CN108780114A - 用于电子测试器中的器件的温度控制的方法和*** - Google Patents

用于电子测试器中的器件的温度控制的方法和*** Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种测试器装置。槽组件可拆卸地安装在框架上。每个槽组件允许对***所述槽组件中的相应的盒进行单独加热和温度控制。闭环空气通道由框架限定,加热器和冷却器位于闭环空气通道中,以利用空气冷却或加热所述盒。当其他盒处于测试的各个阶段或处于温度斜坡的各个阶段时,各个盒可以被***或移除。

Description

用于电子测试器中的器件的温度控制的方法和***
技术领域
本发明涉及一种用于测试微电子电路的测试装置。
背景技术
微电子电路通常制造在半导体晶片中和半导体晶片上。随后将这种晶片“单个化”或“切割”成单个晶粒。这种晶粒通常安装在支撑基板上以为其提供刚性,并与晶粒的集合或微电子电路进行电子通信。最终组装可以包括晶粒的封装,然后可以将所得到的组装运送给顾客。
要求在运送给客户之前测试晶粒或组装。理想情况下,应在早期阶段对晶粒进行测试,以识别早期制造过程中出现的缺陷。晶片级测试可以通过提供具有触点的处理器和接触器,然后使用处理器移动晶片以使晶片上的触点与接触器上的触点接触来完成。然后可以通过接触器向晶片中形成的微电子电路提供电力和电子信号。
根据各种实施方式,晶片包括基底,例如硅基底或印刷电路板,以及在基底中制造或安装到基底上的一个或多个器件。
或者,晶片可位于具有电接口和热卡盘的便携式盒中。可以通过电接口向晶片和从晶片提供电力和信号,同时通过加热或冷却热卡盘来热控制晶片的温度。
发明内容
本发明提供一种测试器装置,包括框架,多个槽组件,每个槽组件包括安装在所述框架上的槽组件主体,安装在所述槽组件主体上并形成用于放置相应的晶片的测试站的保持器,所述相应的晶片具有至少一个微电子器件,多个电导体和靠近相应的晶片以检测所述相应的晶片的温度的温度检测器,至少一个当操作时导致热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量的温度调节装置,至少一个基于所述温度检测器检测到的所述晶片的温度控制热传递的热控制器,通过所述电导体连接到所述测试站中的晶片并为每个微电子器件提供至少电力的电源,以及通过所述电导体连接到所述晶片并测量所述微电子器件的性能的测试器。
本发明还提供一种测试微电子器件的方法,包括:将多个晶片中的相应晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应的槽组件的相应的保持器提供,利用靠近所述相应的晶片的相应温度检测器检测所述相应的晶片的相应温度,将热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量,基于所述温度检测器检测到的晶片的温度控制热传递,通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件。
本发明还提供一种测试器装置,包括:限定至少第一闭环空气通道的框架;位于所述第一闭环空气通道中以使空气再循环通过所述第一闭环空气通道的至少第一风扇;多个槽组件,每个槽组件包括:安装在所述框架上的槽组件主体;安装在所述槽组件主体上并形成用于放置相应晶片的测试站的保持器,所述相应晶片具有至少一个微电子器件并被保持在所述第一闭环空气通道中;和多个电导体;安装在所述第一闭环空气通道中的所述框架上的温度调节装置,当操作时,所述温度调节装置在所述第一闭环空气通道中的空气和所述第一闭环空气通道中的所述温度调节装置之间引起热传递;检测温度的至少一个温度检测器;基于所述温度控制热传递的热控制器;通过所述电导体连接到所述测试站中的晶片并为每个微电子器件提供至少电力的电源;和通过所述电导体连接到所述晶片并测量所述微电子器件的性能的测试器。
本发明还提供了一种测试微电子器件的方法,包括:将多个晶片中的相应晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应槽组件的相应保持器提供,所述晶片被保持在由所述框架限定的第一闭环空气通道中;操作位于所述第一闭环空气通道中的至少第一风扇,以使空气再循环通过所述第一闭环空气通道;在安装在所述第一闭环空气通道中的所述框架上的至少一个温度调节装置和所述第一闭环空气通道中的空气之间传递热量;检测温度;基于所述温度控制热传递;和通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件。
本发明还提供一种测试器装置,包括:框架;多个槽组件,每个槽组件包括:安装在所述框架上的槽组件主体;安装在所述槽组件主体上并形成用于放置相应的晶圆的测试站的保持器,所述相应的晶片具有至少一个微电子器件;多个电导体;和靠近相应的晶片以检测所述相应的晶片的温度的温度检测器;至少一个当操作时导致热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量的温度调节装置;和测试器,所述测试器通过所述电导体连接到所述测试站中的所述晶片,以通过向每个微电子器件提供至少电力并测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件,其中第一槽组件的至少一个导体可连接在第一晶片和所述电源之间,同时将热量传递给连接到所述电源的第二晶片或从所述第二晶片传递热量。
本发明还提供一种测试微电子器件的方法,包括:将多个晶片中的相应的晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应的槽组件的相应的保持器提供;利用靠近所述相应的晶片的相应温度检测器检测所述相应的晶片的相应温度;将热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量;通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件;和将第一槽组件的至少一个导体连接在第一晶片和所述电源之间,同时将热量传递给连接到所述电源的第二晶片或从所述第二晶片传递热量。
附图说明
通过参考附图的示例进一步描述本发明,其中:
图1是根据本发明的一种实施方式的具有槽组件的测试器装置的截面侧视图;
图2是图1所示的测试器装置沿剖面线2-2的截面侧视图;
图3是图1所示的测试器装置沿剖面线3-3的截面侧视图;
图4是图2和3所示的测试器装置沿剖面线4-4的截面侧视图;
图5A是根据本发明另一实施方式的具有槽组件的测试器装置的截面侧视图;
图5B是根据本发明又一实施方式的具有槽组件的测试器装置的截面侧视图;
图6A、6B和6C是测试器装置的透视图,示出了将便携式盒***或移出由框架限定的烤箱;
图7是时间图,示出了如何***一个盒并将其用于测试晶片的电子器件,并随后***另一个盒;和
图8是测试器装置的透视图,示出了一个槽组件的***或移除。
具体实施方式
附图中的图1示出了根据本发明的一种实施方式的测试器装置10,其包括测试器12、框架14、电源总线16、第一和第二槽组件18A和18B、第一和第二测试器接口20A和20B、第一和第二电源接口22A和22B、第一和第二加压空气接口24A和24B、第一和第二真空接口26A和26B、第一和第二盒28A和28B以及第一和第二晶片30A和30B。
槽组件18A包括槽组件主体32、热卡盘,、形式为加热元件38的温度调节装置、冷却元件39、第一槽组件接口40以及多个第二槽组件接口,多个第二槽组件接口包括控制接口44、电源接口46和真空接口48。
第一槽组件接口40位于槽组件主体32内并安装在槽组件主体32上。控制接口44、电源接口46和真空接口48形式的第二接口安装在槽组件主体32的左壁上,槽组件主体32安装到框架14。
槽组件18A可***框架14中并可从框架14移除。当槽组件18A***框架14时,测试器接口20A、电源接口22A和第一真空接口26A分别连接到控制接口44、电源接口46和真空接口48。当槽组件18A从框架14移除时,测试器接口20A、电源接口22A和第一真空接口26A与控制接口44、电源接口46和真空接口48断开。
槽组件18包括具有测试电子器件的主板60、具有测试电子器件的多个通道模块板62、柔性连接器64和连接板6。控制接口44和电源接口46连接到主板60,并且热控制器50安装在主板60上。通道模块板62电连接到主板60。柔性连接器64将通道模块板62连接到连接板66。通过电导体将控制接口44连接到主板60来提供控制功能。通过电源接口46向主板60提供电力。通过导体从主板60向通道模块板62提供电力和控制。柔性连接器64提供将通道模块板62连接到连接板66的导体。连接板66包括将柔性连接器64连接到第一槽组件接口40的导体。因此,第一槽组件接口40通过各种导体连接到控制接口44和电源接口46,从而可以通过控制接口44和电源接口46向第一槽组件接口40提供电力和控制。
第二槽组件18B包括与第一槽组件18A类似的部件,并且相似的附图标记表示相似的部件。第二槽组件18B***框架14中,使得第二槽组件18B的控制接口44、电源接口46和真空接口48分别连接到测试器接口20B、电源接口22B和第二真空接口26B。
盒28A包括由薄卡盘72和背板74形成的盒体70。温度检测器36位于薄卡盘72中。晶片30A具有形成在其中的多个微电子器件。晶片30A***薄卡盘72和背板74之间的盒体70中。盒触点76与晶片30A上的各自的触点(未示出)接触。盒28A还包括在背板74上的盒接口78。背板74中的导体将盒接口78连接到盒触点76。
盒28A具有连接在背板74和薄卡盘72之间的密封件77。真空被施加到由密封件77、背板74和薄卡盘72限定的区域。真空将盒28A保持在一起并确保盒接口78和晶片30A上的触点之间的适当接触。温度检测器36接近晶片30A并因此足够靠近晶片30A以检测晶片30A五摄氏度或无摄氏度以内的温度,,优选检测晶片30A二分之一摄氏度以内的温度。
槽组件18A还具有通过铰链84连接到槽组件主体32的门82。当门82旋转到打开位置时,盒28A可以通过门开口86***槽组件主体32中。然后将盒28A下降到热卡盘34上,并关闭门82。槽组件18A还具有位于热卡盘34和薄卡盘72之间的密封件88。真空通过真空接口48和真空管线90施加到由密封件88、热卡盘34和薄卡盘72限定的区域。热卡盘34然后基本上形成保持器,该保持器具有用于晶片的测试站。热卡盘34安装在槽组件主体32上。由此在热卡盘34和薄卡盘72之间提供良好的热连接。当加热元件38产生热量时,热量通过热卡盘34和薄卡盘72传导,到达晶片30A。
盒接口78与第一槽组件接口40接合。通过第一槽组件接口40、盒接口78和盒触点76向晶片30A提供电力和信号。通过盒触点76、盒接口78和第一槽组件接口40测量晶片30A内的器件的性能。
槽组件18B的门82在图示中处于关闭位置。前密封件100安装在槽组件18A的上表面上并与槽组件18B的下表面密封。前密封件102安装到槽组件18B的上表面并与框架14的下表面密封。连续密封的前壁104由槽组件18A和18B的门82和前密封件100和102提供。
槽组件18A还包括热控制器50。温度检测器36通过温度反馈线52连接到热控制器50。通过电源接口46和电源线54向加热元件38提供电力,使得加热元件38加热。然后,加热元件38加热热卡盘34和热卡盘34上的晶片。冷却元件39靠着加热卡盘38定位,并且例如可以是冷却元件主体,其中液体以可控速率流过其中,从而控制从晶片和热卡盘34传递的热量。加热元件38和冷却元件39由热控制器50基于温度检测器36检测的温度控制。
