JP6756388B2 - 原子層堆積阻害材料 - Google Patents
原子層堆積阻害材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6756388B2 JP6756388B2 JP2019040782A JP2019040782A JP6756388B2 JP 6756388 B2 JP6756388 B2 JP 6756388B2 JP 2019040782 A JP2019040782 A JP 2019040782A JP 2019040782 A JP2019040782 A JP 2019040782A JP 6756388 B2 JP6756388 B2 JP 6756388B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluororesin
- atomic layer
- layer deposition
- electronic component
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title claims description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 45
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 title description 59
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 74
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 AlO x N y Chemical class 0.000 description 3
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 3
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl n'-phenylcarbamimidothioate;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCN(CC)CCSC(N)=NC1=CC=CC=C1 XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002711 AuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLOKVAIRQVQRGC-UHFFFAOYSA-N CN(C)[Ti] Chemical compound CN(C)[Ti] ZLOKVAIRQVQRGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/02—Halogenated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C23C16/303—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/085—Vapour deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
- H01G4/186—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose halogenated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
- H01L21/0212—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC the material being fluoro carbon compounds, e.g.(CFx) n, (CHxFy) n or polytetrafluoroethylene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
X−[(CR1 2)p−CR4R5−(CR2 2)r−CR6R7−(CR3 2)q]n−Y ・・・(I)
[式中:
XおよびYが、それぞれ独立して、H、FまたはCR11 3であり;
R11は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R4およびR6は、それぞれ独立して、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり;
R5およびR7は、それぞれ独立して、フッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であるか、あるいは
R5およびR7は、一緒になって、
−(O)s−(CR12 2)t−
(式中、
R12は、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり、
sは0〜2の整数であり、tは1〜6の整数であり、
式中、OおよびCR12 2の存在順序は、記載の順に限定されず、任意である。)
で表される基を形成してもよく;
p、qおよびrは、それぞれ独立して、0〜6の整数であり;
nは、任意の自然数である。]
で表される含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料が提供される。
基板上に、上記の原子層堆積阻害材料を用いて、原子層堆積阻害層のパターンを形成すること、
次いで、原子層堆積法により、原子層堆積阻害層が存在しない領域に、無機材料の層を形成すること、
を含む方法が提供される。
前記含フッ素樹脂層と、前記無機材料の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品が提供される。
前記含フッ素樹脂層と、前記窒化物の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品が提供される。
X−[(CR1 2)p−CR4R5−(CR2 2)r−CR6R7−(CR3 2)q]n−Y
・・・(I)
で表される含フッ素樹脂である。
−(O)s−(CR12 2)t−
(式中、
R12は、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり、
sは0以上2以下の整数であり、tは1以上6以下の整数であり、
式中、OおよびCR12 2の存在順序は、記載の順に限定されず、任意である。)
で表される基を形成してもよい。
基板上に、上記した含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料を用いて、原子層堆積阻害層のパターンを形成すること、
次いで、原子層堆積法により、原子層堆積阻害層が存在しない領域に、無機材料の層を形成すること、
を含む方法も提供する。
前記含フッ素樹脂層と、前記無機材料の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品をも提供する。
前記含フッ素樹脂層と、前記窒化物の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品を提供する。
