CN106663638A - 半导体装置及其制造方法和挠性树脂层形成用树脂组合物 - Google Patents

半导体装置及其制造方法和挠性树脂层形成用树脂组合物 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备具有将电路部件密封的挠性树脂层的电路基板。该方法可具备：通过在密封材料中浸渍挠性基板并将其干燥而用密封材料密封电路部件的工序；和通过使密封材料固化而形成挠性树脂层的工序。

Description

半导体装置及其制造方法和挠性树脂层形成用树脂组合物
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明还涉及用于形成挠性树脂层的树脂组合物及树脂膜、以及使用其的半导体装置。
背景技术
近年来，关于可穿戴设备，除了对小型化的要求外，为了容易穿戴于身体上，还要求能够在沿着如身体那样的曲面配置的状态下使用，并且即使将其穿戴和脱摘也不易产生连接不良的柔性以及伸缩性。
在专利文献1中公开了使用安装有IC等部件的印刷布线基板和长纤维强化树脂而得到内置有电子部件构成物的模内产品的方法。该方法可通过将多个部件内置模块内置于树脂中进行小型化。另外，作为在曲面上使用的可穿戴设备，还开发了硬质部和挠性部混合构成的设备。进而，在专利文献2中记载了以下方法：在柔性基板上形成凹部，将安装于凹部内部的电子部件用长纤维强化树脂进行密封，得到柔性的部件内置模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平5-229293号公报
专利文献2：日本特开2012-134272号公报
发明内容
发明要解决的课题
在使用长纤维强化树脂得到内置电子部件构成物的模内产品的情况下，虽然能够使电子设备小型化，但是难以弯曲电子部件，因此难以将电子设备在沿着曲面配置的状态下使用。另外，使用长纤维强化树脂制造的树脂透明性差因而不利于需求透明性的用途。进而，在硬质部和挠性部混合构成的电子设备的情况下，存在硬质部所占的比例较大的倾向，因此对于可以使用的曲面有限制，并且若反复穿戴和脱摘，则有引起连接不良的担忧。进而，在柔性基板上形成凹部并使其内置电子部件的方法需要形成凹部，因此存在制造工序数增加的课题。
一方面，本发明的目的在于提供可以有效地得到半导体装置的方法以及通过该方法得到的半导体装置，所述半导体装置具有能够沿着曲面使用并且即使穿戴和脱摘也不易产生连接不良的充分柔性。
另一方面，本发明的主要目的在于提供能够以良好的阶差埋入性形成挠性和透明性优异的挠性树脂层的树脂组合物。
用于解决课题的手段
本发明的一个方案提供一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备由挠性基板、安装于上述挠性基板上的电路部件和密封上述电路部件的挠性树脂层(挠性构件)构成的电路基板。该方法具备：通过将密封材料(密封构件)层叠于上述挠性基板而用上述密封材料密封上述电路部件的工序；和通过使上述密封材料固化而形成上述挠性树脂层(挠性构件)的工序。
本发明的另一方案的方法具备：通过将密封材料(密封构件)印刷于上述挠性基板而用上述密封材料密封上述电路部件的工序；和通过使上述密封材料固化而得到具有上述挠性树脂层(挠性构件)的上述电路基板的工序。
本发明的另一方案的方法具备：通过在密封材料(密封构件)中浸渍上述挠性基板并将其干燥而用上述密封材料密封上述电路部件的工序；和通过使上述密封材料固化而得到具有上述挠性构件的上述电路基板的工序。
在这些方法中，可以通过加热和/或曝光使密封材料固化。
通过本发明的方法得到的半导体装置通过使用挠性基板和挠性树脂层(挠性构件)，能够在沿着曲面设置的状态下使用(例如可以安装于身体等的曲面)，并且能够具有即使穿戴和脱摘也不易产生连接不良的柔性。根据本发明的方法，可以有效地得到这种半导体装置，例如可以以较少的制造工序数得到半导体装置。进而，根据若干形态的方法，在使用多个电路部件的情况下，也可以通过用挠性树脂层(挠性构件)密封多个电路部件而使电子部件小型化。
本发明的半导体装置的制造方法可以进一步具备切割上述电路基板的工序。通过进行该工序，能够一次性大面积地制造多个半导体装置，可以进一步减少制造工序。
上述挠性树脂层(挠性构件)可以包含选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂及聚乙二醇树脂中的至少1种。
上述挠性基板和上述挠性树脂层可以在可见区域为透明。通过使挠性基板和挠性树脂层在可见区域为透明，可以得到不会大幅度损害应用器件的设计性的半导体装置。例如在使用透明壳体的器件中尤其可以避免能够直接看到基板面而大幅度损害设计性的问题。作为在可穿戴设备中使用的电子部件，理想的是即使将所应用的器件穿戴在身上也会与身体及周围相融洽的自然的电子部件。因此，要求不损害器件本身的设计和图案(design)的电子部件。
上述电路部件可以两种以上。通过利用2种以上的电路部件使电路基板中具有各种功能，容易实现电子部件的小型化。
本发明人等反复进行深入研究的结果发现：通过使用含有(A)包含热塑性聚氨酯或苯乙烯系弹性体中的至少任一者的弹性体、(B)聚合性化合物以及(C)聚合引发剂的树脂组合物，以及由该树脂组合物制造的树脂膜，可以解决与阶差埋入性相关的上述课题。即，本发明的另一方案提供该树脂组合物、树脂膜以及具有使用其制作的挠性树脂层的半导体装置。
发明效果
根据本发明，可以提供能够有效地得到半导体装置的半导体装置的制造方法以及通过该制造方法得到的半导体装置，所述半导体装置能够沿着曲面使用，并且具有即使穿戴和脱摘也不易产生连接不良的柔性，且通过尽可能地使电子部件透明而不会大幅度损害应用器件的设计性。通过若干形态的方法得到的半导体装置可以具有优异的伸缩性。
本发明的树脂组合物和树脂膜能够以良好的阶差埋入性形成挠性优异且具有高透明性的挠性树脂层。
附图说明
图1为示意性表示半导体装置的一个实施方式的截面图。
图2为示意性表示挠性基板和电路部件的一个实施方式的截面图。
图3为示意性表示得到多个半导体装置的工序的一个实施方式的截面图。
图4为表示恢复率的测定例的应力-应变曲线。
具体实施方式
以下，根据情况参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。但是，本发明并不受以下实施方式的限定。在附图中，对相同或相当部分标记相同符号，并省略重复的说明。上下左右等的位置关系如没有特别说明则是指基于附图所示的位置关系。附图的尺寸比率并不限于图示的比率。
＜半导体装置＞
图1为示意性表示本实施方式的半导体装置的截面图。本实施方式的半导体装置100具备由具有挠性的挠性基板1、电路部件2和具有挠性的挠性树脂层(有时也称作挠性层或挠性构件。3构成的电路基板。挠性基板1可以在可见区域为透明。挠性基板1是例如可以在可见区域为透明的柔性基板。电路部件2安装在挠性基板1上。挠性树脂层3密封挠性基板1和电路部件2，并保护电路基板的表面。
在此，“在可见区域为透明”是指：在可见光区域400nm～750nm的光线透过率换算为50μm厚时为90％以上。在涉及具有固化性的密封材料的情况下，“在可见区域为透明”是指：在固化后的状态下满足上述光线透过率。
作为可以在可见区域为透明的挠性基板1的构成材料，可根据目的使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚乙二醇树脂等。它们可以是在可见区域透明的材料。从使伸缩性更优异的观点出发，挠性基板1的构成材料可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、具有长链烷基链(例如碳数1～20的烷基链)的双马来酰亚胺树脂、环氧树脂以及具有轮烷(rotaxane)结构的聚乙二醇树脂中的至少1种，也可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、硅树脂、聚氨酯树脂以及具有长链烷基链的双马来酰亚胺树脂中的至少1种。它们可以单独使用1种或组合使用两种以上。在挠性基板1具有布线部的情况下，作为布线部的导电材料未必需要在可见区域为透明。
