KR20110099512A - 발광소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

발광소자 패키지 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판; 상기 기판의 제1 주면상에 적층된 복수의 반도체층을 포함하는 발광적층체; 상기 반도체층의 적층방향을 따라 상기 발광적층체 상에 구비되는 한 쌍의 전극; 상기 기판의 제2 주면에 구비되는 파장변환부재; 및 상기 기판의 제2 주면에 평행한 상기 파장변환부재의 표면과 상기 한 쌍의 전극의 단부가 외부로 노출되도록 상기 파장변환부재, 기판, 발광적층체를 감싸는 몰딩부재;를 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{Light Emitting Device Package and Method of Manufacturing The Same}

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 레벨 상태에서 복수의 발광소자 칩이 일괄공정으로 패키징되어 구조가 간단하고 비용이 저렴한 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래에 반도체 발광소자(LED), 예를 들면 발광 다이오드는 녹색, 청색 및 자외 영역까지의 광을 생성할 수 있으며 지속적인 기술 발전으로 인해 그 휘도가 비약적으로 향상됨에 따라 총천연색 전광판, 조명장치 등의 분야에도 확대 적용되고 있다. 특히, GaN를 비롯한 질화물을 이용한 질화물 반도체는 그 우수한 물리, 화학적 특성에 기인하여 현재 광전재료 및 전자소자의 핵심 소재로 각광 받고 있다.

이러한 발광소자는 패키지 상태로 제조되어 광원으로 사용되는데, 일반적으로 발광소자 패키지는 반도체 발광소자가 형성된 웨이퍼를 각 개별 발광소자 칩으로 절단한 후 낱개의 발광소자 칩을 별도의 리드 프레임상에 실장하여 패키징하는 칩 레벨 패키지 제조방법을 이용하여 제조되고 있다.

그러나, 이러한 제조방법은 완성된 발광소자 칩을 리드 프레임 상에 접착하고, 와이어 본딩 또는 플립칩 본딩을 통해 리드 단자와 전기적으로 연결한 후, 에폭시 수지를 통해 몰딩하는 복잡한 공정을 필요로 한다.

특히, 각 발광소자 칩에 대한 패키징 공정이 개별적으로 수행됨으로써 발광소자 패키지의 크기가 일정하지 않고, 사이즈가 증가하여 소형화에 한계가 있으며, 생산성이 저하됨은 물론 제조비용이 증가한다는 단점이 있다.

본 발명의 목적은 웨이퍼 레벨 상태에서 복수의 발광소자 칩을 일괄하여 패키징함으로써 동일한 광특성을 가지며, 제조공정이 간단하고, 대량생산이 가능함은 물론 생산비용이 절감되는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판; 상기 기판의 제1 주면상에 적층된 복수의 반도체층을 포함하는 발광적층체; 상기 반도체층의 적층방향을 따라 상기 발광적층체 상에 구비되는 한 쌍의 전극; 상기 기판의 제2 주면에 구비되는 파장변환부재; 및 상기 기판의 제2 주면에 평행한 상기 파장변환부재의 표면과 상기 한 쌍의 전극의 단부가 외부로 노출되도록 상기 파장변환부재, 기판, 발광적층체를 감싸는 몰딩부재;를 포함할 수 있다.

또한, 상기 몰딩부재는 상기 파장변환부재의 표면이 노출되는 상면이 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 하면보다 넓은 면적을 가지도록 비대칭 구조로 형성될 수 있다.

또한, 상기 몰딩부재는 상기 상면으로부터 상기 하면을 향해 소정 기울기로 경사진 경사면을 구비할 수 있다.

