CN105874618A - 经波长转换的半导体发光器件 - Google Patents

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B.J.莫兰
O.B.什彻金
G.巴辛
J.D.克梅特奇
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Abstract

根据本发明的实施例的结构包括用于发射具有第一峰值波长的光的发光器件。波长转换层设置在由发光器件发射的光的路径中。波长转换层吸收由发光器件发射的光并且发射具有第二峰值波长的光。波长转换层包括波长转换材料、透明材料和粘合剂材料的混合物，其中粘合剂材料不多于波长转换层的重量的15%。

Description

经波长转换的半导体发光器件
技术领域
本发明涉及经波长转换的半导体发光器件，诸如发光二极管。
背景技术
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可得到的最高效的光源之一。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前感兴趣的材料***包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其还被称为III氮化物材料。典型地，III氮化物发光器件通过以下来制作：通过金属-有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或其它合适衬底上外延生长不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠。堆叠通常包括形成在衬底之上的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、形成在一个或多个n型层之上的有源区中的一个或多个发光层、以及形成在有源区之上的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。电气接触件形成在n和p型区上。
图1图示了在US 2011/0057205中更详细描述的结构。LED 282和瞬态电压抑制（TVS）芯片284附连到基板280。（没有示出基板280上的金属迹线，其连接LED 282的电力引线之间的TVS芯片284）。在电压波动时，诸如由于静电放电（ESD），TVS芯片284中的电路使瞬态电压短路接地以旁路LED 282。否则，LED 282可能受损。TVS电路是公知的。在图1中示出的基板280是在其上安装许多对LED和TVS管芯的晶片的部分。基板晶片稍后将被锯切以单分LED/TVS对。模具具有填充有包含磷光体粒的液体硅树脂的凹陷。将基板晶片和模具放到一起使得每一个LED/TVS对处于单个凹陷中的硅树脂内，并且然后固化硅树脂。基板晶片然后从模具分离，并且得到图1的结构。经模制的磷光体透镜286包封两个芯片。所使用的磷光体的（多个）类型、（多个）磷光体的密度和透镜286的形状由期望的色温特性确定。在一个实施例中，透镜286中的磷光体是YAG和红色磷光体的混合物以在由蓝色LED 282激励时创建暖白光。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有波长转换层的器件，其具有改进的热学性能。
根据本发明的实施例的结构包括用于发射具有第一峰值波长的光的发光器件。波长转换层设置在由发光器件发射的光的路径中。波长转换层吸收由发光器件发射的光并且发射具有第二峰值波长的光。波长转换层包括波长转换材料、透明材料和粘合剂材料的混合物，其中粘合剂材料不多于波长转换层的重量的15%。
根据本发明的实施例的方法包括将多个发光器件附连到衬底。包括波长转换材料、透明材料和粘合剂材料的波长转换层形成在多个发光器件之上。发光器件通过切割波长转换层而分离。衬底被移除。
附图说明
图1图示了具有模制在LED和TVS芯片之上的包含磷光体的透镜的基板上的现有技术LED和TVS芯片。
图2图示了III氮化物LED的一个示例。
图3是根据本发明的实施例的具有波长转换层的LED的截面视图。
