CN107329370B - 感光型干膜及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种感光型干膜及其应用方法。该感光型干膜包含支撑基材及位于该支撑基材上的感光型树脂层,其中该支撑基材包含与该感光型树脂层接触的第一表面以及与该第一表面相对的第二表面,且该第一表面具有非平滑结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种干膜及其应用,尤其涉及一种包含具有非平滑结构的支撑基材以及感光型树脂层的感光型干膜,以及该感光型干膜在制备雾面感光型显影覆盖膜中的应用。
背景技术
软性印刷电路板广泛应用于各种3C商品、光学镜头模块、LCD模块、太阳能电池等产品。传统软性印刷电路板的生产主要是利用保护胶材及液态防焊绿漆二种材料来提供电路板表面的电路保护膜(coverlay),来保护软板表面的铜制线路并增加线路耐弯折能力。然而,传统保护胶材及液态防焊绿漆因为在应用上分别存在解析性低及柔韧性差的缺陷,通常需将二者同时搭配使用,因而使得软性印刷电路板的生产制程复杂化。因此,目前多使用能形成细微的开口图案而可兼具解析性及柔韧性的感光型显影覆盖膜(photoimageablecoverlay,PIC)来进行软性印刷电路板的电路保护。
改性丙烯酸酯或聚酰亚胺(polyimide,PI)为常见的感光型显影覆盖膜材料,其可符合软性电路板对于机械强度、可挠性、耐溶性、介电性质及耐热性等方面的需求。然而,改性丙烯酸酯固化后所形成的保护膜为透明无色,聚酰亚胺固化后所形成的保护膜则为透明略带黄色,将上述材料覆盖在软性电路板上时,仍可观察到设置在软性电路板上的电路图案。此外,上述保护膜具有光泽度高的特性,在雾面与美感方面仍有待改善。
发明内容
有鉴于以上技术问题,本发明旨在提供一种感光型干膜,其供形成分辨率(Imageresolution)优异且光泽度低的覆盖膜,可为软性印刷电路板上的电路提供保护及防窥功能,且兼具美感。
因此,本发明目的之一在于提供一种感光型干膜,其包含支撑基材及位于该支撑基材上的感光型树脂层,其中该支撑基材包含与该感光型树脂层接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面,且该第一表面具有非平滑结构。
在本发明的部分实施例中,该支撑基材的第一表面以ASTM D523标准方法测得的光泽度低于15GU。
在本发明的部分实施例中,该第一表面的平均粗糙度(Ra)较该第二表面的粗糙度高110纳米至850纳米。
在本发明的部分实施例中,该第一表面具有260纳米至1000纳米的平均粗糙度(Ra),可使用3D粗糙度计、干涉仪或原子力显微镜测得待测表面的中心线平均表面粗糙度。
在本发明的部分实施例中,该支撑基材的厚度为10微米至250微米。
在本发明的部分实施例中,该支撑基材是聚酯系膜或聚烯烃系膜。
在本发明的部分实施例中,该感光型树脂层通过在该支撑基材的第一表面上干燥一感光型树脂组成物而形成,且该感光型树脂组成物包含15重量%至80重量%的高分子黏合剂、2重量%至65重量%的含不饱和基的光可聚合化合物、0.5重量%至20重量%的光起始剂、以及余量的溶剂。该高分子黏合剂可为丙烯酸系黏合剂或聚酰亚胺系黏合剂,且该含不饱和基的光可聚合化合物的不饱和基可为丙烯酸酯基。
在本发明的部分实施例中,该感光型树脂组成物还包含添加剂。
本发明的另一目的在于提供一种形成感光型显影覆盖膜的方法,包含:
将如前文所述的感光型干膜层迭于一基板上,形成一依序包含该基板、该感光型树脂层、及该支撑基材的积层结构;
曝光该感光型树脂层的至少一部分,且在该曝光步骤之前或之后移除该支撑基材;以及
进行显影步骤,
其中该感光型树脂层未曝光的部分于该显影步骤中去除,且该感光型树脂层经曝光的部分形成该感光型显影覆盖膜。
上述感光型显影覆盖膜具有雾面特性和防窥功能。
为使本发明的上述目的、技术特征及优点能更明显易懂,下文是以部分具体实施例进行详细说明。
附图说明
图1是本发明感光型干膜的一个实施例的示意图;
图2是使用本发明感光型干膜制备感光型显影覆盖膜的流程示意图;
其中,1、离型层;2、感光型树脂层;4、支撑基材;5、基板。
具体实施方式
本发明感光型干膜包含支撑基材及位于该支撑基材上的感光型树脂层,其一技术特点在于该支撑基材与该感光型树脂层接触的表面具有非平滑结构。相较于使用具有平滑结构的支撑基材的干膜,本发明感光型干膜可提供分辨率更为优异且光泽度低的保护用覆盖膜结构,除提供保护功能外,还可提供雾黑美感以及遮蔽电路的效果。