槽组件18A包括分离器密封件108,分离器密封件108在槽组件18A的内壁106上方安装到槽组件主体32的上表面。分离器密封件108与槽组件18B的下表面密封。槽组件18B具有安装到其槽组件主体32的上表面的分离器密封件110。分离器密封件108与框架14的下表面密封。连续密封的分离器壁112由槽组件18A和18B的内壁106以及分离器密封件108和110提供。
图2示出图1所示的测试器装置10沿剖面线2-2的剖视图。框架14限定了第一闭环空气通道120。可以打开空气入口和出口开口(未示出)以将第一闭环空气通道120改变为开放空气通道,其中室温下的空气不经再循环地通过框架14。闭环通道在洁净室环境中特别有用,因为它会导致颗粒材料释放到空气中。
测试器装置10还包括第一风扇122、第一风扇马达124、水冷却器126形式的温度调节装置、电加热器128形式的温度调节装置,阻尼器,阻尼器130、阻尼器致动器132和热控制器134。
第一风扇122和第一风扇马达124安装在第一闭环空气通道120的上部。阻尼器130安装在框架14上,以便在上侧位置和下侧位置之间枢转运动。水冷却器126和电加热器128在第一闭环空气通道120的上部中安装到框架14。
阻尼器致动器132连接到阻尼器130,以使阻尼器在上侧位置和下侧位置之间旋转。热控制器134控制阻尼器致动器132的操作和提供给电加热器128的电流。热控制器134接收来自位于第一闭环空气通道120内的空气温度测量装置140的输入。如方框142所示,由热控制器132设定的空气温度设定点是以下所有的函数:
1)晶片温度设定点(由用户制定);
2)来自图1所示温度检测器36的槽温度测量的动态反馈;
3)从晶片温度到感测晶片温度的固定偏移量,这主要是可校准的热电偶变化和温度下降,其可以是晶片瓦数的函数;和
4)晶片瓦数。
盒28A和28B与槽组件18A和18B一起定位,并且位于第一闭环空气通道120的下半部分中。
在使用中,电流被提供给第一风扇马达124。第一风扇马达124使第一风扇122旋转。第一风扇122使空气沿顺时针方向再循环通过第一闭环空气通道120。
热控制器134从温度测量装置140接收温度。热控制器134被设定为将第一闭环空气通道120中的空气温度保持在预定设定值。如果必须加热空气,则热控制器134启动阻尼器致动器132以将阻尼器130旋转到上侧位置。空气从水冷却器126朝向电加热器128偏转。然后电加热器128加热空气。
如果必须冷却第一闭环空气通道120内的空气,则热控制器134减小电加热器128上的电流并操作阻尼致动器132以使阻尼器130旋转到下侧位置。在下侧位置,阻尼器130使空气偏离电加热器128,使得大部分空气流过水冷却器126的热交换器。水冷却器126然后冷却空气。然后空气在盒28A或28B上方流过槽组件18A和18B。然后通过对流,借助空气对盒28A或28B进行加热或冷却。
图3示出了图1所示的测试器装置10沿剖面线3-3的剖视图。框架14限定了第二闭环空气通道150。测试器设备10还包括第二风扇152、第二风扇马达154和温度调节装置。如图2所示,没有设置电加热器或阻尼器。可以打开空气入口和出口开口(未示出)以将第一闭环空气通道150改变为开放空气通道,其中室温下的空气不经再循环地通过框架14。
闭环通道在洁净室环境中特别有用,因为它会导致颗粒材料释放到空气中。第二风扇152和第二风扇马达154位于第二闭环空气通道150的上部。水冷却器156位于第二闭环空气通道150内的第二风扇152的稍下游。主板60和通道模块板62位于第二闭环空气通道150的下半部分中,通道模块板62形成槽组件18A和18B的一部分。
在使用中,电流被提供给第二风扇马达154,第二风扇马达154使第二风扇152旋转。然后,第二风扇152沿顺时针方向使空气再循环通过第二闭环空气通道150。空气由水冷却器156冷却,然后冷却的空气经过主板60和通道模块板62,使得热量通过对流从主板60和通道模块板62传递到空气。
借助图1所示连续密封分离壁112,通过图1所示第一闭环空气通道120再循环的空气与图3所示第二闭环空气通道150中的空气保持分离。图1所示连续密封前壁104防止空气从第一闭环空气通道120逸出。
如图4所示,气室160在除连续密封隔离壁112所提供的区域之外的所有区域中将第一闭环空气通道120与第二闭环空气通道150分开。框架14具有进一步限定闭环空气通道120和150的左壁162和右壁164。
图5A示出了根据本发明另一实施方式的具有槽组件218的测试器装置210。槽组件218包括加热电阻器220,其以与图1中所示的加热元件38类似的方式操作。加热电阻器220位于热卡盘222中。热卡盘222具有形成在其中的热流体通道224。热流体通道224保持热流体。热流体优选地是液体而不是气体,因为液体不可压缩并且热量更快地与液体或从液体中对流。不同的热流体用于不同的应用,其中油用于温度最高的应用。
热流体通道224的相对端连接到第一气缸226和第二气缸228。槽组件218包括气压接口230和气动开关232。气压接口230连接到测试器装置10的框架14上的气压接口24A。
通过气动开关232将高于环境压力的空气压力提供给第一气缸226或第二气缸228。当加压空气被提供给第一气缸226时,第一气缸226用作热流体致动器,其沿一个方向推动热流体通过热流体通道224。然后,第二气缸228接收热流体。当通过气动开关232向第二气缸228提供空气压力时,第二气缸228通过热流体通道224以相反方向推动热流体,并且第一气缸226接收热流体。气动开关232连续地交替其位置,使得热流体连续地通过热流体通道224交替其运动方向。加热电阻器220用作加热器,其安装在对热卡盘222进行加热的位置,热卡盘222对流体进行加热。通过使热流体再循环通过热流体通道224,热卡盘222向热卡盘34提供更均匀的热量分布,并最终提供给晶片30A。
图5B示出了根据本发明又一实施方式的具有槽组件242的测试器装置240。槽组件242具有热流体通道224、气缸226和228、气动开关232和气压接口230,如图5A所示实施方式那样。图5A所示实施方式中的加热电阻器220由位于热卡盘222外部的加热电阻器244代替,该加热电阻器244靠近或围绕将第一气缸226连接到热流体通道224的管线246。加热电阻器244用于连续加热管线246内的热流体。在图5B所示实施方式中提供了比图5A所示实施方式中更直接的热流体加热。
图5C示出了具有槽组件318的测试器装置340,除了包括冷却元件320之外,该槽组件318类似于图5A所示槽组件218。冷却元件与热流体通道224串联。在使用中,热量传递到热流体通道224中的热流体。然后,加热的热流体流至冷却元件320。冷却元件位于图2所示第一闭环空气通道120中,使得热量通过冷却元件320传导,并且然后与第一闭环空气通道120中的空气对流传热。然后冷却的热流体通过第一气缸226和第二气缸228流至热流体通道224。
图6A、6B和6C示出了在所有其他盒用于测试晶片器件并且可能处于各种温度斜坡状态(states of temperature ramps)时,盒30C、30D和30E如何可以在任何时间***或移除。图7更详细地说明了该概念。在时间T1,第一盒***框架14,而第二盒在框架14外。在T1开始加热第一盒。在T1和T2之间,第一盒的温度从室温(即约22℃)增加到比T2时的室温高50℃至150℃的测试温度。在T2时,对第一盒供电并且测试第一盒中的器件。在T3时,将第二盒***框架14中并开始加热第二盒。在T4时,终止第一盒的测试。在T4时,也开始冷却第一盒。在T5时,第二盒达到测试温度,并且向第二盒提供电力,并且测试第二盒中的晶片。在T6时,第二盒达到接近室温的温度并从框架14移除。然后可以***第三盒代替第一盒。在T7时,终止第二盒的测试并开始冷却。在T8时,第二盒已经冷却至室温或接近室温,并且从框架14移除。
可以在不同温度下进行不同的测试。举例来说,可***盒并在室温下进行测试。在温度斜坡上升期间可以进行另一个测试。可以在升高的温度下进行进一步的测试。在温度斜坡下降期间可以进行进一步的测试。这些测试中的两个可以是从一个温度阶段到下一个温度阶段运行的单个测试。
如图8所示,一个槽组件18A可以被移除或***框架14。槽组件18A可以***或移除,而框架14内的其他槽组件用于测试晶片的器件,如上文参考图7所述。
虽然已经在附图中描述和示出了某些示例性实施方式,但是应该理解,这些实施方式仅仅是说明性的而不是对本发明的限制,并且本发明不限于示出和描述的特定结构和布置。本领域普通技术人员可以进行修改。

Claims (53)

1.一种测试器装置,包括:
框架;
多个槽组件,每个槽组件包括:
槽组件主体,所述槽组件主体安装在所述框架上;
保持器,所述保持器安装在所述槽组件主体上并形成用于放置相应的晶片的测试站,所述相应的晶片具有至少一个微电子器件;
多个电导体;和
温度检测器,所述温度检测器靠近所述相应的晶片以检测所述相应的晶片的温度;
至少一个温度调节装置,当操作时,所述温度调节装置使得热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量;
至少一个热控制器,所述热控制器基于所述温度检测器检测到的所述晶片的温度控制热传递;
电源,所述电源通过所述电导体连接到所述测试站中的所述晶片,并为每个微电子器件提供至少电力;和
测试器,所述测试器通过所述电导体连接到所述晶片。
2.根据权利要求1所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的热控制器,所述热控制器基于放置在相应的槽组件的测试站中的所述晶片的温度来控制热传递。
3.根据权利要求1所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的温度调节装置,在操作时,所述温度调节装置改变温度以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,以基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度。
4.根据权利要求3所述的测试器装置,其中,所述温度调节装置是加热元件。
5.根据权利要求1所述的测试器装置,其中,所述温度调节装置包括:
热卡盘,所述热卡盘具有热流体通道,热流体可通过所述热流体通道移动。
6.根据权利要求5所述的测试器装置,还包括:
热流体致动器,所述热流体致动器使所述热流体移动通过所述热流体通道。
7.根据权利要求5所述的测试器装置,还包括:
加热器,所述加热器安装在加热所述热流体的位置。
8.根据权利要求7所述的测试器装置,其中,所述加热器位于所述热卡盘中。
9.根据权利要求7所述的测试器装置,其中,所述加热器位于所述热卡盘的外部。
10.根据权利要求1所述的测试器装置,还包括:
多个盒,每个盒包括:
盒体,所述盒体用于保持相应的晶片;
多个盒触点,多个所述盒触点由所述盒体保持,用于与所述晶片上的触点接触;
盒接口,所述盒接口与所述盒触点连接;和
多个第一槽组件接口,每个第一槽组件接口位于相应的一个槽组件上,每个盒可与相应的晶片一起***所述框架中,并且相应的盒接口与相应的第一槽组件接口连接。
11.根据权利要求10所述的测试器装置,还包括:
多个测试器接口;和
多个第二槽组件接口,每个第二槽组件接口位于相应的一个所述槽组件上,每个槽组件可***所述框架中,并且相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
12.一种测试微电子器件的方法,包括:
将多个晶片中的相应晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应的槽组件的相应的保持器提供;
利用靠近所述相应的晶片的相应的温度检测器检测所述相应的晶片的相应温度;
将热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量;
基于所述温度检测器检测到的晶片的温度控制热传递;
通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:基于放置在所述相应的槽组件的所述测试站中的所述晶片的温度,利用形成相应的槽组件的一部分的相应的热控制器来控制热传递。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括:改变所述相应的槽组件的相应的温度调节装置的温度,以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,从而基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述温度调节装置是加热元件。
16.根据权利要求12所述的方法,其中,所述温度调节装置是热卡盘,还包括:
使热流体移动通过所述热卡盘中的热流体通道,以在所述热流体和所述热卡盘之间传递热量。
17.根据权利要求16所述的方法,还包括:
操作热流体致动器以移动所述热流体。
18.根据权利要求16所述的方法,还包括:
用加热器加热所述热流体。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述加热器位于所述热卡盘中。
20.根据权利要求18所述的方法,其中,所述加热器位于所述热卡盘的外部。
21.根据权利要求12所述的方法,还包括:
将多个晶片中的每一个保持在多个盒中的相应的盒中;
在由所述相应的盒的盒体保持的多个盒触点和所述相应的晶片上的触点之间进行接触;
将每个带有相应的晶片的盒***所述框架中;和
将每个相应的盒上的相应的盒接口与相应的槽组件上的相应的第一槽组件接口连接。
22.根据权利要求21所述的方法,还包括:
将每个槽组件***所述框架中;
将每个相应的槽组件上的相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
23.一种测试器装置,包括:
限定至少第一闭环空气通道的框架;
位于所述第一闭环空气通道中以使空气再循环通过所述第一闭环空气通道的至少第一风扇;
多个槽组件,每个槽组件包括:
槽组件主体,所述槽组件主体安装在所述框架上;
保持器,所述保持器安装在所述槽组件主体上,并形成用于放置相应的晶片的测试站,所述相应的晶片具有至少一个微电子器件并被保持在所述第一闭环空气通道中;和
多个电导体;
温度调节装置,所述温度调节装置安装在所述第一闭环空气通道中的所述框架上,当操作时,所述温度调节装置在所述第一闭环空气通道中的空气和所述第一闭环空气通道中的所述温度调节装置之间引起热传递;
检测温度的至少一个温度检测器;
热控制器,所述热控制器基于所述温度控制热传递;
电源,所述电源通过所述电导体连接到所述测试站中的晶片并为每个微电子器件提供至少电力;和
测试器,所述测试器通过所述电导体连接到所述晶片并测量所述微电子器件的性能。
24.根据权利要求23所述的测试器装置,其中,所述温度检测器检测空气的温度。
25.根据权利要求23所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的热控制器,所述热控制器基于放置在所述相应的槽组件的所述测试站中的所述晶片的温度来控制热传递。
26.根据权利要求23所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的温度调节装置,在操作时,所述温度调节装置改变温度以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,以基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度。
27.根据权利要求23所述的测试器装置,其中,所述第一闭环空气通道中的所述温度调节装置是加热器,还包括:
所述第一闭环空气通道中的冷却器;和
所述第一闭环空气通道中的阻尼器,所述阻尼器可移动以将流体从所述冷却器引导至所述加热器或从所述加热器引导至所述冷却器。
28.根据权利要求23所述的测试器装置,其中所述框架至少限定第二闭环空气通道,还包括:
位于所述第二闭环空气通道中以使空气再循环通过所述第二闭环空气通道的至少第二风扇,其中每个槽组件包括:
带有测试电子设备的至少一个板,所述至少一个板位于所述第二闭环空气通道中;
安装在所述第二闭环空气通道中的所述框架上的测试电子设备温度调节装置,当操作时,所述电子设备温度调节装置使得热量从所述第二闭环空气通道中的空气传递到所述第二闭环空气通道中的所述温度调节装置。
29.根据权利要求23所述的测试器装置,还包括:
多个盒,每个盒包括:
盒体,所述盒体用于保持相应的晶片的;
由所述盒体保持的多个盒触点,所述盒触点用于与所述晶片上的触点接触;
与所述盒触点连接的盒接口;和
多个第一槽组件接口,每个第一槽组件接口位于相应的一个槽组件上,每个盒可与相应的晶片一起***所述框架中,并且相应的盒接口与相应的第一槽组件接口连接。
30.根据权利要求29所述的测试器装置,还包括:
多个测试器接口;和
多个第二槽组件接口,每个第二槽组件接口位于相应的一个槽组件上,每个槽组件可***所述框架中,并且相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
31.一种测试微电子器件的方法,包括:
将多个晶片中的相应晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应的槽组件的相应的保持器提供,所述晶片被保持在由所述框架限定的第一闭环空气通道中;
操作位于所述第一闭环空气通道中的至少第一风扇,以使空气再循环通过所述第一闭环空气通道;
在安装在所述第一闭环空气通道中的所述框架上的至少一个温度调节装置和所述第一闭环空气通道中的空气之间传递热量;
检测温度;
基于所述温度控制热传递;和
通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件。
32.根据权利要求31所述的方法,其中,所述温度检测器检测空气的温度。
33.根据权利要求31所述的方法,还包括:基于放置在所述相应的槽组件的所述测试站中的所述晶片的温度,利用形成相应的槽组件的一部分的相应的热控制器来控制热传递。
34.根据权利要求31所述的方法,还包括:改变所述相应的槽组件的相应的温度调节装置的温度,以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,从而基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的微电子器件的温度。
35.根据权利要求31所述的方法,其中,所述第一闭环空气通道中的所述温度调节装置是加热空气的加热器,还包括:
用所述第一闭环空气通道中的冷却器冷却空气;和
在空气被引导从所述冷却器流到所述加热器以加热空气的位置和空气被引导从所述加热器流到所述冷却器以冷却空气的位置之间移动阻尼器。
36.根据权利要求31所述的方法,其中,所述框架至少限定第二闭环空气通道,还包括:
操作位于所述第二闭环空气通道中的至少第二风扇,以使空气再循环通过所述第二闭环空气通道,其中每个槽组件包括:
带有测试电子设备的至少一个板,所述至少一个板位于所述第二闭环空气通道中;和
操作安装在所述第二闭环空气通道中的所述框架上的测试电子设备温度调节装置,以使得热量从所述第二闭环空气通道中的空气传递到所述第二闭环空气通道中的所述温度调节装置。
37.根据权利要求31所述的方法,还包括:
将多个晶片中的每一个保持在多个盒中的相应盒的中;
在由所述相应的盒的盒体保持的多个盒触点和所述相应的晶片上的触点之间进行接触;
将带有相应的晶片的每个盒***所述框架中;和
将每个相应的盒上的相应的盒接口与所述相应的槽组件上的相应的第一槽组件接口连接。
38.根据权利要求37所述的方法,还包括:
将每个槽组件***所述框架中;
将每个相应的槽组件上的相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
39.一种测试器装置,包括:
框架;
多个槽组件,每个槽组件包括:
主体,所述主体安装在所述框架上的槽组件;
保持器,所述保持器安装在所述槽组件主体上并形成用于放置相应的晶片的测试站,所述相应的晶片具有至少一个微电子器件;
多个电导体;和
靠近所述相应的晶片以检测所述相应的晶片的温度的温度检测器;
至少一个温度调节装置,当操作时,所述温度调节装置导致热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量;和
测试器,所述测试器通过所述电导体连接到所述测试站中的所述晶片,以通过向每个微电子器件提供至少电力并测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件,其中,第一槽组件的至少一个导体可连接在第一晶片和所述电源之间,同时将热量传递给连接到所述电源的第二晶片或从所述第二晶片传递热量。
40.根据权利要求39所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的热控制器,所述热控制器基于放置在所述相应的槽组件的所述测试站中的所述晶片的温度来控制热传递。
41.根据权利要求39所述的测试器装置,还包括:
多个盒,每个盒包括:
用于保持相应的晶片的盒体;
由所述盒体保持的多个盒触点,用于与所述晶片上的触点接触;
与所述盒触点连接的盒接口;和
多个第一槽组件接口,每个第一槽组件接口位于相应的一个槽组件上,每个盒可与相应的晶片一起***所述框架中,并且相应的盒接口与相应的第一槽组件接口连接。
42.根据权利要求41所述的测试器装置,还包括:
多个测试器接口;和
多个第二槽组件接口,每个第二槽组件接口位于相应的一个槽组件上,每个槽组件可***所述框架中,并且相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
43.根据权利要求42所述的测试器装置,还包括:
所述框架上的多个真空接口,所述真空接口用于提供真空气压,其中每个槽组件包括:
槽组件主体;和
真空接口,所述真空接口在所述槽组件主体上,当所述槽组件***所述框架中时,所述真空接口与所述框架上的所述真空接口接合。
44.根据权利要求43所述的测试器装置,其中,每个槽组件包括相应的温度调节装置,在操作时,所述温度调节装置改变温度以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,以基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度,其中所述真空气压被施加到所述温度调节装置和所述盒之间的空间。