图4是在图3中图示的结构的底视图。
图5是在图3中图示的结构的顶视图。
图6图示了附连到衬底的LED。
图7图示了在将波长转换层模制在LED之上之后的图6的结构。
图8图示了在分离LED之后的图7的结构。
图9图示了在从衬底移除LED之后的图8的结构。
图10是包括LED和附加芯片的结构的截面。
图11图示了附连到衬底的LED和附加芯片。
图12图示了在将波长转换层模制在LED和附加芯片之上之后的图11的结构。
图13图示了在释放第一衬底并且附连第二衬底之后的图12的结构。
图14是在图13中图示的LED和附加芯片中的一个的底视图。
图15图示了在形成反射性层之后的图13的结构。
图16是在形成图15中图示的反射性层之后的LED和附加芯片中的一个的底视图。
图17图示了在形成电介质层之后的图15的结构。
图18是在形成图17中图示的电介质层之后的LED和附加芯片中的一个的底视图。
图19图示了在形成接触垫之后的图17的结构。
图20是在添加图19中所图示的接触垫之后的LED和附加芯片中的一个的底视图。
图21图示了在分离LED之后的图19的结构。
图22图示了在从衬底移除LED之后的图21的结构。
图23是反射性层在LED和附加芯片上的可替换布置的底视图。
图24图示了在形成电介质层之后的图23的结构。
具体实施方式
尽管在以下示例中半导体发光器件是发射蓝光或UV光的III氮化物LED，但是可以使用除LED之外的半导体发光器件，诸如激光二极管以及通过诸如其它III-V材料、III磷化物、III砷化物、II-VI材料、ZnO或基于Si的材料之类的其它材料***所制得的半导体发光器件。
在本发明的实施例中，波长转换层形成在诸如LED之类的发光器件之上，使得LED管芯在五个侧面上被波长转换层所围绕。波长转换层可以包括波长转换材料、透明材料和粘合剂材料。波长转换层可以具有高热学传导率。此外，由于材料例如通过模制形成在器件之上，因此波长转换层的颗粒含量（即波长转换材料和透明材料）可以是显著的；例如，在一些实施例中以重量计高达波长转换层的90%。尽管以下示例参考模制波长转换层，但是可以使用除模制化合物之外的粘合剂材料以及除模制之外的技术来形成波长转换层，并且其在本发明的实施例的范围内。例如，在本发明的实施例中，波长转换层包括波长转换材料、透明材料和溶胶凝胶粘合剂材料。这样的波长转换层可以通过以液体形式分配波长转换层然后固化溶胶凝胶材料而形成。
图2图示了可以在本发明的实施例中使用的III氮化物LED。可以使用任何合适的半导体发光器件并且本发明的实施例不限于在图2中图示的器件。图2的器件通过在生长衬底10上生长III氮化物半导体结构12而形成，如本领域中所已知的。生长衬底通常是蓝宝石，但是可以是任何合适的衬底，诸如例如SiC、Si、GaN或复合衬底。在其上生长III氮化物半导体结构的生长衬底的表面可以在生长之前被图案化、粗糙化或纹理化，这可以改进来自器件的光提取。与生长表面相对的生长衬底的表面（即，在倒装芯片配置中大部分光通过其提取的表面）可以在生长之前或之后被图案化、粗糙化或纹理化，这可以改进来自器件的光提取。
半导体结构包括夹在n和p型区之间的发光或有源区。n型区16可以首先生长并且可以包括不同组成和掺杂剂浓度的多个层，包括例如诸如缓冲层或成核层之类的准备层，和/或设计成促进生长衬底的移除的层，其可以是n型或非有意掺杂的，以及设计用于得到对于使发光区高效地发射光而言合期望的特定光学、材料或电气性质的n或甚至p型器件层。发光或有源区18生长在n型区之上。合适的发光区的示例包括单个厚或薄发光层，或者包括通过屏障层分离的多个薄或厚发光层的多量子阱发光区。p型区20然后可以生长在发光区之上。类似于n型区，p型区可以包括不同组成、厚度和掺杂剂浓度的多个层，包括非有意掺杂的层，或者n型层。
在生长之后，在p型区的表面上形成p接触件。p接触件21通常包括多个传导层，诸如反射金属和防护金属，其可以防止或减少反射金属的电迁移。反射金属通常是银，但是可以使用任何合适的一种或多种材料。在形成p接触件21之后，移除部分的p接触件21、p型区20和有源区18以暴露在其上形成n接触件22的n型区16的部分。n和p接触件22和21通过间隙25从彼此电气隔离，间隙25可以填充有电介质，诸如硅的氧化物或者任何其它合适的材料。可以形成多个n接触件通孔；n和p接触件22和21不限于图2中所图示的布置。n和p接触件可以重分布以形成具有电介质/金属堆叠的键合垫，如本领域中所已知的。
