Kateeva, Inc Method and apparatus for depositing a film using a rotating source
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US10442226B2 (en) 2008-06-13 2019-10-15 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US20100018548A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Superimposition of rapid periodic and extensive post multiple substrate uv-ozone clean sequences for high throughput and stable substrate to substrate performance
US20090324368A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
JP5666300B2 (ja) 2008-07-22 2015-02-12 昭和電工株式会社 封止部材付き有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5287010B2 (ja) * 2008-07-31 2013-09-11 住友金属鉱山株式会社 ニッケル酸化鉱石の湿式製錬方法
JP4954162B2 (ja) * 2008-08-29 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム
KR20100026655A (ko) 2008-09-01 2010-03-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기전계발광 소자의 제조방법
JP4720890B2 (ja) 2008-09-26 2011-07-13 ブラザー工業株式会社 液体吐出装置
JP2010134315A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Seiko Epson Corp 液状体吐出装置
US20120056923A1 (en) 2009-01-05 2012-03-08 Kateeva, Inc. Control systems and methods for thermal-jet printing
US20100188457A1 (en) 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
KR101574147B1 (ko) 2009-01-20 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 잉크젯 헤드 및 그 잉크 공급 방법
US20100195083A1 (en) * 2009-02-03 2010-08-05 Wkk Distribution, Ltd. Automatic substrate transport system
TW201114082A (en) 2009-03-09 2011-04-16 Du Pont Process for forming an electroactive layer
EP2425470A2 (en) 2009-05-01 2012-03-07 Kateeva, Inc. Method and apparatus for organic vapor printing
JP2010267399A (ja) 2009-05-12 2010-11-25 Panasonic Corp 塗布装置
CN201446232U (zh) 2009-07-10 2010-05-05 西北工业大学 一种封闭循环净化惰性气氛控制装置
US8714731B2 (en) 2009-07-31 2014-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet ink and intermediate transfer medium for inkjet printing
CN102470998A (zh) * 2009-08-07 2012-05-23 夏普株式会社 空气浮起式基板搬运装置
SG178453A1 (en) 2009-08-21 2012-03-29 Silverbrook Res Pty Ltd Continuous web printer with short media feed path
GB0914856D0 (en) 2009-08-25 2009-09-30 Ark Therapeutics Ltd Compounds
JP2011065967A (ja) 2009-09-18 2011-03-31 Toppan Printing Co Ltd 有機el用加熱乾燥装置
KR101104185B1 (ko) * 2009-10-09 2012-01-09 주식회사 프로텍 웨이퍼 후면 코팅 장치
US8967772B2 (en) 2009-10-22 2015-03-03 Memjet Technology Ltd. Inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators
US20110097494A1 (en) 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid conveyance system including flexible retaining mechanism
JP5548426B2 (ja) 2009-10-29 2014-07-16 株式会社日立製作所 インクジェット塗布装置及び方法
KR20120106766A (ko) 2009-11-20 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101099729B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-28 세메스 주식회사 선회류 유닛을 이용한 에어 플로팅 스테이지 장치
JP5577685B2 (ja) 2009-12-15 2014-08-27 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機el表示装置及び有機el照明
US20110148985A1 (en) 2009-12-23 2011-06-23 Ulvac, Inc. Parallel motion system for industrial printing
KR101099555B1 (ko) 2010-01-12 2011-12-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5423706B2 (ja) 2010-03-15 2014-02-19 三菱化学株式会社 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機el照明、及び有機el表示装置
WO2011118652A1 (ja) 2010-03-26 2011-09-29 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2011225355A (ja) 2010-04-22 2011-11-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd エア浮上ユニット、ステージ装置、検査システム、露光システム及び塗布システム
EP3839572B1 (en) * 2010-05-06 2023-10-18 Immunolight, Llc. Adhesive bonding composition and method of use
JP5062339B2 (ja) 2010-05-12 2012-10-31 パナソニック株式会社 インクジェット装置
US20110279522A1 (en) 2010-05-17 2011-11-17 Silverbrook Research Pty Ltd Method of maintaining printhead
UY33403A (es) 2010-06-17 2011-12-30 Novartis Ag Compuestos orgánicos con novedosas isoxazolinas, sus n-óxidos, s-óxidos y sales
US20110318503A1 (en) 2010-06-29 2011-12-29 Christian Adams Plasma enhanced materials deposition system
JP5624047B2 (ja) 2010-06-30 2014-11-12 パナソニック株式会社 有機el表示パネルとその製造方法
KR101208262B1 (ko) 2010-06-30 2012-12-04 (주)에이티엘 글래스 검사 장치
US8851597B2 (en) 2010-07-01 2014-10-07 The Regents Of The University Of Michigan Gas cushion control of OVJP print head position
US9813767B2 (en) * 2010-07-08 2017-11-07 Disney Enterprises, Inc. System and method for multiple rights based video
KR101137700B1 (ko) * 2010-09-01 2012-04-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
JP2012074370A (ja) 2010-09-03 2012-04-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN201812332U (zh) 2010-09-27 2011-04-27 杭州杰马电子有限公司 自助式银行回单打印机
JP5560155B2 (ja) 2010-09-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
WO2012050131A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 株式会社朋インターナショナル 水電解処理装置
KR101182172B1 (ko) 2010-10-18 2012-09-12 에이피시스템 주식회사 플렉서블 액정 디스플레이 제조장치
WO2012065004A2 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Incelldx, Inc. Methods and systems for predicting whether a subject has a cervical intraepithelial neoplasia (cin) lesion from a suspension sample of cervical cells
EP2646861A2 (en) 2010-12-04 2013-10-09 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of forming same