图1是本发明感光型干膜的一个实施例的示意图。在本实施例中,感光型干膜包含支撑基材4及位于支撑基材4上的感光型树脂层2,支撑基材4与感光型树脂层2接触的面为第一表面,与第一表面相对的面为第二表面,第一表面具有非平滑结构。此外,在本实施例中,感光型干膜还包含一离型层1,位于感光型树脂层2未与支撑基材4相接触的表面上,以在感光型干膜储存过程中提供保护及隔绝感光型树脂层2的功能。离型层1可使用本发明所属技术领域所熟知的离型材料,只要可提供所需要的保护功能且撕除后在感光型树脂层2表面不会留有残胶即可。此类离型层的使用是本发明所属技术领域具有通常知识者观得本案说明书内容后可基于其所具备的通常知识而完成者,且非本发明的技术重点所在,在本文中不予赘述。
本发明感光型干膜的支撑基材与感光型树脂层接触的表面(第一表面)具有不平滑的结构。
为产生雾面效果,上述第一表面具有低光泽的特性。在部分实施例中,支撑基材的第一表面具有低于15GU的光泽度,例如低14GU、13GU、12GU或更低的光泽度,且较佳的是具有低于10GU的光泽度,以上光泽度是根据ASTM D523标准方法测得。
为让感光型干膜具有雾面效果且维持良好的感光性,该感光型干膜的支撑基材的第一表面的粗糙度需较第二表面的粗糙度高,也即第二表面相较于第一表面而言较为平滑,以表面粗糙度(Ra)计,较佳第一表面的粗糙度较第二表面的粗糙度高110纳米至850纳米。
在部分实施例中,支撑基材的第二表面平滑结构具有10纳米至200纳米的表面粗糙度(Ra),较佳具有100纳米至170纳米的表面粗糙度。
在部分实施例中,该感光型干膜的支撑基材的第一表面具有260纳米至1000纳米的表面粗糙度(Ra),较佳具有280纳米至800纳米的表面粗糙度,例如300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米或更高的表面粗糙度。若第一表面的表面粗糙度太低,例如低于260纳米,将因为第一表面的光泽度太高而影响本发明感光型干膜经曝光及显影步骤后所形成的覆盖膜的雾面质感;若第一表面的表面粗糙度太高,例如高于1000纳米,将不利地影响本发明感光型干膜经曝光及显影步骤后所形成的覆盖膜图案的分辨率。
为了使该感光型干膜的感光型树脂层在后续经曝光及显影步骤后所形成的覆盖膜图案具有高分辨率,较佳地,支撑基材的单一表面具有非平滑结构,较佳为第一表面,更佳地,支撑基材的第一表面的粗糙度较第二表面的粗糙度高130纳米至650纳米,例如高150纳米、200纳米、300纳米、400纳米、500纳米或更高。
该感光型干膜的支撑基材的种类并无特殊限制,可使用任何本发明所属技术领域所熟知的基材,较佳的是使用透明的支撑基材。举例言之,可使用聚酯系膜或聚烯烃系膜作为支撑基材。所述聚酯系膜例如是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜,聚烯烃系膜例如是聚丙烯膜。此外,支撑基材的厚度亦无特殊限制,只要可提供所需要的支撑性能即可,一般而言,支撑基材的厚度可为10微米至250微米,较佳为12微米至50微米,例如12微米、15微米、16微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、或45微米,但本发明不以此为限。
本发明感光型干膜的感光型树脂层通过在该支撑基材的第一表面上涂布并干燥感光型树脂组成物而形成,上述感光型树脂组成物,其可用于印刷电路板碱性蚀刻、镀金、化镍浸金(electroless nickel immersion gold,ENIG)等制程,以感光型树脂组成物的总重量计,所述感光型树脂组成物包含15重量%至80重量%的高分子黏合剂、2重量%至65重量%的含不饱和基的光可聚合化合物、及0.5重量%至20重量%的光起始剂。所述涂布例如可通过使用辊涂机、缺角轮涂布机(comma coater)、凹版涂布机(gravure coater)、气刀涂布机、模涂机、棒涂机等熟知方法进行。所述干燥可例如以70℃至150℃的温度干燥5分钟至30分钟左右。所述感光型树脂组成物可为任何熟知可用于印刷电路板的电路保护的感光型保护胶材。一般而言,感光型树脂组成物包含高分子黏合剂、含不饱和基的光可聚合化合物、光起始剂、溶剂等主要成分。
可用于本发明的高分子黏合剂(polymeric binder)实例包括,但不限于丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、环氧树脂、酰胺树脂、酰胺环氧树脂、聚酰亚胺前驱物、醇酸树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、由环氧树脂与(甲基)丙烯酸的反应获得的环氧丙烯酸酯树脂、由环氧丙烯酸酯树脂与酸酐的反应获得的酸改性环氧丙烯酸酯树脂、及前述的二种或多种的混合物。
