CN107406975A - 原子层沉积抑制材料 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。

Description

原子层沉积抑制材料
技术领域
本发明涉及使用原子层沉积法的在基板上的选择性成膜方法。
背景技术
原子层沉积法(ALD：Atomic layer deposition)被用于各种电子部件例如电容器、半导体器件等的制造，例如，作为电极或配线的导电性薄膜、或作为介电层的绝缘性薄膜是通过ALD而形成的。在形成此种薄膜、尤其是形成作为电极或配线的导电性薄膜的情况下，需要用于在基板上的规定位置形成规定形状的薄膜的图案化技术。作为使用ALD的薄膜形成中的图案化技术，有若干报告。例如，在非专利文献1中记载有：在由异丙氧基钛(TiIP)与水蒸气(H2O)的组合通过ALD将TiO2成膜的情况下，不在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上形成TiO2膜，而将其作为原子层沉积抑制材料在基材上进行图案化，由此可选择性地成膜TiO2膜。另外，在专利文献1及2中公开了：使用丙烯酸系树脂所代表的各种聚合物及有机硅氧烷作为原子层沉积抑制材料，由此可实现选择性的成膜。
先前技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2010-540773号公报
专利文献2：日本特表2011-501779号公报
非专利文献
非专利文献1：Area selective atomic layer deposition of titaniumdioxide：Effect of precursor chemistry，J.Vac.Sci.technol.B 24(6)
发明内容
发明所要解决的问题
如上所述的图案化技术对ALD条件、尤其是温度有限制，例如，非专利文献1的方法于超过200℃的条件下PMMA发生热分解而无法使用，引用文献1及2的方法也出于相同的理由，于超过250℃的条件下无法使用。另外，根据本发明人等的研究发现，在以往的图案化技术中，有抑制效果不充分的情形。
因此，本发明的目的在于，提供一种即便于高温条件下亦可使用、且抑制效果较高的原子层沉积抑制材料。
用于解决问题的手段
本发明人等为了解决上述问题而进行努力研究，结果发现，通过使用特定的含氟树脂，尤其是使用氟含量较高、具有叔碳或季碳、且不具有官能团的含氟树脂，从而即便于高温条件下也能够充分地获得原子层沉积的抑制效果，从而完成了本发明。
根据本发明的第1主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。
根据本发明的第2主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，且暴露于250℃的原子层沉积条件下时的氟含量的减少率为50％以下的含氟树脂构成。
根据本发明的第3主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由暴露于250℃的原子层沉积条件下后的氟含量为25at％以上的含氟树脂构成。
根据本发明的第4主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由下述式(I)：
X-[(CR1 2)p-CR4R5-(CR2 2)r-CR6R7-(CR3 2)q]n-Y· (I)
所表示的含氟树脂构成。
[式中：
X及Y分别独立地为H、F或CR11 3；
R11分别独立地为H或F；
R1、R2及R3分别独立地为H或F；
R4及R6分别独立地为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个的烷基；
R5及R7分别独立地为可被氟取代的碳数1～6个的烷基，或者
R5及R7可一起形成
-(O)s-(CR12 2)t-
所表示的基团，
(式中，
R12为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个的烷基，
s为0～2的整数，t为1～6的整数，
式中，O及CR12 2的存在顺序并不限定于记载的顺序，而是任意的。)；
p、q及r分别独立地为0～6的整数；
n为任意的自然数。]
