JP3945527B2 - ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ - Google Patents
ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ Download PDFInfo
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- G—PHYSICS
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Description
2 チャックトップ
3 チャックトップ導体層
4 支持体
5 空隙
6 加熱体
7 支持棒
8 冷却モジュール
9 昇降手段
10 チャックトップ変形防止用基板
14 電磁シールド電極層
15 絶縁層
16 ガード電極層
21 環状溝
22 放射状溝
23 円柱
41 支持体円筒部
42 貫通孔
51 貫通孔
52 座グリ形状
61 抵抗発熱体
62 絶縁体
Claims (48)
- 表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、チャックトップと支持体との間の一部に空隙を有すると共に、支持体のチャックトップとの接触部に断熱構造を有することを特徴とするウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップは加熱体を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の形状が、有底円筒形状であることを特徴とする請求項1または2に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体のヤング率が、200GPa以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の熱伝導率が、40W/mK以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の円筒部分の肉厚が、20mm以下であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の円筒部分の高さが、10mm以上であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の底部の厚みが、10mm以上であることを特徴とする請求項3乃至7のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の円筒部分と底部が一体ではないことを特徴とする請求項3乃至8記載のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記断熱構造は、支持体の支持面に切り欠き溝を設けた構造であることを特徴とする請求項1に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記断熱構造は、チャックトップと支持体の間に複数の柱状部材を設けた構造であることを特徴とする請求項1に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体を形成する材質の主成分が、ムライト、アルミナ、若しくはムライトとアルミナの複合体のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体とチャックトップもしくは柱状部材との接触部の表面粗さが、Ra0.1μm以上であることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の底部裏面の表面粗さが、Ra0.1μm以上であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の底部と円筒部分との接触部の少なくとも該底部または円筒部分の表面粗さが、Ra0.1μm以上であることを特徴とする請求項9に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記柱状部材と前記支持体との接触部分及び/または前記チャックトップとの接触部分の表面粗さが、Ra0.1μm以上であることを特徴とする請求項11に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の円筒部分の外周部と該支持体のチャックトップとの接触面、または前記支持体の円筒部分の外周部と柱状部材のチャックトップとの接触面、との直角度が、測定長100mmに換算して、10mm以下であることを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の表面に、金属層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至17のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の表面の少なくとも一部に導体を具備してなることを特徴とする請求項1乃至18のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体のほぼ中央部に支持棒を備えることを特徴とする請求項1乃至19のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップと加熱体との間に、電磁シールド電極層及びガード電極層を備えることを特徴とする請求項2乃至20のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記加熱体と電磁シールド電極層との間、電磁シールド電極層とガード電極層との間、及びガード電極層とチャックトップとの間に、絶縁層を備えることを特徴とする請求項21に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記絶縁層の抵抗値が、107Ωcm以下であることを特徴とする請求項22に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記絶縁層の誘電率が、10以下であることを特徴とする請求項22乃至23のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップ導体層とガード電極層との間及びチャックトップ導体層と電磁シールド電極層との間、またはチャックトップとガード電極層との間及びチャックトップと電磁シールド電極層との間の静電容量が、共に5000pF以下であることを特徴とする請求項22乃至24のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記絶縁層の厚みが、0.2mm以上であることを特徴とする請求項22乃至25のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体に、加熱体のヒータ電極及び前記電磁シールド電極の取り出し用の貫通孔又は切り欠きを備えることを特徴とする請求項21に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップ導体層の表面の反り量が30μm以下であることを特徴とする請求項1乃至27のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップ導体層の表面の表面粗さがRaで0.5μm以下であることを特徴とする請求項1乃至28のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップ導体層の表面と前記支持体の底部裏面との平行度が30μm以下であることを特徴とする請求項3乃至29のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップのヤング率が、200GPa以上であることを特徴とする請求項1乃至30のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップの熱伝導率が、15W/mK以上であることを特徴とする請求項1乃至31のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップの厚みが、8mm以上であることを特徴とする請求項1乃至32のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、金属とセラミックスとの複合体であることを特徴とする請求項1乃至33のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、アルミニウムと炭化ケイ素との複合体、又はシリコンと炭化ケイ素との複合体、又はアルミニウムとシリコンと炭化ケイ素の複合体のいずれかであることを特徴とする請求項34に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、セラミックスであることを特徴とする請求項1乃至33のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナとムライトの複合体のいずれかであることを特徴とする請求項36に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、アルミナであり、その純度が99.6%以上であることを特徴とする請求項37に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、金属であることを特徴とする請求項1乃至33のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップを形成する材質が、タングステンまたはモリブデンまたはこれらの合金であることを特徴とする請求項39に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップ導体層の表面に、3.1MPaの荷重をかけた時のチャックトップ導体層表面の反り量が30μm以下であることを特徴とする請求項1乃至40のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記支持体の円筒形状部分あるいは前記支持体とチャックトップとの間に、冷却モジュールを備えることを特徴とする請求項2乃至41のいずれかに記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記冷却モジュールが可動式であることを特徴とする請求項42に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記冷却モジュールがチャックトップに固定されていることを特徴とする請求項42に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップが冷却モジュールと一体化されていることを特徴とする請求項42に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 前記チャックトップのウェハ載置面の反対側面に、チャックトップ変形防止用基板を備えていることを特徴とする請求項45に記載のウェハプローバ用ウェハ保持体。
- 請求項1乃至46のいずれかに記載したウェハプローバ用ウェハ保持体を備えたことを特徴とするウェハプローバ用のヒータユニット。
- 請求項47に記載のヒータユニットを備えたウェハプローバ。
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