挠性基板1的构成材料可以为选自聚酰业胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、双马来酰亚胺树脂、环氧树脂及聚乙二醇树脂中的至少1种。其中，从使伸缩性更优异的观点出发，挠性基板1的构成材料可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、具有长链烷基链(例如碳数1～20的烷基链)的双马来酰亚胺树脂、环氧树脂以及具有轮烷结构的聚乙二醇树脂中的至少1种。从使伸缩性更优异的观点出发，挠性基板1的构成材料可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、硅树脂、聚氨酯树脂以及具有长链烷基链的双马来酰亚胺树脂中的至少1种。挠性基板1的构成材料可以单独使用一种或组合使用两种以上。
电路部件2为例如存储芯片、发光二极管(LED)、射频标签(RFID)、温度传感器、加速度传感器等包含半导体元件的安装部件。另外，可以安装1种电路部件2，也可以混合安装两种以上的电路部件2。另外，可以安装1个电路部件2，也可以安装多个电路部件2。
挠性树脂层3为例如树脂固化物层，其通过使密封材料固化而得到。挠性树脂层3例如可以通过使用后述的树脂组合物或由该树脂组合物制作的树脂膜作为密封材料并使其固化而形成。
或者，作为挠性树脂层(挠性层)3以及形成挠性树脂层3的密封材料的构成材料，可以根据目的使用例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚乙二醇树脂等。它们可以是在可见区域透明的材料。从伸缩性更优异的观点出发，挠性树脂层3的构成材料可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、具有长链烷基链(例如碳数1～20的烷基链)的双马来酰亚胺树脂、环氧树脂以及具有轮烷结构的聚乙二醇树脂中的至少1种，也可以为选自具有硅氧烷结构或脂肪族醚结构或二烯结构的聚酰亚胺树脂、硅树脂、聚氨酯树脂以及具有长链烷基链的双马来酰亚胺树脂中的至少1种。它们可以单独使用1种或组合使用两种以上。
作为形成挠性树脂层3的密封材料的形状，可列举膜状、液状等。从用于密封的埋入时的操作性以及在埋入阶差的状态下所形成的挠性树脂层的平坦性优异的观点出发，密封材料可以为膜状。
固化后的挠性树脂层3显示低弹性模量及高伸长特性，另外，也可以具有高耐弯曲性。由此使挠性更良好，因此可以更容易地得到能够沿着曲面使用并且即使穿戴和脱摘也不易产生连接不良的柔性。从容易穿戴在身体上的观点出发，理想的是使挠性树脂层3的耐水性和耐汗性优异。
＜制造半导体装置的方法＞
本实施方式的制造半导体装置的方法例如依次具备安装工序、密封工序、固化工序和切割工序。
(工序1：安装工序)
首先，如图2所示，在挠性基板1上安装电路部件2。所安装的多个电路部件2可以为一种，也可以为两种以上的组合。所安装的电路部件2可以为1个，也可以为多个。
(工序2：密封工序)
接着，用作为密封材料的树脂组合物或树脂膜密封挠性基板1和电路部件2。挠性基板1和电路部件2例如可以通过将膜状的密封材料(树脂膜)层叠于挠性基板1、将密封材料(树脂组合物)印刷于挠性基板1、或者在密封材料(树脂组合物)中浸渍挠性基板1并将其干燥来进行密封。密封可以利用热压、辊层压、真空层压、印刷法或浸渍法等来进行。其中，能够在辊对辊(Roll to Roll)的工艺中使用的方法可以缩短制造工序。
在基于热压、辊层压、真空层压等的密封工序中，优选在减压下层叠密封材料(树脂膜)。用于层叠的压接压力可以为0.1～150Mpa左右(1～1500kgf/cm2左右)。为了密封，可以将密封材料(密封树脂)加热至50～170℃。对于这些条件并无特别限制。
(工序3：固化工序)
在密封工序中用密封材料密封挠性基板1和电路部件2后，使密封材料固化，由此形成挠性树脂层3，得到具有挠性树脂层3的电路基板。由此，得到图1所示的半导体装置100。通过基于加热的热固化、基于曝光的光固化或它们的组合，可以使密封材料固化。从电路部件2的耐热性的观点出发，密封材料若为热固化性，则可以为在低温下发生固化的材料(树脂组合物)。从能够在室温下固化的观点出发，密封材料可以为光固化的材料(树脂组合物)。
(工序4：切割工序)
半导体装置的制造方法可以根据需要具备例如如图3所示那样通过将电路基板进行切割并分离而得到具有电路部件的多个半导体装置的工序。由此，能够一次性大面积地制造多个半导体装置，并且能够容易地减少制造工序。
＜挠性树脂层形成用树脂组合物＞
一个实施方式的树脂组合物含有(A)包含热塑性聚氨酯或苯乙烯系弹性体中的至少一者的弹性体、(B)聚合性化合物以及(C)聚合引发剂，并且用于形成挠性树脂层。该树脂组合物可以通过活性光线的照射和/或加热来进行固化。
作为热塑性聚氨酯，可以使用通常用作弹性体或热塑性弹性体的热塑性聚氨酯。作为热塑性聚氨酯的市售品，可列举例如BASF JAPAN(株)“Elaston系列”、东曹(株)“Miractran系列”、DIC Bayer Polymer(株)“PANDEX系列”、“Desmopan系列”、“Texin系列”。
从耐水性的观点出发，热塑性聚氨酯可以是作为聚醚二醇与二异氰酸酯的反应产物的聚醚系热塑性聚氨酯。作为聚醚系的热塑性聚氨酯的市售品的例子，可列举BASFJAPAN(株)“Elaston ET385”。从透明性和耐候性的观点出发，可以使用所谓的无黄变型的热塑性聚氨酯。作为无黄变型的热塑性聚氨酯的市售品的例子，可列举作为六亚甲基二异氰酸酯与聚碳酸酯二醇的反应产物的东曹(株)“MiractranXN-2001”。
从涂膜性的观点出发，热塑性聚氨酯的重均分子量可以为10,000～200,000、20,000～175,000、或者30,000～150,000。在本说明书中，重均分子量(Mw)可以是基于凝胶渗透色谱法(GPC)的标准聚苯乙烯换算值。
苯乙烯系弹性体为具有包含作为硬链段的聚苯乙烯和作为软链段的选自聚乙烯、聚丁烯及聚异戊二烯等中的包含不饱和双键的二烯系弹性体的共聚物作为基本单元结构的弹性体。
作为苯乙烯系弹性体的市售品，可列举例如JSR(株)“Dynaron SEBS系列”、KratonPolymers Japan(株)“Kraton D聚合物系列”、Aronkasei(株)“AR系列”。
氢化型苯乙烯系弹性体使氢与作为软链段的二烯系弹性体的不饱和双键发生加成反应而生成。根据氢化型苯乙烯系弹性体，可以期待提高耐候性等效果。
作为氢化型苯乙烯系弹性体的市售品，可列举例如JSR(株)“Dynaron HSBR系列”、Kraton Polymers Japan(株)“Kraton G聚合物系列”、旭化成Chemicals(株)“Tuftec系列”。
从涂膜性的观点出发，苯乙烯系弹性体的重均分子量可以为30,000～200,000、50,000～150,000、或者75,000～125,000。
(A)成分(弹性体)的含量相对于(A)成分及(B)成分(聚合性化合物)的总量可以为50～90质量％。若(A)成分的含量为50质量％以上，则容易得到特别良好的挠性。若(A)成分的含量为90质量％以下，则在固化时弹性体容易被聚合性化合物缠绕，因此可以特别容易地使树脂组合物固化。从同样的观点出发，(A)成分的含量可以为60～85质量％，或者70～80质量％。
(B)成分的聚合性化合物只要是通过加热或紫外线等的照射而发生聚合的化合物，则并无特别限制，但是从材料的选择性及获得的容易性的观点出发，可以为例如具有烯属不饱和基团等聚合性取代基的化合物。
作为聚合性化合物的具体例，可列举(甲基)丙烯酸酯、偏二卤乙烯、乙烯基醚、乙烯酯、乙烯基吡啶、乙烯基酰胺及芳基化乙烯基。从透明性的观点出发，聚合性化合物可以包含(甲基)丙烯酸酯和/或芳基化乙烯。(甲基)丙烯酸酯可以为1官能、2官能或多官能(3官能以上)中的任一种，但是，为了容易得到充分的固化性，可以为2官能或多官能的(甲基)丙烯酸酯。