为了形成到LED的电气连接，一个或多个互连26和28形成在n和p接触件22和21上或者电气连接到它们。在图2中，互连26电气连接到n接触件22。互连28电气连接到p接触件21。互连26和28通过电介质层24和间隙27与n和p接触件22和21并且与彼此电气隔离。互连26和28可以例如是焊料、柱状凸块、金层或者任何其它合适的结构。许多单独的LED形成在单个晶片上，然后从器件的晶片切分。半导体结构以及n和p接触件22和21在以下图中由块12表示。
图3,4和5图示了根据本发明的示例性实施例的具有设置在五个侧面上的波长转换层的LED。图3是截面视图，图4是底视图，并且图5是在其中截面与LED的衬底10相交的平面中从顶部获取的截面视图。LED 1可以是在图2中图示的LED或者任何其它合适的器件。波长转换层30覆盖LED 1的顶部，如在图3中所示，以及LED 1的所有侧面，如在图4和5中所示。（如图3,4和5中所图示的LED 1是矩形，因此其具有由波长转换层30覆盖的四个侧面和衬底侧面。其它形状的LED在本发明的范围内——波长转换层30在一些实施例中将覆盖任意形状的LED的所有侧面。）在结构的底表面上，暴露互连26和28，以促进用户将结构附连到诸如PC板之类的另一结构。
现有技术经封装的LED的一个示例包括具有将LED附连到经模制的引线框架杯体的引线键合的垂直LED。在形成引线键合之后，杯体填充有硅树脂/磷光体浆料。该架构可以被称为“杯体中的糊块（goop）”。杯体中的糊块架构是低成本且易于制造的。然而，由于LED管芯、引线键合以及磷光体/硅树脂材料（“糊块”）的高热阻（如~20C/W那么高），杯体中的糊块架构在可靠地处置高输入功率密度方面受限制。倒装芯片类型LED也可以设置在杯体中的糊块架构中。倒装芯片的优点在于，LED和典型倒装芯片互连的热阻相对低（典型地＜5C/W）。然而，磷光体/硅树脂材料的热阻仍旧高并且作为结果，器件不能可靠地处置高功率密度。
在图3,4和5中图示的结构中，因为波长转换层30通过准许波长转换层30相比于在杯体中的糊块器件中使用的磷光体/硅树脂材料而言具有高颗粒含量的技术（除在LED之上分配之外，如在以上描述的杯体中的糊块架构中）而形成在LED 1之上。因而，波长转换层30可以具有高含量的具有高热学传导率的颗粒，这可以改进波长转换层30的热学传导率以及因此结构的热学传导率。
在一些实施例中，波长转换层30包括三种成分，波长转换材料、透明材料和粘合剂材料。
波长转换材料可以是例如常规磷光体、有机磷光体、量子点、有机半导体、II-VI或III-V半导体、II-VI或III-V半导体量子点或纳米晶体、染料、聚合物或其它发光材料。波长转换材料吸收由LED发射的光并且发射一个或多个不同波长的光。由LED发射的未经转换的光通常是从结构提取的光的最终光谱的部分，尽管其不需要如此。常见组合的示例包括与发射黄色的波长转换材料组合的发射蓝色的LED、与发射绿色和红色的波长转换材料组合的发射蓝色的LED、与发射蓝色和黄色的波长转换材料组合的发射UV的LED、以及与发射蓝色、绿色和红色的波长转换材料组合的发射UV的LED。可以添加发射其它颜色的光的波长转换材料以定制从结构发射的光的光谱，例如发射黄色的材料可以利用发射红色的材料来扩充。
透明材料可以是例如粉末、颗粒、或者具有高热学传导率的其它材料；例如，具有比波长转换材料或粘合剂高的热学传导率。在一些实施例中，透明材料具有比常见硅树脂材料（其可以具有0.1-0.2W/mK附近的热学传导率）高的热学传导率。在一些实施例中，透明材料基本上折射率匹配到粘合剂材料，在下文描述。例如，透明材料和粘合剂材料的折射率在一些实施例中可以变化小于10%。在一些实施例中，透明材料的折射率是至少1.5。合适的透明材料的示例包括玻璃颗粒或珠体。
