CN105883790A - 一种低温剥离修饰石墨烯及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种低温剥离修饰石墨烯及其制备方法，利用碱金属在液氨中形成的氨合离子***到石墨烯层间以剥离石墨得到片层较薄的石墨烯，氨合电子和修饰基团在石墨烯片层缺陷位点反应得到修饰石墨烯。与现有技术相比，本发明经过形貌分析及结构分析表明，所得的修饰石墨烯片层较薄，结构较完整，在水中和NMP中分散都较好且稳定。同时，本发明所得的修饰石墨烯与金属氧化物、过渡金属二硫化物复合可以得到结构稳定的复合材料。

Description

一种低温剥离修饰石墨烯及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种修饰石墨烯的制备方法，尤其是涉及一种利用低温液氨-碱金属插层法剥离修饰石墨烯的方法。
背景技术
自2004年首次发现石墨烯以来，二维材料石墨烯由于其优异的性质在物理领域、化学领域、材料领域引起了人们广泛的关注和研究。石墨烯独特的电学性能是它备受关注的主要原因。实验表明石墨烯具有极高的电子迁移率，室温下超过15,000cm2V S-1；远高于其它半导体材料。除了出色的导电性，石墨烯还具有优异的导热性、力学性能和光学性能。比外，石墨烯还具有超高的比表面积(高达2,630m2/g)，结合其电学性能，在锂离子电池、超级电容器、传感器等领域具有非常可观的应用前景。因此，如何根据应用需求，以可接受的成本进行不同性能的石墨烯的生产已经成为该领域最迫切需要解决的问题了。目前，制备石墨烯的方法主要包括机械剥离法、化学气相沉积法和化学剥离法。
大批量制备石墨烯的剥离多为化学剥离法。化学剥离法是“自上而下”的，利用强氧化剂对石墨烯进行插层、氧化，从而获得小片石墨烯氧化物(graphene oxide,GO)的方法。由于石墨各片层之间是以相对较弱的范德华力连接，在强氧化剂的插层和氧化下，石墨各片层会被剥蚀开形成单层的石墨烯氧化物。该法最大的优点是可大规模制备，而且获得的石墨烯氧化物可以稳定分散在多种溶剂中，如水、DMF和NMP等。而缺点是：由于这种方法在化学氧化和插层过程中会不可避免地在石墨烯片层上形成许多缺陷和官能团，导致石墨烯许多优良性能如良好的导电性等会部分或全部消失。目前最常用的剥离方法是石墨氧化还原法，即先将石墨氧化，再超声，最后还原，制备出石墨烯。但此方法过程复杂、费时，且制备的石墨烯结构遭到破坏，残余氧官能团的存在使其导电性下降。因此，寻找一种制备简单，且能得到较完整结构的石墨烯的方法，是非常有意义的。
中国专利CN 102320598A公开了一种石墨烯的制备方法。将氧化石墨加入溶有还原性金属的液氨溶液中进行反应，经后续分离即得石墨烯。该方法对氧化石墨的还原充分，并且产物易分离，纯化过程相对简单。该专利在是氧化石墨的基础上还原得到石墨烯，虽然纯化过程相对简单，但需要先制备氧化石墨，从石墨到氧化石墨的整个制备过程相对比较复杂，且反应条件要求高，耗能多。其制备的还原氧化石墨烯虽然还原较为彻底，但石墨烯片层的缺陷和不完整性会使得其优异的物理化学性能难以保持。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种经济、简便、结构完整的修饰石墨烯的制备方法。
本发明的另一个目的是制备得到低温剥离修饰石墨烯。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，利用碱金属在液氨中形成的氨合离子***到石墨烯层间以剥离石墨得到片层较薄的石墨烯，氨合电子和修饰基团在石墨烯片层缺陷位点反应得到修饰石墨烯，具体采用以下步骤：
(1)将石墨分散在NMP中超声，然后抽滤、烘干；
(2)在干冰/乙醇浴中收集液氨；
(3)在液氨中先后加入烘干后的石墨、碱金属、修饰基团，搅拌1-3h；
(4)重复步骤(3)3-5次；
(5)反应物搅拌过夜，使液氨缓慢挥发完全；
(6)萃取，得到修饰石墨烯；
(7)将所得产物抽滤后烘干，得修饰石墨烯固体；
(8)将修饰石墨烯溶于水溶液离心后取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液，即为产品。
优选地，收集的液氨与加入的石墨比例为70-150mL:50mg
优选地，步骤(3)中石墨、碱金属、修饰基团的摩尔比为1:1.5-6:2-10
更加优选地，碱金属为钠或锂或其混合物，修饰基团为3-溴丙酸、6-溴己酸、1-溴十烷或1-溴十二烷中的一种或几种。
优选地，步骤(2)-(4)在无水无氧的反应条件下进行。
优选地，步骤(6)根据所需的修饰石墨烯的酸碱性，选择不同的萃取方法。
更加优选地，采用pH＝10-12的NaOH溶液和正己烷萃取，得偏碱性的修饰石墨烯；采用pH＝4-5的HCl溶液和乙醇抽滤洗涤，得偏酸性的修饰石墨烯。
利用上述方法制备得到的低温剥离修饰石墨烯。