作为单官能(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛基庚酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸二十二烷酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-氯-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、丁二酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、四氢邻苯二甲酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯、六氢邻苯二甲酸单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)酯等脂环式(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸邻联苯酯、(甲基)丙烯酸1-萘酯、(甲基)丙烯酸2-萘酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸对枯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸1-萘氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-萘氧基乙酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、壬基苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-苯氧基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(邻苯基苯氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(1-萘氧基)丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基-3-(2-萘氧基)丙酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸2-四氢糠酯、N-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氢邻苯二甲酰亚胺、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基-N-咔唑等杂环式(甲基)丙烯酸酯；它们的己内酯改性体。其中，从与热塑性聚氨酯和苯乙烯系弹性体的相容性、透明性以及耐热性的观点出发，脂肪族(甲基)丙烯酸酯和芳香族(甲基)丙烯酸酯特别优异。
作为2官能(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、3-甲基-1，5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-丁基-2-乙基-1，3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化2-甲基-1，3-丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；环己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化环己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化环己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化环己烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三环癸烷二甲醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氢化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氢化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氢化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化氢化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化氢化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化氢化双酚F二(甲基)丙烯酸酯等脂环式(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚F二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化双酚AF二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化双酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化双酚AF二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化芴型二(甲基)丙烯酸酯等芳香族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化异氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化异氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化异氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯等杂环式(甲基)丙烯酸酯；它们的己内酯改性体；新戊二醇型环氧(甲基)丙烯酸酯等脂肪族环氧(甲基)丙烯酸酯；环己烷二甲醇型环氧(甲基)丙烯酸酯、氢化双酚A型环氧(甲基)丙烯酸酯、氢化双酚F型环氧(甲基)丙烯酸酯等脂环式环氧(甲基)丙烯酸酯；间苯二酚型环氧(甲基)丙烯酸酯、双酚A型环氧(甲基)丙烯酸酯、双酚F型环氧(甲基)丙烯酸酯、双酚AF型环氧(甲基)丙烯酸酯、芴型环氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族环氧(甲基)丙烯酸酯等。其中，从与热塑性聚氨酯和苯乙烯系弹性体的相容性、透明性以及耐热性的观点出发，脂肪族(甲基)丙烯酸酯和芳香族(甲基)丙烯酸酯特别优异。
作为3官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基)丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等脂肪族(甲基)丙烯酸酯；乙氧基化异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化丙氧基化异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯等杂环式(甲基)丙烯酸酯；它们的己内酯改性体；苯酚线性酚醛型环氧(甲基)丙烯酸酯、甲酚线性酚醛型环氧(甲基)丙烯酸酯等芳香族环氧(甲基)丙烯酸酯。其中，从与热塑性聚氨酯和苯乙烯系弹性体的相容性、透明性以及耐热性的观点出发，脂肪族(甲基)丙烯酸酯和芳香族(甲基)丙烯酸酯特别优异。
这些化合物可以单独使用或组合使用两种以上，也可以与其他聚合性化合物组合使用。
(B)成分的聚合性化合物的含量相对于(A)成分及(B)成分的总量可以为10～50质量％。若(B)成分的含量为10质量％以上，则特别容易与(A)弹性体一起固化。若(B)成分的含量为50质量％以下，则容易得到固化物的充分的强度和挠性。从同样的观点出发，(B)成分的含量可以为15～40质量％。
