CN105813378B - 附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法 - Google Patents

附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。本发明提供一种能够形成极微细的电路且能够良好地抑制电路断线的附载体铜箔。本发明是一种附载体铜箔，所述附载体铜箔在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，且极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的极薄铜层的厚度为1.5μm以下，且极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。

Description

附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的 制造方法
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。
背景技术
一般而言，印刷配线板是经过在使绝缘基板粘结于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤来制造。近年来，伴随着电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断进展，而对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。
相应于微间距化，近来业界要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，这种极薄铜箔由于机械强度低，而制造印刷配线板时容易破损或产生褶皱，所以利用具有厚度的金属箔作为载体，并在其上介隔剥离层而电镀极薄铜层而成的附载体铜箔问世。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，载体经由剥离层而被剥离去除。利用抗蚀剂在露出的极薄铜层上形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除，通过所述方法(MSAP，Modified-Semi-Additive-Process(改良型半加成工序))，形成微细电路。
另外，附载体铜箔的极薄铜层因其薄度而容易在表面产生针孔。这种针孔的产生有引起电路断线的担忧。作为抑制电路断线的技术，例如可以列举日本特开2004-107786号公报(专利文献1)、日本特开2004-137588号公报(专利文献2)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2004-107786号公报
[专利文献2]日本特开2004-137588号公报
发明内容
[发明所要解决的课题]
由于所述原因等，因此期望使用附载体铜箔形成微细电路的技术、尤其是通过MSAP形成极微细电路的技术、进而良好地抑制电路断线的技术。因此，本发明的课题在于提供一种能够形成极微细的电路且能够良好地抑制电路断线的附载体铜箔。
[解决课题的技术手段]
为了达成所述目的，本发明者反复努力研究，结果发现以下技术，将附载体铜箔的极薄铜层控制于相比以往也极薄的1.5μm以下，且即使在该薄度下也良好地抑制极薄铜层产生针孔，并且发现由此能够形成极微细的电路，且能够良好地抑制电路断线。
本发明是基于所述见解而完成的，在一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为1.5μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。
本发明在另一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度小于1.0μm，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且10个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且15个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.8μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且17个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.7μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且20个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.65μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且20个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.60μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且23个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.55μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且25个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.50μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且27个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，且所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.45μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且30个/m2以下。
本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，所述极薄铜层为电解铜层，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.40μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且30个/m2以下。
本发明的附载体铜箔在一实施方式中，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.10μm以上。
本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15μm以上。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15～0.85μm。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述极薄铜层具有光泽铜镀层。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述极薄铜层为光泽铜镀层。
本发明在又一实施方式中，在所述极薄铜层及所述载体的至少一表面或两表面具有粗化处理层。
本发明在又一实施方式中，所述粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上所述单质的合金所构成的层。
本发明在又一实施方式中，在所述粗化处理层的表面具备树脂层。
本发明在又一实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明在又一实施方式中，在所述极薄铜层及所述载体的至少一表面或两表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明在又一实施方式中，在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
本发明在又一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
本发明在又一实施方式中，所述树脂层为粘结用树脂。
本发明在又一实施方式中，所述树脂层为半硬化状态的树脂。
本发明在另一态样中是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜箔进行制造而成。
本发明在又一态样中是一种积层体，其含有本发明的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。
本发明在又一态样中是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔进行制造而成。
本发明在又一态样中是一种电子机器，其使用本发明的印刷配线板。
本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，
之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。
本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：
在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；
以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体或所述极薄铜层；及
在剥离所述载体或所述极薄铜层后，通过将所述极薄铜层或所述载体去除，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。
本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：
将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面及/或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；
在所述附载体铜箔的与树脂基板积层的一侧的相反侧的极薄铜层侧表面及/或所述载体侧表面，设置树脂层与电路这2层至少1次；及
在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离。
[发明的效果]
根据本发明，可以提供一种能够形成极微细的电路且能够良好地抑制电路断线的附载体铜箔。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的附载体铜箔的制造方法的运箔方式的示意图。
图2A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的到电路镀敷、去除抗蚀剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图3D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从树脂与第2层附载体铜箔积层到激光开孔的步骤中的配线板剖面的示意图。
图4G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从填孔形成到第1层载体剥离为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图5J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从快速蚀刻到凸块、铜柱形成为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
图6是有关于配线形成性的评价的上表面外观的光学显微镜照片的例子。
具体实施方式
＜附载体铜箔＞
本发明的附载体铜箔在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层。本领域技术人员已熟知附载体铜箔本身的使用方法，例如在将极薄铜层表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布·纸复合基材环氧树脂、玻璃布·玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后，将载体剥离，将粘结在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，最终可以制造积层体(覆铜积层体等)或印刷配线板等。
另外，也可以将中间层、极薄铜层一次性设置在载体的两面，对两面的极薄铜层一次性进行粗化处理等表面处理。另外，也可以在载体的一面设置中间层、极薄铜层，对极薄铜层进行粗化处理等表面处理后，在另一面设置中间层、极薄铜层，对极薄铜层进行粗化处理等表面处理。该情况下，也可以利用遮蔽带或遮蔽膜等将设置在载体的一面的、经表面处理的极薄铜层的表面予以保护后，在另一面对中间层、极薄铜层进行粗化处理等表面处理。