根据本发明的第5主旨，提供一种在基板上通过原子层沉积法形成无机材料的薄膜的图案的方法，其包括：
在基板上，使用上述原子层沉积抑制材料形成原子层沉积抑制层的图案；及
接着，通过原子层沉积法，在不存在原子层沉积抑制层的区域形成无机材料的层。
根据本发明的第6主旨，提供一种电子部件，其特征在于，其为具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及通过原子层沉积法所形成的无机材料的层而成的电子部件，其中，
上述含氟树脂层与上述无机材料的层位于邻接的位置。
根据本发明的第7主旨，提供一种电子部件，其特征在于，其为具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及氮化物的层而成的电子部件，其中
上述含氟树脂层与上述氮化物的层位于邻接的位置。
发明的效果
根据本发明，通过使用特定的含氟树脂，尤其是使用氟含量高、具有叔碳或季碳、且不具有官能团的含氟树脂作为原子层沉积抑制材料，从而即便是高温条件下的原子层沉积法，亦可适宜地获得原子层沉积抑制效果，可形成所需的图案的薄膜。
附图说明
图1为使用本发明而制造的电容器1的剖视图。
图2(a)～图2(c)为用于说明使用本发明而制造的电容器1的制造工序的图。
图2(d)～图2(e)为用于说明使用本发明而制造的电容器1的制造工序的图。
图3为表示测定原子层沉积法后的含氟树脂中的氟含量的区域的图。
具体实施方式
本发明的原子层沉积抑制材料由含氟树脂构成。
在一个样态中，上述含氟树脂的氟含量为30at％以上，优选为40at％以上，更优选为50at％以上。通过将含氟树脂的氟含量设为30at％以上，原子层沉积抑制效果变得更高。另外，氟含量的上限并无特别限定，可为该树脂的结构上可取的最大氟含量、即全氟化时的氟含量。
氟树脂中的氟含量可通过该领域中公知的方法进行测定，例如，可通过扫描透射型电子显微镜-能量分散型X射线分析(STEM-EDS：Scanning Transmission ElectronMicroscope-Energy Dispersive Spectroscopy)、X射线光电子分光法(XPS：X-rayPhotoelectron Spectrometry)等测定树脂的剖面。
在该样态中，含氟树脂不具有官能团。所谓官能团是指与其他分子具有反应性的基团，例如可列举：酯基、羟基、羧基、酰亚胺基、酰胺基、磺基、胺基、硫醇基、硝基、苯基。在本发明中，所谓“不具有官能团”意指在含氟树脂中实质上不存在官能团，无须完全为零。所谓实质上不存在，意指即使在置于ALD环境中的情况下亦不会对树脂整体造成影响的量，例如，虽并无特别限定，但相对于树脂整体，树脂中存在的官能团的量只要为1mmol％以下即可。含氟树脂不具有官能团，由此，即使在高温(例如250℃以上)下的ALD中亦可发挥更高的原子层沉积抑制效果。本发明并不受限于任何理论，但认为在高温的ALD条件下，官能团被活化，并以该部分为基点而促进树脂的分解，因此若存在官能团，则原子层沉积抑制效果降低。
含氟树脂中的官能团的存在可通过该领域中公知的方法来确认，例如，可通过红外线光谱进行确认。
在该样态中，含氟树脂具有至少1个叔碳或季碳。优选为叔碳或季碳在含氟树脂的单体单元中存在至少1个。含氟树脂具有叔碳或季碳，由此即使在高温下的ALD中亦可发挥更高的原子层沉积抑制效果。
含氟树脂中的叔碳或季碳的存在可通过该领域中公知的方法进行确认，例如，可通过13C-NMR(DEPT法：Distorsionless Enhancement by Polarization Transfer，无畸变极化转移)进行确认。
在另一样态中，上述含氟树脂在暴露于250℃的原子层沉积条件下时的氟含量的减少率为50％以下，优选为30％以下。通过将置于原子层沉积的条件时的氟含量的减少率设为50％以下，可保持含氟树脂的作为原子层沉积抑制材料的功能，获得更高的原子层沉积效果。
与上述样态同样地，含氟树脂的氟含量优选为30at％以上，更优选为50at％以上。通过将含氟树脂的氟含量设为30at％以上，从而原子层沉积抑制效果变得更高。
在该样态中，上述氟含量的减少率越低，越能减少含氟树脂的氟含量。然而，当然优选为氟含量的减少率低，且氟含量高。
在该样态中，优选与上述样态同样地，含氟树脂不具有官能团，和/或可具有叔碳或季碳。