또한, 상기 몰딩부재의 측면과 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 하면을 따라 구비되는 반사층을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 한 쌍의 전극의 단부와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 상기 몰딩부재의 하면으로 돌출형성되는 외부 접속단자를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 몰딩부재는 확산제를 더 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은, 웨이퍼 상에 복수의 반도체층을 성장시켜 발광적층체를 형성하는 단계; 상기 발광적층체가 형성된 상기 웨이퍼의 반대면에 파장변환부재를 형성하는 단계; 커팅 라인을 따라 상기 파장변환부재, 웨이퍼 및 발광적층체를 다이싱하여 개별 발광소자 칩으로 분리하는 단계; 상기 분리된 각 발광소자 칩을 일정한 간격으로 정렬(sorting)하는 단계; 상기 분리된 각 발광소자 칩을 일괄하여 몰딩하는 몰딩부재를 형성하는 단계; 및 상기 몰딩된 각 발광소자 칩을 절단하는 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 상기 발광적층체를 형성하는 단계에서 상기 반도체층은 상기 웨이퍼 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층의 순서로 성장되고, 상기 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 상에 각각 구비되는 한 쌍의 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 내부 반사층을 더 형성할 수 있다.

또한, 상기 파장변환부재를 형성하는 단계는 상기 웨이퍼가 소정 두께를 가지도록 상기 웨이퍼의 반대면을 그라인딩한 후 그 표면을 연마하여 박화 가공하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 분리된 각 발광소자 칩을 정렬하는 단계는 파장변환부재를 통해 각 발광소자 칩을 점착 테이프 상에 일정 간격으로 부착하여 고정시킬 수 있다.

또한, 상기 발광소자 칩을 몰딩하는 단계는 상기 각 발광적층체 상의 한 쌍의 전극이 상기 몰딩부재의 상부로 노출되도록 노출홀을 형성할 수 있다.

또한, 상기 한 쌍의 전극이 노출되는 상기 몰딩부재의 노출홀을 통해 상기 한 쌍의 전극과 각각 전기적으로 연결되는 외부 접속단자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 몰딩된 각 발광소자 칩을 절단하는 단계는 상기 몰딩부재의 절단면이 소정 기울기의 경사면을 가지도록 V-컷(V-cut) 형태로 절단할 수 있다.

또한, 상기 절단된 각 발광소자 칩의 몰딩부재의 표면에 반사층을 구비하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면 웨이퍼 레벨 상태에서 복수의 발광소자 칩을 일괄공정을 통해 패키징함으로써 동일한 구조와 광특성을 갖는 발광소자 패키지를 대량생산하는 것이 가능하다.

또한, 제조공정이 단축될 수 있어 생산성이 향상되며, 제조비용이 절감되는 효과를 갖는다.

또한, 웨이퍼 레벨 상태에서 발광소자 칩에 대한 패키징이 이루어짐으로써 발광소자 패키지의 크기를 줄일 수 있어 소형화가 용이하다는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 도 1의 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 사항을 도면을 참조하여 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시예는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.

따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.

우선, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대해 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지(1)는 기판(10), 발광적층체(20), 전극(31,32), 파장변환부재(40), 몰딩부재(50)를 포함하며, 광효율을 향상시키기 위해 상기 몰딩부재(50)의 표면에 구비되는 반사층(60)을 더 포함할 수 있다.

상기 기판(10)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 성장용 기판으로서 사파이어 기판을 사용할 수 있으며, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는다.

상기 발광적층체(20)는 상기 기판(10)의 제1 주면상에 적층되는 복수의 반도체층을 포함하여 이루어지며, 상기 반도체층의 적층방향을 따라 상기 발광적층체(20)상에 구비되는 한 쌍의 전극(31,32)을 포함한다. 그리고, 상기 발광적층체(20)는 미도시된 외부 회로와 전기적인 접속을 위해 상기 한 쌍의 전극(31,32)이 하부를 향하도록 상하 뒤집힌 구조로 구비된다.

상기 반도체층은 상기 기판(10) 상에 n형 질화물 반도체층(21), 활성층(22), p형 질화물 반도체층(23)의 순서로 성장되어 구비될 수 있다. 그리고, 상기 기판(10)과 n형 질화물 반도체층(21) 사이에는 미도시된 버퍼층이 더 구비될 수 있다.