＜载体＞
典型来说，本发明可以使用的载体是以金属箔、例如压延铜箔或电解铜箔或树脂膜的形态提供。一般来说，电解铜箔是从硫酸铜镀浴中向钛或不锈钢的滚筒上将铜电解析出而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为压延铜箔的材料，可以使用精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JISH3510合金编号C1011)之类的高纯度铜，此外，也可以使用例如掺入Sn 的铜、掺入Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的科森系铜合金之类的铜合金。此外，本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包含铜合金箔。另外，作为树脂膜，可以使用绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP膜等。
关于本发明可以使用的载体的厚度，也无特别限制，只要发挥作为载体的作用且适当调节为适宜厚度即可，例如可以设为5μm以上。但是，如果过厚则生产成本变高，因此一般而言优选设为35μm以下。因此，典型来说，载体的厚度为8～70μm，更典型来说为12～70μm，更典型来说为18～35μm。另外，就减少原料成本的观点来说，优选载体的厚度小。因此，关于载体的厚度，典型来说为5μm以上且35μm以下，优选5μm以上且18μm以下，优选5μm以上且12μm以下，优选5μm以上且11μm以下，优选5μm以上且10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，容易在载体的通箔时产生弯折褶皱。为了防止产生弯折褶皱，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑、或缩短搬送辊与下一个搬送辊的距离。
使用电解铜箔作为载体的情况下的制造条件的一例如下所示。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100ppm
均化剂1(双(三磺丙基)二硫醚)：10～30ppm
均化剂2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物可以使用以下化学式的胺化合物。
此外，本发明中所记载的电解液、镀敷液等如果没有特别记载，则剩余部分为水。
Figure BDA0000907615250000071
(所述化学式中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
＜中间层＞
在载体的单面或两面上设置中间层。也可以在铜箔载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要为如下构成，则无特别限定，即，在附载体铜箔对绝缘基板的积层步骤前，极薄铜层不易从载体剥离，另一方面，在对绝缘基板的积层步骤后，极薄铜层能够从载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可以含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可以为多层。
另外，例如，中间层可以通过如下方式构成，即，从载体侧，形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种元素所组成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上元素所组成的合金层，并在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn构成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物或有机物所组成的层。
另外，例如，中间层可以从载体侧，形成由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内的任一种元素所组成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素所组成的合金层、或有机物层，接着以由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群内的任一种元素所组成的单一金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素所组成的合金层构成。另外，其他层也可以使用能够用作中间层的层构成。
在将中间层仅设置在单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。此外，在通过铬酸盐处理或铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为存在铬或锌等所附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。
另外，例如，中间层可以在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金、铬而构成。由于镍与铜的粘结力高于铬与铜的粘结力，因此在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面发生剥离。另外，期待中间层的镍具有防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层的镍的附着量优选100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中间层的铬的附着量优选5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在将中间层仅设置在单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。
此外，中间层可以通过对载体进行如电镀、无电镀敷及浸渍镀敷之类的湿式镀敷而设置。此外，在载体使用树脂膜的情况下，必须在中间层形成前进行活化处理等用以对载体进行湿式镀敷的预处理。所述预处理只要是可以对树脂膜进行湿式镀敷的处理，则使用任意处理均可，可以使用公知的处理。
＜极薄铜层＞
在中间层上设置极薄铜层。也可以在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层也可以设置在载体的两面。极薄铜层为电解铜层。于此，该所谓电解铜层是指通过电镀(电解镀敷)所形成的铜层。极薄铜层可以通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，就以一般的电解铜层使用，且能够在高电流密度下形成铜箔来说，优选硫酸铜浴。本发明的通过重量法测得的极薄铜层的厚度被控制为1.5μm以下。通过这种构成，可以使用该极薄铜层形成极微细的电路。本发明的通过重量法测得的极薄铜层的厚度优选1.2μm以下，更优选1.1μm以下，更优选1.0μm以下，更优选未达1.0μm，更优选0.9μm以下，更优选0.8μm以下，更优选0.7μm以下，更优选0.65μm以下，更优选0.60μm以下，更优选0.55μm以下，更优选0.50μm以下，更优选0.45μm以下，更优选0.40μm以下。如果本发明的通过重量法测得的极薄铜层的厚度过小，则有可能产生难以操作的问题，因此优选0.01μm以上，优选0.05μm以上，优选0.10μm以上，更优选0.15μm以上。本发明的通过重量法测得的极薄铜层的厚度典型来说为0.01～1.00μm，典型来说为0.05～0.95μm，更典型来说为0.15～0.85μm。
本发明的极薄铜层是通过极薄铜层的厚度而将针孔个数控制为以下范围内。通过这种构成，即使形成微细电路，也良好地抑制断线产生。
本发明的极薄铜层在一态样中，极薄铜层的厚度为1.5μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且5个/m2以下，优选0个/m2以上且4个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在另一态样中，极薄铜层的厚度小于1.0μm，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且10个/m2以下，优选0个/m2以上且9个/m2以下，更优选0个/m2以上且8个/m2以下，更优选0个/m2以上且7个/m2以下，更优选0个/m2以上且6个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.9μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且15个/m2以下，优选0个/m2以上且13个/m2以下，更优选0个/m2以上且11个/m2以下，更优选0个/m2以上且10个/m2以下，更优选0个/m2以上且7个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.8μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且17个/m2以下，优选0个/m2以上且15个/m2以下，更优选0个/m2以上且13个/m2以下，更优选0个/m2以上且11个/m2以下，更优选0个/m2以上且9个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.7μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且20个/m2以下，优选0个/m2以上且18个/m2以下，更优选0个/m2以上且16个/m2以下，更优选0个/m2以上且14个/m2以下，更优选0个/m2以上且12个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.65μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且20个/m2以下，优选0个/m2以上且18个/m2以下，更优选0个/m2以上且16个/m2以下，更优选0个/m2以上且14个/m2以下，更优选0个/m2以上且12个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.60μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且23个/m2以下，优选0个/m2以上且20个/m2以下，更优选0个/m2以上且17个/m2以下，更优选0个/m2以上且14个/m2以下，更优选0个/m2以上且11个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.55μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且25个/m2以下，优选0个/m2以上且22个/m2以下，更优选0个/m2以上且19个/m2以下，更优选0个/m2以上且16个/m2以下，更优选0个/m2以上且13个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.50μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且27个/m2以下，优选0个/m2以上且24个/m2以下，更优选0个/m2以上且21个/m2以下，更优选0个/m2以上且18个/m2以下，更优选0个/m2以上且15个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.45μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且30个/m2以下，优选0个/m2以上且27个/m2以下，更优选0个/m2以上且24个/m2以下，更优选0个/m2以上且21个/m2以下，更优选0个/m2以上且18个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
本发明的极薄铜层在又一态样中，极薄铜层的厚度为0.40μm以下，且极薄铜层的针孔个数被控制为0个/m2以上且30个/m2以下，优选0个/m2以上且27个/m2以下，更优选0个/m2以上且24个/m2以下，更优选0个/m2以上且21个/m2以下，更优选0个/m2以上且18个/m2以下，更优选0个/m2以上且5个/m2以下，更优选0个/m2以上且3个/m2以下，更优选0个/m2以上且2个/m2以下，更优选0个/m2以上且1个/m2以下。
＜粗化处理及其他表面处理＞