約10cm角のAl基板上にディスペンサーを用いて、下記表1に示す材料A〜Eを用いて、それぞれ、下記表1に示す膜厚、6mmピッチで線幅1mmの格子状パターンをスクリーン印刷により形成した。次いで、パターンを形成した基板上に、原子層堆積法を用いて、絶縁層としてAlOx(原料:トリメチルアルミニウム;条件:180サイクル;250℃)を、電極層としてTiN膜(原料:テトラキスジメチルアミノチタンおよびアンモニア;条件:100サイクル;250℃)を成膜した。尚、材料DおよびEは実施例である。材料Aはフッ素不含樹脂であり、材料Bは分子中にエステル結合を有する含フッ素樹脂であり、材料Cは末端に−Si(OH)3を有する含フッ素樹脂であり、これらは比較例である。
・樹脂塗布部の電気抵抗値
成膜後の樹脂塗布部の電気抵抗値(樹脂塗布部の格子により形成された隣接するセル間の抵抗値)を二端子法で測定した。結果を下記表2に示す。
また、上記の抵抗値が高かった材料B、DおよびEについて、ALD前後に、樹脂塗布部を、X線光電子分光装置により表面分析した。結果を下記表2に併せて示す。測定箇所は、格子が交わる箇所の中心付近の直径2nmのスポットとした。
ALD後の試料を、収束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)により加工して、断面を露出させた。断面のTiN膜と樹脂層の界面から100nmの領域(図3参照)の平均フッ素量を、STEM−EDS測定装置(STEM:日本電子株式会社(JEM−2200FS)、EDS検出器:日本電子株式会社(ドライSD60GV)、EDSシステム:サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社(Noran system7))により測定した。
約10cm角のAl基板上に、ALD法を用いて、AlOx(原料:トリメチルアルミニウム;条件:180サイクル;250℃)を成膜した。次いで、試験例1と同様に、樹脂Dおよび樹脂Dの末端をCOOHとした樹脂D’を用いて、スクリーン印刷法により格子状パターンを形成した。次いで、ALD法を用いてTiN膜を成膜した(原料:テトラキスジメチルアミノチタンおよびアンモニア;条件:100サイクル;310℃)。
ALD阻害材料としてフッ素含有量が約50at%であるポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を用い、ALD法の温度条件を変える以外は(低温:約235℃;高温:約280℃)試験例1と同様にして、AlOxおよびTiNを連続成膜した。
本開示は、以下の態様を含む。
[1] フッ素含有量が30at%以上であり、少なくとも1つの第3級炭素もしくは第4級炭素を有し、かつ、エステル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびイミド基を有しない含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料。
[2] フッ素含有量が50at%以上であることを特徴とする、上記[1]に記載の原子層堆積阻害材料。
[3] フッ素含有量が30at%以上であり、250℃の原子層堆積条件下に曝された場合のフッ素含有量の減少率が、50%以下である含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料。
[4] フッ素含有量の減少率が、30%以下であることを特徴とする、上記[3]に記載の原子層堆積阻害材料。
[5] 250℃の原子層堆積条件下に曝された後のフッ素含有量が25at%以上である含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料。
[6] 250℃の原子層堆積条件下に曝された後のフッ素含有量が40at%以上であることを特徴とする、上記[5]に記載の原子層堆積阻害材料。
[7] 下記式(I):
X−[(CR1 2)p−CR4R5−(CR2 2)r−CR6R7−(CR3 2)q]n−Y
(I)
[式中:
XおよびYが、それぞれ独立して、H、FまたはCR11 3であり;
R11は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R1、R2およびR3は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R4およびR6は、それぞれ独立して、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり;
R5およびR7は、それぞれ独立して、フッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であるか、あるいは
R5およびR7は、一緒になって、
−(O)s−(CR12 2)t−
(式中、
R12は、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり、
sは0〜2の整数であり、tは1〜6の整数であり、
式中、OおよびCR12 2の存在順序は、記載の順に限定されず、任意である。)
で表される基を形成してもよく;
p、qおよびrは、それぞれ独立して、0〜6の整数であり;
nは、任意の自然数である。]
で表される含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料。
[8] 含フッ素樹脂が、
R1およびR3がFであり、pが1または2であり、
R4およびR6が、Fであり、
R5およびR7が、一緒になって、−O−CF2−CF2−または−O−CF(CF3)2−O−を形成し、
qが0または1であり、
rが0である
式(I)で表される樹脂であることを特徴とする、上記[7]に記載の原子層堆積阻害材料。
[9] 含フッ素樹脂が、水素原子を含まないことを特徴とする、上記[1]〜[8]のいずれかに記載の原子層堆積阻害材料。
[10] 基板上に無機材料の薄膜のパターンを原子層堆積法により形成する方法であって、
基板上に、上記[1]〜[9]のいずれかに記載の原子層堆積阻害材料を用いて、原子層堆積阻害層のパターンを形成すること、
次いで、原子層堆積法により、原子層堆積阻害層が存在しない領域に、無機材料の層を形成すること、
を含む方法。
[11] 基板と、フッ素含有量が25at%以上である含フッ素樹脂層と、原子層堆積法により形成された無機材料の層とを有して成る電子部品であって、
前記含フッ素樹脂層と、前記無機材料の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品。
[12] フッ素含有量が40at%以上であることを特徴とする、上記[11]に記載の電子部品。
[13] フッ素樹脂層に、エステル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびイミド基が存在しないことを特徴とする上記[11]または[12]に記載の電子部品。
[14] 無機材料が、TiN、AINまたはSiNであることを特徴とする、上記[11]〜[13]のいずれかに記載の電子部品。
[15] 基板と、フッ素含有量が25at%以上である含フッ素樹脂層と、窒化物の層とを有して成る電子部品であって、
前記含フッ素樹脂層と、前記窒化物の層とが隣接して位置することを特徴とする電子部品。
[16] フッ素含有量が40at%以上であることを特徴とする、上記[15]に記載の電子部品。
[17] フッ素樹脂層に、エステル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびイミド基が存在しないことを特徴とする上記[15]または[16]に記載の電子部品。
[18] 窒化物が、TiN、AINまたはSiNであることを特徴とする、上記[15]〜[17]のいずれかに記載の電子部品。
[19] 上記[10]に記載の方法を用いて製造された、上記[11]〜[18]のいずれかに記載の電子部品。