作为(C)成分的聚合引发剂，只要是通过加热或紫外线等的照射而引发聚合的化合物，则并无特别限制。例如在使用具有烯属不饱和基团的化合物作为(B)成分的聚合性化合物的情况下，聚合引发剂可以为热自由基聚合引发剂或光自由基聚合引发剂。从固化速度快且能够常温固化的方面出发，(C)成分可以包含光自由基聚合引发剂。
作为热自由基聚合引发剂，可列举例如：过氧化甲乙酮、过氧化环己酮、过氧化甲基环己酮等酮过氧化物；1，1-双(叔丁基过氧基)环己烷、1，1-双(叔丁基过氧基)-2-甲基环己烷、1，1-双(叔丁基过氧基)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-双(叔己基过氧基)环己烷、1，1-双(叔己基过氧基)-3，3，5-三甲基环己烷等过氧化缩酮；对薄荷烷氢过氧化物等氢过氧化物；α、α’-双(叔丁基过氧基)二异丙苯、二枯基过氧化物、叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物等二烷基过氧化物；辛酰基过氧化物、月桂酰基过氧化物、硬脂基过氧化物、苯甲酰基过氧化物等二酰基过氧化物；过氧化二碳酸双(4-叔丁基环己基)酯、过氧化二碳酸二-2-乙氧基乙酯、过氧化二碳酸二-2-乙基己酯、过氧化碳酸二-3-甲氧基丁酯等过氧化碳酸酯；过氧化特戊酸叔丁酯、过氧化特戊酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸1，1，3，3-四甲基丁酯、2，5-二甲基-2，5-双(2-乙基己酰基过氧基)己烷、过氧化-2-乙基己酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔己酯、过氧化-3，5，5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯、过氧化异丙基单碳酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己基单碳酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔己酯、2，5-二甲基-2，5-双(苯甲酰基过氧基)己烷、过氧化乙酸叔丁酯等过氧酯；2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)、2，2’-偶氮二(4-甲氧基-2’-二甲基戊腈)等偶氮化合物。其中，从固化性、透明性以及耐热性的观点出发，二酰基过氧化物、过氧酯和偶氮化合物特别优异。
作为光自由基聚合引发剂，可列举例如：2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮等苯偶姻缩酮；1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮等α-羟基酮；2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁烷-1-酮、1，2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等α-氨基酮；1-[(4-苯硫基)苯基]-1，2-辛二酮-2-(苯甲酰基)肟等肟酯；双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、双(2，6-二甲氧基苯甲酰基)-2，4，4-三甲基戊基氧化膦、2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等氧化膦；2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4，5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚物等2，4，5-三芳基咪唑二聚物；二苯甲酮、N，N’-四甲基-4，4’-二氨基二苯甲酮、N，N’-四乙基-4，4’-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4’-二甲基氨基二苯甲酮等二苯甲酮化合物；2-乙基蒽醌、菲醌、2-叔丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1，2-苯并蒽醌、2，3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2，3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等醌化合物；苯偶姻甲醚、苯偶姻***、苯偶姻苯醚等苯偶姻醚；苯偶姻、甲基苯偶姻、乙基苯偶姻等苯偶姻化合物；苄基二甲基缩酮等苄基化合物；9-苯基吖啶、1，7-双(9、9’-吖啶基庚烷)等吖啶化合物：N-苯基甘氨酸、香豆素等。
在上述2，4，5-三芳基咪唑二聚物中，2个三芳基咪唑部位的芳基的取代基可以相同而形成对称的化合物，也可以不同而形成不对称的化合物。也可以如二乙基噻吨酮与二甲基氨基苯甲酸的组合那样将噻吨酮化合物与叔胺组合。
其中，从固化性、透明性以及耐热性的观点出发，α-羟基酮和氧化膦特别优异。
这些热自由基聚合引发剂和光自由基聚合引发剂可以单独使用或组合使用两种以上。此外，也可以与适当的敏化剂组合。
(C)成分的聚合引发剂的含量相对于(A)成分及(B)成分的总量100质量份可以为0.1～10质量份。若(C)成分的含量为0.1质量份以上，则存在容易使树脂组合物充分固化的倾向。若(C)成分的含量为10质量份以下，则存在容易形成具有充分的透光性的挠性树脂层的倾向。从同样的观点出发，(B)成分的含量可以为0.3～7质量份、或者0.5～5质量份。
此外，可以根据需要在树脂组合物中在实质上不损害本发明效果的范围内添加抗氧化剂、黄变防止剂、紫外线吸收剂、可见光吸收剂、着色剂、增塑剂、稳定剂、填充剂等的所谓添加剂。
可以将一个实施方式的树脂组合物用有机溶剂稀释而以树脂清漆的形式使用。作为在此使用的有机溶剂，只要是可以溶解该树脂组合物的有机溶剂，则并无特别限制。作为有机溶剂，可列举例如：甲苯、二甲苯、均三甲苯、异丙苯、对异丙基甲苯等芳香族烃；四氢呋喃、1，4-二噁烷等环状醚；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯等酯；碳酸乙烯酯、碳酸丙二醇酯等碳酸酯；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺等。其中，从溶解性和沸点的观点出发，可以选择甲苯和N，N-二甲基乙酰胺。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用两种以上。树脂清漆中的固体成分浓度可以为20～80质量％。
将含有(A)弹性体、(B)聚合性化合物及(C)聚合引发剂的树脂组合物固化而形成的挠性树脂层的弹性模量可以为0.1MPa以上且1000MPa以下。若弹性模量为0.1MPa以上且1000MPa以下，则可以得到作为膜的操作性及挠性。从该观点出发，弹性模量可以为0.3MPa以上且100MPa以下、或者0.5MPa以上且50MPa以下。
挠性树脂层的断裂伸长率可以为100％以上。若断裂伸长率为100％以上，则可以得到更优异的伸缩性。从同样的观点出发，断裂伸长率可以为300％以上、或者500％以上。
在使用挠性树脂层测定样品的拉伸试验中，在将第1次拉伸试验中所施加的应变(位移量)设为X、将接着返回至初始位置而再次进行拉伸试验时开始施加载荷时的位置设为Y、并且将由式：R＝Y/X计算的R定义为恢复率时，该恢复率可以为80％以上。恢复率可以将X设为50％来进行测定。图4为表示恢复率的测定例的应力-应变曲线。若恢复率为80％以上，则可以进一步提高对反复使用的耐性。从同样的观点出发，恢复率可以为85％以上或90％以上。
由树脂组合物形成的挠性树脂层可以具有选自80％以上的总光线透射率、5.0以下的黄度指数(Yellowness Index)以及5.0％以下的雾度中的任意1个以上的特性。这些特性可以使用例如分光雾度计(日本电色工业(株)制分光雾度计“SH7000”)进行测定。若这些特性为上述的范围，则容易得到充分的透明性。从同样的观点出发，可以为总光线透射率85％以上、黄度指数(Yellowness Index)4.0以下、雾度4.0％以下，也可以为总光线透射率90％以上、黄度指数(Yellowness Index)3.0以下、雾度3.0％以下。
一个实施方式的树脂膜包含上述树脂组合物。换言之，树脂膜可以包含(A)弹性体、(B)聚合性化合物以及(C)聚合引发剂。该树脂膜例如可以通过将含有(A)弹性体、(B)聚合性化合物、(C)聚合引发剂以及溶解它们的有机溶剂的树脂清漆涂布于基材膜并从涂膜除去溶剂而容易地制造。
作为基材膜，并无特别限制，可列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚醚硫醚、聚醚砜、聚醚酮、聚苯醚、聚苯硫醚、聚芳酯、聚砜、或液晶聚合物的膜。其中，从柔软性和坚韧性的观点出发，基材膜可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚芳酯或聚砜的膜。
基材膜的厚度可以根据目标柔软性进行适当改变，可以为3～250μm。若基材膜的厚度为3μm以上，则容易得到充分的膜强度，若基材膜的厚度为250μm以下，则容易得到充分的柔软性。从同样的观点出发，基材膜的厚度可以为5～200μm，或者7～150μm。从提高与树脂膜的剥离性的观点出发，可以利用硅酮系化合物、含氟化合物等对基材膜的表面实施脱模处理。
另外，可以根据需要将保护膜贴附于树脂膜上而形成包含基材膜、树脂膜以及保护膜的3层结构的层叠膜。作为保护膜，可列举：对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃的膜。其中，从柔软性和坚韧性的观点出发，保护膜可以为：聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃的膜。从提高与树脂膜的剥离性的观点出发，可以利用硅酮系化合物、含氟化合物等对保护膜的表面实施脱模处理。
保护膜的厚度可以根据目标柔软性进行适当改变，也可以为10～250μm。若保护膜的厚度为10μm以上，则容易得到充分的膜强度，若保护膜的厚度为250μm以下，则容易得到充分的柔软性。从同样的观点出发，保护膜的厚度可以为15～200μm，或者20～150μm。
树脂膜的干燥后的厚度并无特别限定，可以为5～1000μm。若树脂膜的厚度为5μm以上，则存在树脂膜或其固化物(挠性树脂层)容易具有充分强度的倾向。若树脂膜的厚度为1000μm以下，则可以容易地通过干燥充分减少树脂膜中的残留溶剂量。若残留溶剂量少，则在对树脂膜的固化物进行加热时发泡的情况少。
树脂膜例如可以通过卷取成辊状而容易地保存。或者，也可以将辊状的膜切割成适当的尺寸从而以片状的状态进行保存。
一个实施方式的树脂组合物可以作为用于形成可穿戴设备的挠性密封构件的密封材料来使用。同样，一个实施方式的树脂膜可以作为用于形成可穿戴设备的挠性密封构件的树脂密封膜来使用。
实施例
对以下的本发明的实施例进行更具体地说明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
实施例1
[树脂清漆VU1的调配]
将作为(A)成分的聚醚系热塑性聚氨酯(BASF JAPAN(株)“Elaston ET385A”)80质量份、作为(B)成分的环氧乙烷改性双酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(株)制“FANCRYLFA-321M”)20质量份、作为(C)成分的双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(BASF公司制“Irgacure 819”)1.5质量份以及作为溶剂的甲苯125质量份边搅拌边混合，得到树脂清漆VU1。
[树脂膜FU1的制作]
准备表面脱模处理PET膜(帝人杜邦膜(株)制“Purex A31”、厚度25μm)作为基材膜。在该PET膜的脱模处理面上使用刮刀涂布机((株)康井精机制“SNC-350”)涂布树脂清漆VU1。接着，在干燥机((株)二叶科学制“MSO-80TPS”)中于100℃下干燥20分钟，形成树脂膜。在所形成的树脂膜上贴附与基材膜相同的表面脱模处理PET膜，使得脱模处理面为树脂膜侧，从而得到层叠膜FU1。此时，树脂膜的厚度可以通过调节涂敷机的间隙来任意地调整。在本实施例中以使固化后的树脂膜的膜厚为100μm的方式进行调节。
实施例2～5和比较例1～2
用与实施例1同样的方法，按照表1所示的配合比调配树脂清漆VU2～VU6，制作树脂膜FU2～FU6。准备硅橡胶制的片状膜FS1(厚度200μm)作为比较例2。
[弹性模量、伸长率的测定]
利用紫外线曝光机(Mikasa(株)“ML-320FSAT”)对各树脂膜照射5000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)而使树脂膜固化，由此形成挠性树脂层。接着，切割长度40mm、宽度10mm的层叠膜，并除去基材膜及保护膜，从而得到挠性树脂层的测定用样品。使用自动绘图仪((株)岛津制作所“EZ-S”)对测定用样品的应力-应变曲线进行测定，由该应力-应变曲线求得弹性模量和伸长率。测定时的卡盘间距离为20mm、拉伸速度为50mm/min。需要说明的是，在此，测定在载荷0.5～1.0N下的值作为弹性模量，并测定样品断裂时的值(断裂伸长率)作为伸长率。
[恢复率的测定]
利用紫外线曝光机(Mikasa(株)“ML-320FSAT”)对各树脂膜照射5000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)而使树脂膜固化，由此形成挠性树脂层。之后，切割长度70mm、幅5mm的层叠膜，并除去基材膜及保护膜，从而得到测定用样品。测定用样品的恢复率使用微力试验机(Illinois Tool Works Inc“Instron 5948”)进行测定。
恢复率是指：在将第一次拉伸试验中所施加的位移量(应变)设为X、将接着返回至初始位置而再次进行拉伸试验时对测定样品开始施加载荷时的位置(位移量)设为Y时，由式：R＝Y/X计算的R。在本测定中，将初始长度(卡盘间的距离)设为50mm，并且将X设为25mm(应变50％)。
[总光线透射率、YI、雾度的测定]
从层叠膜除去保护膜，并使用真空加压式层压机(Nichigo Morton(株)“V130”)在压力0.5MPa、温度60℃以及加压时间60秒的条件下将树脂膜层压在载玻片(松浪玻璃工业(株)“S1111”)上。利用上述紫外线曝光机对所层压的树脂膜照射5000mJ/cm2的紫外线(波长365nm)，从而形成挠性树脂层。之后，剥离基材膜，并使用分光雾度计(日本电色工业(株)“SH7000”)测定挠性树脂层的总光线透射率、YI和雾度。
[阶差埋入性的评价]
将硅晶片加工成厚度0.1mm、10mm×10mm的尺寸，试验是否可将其用上述实施例和比较例中制作的树脂膜(厚度在实施例1～5和比较例1中为100μm，在比较例2中为200μm)来埋入。使用上述真空加压式层压机，在压力0.8MPa、温度90℃和加压时间60秒的条件下将树脂膜层压于硅晶片，观察此时的埋入状态。能够无空隙等地埋入具有100μm的高度的阶差的情况评价为A，不能无空隙等地埋入具有100μm的高度的阶差的情况评价为C。
实施例1～5和比较例1～2的评价结果如表1所示。
【表1】
1)聚醚系热塑性聚氨酯、BASF JAPAN(株)“Elaston ET385A”、重均分子量：1.3×105
2)聚酯系热塑性聚氨酯、BASF JAPAN(株)“Elaston C85A”、重均分子量：1.2×105
3)无黄变型热塑性聚氨酯、东曹(株)“Miractran XN-2001”、重均分子量：8.1×104
4)橡胶改性聚酰胺、日本化药(株)“Kayaflex BPAM-155”、重均分子量：3.1×104
5)硅橡胶片、Tigers Polymer(株)“SR-50”
6)环氧乙烷改性双酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(株)“FANCRYL FA-321M”)
7)双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(BASF JAPAN(株)“Irgacure 819”)
可知：利用包含热塑性聚氨酯的实施例1～5的树脂组合物形成的挠性树脂层不仅弹性模量低且具有高挠性，而且透明性和阶差埋入性优异。另一方面，可知：利用包含除热塑性聚氨酯以外的弹性体的比较例1、2的树脂组合物形成的挠性树脂层的挠性、透明性或阶差埋入性差。
实施例6
[树脂清漆VA1的调配]
将作为(A)成分的苯乙烯异戊二烯共聚聚合物(Kraton Polymers Japan(株)“Kraton D1117”)80质量份、作为(B)成分的丁二醇二丙烯酸酯(日立化成(株)制“FANCRYLFA-124AS”)20质量份、作为(C)成分的双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(BASF公司制“Irgacure 819”)1.5质量份以及作为溶剂的甲苯125质量份边搅拌边混合，得到树脂清漆VA1。
[树脂膜FA1的制作]
准备表面脱模处理PET膜(帝人杜邦膜(株)制“Purex A31”、厚度25μm)作为基材膜。在该PET膜的脱模处理面上使用刮刀涂布机((株)康井精机制“SNC-350”)涂布树脂清漆VA1。接着，在干燥机((株)二叶科学制“MSO-80TPS”)中于100℃下干燥20分钟，形成树脂膜。在所形成的树脂膜以使脱模处理面为树脂膜侧的朝向贴附与基材膜相同的表面脱模处理PET膜作为保护膜，从而得到层叠膜FA1。树脂膜的厚度可以通过调节涂敷机的间隙来任意地调整。在本实施例中以使固化后的树脂膜的膜厚为100μm的方式进行调节。
实施例7～13和比较例1～2
用与实施例6同样的方法，按照表2所示的配合比调配树脂清漆VA2～VA8，制作层叠膜FA2～FA8。准备硅橡胶制的片状膜FS1(厚度200μm)作为比较例2。
对各树脂膜用与实施例1～5同样的方法进行了评价。实施例7～13和比较例1～2的评价结果如表1所示。
【表2】
1)苯乙烯异戊二烯共聚聚合物、Kraton Polymers Japan(株)“Kraton D1117”、重均分子量：1.6×105
2)氢化型苯乙烯丁二烯橡胶、JSR(株)“Dynaron 2324P”、重均分子量：1.0×105
3)橡胶改性聚酰胺、日本化药(株)“Kayaflex BPAM-155”、重均分子量：3.1×104
4)硅橡胶片、Tigers Polymer(株)“SR-50”
5)丁二醇二丙烯酸酯、日立化成(株)“FANCRYL FA-124AS”
6)己二醇二丙烯酸酯、日立化成(株)“FANCRYL FA-126AS”
7)壬二醇二丙烯酸酯、日立化成(株)“FANCRYL FA-129AS”
8)环氧乙烷改性双酚A型二甲基丙烯酸酯(日立化成(株)“FANCRYL FA-321M”)
9)双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(BASF JAPAN(株)“Irgacure 819”)
可知：利用包含苯乙烯系弹性体的实施例7～13的树脂组合物形成的挠性树脂层不仅弹性模量低且具有高挠性，而且透明性和阶差埋入性优异。另一方面可知：利用包含除苯乙烯系弹性体以外的弹性体的比较例1、2的树脂组合物形成的挠性树脂层的挠性、透明性或阶差埋入性差。
产业上的可利用性
本发明的挠性树脂组合物和树脂膜的挠性、透明性以及阶差埋入性优异，它们可以适合地用作用于保护可穿戴设备的电路基板的密封层。
符号说明
1...挠性基板，2...电路部件，3...挠性树脂层(挠性构件)，100...半导体装置。

Claims (17)

1.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备电路基板，所述电路基板具有挠性基板、安装于所述挠性基板上的电路部件和密封所述电路部件的挠性树脂层，
该方法具备：
通过将密封材料层叠于所述挠性基板而用所述密封材料密封所述电路部件的工序；和
通过使所述密封材料固化而形成所述挠性树脂层的工序。
2.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备电路基板，所述电路基板具有挠性基板、安装于所述挠性基板上的电路部件和密封所述电路部件的挠性树脂层，
该方法具备：
通过将密封材料印刷于所述挠性基板而用所述密封材料密封所述电路部件的工序；和
通过使所述密封材料固化而形成所述挠性树脂层的工序。
3.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备电路基板，所述电路基板具有挠性基板、安装于所述挠性基板上的电路部件和密封所述电路部件的挠性树脂层，
该方法具备：
通过在密封材料中浸渍所述挠性基板并将其干燥而用所述密封材料密封所述电路部件的工序；和
通过使所述密封材料固化而形成所述挠性树脂层的工序。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，还具备切割所述电路基板的工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，所述挠性树脂层包含选自聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂及聚乙二醇树脂中的至少一种。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述挠性基板及所述挠性树脂层在可见区域为透明。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，所述电路部件为两种以上。
8.一种半导体装置，其通过权利要求1～7中任一项所述的方法得到。
9.一种挠性树脂层形成用树脂组合物，含有：(A)包含热塑性聚氨酯或苯乙烯系弹性体中的至少任一者的弹性体、(B)聚合性化合物及(C)聚合引发剂。
10.根据权利要求9所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，(A)弹性体包含所述热塑性聚氨酯。
11.根据权利要求9所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，(A)弹性体包含所述苯乙烯系弹性体。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，(B)聚合性化合物包含烯属不饱和基团。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，(C)聚合引发剂为光自由基聚合引发剂。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，
(A)弹性体的含量相对于(A)弹性体及(B)聚合性化合物的总量为50～90质量％，
(B)聚合性化合物的含量相对于(A)弹性体及(B)聚合性化合物的总量为10～50质量％，
(C)聚合引发剂的含量相对于(A)弹性体及(B)聚合性化合物的总量100质量份为0.1～10质量份。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物，其中，该树脂组合物为密封材料。
16.一种树脂膜，其包含权利要求9～15中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物。
17.一种半导体装置，其具备电路基板，所述电路基板具有挠性基板、安装于该挠性基板上的电路部件和密封该电路部件的挠性树脂层，
所述挠性树脂层为将权利要求9～14中任一项所述的挠性树脂层形成用树脂组合物固化而成的层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111278640A (zh) * 2017-10-31 2020-06-12 大金工业株式会社 可穿戴终端用构件
CN111418044A (zh) * 2017-12-01 2020-07-14 日立化成株式会社 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜
CN112106450A (zh) * 2018-05-11 2020-12-18 昭和电工材料株式会社 导体基板、伸缩性配线基板及配线基板用伸缩性树脂膜

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110343241B (zh) * 2014-07-02 2022-01-11 东洋油墨Sc控股株式会社 热硬化性树脂组合物、接着性片、硬化物及印刷配线板
US10674612B2 (en) * 2014-11-18 2020-06-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor, and resin composition for forming flexible resin layer
DE202015007999U1 (de) * 2015-11-17 2017-02-20 Parador Gmbh Plattenkörper
KR102399784B1 (ko) * 2016-07-19 2022-05-19 덴카 주식회사 접착제 조성물
KR102389076B1 (ko) * 2016-10-28 2022-04-22 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 신축성 수지층 형성용 경화성 조성물
WO2018092329A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
WO2018092328A1 (ja) * 2016-11-15 2018-05-24 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
KR20240038807A (ko) 2016-11-15 2024-03-25 가부시끼가이샤 레조낙 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
JP2018093026A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
WO2018123732A1 (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法、並びにストレッチャブルデバイス
WO2018123818A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日立化成株式会社 金属箔付伸縮性部材
JP6805821B2 (ja) * 2016-12-28 2020-12-23 昭和電工マテリアルズ株式会社 伸縮性樹脂層形成用樹脂組成物
JP7009819B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-26 昭和電工マテリアルズ株式会社 伸縮性配線基板、及びその製造方法
KR102026469B1 (ko) * 2017-10-13 2019-09-27 한국기계연구원 신축가능한 디바이스 제조방법 및 이에 의해 제조되는 신축가능한 디바이스
JP2019160965A (ja) * 2018-03-12 2019-09-19 日立化成株式会社 導体基板、配線基板及びそれらの製造方法
JP7141873B2 (ja) * 2018-03-28 2022-09-26 株式会社日本触媒 共重合体および樹脂組成物
JP2019197867A (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 日立化成株式会社 導体基板の製造方法、導体基板、伸縮性配線基板及びストレッチャブルデバイス
JP6468392B1 (ja) * 2018-06-08 2019-02-13 住友ベークライト株式会社 エラストマーおよび成形体
US11630239B2 (en) * 2019-10-28 2023-04-18 Skc Co., Ltd. Polyester film and flexible display apparatus comprising same
DE102021202222A1 (de) 2021-03-08 2022-09-08 Schott Ag Verbundmaterial
TW202249544A (zh) * 2021-05-31 2022-12-16 日商富士軟片股份有限公司 配線基板及配線基板之製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434958A (ja) * 1990-05-31 1992-02-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0823156A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Ibiden Co Ltd 電子部品の封止方法及び封止用樹脂を研削するための平面研削装置
CN1643070A (zh) * 2002-02-06 2005-07-20 积水化学工业株式会社 树脂组合物
JP2007142247A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Lintec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
TW200907222A (en) * 2007-08-14 2009-02-16 Ace T Corp Flexible lamp strip using LED as light source
CN202839730U (zh) * 2010-12-28 2013-03-27 松下电器产业株式会社 发光装置、发光模块及灯

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085697A (en) * 1988-07-06 1992-02-04 Hayakawa Rubber Co., Ltd. Method of forming a tentative surface protective coating
JPH0350758A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH03145886A (ja) 1989-11-01 1991-06-21 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> テレビジョン信号の伝送方式
JPH05229293A (ja) 1991-12-26 1993-09-07 Kobe Steel Ltd 電子部品構成物内蔵インモールド品及びその製造方法
JPH0834958A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Nippon Shokubai Co Ltd プラスティックフィルムの表面改質方法
DE19739591A1 (de) * 1997-09-10 1999-03-11 Wuerth Elektronik Gmbh & Co Kg Recyclingfähige Leiterplatte, bestehend aus einem Folien- und Trägersystem
US6414059B1 (en) 1999-08-27 2002-07-02 Riken Technos Corporation Fire-retardant resin composition and molded part using the same