在极薄铜层及载体的至少一表面或两表面，也可以通过实施粗化处理而设置粗化处理层。通过设置粗化处理层，具有以下优点，在积层附载体铜箔与树脂基板时，树脂基板与极薄铜层或载体的密接强度提高，树脂基板与极薄铜层或载体不易剥离。该粗化处理层也可以使用公知方法而设置。粗化处理例如可以通过以铜或铜合金形成粗化粒子而进行。就形成微间距的观点来说，粗化处理层优选由微细粒子构成。关于形成粗化粒子时的电镀条件，如果提高电流密度，降低镀敷液中的铜浓度，或增大库仑量，则有粒子微细化的倾向。粗化处理层也可以为由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的合金所构成的层等。另外，在由铜或铜合金形成粗化粒子后，也可以进一步进行以镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。之后，可以由镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可以进一步对其表面通过铬酸盐处理、硅烷偶联剂处理等处理施以铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层。此外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联剂处理层也可以分别以多层形成(例如2层以上、3层以上等)。
于此，所谓铬酸盐处理层是指通过含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(也可以为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可以列举通过铬酸酐或二铬酸钾水溶液进行处理过的铬酸盐处理层、或通过含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液进行处理过的铬酸盐处理层等。
此外，在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层时，具有以下优点，将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易剥离。如上所述，通过在极薄铜层或载体的表面的粗化处理层上进一步形成耐热层等表面处理层，可以良好地抑制来自极薄铜层或载体的铜等元素扩散至积层的树脂基材，与树脂基材积层时的热压接的密接性提高。
作为耐热层、防锈层，可以使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，也可以为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素所组成的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可以包含含有所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可以为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可以为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可以为除不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％的层。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量也可以为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，优选20～100mg/m2。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层的情况下，通孔或导孔等内壁部与去污液接触时，铜箔与树脂基板的界面不易被去污液腐蚀，铜箔与树脂基板的密接性提高。
例如耐热层及/或防锈层也可以为依序积层了附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层的层，所述镍合金层也可以由镍-钼合金、镍-锌合金、镍-钼-钴合金、镍-锡合金中的任一种构成。
所述硅烷偶联剂处理层可以使用公知的硅烷偶联剂而形成，也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等而形成。此外，这种硅烷偶联剂也可以混合2种以上而使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联剂处理层。
硅烷偶联剂处理层宜在以硅原子换算计为0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围设置。在所述范围的情况下，可以进一步提高基材树脂与表面处理铜箔的密接性。
另外，可以对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联剂处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号所记载的表面处理。
＜附载体铜箔的制造方法＞
接下来，对本发明的附载体铜箔的制造方法进行说明。为了制造本发明的附载体铜箔，必须满足以下所有的4种制造条件。
(1)一边用滚筒支撑载体并且以辊对辊搬送方式进行搬送，一边通过电解镀敷形成中间层(也称为剥离层)、极薄铜层。
(2)载体的设置极薄铜层的一侧的、依据JIS B0601-2001通过非接触式粗糙度测试仪进行测定时的表面粗糙度Rt为1.5μm以下。
(3)在各电解镀敷期间的搬送中途无干燥步骤。
(4)用来形成极薄铜层的电解液含有光泽剂。
关于(1)：
图1是表示本发明的实施方式的附载体铜箔的制造方法的运箔方式的示意图。本发明的实施方式的附载体铜箔的制造方法是通过对以辊对辊搬送方式沿长度方向搬送的长条状载体的表面进行处理，而制造具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层的附载体铜箔。本发明的实施方式的附载体铜箔的制造方法包含以下步骤：一边用滚筒支撑由搬送辊搬送的载体，一边通过电解镀敷在载体表面形成极薄铜层；一边用滚筒支撑形成有中间层的载体，一边通过电解镀敷在中间层表面形成极薄铜层；及一边用滚筒支撑载体，一边通过电解镀敷在极薄铜层表面形成粗化粒子层。各步骤中，被滚筒支撑的载体的处理面兼作阴极，在该滚筒和以与滚筒对向的方式设置的阳极之间的镀敷液中进行各电解镀敷。这样，一边用滚筒支撑载体并且以辊对辊搬送方式进行搬送，一边通过电解镀敷形成中间层、极薄铜层，由此，电解镀敷中的阳极-阴极间的极间距离稳定。因此，能够良好地抑制所形成的层的厚度不均，精度良好地制作如本发明般的超极薄铜层。另外，如果通过使电解镀敷中的阳极-阴极间的极间距离稳定而良好地抑制形成在载体表面的中间层的厚度不均，则也会同样地抑制Cu从载体向极薄铜层扩散。因此，良好地抑制极薄铜层中的针孔产生。
另外，作为用滚筒进行支撑以外的方法，也有如下对策：在形成极薄铜层时的制造装置中，将搬送辊与搬送辊之间的距离缩短，进而将搬送张力设为通常的3～5倍左右而形成极薄铜层。其原因在于，通过导入支撑辊等，而将搬送辊与搬送辊之间的距离缩短(例如为800～1000mm左右)，进而通过将搬送张力设为通常的3～5倍左右，使载体的位置稳定，阳极-阴极间的极间距离稳定。通过使极间距离稳定，可以使阳极与阴极的距离比通常小。
此外，如果以溅镀或无电镀敷形成而非以滚筒方式形成，则用来维持装置的运转成本、或溅镀靶、镀敷液的化学液等的成本高，因此存在制造成本高的问题。
关于(2)：
另外，关于载体的极薄铜层侧的表面，依据JIS B0601-2001利用非接触式粗糙度测试仪进行测定时的Rt为1.5μm以下。由此，用于在载体表面形成中间层、极薄铜层的电解镀敷时的阳极-阴极间的极间距离也稳定。载体的极薄铜层侧的表面的所述Rt更优选1.2μm以下，进一步更优选1.0μm以下。但是，如果Rt过小，则与树脂的密接力降低，因此优选0.01μm以上，更优选0.1μm以上。
关于(3)：
在本发明的附载体铜箔的制造方法中，在所述各电解镀敷期间的搬送中途并无干燥步骤。一般来说，例如从中间层形成用电镀浴中将中间层搬出后搬入到下一步骤的极薄铜层形成用电镀浴的期间，会接触空气而干燥，但在本发明中，通过对该电镀步骤间的搬送中途的载体中间层、极薄铜层喷洒水或镀敷液等淋浴、或相比通常减弱排液辊的压力、或者加快线速度等来防止干燥。通过这样不使其干燥，可以获得如下效果：防止在中间层或极薄铜层的表面形成氧化膜，从而减少因氧化膜所产生的极薄铜层的针孔。
关于(4)：
在本发明的附载体铜箔的制造方法中，用来形成极薄铜层的电解液含有光泽剂。通过这种构成，能够抑制在极薄铜层产生局部变薄的部位，结果可以制作本发明的超极薄铜层。于此，所谓光泽剂是指带来镀敷表面的光泽化及/或平滑化的物质、化合物或元素或离子。另外，极薄铜层优选由光泽铜镀层形成。所谓光泽铜镀层，例如指表面的60度光泽度在TD(载体的宽度方向)上为75％以上的镀层(当对极薄铜层表面进行了粗化处理等表面处理时，通过测定将极薄铜层从附载体铜箔剥离后的极薄铜层的载体侧表面的光泽度，也可以测定极薄铜层表面的光泽度)。作为光泽铜镀层，可以使用公知的光泽铜镀层。另外，例如可以使用以下的光泽铜镀层(a)光泽硫酸铜镀层、(b)光泽焦磷酸铜镀层、(c)光泽氰化铜镀层或(d)光泽氨基磺酸铜镀层。
(a)光泽硫酸铜镀层
所谓硫酸铜镀层是指使用含有硫酸与铜离子的镀浴而形成的镀层。例如可以使用以下的光泽硫酸铜镀浴而形成光泽硫酸铜镀层。
作为光泽剂，优选含有以下的(i)、(ii)、及(iii)或(iv)，更优选含有以下的(i)～(iv)这4种。
(i)卤化物离子(配向控制剂，具有吸附于铜表面的功能)Cl-、Br-、I-等
(ii)含硫有机化合物(增亮剂)
铜的析出反应促进剂、SPS(双(3-磺丙基)二硫醚)、DMTD(二巯基噻二唑)、硫脲、具有1个以上巯基的化合物、硫醇、硫醚类(硫醚、二硫醚、三硫醚等具有(R-(S)n-R')结构的化合物；于此，n为1～10的整数，R、R'为含有选自由碳、氢、硫、氮、氧所组成的群中的一种以上元素的基；R与R'可以具有相同的结构)
另外，也可以使用日本特开2004-107786所记载的以下的含硫有机化合物。
·下述通式(X1)或(X2)所表示的含硫有机化合物
X-R1-(S)n-R2-YO3Z1 (X1)
R4-S-R3-SO3Z2 (X2)
(通式(X1)及(X2)中，R1、R2、及R3为碳数1～8的烷撑，R4选自由氢、下述通式(X3～X6)所组成的一群中，X选自由氢、磺酸基、膦酸基、磺酸或膦酸的碱金属盐基或铵盐基所组成的一群中，Y为硫或磷中的任一个，Z1及Z2为氢、钠、钾中的任一个，n为2或3)
Figure BDA0000907615250000151
作为所述含硫有机化合物，也可以使用以下化合物。
选自有机磺酸及这些的盐、通式R'-(S)n-R-SO3M所表示的多硫化化合物(其中，M为碱金属或铵离子；R独立地为1～10个碳原子的二价脂肪族或芳香族非杂环式基；R'为氢、金属阳离子、1～20个碳原子的一价脂肪族或芳香族有机基、或-R-SO3M或R-(S)q-RSO3M基；n与q为2～5的整数)、含有-S-CH2O-R-SO3M团的磺基甲缩醛烷基硫化物(其中，M为碱性阳离子；R为含有3～8个碳原子的烷基)中的1种或2种以上含硫有机化合物。
另外，作为所述含硫有机化合物，也可以使用以下化合物。
选自硫脲及其衍生物、硫卡巴腙酸衍生物、脱氢硫对甲苯胺及其衍生物、通式(A)的杂环式化合物及其互变异构物(其中，X为S、O、N中的任一原子；Y为具有1～20个碳原子的有机基)、通式(B)或(C)所表示的多硫化烷撑化合物(其中，R1、R2为烷基或氢；R3为芳香族、杂环式或脂环式基、或这些的烷基衍生物)中的1种或2种以上含硫及氮的有机化合物。
Figure BDA0000907615250000152
(iii)含氮有机化合物(调平剂)
含氮有机化合物是铜的析出反应抑制剂，抑制铜在凸部析出，促进铜在凹部析出。也可以使用胺化合物等、Janus Green B等染料，例如也可以使用日本特开2004-107786、日本特开2004-137588所记载的以下含氮有机化合物。
·下述通式(D)所记载的具有特定骨架的胺化合物(通式(D)中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基，A表示环氧化合物残基，n表示1以上的整数)
Figure BDA0000907615250000161
·所述具有特定骨架的胺化合物的环氧化合物残基A也可以具有线状醚键。
所述具有特定骨架的胺化合物也可以含有下述通式(E)～(L)中的任一个。(通式(E)～(L)中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)。
Figure BDA0000907615250000162
Figure BDA0000907615250000171
·也可以为下述通式(M)所表示的具有特定骨架的四级胺化合物。(通式(M)中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、及烷基所组成的一群中的基，R3表示苄基、烯丙基、或烷基，A表示环氧化合物残基，X1 -表示Cl-、Br-、或CH3SO4 -，n表示1以上的整数)。
Figure BDA0000907615250000172
所述具有特定骨架的四级胺化合物的环氧化合物残基A也可以具有线状醚键。