粘合剂材料可以是将透明材料和波长转换材料粘固在一起的任何材料。粘合剂材料在一些实施例中可以选择成具有至少1.5的折射率。在一些实施例中，粘合剂材料是可模制、热固性材料。合适的材料的示例包括硅树脂、环氧树脂和玻璃。粘合剂材料和透明材料典型地是不同材料，或者以不同形式的相同材料，尽管它们不需要如此。例如，透明材料可以是玻璃颗粒，而粘合剂材料可以是经模制的玻璃。在一些实施例中，粘合剂材料是溶胶凝胶材料。在其中粘合剂材料是溶胶凝胶的实施例中，波长转换材料、透明材料和溶胶凝胶液体的混合物可以分配在LED 1之上，然后从溶胶凝胶液体蒸发水，从而留下硅酸盐网络，其基本上是具有嵌入在硅酸盐网络中的波长转换材料和透明材料的玻璃。
在一些实施例中，波长转换层30几乎是透明材料，具有相对较少的波长转换材料和粘合剂材料。波长转换层30以重量计在一些实施例中可以是至少50%的透明材料，在一些实施例中可以是60%的透明材料，并且在一些实施例中可以是不多于70%的透明材料。波长转换层30以重量计在一些实施例中可以是至少20%的波长转换材料，在一些实施例中可以是30%的波长转换材料，并且在一些实施例中可以是不多于40%的波长转换材料。波长转换层30以重量计在一些实施例中可以是至少5%的粘合剂材料，在一些实施例中可以是10%的粘合剂材料，并且在一些实施例中可以是不多于20%的粘合剂材料。
波长转换层30的热学传导率在一些实施例中可以是至少0.5W/mK并且在一些实施例中可以是至少1W/mK。相比而言，在杯体中的糊块架构中，糊块典型地具有不多于0.1W/mK的热学传导率。
在图3,4和5中图示的结构可以根据在图6,7,8和9中图示的方法而形成。在形成LED并将其从LED的晶片分离之后，它们“被装箱”，这意味着具有类似峰值发射波长的LED根据用于使经波长转换的LED满足针对给定应用的规范所必要的波长转换材料的特性进行分组。在图6中，来自单个箱柜的各个LED设置在衬底40上。衬底40是临时处置衬底。可以使用任何合适的材料，诸如载体带。尽管在图7中图示了单个LED，但是LED 1可以从晶片切分成组而不是作为单个LED。
在图7中，如上文所述的波长转换层30模制在LED 1之上。例如，模具（在图7中未示出）可以设置在LED 1的组之上，然后填充有模制材料。波长转换层30可以包括以液体形式的热固性粘合剂材料。例如通过加热来处理结构以将热固性粘合剂材料转变成固体。然后移除模具。波长转换层30设置在LED 1的顶部之上以及相邻LED 1之间。
在图8中，分离各个LED，例如通过切割芯片间隔42中的相邻LED之间的波长转换层30。可以使用任何合适的切割技术，诸如金刚石锯切或激光切割。优选地，切割技术不应当切穿衬底40。在图8中图示的切割在一些实施例中可以导致基本上竖直的侧壁44，如在图8中所示。在一些实施例中，侧壁44成角度或者以其它方式成形，以例如增强从波长转换层30的光提取。
在图9中，通过任何合适的方法将经分离的LED从衬底40释放，包括例如热学释放、转移到第二衬底、或者直接拾取。各个LED可以被测试，并且以其它方式准备好由用户安装到诸如PC板之类的结构。例如通过焊接或者通过LED 1的底部上的互连28和26的任何其它合适的安装技术来将LED安装在另一结构上。
在一些实施例中，芯片46通过波长转换层30机械连接到LED 1，如在图10中所示。芯片46可以包括用于瞬态电压抑制（TVS）的器件、功率调节电路、其它电路、或者用于任何其它合适功能的器件。芯片46可以包括例如主体401以及接触件402和403。（仅在图10中图示的截面中图示了一个接触件，接触件402。接触件402和403二者可以在图14,16,18和20中图示的底视图中看到。）反射性层50设置在波长转换层30的底部上。反射性层50中的开口51a围绕LED 1。反射性层50中的开口51b围绕芯片46。电介质层52设置在反射性层50下方。电介质层52中的开口提供到LED 1上的接触件28和芯片46上的接触件402的电气连接。设置在电介质层52下方的键合垫54a将LED 1上的接触件28电气连接到芯片46上的接触件402。在图10中图示的平面外部，设置在电介质层52下方的第二键合垫将LED 1上的接触件26电气连接到芯片46上的接触件403。
相比于图1中所图示的器件，其中LED 282和TVS芯片284通过基板280电气和机械连接，在图10中所图示的器件中，LED 1和芯片46通过波长转换层30机械连接。