[20] コンデンサである、上記[11]〜[19]のいずれかに記載の電子部品。
2…基板(下部電極)
4…原子層堆積阻害層
6…誘電体層
8…上部電極
10,10’…端子電極
12…アルミニウム基板
14…AIOx層
16…TiN層
18…樹脂層
20…測定領域
Claims (9)
- 基板と、フッ素含有量が25at%以上である含フッ素樹脂層と、原子層堆積法により形成された無機材料層とを有して成る電子部品であって、
前記含フッ素樹脂層と、前記無機材料の層とが、前記基板の含フッ素樹脂層および無機材料層が形成されている面に平行な方向に隣接して位置し、
前記含フッ素樹脂層は、下記式(I):
X−[(CR 1 2 ) p −CR 4 R 5 −(CR 2 2 ) r −CR 6 R 7 −
(CR 3 2 ) q ] n −Y (I)
[式中:
XおよびYが、それぞれ独立して、H、FまたはCR 11 3 であり;
R 11 は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R 1 、R 2 およびR 3 は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R 4 およびR 6 は、それぞれ独立して、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり;
R 5 およびR 7 は、それぞれ独立して、フッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であるか、あるいは
R 5 およびR 7 は、一緒になって、
−(O) s −(CR 12 2 ) t −
(式中、
R 12 は、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり、
sは0〜2の整数であり、tは1〜6の整数であり、
式中、OおよびCR 12 2 の存在順序は、記載の順に限定されず、任意である。)
で表される基を形成してもよく;
p、qおよびrは、それぞれ独立して、0〜6の整数であり;
nは、任意の自然数である。]
で表される含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料から形成されていることを特徴とする電子部品。 - フッ素含有量が40at%以上であることを特徴とする、請求項1に記載の電子部品。
- 無機材料が、TiN、AINまたはSiNであることを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の電子部品。
- 基板と、フッ素含有量が25at%以上である含フッ素樹脂層と、窒化物の層とを有して成る電子部品であって、
前記含フッ素樹脂層と、前記窒化物の層とが、前記基板の含フッ素樹脂層および窒化物の層が形成されている面に平行な方向に隣接して位置し、
前記含フッ素樹脂層は、下記式(I):
X−[(CR 1 2 ) p −CR 4 R 5 −(CR 2 2 ) r −CR 6 R 7 −
(CR 3 2 ) q ] n −Y (I)
[式中:
XおよびYが、それぞれ独立して、H、FまたはCR 11 3 であり;
R 11 は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R 1 、R 2 およびR 3 は、それぞれ独立して、HまたはFであり;
R 4 およびR 6 は、それぞれ独立して、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり;
R 5 およびR 7 は、それぞれ独立して、フッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であるか、あるいは
R 5 およびR 7 は、一緒になって、
−(O) s −(CR 12 2 ) t −
(式中、
R 12 は、H、F、またはフッ素により置換されていてもよい炭素数1〜6個のアルキル基であり、
sは0〜2の整数であり、tは1〜6の整数であり、
式中、OおよびCR 12 2 の存在順序は、記載の順に限定されず、任意である。)
で表される基を形成してもよく;
p、qおよびrは、それぞれ独立して、0〜6の整数であり;
nは、任意の自然数である。]
で表される含フッ素樹脂から構成される原子層堆積阻害材料から形成されていることを特徴とする電子部品。 - フッ素含有量が40at%以上であることを特徴とする、請求項4に記載の電子部品。
- 窒化物が、TiN、AINまたはSiNであることを特徴とする、請求項4または5に記載の電子部品。
- 前記含フッ素樹脂が、
R1およびR3がFであり、pが1または2であり、
R4およびR6が、Fであり、
R5およびR7が、一緒になって、−O−CF2−CF2−または−O−CF(CF3)2−O−を形成し、
qが0または1であり、
rが0である
式(I)で表される樹脂であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記含フッ素樹脂が、水素原子を含まないことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子部品。
- コンデンサである、請求項1〜8のいずれかに記載の電子部品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015051240 | 2015-03-13 | ||
JP2015051240 | 2015-03-13 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017506464A Division JP6493513B2 (ja) | 2015-03-13 | 2016-03-08 | 原子層堆積阻害材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019135325A JP2019135325A (ja) | 2019-08-15 |
JP6756388B2 true JP6756388B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=56919823
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017506464A Active JP6493513B2 (ja) | 2015-03-13 | 2016-03-08 | 原子層堆積阻害材料 |
JP2019040782A Active JP6756388B2 (ja) | 2015-03-13 | 2019-03-06 | 原子層堆積阻害材料 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017506464A Active JP6493513B2 (ja) | 2015-03-13 | 2016-03-08 | 原子層堆積阻害材料 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10508337B2 (ja) |
JP (2) | JP6493513B2 (ja) |
KR (1) | KR102053509B1 (ja) |
CN (1) | CN107406975B (ja) |
TW (1) | TWI627192B (ja) |