·所述具有特定骨架的四级胺化合物也可以为下述通式(N)～(U)中的任一个。(通式(N)～(U)中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、及烷基所组成的一群中的基，R3表示苄基、烯丙基、或碳数1～5的烷基，X1 -表示Cl-、Br-、或CH3SO4 -)。
Figure BDA0000907615250000181
Figure BDA0000907615250000191
另外，作为所述含氮有机化合物，也可以使用以下化合物。
选自烯丙基胺类、芳烷基胺类、烷芳基胺类、环式脂肪式胺类、通式R-CO-NH2所表示的酸酰胺(其中，R为脂肪族或芳香族的单体或聚合物的烃基)、烷基化聚烷撑亚胺类(聚烷撑亚胺与表卤醇及烷基化剂的反应生成物)、偶氮染料、酞菁染料、聚合物二甲基苯基吡唑酮化合物中的1种或2种以上的含氮有机化合物。
(iv)高分子化合物(抑制因子、载体、抑制剂)(优选分子量100～10000，在与卤化物离子的共存下在范围广泛的电流密度范围抑制铜的析出反应的化合物)
可以列举以下的非离子性界面活性剂、聚乙二醇、动物胶、明胶等。
非离子性界面活性剂
·酯型非离子性界面活性剂
甘油脂肪酸酯(RCOOCH2CH(OH)CH2OH)
山梨醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯
醚型非离子性界面活性剂
·脂肪醇乙氧基化物(RO(CH2CH2O)nH)[也称为烷基聚乙二醇]
聚氧乙烯烷基苯醚(RC6H4O(CH2CH2O)nH)
Triton X100(辛苯昔醇)、壬苯醇醚-9(壬基苯酚乙氧基化物的一种)
·烷基糖苷(RC6H11O6)
此外，所述R是含有选自由碳、氢、硫、氮、氧所组成的群中的一种以上的元素的基、或氢、卤素元素。例如烃基、烷基等。
另外，所述高分子化合物也可以为选自平均分子量300～1000000的聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧乙烯油醚、聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯壬基苯醚中的1种或2种以上的聚醚化合物。
(镀浴)
铜浓度：80～120g/L
硫酸浓度：80～120g/L
氯化物离子浓度：20～100ppm
含硫有机化合物：双(三磺丙基)二硫醚：10～30ppm
含氮有机化合物：胺化合物1：10～30ppm
此外，作为胺化合物1，也可以使用下述胺化合物。
Figure BDA0000907615250000201
(所述化学式中，R1及R2是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)
电解液温度：50～80℃
电流密度：100A/dm2
也可以将铜金属镶嵌镀敷或填孔镀敷所使用的添加剂用作光泽剂。
(b)光泽焦磷酸铜镀层
所谓焦磷酸铜镀层是指使用含有焦磷酸与铜离子的镀浴而形成的镀层。
而且，光泽焦磷酸铜镀层的镀浴必须含有氨水与含硫有机化合物(铜的析出反应促进剂、增亮剂)。
于此，氨具有提高镀层的光泽的功能。
此外，作为含硫有机化合物，可以使用光泽硫酸铜镀层的说明中所述的含硫有机化合物。
作为光泽焦磷酸铜镀层的镀浴，可以使用以下镀浴。
·焦磷酸铜Cu2P2O7·3H2O：80～115g/L
·焦磷酸钾K2P2O7：250～400g/L
(此外，优选将镀浴中的P2O7/Cu的质量比设为6.5～8.5)
·铜：15～55g/L
·氨水：1～3mL/L(氨浓度：20～30质量％)
·含硫有机化合物(DMTD(2,5-二巯基-1,2,4-噻二唑)等)：适量(1～3000质量ppm)
·电流密度：0.1～4.5A/dm2
·温度：40～70℃
·pH值：8.0～9.0
(c)光泽氰化铜镀层
作为光泽氰化铜镀层的镀浴，可以使用以下镀浴。
·氰化铜(CuCN)：20～120g/L
·***(NaCN)：30～135g/L
·氢氧化钠(NaOH)：0～40g/L(在氰化铜浓度低为20～30g/L的情况下无需添加)
·游离***：5～15g/L
·电流密度：0.1～3A/dm2(在氰化铜浓度低的情况下设定得低，在氰化铜浓度高的情况下设定得高)
·温度：30～85℃(在氰化铜浓度低的情况下设定得低，在氰化铜浓度高的情况下设定得高)
·使镀层产生光泽的添加剂
另外，光泽氰化铜镀层的镀浴中必须具有选自由以下的(1)、(2)、(3)所组成群中的1种以上的添加剂。
(1)***钠、***、乙酸铅
(2)光泽化剂(通过铜析出来减少金属表面的微小凹凸，有助于光泽化的化合物)含硫化合物：硫氰酸盐(硫氰酸钾等)、黄原酸盐、硫代硫酸盐
(3)平滑化剂(通过铜析出来减少比光泽化剂所帮助的微小凹凸相对较大的凹凸，有助于平滑化的化合物)酒石酸盐(酒石酸铅等)、界面活性剂(也可以使用公知的界面活性剂、所述光泽硫酸铜镀层的说明所记载的非离子性界面活性剂)
(d)光泽氨基磺酸铜镀层
以下，表示氨基磺酸铜预镀浴的例子。
·氨基磺酸铜Cu(NH2SO3)·4H2O：200～550g/l
·氨基磺酸：10～50g/L
·光泽剂：可以使用与光泽硫酸铜镀层相同的光泽剂。
·电流密度：1～15A/dm2
＜印刷配线板及积层体＞
通过将附载体铜箔从极薄铜层侧贴附在绝缘树脂板并进行热压接，剥离载体，可以制作积层体(覆铜积层体等)。另外，之后，通过对极薄铜层部分进行蚀刻，可以形成印刷配线板的铜电路。于此使用的绝缘树脂板只要是具有可应用于印刷配线板的特性的树脂板，则无特别限制，例如在用于刚性PWB时可以使用纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布·纸复合基材环氧树脂、玻璃布·玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，在用于FPC时可以使用聚酯膜或聚酰亚胺膜等。这样制作的印刷配线板、积层体可以搭载于要求搭载零件的高密度安装的各种电子零件。
此外，本发明中，“印刷配线板”也包含装设了零件的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。也可以使用这种印刷配线板来制造电子机器。此外，本发明中，“铜电路”也包含铜配线。
另外，附载体铜箔可以在极薄铜层上具备粗化处理层，也可以在所述粗化处理层上具备一层以上选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的层。
另外，可以在所述极薄铜层上具备粗化处理层，在所述粗化处理层上具备耐热层、防锈层，可以在所述耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，也可以在所述铬酸盐处理层上具备硅烷偶联剂处理层。
另外，也可以在所述极薄铜层及所述载体的至少一表面或两表面具备选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
另外，所述附载体铜箔也可以在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层上、或所述耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶联剂处理层上具备树脂层。
所述树脂层可为粘结剂，也可以为粘结用半硬化状态(B-阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B-阶段状态)，包含即使以手指接触其表面也没有粘附感，可以将该绝缘树脂层重叠而进行保管，进而当受到加热处理时会产生硬化反应的状态。
又，所述树脂层可以包含热硬化性树脂，也可以为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可以包含热塑性树脂。所述树脂层可以包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。另外，所述树脂层也可以使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。
另外，所述树脂层的种类并无特别限定，例如，作为优选树脂，可以列举包含选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨酯树脂、聚醚砜(也称为polyethersulfone、polyethersulphone)、聚醚砜(也称为polyethersulfone、polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可以进行交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上的树脂。
另外，所述环氧树脂只要是在分子内具有2个以上环氧基且可以用于电气/电子材料用途的环氧树脂，则可以无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用在分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而得的环氧树脂。另外，可以将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(溴化)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上进行混合而使用，或者可以使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。
作为所述含磷环氧树脂，可以使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选作为来自在分子内具备2个以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物获得的环氧树脂。
(树脂层包含电介质(电介质填料)的情况)
所述树脂层也可以包含电介质(电介质填料)。
在所述任一树脂层或树脂组成物包含电介质(电介质填料)的情况下，可以用于形成电容器层的用途，增大电容器电路的电容。该电介质(电介质填料)是使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。
将所述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤剂、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，并将其通过例如辊式涂布法等而涂布于所述附载体铜箔的极薄铜层侧的表面，接着视需要进行加热干燥而去除溶剂，成为B阶段状态。干燥只要使用例如热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃即可。也可以使用溶剂将所述树脂层的组成物溶解，制成树脂固体成分为3wt％～70wt％、优选3wt％～60wt％、优选10wt％～40wt％、更优选25wt％～40wt％的树脂液。此外，就环境上的见解来说，现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。此外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。
另外，所述树脂层优选依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量处于5％～35％的范围的半硬化树脂膜。
本申请的说明书中，所谓树脂溢流量，是指依据MIL标准中的MIL-P-13949G，从将树脂厚度设为55μm的附树脂表面处理铜箔取样4片10cm见方的试样，在将该4片试样重叠的状态(积层体)下，在加压温度171℃、加压压力14kgf/cm2、加压时间10分钟的条件下进行贴合，测定此时的树脂流出重量，根据所述结果基于下述式而算出的值。
Figure BDA0000907615250000251
具备所述树脂层的表面处理铜箔(附树脂表面处理铜箔)是以如下形态使用，即，在将其树脂层重叠于基材后，对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，将载体剥离而使极薄铜层露出(当然，露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，从表面处理铜箔的与经粗化处理的一侧为相反侧的表面形成特定的配线图案。
如果使用该附树脂表面处理铜箔，则可以减少制造多层印刷配线基板时预浸料材料的使用数量。并且，即使将树脂层的厚度设为如可以确保层间绝缘般的厚度、或完全不使用预浸料材料，也可以制造覆铜积层体。另外，此时也可以在基材表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸料材料的情况下，具有如下优点：节约预浸料材料的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，因此经济上有利，并且相应于预浸料材料的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可以制造1层的厚度为100μm以下的极薄多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选0.1～500μm，更优选0.1～300μm，更优选0.1～200μm，更优选0.1～120μm。