45.根据权利要求41所述的测试器设备,其中,所述真空气压被施加到所述盒内的空间,以确保所述盒触点与所述晶片上的触点之间的适当接触。
46.一种测试微电子器件的方法,包括:
将多个晶片中的相应的晶片放置在相应的测试站中,每个所述晶片具有至少一个微电子器件,所述测试站由安装在框架上的相应的槽组件的相应的保持器提供;
利用靠近所述相应的晶片的相应的温度检测器检测所述相应的晶片的相应温度;
将热量传递到所述晶片或从所述晶片传递热量;
通过向每个微电子器件提供至少电力和测量所述微电子器件的性能来测试所述微电子器件;和
将第一槽组件的至少一个导体连接在第一晶片和所述电源之间,同时将热量传递给连接到所述电源的第二晶片或从所述第二晶片传递热量。
47.根据权利要求46所述的方法,还包括:基于放置在所述相应的槽组件的所述测试站中的所述晶片的温度,利用形成相应的槽组件的一部分的相应的热控制器来控制热传递。
48.根据权利要求46所述的方法,还包括:改变所述相应的槽组件的相应的温度调节装置的温度,以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,从而基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度。
49.根据权利要求46所述的方法,还包括:
将多个晶片中的每一个保持在多个盒中的相应的盒中;
用于保持相应的晶片的盒体;
在由所述相应的盒的盒体保持的多个盒触点和所述相应的晶片上的触点之间进行接触;
将带有相应的晶片的每个盒***所述框架中;和
将每个相应的盒上的相应的盒接口与所述相应的槽组件上的相应的第一槽组件接口连接。
50.根据权利要求49所述的方法,还包括:
将每个槽组件***所述框架中;和
将每个相应的槽组件上的相应的第二槽组件接口与相应的测试器接口连接。
51.根据权利要求50所述的方法,还包括:
所述框架上的多个真空接口,所述真空接口用于提供真空气压,其中每个槽组件包括:
槽组件主体;和
所述槽组件主体上的真空接口,当所述槽组件***所述框架中时,
所述真空接口与所述框架上的所述真空接口接合。
52.根据权利要求51所述的方法,其中,每个槽组件包括相应的温度调节装置,在操作时,所述温度调节装置改变温度以引起所述温度调节装置和所述晶片之间的温差以及所述温度调节装置和所述晶片之间的热传递,以基于由所述相应的槽组件的所述相应的温度检测器测量的温度来修改所述晶片中的电子器件的温度,其中所述真空气压被施加到所述温度调节装置和所述盒之间的空间。
53.根据权利要求49所述的方法,其中,所述真空气压被施加到所述盒内的空间,以确保所述盒触点与所述晶片上的触点之间的适当接触。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102461321B1 (ko) * 2017-08-18 2022-11-02 (주)테크윙 전자부품 테스트용 핸들러

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
US6124725A (en) * 1997-11-29 2000-09-26 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for testing semiconductor devices formed on a semiconductor wafer
US20020030502A1 (en) * 1999-07-14 2002-03-14 Uher Frank Otto Wafer burn-in and test employing detachable cartridge
US20020048826A1 (en) * 1999-07-14 2002-04-25 Richmond Donald Paul Wafer level burn-in and electrical test system and method
CN1440048A (zh) * 2002-02-18 2003-09-03 株式会社日立高新技术 晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法
US20050125712A1 (en) * 2003-05-12 2005-06-09 Kingston Technology Corp. Manifold-Distributed Air Flow Over Removable Test Boards in a Memory-Module Burn-In System With Heat Chamber Isolated by Backplane
CN1831525A (zh) * 2005-03-08 2006-09-13 株式会社电装 湿度传感器的检查装置以及调节湿度传感器的传感器特性的方法
US20070028834A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with same
JP2008166306A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Stk Technology Co Ltd 半導体デバイスの検査装置
US20110298630A1 (en) * 2009-08-07 2011-12-08 Advantest Corporation Test apparatus and test method
JP2015103552A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 株式会社東京精密 プローバ

Family Cites Families (200)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3149897A (en) 1961-08-29 1964-09-22 Hans G Martineck Printed cable connector
US3413613A (en) 1966-06-17 1968-11-26 Gen Electric Reconfigurable data processing system
US3482201A (en) 1967-08-29 1969-12-02 Thomas & Betts Corp Controlled impedance connector
US4240021A (en) 1977-05-20 1980-12-16 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell battery charging control system
US4298237A (en) 1979-12-20 1981-11-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Printed wiring board interconnection apparatus
US4400049A (en) 1981-08-12 1983-08-23 Ncr Corporation Connector for interconnecting circuit boards
US4419626A (en) 1981-08-25 1983-12-06 Daymarc Corporation Broad band contactor assembly for testing integrated circuit devices
JPS5863927A (ja) 1981-10-13 1983-04-16 Canon Inc 閃光撮影装置
US4517512A (en) 1982-05-24 1985-05-14 Micro Component Technology, Inc. Integrated circuit test apparatus test head
US4591217A (en) 1983-08-29 1986-05-27 Gte Communication Systems Corporation Low insertion force connection arrangement
US4608679A (en) 1984-07-11 1986-08-26 Filenet Corporation Optical storage and retrieval device
JPH06105417B2 (ja) 1984-09-06 1994-12-21 日本電気株式会社 多重化電源装置における障害検出方式
US4582386A (en) 1984-11-01 1986-04-15 Elfab Corp. Connector with enlarged power contact
SU1247600A1 (ru) 1985-01-14 1986-07-30 Всесоюзный научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт компрессорного машиностроения Установка дл испытани уплотнений
US4719411A (en) 1985-05-13 1988-01-12 California Institute Of Technology Addressable test matrix for measuring analog transfer characteristics of test elements used for integrated process control and device evaluation
US4814573A (en) 1986-04-07 1989-03-21 Ex-Cell-O Corporation Electrical discharge machining apparatus with exchangeable electrode refeed cartridge
US5247521A (en) 1986-04-23 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Data processor
US4816754A (en) 1986-04-29 1989-03-28 International Business Machines Corporation Contactor and probe assembly for electrical test apparatus
US4899208A (en) 1987-12-17 1990-02-06 International Business Machines Corporation Power distribution for full wafer package
FR2631165B1 (fr) 1988-05-05 1992-02-21 Moulene Daniel Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support
JPH0238808A (ja) 1988-07-27 1990-02-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd 光センサ