在另一样态中，上述含氟树脂在暴露于250℃的原子层沉积条件下后的氟含量为25at％以上，优选为40at％以上，进一步优选为50at％以上。含氟树脂在置于此种原子层沉积的条件下后具有25at％以上的氟含量，由此可发挥更高的原子层沉积效果。
在该样态中，优选与上述样态同样地，氟含量为30at％以上，更优选为50at％以上。另外，优选含氟树脂不具有官能团，和/或可具有叔碳或季碳。
在又一样态中，上述含氟树脂为下述式(I)：
X-[(CR1 2)p-CR4R5-(CR2 2)r-CR6R7-(CR3 2)q]n-Y.. (I)
所表示的含氟树脂。
上述式中，X及Y分别独立地为H、F或CR11 3。上述R11分别独立地为H或F。优选X及Y分别独立地为F或CF3。
上述式中，R1、R2及R3分别独立地为H或F，优选所有R1、R2及R3为F。
上述式中，R4及R6分别独立地为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个(1个以上且6个以下)的烷基。上述碳数1～6个的烷基可为直链亦可为支链，优选为碳数1～3个的烷基，特别优选为甲基。上述烷基优选经氟完全取代，即优选为全氟烷基。优选的全氟烷基为三氟甲基。R4及R6优选为F或碳数1～6个的全氟烷基，更优选为F或三氟甲基。
上述式中，R3及R7分别独立地为可被氟取代的碳数1～6个的烷基。该可被氟取代的碳数1～6个的烷基优选为全氟烷基，更优选为碳数1～3个的全氟烷基。
另外，R5及R7可一起形成
-(O)s-(CR12 2)t-
(式中，
R12为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个的烷基，
s为0以上且2以下的整数，t为1以上且6以下的整数，
式中，O及CR12 2的存在顺序并不限定于记载的顺序，而是任意的)
所表示的基团。
这种情况下，R5及R7与它们所键合的碳原子及-(CR2 2)r-基形成具有下述结构的环。
[化1]
式中，标注s或t且以括号括起来的各单元(O及CR12 2)的存在顺序在式中为任意的。例如，在s为1、t为2的情况下，可为-O-CR12 2-CR12 2-、-CR12 2-O-CR12 2-、-CR12 2-CR12 2-O-中的任一者。
R12优选为F或碳数1～6个的全氟烷基，更优选为F或三氟甲基。
优选的-(O)s-(CR12 2)t-为-O-CR12 2-O-或-(CF2)a-O-(CF2)b-(CFR12)c-(式中，a为0以上且5以下的整数，b为0以上且4以下的整数，c为0或1)。更优选的-(O)s-(CR12 2)t-为-O-C(CF3)2-O-或-O-CF2-CF2-。
上述式中，p、q及r分别独立地为0以上且6以下的整数。优选p及q为0以上且2以下的整数，r为0或1。
上述式中，n为任意的自然数。n并无特别限定，例如可为5以上且10000以下的范围。
作为优选的氟树脂的例子，例如可列举具有下述结构：
[化2]
的氟树脂。它们可分别自杜邦株式会社作为商品名“Teflon(注册商标)AF”、及自旭硝子株式会社作为商品名“Cytop(注册商标)”而获取。
通过使用上述式(I)所表示的含氟树脂，可获得更高的原子层沉积抑制效果。
在优选的样态中，上述的含氟树脂不含氢原子。即，上述含氟树脂包含碳原子、氟原子及视需要的氧原子。
上述含氟树脂的数量平均分子量并无特别限定，优选为1万以上，例如可为1万以上且100万以下、优选为2万以上且50万以下。
通过使用由上述含氟树脂构成的原子层沉积抑制材料，从而即便为高温(例如250℃以上或300℃以上)条件等严格的条件下，亦可在基板上良好地形成薄膜的图案。
因此，本发明还提供一种在基板上通过原子层沉积法形成无机材料的薄膜的图案的方法，其包括：
在基板上，使用由上述含氟树脂构成的原子层沉积抑制材料形成原子层沉积抑制层的图案；及
接着，通过原子层沉积法，在不存在原子层沉积抑制层的区域形成无机材料的层。
以下，以将本发明的方法用于图1所示的电容器的制造中的情形为例，一面参照附图一面进行说明。但是，请注意本发明并不限定于以下的实施样态。
如图1所示，概略而言，本实施样态中所制造的电容器1是具有作为基板的下部电极2、形成于其上的原子层沉积抑制层4、与原子层沉积抑制层4邻接而在基板2上依序形成的介电层6及上部电极8、以及形成于它们的端部的端子电极10、10′而成。一端子电极10与下部电极2电性连接，且与上部电极8电性隔离。另一方面，另一端子电极10′与上部电极8电性连接，且与下部电极2电性隔离。