如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则有粘结力降低，不介隔预浸料材料而将该附有树脂的附载体铜箔积层于具备内层材的基材时，难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。另一方面，如果树脂层的厚度厚于120μm，则有难以通过1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，花费多余的材料费与步骤数，因此经济上变得不利的情况。
此外，在将具有树脂层的附载体铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板的情况下，将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选0.5μm～5μm、更优选1μm～5μm时，使多层印刷配线板的厚度减小，因此优选。
此外，在将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情况下，为了提高树脂层与附载体铜箔的密接性，优选在极薄铜层上设置耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及/或硅烷偶联剂处理层后，在该耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶联剂处理层上形成树脂层。
此外，所述树脂层的厚度是指在任意10点通过剖面观察测得的厚度的平均值。
而且，作为该附有树脂的附载体铜箔的另一种制品形态，也可以在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层、所述耐热层、所述防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶联剂处理层上以树脂层被覆，成为半硬化状态后，继而将载体剥离，以不存在载体的附树脂铜箔的形式进行制造。
＜印刷配线板的制造方法＞
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；及在将所述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，之后，通过半加成法、改良型半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法来形成电路。绝缘基板也可以设为装入有内层电路的绝缘基板。
在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；
通过蚀刻去除所述极薄铜层，在由此露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；
在所述无电镀层上设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光，之后，将形成电路的区域的抗蚀剂去除；
在所述抗蚀剂被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；
将所述抗蚀剂去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层去除。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；
通过蚀刻去除所述极薄铜层，对由此露出的所述树脂的表面设置无电镀层；
在所述无电镀层上设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光，之后，将形成电路的区域的抗蚀剂去除；
在所述抗蚀剂被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；
将所述抗蚀剂去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除。
本发明中，所谓改良型半加成法，是指在绝缘层上积层金属箔，通过抗蚀剂保护非电路形成部，通过电解镀敷进行电路形成部的铜层加厚后，去除抗蚀剂，并通过(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀剂；
在设置所述抗蚀剂后，通过电解镀敷形成电路；
将所述抗蚀剂去除；及
通过快速蚀刻，将通过去除所述抗蚀剂而露出的极薄铜层去除。
在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置抗蚀剂；
对所述抗蚀剂进行曝光，之后，将形成电路的区域的抗蚀剂去除；
在所述抗蚀剂被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；
将所述抗蚀剂去除；及
通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除。
在本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法，对设置导体层而成的基板、视需要贯穿通孔或导通孔(via hole)用孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂或抗蚀剂后，通过无电镀敷处理对所述导体电路上、通孔或导通孔等进行加厚，由此制造印刷配线板。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除，形成电路；
将所述抗蚀涂层去除；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除而露出的所述绝缘基板表面，设置阻焊剂或抗蚀剂；及
在未设置所述阻焊剂或抗蚀剂的区域设置无电镀层。
在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆铜积层体上的铜箔的无用部分选择性地去除而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；
在所述无电镀层的表面设置电解镀层；
在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层及所述电解镀层去除，形成电路；及
将所述抗蚀涂层去除。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包含以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；
在剥离所述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；
在所述无电镀层的表面形成掩模；
在未形成掩模的所述无电镀层的表面设置电解镀层；
在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀涂层；
对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层去除，形成电路；及
将所述抗蚀涂层去除。
也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及之后的去污步骤。
于此，使用附图，对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。此外，于此列举了形成粗化处理层的例子，但并无特别限定，也可以制造未形成粗化处理层等表面处理层的附载体铜箔。
首先，如图2-A所示，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
接着，如图2-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻成特定的形状。
接着，如图2-C所示，在形成电路用镀层后将抗蚀剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。
接着，如图3-D所示，以覆盖电路镀层的方式(以掩埋电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而将另一附载体铜箔(第2层)从极薄铜层侧进行粘结。
接着，如图3-E所示，从第2层附载体铜箔剥离载体。
接着，如图3-F所示，对树脂层的特定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。
接着，如图4-G所示，在盲孔埋入铜，形成填孔。
接着，如图4-H所示，在填孔上，如所述图2-B及图2-C般形成电路镀层。
接着，如图4-I所示，从第1层附载体铜箔剥离载体。
接着，如图5-J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除，使树脂层内的电路镀层的表面露出。
接着，如图5-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
如果使用本发明的附载体铜箔进行如上所述的埋入法，则由于极薄铜层薄，因此用于使埋入电路露出的蚀刻在短时间内便完成，生产性飞跃性地提高。
所述另一附载体铜箔(第2层)可以使用本发明的附载体铜箔，也可以使用以往的附载体铜箔，进而也可以使用通常的铜箔。另外，也可以在图4-H所示的第2层电路上进一步形成1层或多层电路，可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法进行这些电路形成。
如果使用本发明的附载体铜箔进行半加成法或改良型半加成法，则由于极薄铜层薄，因此快速蚀刻在短时间内便完成，生产性飞跃性地提高。
另外，所述用于第1层的附载体铜箔也可以在该附载体铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板或树脂层，用于第1层的附载体铜箔受到支撑，不易产生褶皱，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板只要具有支撑所述用于第1层的附载体铜箔的效果，则可以使用所有的基板。例如作为所述基板，可以使用本申请的说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。
在载体侧表面形成基板的时刻并无特别限制，但必须在剥离载体之前形成。尤其优选在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤之前形成，更优选在附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的步骤之前形成。
此外，埋入树脂(resin)可以使用公知的树脂、预浸料。例如，可以使用BT(双顺丁烯二酰亚胺三嗪)树脂或含浸有BT树脂的玻璃布即预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(resin)可以使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。
本发明的附载体铜箔优选被控制为，将极薄铜层表面的白色板(将光源设为D65、且设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色***(JIS Z87011999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，L*a*b*表色***中的该白色板的物体色为L*＝94.14、a*＝-0.90、b*＝0.24)的物体色作为基准色的情况下且基于JISZ8730的色差ΔE*ab满足45以上。所述色差ΔE*ab优选50以上，更优选55以上，进一步更优选60以上。如果所述极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上，则例如在附载体铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度鲜明，结果，视认性变得良好，可以精度良好地进行电路的位置对准。本发明中所谓“极薄铜层表面的色差”是表示极薄铜层表面的色差、或在设置了粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层或硅烷偶联剂处理层等各种表面处理层的情况下该表面处理层表面(最表面)的色差。
于此，所述色差ΔE*ab是以下述式表示。于此，下述式中的色差ΔL、Δa、Δb分别是利用色差计进行测定，加入黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JIS Z8730(2009)的L*a*b*表色***而表示的综合指标，以ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝的形式表示。该色差(ΔL、Δa、Δb)可以使用HunterLab公司制造的色差计MiniScan XE Plus进行测定。此外，色差ΔL、Δa、Δb分别是将所述白色板的物体色作为基准色的情况下极薄铜层表面的基于JISZ8730(2009)的色差，且ΔL是JIS Z8729(2004)所规定的L*a*b*表色***中的两种物体色的CIE亮度L*的差，Δa、Δb是JIS Z8729(2004)所规定的L*a*b*表色***中的两种物体色的色座标a*或b*的差。