DE3914669C2 (de) 1989-05-03 1999-07-15 Max Liebich Vorrichtung und Verfahren zur Selbstverfertigung von Zigaretten durch den Verbraucher
US4995814A (en) 1989-12-15 1991-02-26 Amp Incorporated Connector for mating blade-shaped members
US4981449A (en) 1990-04-27 1991-01-01 Amp Incorporated Connector for mating multi-layer blade-shaped members
US5086269A (en) 1991-03-08 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Burn-in process and apparatus
US5108302A (en) 1991-06-17 1992-04-28 Pfaff Wayne Test socket
JPH06186283A (ja) 1992-11-30 1994-07-08 Ando Electric Co Ltd テストヘッドの冷却制御装置
US5461326A (en) 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
JPH0792479B2 (ja) 1993-03-18 1995-10-09 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置の平行度調整方法
JP3308346B2 (ja) 1993-06-08 2002-07-29 日置電機株式会社 基板検査装置用のエアプローブピンボード
JPH0763788A (ja) 1993-08-21 1995-03-10 Hewlett Packard Co <Hp> プローブおよび電気部品/回路検査装置ならびに電気部品/回路検査方法
US5467024A (en) 1993-11-01 1995-11-14 Motorola, Inc. Integrated circuit test with programmable source for both AC and DC modes of operation
KR0140034B1 (ko) 1993-12-16 1998-07-15 모리시다 요이치 반도체 웨이퍼 수납기, 반도체 웨이퍼의 검사용 집적회로 단자와 프로브 단자와의 접속방법 및 그 장치, 반도체 집적회로의 검사방법, 프로브카드 및 그 제조방법
JP3395304B2 (ja) * 1993-12-16 2003-04-14 松下電器産業株式会社 半導体集積回路の検査方法
JP2544084B2 (ja) 1993-12-28 1996-10-16 山一電機株式会社 電気部品の接続器
JP2925964B2 (ja) * 1994-04-21 1999-07-28 松下電器産業株式会社 半導体ウェハ収納器及び半導体集積回路の検査方法
US5515126A (en) 1994-09-28 1996-05-07 Eastman Kodak Company Convertible flash camera and method
US5550466A (en) 1994-09-30 1996-08-27 Hewlett-Packard Company Hinged conduit for routing cables in an electronic circuit tester
US6421754B1 (en) 1994-12-22 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated System management mode circuits, systems and methods
US5773986A (en) 1995-04-03 1998-06-30 Motorola, Inc Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer
JPH08340030A (ja) 1995-04-13 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ
US5666288A (en) 1995-04-21 1997-09-09 Motorola, Inc. Method and apparatus for designing an integrated circuit
JP3106102B2 (ja) 1995-05-19 2000-11-06 松下電器産業株式会社 半導体装置の検査方法
US5600257A (en) 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
DE19581894C2 (de) 1995-11-06 1999-12-23 Advantest Corp Vorrichtung zum Ändern der Ausrichtung von ICs
US5851143A (en) * 1996-05-10 1998-12-22 Thermal Industries Disk drive test chamber
US5808896A (en) 1996-06-10 1998-09-15 Micron Technology, Inc. Method and system for creating a netlist allowing current measurement through a sub-circuit
JPH10116867A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハの試験方法及び試験装置用温度調節器
US5894225A (en) 1996-10-31 1999-04-13 Coffin; Harry S. Test fixture
US5886535A (en) 1996-11-08 1999-03-23 W. L. Gore & Associates, Inc. Wafer level burn-in base unit substrate and assembly
US5949246A (en) 1997-01-28 1999-09-07 International Business Machines Test head for applying signals in a burn-in test of an integrated circuit
EP0860704A3 (en) 1997-02-24 2000-01-19 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuits, and contactor incorporated in the apparatus
JPH10256325A (ja) 1997-03-07 1998-09-25 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハの試験装置用温度調節プレート
US5821440A (en) 1997-04-30 1998-10-13 Credence Systems Corporation Cable tray assembly for testing device
US6023173A (en) 1997-04-30 2000-02-08 Credence Systems Corporation Manipulator with expanded range of motion
US6040700A (en) 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
MY128129A (en) 1997-09-16 2007-01-31 Tan Yin Leong Electrical contactor for testing integrated circuit devices
CN1274425A (zh) 1997-10-07 2000-11-22 可靠公司 具有可改变的热沉装置的老化板
JPH11121569A (ja) 1997-10-21 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd バーンイン装置
US5928036A (en) 1997-10-30 1999-07-27 The Whitaker Corporation Dual row memory card connector
JPH11145216A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハバーンイン装置、検査用基板及びポゴピン
US5973285A (en) 1997-11-26 1999-10-26 Computer Service Technology, Inc. Connector alignment assembly for an electronic memory module tester
US6057696A (en) 1998-03-24 2000-05-02 Cypress Semiconductor Corp. Apparatus, method and kit for aligning an integrated circuit to a test socket
JP3611174B2 (ja) * 1998-03-30 2005-01-19 オリオン機械株式会社 半導体ウェーハの温度試験装置
JP3430015B2 (ja) * 1998-05-20 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 信頼性試験システム
TW432221B (en) 1998-05-29 2001-05-01 Advantest Corp Tray for electronic device, the transporting apparatus of tray for electronic device and testing apparatus for electronic device
US6625557B1 (en) 1998-07-10 2003-09-23 Ltx Corporation Mixed signal device under test board interface
US6381283B1 (en) 1998-10-07 2002-04-30 Controlnet, Inc. Integrated socket with chip carrier
US6644982B1 (en) 1998-12-04 2003-11-11 Formfactor, Inc. Method and apparatus for the transport and tracking of an electronic component