US9487010B2 (en) 2010-12-15 2016-11-08 Electronics For Imaging, Inc. InkJet printer with controlled oxygen levels
JP5716752B2 (ja) 2010-12-27 2015-05-13 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルムおよび電子デバイス
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법
JP2012170846A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2012187453A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Toray Eng Co Ltd 浮上塗布装置及び浮上塗布方法
KR101807196B1 (ko) 2011-05-18 2017-12-12 주식회사 탑 엔지니어링 평판디스플레이용 패널이송장치
US8414688B1 (en) 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US9012892B2 (en) 2011-06-21 2015-04-21 Kateeva, Inc. Materials and methods for controlling properties of organic light-emitting device
US20130005076A1 (en) 2011-06-29 2013-01-03 Kateeva, Inc. Thermal jet printhead
JP5520258B2 (ja) 2011-06-29 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 色素吸着装置及び色素吸着方法
JP6082392B2 (ja) 2011-07-01 2017-02-15 カティーバ, インコーポレイテッド インクからキャリア液体蒸気を分離する装置および方法
US20130025253A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Rajani Kumar Akula Reduction of co and o2 emissions in oxyfuel hydrocarbon combustion systems using oh radical formation with hydrogen fuel staging and diluent addition
US9120344B2 (en) 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
CN106113943B (zh) 2011-08-09 2018-03-30 科迪华公司 面向下的打印设备和方法
CN102983289B (zh) 2011-09-06 2016-12-21 应用材料公司 用于无掩模封装的方法
CN102328317A (zh) 2011-09-08 2012-01-25 杭州泰林生物技术设备有限公司 一种软舱体隔离器
CN103843146B (zh) 2011-09-29 2016-03-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
JP2013109836A (ja) 2011-11-17 2013-06-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機elパネルの製造方法及び有機elパネルの封止装置
KR20240036145A (ko) * 2011-12-22 2024-03-19 카티바, 인크. 가스 엔클로저 시스템
CN203666124U (zh) 2011-12-22 2014-06-25 科迪华公司 气体封闭***
KR20130079682A (ko) 2011-12-30 2013-07-11 엘아이지에이디피 주식회사 전자종이 표시소자 제조방법 및 제조장치
US9449825B2 (en) * 2012-02-03 2016-09-20 SCREEN Holdings Co., Ltd. Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method
TWI725303B (zh) * 2012-02-10 2021-04-21 美商布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
JP5874427B2 (ja) 2012-02-14 2016-03-02 セイコーエプソン株式会社 部品検査装置、及び、ハンドラー
JP2013206858A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Shibaura Mechatronics Corp 紫外線硬化膜の形成方法及び装置
US8840218B2 (en) 2012-05-02 2014-09-23 Eastman Kodak Company Multi-zone condensation control method
JP5304922B1 (ja) 2012-05-09 2013-10-02 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
JP6181358B2 (ja) 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機el素子の有機機能膜の積層体の製造方法
JP5529220B2 (ja) 2012-08-16 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造方法
KR101928890B1 (ko) 2012-11-30 2019-03-12 카티바, 인크. 산업용 프린팅 시스템의 유지 방법
CN104129163B (zh) 2012-12-19 2016-03-23 科迪华公司 气体封闭组件和***
US9033480B2 (en) 2013-03-06 2015-05-19 E I Du Pont De Nemours And Company System and process for liquid replenishment for a printing apparatus for depositing a liquid composition on a backplane
CN109130549B (zh) 2013-03-13 2021-02-26 科迪华公司 气体封闭***和利用辅助封闭装置的方法
JP6328434B2 (ja) 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP2014191337A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd 画像表示体および物品
JP5880485B2 (ja) 2013-05-13 2016-03-09 住友金属鉱山株式会社 成膜装置およびこれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法
CN107264083B (zh) * 2013-10-02 2019-11-19 科迪华公司 用于控制打印间隙的设备和方法
EP3787016B1 (en) 2013-12-26 2023-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for thermal treatment of electronic devices
KR102022816B1 (ko) 2014-01-21 2019-11-04 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
US9343678B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
WO2015168036A1 (en) 2014-04-30 2015-11-05 Kateeva, Inc. Gas cushion apparatus and techniques for substrate coating
CN110281668B (zh) 2014-07-18 2021-04-27 科迪华公司 利用多区域循环及过滤的气体封闭***和方法
KR20180082498A (ko) 2015-11-16 2018-07-18 카티바, 인크. 기판을 열처리하기 위한 시스템 및 방법
WO2017154085A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 株式会社ナノテム 搬送用パッドおよびそれを用いる搬送装置、搬送方法
JP6968243B2 (ja) 2016-10-14 2021-11-17 株式会社日本製鋼所 レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
JP6122201B1 (ja) 2016-10-28 2017-04-26 中島 秀夫 車椅子の人の介護補助力を測定できるリハビリ歩行器。

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5053355A (en) * 1989-01-14 1991-10-01 Nukem Gmbh Method and means for producing a layered system of semiconductors
US20020022377A1 (en) * 2000-04-11 2002-02-21 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US20080273072A1 (en) * 2003-11-17 2008-11-06 Jin-Koo Chung Apparatus for forming a thin film using an inkjet printing method
US20060008591A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Innolux Display Corp. Coating apparatus and method using the same
TW200731449A (en) * 2005-07-19 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd Surfacing type substrate transportation processing apparatus
TW200729335A (en) * 2005-10-19 2007-08-01 Tokyo Electron Ltd Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
CN101331588A (zh) * 2005-12-15 2008-12-24 东京毅力科创株式会社 涂敷设备和涂敷方法
US20130307898A1 (en) * 2008-06-13 2013-11-21 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing

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