Figure BDA0000907615250000311
所述色差可以通过提高极薄铜层形成时的电流密度，降低镀敷液中的铜浓度，并提高镀敷液的线流速而调整。
另外，所述色差也可以通过对极薄铜层表面实施粗化处理而设置粗化处理层而进行调整。在设置粗化处理层的情况下，可以通过使用含有铜及选自由镍、钴、钨、钼所组成的群中的一种以上元素的电解液，相比以往提高电流密度(例如40～60A/dm2)且缩短处理时间(例如0.1～1.3秒)而进行调整。在极薄铜层的表面未设置粗化处理层的情况下，可以通过如下方式达成，即，使用将Ni浓度设为其他元素的2倍以上的镀浴，在比以往低的电流密度(0.1～1.3A/dm2)且延长处理时间(20秒～40秒)的条件下，在极薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶联剂处理层的表面设定Ni合金镀层(例如Ni-W合金镀层、Ni-Co-P合金镀层、Ni-Zn合金镀层)而进行处理。
另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可以为包含以下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯加工法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；在与所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或与所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面，设置树脂层与电路这2层至少1次；及在形成所述树脂层及电路这2层后，从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。关于该无芯加工法，作为具体例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板进行积层而制造积层体。之后，在与树脂基板积层的极薄铜层侧表面或与所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以在形成在载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层，进而从载体侧或极薄铜层侧积层另一附载体铜箔。另外，也可以将如下积层体用于所述印刷配线板的制造方法(无芯加工法)，所述积层体具有以树脂基板为中心在该树脂基板的两表面侧以载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔的构成或具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层的构成。继而，也可以在该积层体两端的极薄铜层或载体露出的表面设置另一树脂层，进而设置铜层或金属层后，对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。而且，也可以在该电路上以埋入该电路的方式设置另一树脂层。另外，也可以进行1次以上这种电路及树脂层的形成(堆积加工法)。而且，关于这样形成的积层体(以下也称为积层体B)，可将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。此外，制作所述无芯基板也可以使用2个附载体铜箔，制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并使用该积层体作为中心。可以在这些积层体(以下也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面设置树脂层及电路这2层1次以上，并在设置树脂层及电路这2层1次以上后，将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。所述积层体也可以在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。此外，本说明书中，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”设为如下概念，当极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层时包含该其他层的表面(最表面)。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，使用该积层体制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置有极薄铜层，因此容易使用改良型半加成法在无芯基板上形成电路。另外，其原因在于，由于极薄铜层的厚度薄，因此容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后容易使用半加成法在无芯基板上形成电路。
此外，本说明书中，“积层体A”或“积层体B”与未特别记载的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。
此外，在所述无芯基板的制造方法中，通过将附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部以树脂覆盖，在利用堆积加工法制造印刷配线板时可以防止化学液渗入到中间层或构成积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，可以防止因化学液渗入所导致的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，可以提高产率。作为于此所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可以使用能够用于树脂层的树脂。另外，在所述无芯基板的制造方法中，也可以在附载体铜箔或积层体中将俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分以树脂或预浸料覆盖。另外，所述无芯基板的制造方法中所形成的积层体(积层体A)也可以构成为使一对附载体铜箔能够相互分离地进行接触。另外，也可以在该附载体铜箔中遍及俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体地以树脂或预浸料覆盖。通过设为这种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料覆盖，可以防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向来自侧面的方向发生碰撞，结果可减少操作中的载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不使附载体铜箔或积层体的积层部分的外周露出的方式利用树脂或预浸料进行覆盖，可以防止如上所述的化学液处理步骤中化学液渗入至该积层部分的界面，可以防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，从积层体的一对附载体铜箔分离一个附载体铜箔时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，必须通过切断等将被树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)去除。
也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可以是所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面视需要经由粘结剂直接积层而获得的积层体。另外，也可以将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。于此，在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，该“接合”也包含介隔该表面处理层而相互接合的形态。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可以被树脂覆盖。
载体彼此的积层除了单纯地重叠以外，例如可以通过以下方法进行。
(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨·惰性气体)焊接、MIG(金属·惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超声波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；
(b)机械接合方法：铆接、利用铆钉的接合(利用自冲铆接机的接合、利用铆钉的接合)、缝合机；
(c)物理接合方法：粘结剂、(两面)粘附带
通过使用所述接合方法将一载体的一部分或全部与另一载体的一部分或全部接合，可以制造一载体与另一载体积层且使载体彼此可分离地进行接触而构成的积层体。在将一载体与另一载体较弱地接合而积层一载体与另一载体的情况下，即使不去除一载体与另一载体的接合部，也可以将一载体与另一载体分离。另外，在将一载体与另一载体较强地接合的情况下，通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等将一载体与另一载体接合的部位去除，可以将一载体与另一载体分离。
另外，可以通过实施以下步骤而制作印刷配线板，即，在这样构成的积层体设置树脂层与电路这2层至少1次；及在形成所述树脂层及电路这2层至少1次后，从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或载体。此外，也可以在该积层体的一个或两个表面设置树脂层与电路这2层。
所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可为本说明书所记载的树脂层，也可以包含本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。此外，附载体铜箔可在俯视时比树脂或预浸料小。
[实施例]
以下，通过本发明的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例任何限定。
1.附载体铜箔的制造
作为载体，准备表1、4所记载的厚度的长条的铜箔或铝箔或聚酰亚胺膜。表中的“电解铜箔”是使用JX日矿日石金属公司制造的电解铜箔，“压延铜箔”是使用JX日矿日石金属公司制造的精铜箔(JIS-H3100-C1100)，“铝箔”是使用市售的JIS H41601994合金编号1N30的铝箔。“聚酰亚胺膜”是使用如下聚酰亚胺膜，即，针对聚酰亚胺膜(Kaneka股份有限公司制造的Apical NPI)，在含有3mol/L的肼一水合物与3mol/L的氢氧化钠的25℃的水溶液中浸渍60秒钟而使表面为亲水性，之后利用25℃的1mol/L的氢氧化钠水溶液进行30秒钟浸渍处理而得。
另外，依据JIS B0601-2001，使用非接触式粗糙度测定机(Olympus制造的LEXTOLS 4000)在以下测定条件下预先测定载体的设置极薄铜层的一侧的表面粗糙度Rt。另外，依据JIS B0601-1994，使用非接触式粗糙度测定机(Olympus制造的LEXT OLS 4000)在以下测定条件下预先测定表面粗糙度Rz。
＜测定条件＞
截止值：无
基准长度：257.9μm
基准面积：66524μm2
测定环境温度：23～25℃
对该铜箔的光面，在以下条件下，在辊对辊型的连续线中在以下条件下进行表中所记载的中间层(剥离层)、极薄铜层及粗化粒子层的各形成处理。于此，实施例1～36是以图1所示的搬送方式制作。比较例1～34是如表的装置形态所记载般从滚筒及Z字式中选择性地制作。
(中间层(剥离层)形成)
(A)Z字的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：载体处理面
·极间距离：50mm
·载体搬送张力：0.05kg/mm
(B)利用滚筒的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：支撑于直径100cm滚筒的载体表面
·极间距离：10mm
·载体搬送张力：0.05kg/mm
此外，表中的“中间层(剥离层)形成”栏的“中间层的种类”栏的记载是指以下处理。另外，例如“Ni/有机物”是指在进行镀镍处理后进行有机物处理。
·“Ni”：镀镍
(液体组成)硫酸镍：270～280g/L、氯化镍：35～45g/L、乙酸镍：10～20g/L、柠檬酸三钠：15～25g/L、光泽剂：糖精、丁炔二醇等、十二烷基硫酸钠：55～75ppm
(pH值)4～6
(液温)55～65℃
(电流密度)1～11A/dm2
(通电时间)1～20秒
·“铬酸盐”：电解纯铬酸盐处理
(液体组成)重铬酸钾：1～10g/L
(pH值)7～10
(液温)40～60℃
(电流密度)0.1～2.6A/dm2