在图10中图示的结构可以如图11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21和22中所图示的那样形成。尽管在这些图中示出了3组LED 1和芯片46，但是这些方法可以应用于LED 1和芯片46的任何数目的组。
在图11中，LED 1和芯片46设置在衬底40上，其可以例如是如上文参照图6所述的载体带。
在图12中，波长转换层30模制在LED 1和芯片46之上，如上文参照图7所述。
在图13中，图12的结构被转移到第二衬底48。类似于衬底40，衬底48可以是适合用于包括LED 1、芯片46和波长转换层30的结构的临时处置的任何材料。例如，衬底48可以是载体带。典型地，第二衬底48连接到与衬底40相对的波长转换层30的表面，接着从LED 1和芯片46分离衬底40。在移除衬底40之后，暴露LED 1和芯片46的接触件以用于另外的处理。
图14图示了至少包括单个LED 1和单个芯片46的机械连接的组的接触件侧。在图14中图示的视图是如在图13中图示的结构的顶部和如在图12中图示的结构的底部的视图。因为所完成的结构典型地安装有底部上的接触件使得从顶部提取光，所以在以下描述中，在图14中图示的视图被称为结构的底部。
在图14中，LED 1上的金属互连28和26可以基本上与芯片46上的金属接触件402和403对准。波长转换层30设置在LED 1和芯片46周围。
在图15中，反射性层50形成在图13中所图示的结构之上。图16图示了在形成反射性层50之后的单个LED 1和芯片46的底视图。反射性层50在图中通过从图的左下方延伸到右上方的阴影来表示。如图15中所示，反射性层50被图案化以形成开口51a和51b。开口51a围绕LED 1并且开口51b围绕芯片46。反射性层50可以是任何合适的反射性材料，诸如金属、Ag、Al、反射性涂层、或者反射性漆。反射性层50通常是传导性的，尽管其不需要如此。反射性层50可以通过诸如例如溅射之类的任何合适的技术而形成，并且可以通过诸如例如光刻之类的任何合适的技术而图案化。
在图17中，电介质层形成在图15中图示的结构之上。图18图示了在形成电介质层52之后的单个LED 1和芯片46的底视图。电介质层52通过从图的左上方延伸到右下方的阴影来表示。电介质层52被图案化以形成促进电气连接到LED 1上的互连和芯片46上的接触件的开口。开口520形成在互连28之上；开口522形成在互连26之上；开口523形成在接触件402之上；并且开口524形成在接触件403之上。电介质层52可以是通过任何合适的技术形成的任何合适的材料，诸如例如硅的一种或多种氧化物、硅的一种或多种氮化物、电介质或苯并环丁烯。
在图19中，形成传导接触垫54a和54b（仅在侧视图中示出垫54a）的金属层54形成在图17中所图示的结构之上。图20图示了在形成接触垫54a和54b之后的单个LED 1和芯片46的底视图。（在图19中，形成接触垫的金属层被标记为54。在图20中，图示了各个接触垫54a和54b。）接触垫54a通过电介质层52中的开口520电气连接到LED 1上的互连28。接触垫54a还通过电介质层52中的开口523电气连接到芯片46上的接触件402。接触垫54b通过电介质层52中的开口522电气连接到LED 1上的互连26。接触垫54b还通过电介质层52中的开口524电气连接到芯片46上的接触件403。接触垫54a和54b通过它们之间的空间并且通过电介质层52彼此电气隔离。接触垫54a和54b可以是任何合适的传导材料。接触垫54a和54b典型地是金属，诸如Au或Ag。接触垫54a和54b可以通过任何合适的技术形成和图案化。例如，接触垫54a和54b可以通过溅射-沉积例如CuN的种子层，然后电镀Au或Ag层而形成。接触垫54a,54b、互连28,26、接触件402,406以及开口520,522,523和524未必按照比例绘制并且可以具有与图20中所示的不同的比例。接触垫54a和54b可以被图案化，因此它们不会一直延伸到器件的顶部和底部，如在图20中所示，尽管并不要求这样，如在图19和21中所示。
在图21中，分离LED 1和芯片46，例如通过切割芯片间隔56中的相邻LED之间的波长转换层30，如以上参照图8所述。