US6416690B1 (en) * 2000-02-16 2002-07-09 Zms, Llc Precision composite lens
JP2004051935A (ja) * 2002-02-06 2004-02-19 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物
EP1473329A4 (en) * 2002-02-06 2006-05-31 Sekisui Chemical Co Ltd Resin composition
CN100545954C (zh) * 2003-07-30 2009-09-30 住友电气工业株式会社 非卤类阻燃电缆
JP4754185B2 (ja) * 2004-05-27 2011-08-24 リンテック株式会社 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPWO2007055287A1 (ja) * 2005-11-11 2009-04-30 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ発光ディスプレイ
US20080185705A1 (en) * 2005-12-23 2008-08-07 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
JP2008145886A (ja) 2006-12-12 2008-06-26 Sharp Corp 液晶表示装置、およびその駆動方法、並びに駆動回路
JP2009036923A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Nitto Denko Corp 光導波路フィルムおよびその製造方法
JP4628416B2 (ja) 2007-11-30 2011-02-09 日東電工株式会社 エラストマー偏在ポリマー層を有する粘弾性部材
DE102008022977A1 (de) 2008-05-09 2009-04-09 Siemens Medical Instruments Pte. Ltd. Schaltung mit selbsthaftender Kapselung, Herstellungsverfahren und Hörhilfe
JP2010093172A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Fujifilm Corp 封止デバイス
JP5556183B2 (ja) * 2009-10-06 2014-07-23 住友電気工業株式会社 難燃性樹脂組成物及びそれを用いた絶縁電線、フラットケーブル、成形品
JP5620774B2 (ja) * 2009-10-15 2014-11-05 住友化学株式会社 樹脂組成物
KR101171512B1 (ko) * 2010-06-08 2012-08-06 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
DE102010062823A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-21 Tesa Se Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung
JP5636947B2 (ja) 2010-12-21 2014-12-10 日本電気株式会社 部品内蔵モジュール及びこれを備える電子機器
JP6049252B2 (ja) * 2011-12-01 2016-12-21 矢崎総業株式会社 自動車用フレキシブルフラットケーブル、及び、その製造方法
US8754144B2 (en) * 2012-10-15 2014-06-17 Rohitha Muthumala Jayasuriya Radiation cureable heat seal blister-coating compositions
EP2759514A1 (de) * 2013-01-29 2014-07-30 tesa SE Haftklebemasse enthaltend ein verbundenes Nanopartikelnetzwerk, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie die Verwendung derselben
CN105452961A (zh) * 2013-06-14 2016-03-30 富林特集团德国有限公司 生产圆筒式胶版印刷元件的方法
DE102013222739A1 (de) * 2013-06-17 2014-12-18 Tesa Se Reaktives 2-Komponentenklebesystem in Filmform
JP5433099B1 (ja) * 2013-07-02 2014-03-05 日本電子精機株式会社 改良された赤外線アブレーション層を有するフレキソ印刷版用感光性樹脂積層体
US10674612B2 (en) * 2014-11-18 2020-06-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor, and resin composition for forming flexible resin layer

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0434958A (ja) * 1990-05-31 1992-02-05 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0823156A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Ibiden Co Ltd 電子部品の封止方法及び封止用樹脂を研削するための平面研削装置
CN1643070A (zh) * 2002-02-06 2005-07-20 积水化学工业株式会社 树脂组合物
JP2007142247A (ja) * 2005-11-21 2007-06-07 Lintec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
TW200907222A (en) * 2007-08-14 2009-02-16 Ace T Corp Flexible lamp strip using LED as light source
CN202839730U (zh) * 2010-12-28 2013-03-27 松下电器产业株式会社 发光装置、发光模块及灯

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111278640A (zh) * 2017-10-31 2020-06-12 大金工业株式会社 可穿戴终端用构件
US11970611B2 (en) 2017-10-31 2024-04-30 Daikin Industries, Ltd. Member for wearable device
CN111418044A (zh) * 2017-12-01 2020-07-14 日立化成株式会社 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜
CN111418044B (zh) * 2017-12-01 2023-08-29 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜
CN112106450A (zh) * 2018-05-11 2020-12-18 昭和电工材料株式会社 导体基板、伸缩性配线基板及配线基板用伸缩性树脂膜

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