WO2000036410A1 (en) 1998-12-11 2000-06-22 Symyx Technologies, Inc. Sensor array-based system and method for rapid materials characterization
US6137303A (en) 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
US6888343B1 (en) 1999-01-13 2005-05-03 Intest Ip Corporation Test head manipulator
US6329603B1 (en) 1999-04-07 2001-12-11 International Business Machines Corporation Low CTE power and ground planes
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
AU7329200A (en) 1999-07-14 2001-01-30 Aehr Test Systems Inc. Wafer level burn-in and electrical test system and method
US6318243B1 (en) 1999-08-31 2001-11-20 D. Kent Jones Two-piece piston assembly
US20010012726A1 (en) 1999-10-14 2001-08-09 O'neal Sean P. Stacked module connector
US6255834B1 (en) 1999-10-21 2001-07-03 Dell Usa, L.P. Test fixture having a floating self-centering connector
US6358061B1 (en) 1999-11-09 2002-03-19 Molex Incorporated High-speed connector with shorting capability
JP2001166006A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Nec Corp フィクスチャおよびその実装基板接続方法
JP2001203244A (ja) 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の検査方法、半導体集積回路の検査装置及びアライメント装置
US7262611B2 (en) 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
US6509751B1 (en) 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
EP1356499A2 (en) 2000-07-10 2003-10-29 Temptronic Corporation Wafer chuck with interleaved heating and cooling elements
JP2002043381A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ温度制御装置
US6822469B1 (en) * 2000-07-31 2004-11-23 Eaglestone Partners I, Llc Method for testing multiple semiconductor wafers
JP4743944B2 (ja) 2000-08-25 2011-08-10 鎮男 角田 シミュレーションモデル作成方法及びそのシステムと記憶媒体
DE10042224C2 (de) 2000-08-28 2003-09-25 Infineon Technologies Ag Modultestsockel für Prüfadapter
JP2002151558A (ja) 2000-08-31 2002-05-24 Seiko Epson Corp 半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置、ならびに半導体装置の検査方法
US20090143923A1 (en) 2000-09-08 2009-06-04 Breed David S Arrangement and Method for Monitoring Shipping Containers
JP3998169B2 (ja) 2000-09-14 2007-10-24 株式会社ルネサステクノロジ 回路の設計方法および回路の設計支援プログラム並びに回路設計装置
JP2002090426A (ja) 2000-09-14 2002-03-27 Advantest Corp 半導体試験装置
JP2002111267A (ja) 2000-09-26 2002-04-12 Ando Electric Co Ltd 基板冷却装置
US6828810B2 (en) 2000-10-03 2004-12-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same
US6472895B2 (en) 2000-12-06 2002-10-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for adapting burn-in boards to multiple burn-in systems
US6553542B2 (en) 2000-12-29 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device extractor for electrostatic discharge and latch-up applications
US6552560B2 (en) 2001-03-20 2003-04-22 Despatch Industries, L.L.P. Wafer-level burn-in oven
US6640610B2 (en) 2001-03-30 2003-11-04 Analog Devices, Inc. Automatic integrated mechanical and electrical angular motion detector test system
US6617844B2 (en) 2001-06-01 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Compare path bandwith control for high performance automatic test systems
JP4119104B2 (ja) 2001-07-12 2008-07-16 株式会社アドバンテスト ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法
US6512387B1 (en) 2001-07-31 2003-01-28 Agilent Technologies, Inc. Pressure-sensitive system and method of testing electronic device interconnections
US6817823B2 (en) 2001-09-11 2004-11-16 Marian Corporation Method, device and system for semiconductor wafer transfer
US6861859B1 (en) 2001-10-22 2005-03-01 Electroglas, Inc. Testing circuits on substrates
US20030077932A1 (en) 2001-10-22 2003-04-24 Lewinnek David W. Floating blind mate interface for automatic test system
JP3543089B2 (ja) 2001-10-31 2004-07-14 株式会社コガネイ コンタクトユニット
KR100448913B1 (ko) 2002-01-07 2004-09-16 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 시스템
US6628520B2 (en) 2002-02-06 2003-09-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method, apparatus, and system for cooling electronic components
US7694246B2 (en) 2002-06-19 2010-04-06 Formfactor, Inc. Test method for yielding a known good die
US6815966B1 (en) 2002-06-27 2004-11-09 Aehr Test Systems System for burn-in testing of electronic devices
KR20050024395A (ko) 2002-06-27 2005-03-10 에어 테스트 시스템즈 전자 장치의 번인 검사를 위한 시스템
KR20050029215A (ko) 2002-07-16 2005-03-24 에어 테스트 시스템즈 시험 장치를 피시험체에 연결하기 위한 조립체
US6867608B2 (en) 2002-07-16 2005-03-15 Aehr Test Systems Assembly for electrically connecting a test component to a testing machine for testing electrical circuits on the test component
US6853209B1 (en) 2002-07-16 2005-02-08 Aehr Test Systems Contactor assembly for testing electrical circuits
JP3657250B2 (ja) 2002-09-03 2005-06-08 ホシデン株式会社 コネクタ
JP4659328B2 (ja) 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
US7084650B2 (en) 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
US6897666B2 (en) 2002-12-31 2005-05-24 Intel Corporation Embedded voltage regulator and active transient control device in probe head for improved power delivery and method
JP3820226B2 (ja) 2003-01-22 2006-09-13 オリオン機械株式会社 半導体ウェーハ用検査装置