本发明的含不饱和基的光可聚合化合物(photopolymerizable compound)一般为单体或短链寡聚体,其具有乙烯型不饱和官能基,包含单官能基、双官能基或多官能基,上述乙烯型不饱和官能基是丙烯酸酯基,可用于本发明的含不饱和基的光可聚合化合物其实例包括,但不限于1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯(1,4-butanediol di(meth)acrylate)、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯(1,6-hexanediol di(meth)acrylate)、新戊基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯(neopentylglycol di(meth)acrylate)、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯(polyethyleneglycol di(meth)acrylate)、新戊基乙二醇二(甲基)丙烯酸酯己二酸酯(neopentylglycol dipate di(meth)acrylate)、新戊基乙二醇二甲基丙烯酸羟基特戊酸酯(neopentylglycol di(meth)acrylate hydroxypivalate)、二(甲基)丙烯酸二环戊二烯酯(dicyclopentdienyl di(meth)acrylate)、己内酯改质的二(甲基)丙烯酸二环戊二烯酯(caprolactone modified dicyclopentdienyl di(meth)acrylate)、烯丙基化的二(甲基)丙烯酸环己酯(allylated cyclohexyl di(meth)acrylate)、二(甲基)丙烯酸异氰尿酸酯(isocyanurate di(meth)acrylate)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(trimethylolpropane tri(meth)acrylate)、二戊赤藓醇三(甲基)丙烯酸酯(dipentaerythriol tri(meth)acrylate)、戊赤藓醇三(甲基)丙烯酸酯、三甲基三(甲基)丙烯酸甲酯、三(丙烯氧乙基)异氰酸尿酯(tris(acryloxyethyl)isocyanurate)、二戊赤藓醇五(甲基)丙烯酸酯、二戊赤藓醇六(甲基)丙烯酸酯、乙氧基改质的三甲醇丙烷三丙烯酸酯、甘油丙氧基化物三丙烯酸酯(propoxylate glycerol triacrylate)、乙氧基化双酚A二甲基丙烯酸酯(bisphenol A ethoxylate dimethacrylate)、脂肪族胺基甲酸酯寡聚体、及前述的二种或多种的混合物。
在本发明的部分实施例中,该高分子黏合剂使用丙烯酸系黏合剂(acrylic basedbinder)(例如丙烯酸树脂)或聚酰亚胺系黏合剂(polyimide based binder)(例如聚酰亚胺前驱物)且该含不饱和基的光可聚合化合物是含丙烯酸酯基的光可聚合化合物。
可用于本发明的光起始剂,其经光照射后可提供自由基(free radical),透过自由基的传递,引发聚合反应。光起始剂的种类已为此技术领域具有通常知识者所熟知,实例包括,但不限于二苯乙醇酮(benzoin)、二苯乙醇酮烷基醚(benzoin alkyl ether)、二苯乙二醛(benzyl)、缩酮(ketals)、苯乙酮化合物(acetophenones)、二苯甲酮(benzophenone)、9-苯基吖啶(9-phenylacridine)、4,4-二甲基-胺基-二苯甲酮(4,4-dimethyl-amino-benzophenone)、硫化氧杂蒽酮化合物(thioxanthones)、马福林-丙酮化合物(morpholono-propanone)、α-羟基酮、n-苯基甘胺酸、咪唑二聚体、及前述的二种或多种的混合物。此外,适当的9-苯基吖啶同系物,例如于美国专利第5,217,845号(其内容兹并入本文中作参考)中所揭示的,也适用于本发明中作为光起始剂。
视需要,本发明的感光型树脂组成物可包含溶剂,可用于本发明的溶剂包括任何不与感光型树脂组成物其他组分反应的惰性溶剂,其实例包括,但不限于甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙酮、丁酮、N-甲基2-吡咯酮、甲基乙基酮、甲基溶纤剂(methyl cellosolve)、乙基溶纤剂(ethyl cellosolve)、丁基溶纤剂、甲苯、N,N’-二甲基甲酰胺、丙二醇单甲醚二甲基亚砜、二乙基亚砜、苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、二甲苯酚、卤代苯酚、邻苯二酚、四氢呋喃、二恶烷、二氧戊环、环丙二醇甲醚、四乙二醇二甲醚、γ-丁内酯、六甲基邻酰胺、丙二醇甲醚醋酸酯、及前述的二种或多种的混合物。