在图22中，从衬底48移除所分离的器件，如以上参照图9所述。器件可以倒转并且由用户通过焊接-附连或者以其它方式将垫54a和54b电气和机械连接到结构而安装到合适的结构，诸如PC板。
图23和24图示了包括LED 1和芯片46的可替换结构。在图23中，反射性材料60设置在图13中所图示的结构之上。反射性材料60被图案化以形成分离器件的两侧上的反射性材料的两个区的开口62。反射性材料可以例如是以上针对图15和16中描述的反射性材料50所列出的材料之一。反射性材料60是传导材料。反射性材料60的左侧部分与芯片46上的接触件402和LED 1上的互连28的部分直接接触。反射性材料60的右侧部分与芯片46上的接触件403和LED 1上的互连26的部分直接接触。
在图24中，电介质层63形成在结构的中心之上。电介质层63，其可以例如是以上针对图17和18中描述的电介质材料52所列出的材料之一，覆盖反射性材料60的左侧与右侧部分之间的开口62。电介质层63还覆盖反射性材料60的左侧和右侧部分中的每一个的部分。电介质层63在范围方面受限制，使得在器件的左侧上的反射性材料60的部分64不被电介质层63所覆盖，并且在器件的右侧上的反射性材料60的部分66不被电介质层63所覆盖。
在图21和22中的分离之后，在图24中图示的器件可以由用户通过焊接-附连或以其它方式将反射性材料60的部分64和66电气和机械连接到结构而安装在诸如PC板之类的结构上。用于将图24的结构附连到诸如PC板之类的结构的互连（诸如例如焊料）可以补偿部分64和66与电介质63之间的高度中的差异。
已经详细地描述了本发明，本领域技术人员将领会的是，在给定本公开内容的情况下，可以对本发明做出修改而不脱离本文描述的发明概念的精神。因此，不意图将本发明的范围限于所图示和描述的具体实施例。

Claims (15)

1.一种结构，包括：
用于发射具有第一峰值波长的光的发光器件；
设置在由发光器件发射的光的路径中的波长转换层，波长转换层用于吸收由发光器件发射的光并且发射具有第二峰值波长的光，波长转换层包括以下的混合物：
波长转换材料；
透明材料；以及
粘合剂材料，其中粘合剂材料包括不多于波长转换层的重量的15%。
2.权利要求1所述的结构，其中发光器件具有顶表面、底表面和至少一个侧表面，其中波长转换层覆盖发光器件的顶表面和每一个侧表面。
3.权利要求1所述的结构，其中波长转换层模制在发光器件之上。
4.权利要求1所述的结构，还包括用于抑制瞬态电压的芯片，其中发光器件单独通过波长转换层机械附连到芯片。
5.权利要求4所述的结构，其中波长转换层设置在芯片之上以及发光器件的侧壁与芯片的侧壁之间的区中。
6.权利要求1所述的结构，其中波长转换材料包括不多于波长转换层的重量的40%。
7.权利要求1所述的结构，其中粘合剂是硅树脂、环氧树脂、溶胶凝胶材料和玻璃中的一个。
8.权利要求1所述的结构，还包括设置在发光器件的侧表面之上的波长转换层的部分的底表面上所设置的反射器。
9.权利要求1所述的结构，其中透明材料和粘合剂材料是不同的材料。
10.一种方法，包括：
将多个发光器件附连到衬底；
在多个发光器件之上形成波长转换层，波长转换层包括波长转换材料、透明材料和粘合剂材料；
通过切割波长转换层而分离多个发光器件；以及
移除衬底。
11.权利要求10所述的方法，其中波长转换层具有至少0.5W/mK的热学传导率。
12.权利要求10所述的方法，其中在所述切割之后，波长转换层具有基本上竖直的侧壁。
13.权利要求10所述的方法，还包括在所述在多个发光器件之上形成波长转换层之后，在波长转换层的底表面上形成反射器。
14.权利要求10所述的方法，还包括：
在多个发光器件中的两个之间将用于抑制瞬态电压的芯片附连到衬底；以及
在所述在多个发光器件之上形成波长转换层之后，形成将多个发光器件之一上的互连电气连接到芯片上的接触件的传导垫。
15.权利要求10所述的方法，其中：
在多个发光器件之上形成波长转换层包括模制波长转换层；并且
粘合剂材料是热固性材料。
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