首先，最初准备基板(下部电极2)。接着，在基板2上，利用丝网印刷、喷墨印刷等印刷技术，将由上述含氟树脂构成的原子层沉积抑制材料形成于规定的部位，形成原子层沉积抑制层4(图2(a))。需要说明的是，形成该原子层沉积抑制层4的方法并不限定于上述印刷技术，只要为将原子层沉积抑制材料应用于基板的规定位置、而可形成原子层沉积抑制层的方法，则并无特别限定。
接下来，在形成有原子层沉积抑制层4的基板2上，使用原子层沉积法形成介电层6。此时，于原子层沉积抑制层4上，未形成介电层6(图2(b))。作为形成介电层6的材料，只要为绝缘性则并无特别限定，例如可列举：AlOx(例如Al2O3)、SiOx(例如SiO2)、AlTiOx、SiTiOx、HfOx、TaOx、ZrOx、HfSiOx、ZrSiOx、TiZrOx、TiZrWOx、TiOx、SrTiOx、PbTiOx、BaTiOx、BaSrTiOx、BaCaTiOx、SiAlOx等金属氧化物；AlNx、SiNx、AlScNx等金属氮化物；或AlOxNy、SiOxNy、HfSiOxNy、SiCxOyNz等(x及y为任意的数字)的金属氮氧化物。
接下来，在介电层6上使用原子层沉积法形成上部电极8。此时，在原子层沉积抑制层4上未形成上部电极8(图2(c))。构成上部电极的材料只要为导电性则并无特别限定，可列举：Ni、Cu、Al、W、Ti、Ag、Au、Pt、Zn、Sn、Pb、Fe、Cr、Mo、Ru、Pd、Ta及它们的合金层、例如CuNi、AuNi、AuSn；以及TiN、TiAlN、TiON、TiAlON、TaN等金属氧化物、金属氮氧化物等，优选为TiN、TiON。
将以上述的方式所获得的积层体于原子层沉积抑制层4的中间位置进行切断(图2(d))，最后通过镀敷而形成端子电极10、10′(图2(e))，由此制造本实施方式的电容器1。
根据本发明的方法，在介电层6及上部电极8的形成中，可不在原子层沉积抑制层4上形成这些膜，而形成所需的图案的层。在上述实施样态中，若在形成上部电极8时导电性物质附着于原子层沉积抑制层4上，则有时端子电极10与上部电极8的绝缘性降低，经由端子电极10而上部电极8与下部电极2短路。本发明在可实质上消除此种可能性的方面而言较为有利。尤其在使用氮化物(例如TiN)作为形成上部电极的材料的情况下，由于在更严格的条件下进行原子层沉积，故本发明非常有利。
需要说明的是，在上述实施方式中，使用下部电极作为基板，但本发明并不限定于此，可使用各种基板、例如其他导电性基板、绝缘性基板、半导体基板等。另外，本发明并不限定于在基板之上直接形成原子层沉积抑制层的样态，亦可在基板之上形成其他层。例如，在上述实施方式中，可在下部电极2之上形成缓冲层，再在其上形成原子层沉积抑制层。
关于使用本发明的方法所形成的电子部件，通常，在基板上，由含氟树脂构成的原子层沉积抑制层、与通过原子层沉积法所形成的无机材料的层位于邻接的位置。
因此，本发明还提供一种电子部件，其特征在于，是具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及通过原子层沉积法所形成的无机材料的层而成的电子部件，其中，
上述含氟树脂层与上述无机材料的层位于邻接的位置。
需要说明的是，上述邻接意指含氟树脂层与无机材料的层相邻且实质上接触的状态。所谓实质上接触，不仅是指完全密接的状态，亦包含存在极小的例如通过ALD进行成膜时的气体无法侵入的程度(数nm)的间隙的状态。
如上所述，在通过原子层沉积法形成氮化物的情况下，需要严格的条件、例如250℃以上的条件，因此本发明的原子层沉积抑制材料的使用非常有利。
因此，在另一样态中，本发明提供一种电子部件，其特征在于，是具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及氮化物的层而成的电子部件，其中，
上述含氟树脂层与上述氮化物的层位于邻接的位置。
在本发明中，在原子层沉积抑制层的上表面(与基板侧的面相对向的面)上实质上不存在上述无机材料或氮化物的层。
在上述电子部件的发明中，关于含氟树脂层的氟含量，优选氟含量为40at％以上。另外，上述含氟树脂层优选不存在酯基、羟基、羧基及酰亚胺基。
上述无机材料优选为氮化物。作为氮化物，例如可列举TiN、AlN或SiN。
需要说明的是，上述含氟树脂层中的氟含量为，自含氟树脂层与无机材料(或氮化物)的层的界面起向含氟树脂的内部100nm的区域(例如图3所示的区域)的氟含量的平均值。
上述电子部件并不限定于上述电容器，可为其他电子部件、例如晶体管、电路基板、半导体器件等。
以上，对本发明进行了说明，但本发明并不限定于此，可进行各种变更。
实施例
在约10cm见方的Al基板上，使用分配器，采用下述表1所示的材料A～E，分别通过丝网印刷而形成下述表1所示的膜厚、6mm间距且线宽1mm的格子状图案。接着，在形成有图案的基板上，使用原子层沉积法，将作为绝缘层的AlOx(原料：三甲基铝；条件：180个循环；250℃)、及作为电极层的TiN膜(原料：四(二甲氨基)钛及氨；条件：100个循环；250℃)成膜。需要说明的是，材料D及E为实施例。材料A为不含氟的树脂，材料B为分子中具有酯键的含氟树脂，材料C为末端具有-Si(OH)3的含氟树脂，这些为比较例。
[表1]
[化3]
(评价)
·树脂涂布部的电阻值
通过二端子法测定成膜后的树脂涂布部的电阻值(通过树脂涂布部的格子所形成的邻接的单元间的电阻值)。将结果示于下述表2。
·树脂涂布部的X射线光电子分光(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)分析
另外，针对上述电阻值较高的材料B、D及E，在ALD前后，通过X射线光电子分光装置对树脂涂布部进行表面分析。将结果一并示于下述表2。测定部位设为格子相交的部位的中心附近的直径2nm的点。
[表2]
·ALD后的氟含量
通过聚焦离子束(FIB：Focused Ion Beam)对ALD后的试样进行加工，使剖面露出。通过STEM-EDS测定装置(STEM：日本电子株式会社(JEM-2200FS)、EDS检测器：日本电子株式会社(Dry SD60GV)、EDS***：Thermo Fisher Scientific株式会社(Noran system7))，测定剖面的距TiN膜与树脂层的界面100nm的区域(参照图3)的平均氟量。
结果，树脂D及E的氟含量为30at％以上。另一方面，树脂B的氟含量很少(3at％以下)，树脂C几乎不存在氟(定量下限以下)。
如由上述结果所表明，在使用氟含量为30at％以上且不具有官能团的材料D及E的情况下，在ALD后仍在树脂涂布部中维持较高的电阻值，另外，在树脂上几乎不存在Ti。另一方面，在使用作为不含氟树脂的材料A及末端具有官能团的材料C的情况下，在ALD后，树脂涂布部的电阻值明显降低，另外，在树脂上存在较多的Ti。在使用具有酯键的材料B的情况下，虽电阻值较高，但于树脂上存在Ti，ALD抑制效果不充分。根据以上情况确认到，处于本发明的范围内的ALD抑制材料具有非常良好的ALD抑制效果。另外，确认到具有较高的ALD抑制效果的树脂在ALD后氟含量仍较高。需要说明的是，此处虽未记载，但确认到ZrOx、SiOx、AlN、SiN、Al、Cu及Zr亦获得相同的效果。
实施例2
在约10cm见方的Al基板上，使用ALD法成膜AlOx(原料：三甲基铝；条件：180个循环；250℃)。接着，以与实施例1相同的方式，使用树脂D、及使树脂D的末端为COOH的树脂D′，通过丝网印刷法形成格子状图案。接着，使用ALD法将TiN膜成膜(原料：四(二甲氨基)钛及氨；条件：100个循环；310℃)。
(评价)
以与实施例1相同的方式，在ALD前后，通过X射线光电子分光装置对树脂涂布部进行表面分析。将结果示于下述表3。
[表3]
根据上述结果可知，处于本发明的范围内的树脂D即便为310℃下的成膜仍具有良好的ALD抑制效果。另一方面，关于末端具有COOH基的树脂D′，在ALD后的树脂表面存在大量的Ti。本发明并不限定于任何理论，但认为这在于树脂D′中末端的COOH成为活性部位，树脂的劣化或分解进行，从而无法获得充分的ALD抑制效果。
比较例
使用氟含量为约50at％的聚四氟乙烯(PTFE)作为ALD抑制材料，改变ALD法的温度条件(低温：约235℃；高温：约280℃)，除此以外，以与实施例1相同的方式将AlOx及TiN连续成膜。
在ALD后实施树脂上的XPS分析，结果为仅在低温(约235℃)的情况下可确认到ALD抑制效果。在高温(约280℃)的情况下，在PTFE上观察到Ti，确认到ALD膜的抑制效果消失。