상기 한 쌍의 전극(31,32)은 p형 질화물 반도체층(23)의 상면에 형성되는 p형 전극(32)과, 상기 p형 질화물 반도체층(23)의 일부를 식각하여 노출되는 상기 n형 질화물 반도체층(21)의 상면에 형성되는 n형 전극(31)을 포함한다.

그리고, 상기 p형 질화물 반도체층(23)은 상기 p형 전극(32)이 노출되도록 그 상면에 내부 반사층(62)을 더 구비할 수 있다.

한편, 상기 발광적층체(20)가 하부를 향하도록 구비된 상기 기판(10)의 제2 주면, 즉 상기 기판(10)의 상면에는 소정의 형광체(41)를 함유하는 파장변환부재(40)가 구비된다.

상기 몰딩부재(50)는 상기 파장변환부재(40), 기판(10), 발광적층체(20)를 감싸도록 구비되며, 상기 기판(10)의 제2 주면에 평행한 상기 파장변환부재(40)의 표면과 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 외부로 노출되도록 구비되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 전극(31,32)의 단부와 상기 파장변환부재(40)의 표면, 구체적으로는 상기 기판(10)의 제2 주면에 접하는 표면과 대향하는 표면에는 상기 몰딩부재(50)가 형성되지 않도록 한다.

특히, 상기 몰딩부재(50)는 상기 파장변환부재(40)의 표면이 노출되는 상면(51)이 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 노출되는 하면(52)보다 넓은 면적을 가지도록 비대칭 구조로 형성된다. 구체적으로, 도면에서와 같이 상기 몰딩부재(50)는 사다리꼴 형상의 단면을 가지는 역피라미드 형상으로 형성될 수 있으며, 따라서 상기 상면(51)으로부터 상기 하면(52)을 향하는 측면(53)이 소정 기울기로 경사진 경사면을 구비하는 구조로 형성되어 지향각을 증가시키는 것이 가능하다.

상기 몰딩부재(50)의 표면, 구체적으로는 상기 몰딩부재(50)의 경사진 측면(53)과 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 노출되는 하면(52)을 따라 반사층(60)을 더 구비할 수 있다. 즉, 상부가 개방된 컵 구조의 반사층(60)을 상기 몰딩부재(50)의 표면을 따라 구비함으로써 반사율을 높여 광추출효율을 향상시키는 것이 가능하다.

이러한 몰딩부재(50)는 투명한 재질의 투광성 수지로 이루어지는 것이 바람직하며, 내부에 TiO₂와 같은 확산제(미도시)를 함유할 수 있다.

외부 접속단자(71,72)는 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부와 각각 전기적으로 연결되어 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 노출되는 상기 몰딩부재(50)의 하면(52)으로 돌출형성되도록 구비될 수 있다. 이를 통해 외부 회로(미도시)와 플립칩 본딩 방식으로 전기적인 연결을 이루도록 할 수 있다.

이와 같이, 본 실시예에 따른 발광소자 패키지(1)는 기판(10) 상에 형성된 발광적층체(20)를 감싸도록 몰딩부재(50)를 구비하되 상면과 하면이 비대칭구조를 가지도록 함으로써 광효율이 향상됨은 물론, 종래의 패키지 구조에서 사용되는 리드 단자와 하우징 부재 또는 지지기판 등이 불필요하여 소형화에 유리하고 비용이 절감되는 우수한 효과를 갖는다.

한편, 도 2 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지의 제조방법에 대해 설명한다.

도 2 내지 도 7은 도 1의 발광소자 패키지를 제조하는 방법을 단계별로 도시한 도면이다.

우선 도 2를 참조하면, 웨이퍼(10) 상에 기상 성장을 통하여 복수의 반도체층을 성장시켜 발광적층체(20)를 형성한다. 이러한 발광적층체(20)는 웨이퍼(10)로부터 개개의 반도체 발광소자 칩으로 싱귤레이팅(singulating)되기 전인 웨이퍼 레벨 상태로 웨이퍼(10) 상에 구비된다.