WO (1) | WO2016147941A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10453701B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-10-22 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of organic films |
US11430656B2 (en) * | 2016-11-29 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of oxide thin films |
KR102112705B1 (ko) * | 2016-12-09 | 2020-05-21 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 방법 |
JP7146690B2 (ja) | 2018-05-02 | 2022-10-04 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 堆積および除去を使用した選択的層形成 |
KR20210029142A (ko) | 2018-07-02 | 2021-03-15 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 기판, 기판의 금속표면영역에 대한 선택적인 막 퇴적방법, 유기물의 퇴적막 및 유기물 |
JP7502644B2 (ja) | 2019-01-10 | 2024-06-19 | セントラル硝子株式会社 | 基板、選択的膜堆積方法、有機物の堆積膜及び有機物 |
JP7118099B2 (ja) * | 2020-01-15 | 2022-08-15 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN112175220B (zh) | 2020-09-03 | 2023-01-03 | 广东以色列理工学院 | 耐高温的改性聚丙烯薄膜及其制备方法和应用 |
EP4287240A4 (en) | 2021-02-01 | 2024-07-17 | Central Glass Co Ltd | SUBSTRATE, SELECTIVE FILM DEPOSITION PROCESS, ORGANIC MATERIAL DEPOSITION FILM AND ORGANIC MATERIAL |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG53005A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-09-28 | Novellus Systems Inc | Method for depositing substituted fluorcarbon polymeric layers |
EP0920482A1 (en) * | 1996-08-26 | 1999-06-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fluoropolymer-epoxy resin semi-interpenetrating network composition |
JP3645682B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2005-05-11 | 三菱電機株式会社 | Cu成膜用CVD装置 |
EP1392744B1 (en) * | 2001-05-02 | 2008-07-09 | 3M Innovative Properties Company | Emulsifier free aqueous emulsion polymerization process for making fluoropolymers |
JP5023413B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2012-09-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7011930B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-03-14 | The Penn State Research Foundation | Method for control of temperature-sensitivity of polymers in solution |
US6887927B2 (en) * | 2002-08-27 | 2005-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Fluoropolymer compositions containing a nitrogen cure site monomer and a sulfone or sulfoxide compound |
JP2004259661A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asahi Glass Co Ltd | 膜・電極接合体及びその製造方法 |
ITMI20042554A1 (it) * | 2004-12-30 | 2005-03-30 | Solvay Solexis Spa | Procedimento per la preparazione di dispersioni di fluoropolimeri |
JP5074059B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法 |
US8030212B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | Process for selective area deposition of inorganic materials |
US8017183B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-09-13 | Eastman Kodak Company | Organosiloxane materials for selective area deposition of inorganic materials |
US20100069554A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-18 | Dupont Performance Elastomers L.L.C. | Curable fluoropolymer compositions |
US8753933B2 (en) * | 2008-11-19 | 2014-06-17 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming a conductive material, methods for selectively forming a conductive material, methods for forming platinum, and methods for forming conductive structures |
JP5429078B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2014-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び処理システム |