与现有技术相比，本发明为直接剥离和修饰石墨得到修饰石墨烯，不仅可以得到结构完整的石墨烯，还可以根据所需的特殊性能，修饰不同性质的基团到石墨烯片层上，得到性能特殊的修饰石墨烯，如水溶性较好的修饰石墨烯，具有以下优点：
1.本制备方法简单、易操作；
2.本方法制备的石墨烯不易残留其他有机溶剂和有害物质；
3.经过形貌分析及结构分析表明，修饰基团有修饰到石墨烯片层上，且修饰石墨烯片层较薄，结构较完整，在水中和NMP中分散都较好且稳定。因修饰基团为亲水的羧基，使得其在水中的分散性得到改善，又因其保持了完整的石墨烯结构，使得其在NMP中的分散性没有遭到破坏；
4.根据本方法选择带有不同性质的修饰集团，可以得到具有特定性能的修饰石墨烯；
5.将修饰石墨烯用于锂离子电池负极材料，可以得到性能稳定的复合材料。
附图说明
图1为制备得到的修饰石墨烯的表面形貌示意图；
图2为制备得到的修饰石墨烯的拉曼光谱示意图。
图3为制备得到的修饰石墨烯与二硫化钼的复合材料作为锂离子电池负极材料的循环充放电性能示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明所选用的液氨辅助分离修饰法(液氨-碱金属插层法)利用本征石墨烯片层的稠环芳烃的性质，即将碱金属溶于液氨中产生氨合电子，使得石墨烯片层上的缺陷位点和边缘和卤代烃发生亲和取代，从而对石墨进行剥离和修饰从而得到修饰石墨烯(片层)。石墨烯碳骨架周围丰富的电子云导致其很容易进行π-π堆积，形成多层的石墨结构。同时石墨烯表面比较光滑，直接作为复合材料基底，其它物质不易吸附，复合物结构不稳定。本发明修饰上基团在将石墨烯分开的同时，插层在石墨烯片层间，从而阻止石墨烯的聚集。同时，所修饰的基团作为复合材料的基点，使所复合的金属硫化物和金属氧化物包覆在基团周围，形成稳定的复合结构。
因此，本发明提供了一种应用于锂离子电池的石墨烯的制备方法，具体采用以下步骤：步骤一、将石墨在NMP中超声30-50min，然后抽滤、烘干；步骤二、在干冰/乙醇浴中收集一定量的液氨；步骤三、在液氨中加入烘干后的石墨、碱金属、修饰基团，搅拌1-3h；步骤四、重复步骤三3-5次；步骤五、反应物搅拌过夜，使液氨缓慢挥发完全；步骤六、萃取；步骤七、将所得的水相产物抽滤后烘干，得修饰石墨烯固体。步骤八、将修饰石墨烯溶于水溶液离心后取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液。
在步骤二至四反应过程中，反应体系要通惰性气体，例如氮气、氩气来保持无水无氧的反应条件，避免反应过程中碱金属和修饰基团与空气中的水或氧气发生反应，使得反应更可控、产物纯度更高。
在步骤三中，加入的石墨、碱金属、修饰基团的物质的量的比为1:1.5-6:2-10，加入碱金属后溶液颜色瞬间显蓝，加入修饰基团后蓝色褪去。
在步骤三中，所述碱金属是金属钠或金属锂或其混合物。
在步骤三中，所述修饰基团是3-溴丙酸、6-溴己酸、1-溴十烷、1-溴十二烷中的一种或几种的组合。
在步骤六中，根据所需的修饰石墨烯的酸碱性，选择不同的萃取方法。其中，用pH＝10-12的NaOH溶液和正己烷萃取，得偏碱性的修饰石墨烯；pH＝4-5的HCl溶液和乙醇抽滤洗涤，得偏酸性的修饰石墨烯。
在步骤八中，离心功率为4000r/min，离心10min，取上清液，在水溶液中透析。
以下通过实施例来具体说明本发明的一种利用液氨-碱金属插层法制备修饰石墨烯的方法。
实施例1
取70mg石墨在50mL NMP中超声30min，然后抽滤、烘干。在三口瓶中收集70mL液氨，并加入烘干后的石墨50mg、金属钠200mg，溶液瞬间显示蓝色；加入3-溴丙酸1.74g后，蓝色褪去；让溶液搅拌1h；重复上述操作3次。然后，反应体系搅拌过夜，并在过程中使液氨缓慢挥发完全。在剩余的固体物质中，加入pH＝10-12的NaOH溶液300mL，搅拌将固体物质全部溶去；然后转移到分液漏斗中用正己烷萃取，摇晃静置后取水相；将所得的水相产物抽滤洗涤后烘干，得修饰石墨烯固体。为了分离未剥离修饰的石墨烯，将修饰石墨烯溶于水中并离心，取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液。
经过形貌分析及结构分析表明，修饰石墨烯片层较薄，截面积较大，且层间距较石墨烯增大，结构较完整，在水中和NMP中分散都较好且稳定。参照图1，所得修饰石墨烯的扫描电子显微镜，石墨烯片层厚度在十几到几十纳米左右，截面较大。
实施例2
取70mg石墨在50mL NMP中超声30min，然后抽滤、烘干。在三口瓶中收集70mL液氨，并加入烘干后的石墨50mg、金属钠200mg，溶液瞬间显示蓝色，然后加入6-溴己酸2g，搅拌1h；重复操作3次。然后，反应体系搅拌过夜，并在过程中使液氨缓慢挥发完全。在剩余的固体物质中，加入pH＝4-5的HCl溶液300mL，搅拌将固体物质完全分散在溶液中；然后加入无水乙醇100mL，搅拌溶去多余的6-溴己酸。将所得混合液抽滤，先后用乙醇、水、乙醇抽洗，将所得固体烘干，得到修饰石墨烯固体。