상기 발광적층체(20)를 이루는 반도체층은 질화물 기반의 반도체 물질을 유기금속 기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD), 분자빔 성장법(Molecular Beam Epitaxy : MBE) 또는 하이브리드 기상증착법(Hybride Vapor Phase Epitaxy : HVPE)과 같은 공지의 증착공정을 통해 웨이퍼(10) 상에 성장시킴으로써 제조될 수 있다.

발광적층체(20)는 웨이퍼(10) 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(21), 활성층(22), p형 질화물 반도체층(23)이 적층된 구조로 구비된다. 그리고, 메사 식각된 n형 질화물 반도체층(21)과 p형 질화물 반도체층(23) 상에는 각각 n형 전극(31)과 p형 전극(32)이 형성되어 상부를 향하도록 구비된다. 이 때, 상기 n형 질화물 반도체층(21)과 웨이퍼(10) 사이에는 미도시된 버퍼층을 더 구비할 수 있다. 그리고, 상기 p형 질화물 반도체층(23) 상에는 내부 반사층(62)을 더 형성할 수 있다.

다음으로, 도 3에서와 같이 상기 발광적층체(20)가 형성된 상기 웨이퍼(10)의 반대면에 파장변환부재(40)를 형성한다. 상기 파장변환부재(40)는 형광체(41)를 함유하는 수지를 도포하거나 박막형태로 적층하여 형성될 수 있다.

수지는 고온에서도 장시간 노란색화(yellowing) 현상이 없는 투명 수지제로 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다. 수지 내에 함유되는 형광체(41)는 유기, 무기 파우더 형광체 또는 양자점(Quantum Dot) 형광체를 사용할 수 있다. 그리고, 필요에 따라서 용매를 함유시켜 형광체의 농도를 조절할 수 있다.

이와 같이, 웨이퍼 레벨 상태로 구비되는 발광적층체(20)는 종래와 같이 다이싱을 거쳐 개별 소자로 싱귤레이팅된 이후에 각각 패키징 공정을 통해 형광층이 개별 형성되는 것과 달리 싱귤레이팅 되기 전인 웨이퍼 레벨 상태에서 일괄적으로 형성된다.

한편, 웨이퍼(10)의 표면에 파장변환부재(40)를 형성하기 전에 상기 웨이퍼(10)가 소정 두께를 가지도록 상기 웨이퍼(10)의 반대면을 그라인딩한 후 그 표면을 연마하여 박화 가공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이를 통해 패키지의 두께를 보다 얇게 하여 소형화에 보다 용이하도록 할 수 있다.

다음으로, 도 4에서와 같이 커팅 라인(L)을 따라 상기 파장변환부재(40), 웨이퍼(10) 및 발광적층체(20)를 일체로 다이싱하여 개별 발광소자 칩(1a)으로 분리한다. 그리고, 상기 분리된 각 발광소자 칩(1a)을 점착 테이프(80) 상에 일정한 간격으로 부착하여 정렬(sorting)한다. 이 경우, 각 발광소자 칩(1a)의 전극(31,32)의 단부가 상부를 향하도록 상기 파장변환부재(40)의 표면을 상기 점착 테이프(80) 상에 부착하여 고정시키며, 각 발광소자 칩(1a) 사이의 간격(g)은 모두 동일한 간격으로 이격되도록 배열한다.

다음으로, 도 5에서와 같이 미도시된 디스펜서를 통해 상기 점착 테이프(80) 상에 투광성 수지를 주입하여 상기 발광소자 칩(1a)을 일괄하여 몰딩하는 몰딩부재(50)를 형성한다. 이 때, 각 발광소자 칩(1a) 상의 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 상기 몰딩부재(50)에 의해 감싸이지 않고 외부로 노출되도록 각 전극의 위치와 대응하는 위치에 노출홀(C)을 형성한다.