在本发明的部分实施例中,以感光型树脂组成物的总重量计,高分子黏合剂的含量可为15重量%至50重量%,含不饱和基的光可聚合化合物的含量可为2重量%至30重量%,光起始剂的含量可为0.5重量%至5重量%,以及余量为溶剂。另外,感光型树脂组成物可视需要包含其他本发明所属技术领域中具有通常知识者已知可用于制备感光型干膜的添加剂,添加剂的实例包括但不限于填料(如碳黑、二氧化硅、氧化铝等)、热固化剂、染料、流平剂、消泡剂、及阻燃剂。上述添加剂的含量可由本发明所属技术领域中具有通常知识者经常规实验调整得到。在部分实施例中,在感光型树脂组成物中添加碳黑,以使所制得的感光型显影覆盖膜具有更佳的消光黑(matte black)效果,在视觉上是雾面黑色的,不容易沾指纹,外观质感佳,并具有更佳的防窥效果。有关感光型树脂组成物的具体制备方式将于后附实施例中例示说明。
本发明的感光型干膜可用于在印刷电路板表面形成保护电路的覆盖膜。因此,本发明另提供一种形成感光型显影覆盖膜的方法,包含:将上述的感光型干膜层迭于基板上,形成一依序包含该基板、该感光型树脂层、及该支撑基材的积层结构;曝光该感光型树脂层的至少一部分,且在该曝光步骤之前或之后移除该支撑基材;以及进行显影步骤,其中该感光型树脂层未曝光的部分在该显影步骤中去除,且该感光型树脂层经曝光的部分形成该感光型显影覆盖膜。
上述感光型显影覆盖膜以ASTM D523标准方法测得的光泽度低于15GU。
以下以使用图1所示的感光型干膜为例说明该方法。图2是使用本发明感光型干膜制备感光型显影覆盖膜的流程示意图。如图2所示,本发明形成感光型显影覆盖膜的方法包含在移除保护用的离型层1后,将感光型干膜层迭于一基板5上,使得感光型树脂层2未与支撑基材4接触的一面贴合至待施加感光型显影覆盖膜的基板5上,形成依序包含基板5、感光型树脂层2、及支撑基材4的积层结构。接着进行曝光步骤,依照所欲形成的感光型显影覆盖膜图案,曝光该感光型树脂层的至少一部分。在支撑基材4为透明基材的情况下,支撑基材4可在该曝光步骤之前或之后移除,较佳在曝光步骤之后移除支撑基材4,以确保所形成的覆盖膜的低光泽特性。待曝光完成并移除支撑基材4后,进行显影步骤,以去除感光型树脂层2未曝光的部分,感光型树脂层2经曝光的部分即形成该感光型显影覆盖膜。
使用本发明感光型干膜所形成的覆盖膜具有优异的分辨率(90微米或更低),同时在外观(profile)上更具有雾面朦胧的质感,因此,既美观又可提供线路防窥的功能。
兹以下列具体实施例进一步例示说明本发明,其中,所采用的量测仪器及方法分别如下:
[光泽度测试]
利用光泽度计(型号:VG2000;Nippon Denshoku公司),以ASTM D523方法量测待测样品Gloss 60°的数值。
[表面粗糙度测试]
使用手持粗糙度计(型号:SURTRONIC S100系列),在测定范围为100微米×100微米的条件下,量测待测样品的表面粗糙度(Ra)。
[分辨率测试]
以曝光格数成为6的曝光能量进行曝光,以及喷雾显影,在显影处理后,使用光学显微镜观察固化后的感光型树脂层图案,以评价分辨率,将点图案无残渣而开口的最小的孔径(微米)作为最小分辨率。
[雾黑质感测试]
以肉眼观测固化后的感光型树脂层所形成的覆盖膜外观,若覆盖膜外观呈现雾面且无法观测到覆盖膜下方电路设计,则评价为「〇」;若覆盖膜外观呈现亮面且可观测到覆盖膜下方电路设计,则评价为「X」。
实施例
<感光型树脂组成物1的制备>
以下表1所示的比例混合高分子黏合剂、含不饱和基的光可聚合化合物、光起始剂、热固化剂、溶剂、及无机填料,搅拌均匀后制得感光型树脂组成物1。
表1
<感光型树脂组成物2的制备>
(一)高分子黏合剂的制备
首先,以如下方式制备聚酰胺酸寡聚物。将21.81公克(0.1莫耳)的均苯四酸二酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)溶于126公克的N-甲基2-吡咯酮(N-methyl-2-pyrrolidinone,NMP)中,加热所得混合物至50℃并于搅拌情况下反应二小时。接着缓慢滴入2.322公克(0.02莫耳)的2-羟基乙基丙烯酸(2-hydroxyethyl acrylate,HEA),并保持温度在50℃,于搅拌情况下反应二小时。其后,将18.018公克(0.09莫耳)的4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-diamino-diphenyl ether,ODA)添加至反应所得的混合物中,待完全溶解后,于持温50℃及搅拌情况下反应六小时,制得聚酰胺酸寡聚物。