将所得固体测试拉曼图谱，参照图2，可以得到修饰石墨烯的ID:IG＝1.207(比未修饰石墨烯高)，说明修饰基团有修饰到石墨烯片层上。
实施例3
取实施例二中所得的修饰石墨烯15mg于30mL去离子水中，搅拌均匀，加入174mg钼酸钠和180mg L-半胱氨酸，搅拌2h后，将混合液放于高温高压反应釜中在200℃下反应20小时。之后，将反应釜冷却，取出所得液体，抽滤洗涤后得到二硫化钼和修饰石墨烯的复合材料。将复合材料制成锂离子电池负极，组装成半电池后，测试其循环性能。
参照图3，所制备的锂离子电池在100个循环后，性能稳定，且比容量仍能保持在868mA h g-1。
实施例4
一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，利用碱金属在液氨中形成的氨合离子***到石墨烯层间以剥离石墨得到片层较薄的石墨烯，氨合电子和修饰基团在石墨烯片层缺陷位点反应得到修饰石墨烯，具体采用以下步骤：
(1)将石墨分散在NMP中超声，然后抽滤、烘干；
(2)在干冰/乙醇浴中收集液氨；
(3)在无水无氧的反应条件下，向液氨中先后加入烘干后的石墨、碱金属、修饰基团，搅拌1h，其中，收集的液氨与加入的石墨比例为70mL:50mg，石墨、碱金属、修饰基团的摩尔比为1:1.5:2，使用的碱金属为钠，修饰基团为3-溴丙酸；
(4)重复步骤(3)3-5次；
(5)反应物搅拌过夜，使液氨缓慢挥发完全；
(6)萃取，得到修饰石墨烯，本实施例中，采用pH＝10-12的NaOH溶液和正己烷萃取，得偏碱性的修饰石墨烯；
(7)将所得产物抽滤后烘干，得修饰石墨烯固体；
(8)将修饰石墨烯溶于水溶液离心后取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液，即为产品。
实施例5
一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，利用碱金属在液氨中形成的氨合离子***到石墨烯层间以剥离石墨得到片层较薄的石墨烯，氨合电子和修饰基团在石墨烯片层缺陷位点反应得到修饰石墨烯，具体采用以下步骤：
(1)将石墨分散在NMP中超声，然后抽滤、烘干；
(2)在干冰/乙醇浴中收集液氨；
(3)在无水无氧的反应条件下，向液氨中先后加入烘干后的石墨、碱金属、修饰基团，搅拌3h，其中，收集的液氨与加入的石墨比例为150mL:50mg，石墨、碱金属、修饰基团的摩尔比为1:6:10，使用的碱金属为钠和钾的混合物，修饰基团为1-溴十烷和1-溴十二烷的混合物；
(4)重复步骤(3)3-5次；
(5)反应物搅拌过夜，使液氨缓慢挥发完全；
(6)萃取，得到修饰石墨烯，本实施例中，采用pH＝4-5的HCl溶液和乙醇抽滤洗涤，得偏酸性的修饰石墨烯；
(7)将所得产物抽滤后烘干，得修饰石墨烯固体；
(8)将修饰石墨烯溶于水溶液离心后取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液，即为产品。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，该方法利用碱金属在液氨中形成的氨合离子***到石墨烯层间以剥离石墨得到片层较薄的石墨烯，氨合电子和修饰基团在石墨烯片层缺陷位点反应得到修饰石墨烯。
2.根据权利要求1所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，具体采用以下步骤：
(1)将石墨分散在NMP中超声，然后抽滤、烘干；
(2)在干冰/乙醇浴中收集液氨；
(3)在液氨中先后加入烘干后的石墨、碱金属、修饰基团，搅拌1-3h；
(4)重复步骤(3)3-5次；
(5)反应物搅拌过夜，使液氨缓慢挥发完全；
(6)萃取，得到修饰石墨烯；
(7)将所得产物抽滤后烘干，得修饰石墨烯固体；
(8)将修饰石墨烯溶于水溶液离心后取上清液，得到稳定分散的修饰石墨烯水溶液，即为产品。
3.根据权利要求2所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，收集的液氨与加入的石墨比例为70-150mL:50mg。
4.根据权利要求2所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(3)中石墨、碱金属、修饰基团的摩尔比为1:1.5-6:2-10。
5.根据权利要求2或4所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，所述的碱金属为钠或锂或其混合物。
6.根据权利要求2或4所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，所述的修饰基团为3-溴丙酸、6-溴己酸、1-溴十烷或1-溴十二烷中的一种或几种。