상기 노출홀(C)은 포토 리소그래피 공정을 통해 상기 n형 전극(31)의 단부와 p형 전극(32)의 단부 상의 몰딩부재(50)를 일부분 제거하여 형성할 수 있다. 또는 상기 n형 전극(31)의 단부와 p형 전극(32)의 단부를 제외하고 몰딩하여 형성하는 것도 가능하다.

따라서, 상기 몰딩부재(50)는 상기 점착 테이프(80) 상에 부착된 상기 파장변환부재(40)의 표면과 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부를 제외하고 각 발광소자 칩(1a) 사이의 간격(g)을 따라 상기 파장변환부재(40), 기판(10) 그리고 발광적층체(20)를 감싸도록 구비된다.

이러한 몰딩부재(50)는 투명한 재질의 투광성 수지로 이루어지는 것이 바람직하며, 내부에 TiO₂와 같은 확산제를 함유할 수 있다.

다음으로, 도 6에서와 같이 각 발광소자 칩(1a) 사이의 간격(g)을 따라서 V-컷(V-cut) 형태로 각 발광소자 칩(1a)을 절단하여 각 몰딩부재(50)의 절단면이 소정 기울기의 경사면을 가지도록 한다.

이 경우, 각 몰딩부재(50)는 상기 접착 테이프(80)와 접하며 상기 파장변환부재(40)의 표면이 노출되는 면이 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 노출되는 면보다 넓은 면적을 가지도록 비대칭 구조로 형성된다. 구체적으로, 도면에서와 같이 상기 몰딩부재(50)는 사다리꼴 형상의 단면을 가지는 피라미드 형상으로 형성될 수 있으며, 따라서 절단면인 측면이 상부를 향해 소정 기울기로 경사진 경사면을 구비하는 구조로 형성된다.

그리고, 상기 절단된 몰딩부재(50)의 표면에 반사층(60)을 더 구비할 수 있다. 즉, 상기 몰딩부재(50)의 표면, 구체적으로는 상기 몰딩부재(50)의 경사진 측면과 상기 한 쌍의 전극(31,32)의 단부가 노출되는 면을 따라 반사층(60)을 구비할 수 있다. 상기 반사층(60)은 Al, Ag, 기타 반사효율이 높은 금속을 코팅하거나 박막 형태로 부착하여 형성할 수 있다.

즉, 상부가 개방된 컵 구조의 반사층(60)을 상기 몰딩부재(50)의 표면을 따라 구비함으로써 지향각을 증가시키고, 반사율을 높여 광추출효율을 향상시키는 것이 가능하다.

또한, 상기 한 쌍의 전극(31,32)이 노출되는 상기 몰딩부재(50)의 노출홀(C)에는 상기 전극(31,32)과 각각 전기적으로 연결되는 외부 접속단자(71,72)를 형성하여 상기 몰딩부재(50)의 외부로 노출되도록 구비한다.

상기 외부 접속단자(71,72)는 솔더 또는 도전성 페이스트를 이용하여 상기 노출홀(C)을 채움으로써 형성될 수 있으며, 상기 몰딩부재(50)의 표면으로 노출되도록 하여 미도시된 조명 장치 등의 외부 회로와 플립칩 본딩방식을 통해 전기적으로 연결될 수 있도록 한다.

이 때, 외부 접속단자(71,72) 사이에 위치하는 반사층(60)은 식각 등을 통해 서로 분리되도록 함으로써 n형 전극(31)과 p형 전극(32)이 서로 전기적으로 분리되도록 한다.

다음으로, 도 7에서와 같이 점착 테이프(80)를 제거하여 개별 발광소자 패키지(1)로 분리한다. 따라서, 동일한 패키지 구조와 광특성을 갖는 발광소자 패키지를 대량으로 생산하는 것이 가능하다.