接着以如下方式制备二胺类单体。将10.814公克(0.1莫耳)的对苯二胺(p-phenylenediamine,pPDA)加至甲苯溶剂中,在搅拌情况下缓慢加入42.006公克(0.2莫耳)的三氟醋酸酐(trifluoroacetic acid anhydride,TFAA),于持温50℃及搅拌情况下反应一小时,制得二胺类单体。
将200公克的该聚酰胺酸寡聚物(固含量25%)与3公克的该二胺类单体均匀混合,制得高分子黏合剂。
(二)感光型树脂组成物2的制备
以下表2所示的比例混合高分子黏合剂、含不饱和基的光可聚合化合物、光起始剂、溶剂、无机填料、及添加剂,搅拌均匀后制得感光型树脂组成物2。
表2
<感光型树脂组成物3的制备>
以下表3所示的比例混合高分子黏合剂、含不饱和基的光可聚合化合物、光起始剂、热固化剂、溶剂、无机填料、及添加剂,搅拌均匀后制得感光型树脂组成物3。
表3
<感光型干膜的制备>
<实施例1>
将感光型树脂组成物1均匀涂布于具有如表4所示的光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材的第一表面,并使用热风对流式干燥机在90℃下将所涂布的感光型树脂组成物干燥约5分钟,以形成膜厚40微米的感光型树脂层。接着在感光型树脂层未与该支撑基材接触的表面上,贴合一经聚硅氧表面改质的PET膜作为保护膜,制得具有如图1所示的结构的感光型干膜1。
<实施例2>
以与实施例1相同的方式制备感光型干膜2,惟使用具有不同光泽度及表面粗糙度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例3>
以与实施例1相同的方式制备感光型干膜3,惟使用感光型树脂组成物2来形成感光型树脂层,并使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例4>
以与实施例3相同的方式制备感光型干膜4,惟使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例5>
以与实施例1相同的方式制备感光型干膜5,惟使用感光型树脂组成物3来形成感光型树脂层,并使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例6>
以与实施例5相同的方式制备感光型干膜6,惟使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例7>
以与实施例5相同的方式制备感光型干膜7,惟使用具有不同光泽度及表面粗糙度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例8>
以与实施例5相同的方式制备感光型干膜8,惟使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<实施例9>
以与实施例5相同的方式制备感光型干膜9,惟使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<比较例1及比较例2>
以与实施例1相同的方式制备比较感光型干膜1及比较感光型干膜2,惟分别使用具有不同光泽度及表面粗糙度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<比较例3及比较例4>
以与实施例3相同的方式制备比较感光型干膜3及比较感光型干膜4,惟分别使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
<比较例5>
以与实施例5相同的方式制备比较感光型干膜5,惟使用具有不同光泽度、表面粗糙度、及厚度性质的PET支撑基材,如表4所示。
表4
<感光型显影覆盖膜的制备(一)>
使用粗化预处理液CZ-8100(MEC股份有限公司),对印刷配线板用的铜箔积层板(商品名:MCL-E-679;日立化成股份有限公司)的铜表面进行处理,接着以纯水清洗后干燥。该铜箔积层板是通过将厚度为12微米的铜箔积层在一玻璃环氧基板上而得到的。
分别使用感光型干膜1、感光型干膜2、感光型干膜5至感光型干膜9、比较感光型干膜1、比较感光型干膜2、及比较感光型干膜5在经前述预处理后的铜箔积层板的铜箔表面形成感光型显影覆盖膜。首先,将感光型干膜或比较感光型干膜的保护膜去除,再将感光型树脂层连同支撑基材贴合到铜箔表面。接着使用压制式真空压合机(型号:MVP-600;长兴材料股份有限公司)压合(压制热板温度:50℃至60℃;抽成真空时间:30秒;真空压力:小于2hPa;压制时间:30秒;以及压制压力:0.5MPa至0.7MPa),形成一包含铜箔积层板、感光型树脂层及支撑基材的积层结构。