7.根据权利要求2所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(2)-(4)在无水无氧的反应条件下进行。
8.根据权利要求2所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，步骤(6)根据所需的修饰石墨烯的酸碱性，选择不同的萃取方法。
9.根据权利要求8所述的一种低温剥离修饰石墨烯的制备方法，其特征在于，采用pH＝10-12的NaOH溶液和正己烷萃取，得偏碱性的修饰石墨烯；采用pH＝4-5的HCl溶液和乙醇抽滤洗涤，得偏酸性的修饰石墨烯。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法制备得到的低温剥离修饰石墨烯。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107934946A (zh) * 2017-12-13 2018-04-20 北京大学 石墨烯粉体及其制备方法
CN108358193A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 黑龙江大学 室温挥发均匀沉积制备石墨烯/金属氧化物-复合物的方法
CN109179392A (zh) * 2018-09-05 2019-01-11 七台河宝泰隆石墨烯新材料有限公司 一种改进的化学法生产石墨烯的工艺
CN111170314A (zh) * 2020-01-16 2020-05-19 王庆丰 以碱金属插层高效制备石墨烯的方法及石墨烯
CN114180568A (zh) * 2021-12-22 2022-03-15 湖南宸宇富基新能源科技有限公司 预处理微晶石墨、负极活性材料及其制备和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080206124A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Jang Bor Z Method of producing nano-scaled graphene and inorganic platelets and their nanocomposites
CN101287678A (zh) * 2004-03-12 2008-10-15 威廉马歇莱思大学 碳纳米管的还原性官能化
CN102066245A (zh) * 2007-10-19 2011-05-18 卧龙岗大学 石墨烯的制备方法
CN102320598A (zh) * 2011-07-26 2012-01-18 河南大学 一种石墨烯的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101287678A (zh) * 2004-03-12 2008-10-15 威廉马歇莱思大学 碳纳米管的还原性官能化
US20080206124A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Jang Bor Z Method of producing nano-scaled graphene and inorganic platelets and their nanocomposites
CN102066245A (zh) * 2007-10-19 2011-05-18 卧龙岗大学 石墨烯的制备方法
CN102320598A (zh) * 2011-07-26 2012-01-18 河南大学 一种石墨烯的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JAYANTA CHATTOPADHYAY ET AL: "Exfoliated soluble graphite", 《CARBON》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107934946A (zh) * 2017-12-13 2018-04-20 北京大学 石墨烯粉体及其制备方法
CN108358193A (zh) * 2018-01-31 2018-08-03 黑龙江大学 室温挥发均匀沉积制备石墨烯/金属氧化物-复合物的方法
CN109179392A (zh) * 2018-09-05 2019-01-11 七台河宝泰隆石墨烯新材料有限公司 一种改进的化学法生产石墨烯的工艺
CN111170314A (zh) * 2020-01-16 2020-05-19 王庆丰 以碱金属插层高效制备石墨烯的方法及石墨烯
CN114180568A (zh) * 2021-12-22 2022-03-15 湖南宸宇富基新能源科技有限公司 预处理微晶石墨、负极活性材料及其制备和应用

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