本发明并不限定于任何理论，但认为其原因在于，PTFE虽氟含量较高，但仅包含伯碳及仲碳，因而在ALD中容易产生解聚。
产业上的可利用性
本发明的原子层沉积抑制材料可适宜地用于各种电子部件的制造。
符号说明
1 电容器
2 基板(下部电极)
4 原子层沉积抑制层
6 介电层
8 上部电极
10、10′ 端子电极
12 铝基板
14 AlOx层
16 TiO层
18 树脂层
20 测定区域

Claims (20)

1.一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。
2.如权利要求1所述的原子层沉积抑制材料，其特征在于，氟含量为50at％以上。
3.一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，且暴露于250℃的原子层沉积条件下时的氟含量的减少率为50％以下的含氟树脂构成。
4.如权利要求3所述的原子层沉积抑制材料，其特征在于，氟含量的减少率为30％以下。
5.一种原子层沉积抑制材料，其由暴露于250℃的原子层沉积条件下后的氟含量为25at％以上的含氟树脂构成。
6.如权利要求5所述的原子层沉积抑制材料，其特征在于，暴露于250℃的原子层沉积条件下后的氟含量为40at％以上。
7.一种原子层沉积抑制材料，其由下述式(I)：
X-[(CR1 2)p-CR4R5-(CR2 2)r-CR6R7-(CR3 2)q]n-Y (I)
所表示的含氟树脂构成，
式中：
X及Y分别独立地为H、F或CR11 3；
R11分别独立地为H或F；
R1、R2及R3分别独立地为H或F；
R4及R6分别独立地为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个的烷基；
R5及R7分别独立地为可被氟取代的碳数1～6个的烷基，或者
R5及R7可一起形成
-(O)s-(CR12 2)t-
所表示的基团，
式中，
R12为H、F、或可被氟取代的碳数1～6个的烷基，
s为0～2的整数，t为1～6的整数，
式中，O及CR12 2的存在顺序并不限定于记载的顺序，而是任意的；
p、q及r分别独立地为0～6的整数；
n为任意的自然数。
8.如权利要求7所述的原子层沉积抑制材料，其特征在于，含氟树脂为式(I)所表示的树脂，其中，
R1及R3为F，p为1或2，
R4及R6为F，
R5及R7一起形成-O-CF2-CF2-或-O-CF(CF3)2-O-，
q为0或1，
r为0。
9.如权利要求1～8中任一项所述的原子层沉积抑制材料，其特征在于，含氟树脂不含氢原子。
10.一种在基板上通过原子层沉积法形成无机材料的薄膜的图案的方法，其包括：
在基板上，使用如权利要求1～9中任一项所述的原子层沉积抑制材料形成原子层沉积抑制层的图案；及
接着，通过原子层沉积法，在不存在原子层沉积抑制层的区域形成无机材料的层。
11.一种电子部件，其特征在于，其为具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及通过原子层沉积法所形成的无机材料的层而成的电子部件，其中，
所述含氟树脂层与所述无机材料的层位于邻接的位置。
12.如权利要求11所述的电子部件，其中氟含量为40at％以上。
13.如权利要求11或12所述的电子部件，其特征在于，在含氟树脂层中不存在酯基、羟基、羧基及酰亚胺基。
14.如权利要求11～13中任一项所述的电子部件，其特征在于，无机材料为TiN、AlN或SiN。
15.一种电子部件，其特征在于，是具有基板、氟含量为25at％以上的含氟树脂层、及氮化物的层而成的电子部件，其中，
所述含氟树脂层与所述氮化物的层位于邻接的位置。
16.如权利要求15所述的电子部件，其特征在于，氟含量为40at％以上。
17.如权利要求15或16所述的电子部件，其特征在于，在含氟树脂层中不存在酯基、羟基、羧基及酰亚胺基。
18.如权利要求15～17中任一项所述的电子部件，其特征在于，氮化物为TiN、AlN或SiN。
19.如权利要求11～18中任一项所述的电子部件，其特征在于，使用如权利要求10所述的方法来制造。
20.如权利要求11～19中任一项所述的电子部件，其为电容器。
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