将该积层结构于室温下放置0.5小时后,进行曝光及显影,以在铜箔积层板的铜箔表面形成感光型显影覆盖膜。首先,设置21格曝光格数片(step tablet),使用以超高压水银灯作为光源的直接成像曝光装置(型号:DXP-3512;ORC MANUFACTURING股份有限公司)进行曝光。曝光后在室温下放置30分钟,然后将支撑基材移除。接着使用30℃的1%碳酸钠水溶液进行30秒至50秒的喷雾显影,将感光型树脂层未曝光的部分去除。将21格曝光格数片的光泽残存曝光格数成为9至10的曝光能量作为感光型树脂层的感度(单位;mJ/cm2)。最后于烘箱(温度:150℃至155℃)中烘烤50分钟至60分钟,接着对所形成的感光型显影覆盖膜图案进行评价,结果如下表5所示。
<感光型显影覆盖膜的制备(二)>
使用浓度5%至10%H2SO4水溶液,对印刷配线板用的铜箔积层板(商品名:MCL-E-679;日立化成股份有限公司)的铜表面进行处理,接着以纯水清洗后干燥。该铜箔积层板是通过将厚度为12微米的铜箔积层在一聚亚酰胺基板上而得到的。
分别使用感光型干膜3、感光型干膜4、比较感光型干膜3、及比较感光型干膜4在经前述预处理后的铜箔积层板的铜箔表面形成感光型显影覆盖膜。首先,将感光型干膜或比较感光型干膜的保护膜去除,再将感光型树脂层连同支撑基材贴合到铜箔表面。接着使用热滚轮压合机压合(压合温度:60℃至70℃;压合速度:0.5M/min至1.0M/min;压合压力:5kgf/cm2至6kgf/cm2),形成一包含铜箔积层板、感光型树脂层及支撑基材的积层结构。
将该积层结构于室温下放置30分钟以上后,进行曝光及显影,以在铜箔积层板的铜箔表面形成感光型显影覆盖膜。首先,设置21格曝光格数片,并使用将超高压水银灯作为光源的直接成像曝光装置进行曝光。将支撑基材移除,并在90℃的温度下烘烤15分钟。最后,通过30℃的1%碳酸钾水溶液进行44秒的喷雾显影,将感光型树脂层未曝光的部分去除。将21格曝光格数片的光泽残存曝光格数成为6至8的曝光能量作为感光型树脂层的感度(单位;mJ/cm2)。最后在烘箱(温度:170℃至275℃)中烘烤60分钟至120分钟,接着对所形成的感光型显影覆盖膜图案进行评价,结果如下表5所示。
表5
分辨率(微米) | 雾黑质感 | |
实施例1 | 90 | 〇 |
实施例2 | 80 | 〇 |
实施例3 | 70 | 〇 |
实施例4 | 70 | 〇 |
实施例5 | 70 | 〇 |
实施例6 | 70 | 〇 |
实施例7 | 60 | 〇 |
实施例8 | 70 | 〇 |
实施例9 | 80 | 〇 |
比较例1 | >100 | x |
比较例2 | 70 | x |
比较例3 | 70 | x |
比较例4 | >100 | 〇 |
比较例5 | >100 | 〇 |
如表5结果所示,本发明的感光型干膜所形成的覆盖膜具有优异的分辨率(90微米或更低),同时更具有良好的雾黑质感,既美观又可提供线路防窥的功能。
由比较例1与实施例1及2的结果可知,若支撑基材的第一表面的表面粗糙度太小(例如小于260纳米),并且支撑基材的第一表面的粗糙度系较第二表面的粗糙度差值太小(例如小于110纳米),所制得的覆盖膜不具有良好雾黑质感,感光型树脂层所形成的图案的分辨率也不佳。由比较例2、比较例3及实施例1至4的结果可知,若支撑基材的第一表面的表面粗糙度太小(例如小于260纳米),所制得的覆盖膜不具良好雾黑质感。
由比较例4与实施例3及4的结果可知,若支撑基材的第一表面的粗糙度与第二表面的粗糙度差值太小(例如小于110纳米),则所制得的图案的分辨率不佳。
由比较例5及实施例5至9的结果可知,若支撑基材的第一表面的表面粗糙度太大(例如大于1000纳米),并且支撑基材的第一表面的粗糙度较第二表面的粗糙度差值太大(例如大于850纳米),则所制得的图案的分辨率不佳。
上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效,并阐述本发明的技术特征,而非用于限制本发明的保护范畴。任何熟悉本技术者在不违背本发明的技术原理及精神下,可轻易完成的改变或安排,均属本发明所主张的范围。因此,本发明的权利保护范围如后附申请专利范围所列。
Claims (8)
1.一种感光型干膜,其包含支撑基材及位于该支撑基材上的感光型树脂层,其中该支撑基材包含与该感光型树脂层接触的第一表面及与该第一表面相对的第二表面,其中该第一表面具有400纳米至1000纳米的平均粗糙度,且该第一表面的平均粗糙度较该第二表面的粗糙度高110纳米至850纳米。