(库仑量)0.5～90As/dm2
(通电时间)1～30秒
·“有机物”：有机物层形成处理
通过将浓度1～30g/L的含有羧基苯并***(CBTA)的液温40℃、pH值5的水溶液喷淋20～120秒钟进行喷雾而进行。
·“Ni-Mo”：镍钼合金镀敷
(液体组成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电时间)3～25秒
·“Cr”：镀铬
(液体组成)CrO3：200～400g/L、H2SO4：1.5～4g/L
(pH值)1～4
(液温)45～60℃
(电流密度)10～40A/dm2
(通电时间)1～20秒
·“Co-Mo”：钴钼合金镀敷
(液体组成)硫酸Co：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
(液温)30～80℃
(电流密度)1～4A/dm2
(通电时间)3～25秒
·“Ni-P”：镍磷合金镀敷
(液体组成)Ni：30～70g/L、P：0.2～1.2g/L
(pH值)1.5～2.5
(液温)30～40℃
(电流密度)1.0～10.0A/dm2
(通电时间)0.5～30秒
·“Cr(溅镀)/Cr氧化物”：镀铬+表面氧化
通过Cr溅镀形成10nm的Cr层。之后，在氧气氛围的腔室内对Cr溅镀层进行处理，使表面形成铬氧化物。
·“无电解Ni”：无电镀Ni
在将载体表面进行以下的催化剂活化处理后，进行以下的无电镀Ni。
·催化剂活化处理
(液体组成)氯化钯：0.1～0.3g/L、氯化亚锡10～20g/L、盐酸150～250g/L
(液温)30～40℃
(时间)60～180秒
·无电镀Ni
(浴组成)NiCl2·6H2O：0.08～0.12mol/L、NaH2PO2·H2O：0.08～0.12mol/L、柠檬酸钠：0.16～0.24mol/L
(pH值)6～6.3
(液温)80～85℃
(时间)30～90秒
(极薄铜层形成)
(A)Z字的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：载体处理面
·极间距离：50mm
·电解镀敷液组成(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的浴温(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的电流密度(示于表2、5、7～12)
·载体搬送张力：0.05kg/mm
(B)利用滚筒的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：支撑于直径100cm滚筒的载体表面
·极间距离：10mm
·电解镀敷液组成(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的浴温(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的电流密度(示于表2、5、7～12)
·载体搬送张力：0.05kg/mm
(C)改良后的Z字的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：载体处理面
·极间距离：10mm
·电解镀敷液组成(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的浴温(示于表2、5、7～12)
·电解镀敷的电流密度(示于表2、5、7～12)
·载体搬送张力：0.20kg/mm
·将支撑辊设置在搬送辊间，将极薄铜层形成时的辊间距离设为通常的1/2(800～1000mm左右)。
此外，表中，关于“极薄铜层形成1”、“极薄铜层形成2”的各栏，仅记载了“极薄铜层形成1”的例子是仅进行“极薄铜层形成1”的例子，也记载了“极薄铜层形成2”的例子是在进行“极薄铜层形成1”后，进一步也进行“极薄铜层形成2”的例子。
另外，表11的极薄铜层形成条件No.21的胺化合物4是作为所述通式(F)而记载的胺化合物。另外，表12的极薄铜层形成条件No.23的胺化合物6是作为所述通式(N)而记载的胺化合物。
(粗化处理层形成)
(A)Z字的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：载体处理面
·极间距离：50mm
·载体搬送张力：0.05kg/mm
(B)利用滚筒的运箔方式
·阳极：不溶解性电极
·阴极：支撑于直径100cm滚筒的载体表面
·极间距离(示于表中)
·电解镀敷液组成(Cu：20g/L、H2SO4：50g/L)
·电解镀敷的浴温：40℃
·电解镀敷的电流密度：30A/dm2
·载体搬送张力：0.05kg/mm
表的“粗化处理条件”的“1”及“2”表示以下处理条件。
(1)粗化处理条件“1”
(液体组成)
Cu：10～20g/L
Ni：5～15g/L
Co：5～15g/L
(电镀条件)
温度：25～60℃
电流密度：35～55A/dm2
粗化库仑量：5～50As/dm2
镀敷时间：0.1～1.4秒
(2)粗化处理条件“2”
·电解镀敷液组成(Cu：10g/L、H2SO4：50g/L)
·电解镀敷的浴温：40℃
·电解镀敷的电流密度：20～40A/dm2
·粗化库仑量：2～56As/dm2
·镀敷时间：0.1～1.4秒
(干燥步骤)
另外，关于实施例，在将形成了中间层(剥离层)的载体从电镀浴搬出至搬入到用来形成下一步骤的极薄铜层的电镀浴为止、及形成极薄铜层中途、及将形成了极薄铜层的载体从电镀浴搬出至搬入到用来形成下一步骤的粗化处理层的电镀浴为止的期间，通过使用水或镀敷液喷洒淋浴而不使其干燥。
另一方面，关于表的“中间层形成后极薄铜层形成前的期间的干燥”栏或“极薄铜层形成1”的“干燥”栏或“极薄铜层形成2”的“干燥”栏为“有”的比较例，在该“中间层形成后极薄铜层形成前的期间”、“极薄铜层形成1”、“极薄铜层形成2”中，所述电镀浴～下一步骤的电镀浴的期间的搬送中途不喷洒淋浴，而是通过空气使其自然干燥。
(耐热层形成)
“Cu-Zn”：铜-锌合金镀敷
(液体组成)
NaOH：40～200g/L
NaCN：70～250g/L
CuCN：50～200g/L
Zn(CN)2：2～100g/L
As2O3：0.01～1g/L
(液温)
40～90℃
(电流条件)
电流密度：1～50A/dm2
镀敷时间：1～20秒
“Ni-Zn”：镍-锌合金镀敷
液体组成：镍2～30g/L、锌2～30g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库仑量：1～2As/dm2
“Zn”：镀锌
液体组成：锌15～30g/L
pH值：3～4
液温：30～50℃
电流密度：1～2A/dm2
库仑量：1～2As/dm2
(防锈层形成)
“铬酸盐”：铬酸盐处理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2～10g/L
NaOH或KOH：10～50g/L
ZnOH或ZnSO4·7H2O：0.05～10g/L
pH值：7～13
浴温：20～80℃
电流密度：0.05～5A/dm2
时间：5～30秒
(硅烷偶联剂处理层形成)
将0.1vol％～0.3vol％的3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷水溶液进行喷雾涂布后，在100～200℃的空气中干燥、加热0.1～10秒钟。
2.附载体铜箔的评价
通过以下方法对以所述方式获得的附载体铜箔实施各评价。
＜利用重量法的极薄铜层的厚度的测定＞
在测定附载体铜箔的重量后，剥离极薄铜层，测定载体的重量，将前者与后者的差定义为极薄铜层的重量。
·试样的大小：10cm见方片材(利用加压机进行冲裁而成的10cm见方片材)
·试样的采取：任意3部位
·根据以下式，算出各试样的利用重量法所得的极薄铜层的厚度。
利用重量法所得的极薄铜层的厚度(μm)＝{(10cm见方片材的附载体铜箔的重量(g/100cm2))－(从所述10cm见方片材的附载体铜箔剥离极薄铜层后的载体的重量(g/100cm2))}/铜的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，试样的重量测定是使用可测定至小数点后4位的精密天平。而且，将所获得的重量的测定值直接用于所述计算。
·将3部位的利用重量法所得的极薄铜层的厚度的算术平均值设为利用重量法所得的极薄铜层的厚度。
另外，精密天平是使用AS ONE股份有限公司的IBA-200，加压机是使用oguchi-press股份有限公司制造的HAP-12。
此外，在极薄铜层上形成了粗化处理层等表面处理层的情况下，在形成该表面处理层后进行所述测定。
＜针孔＞
将附载体铜箔的极薄铜层侧的表面贴附于BT树脂(三嗪-双顺丁烯二酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)，在220℃下以20kg/cm2加热压接2小时。接着，将载体侧朝上，一边用手按压附载体铜箔的样品，一边注意切勿不合理地剥离而导致极薄铜层在中途切断并且用手从极薄铜层剥离载体。继而，对BT树脂(三嗪-双顺丁烯二酰亚胺系树脂，三菱瓦斯化学股份有限公司制造)上的极薄铜层表面，将民用照片用背光源作为光源，目视测定大小250mm×250mm的5片样品的针孔数。继而，通过以下式算出每单位面积(m2)的针孔个数。
每单位面积(m2)的针孔个数(个/m2)＝对大小250mm×250mm的5片样品测得的针孔个数的合计(个)/所观察的表面区域的合计面积(5片×0.0625m2/片)
＜配线形成性＞
准备6.25cm见方、厚度100μm的下述树脂基材，将树脂基材与附载体铜箔以附载体铜箔的极薄铜层侧的面与树脂基材接触的方式进行积层加压。积层加压是在加压压力：3MPa、加热温度及时间：220℃×2小时的条件下进行。
使用树脂：Mitsubishi Gas Chemical公司制造的GHPL-830MBT
接着，在将树脂基材上的附载体铜箔的载体剥离后，通过以下的处理步骤及处理条件进行DF(干膜)图案化处理。
·DF层压步骤：使用日立化成公司制造的RY-5325作为DF，在所述微蚀刻面贴合该DF。贴合所使用的层压辊的温度设为110℃，压力设为0.4MPa，旋转速度设为1.0m/分钟。
·DF曝光步骤：使用L(线)/S(间隙)＝21μm/9μm的曝光掩模，介隔该曝光掩模对DF照射光。所使用的DF为负型，光所照射的部分发生光硬化。曝光量设为100mJ/cm2。
·DF显影步骤：通过利用碳酸钠水溶液(显影液)的喷雾蚀刻而进行显影，利用显影液将所述曝光步骤中光未照射到的部位溶解去除。碳酸钠浓度设为1wt/vol％，喷雾压力设为0.16MPa，喷雾器喷雾时间设为36秒。
·水洗步骤：利用喷雾器进行水的喷雾，对显影处理面进行水洗。喷雾压力设为0.16MPa，喷雾器喷雾时间设为36秒。
接着，使用以下镀敷液组成的处理液对极薄铜层表面进行图案铜镀敷。
图案铜镀敷液组成：
·硫酸铜五水合物：100g/L
·硫酸：180g/L
·氯离子：50ppm
·添加剂：JCU股份有限公司制造的CU-BRITE-RF适量
添加剂是用来提高镀敷表面的光泽或平滑性。
接着，利用氢氧化钠溶液进行DF剥离。氢氧化钠浓度设为3wt/vol％，液温设为55℃，处理时间设为5分钟。
接着，在以下条件下对极薄铜层表面进行快速蚀刻。
(蚀刻条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：全锥型
·喷雾压力：0.10MPa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
H2O218g/L
H2SO492g/L
Cu 8g/L
添加剂JCU股份有限公司制造的FE-830IIW3C适量
·处理时间[10～200秒]
对各实施例、比较例评价所述配线形成性时，拍摄上表面外观的光学显微镜照片。光学显微镜照片(倍率：500倍)是对聚焦于配线顶面者、及聚焦于配线底面者分别进行拍摄。将配线的快速蚀刻后的配线间的残渣外观(L/S＝15μm/15μm间距部)的观察照片的例子示于图6。
在聚焦于配线底面时的观察照片中，在配线间的树脂面上的铜残渣的去除完成的时间点测定所形成的配线顶面的宽度，根据以下基准进行评价。
(评价基准)◎◎◎：配线宽度为15.9μm以上，◎◎：配线宽度为15.6μm以上且小于15.9μm，◎：配线宽度为15.3μm以上且小于15.6μm，○○：配线宽度为15μm以上且小于15.3μm，○：配线宽度为10μm以上且小于15μm，×：配线宽度小于10μm
＜断线率＞
通过与各实施例、比较例中评价所述配线形成性时相同的方法，以6.25cm见方的大小(电路长度6cm，线数2000条)形成250个L/S＝15μm/15μm间距的电路后，利用数字万用表对各样品的电路测定电阻值。继而，在将无断线的电路的电阻值设为100的情况下，当利用数字万用表对各样品的电路测得的电阻值为150以上时，判定该样品的电路断线。此外，所述无断线的电路是通过利用光学显微镜(倍率100倍)确认电路全长而进行判定。继而，根据以下式算出断线率。
断线率(％)＝判断为断线的样品数(个)/样品总数250(个)×100
＜生产性＞
在为了形成单位面积(1m2)的附载体铜箔的极薄铜层所需的时间(分/m2)为15分钟以下的情况下，判定为生产性良好，在超过15分钟的情况下，判定为生产性不良。