10....... 기판, 웨이퍼 20....... 발광적층체
21....... n형 질화물 반도체층 22....... 활성층
23....... p형 질화물 반도체층 31....... n형 전극
32....... p형 전극 40....... 파장변환부재
41....... 형광체 50....... 몰딩부재
60....... 반사층 71,72.... 외부 접속단자

Claims (15)

1. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판;
   상기 기판의 제1 주면상에 적층된 복수의 반도체층을 포함하는 발광적층체;
   상기 반도체층의 적층방향을 따라 상기 발광적층체 상에 구비되는 한 쌍의 전극;
   상기 기판의 제2 주면에 구비되는 파장변환부재; 및
   상기 기판의 제2 주면에 평행한 상기 파장변환부재의 표면과 상기 한 쌍의 전극의 단부가 외부로 노출되도록 상기 파장변환부재, 기판, 발광적층체를 감싸는 몰딩부재;
   포함하는 발광소자 패키지.
   
2. 제1항에 있어서,
   상기 몰딩부재는 상기 파장변환부재의 표면이 노출되는 상면이 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 하면보다 넓은 면적을 가지도록 비대칭 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 몰딩부재는 상기 상면으로부터 상기 하면을 향해 소정 기울기로 경사진 경사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
   
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 몰딩부재의 측면과 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 하면을 따라 구비되는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 한 쌍의 전극의 단부와 각각 전기적으로 연결되며, 상기 한 쌍의 전극의 단부가 노출되는 상기 몰딩부재의 하면으로 돌출형성되는 외부 접속단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
   
6. 제1항에 있어서,
   상기 몰딩부재는 확산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
   
7. 웨이퍼 상에 복수의 반도체층을 성장시켜 발광적층체를 형성하는 단계;
   상기 발광적층체가 형성된 상기 웨이퍼의 반대면에 파장변환부재를 형성하는 단계;
   커팅 라인을 따라 상기 파장변환부재, 웨이퍼 및 발광적층체를 다이싱하여 개별 발광소자 칩으로 분리하는 단계;
   상기 분리된 각 발광소자 칩을 일정한 간격으로 정렬(sorting)하는 단계;
   상기 분리된 각 발광소자 칩을 일괄하여 몰딩하는 몰딩부재를 형성하는 단계; 및
   상기 몰딩된 각 발광소자 칩을 절단하는 단계;
   를 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.
   
8. 제7항에 있어서,
   상기 발광적층체를 형성하는 단계에서 상기 반도체층은 상기 웨이퍼 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층의 순서로 성장되고, 상기 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 상에 각각 구비되는 한 쌍의 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
   
9. 제8항에 있어서,
   상기 p형 질화물 반도체층 상에 내부 반사층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
   
10. 제7항에 있어서,
    상기 파장변환부재를 형성하는 단계는 상기 웨이퍼가 소정 두께를 가지도록 상기 웨이퍼의 반대면을 그라인딩한 후 그 표면을 연마하여 박화 가공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    
11. 제7항에 있어서,
    상기 분리된 각 발광소자 칩을 정렬하는 단계는 파장변환부재를 통해 각 발광소자 칩을 점착 테이프 상에 일정 간격으로 부착하여 고정시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    
12. 제8항에 있어서,
    상기 발광소자 칩을 몰딩하는 단계는 상기 각 발광적층체 상의 한 쌍의 전극이 상기 몰딩부재의 상부로 노출되도록 노출홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    
13. 제12항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극이 노출되는 상기 몰딩부재의 노출홀을 통해 상기 한 쌍의 전극과 각각 전기적으로 연결되는 외부 접속단자를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    
14. 제7항에 있어서,
    상기 몰딩된 각 발광소자 칩을 절단하는 단계는 상기 몰딩부재의 절단면이 소정 기울기의 경사면을 가지도록 V-컷(V-cut) 형태로 절단하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.
    
15. 제7항에 있어서,
    상기 절단된 각 발광소자 칩의 몰딩부재의 표면에 반사층을 구비하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지의 제조방법.

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