2.如权利要求1所述的感光型干膜,其中该支撑基材的第一表面以ASTM D523标准方法测得的光泽度低于15GU。
3.如权利要求1所述的感光型干膜,其中该支撑基材的厚度为10微米至250微米。
4.如权利要求1所述的感光型干膜,其中该支撑基材是聚酯系膜或聚烯烃系膜。
5.如权利要求1所述的感光型干膜,其中该感光型树脂层是通过在该支撑基材的第一表面上干燥感光型树脂组成物而形成,且该感光型树脂组成物包含15重量%至80重量%的高分子黏合剂、2重量%至65重量%的含不饱和基的光可聚合化合物和0.5重量%至20重量%的光起始剂。
6.如权利要求5所述的感光型干膜,其中该高分子黏合剂是丙烯酸系黏合剂或聚酰亚胺系黏合剂,且该含不饱和基的光可聚合化合物是含丙烯酸酯基的光可聚合化合物。
7.如权利要求5所述的感光型干膜,其中该感光型树脂组成物还包含添加剂。
8.一种形成感光型显影覆盖膜的方法,包含:
将如权利要求1至7中任一项所述的感光型干膜层迭于一基板上,形成一依序包含该基板、该感光型树脂层、及该支撑基材的积层结构;
曝光该感光型树脂层的至少一部分,且在该曝光步骤之前或之后移除该支撑基材;以及
进行显影步骤,
其中该感光型树脂层未曝光的部分在该显影步骤中去除,且该感光型树脂层经曝光的部分形成该感光型显影覆盖膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106103238A TWI634003B (zh) | 2017-01-26 | 2017-01-26 | 感光型乾膜及其應用 |
TWTW106103238 | 2017-01-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107329370A CN107329370A (zh) | 2017-11-07 |
CN107329370B true CN107329370B (zh) | 2021-01-05 |
Family
ID=60198083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710536263.8A Active CN107329370B (zh) | 2017-01-26 | 2017-07-04 | 感光型干膜及其应用 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11353791B2 (zh) |
CN (1) | CN107329370B (zh) |
TW (1) | TWI634003B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108303852A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-07-20 | 广东鑫丰海电子科技有限公司 | 一种线路板感光胶树酯胶液和感光干膜及制备方法 |
CN108165184B (zh) * | 2018-02-28 | 2024-07-16 | 江西航能技术有限公司 | 感光覆盖膜用离型纸、压合工装及电路板覆膜工艺 |
JP7104682B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-07-21 | イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッド | Fpicフィルム、これを含むフレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 |
JP7262408B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2023-04-21 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、タッチパネルの製造方法、及び、感光性転写部材 |
CN116830038A (zh) * | 2021-01-29 | 2023-09-29 | 旭化成株式会社 | 感光性元件和抗蚀图案的形成方法 |
CN113604164B (zh) * | 2021-08-04 | 2023-01-31 | 苏州城邦达益材料科技有限公司 | 用于MiniLED的FPC感光覆盖膜 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105278251A (zh) * | 2014-06-30 | 2016-01-27 | 太阳油墨制造株式会社 | 感光性干膜和使用其的印刷电路板的制造方法 |
CN207081941U (zh) * | 2017-01-26 | 2018-03-09 | 长兴材料工业股份有限公司 | 感光型干膜 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5217845A (en) | 1988-12-22 | 1993-06-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Photopolymerizable mixture and photopolymerizable copying material containing same |
US6607866B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-08-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lithographic printing plate support and lithographic printing plate precursor using the same |
JP4159094B2 (ja) | 2003-10-15 | 2008-10-01 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物およびこれを用いた感光性ドライフィルム |
JP2005136223A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
TW200533692A (en) | 2003-11-06 | 2005-10-16 | Showa Denko Kk | Curable polyester having an oxetanyl group at end and process for preparing the same, resist composition, jet printing ink composition, curing methods and uses thereof |
JP2009271259A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | レジストパターン用表面処理剤および該表面処理剤を用いたレジストパターン形成方法 |
KR101734425B1 (ko) | 2013-09-24 | 2017-05-11 | 주식회사 엘지화학 | 드라이 필름 솔더 레지스트의 제조 방법과, 이에 사용되는 필름 적층체 |
KR102021484B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2019-09-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 막 구조물 제조 방법, 막 구조물, 및 패턴형성방법 |
-
2017
- 2017-01-26 TW TW106103238A patent/TWI634003B/zh active
- 2017-07-04 CN CN201710536263.8A patent/CN107329370B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-26 US US15/880,948 patent/US11353791B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105278251A (zh) * | 2014-06-30 | 2016-01-27 | 太阳油墨制造株式会社 | 感光性干膜和使用其的印刷电路板的制造方法 |
CN207081941U (zh) * | 2017-01-26 | 2018-03-09 | 长兴材料工业股份有限公司 | 感光型干膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI634003B (zh) | 2018-09-01 |
CN107329370A (zh) | 2017-11-07 |
US11353791B2 (en) | 2022-06-07 |
US20180210342A1 (en) | 2018-07-26 |
TW201827219A (zh) | 2018-08-01 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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