○：15分钟/m2以下
×：超过15分钟/m2
将实施例及比较例的制作条件及评价结果示于表1～12。
[表1]
Figure BDA0000907615250000451
Figure BDA0000907615250000461
Figure BDA0000907615250000471
[表4]
Figure BDA0000907615250000481
Figure BDA0000907615250000491
Figure BDA0000907615250000501
Figure BDA0000907615250000511
Figure BDA0000907615250000521
Figure BDA0000907615250000531
Figure BDA0000907615250000541
Figure BDA0000907615250000551
Figure BDA0000907615250000561
(评价结果)
实施例1～36的电路形成性均良好，断线率均低。另一方面，比较例1～34的电路形成性及断线率中的至少一个或两个均不良。

Claims (37)

1.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15～0.85μm，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。
2.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度小于1.0μm，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且10个/m2以下。
3.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.9μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且15个/m2以下。
4.根据权利要求2或3所述的附载体铜箔，其中，通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15～0.85μm。
5.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.8μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且17个/m2以下。
6.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.7μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且20个/m2以下。
7.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.65μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且20个/m2以下。
8.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.60μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且23个/m2以下。
9.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.55μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且25个/m2以下。
10.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.50μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且27个/m2以下。
11.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.45μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且30个/m2以下。
12.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层及极薄铜层，
所述极薄铜层为电解铜层，
通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.40μm以下，且所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且30个/m2以下。
13.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.10μm以上。
14.根据权利要求13所述的附载体铜箔，其中，通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15μm以上。
15.根据权利要求2、3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下。
16.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且3个/m2以下。
17.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且2个/m2以下。
18.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且1个/m2以下。
19.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层具有光泽铜镀层。
20.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，所述极薄铜层为光泽铜镀层。
21.根据权利要求2、3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其满足以下(A)～(C)中的任一项目中的两个以上：
(A)：满足以下(A-1)或(A-2)
(A-1)：通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.10μm以上；
(A-2)：通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15μm以上；
(B)：满足以下(B-1)～(B-3)中的任一项
(B-1)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且3个/m2以下；
(B-2)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且2个/m2以下；
(B-3)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且1个/m2以下；
(C)：满足以下(C-1)或(C-2)
(C-1)：所述极薄铜层具有光泽铜镀层；
(C-2)：所述极薄铜层为光泽铜镀层。
22.根据权利要求2、3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其满足以下(D)～(F)所记载的任一项目中的两个以上：
(D)：满足以下(D-1)或(D-2)
(D-1)：通过重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.10μm以上；
(D-2)：通过所述重量法测得的所述极薄铜层的厚度为0.15μm以上；
(E)：满足以下(E-1)～(E-4)中的任一项
(E-1)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且5个/m2以下；
(E-2)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且3个/m2以下；
(E-3)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且2个/m2以下；
(E-4)：所述极薄铜层的针孔个数为0个/m2以上且1个/m2以下；
(F)：满足以下(F-1)或(F-2)
(F-1)：所述极薄铜层具有光泽铜镀层；
(F-2)：所述极薄铜层为光泽铜镀层。
23.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，在根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层及所述载体的至少一表面或两表面，
具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层；或者
在根据权利要求1至3、5至12所述的附载体铜箔在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层的表面，
具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。
24.根据权利要求23所述的附载体铜箔，其在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
25.根据权利要求23所述的附载体铜箔，其中，所述粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上所述单质的合金所构成的层。
26.根据权利要求1至3、5至12中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
27.根据权利要求24所述的附载体铜箔，其中，所述树脂层是粘结用树脂及/或半硬化状态的树脂。
28.根据权利要求26所述的附载体铜箔，其中，所述树脂层为粘结用树脂及/或半硬化状态的树脂。
29.一种积层体，其是使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔进行制造而成。
30.一种积层体，其含有根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔与树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。
31.一种积层体，其是一个根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧向另一个根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧进行积层而成。
32.一种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔进行制造而成。
33.一种电子机器，其使用根据权利要求32所述的印刷配线板。
34.一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：准备根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层体，
之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。
35.一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：
在根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；
以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄铜层剥离；及
在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层或所述载体去除，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。
36.一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：
将根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面及/或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；
在所述附载体铜箔的与树脂基板积层的一侧的相反侧的极薄铜层侧表面及/或所述载体侧表面，设置树脂层与电路这2层至少1次；及
在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离。
37.一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：
在根据权利要求29至31中任一项所述的积层体的一面或两面设置树脂层与电路这2层至少1次；及
在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离。
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