JP4791350B2 (ja) 2003-01-28 2011-10-12 インテスト コーポレイション テストヘッドの位置決め用リストジョイント
US7235964B2 (en) 2003-03-31 2007-06-26 Intest Corporation Test head positioning system and method
US6998862B2 (en) 2003-04-28 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Test socket for semiconductor components having serviceable nest
US6891132B2 (en) 2003-10-09 2005-05-10 Micro Control Company Shutters for burn-in-board connector openings
US7317324B2 (en) 2003-11-04 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit testing device and method
US7296430B2 (en) * 2003-11-14 2007-11-20 Micro Control Company Cooling air flow control valve for burn-in system
US20050111944A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Marc Aho Compact wafer handling system with single axis robotic arm and prealigner-cassette elevator
US6994563B2 (en) 2003-12-19 2006-02-07 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Signal channel configuration providing increased capacitance at a card edge connection
US7260303B2 (en) 2004-01-02 2007-08-21 Finisar Corporation Systems, devices and methods for thermal testing of an optoelectronic module
US6876321B1 (en) 2004-02-06 2005-04-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Pulse descriptor word collector
JP2005265786A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Seiko Epson Corp 押圧方法、押圧装置、icハンドラ及びic検査装置
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
JP2006032593A (ja) 2004-07-15 2006-02-02 Renesas Technology Corp プローブカセット、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US7108517B2 (en) 2004-09-27 2006-09-19 Wells-Cti, Llc Multi-site chip carrier and method
JP2006098064A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Elpida Memory Inc プローブカード
JPWO2006038257A1 (ja) 2004-09-30 2008-05-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US20060091212A1 (en) 2004-10-28 2006-05-04 International Currency Technologies Corporation Chip card acceptor
JP2006145396A (ja) 2004-11-19 2006-06-08 Sharp Corp バーンイン装置
JP3945527B2 (ja) 2004-11-30 2007-07-18 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7053644B1 (en) 2004-12-15 2006-05-30 Aehr Test Systems System for testing and burning in of integrated circuits
JP4719460B2 (ja) 2004-12-27 2011-07-06 株式会社シキノハイテック バーンイン装置
JP4145293B2 (ja) 2004-12-28 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US7245134B2 (en) 2005-01-31 2007-07-17 Formfactor, Inc. Probe card assembly including a programmable device to selectively route signals from channels of a test system controller to probes
DE102005005101A1 (de) 2005-02-04 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Testsystem zum Testen von integrierten Schaltungen sowie ein Verfahren zum Konfigurieren eines Testsystems
JP2008537322A (ja) 2005-03-04 2008-09-11 テンプトロニック コーポレイション チャックシステムにおける温度制御のための装置および方法
CN101137947A (zh) * 2005-03-04 2008-03-05 天普桑尼克公司 卡盘***中用于控制温度的装置和方法
US7285968B2 (en) 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
EP2273279A1 (en) 2005-04-27 2011-01-12 Aehr Test Systems, Inc. Apparatus for testing electronic devices
US20060263925A1 (en) 2005-05-10 2006-11-23 Chandler David L Ethernet-powered particle counting system
US7323898B2 (en) 2005-07-18 2008-01-29 Teradyne, Inc. Pin electronics driver
JP4602181B2 (ja) 2005-07-19 2010-12-22 株式会社シスウェーブ 半導体検査用ソケット
KR20100017958A (ko) 2005-07-21 2010-02-16 가부시키가이샤 어드밴티스트 푸셔
US7851945B2 (en) 2005-08-08 2010-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method of providing power
US20070273216A1 (en) 2006-05-24 2007-11-29 Farbarik John M Systems and Methods for Reducing Power Losses in a Medical Device
US7557592B2 (en) 2006-06-06 2009-07-07 Formfactor, Inc. Method of expanding tester drive and measurement capability
US20080022695A1 (en) 2006-07-26 2008-01-31 Welle Richard P Input Power Control for Thermoelectric-Based Refrigerator Apparatuses
US7611358B2 (en) 2006-09-08 2009-11-03 Siemens Energy & Automation, Inc. Method of coupling circuit board connectors
US7826995B2 (en) 2006-09-14 2010-11-02 Aehr Test Systems Apparatus for testing electronic devices
US7646093B2 (en) 2006-12-20 2010-01-12 Intel Corporation Thermal management of dies on a secondary side of a package
TWI490513B (zh) 2006-12-29 2015-07-01 Intest Corp 用於使負載沿平移軸線平移之負載定位系統以及使負載達到平衡之方法
JP2008185403A (ja) 2007-01-29 2008-08-14 Advantest Corp 試験装置
KR100843273B1 (ko) 2007-02-05 2008-07-03 삼성전자주식회사 반도체 패키지를 테스트하기 위한 테스트 소켓 및 이를구비하는 테스트 장치, 반도체 패키지를 테스트하는 방법
MY152599A (en) 2007-02-14 2014-10-31 Eles Semiconductor Equipment S P A Test of electronic devices at package level using test boards without sockets
JP2008232667A (ja) 2007-03-16 2008-10-02 Nec Electronics Corp 半導体試験装置および試験方法
CN101952733B (zh) 2007-04-05 2014-02-12 雅赫测试***公司 测试微电子电路的方法、测试器设备及便携式组装装置
US8462471B2 (en) 2007-09-30 2013-06-11 Huadao Huang Circuit interrupting device with high voltage surge protection
WO2009048618A1 (en) 2007-10-11 2009-04-16 Veraconnex, Llc Probe card test apparatus and method
US7800382B2 (en) 2007-12-19 2010-09-21 AEHR Test Ststems System for testing an integrated circuit of a device and its method of use
JP5088167B2 (ja) 2008-02-22 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
EP3484135A1 (en) 2008-04-02 2019-05-15 Twilio Inc. System and method for processing telephony sessions
JP5538697B2 (ja) 2008-09-10 2014-07-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置のテスト方法
DE112008003714T5 (de) 2008-10-29 2010-11-25 Advantest Corp. Temperatursteuerung für elektronische Bauelemente
JP2010151794A (ja) 2008-11-27 2010-07-08 Panasonic Corp 電子部品試験装置
US8030957B2 (en) 2009-03-25 2011-10-04 Aehr Test Systems System for testing an integrated circuit of a device and its method of use
JP5391776B2 (ja) 2009-03-27 2014-01-15 富士通株式会社 ヒートシンク
US7969175B2 (en) 2009-05-07 2011-06-28 Aehr Test Systems Separate test electronics and blower modules in an apparatus for testing an integrated circuit
US8465327B2 (en) 2009-11-02 2013-06-18 Apple Inc. High-speed memory connector
KR101641108B1 (ko) 2010-04-30 2016-07-20 삼성전자주식회사 디버깅 기능을 지원하는 타겟 장치 및 그것을 포함하는 테스트 시스템
US8279606B2 (en) 2010-05-07 2012-10-02 Dell Products L.P. Processor loading system including a heat dissipater
US8057263B1 (en) 2010-07-12 2011-11-15 Tyco Electronics Corporation Edge connectors having stamped signal contacts
US8456185B2 (en) 2010-08-17 2013-06-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Test adapter and method for achieving optical alignment and thermal coupling thereof with a device under test
US8472190B2 (en) 2010-09-24 2013-06-25 Ati Technologies Ulc Stacked semiconductor chip device with thermal management
TWI440114B (zh) 2010-11-30 2014-06-01 King Yuan Electronics Co Ltd 晶圓檢測系統
US8465312B2 (en) 2010-12-07 2013-06-18 Centipede Systems, Inc. Socket cartridge and socket cartridge assembly
KR101228207B1 (ko) 2010-12-08 2013-01-30 세크론 주식회사 반도체 소자 테스트용 푸싱 기구 및 이를 포함하는 테스트 핸들러
KR20120102451A (ko) 2011-03-08 2012-09-18 삼성전자주식회사 테스트 인터페이스 보드 및 이를 포함하는 테스트 시스템
US8713498B2 (en) 2011-08-24 2014-04-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method and system for physical verification using network segment current
JP5851878B2 (ja) 2012-02-21 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体モジュールの製造方法
KR20140000855A (ko) 2012-06-26 2014-01-06 삼성전자주식회사 테스트 인터페이스 보드 및 테스트 시스템
ITMI20121157A1 (it) 2012-06-29 2013-12-30 Eles Semiconductor Equipment S P A Test di dispositivi elettronici con riscaldatori disposti tra scheda di test e dispositivi elettronici da testare
US9766285B2 (en) 2012-06-29 2017-09-19 Eles Semiconductor Equipment S.P.A. Test board with local thermal conditioning elements
US20140125371A1 (en) 2012-11-05 2014-05-08 Hermes Testing Solutions Inc. Stand alone multi-cell probe card for at-speed functional testing
US10297339B2 (en) 2014-02-19 2019-05-21 Advantest Corporation Integrated cooling system for electronics testing apparatus
US9594113B2 (en) 2014-02-21 2017-03-14 Sensata Technologies, Inc. Package on package thermal forcing device
TWM480762U (zh) 2014-03-12 2014-06-21 Chroma Ate Inc 具散熱模組之堆疊封裝構造測試裝置
KR102433967B1 (ko) 2014-11-28 2022-08-22 (주)테크윙 전자부품 테스트용 핸들러
JP6447553B2 (ja) 2016-03-18 2019-01-09 株式会社東京精密 プローバ
WO2017210108A1 (en) 2016-06-02 2017-12-07 Kes Systems, Inc. System and methods for semiconductor burn-in test
US9911678B2 (en) 2016-06-13 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Substrate with integrated heat spreader
KR102495427B1 (ko) 2017-03-03 2023-02-02 에어 테스트 시스템즈 일렉트로닉스 테스터
JP6895772B2 (ja) 2017-03-07 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 検査装置およびコンタクト方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124725A (en) * 1997-11-29 2000-09-26 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for testing semiconductor devices formed on a semiconductor wafer
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
US20020030502A1 (en) * 1999-07-14 2002-03-14 Uher Frank Otto Wafer burn-in and test employing detachable cartridge
US20020048826A1 (en) * 1999-07-14 2002-04-25 Richmond Donald Paul Wafer level burn-in and electrical test system and method
CN1440048A (zh) * 2002-02-18 2003-09-03 株式会社日立高新技术 晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法
US20050125712A1 (en) * 2003-05-12 2005-06-09 Kingston Technology Corp. Manifold-Distributed Air Flow Over Removable Test Boards in a Memory-Module Burn-In System With Heat Chamber Isolated by Backplane
CN1831525A (zh) * 2005-03-08 2006-09-13 株式会社电装 湿度传感器的检查装置以及调节湿度传感器的传感器特性的方法
US20070028834A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder for wafer prober and wafer prober equipped with same
JP2008166306A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Stk Technology Co Ltd 半導体デバイスの検査装置
US20110298630A1 (en) * 2009-08-07 2011-12-08 Advantest Corporation Test apparatus and test method
JP2015103552A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 株式会社東京精密 プローバ

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