US8945305B2 (en) * | 2010-08-31 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of selectively forming a material using parylene coating |
US9368737B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-06-14 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-layer gate dielectric field-effect transistor and manufacturing process thereof |
JP5700513B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2015-04-15 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2013254874A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | National Institute For Materials Science | 自己形成2層分離による有機半導体薄膜形成方法、有機半導体薄膜、及び有機半導体デバイス |
US9171960B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-10-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal oxide layer composition control by atomic layer deposition for thin film transistor |
US8937016B2 (en) * | 2013-06-21 | 2015-01-20 | Eastman Kodak Company | Substrate preparation for selective area deposition |
US8921236B1 (en) * | 2013-06-21 | 2014-12-30 | Eastman Kodak Company | Patterning for selective area deposition |
US10316406B2 (en) * | 2015-10-21 | 2019-06-11 | Ultratech, Inc. | Methods of forming an ALD-inhibiting layer using a self-assembled monolayer |
-
2016
- 2016-02-25 TW TW105105714A patent/TWI627192B/zh active
- 2016-03-08 JP JP2017506464A patent/JP6493513B2/ja active Active
- 2016-03-08 WO PCT/JP2016/057067 patent/WO2016147941A1/ja active Application Filing
- 2016-03-08 KR KR1020177025827A patent/KR102053509B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-08 CN CN201680015281.5A patent/CN107406975B/zh active Active
-
2017
- 2017-08-29 US US15/689,187 patent/US10508337B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-06 JP JP2019040782A patent/JP6756388B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI627192B (zh) | 2018-06-21 |
TW201638128A (zh) | 2016-11-01 |
KR20170117531A (ko) | 2017-10-23 |
JP2019135325A (ja) | 2019-08-15 |
KR102053509B1 (ko) | 2019-12-06 |
US10508337B2 (en) | 2019-12-17 |
CN107406975B (zh) | 2019-07-05 |
WO2016147941A1 (ja) | 2016-09-22 |
US20170356086A1 (en) | 2017-12-14 |
JPWO2016147941A1 (ja) | 2017-12-21 |
CN107406975A (zh) | 2017-11-28 |
JP6493513B2 (ja) | 2019-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6756388B2 (ja) | 原子層堆積阻害材料 | |
US10256045B2 (en) | Capacitor | |
JP5376186B2 (ja) | 誘電体薄膜素子、アンチヒューズ素子及び誘電体薄膜素子の製造方法 | |
US10643794B2 (en) | Capacitor and process for producing thereof | |
JP6423952B2 (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
CN106972012A (zh) | Mim电容器及其形成方法 | |
JP6070930B2 (ja) | 電子部品 | |
WO2017134698A1 (en) | Roll-up capacitor and process for producing the same | |
TWI600150B (zh) | 記憶體結構及其製造方法 | |
US20170047165A1 (en) | Capacitor | |
WO2017026295A1 (ja) | コンデンサ | |
KR101875333B1 (ko) | Ptc 세라믹 서미스터 및 이의 제조방법 | |
JPWO2017026294A1 (ja) | コンデンサ、及び該コンデンサの製造方法 | |
JP6375669B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP7197311B2 (ja) | キャパシタおよびキャパシタの製造方法 | |
JP6892459B2 (ja) | 酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法 | |
JP2019204876A (ja) | 巻回型コンデンサの製造方法及び巻回型コンデンサ | |
KR100859263B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
JP2009218426A (ja) | 誘電体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190307 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200728 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6756388 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |