TWI623248B - 附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種能夠形成極微細之電路且能夠良好地抑制電路斷線之附載體銅箔。本發明是一種附載體銅箔，上述附載體銅箔於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，且極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之極薄銅層之厚度為1.5μm以下，且極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下。

Description

附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明關於一種附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
一般而言，印刷配線板是經過在使絕緣基板接著於銅箔而製成覆銅積層板後，藉由蝕刻於銅箔面形成導體圖案之步驟來製造。近年來，伴隨著電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度構裝化或信號之高頻化不斷發展，而對印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)或高頻應對等。
因應微間距化，近來業界要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下之銅箔，這種極薄銅箔由於機械強度低，而製造印刷配線板時容易破損或產生褶皺，所以利用具有厚度之金屬箔作為載體，並於其上介隔剝離層而電鍍極薄銅層而成之附載體銅箔問世。在將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，載體經由剝離層而被剝離去除。利用抗蝕劑於露出之極薄銅層上形成電路圖案後，利用硫酸-過氧化氫系蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除，藉由上述方法(MSAP，Modified-Semi-Additive-Process(改良型半加成工序))，形成微細電路。
另外，附載體銅箔之極薄銅層因其薄度而容易於表面產生針孔。這種針孔之產生有引起電路斷線之擔憂。作為抑制電路斷線之技術， 例如可以列舉日本特開2004-107786號公報(專利文獻1)、日本特開2004-137588號公報(專利文獻2)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-107786號公報
[專利文獻2]日本特開2004-137588號公報
由於上述原因等，因此期望使用附載體銅箔形成微細電路之技術、尤其是藉由MSAP形成極微細電路之技術、進而良好地抑制電路斷線之技術。因此，本發明之課題在於提供一種能夠形成極微細之電路且能夠良好地抑制電路斷線之附載體銅箔。
為了達成上述目的，本發明者潛心研究，結果發現：將附載體銅箔之極薄銅層控制於相比以往也極薄之1.5μm以下，且即使於該薄度下也良好地抑制極薄銅層產生針孔，並且發現藉此能夠形成極微細之電路，且能夠良好地抑制電路斷線。
本發明是基於上述見解而完成，於一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為1.5μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下。
本發明於另一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或 兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度未達1.0μm，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且10個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.9μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且15個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.8μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且17個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.7μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且20個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.65μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且20個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.60μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數 為0個/m2以上且23個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.55μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且25個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.50μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且27個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，且上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.45μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且30個/m2以下。
本發明於又一態樣中是一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.40μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且30個/m2以下。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.10μm以上。
本發明之附載體銅箔於另一實施形態中，藉由上述重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.15μm以上。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，藉由上述重量法測 得之上述極薄銅層之厚度為0.15~0.85μm。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述極薄銅層具有光澤銅鍍層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述極薄銅層為光澤銅鍍層。
本發明於又一實施形態中，於上述極薄銅層及上述載體之至少一表面或兩表面具有粗化處理層。
本發明於又一實施形態中，上述粗化處理層是由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一單質或含有任一種以上上述單質之合金所構成之層。
本發明於又一實施形態中，於上述粗化處理層之表面具備樹脂層。
本發明於又一實施形態中，於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明於又一實施形態中，於上述極薄銅層及上述載體之至少一表面或兩表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明於又一實施形態中，於選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹 脂層。
本發明於又一實施形態中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明於又一實施形態中，上述樹脂層為接著用樹脂。
本發明於又一實施形態中，上述樹脂層為半硬化狀態之樹脂。
本發明於另一態樣中是一種積層體，其是使用本發明之附載體銅箔進行製造而成。
本發明於又一態樣中是一種積層體，其含有本發明之附載體銅箔與樹脂，且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
本發明於又一態樣中是一種印刷配線板，其是使用本發明之附載體銅箔製造而成。
本發明於又一態樣中是一種電子機器，其使用本發明之印刷配線板。
本發明於又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層體，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一方法來形成電路。
本發明於又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟： 於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體或上述極薄銅層；及於剝離上述載體或上述極薄銅層後，藉由將上述極薄銅層或上述載體去除，而使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之掩埋於上述樹脂層之電路露出。
本發明於又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面及/或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；於上述附載體銅箔之與樹脂基板積層之一側之相反側之極薄銅層側表面及/或上述載體側表面，至少設置1次樹脂層與電路這2層；及於形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離。
根據本發明，可以提供一種能夠形成極微細之電路且能夠良好地抑制電路斷線之附載體銅箔。
圖1是表示本發明之實施形態之附載體銅箔之製造方法之運箔方式之示意圖。
圖2A~C是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之到電路鍍敷、去除抗蝕劑為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖3D~F是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從樹脂與第2層附載體銅箔積層到雷射開孔之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖4G~I是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從填孔形成到第1層載體剝離為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖5J~K是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從快速蝕刻到凸塊、銅柱形成為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖6是有關於配線形成性之評價之上表面外觀之光學顯微鏡照片之例子。
<附載體銅箔>
本發明之附載體銅箔於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層。本領域技術人員已熟知附載體銅箔本身之使用方法，例如於將極薄銅層表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃無紡布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板並進行熱壓接後，將載體剝離，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，最終可 以製造積層體(覆銅積層體等)或印刷配線板等。
另外，也可以將中間層、極薄銅層一次性設置於載體之兩面，對兩面之極薄銅層一次性進行粗化處理等表面處理。另外，也可以於載體之一面設置中間層、極薄銅層，對極薄銅層進行粗化處理等表面處理後，於另一面設置中間層、極薄銅層，對極薄銅層進行粗化處理等表面處理。該情況下，也可以利用遮蔽帶或遮蔽膜等將設置於載體之一面之、經表面處理之極薄銅層之表面予以保護後，於另一面對中間層、極薄銅層進行粗化處理等表面處理。
<載體>
典型來說，本發明可以使用之載體是以金屬箔、例如壓延銅箔或電解銅箔或樹脂膜之形態提供。一般來說，電解銅箔是從硫酸銅鍍浴中向鈦或不銹鋼之滾筒上將銅電解析出而製造，壓延銅箔是重複進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為壓延銅箔之材料，可以使用精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)之類之高純度銅，此外，也可以使用例如摻入Sn之銅、摻入Ag之銅、添加了Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加了Ni及Si等之卡遜系銅合金之類的銅合金。此外，本說明書中單獨使用用語“銅箔”時，也包含銅合金箔。另外，作為樹脂膜，可以使用絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP膜等。
關於本發明可以使用之載體之厚度，也無特別限制，只要發揮作為載體之作用且適當調節為適宜厚度即可，例如可以設為5μm以上。 但是，如果過厚則生產成本變高，因此一般而言優選設為35μm以下。因此，典型來說，載體之厚度為8~70μm，更典型來說為12~70μm，更典型來說為18~35μm。另外，就減少原料成本之觀點來說，優選載體之厚度小。因此，關於載體之厚度，典型來說為5μm以上且35μm以下，較佳為5μm以上且18μm以下，較佳為5μm以上且12μm以下，較佳為5μm以上且11μm以下，較佳為5μm以上且10μm以下。此外，於載體之厚度小之情況下，容易於載體之通箔時產生彎折褶皺。為了防止產生彎折褶皺，例如有效的是使附載體銅箔製造裝置之搬送輥平滑、或縮短搬送輥與下一個搬送輥之距離。
使用電解銅箔作為載體之情況下之製造條件之一例如下所示。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可以使用以下化學式之胺化合物。
此外，本發明中所記載之電解液、鍍敷液等如果沒有特別記載，則剩餘部分為水。
(上述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一群中之基)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<中間層>
於載體之單面或兩面上設置中間層。也可以於銅箔載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用之中間層只要為如下構成，則無特別限定，即，於附載體銅箔對絕緣基板之積層步驟前，極薄銅層不易從載體剝離，另一方面，於對絕緣基板之積層步驟後，極薄銅層能夠從載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔之中間層也可以含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物 所組成之群中之一種或兩種以上。另外，中間層亦可以為多層。
另外，例如，中間層可以藉由如下方式構成，即，從載體側，形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中之一種元素所組成之單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中之一種或兩種以上元素所組成之合金層，並於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中之一種或兩種以上之元素之水合物或氧化物或有機物所組成之層。
另外，例如，中間層可以從載體側，形成由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內之任一種元素所組成之單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素所組成之合金層、或有機物層，接著以由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內之任一種元素所組成之單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素所組成之合金層構成。另外，其他層也可以使用能夠用作中間層之層構成。
在將中間層僅設置於單面之情況下，較佳為於載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。此外，於藉由鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層之情況下，認為存在鉻或鋅等所附著之金屬之一部分成為水合物或氧化物之情況。
另外，例如，中間層可以於載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、鉻而構成。由於鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此 於剝離極薄銅層時，於極薄銅層與鉻之界面發生剝離。另外，期待中間層之鎳具有防止銅成分從載體向極薄銅層擴散之阻隔效果。中間層之鎳之附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層之鉻之附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於將中間層僅設置於單面之情況下，較佳為於載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。
此外，中間層可以藉由對載體進行如電鍍、無電鍍敷及浸漬鍍敷之類的濕式鍍敷而設置。此外，於載體使用樹脂膜之情況下，必須於中間層形成前進行活化處理等用以對載體進行濕式鍍敷之預處理。上述預處理只要是可以對樹脂膜進行濕式鍍敷之處理，則使用任意處理均可，可以使用公知之處理。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。也可以於中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層也可以設置於載體之兩面。極薄銅層為電解銅層。於此，該所謂電解銅層是指藉由電鍍(電解鍍敷)所形成之銅層。極薄銅層可以藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、磺胺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，就以一般之電解銅層使用，且能夠於高電流密度下形成銅箔來說，較佳為硫酸銅浴。本發明之藉由重量法測得之極薄銅層之厚度被控制為1.5μm以下。藉由這種構成，可以使用該極薄銅層形成極微細之電路。本發明之藉由重量法測得之極薄銅層之厚度較佳為1.2μm以下，更佳為1.1μm以下， 更佳為1.0μm以下，更佳為未達1.0μm，更佳為0.9μm以下，更佳為0.8μm以下，更佳為0.7μm以下，更佳為0.65μm以下，更佳為0.60μm以下，更佳為0.55μm以下，更佳為0.50μm以下，更佳為0.45μm以下，更佳為0.40μm以下。如果本發明之藉由重量法測得之極薄銅層之厚度過小，則有可能產生難以操作之問題，因此較佳為0.01μm以上，較佳為0.05μm以上，較佳為0.10μm以上，更佳為0.15μm以上。本發明之藉由重量法測得之極薄銅層之厚度典型來說為0.01~1.00μm，典型來說為0.05~0.95μm，更典型來說為0.15~0.85μm。
本發明之極薄銅層是藉由極薄銅層之厚度而將針孔個數控制為以下範圍內。藉由這種構成，即使形成微細電路，也良好地抑制斷線產生。
本發明之極薄銅層於一態樣中，極薄銅層之厚度為1.5μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且5個/m2以下，較佳為0個/m2以上且4個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於另一態樣中，極薄銅層之厚度未達1.0μm，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且10個/m2以下，較佳為0個/m2以上且9個/m2以下，更佳為0個/m2以上且8個/m2以下，更佳為0個/m2以上且7個/m2以下，更佳為0個/m2以上且6個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.9μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且15個/m2以下，較佳為0個/m2以上且13個/m2以下，更佳為0個/m2以上且11個/m2以下，更佳為0個/m2以上且10個/m2以下，更佳為0個/m2以上且7個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.8μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且17個/m2以下，較佳為0個/m2以上且15個/m2以下，更佳為0個/m2以上且13個/m2以下，更佳為0個/m2以上且11個/m2以下，更佳為0個/m2以上且9個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.7μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且20個/m2以下，較佳為0個/m2以上且18個/m2以下，更佳為0個/m2以上且16個/m2以下，更佳為0個/m2以上且14個/m2以下，更佳為0個/m2以上且12個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.65 μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且20個/m2以下，較佳為0個/m2以上且18個/m2以下，更佳為0個/m2以上且16個/m2以下，更佳為0個/m2以上且14個/m2以下，更佳為0個/m2以上且12個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.60μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且23個/m2以下，較佳為0個/m2以上且20個/m2以下，更佳為0個/m2以上且17個/m2以下，更佳為0個/m2以上且14個/m2以下，更佳為0個/m2以上且11個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.55μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且25個/m2以下，較佳為0個/m2以上且22個/m2以下，更佳為0個/m2以上且19個/m2以下，更佳為0個/m2以上且16個/m2以下，更佳為0個/m2以上且13個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.50μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且27個/m2以下， 較佳為0個/m2以上且24個/m2以下，更佳為0個/m2以上且21個/m2以下，更佳為0個/m2以上且18個/m2以下，更佳為0個/m2以上且15個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.45μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且30個/m2以下，較佳為0個/m2以上且27個/m2以下，更佳為0個/m2以上且24個/m2以下，更佳為0個/m2以上且21個/m2以下，更佳為0個/m2以上且18個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
本發明之極薄銅層於又一態樣中，極薄銅層之厚度為0.40μm以下，且極薄銅層之針孔個數被控制為0個/m2以上且30個/m2以下，較佳為0個/m2以上且27個/m2以下，更佳為0個/m2以上且24個/m2以下，更佳為0個/m2以上且21個/m2以下，更佳為0個/m2以上且18個/m2以下，更佳為0個/m2以上且5個/m2以下，更佳為0個/m2以上且3個/m2以下，更佳為0個/m2以上且2個/m2以下，更佳為0個/m2以上且1個/m2以下。
<粗化處理及其他表面處理>
於極薄銅層及載體之至少一表面或兩表面，也可以藉由實施粗化處理 而設置粗化處理層。藉由設置粗化處理層，具有以下優點，於積層附載體銅箔與樹脂基板時，樹脂基板與極薄銅層或載體之密接強度提高，樹脂基板與極薄銅層或載體不易剝離。該粗化處理層也可以使用公知方法而設置。粗化處理例如可以藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。就形成微間距之觀點來說，粗化處理層較佳由微細粒子構成。關於形成粗化粒子時之電鍍條件，如果提高電流密度，降低鍍敷液中之銅濃度，或增大庫侖量，則有粒子微細化之傾向。粗化處理層也可以為由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一單質或含有任一種以上之合金所構成之層等。另外，於由銅或銅合金形成粗化粒子後，也可以進一步進行以鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。之後，可以由鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，也可以進一步對其表面藉由鉻酸鹽處理、矽烷偶合劑處理等處理施以鉻酸鹽處理層、矽烷偶合劑處理層。此外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合劑處理層也可以分別以多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
於此，所謂鉻酸鹽處理層是指藉由含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液體進行處理之層。鉻酸鹽處理層也可以含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(也可以為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可以列舉藉由鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行處理過之鉻酸鹽處理層、或藉由含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液進行處理過之鉻酸鹽處理層等。
此外，於載體之與設置極薄銅層之一側之表面為相反側之表面設置粗化處理層時，具有以下優點，將載體從具有該粗化處理層之表面 側積層於樹脂基板等支撐體時，載體與樹脂基板不易剝離。如上上述，藉由於極薄銅層或載體之表面之粗化處理層上進一步形成耐熱層等表面處理層，可以良好地抑制來自極薄銅層或載體之銅等元素擴散至積層之樹脂基材，與樹脂基材積層時之熱壓接之密接性提高。
作為耐熱層、防銹層，可以使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素之層，也可以為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素所組成之金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以包含含有上述元素之氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為含有鎳-鋅合金之層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層也可以為除不可避免之雜質以外，含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%之層。上述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量也可以為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳為20~100mg/m2。另外，含有上述鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳之附著量與鋅之附著量之比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較佳為1.5~10。另外，含有上述鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳之附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層之情況下，通孔或導通孔等內壁部與去汙液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被去汙液腐蝕，銅箔與樹脂基板之密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層也可以為依序積層了附著量為1 mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層之層，上述鎳合金層也可以由鎳-鉬合金、鎳-鋅合金、鎳-鉬-鈷合金、鎳-錫合金中之任一種構成。
上述矽烷偶合劑處理層可以使用公知之矽烷偶合劑而形成，也可以使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，這種矽烷偶合劑也可以混合2種以上而使用。其中，較佳使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成之矽烷偶合劑處理層。
矽烷偶合劑處理層宜於以矽原子換算計為0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍設置。於上述範圍之情況下，可以進一步提高基材樹脂與表面處理銅箔之密接性。
另外，可以對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合劑處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載之表面處理。
<附載體銅箔之製造方法>
接下來，對本發明之附載體銅箔之製造方法進行說明。為了製造本發 明之附載體銅箔，必須滿足以下所有之4種製造條件。
(1)一邊用滾筒支撐載體並且以輥對輥搬送方式進行搬送，一邊藉由電解鍍敷形成中間層(也稱為剝離層)、極薄銅層。
(2)載體之設置極薄銅層之一側之、依據JIS B0601-2001藉由非接觸式粗糙度測試儀進行測定時之表面粗糙度Rt為1.5μm以下。
(3)於各電解鍍敷期間之搬送中途無乾燥步驟。
(4)用來形成極薄銅層之電解液含有光澤劑。
關於(1)：
圖1是表示本發明之實施形態之附載體銅箔之製造方法之運箔方式之示意圖。本發明之實施形態之附載體銅箔之製造方法是藉由對以輥對輥搬送方式沿長度方向搬送之長條狀載體之表面進行處理，而製造具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層之附載體銅箔。本發明之實施形態之附載體銅箔之製造方法包括以下步驟：一邊用滾筒支撐由搬送輥搬送之載體，一邊藉由電解鍍敷於載體表面形成極薄銅層；一邊用滾筒支撐形成有中間層之載體，一邊藉由電解鍍敷於中間層表面形成極薄銅層；及一邊用滾筒支撐載體，一邊藉由電解鍍敷於極薄銅層表面形成粗化粒子層。各步驟中，被滾筒支撐之載體之處理面兼作陰極，於該滾筒和以與滾筒對向之方式設置之陽極之間之鍍敷液中進行各電解鍍敷。這樣，一邊用滾筒支撐載體並且以輥對輥搬送方式進行搬送，一邊藉由電解鍍敷形成中間層、極薄銅層，藉此，電解鍍敷中之陽極-陰極間之極間距離穩定。因此，能夠良好地抑制所形成之層之厚度不均，精度良好地製作如 本發明般之超極薄銅層。另外，如果藉由使電解鍍敷中之陽極-陰極間之極間距離穩定而良好地抑制形成於載體表面之中間層之厚度不均，則也會同樣地抑制Cu從載體向極薄銅層擴散。因此，良好地抑制極薄銅層中之針孔產生。
另外，作為用滾筒進行支撐以外之方法，也有如下對策：於形成極薄銅層時之製造裝置中，將搬送輥與搬送輥之間之距離縮短，進而將搬送張力設為通常之3~5倍左右而形成極薄銅層。其原因在於，藉由導入支撐輥等，而將搬送輥與搬送輥之間之距離縮短(例如為800~1000mm左右)，進而藉由將搬送張力設為通常之3~5倍左右，使載體之位置穩定，陽極-陰極間之極間距離穩定。藉由使極間距離穩定，可以使陽極與陰極之距離比通常小。
此外，如果以濺鍍或無電鍍敷形成而非以滾筒方式形成，則用來維持裝置之運轉成本、或濺鍍靶、鍍敷液之化學液等之成本高，因此存在製造成本高之問題。
關於(2)：
另外，關於載體之極薄銅層側之表面，依據JIS B0601-2001利用非接觸式粗糙度測試儀進行測定時之Rt為1.5μm以下。藉此，用於於載體表面形成中間層、極薄銅層之電解鍍敷時之陽極-陰極間之極間距離也穩定。載體之極薄銅層側之表面之上述Rt更佳為1.2μm以下，進一步更佳為1.0μm以下。但是，如果Rt過小，則與樹脂之密接力降低，因此較佳為0.01μm以上，更佳為0.1μm以上。
關於(3)：
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，於上述各電解鍍敷期間之搬送中途並無乾燥步驟。一般來說，例如從中間層形成用電鍍浴中將中間層搬出後搬入到下一步驟之極薄銅層形成用電鍍浴之期間，會接觸空氣而乾燥，但於本發明中，藉由對該電鍍步驟間之搬送中途之載體中間層、極薄銅層噴灑水或鍍敷液等淋浴、或相比通常減弱排液輥之壓力、或者加快線速度等來防止乾燥。藉由這樣不使其乾燥，可以獲得如下效果：防止於中間層或極薄銅層之表面形成氧化膜，從而減少因氧化膜所產生之極薄銅層之針孔。
關於(4)：
於本發明之附載體銅箔之製造方法中，用來形成極薄銅層之電解液含有光澤劑。藉由這種構成，能夠抑制於極薄銅層產生局部變薄之部位，結果可以製作本發明之超極薄銅層。在此，所謂光澤劑是指帶來鍍敷表面之光澤化及/或平滑化之物質、化合物或元素或離子。另外，極薄銅層較佳由光澤銅鍍層形成。所謂光澤銅鍍層，例如指表面之60度光澤度於TD(載體之寬度方向)上為75%以上之鍍層(當對極薄銅層表面進行了粗化處理等表面處理時，藉由測定將極薄銅層從附載體銅箔剝離後之極薄銅層之載體側表面之光澤度，也可以測定極薄銅層表面之光澤度)。作為光澤銅鍍層，可以使用公知之光澤銅鍍層。另外，例如可以使用以下之光澤銅鍍層(a)光澤硫酸銅鍍層、(b)光澤焦磷酸銅鍍層、(c)光澤氰化銅鍍層或(d) 光澤磺胺酸銅鍍層。
(a)光澤硫酸銅鍍層
所謂硫酸銅鍍層是指使用含有硫酸與銅離子之鍍浴而形成之鍍層。例如可以使用以下之光澤硫酸銅鍍浴而形成光澤硫酸銅鍍層。
作為光澤劑，較佳含有以下之(i)、(ii)、及(iii)或(iv)，更佳含有以下之(i)~(iv)這4種。
(i)鹵化物離子(配向控制劑，具有吸附於銅表面之功能)Cl-、Br-、I-等
(ii)含硫有機化合物(增亮劑)
銅之析出反應促進劑、SPS(雙(3-磺丙基)二硫醚)、DMTD(二巰基噻二唑)、硫脲、具有1個以上巰基之化合物、硫醇、硫醚類(硫醚、二硫醚、三硫醚等具有(R-(S)n-R')結構之化合物；於此，n為1~10之整數，R、R'為含有選自由碳、氫、硫、氮、氧所組成之群中之一種以上元素之基；R與R'可以具有相同之結構)
另外，也可以使用日本特開2004-107786所記載之以下之含硫有機化合物。
‧下述通式(X1)或(X2)所表示之含硫有機化合物
X-R1-(S)n-R2-YO3Z1 (X1)
R4-S-R3-SO3Z2 (X2)
(通式(X1)及(X2)中，R1、R2、及R3為碳數1~8之伸烷基，R4選自由氫、下述通式(X3~X6)所組成之一群中，X選自由氫、磺酸基、膦酸基、磺酸或膦酸之鹼金屬鹽基或銨鹽基所組成之一群中，Y為硫或磷中之任一個，Z1及Z2為氫、鈉、鉀中之任一個，n為2或3)
作為上述含硫有機化合物，也可以使用以下化合物。
選自有機磺酸及這些之鹽、通式R'-(S)n-R-SO3M所表示之多硫化化合物(其中，M為鹼金屬或銨離子；R獨立地為1~10個碳原子之二價脂肪族或芳香族非雜環式基；R'為氫、金屬陽離子、1~20個碳原子之一價脂肪族或芳香族有機基、或-R-SO3M或R-(S)q-RSO3M基；n與q為2~5之整數)、含有-S-CH2O-R-SO3M團之磺基甲縮醛烷基硫化物(其中，M為鹼性陽離子；R為含有3~8個碳原子之烷基)中之1種或2種以上含硫有機化合物。
另外，作為上述含硫有機化合物，也可以使用以下化合物。
選自硫脲及其衍生物、硫卡巴腙酸衍生物、脫氫硫對甲苯胺及其衍生物、通式(A)之雜環式化合物及其互變異構物(其中，X為S、O、N中之任一原子；Y為具有1~20個碳原子之有機基)、通式(B)或(C)所表示之多硫化伸烷基化合物(其中，R1、R2為烷基或氫；R3為芳香族、雜環式或脂環式基、或這些之烷基衍生物)中之1種或2種以上含硫及氮之有 機化合物。
(iii)含氮有機化合物(調平劑)
含氮有機化合物是銅之析出反應抑制劑，抑制銅於凸部析出，促進銅於凹部析出。也可以使用胺化合物等、Janus Green B等染料，例如也可以使用日本特開2004-107786、日本特開2004-137588所記載之以下含氮有機化合物。
‧下述通式(D)所記載之具有特定骨架之胺化合物(通式(D)中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一群中之基，A表示環氧化合物殘基，n表示1以上之整數)
‧上述具有特定骨架之胺化合物之環氧化合物殘基A也可 以具有線狀醚鍵。
上述具有特定骨架之胺化合物也可以含有下述通式(E)~(L)中之任一個。(通式(E)~(L)中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一群中之基)。
‧也可以為下述通式(M)所表示之具有特定骨架之四级胺化合物。(通式(M)中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、及烷基所組成之一群中之基，R3表示苄基、烯丙基、或烷基，A表示環氧化合物殘基，X1 -表示Cl-、Br-、或CH3SO4 -，n表示1以上之整數)。
上述具有特定骨架之四級胺化合物之環氧化合物殘基A也可以具有線狀醚鍵。
‧上述具有特定骨架之四級胺化合物也可以為下述通式(N)~(U)中之任一個。(通式(N)~(U)中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、及烷基所組成之一群中之基，R3表示苄基、烯丙基、或碳數1~5之烷基，X1 -表示Cl-、Br-、或CH3SO4 -)。
另外，作為上述含氮有機化合物，也可以使用以下化合物。 選自烯丙基胺類、芳烷基胺類、烷芳基胺類、環式脂肪式胺類、通式 R-CO-NH2所表示之酸醯胺(其中，R為脂肪族或芳香族之單體或聚合物之烴基)、烷基化聚伸烷基亞胺類(聚伸烷基亞胺與表鹵醇及烷基化劑之反應生成物)、偶氮染料、酞青染料、聚合物二甲基苯基吡唑酮化合物中之1種或2種以上之含氮有機化合物。
(iv)高分子化合物(抑制因數、載體、抑制劑)(較佳為分子量100~10000，於與鹵化物離子之共存下於範圍廣泛之電流密度範圍抑制銅之析出反應之化合物)
可以列舉以下之非離子性界面活性劑、聚乙二醇、膠、明膠等。
非離子性界面活性劑
‧酯型非離子性界面活性劑
甘油脂肪酸酯(RCOOCH2CH(OH)CH2OH)
山梨醇酐脂肪酸酯、蔗糖脂肪酸酯
醚型非離子性界面活性劑
‧脂肪醇乙氧基化物(RO(CH2CH2O)nH)[也稱為烷基聚乙二醇]
聚氧乙烯烷基苯醚(RC6H4O(CH2CH2O)nH)
Triton X100(辛苯昔醇)、壬苯醇醚-9(壬基苯酚乙氧基化物之一種)
‧烷基糖苷(RC6H11O6)
此外，上述R是含有選自由碳、氫、硫、氮、氧所組成之群中之一種以上之元素之基、或氫、鹵素元素。例如烴基、烷基等。
另外，上述高分子化合物也可以為選自平均分子量300~1000000之聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧乙烯油醚、聚氧乙烯月桂醚、聚氧乙烯壬基苯醚中之1種或2種以上之聚醚化合物。
(鍍浴)
銅濃度：80~120g/L
硫酸濃度：80~120g/L
氯化物離子濃度：20~100ppm
含硫有機化合物：雙(三磺丙基)二硫醚：10~30ppm
含氮有機化合物：胺化合物1：10~30ppm
此外，作為胺化合物1，也可以使用下述胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一群中之基)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
也可以將銅金屬鑲嵌鍍敷或填孔鍍敷所使用之添加劑用作光澤劑。
(b)光澤焦磷酸銅鍍層
所謂焦磷酸銅鍍層是指使用含有焦磷酸與銅離子之鍍浴而形成之鍍 層。
而且，光澤焦磷酸銅鍍層之鍍浴必須含有氨水與含硫有機化合物(銅之析出反應促進劑、增亮劑)。
於此，氨具有提高鍍層之光澤之功能。
此外，作為含硫有機化合物，可以使用光澤硫酸銅鍍層之說明中所述之含硫有機化合物。
作為光澤焦磷酸銅鍍層之鍍浴，可以使用以下鍍浴。
‧焦磷酸銅Cu2P2O7‧3H2O：80~115g/L
‧焦磷酸鉀K2P2O7：250~400g/L
(此外，較佳為將鍍浴中之P2O7/Cu之質量比設為6.5~8.5)
‧銅：15~55g/L
‧氨水：1~3mL/L(氨濃度：20~30質量%)
‧含硫有機化合物(DMTD(2,5-二巰基-1,2,4-噻二唑)等)：適量(1~3000質量ppm)
‧電流密度：0.1~4.5A/dm2
‧溫度：40~70℃
‧pH值：8.0~9.0
(c)光澤氰化銅鍍層
作為光澤氰化銅鍍層之鍍浴，可以使用以下鍍浴。
‧氰化銅(CuCN)：20~120g/L
‧氰化鈉(NaCN)：30~135g/L
‧氫氧化鈉(NaOH)：0~40g/L(於氰化銅濃度低為20~30g/L之情況下無需添加)
‧游離氰化鈉：5~15g/L
‧電流密度：0.1~3A/dm2(於氰化銅濃度低之情況下設定得低，於氰化銅濃度高之情況下設定得高)
‧溫度：30~85℃(於氰化銅濃度低之情況下設定得低，於氰化銅濃度高之情況下設定得高)
‧使鍍層產生光澤之添加劑
另外，光澤氰化銅鍍層之鍍浴中必須具有選自由以下之(1)、(2)、(3)所組成群中之1種以上之添加劑。
(1)亞硒酸鈉、亞硒酸、乙酸鉛
(2)光澤化劑(藉由銅析出來減少金屬表面之微小凹凸，有助於光澤化之化合物)含硫化合物：硫氰酸鹽(硫氰酸鉀等)、黃原酸鹽、硫代硫酸鹽
(3)平滑化劑(藉由銅析出來減少比光澤化劑所幫助之微小凹凸相對較大之凹凸，有助於平滑化之化合物)酒石酸鹽(酒石酸鉛等)、界面活性劑(也可以使用公知之界面活性劑、上述光澤硫酸銅鍍層之說明所記載之非離子性界面活性劑)
(d)光澤磺胺酸銅鍍層
以下，表示磺胺酸銅預鍍浴之例子。
‧磺胺酸銅Cu(NH2SO3)‧4H2O：200~550g/l
‧磺胺酸：10~50g/L
‧光澤劑：可以使用與光澤硫酸銅鍍層相同之光澤劑。
‧電流密度：1~15A/dm2
<印刷配線板及積層體>
藉由將附載體銅箔從極薄銅層側貼附於絕緣樹脂板並進行熱壓接，剝離載體，可以製作積層體(覆銅積層體等)。另外，之後，藉由對極薄銅層部分進行蝕刻，可以形成印刷配線板之銅電路。在此使用之絕緣樹脂板只要是具有可應用於印刷配線板之特性之樹脂板，則無特別限制，例如在用於剛性PWB時可以使用紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃無紡布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，在用於FPC時可以使用聚酯膜或聚醯亞胺膜等。這樣製作之印刷配線板、積層體可以搭載於要求搭載零件之高密度構裝之各種電子零件。
此外，本發明中，「印刷配線板」也包含裝設了零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。也可以使用這種印刷配線板來製造電子機器。此外，本發明中，「銅電路」也包含銅配線。
另外，附載體銅箔可以於極薄銅層上具備粗化處理層，也可以於上述粗化處理層上具備一層以上選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之層。
另外，可以於上述極薄銅層上具備粗化處理層，於上述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可以於上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層， 也可以於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合劑處理層。
另外，也可以於上述極薄銅層及上述載體之至少一表面或兩表面具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層。
另外，上述附載體銅箔也可以於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合劑處理層上具備樹脂層。
上述樹脂層可為接著劑，也可以為接著用半硬化狀態(B-階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B-階段狀態)，包含即使以手指接觸其表面也沒有粘附感，可以將該絕緣樹脂層重疊而進行保管，進而當受到加熱處理時會產生硬化反應之狀態。
又，上述樹脂層可以含有熱硬化性樹脂，也可以為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可以含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可以含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材等。另外，上述樹脂層也可以使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、 日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
另外，上述樹脂層之種類並無特別限定，例如，作為較佳樹脂，可以列舉包含選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、氨酯樹脂、聚醚碸(也稱為polyethersulfone、polyethersulphone)、聚醚碸(也稱為polyethersulfone、polyethersulphone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸之酐、多元羧酸之酐、具有可以進行交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹 脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群中之一種以上之樹脂。
另外，上述環氧樹脂只要是於分子內具有2個以上環氧基且可以用於電氣/電子材料用途之環氧樹脂，則可以無特別問題地使用。另外，上述環氧樹脂較佳使用於分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物進行環氧化而得之環氧樹脂。另外，可以將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(溴化)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中之1種或2種以上進行混合而使用，或者可以使用上述環氧樹脂之氫化物或鹵化物。
作為上述含磷環氧樹脂，可以使用公知之含有磷之環氧樹脂。另外，上述含磷環氧樹脂例如較佳為作為來自於分子內具備2個以上環氧基之9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物獲得之環氧樹脂。
(樹脂層含有電介質(電介質填料)之情況)
上述樹脂層也可以包含電介質(電介質填料)。
於上述任一樹脂層或樹脂組成物含有電介質(電介質填料)之情況下，可以用於形成電容器層之用途，增大電容器電路之電容。該電介質(電介質填料)是使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3‧PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構之複合氧化物之電介質粉。
將上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，並將其藉由例如輥式塗布法等而塗布於上述附載體銅箔之極薄銅層側之表面，接著視需要進行加熱乾燥而去除溶劑，成為B階段狀態。乾燥只要使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、較佳為130~200℃即可。也可以使用溶劑將上述樹脂層之組成物溶解，製成樹脂固體成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。此外，就環境上之見解來說，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。此外，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
另外，上述樹脂層優選依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之 樹脂溢流量處於5%~35%之範圍之半硬化樹脂膜。
本申請之說明書中，所謂樹脂溢流量，是指依據MIL標準中之MIL-P-13949G，從將樹脂厚度設為55μm之附樹脂表面處理銅箔取樣4片10cm見方之試樣，於將該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘之條件下進行貼合，測定此時之樹脂流出重量，根據上述結果基於下述式而算出之值。
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂表面處理銅箔)是以如下形態使用，即，於將其樹脂層重疊於基材後，對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情況下，將載體剝離而使極薄銅層露出(當然，露出之是該極薄銅層之中間層側之表面)，從表面處理銅箔之與經粗化處理之一側為相反側之表面形成特定之配線圖案。
如果使用該附樹脂表面處理銅箔，則可以減少製造多層印刷配線基板時預浸料材料之使用數量。並且，即使將樹脂層之厚度設為如可以確保層間絕緣般之厚度、或完全不使用預浸料材料，也可以製造覆銅積層體。另外，此時也可以於基材表面底漆塗布絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。
此外，於不使用預浸料材料之情況下，具有如下優點：節約預浸料材料之材料成本，另外，積層步驟也變得簡單，因此經濟上有利， 並且相應於預浸料材料之厚度而製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，可以製造1層之厚度為100μm以下之極薄多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~500μm，更佳為0.1~300μm，更佳為0.1~200μm，更佳為0.1~120μm。
如果樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有接著力降低，不介隔預浸料材料而將該附有樹脂之附載體銅箔積層於具備內層材之基材時，難以確保與內層材之電路之間之層間絕緣之情況。另一方面，如果樹脂層之厚度厚於120μm，則有難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度之樹脂層，花費多餘之材料費與步驟數，因此經濟上變得不利之情況。
此外，於將具有樹脂層之附載體銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情況下，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm時，使多層印刷配線板之厚度減小，因此較佳。
此外，於將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm之情況下，為了提高樹脂層與附載體銅箔之密接性，較佳為於極薄銅層上設置耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合劑處理層後，於該耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合劑處理層上形成樹脂層。
此外，上述樹脂層之厚度是指於任意10點藉由剖面觀察測得之厚度之平均值。
而且，作為該附有樹脂之附載體銅箔之另一種製品形態，也可以於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層、上述耐熱層、上述防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑處理層上以樹脂層被覆，成為半硬化狀態後，繼而將載體剝離，以不存於載體之附樹脂銅箔之形式進行製 造。
<印刷配線板之製造方法>
於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層體，之後，藉由半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中之任一方法來形成電路。絕緣基板也可以設為裝入有內層電路之絕緣基板。
於本發明中，所謂半加成法是指於絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄之無電鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案之方法。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；藉由蝕刻去除上述極薄銅層，於藉此露出之上述樹脂設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行去汙處理；對包含上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電鍍層；於上述無電鍍層上設置抗蝕劑； 對上述抗蝕劑進行曝光，之後，將形成電路之區域之抗蝕劑去除；於上述抗蝕劑被去除後之形成上述電路之區域設置電解鍍層；將上述抗蝕劑去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路之區域以外之區域之無電鍍層去除。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除；藉由蝕刻去除上述極薄銅層，對藉此露出之上述樹脂之表面設置無電鍍層；於上述無電鍍層上設置抗蝕劑；對上述抗蝕劑進行曝光，之後，將形成電路之區域之抗蝕劑去除；於上述抗蝕劑被去除後之形成上述電路之區域設置電解鍍層；將上述抗蝕劑去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路之區域以外之區域之無電鍍層及極薄銅層去除。
本發明中，所謂改良型半加成法，是指於絕緣層上積層金屬箔，藉由抗蝕劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷進行電路形成部之銅層加厚後，去除抗蝕劑，並藉由(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金 屬箔，藉此於絕緣層上形成電路之方法。
因此，於使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電鍍層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置抗蝕劑；於設置上述抗蝕劑後，藉由電解鍍敷形成電路；將上述抗蝕劑去除；及藉由快速蝕刻，將藉由去除上述抗蝕劑而露出之極薄銅層去除。
於使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置抗蝕劑；對上述抗蝕劑進行曝光，之後，將形成電路之區域之抗蝕劑去除；於上述抗蝕劑被去除後之形成上述電路之區域設置電解鍍層；將上述抗蝕劑去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路之區域以外之區域之無電鍍層及 極薄銅層去除。
於本發明中，所謂部分加成法，是指如下方法，對設置導體層而成之基板、視需要貫穿通孔或導通孔(via hole)用孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或抗蝕劑後，藉由無電鍍敷處理對上述導體電路上、通孔或導通孔等進行加厚，藉此製造印刷配線板。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除，形成電路；將上述抗蝕塗層去除；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除而露出之上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或抗蝕劑；及於未設置上述阻焊劑或抗蝕劑之區域設置無電鍍層。
於本發明中，所謂減成法，是指藉由蝕刻等將覆銅積層體上 之銅箔之無用部分選擇性地去除而形成導體圖案之方法。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電鍍層；於上述無電鍍層之表面設置電解鍍層；於上述電解鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電鍍層及上述電解鍍層去除，形成電路；及將上述抗蝕塗層去除。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括以下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電鍍層；於上述無電鍍層之表面形成掩模； 於未形成掩模之上述無電鍍層之表面設置電解鍍層；於上述電解鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電鍍層去除，形成電路；及將上述抗蝕塗層去除。
也可以不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及之後之去汙步驟。
於此，使用附圖對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例進行詳細說明。此外，在此列舉了形成粗化處理層之例子，但並無特別限定，也可以製造未形成粗化處理層等表面處理層之附載體銅箔。
首先，如圖2-A所示，準備具有表面形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
接著，如圖2-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗布抗蝕劑，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻成特定之形狀。
接著，如圖2-C所示，於形成電路用鍍層後將抗蝕劑去除，藉此形成特定形狀之電路鍍層。
接著，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍層之方式(以掩埋電路鍍層之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側進行接著。
接著，如圖3-E所示，從第2層附載體銅箔剝離載體。
接著，如圖3-F所示，對樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
接著，如圖4-G所示，於盲孔埋入銅，形成填孔。
接著，如圖4-H所示，於填孔上，如上述圖2-B及圖2-C般形成電路鍍層。
接著，如圖4-I所示，從第1層附載體銅箔剝離載體。
接著，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將兩表面之極薄銅層去除，使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。
接著，如圖5-K所示，於樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以此方式製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
如果使用本發明之附載體銅箔進行如上所述之埋入法，則由於極薄銅層薄，因此用於使埋入電路露出之蝕刻於短時間內便完成，生產性飛躍性地提高。
上述另一附載體銅箔(第2層)可以使用本發明之附載體銅箔，也可以使用以往之附載體銅箔，進而也可以使用通常之銅箔。另外，也可以於圖4-H所示之第2層電路上進一步形成1層或多層電路，可以藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一方法進行這些電路形成。
如果使用本發明之附載體銅箔進行半加成法或改良型半加成法，則由於極薄銅層薄，因此快速蝕刻於短時間內便完成，生產性飛躍性地提高。
另外，上述用於第1層之附載體銅箔也可以於該附載體銅箔 之載體側表面具有基板。藉由具有該基板或樹脂層，用於第1層之附載體銅箔受到支撐，不易產生褶皺，因此具有生產性提高之優點。此外，上述基板只要具有支撐上述用於第1層之附載體銅箔之效果，則可以使用所有之基板。例如作為上述基板，可以使用本申請之說明書所記載之載體、預浸料、樹脂層或公知之載體、預浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。
於載體側表面形成基板之時刻並無特別限制，但必須於剝離載體之前形成。尤其較佳為於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟之前形成，更佳為於附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟之前形成。
此外，埋入樹脂(resin)可以使用公知之樹脂、預浸料。例如，可以使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸有BT樹脂之玻璃布即預浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。另外，上述埋入樹脂(resin)可以使用本說明書所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸料。
本發明之附載體銅箔較佳是被控制為，將極薄銅層表面之白色板(將光源設為D65、且設為10度視野時，該白色板之X10Y10Z10表色系統(JIS Z8701 1999)之三刺激值為X10=80.7、Y10=85.6、Z10=91.5，L*a*b*表色系統中之該白色板之物體色為L*=94.14、a*=-0.90、b*=0.24)之物體色作為基準色之情況下且基於JISZ8730之色差△E*ab滿足45以上。上述色差△E*ab較佳為50以上，更佳為55以上，進一步更佳為60以上。如果上述極薄銅層表面之根據JIS Z8730之色差△E*ab為45以上，則例如於附載 體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度鮮明，結果，視認性變得良好，可以精度良好地進行電路之位置對準。本發明中所謂「極薄銅層表面之色差」是表示極薄銅層表面之色差、或於設置了粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合劑處理層等各種表面處理層之情況下該表面處理層表面(最表面)之色差。
於此，上述色差△E*ab是以下述式表示。於此，下述式中之色差△L、△a、△b分別是利用色差計進行測定，加入黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JIS Z8730(2009)之L*a*b*表色系統而表示之綜合指標，以△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍之形式表示。該色差(△L、△a、△b)可以使用HunterLab公司製造之色差計MiniScan XE Plus進行測定。此外，色差△L、△a、△b分別是將上述白色板之物體色作為基準色之情況下極薄銅層表面之基於JISZ8730(2009)之色差，且△L是JIS Z8729(2004)所規定之L*a*b*表色系統中之兩種物體色之CIE亮度L*之差，△a、△b是JIS Z8729(2004)所規定之L*a*b*表色系統中之兩種物體色之色座標a*或b*之差。
上述色差可以藉由提高極薄銅層形成時之電流密度，降低鍍敷液中之銅濃度，並提高鍍敷液之線流速而調整。
另外，上述色差也可以藉由對極薄銅層表面實施粗化處理而設置粗化處理層而進行調整。於設置粗化處理層之情況下，可以藉由使用含有銅及選自由鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之一種以上元素之電解液，相比以往提高電流密度(例如40~60A/dm2)且縮短處理時間(例如0.1~1.3秒) 而進行調整。於極薄銅層之表面未設置粗化處理層之情況下，可以藉由如下方式達成，即，使用將Ni濃度設為其他元素之2倍以上之鍍浴，於比以往低之電流密度(0.1~1.3A/dm2)且延長處理時間(20秒~40秒)之條件下，於極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合劑處理層之表面設定Ni合金鍍層(例如Ni-W合金鍍層、Ni-Co-P合金鍍層、Ni-Zn合金鍍層)而進行處理。
另外，本發明之印刷配線板之製造方法也可以為包括以下步驟之印刷配線板之製造方法(無芯加工法)：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；於與上述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或與上述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面，至少設置1次樹脂層與電路這2層；及於形成上述樹脂層及電路這2層後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。關於該無芯加工法，作為具體例，首先，將本發明之附載體銅箔之極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板進行積層而製造積層體。之後，於與樹脂基板積層之極薄銅層側表面或與上述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面形成樹脂層。也可以在形成於載體側表面或極薄銅層側表面之樹脂層，進而從載體側或極薄銅層側積層另一附載體銅箔。另外，也可以將如下積層體用於上述印刷配線板之製造方法(無芯加工法)，上述積層體具有以樹脂基板為中心於該樹脂基板之兩表面側以載體/中間層/極薄銅層之順序或極薄銅層/中間層/載體之順序積層有附載體銅箔之構成或具有以「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體」之順序積層之構成。繼而，也可以於該積層體兩端之極薄銅層或載體露出之表面設置另一樹脂 層，進而設置銅層或金屬層後，對該銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路。而且，也可以於該電路上以埋入該電路之方式設置另一樹脂層。另外，也可以進行1次以上這種電路及樹脂層之形成(增層法)。而且，關於這樣形成之積層體(以下也稱為積層體B)，可將各附載體銅箔之極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。此外，製作上述無芯基板也可以使用2個附載體銅箔，製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體之構成之積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體，並使用該積層體作為中心。可以於這些積層體(以下也稱為積層體A)之兩側之極薄銅層或載體之表面設置樹脂層及電路這2層1次以上，並於設置樹脂層及電路這2層1次以上後，將各附載體銅箔之極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。上述積層體也可以於極薄銅層之表面、載體之表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，本說明書中，「極薄銅層之表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體之表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體之表面」、「積層體表面」設為如下概念，當極薄銅層、載體、積層體於極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層時包含該其他層之表面(最表面)。另外，積層體較佳為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成。其原因在於，使用該積層體制作無芯基板時，由於於無芯基板側配置有極薄銅層，因此容易使用改良型半加成法於無芯基板上形成電路。另外，其原因在於，由於極薄銅層之厚度薄，因此容易去除該極薄銅層，於去除極薄 銅層後容易使用半加成法於無芯基板上形成電路。
此外，本說明書中，「積層體A」或「積層體B」與未特別記載之「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B之積層體。
此外，於上述無芯基板之製造方法中，藉由將附載體銅箔或積層體(積層體A)之端面之一部分或全部以樹脂覆蓋，於利用增層法製造印刷配線板時可以防止化學液滲入到中間層或構成積層體之一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，可以防止因化學液滲入所導致之極薄銅層與載體之分離或附載體銅箔之腐蝕，可以提高產率。作為於此所使用之「覆蓋附載體銅箔之端面之一部分或全部之樹脂」或「覆蓋積層體之端面之一部分或全部之樹脂」，可以使用能夠用於樹脂層之樹脂。另外，於上述無芯基板之製造方法中，也可以於附載體銅箔或積層體中將俯視時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)之外周之至少一部分以樹脂或預浸料覆蓋。另外，上述無芯基板之製造方法中所形成之積層體(積層體A)也可以構成為使一對附載體銅箔能夠相互分離地進行接觸。另外，也可以於該附載體銅箔中遍及俯視時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)之外周整體地以樹脂或預浸料覆蓋。藉由設為這種構成，於俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體之積層部分被樹脂或預浸料覆蓋，可以防止其他部件從該部分之側方向、即相對於積層方向來自側面之方向發生碰撞，結果可減少操作中之載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此之剝離。另外，藉由以不使附載體銅箔或積層體之積層部分之外周露出之方式利用樹脂或 預浸料進行覆蓋，可以防止如上所述之化學液處理步驟中化學液滲入至該積層部分之界面，可以防止附載體銅箔之腐蝕或侵蝕。此外，從積層體之一對附載體銅箔分離一個附載體銅箔時、或將附載體銅箔之載體與銅箔(極薄銅層)分離時，必須藉由切斷等將被樹脂或預浸料覆蓋之附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)去除。
也可以將本發明之附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層於另一個本發明之附載體銅箔之載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可以是上述一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得之積層體。另外，也可以將上述一個附載體銅箔之載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔之載體或極薄銅層接合。於此，於載體或極薄銅層具有表面處理層之情況下，該「接合」也包含介隔該表面處理層而相互接合之形態。另外，該積層體之端面之一部分或全部也可以被樹脂覆蓋。
載體彼此之積層除了單純地重疊以外，例如可以藉由以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢‧惰性氣體)焊接、MIG(金屬‧惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、軟焊；(b)機械接合方法：鉚接、利用鉚釘之接合(利用自沖鉚接機之接合、利用鉚釘之接合)、縫合機； (c)物理接合方法：接著劑、(兩面)粘附帶
藉由使用上述接合方法將一載體之一部分或全部與另一載體之一部分或全部接合，可以製造一載體與另一載體積層且使載體彼此可分離地進行接觸而構成之積層體。於將一載體與另一載體較弱地接合而積層一載體與另一載體之情況下，即使不去除一載體與另一載體之接合部，也可以將一載體與另一載體分離。另外，於將一載體與另一載體較強地接合之情況下，藉由利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將一載體與另一載體接合之部位去除，可以將一載體與另一載體分離。
另外，可以藉由實施以下步驟而製作印刷配線板，即，於這樣構成之積層體至少設置1次樹脂層與電路這2層；及於至少形成1次上述樹脂層及電路這2層後，從上述積層體之附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體。此外，也可以於該積層體之一個或兩個表面設置樹脂層與電路這2層。
上述積層體所使用之樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸料可為本說明書所記載之樹脂層，也可以包含本說明書所記載之樹脂層所使用之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材等。此外，附載體銅箔可於俯視時比樹脂或預浸料小。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不受這些實施例任何限定。
1.附載體銅箔之製造
作為載體，準備表1、4所記載之厚度之長條之銅箔或鋁箔或聚醯亞胺膜。表中之「電解銅箔」是使用JX日鑛日石金屬公司製造之電解銅箔，「壓延銅箔」是使用JX日鑛日石金屬公司製造之精銅箔(JIS-H3100-C1100)，「鋁箔」是使用市售之JIS H4160 1994合金編號1N30之鋁箔。「聚醯亞胺膜」是使用如下聚醯亞胺膜，即，針對聚醯亞胺膜(Kaneka股份有限公司製造之Apical NPI)，於含有3mol/L之肼一水合物與3mol/L之氫氧化鈉之25℃之水溶液中浸漬60秒鐘而使表面為親水性，之後利用25℃之1mol/L之氫氧化鈉水溶液進行30秒鐘浸漬處理而得。
另外，依據JIS B0601-2001，使用非接觸式粗糙度測定機(Olympus製造之LEXT OLS 4000)於以下測定條件下預先測定載體之設置極薄銅層之一側之表面粗糙度Rt。另外，依據JIS B0601-1994，使用非接觸式粗糙度測定機(Olympus製造之LEXT OLS 4000)於以下測定條件下預先測定表面粗糙度Rz。
<測定條件>
截止值：無
基準長度：257.9μm
基準面積：66524μm2
測定環境溫度：23~25℃
對該銅箔之光面，在以下條件下，在輥對輥型之連續線中於以下條件下進行表中所記載之中間層(剝離層)、極薄銅層及粗化粒子層之各形成處理。於此，實施例1~36是以圖1所示之搬送方式製作。比較例1~34是如表之裝置形態所記載般從滾筒及Z字式中選擇性地製作。
(中間層(剝離層)形成)
(A)Z字之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：50mm
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)利用滾筒之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：支撐於直徑100cm滾筒之載體表面
‧極間距離：10mm
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
此外，表中之「中間層(剝離層)形成」欄之「中間層之種類」欄之記載是指以下處理。另外，例如「Ni/有機物」是指在進行鍍鎳處理後進行有機物處理。
‧「Ni」：鍍鎳
(液體組成)硫酸鎳：270~280g/L、氯化鎳：35~45g/L、乙酸鎳：10~20g/L、檸檬酸三鈉：15~25g/L、光澤劑：糖精、丁炔二醇等、十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)4~6
(液溫)55~65℃
(電流密度)1~11A/dm2
(通電時間)1~20秒
‧「鉻酸鹽」：電解純鉻酸鹽處理
(液體組成)重鉻酸鉀：1~10g/L
(pH值)7~10
(液溫)40~60℃
(電流密度)0.1~2.6A/dm2
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
‧「有機物」：有機物層形成處理
藉由將濃度1~30g/L之含有羧基苯并***(CBTA)之液溫40℃、pH值5之水溶液噴淋20~120秒鐘進行噴霧而進行。
‧「Ni-Mo」：鎳鉬合金鍍敷
(液體組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
‧「Cr」：鍍鉻
(液體組成)CrO3：200~400g/L、H2SO4：1.5~4g/L
(pH值)1~4
(液溫)45~60℃
(電流密度)10~40A/dm2
(通電時間)1~20秒
‧「Co-Mo」：鈷鉬合金鍍敷
(液體組成)硫酸Co：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30~80℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
‧「Ni-P」：鎳磷合金鍍敷
(液體組成)Ni：30~70g/L、P：0.2~1.2g/L
(pH值)1.5~2.5
(液溫)30~40℃
(電流密度)1.0~10.0A/dm2
(通電時間)0.5~30秒
‧「Cr(濺鍍)/Cr氧化物」：鍍鉻+表面氧化
藉由Cr濺鍍形成10nm之Cr層。之後，於氧氣環境之腔室內對Cr濺鍍層進行處理，使表面形成鉻氧化物。
‧「無電解Ni」：無電鍍Ni
於將載體表面進行以下之觸媒活化處理後，進行以下之無電鍍Ni。
‧觸媒活化處理
(液體組成)氯化鈀：0.1~0.3g/L、氯化亞錫10~20g/L、鹽酸150~250g/L
(液溫)30~40℃
(時間)60~180秒
‧無電鍍Ni
(浴組成)NiCl2‧6H2O：0.08~0.12mol/L、NaH2PO2‧H2O：0.08~0.12mol/L、檸檬酸鈉：0.16~0.24mol/L
(pH值)6~6.3
(液溫)80~85℃
(時間)30~90秒
(極薄銅層形成)
(A)Z字之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：50mm
‧電解鍍敷液組成(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之浴溫(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之電流密度(示於表2、5、7~12)
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)利用滾筒之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：支撐於直徑100cm滾筒之載體表面
‧極間距離：10mm
‧電解鍍敷液組成(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之浴溫(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之電流密度(示於表2、5、7~12)
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(C)改良後之Z字之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：10mm
‧電解鍍敷液組成(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之浴溫(示於表2、5、7~12)
‧電解鍍敷之電流密度(示於表2、5、7~12)
‧載體搬送張力：0.20kg/mm
‧將支撐輥設置於搬送輥間，將極薄銅層形成時之輥間距離設為通常之1/2(800~1000mm左右)。
此外，表中，關於「極薄銅層形成1」、「極薄銅層形成2」之各欄，僅記載了「極薄銅層形成1」之例子是僅進行「極薄銅層形成1」之例子，也記載了「極薄銅層形成2」之例子是於進行「極薄銅層形成1」後，進一步也進行「極薄銅層形成2」之例子。
另外，表11之極薄銅層形成條件No.21之胺化合物4是作為上述通式(F)而記載之胺化合物。另外，表12之極薄銅層形成條件No.23之胺化合物6是作為上述通式(N)而記載之胺化合物。
(粗化處理層形成)
(A)Z字之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：50mm
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)利用滾筒之運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：支撐於直徑100cm滾筒之載體表面
‧極間距離(示於表中)
‧電解鍍敷液組成(Cu：20g/L、H2SO4：50g/L)
‧電解鍍敷之浴溫：40℃
‧電解鍍敷之電流密度：30A/dm2
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
表之「粗化處理條件」之「1」及「2」表示以下處理條件。
(1)粗化處理條件「1」
(液體組成)
Cu：10~20g/L
Ni：5~15g/L
Co：5~15g/L
(電鍍條件)
溫度：25~60℃
電流密度：35~55A/dm2
粗化庫侖量：5~50As/dm2
鍍敷時間：0.1~1.4秒
(2)粗化處理條件“2”
‧電解鍍敷液組成(Cu：10g/L、H2SO4：50g/L)
‧電解鍍敷之浴溫：40℃
‧電解鍍敷之電流密度：20~40A/dm2
‧粗化庫侖量：2~56As/dm2
‧鍍敷時間：0.1~1.4秒
(乾燥步驟)
另外，關於實施例，於將形成了中間層(剝離層)之載體從電鍍浴搬 出至搬入到用來形成下一步驟之極薄銅層之電鍍浴為止、及形成極薄銅層中途、及將形成了極薄銅層之載體從電鍍浴搬出至搬入到用來形成下一步驟之粗化處理層之電鍍浴為止之期間，藉由使用水或鍍敷液噴灑淋浴而不使其乾燥。
另一方面，關於表之「中間層形成後極薄銅層形成前之期間之乾燥」欄或「極薄銅層形成1」之「乾燥」欄或「極薄銅層形成2」之「乾燥」欄為「有」之比較例，於該「中間層形成後極薄銅層形成前之期間」、「極薄銅層形成1」、「極薄銅層形成2」中，上述電鍍浴~下一步驟之電鍍浴之期間之搬送中途不噴灑淋浴，而是藉由空氣使其自然乾燥。
(耐熱層形成)
「Cu-Zn」：銅-鋅合金鍍敷
(液體組成)
NaOH：40~200g/L
NaCN：70~250g/L
CuCN：50~200g/L
Zn(CN)2：2~100g/L
As2O3：0.01~1g/L
(液溫)
40~90℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2
鍍敷時間：1~20秒
「Ni-Zn」：鎳-鋅合金鍍敷
液體組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
「Zn」：鍍鋅
液體組成：鋅15~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
(防銹層形成)
「鉻酸鹽」：鉻酸鹽處理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnOH或ZnSO4‧7H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
(矽烷偶合劑處理層形成)
將0.1vol%~0.3vol%之3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷水溶液進行噴霧塗布後，於100~200℃之空氣中乾燥、加熱0.1~10秒鐘。
2.附載體銅箔之評價
藉由以下方法對以上述方式獲得之附載體銅箔實施各評價。
<利用重量法之極薄銅層之厚度之測定>
於測定附載體銅箔之重量後，剝離極薄銅層，測定載體之重量，將前者與後者之差定義為極薄銅層之重量。
‧試樣之大小：10cm見方片材(利用加壓機進行沖裁而成之10cm見方片材)
‧試樣之採取：任意3部位
‧根據以下式，算出各試樣之利用重量法所得之極薄銅層之厚度。
利用重量法所得之極薄銅層之厚度(μm)={(10cm見方片材之附載體銅箔之重量(g/100cm2))-(從上述10cm見方片材之附載體銅箔剝離極薄銅層後之載體之重量(g/100cm2))}/銅之密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，試樣之重量測定是使用可測定至小數點後4位之精密天平。而且，將所獲得之重量之測定值直接用於上述計算。
‧將3部位之利用重量法所得之極薄銅層之厚度之算術平均值設為利用重量法所得之極薄銅層之厚度。
另外，精密天平是使用AS ONE股份有限公司之IBA-200，加壓機是使用oguchi-press股份有限公司製造之HAP-12。
此外，於極薄銅層上形成了粗化處理層等表面處理層之情況下，於形成該表面處理層後進行上述測定。
<針孔>
將附載體銅箔之極薄銅層側之表面貼附於BT樹脂(三-雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)，於220℃以20kg/cm2加熱壓接2小時。接著，將載體側朝上，一邊用手按壓附載體銅箔之樣品，一邊注意切勿不合理地剝離而導致極薄銅層於中途切斷並且用手從極薄銅層剝離載體。繼而，對BT樹脂(三-雙順丁烯二醯亞胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)上之極薄銅層表面，將民用照片用背光源作為光源，目視測定大小250mm×250mm之5片樣品之針孔數。繼而，藉由以下式算出每單位面積(m2)之針孔個數。
每單位面積(m2)之針孔個數(個/m2)=對大小250mm×250mm之5片樣品測得之針孔個數之合計(個)/所觀察之表面區域之合計面積(5片×0.0625m2/片)
<配線形成性>
準備6.25cm見方、厚度100μm之下述樹脂基材，將樹脂基材與附載體銅箔以附載體銅箔之極薄銅層側之面與樹脂基材接觸之方式進行積層加壓。積層加壓是於加壓壓力：3MPa、加熱溫度及時間：220℃×2小時之條件下進行。
使用樹脂：Mitsubishi Gas Chemical公司製造之GHPL-830MBT
接著，於將樹脂基材上之附載體銅箔之載體剝離後，藉由以下之處理步驟及處理條件進行DF(乾膜)圖案化處理。
‧DF層壓步驟：使用日立化成公司製造之RY-5325作為DF，於上述微蝕刻面貼合該DF。貼合所使用之層壓輥之溫度設為110℃，壓力設為0.4MPa，旋轉速度設為1.0m/分鐘。
‧DF曝光步驟：使用L(線)/S(間隙)=21μm/9μm之曝光掩模，介隔該曝光掩模對DF照射光。所使用之DF為負型，光所照射之部分發生光硬化。曝光量設為100mJ/cm2。
‧DF顯影步驟：藉由利用碳酸鈉水溶液(顯影液)之噴霧蝕刻而進行顯影，利用顯影液將上述曝光步驟中光未照射到之部位溶解去除。碳酸鈉濃度設為1wt/vol%，噴霧壓力設為0.16MPa，噴霧器噴霧時間設為36秒。
‧水洗步驟：利用噴霧器進行水之噴霧，對顯影處理面進行水洗。噴霧壓力設為0.16MPa，噴霧器噴霧時間設為36秒。
接著，使用以下鍍敷液組成之處理液對極薄銅層表面進行圖案銅鍍敷。
圖案銅鍍敷液組成：
‧硫酸銅五水合物：100g/L
‧硫酸：180g/L
‧氯離子：50ppm
‧添加劑：JCU股份有限公司製造之CU-BRITE-RF適量
添加劑是用來提高鍍敷表面之光澤或平滑性。
接著，利用氫氧化鈉溶液進行DF剝離。氫氧化鈉濃度設為3wt/vol%，液溫設為55℃，處理時間設為5分鐘。
接著，於以下條件下對極薄銅層表面進行快速蝕刻。
(蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：全錐型
‧噴霧壓力：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑JCU股份有限公司製造之FE-830IIW3C適量
‧處理時間[10~200秒]
對各實施例、比較例評價上述配線形成性時，拍攝上表面外觀之光學顯微鏡照片。光學顯微鏡照片(倍率：500倍)是對聚焦於配線頂面者、及聚焦於配線底面者分別進行拍攝。將配線之快速蝕刻後之配線間 之殘渣外觀(L/S=15μm/15μm間距部)之觀察照片之例子示於圖6。
於聚焦於配線底面時之觀察照片中，於配線間之樹脂面上之銅殘渣之去除完成之時間點測定所形成之配線頂面之寬度，根據以下基準進行評價。
(評價基準)◎◎◎：配線寬度為15.9μm以上，◎◎：配線寬度為15.6μm以上且未達15.9μm，◎：配線寬度為15.3μm以上且未達15.6μm，○○：配線寬度為15μm以上且未達15.3μm，○：配線寬度為10μm以上且未達15μm，×：配線寬度未達10μm
<斷線率>
藉由與各實施例、比較例中評價上述配線形成性時相同之方法，以6.25cm見方之大小(電路長度6cm，線數2000條)形成250個L/S=15μm/15μm間距之電路後，利用數位萬用表對各樣品之電路測定電阻值。繼而，於將無斷線之電路之電阻值設為100之情況下，當利用數位萬用表對各樣品之電路測得之電阻值為150以上時，判定該樣品之電路斷線。此外，上述無斷線之電路是藉由利用光學顯微鏡(倍率100倍)確認電路全長而進行判定。繼而，根據以下式算出斷線率。
斷線率(%)=判斷為斷線之樣品數(個)/樣品總數250(個)×100
<生產性>
於為了形成單位面積(1m2)之附載體銅箔之極薄銅層所需之時間(分/m2)為15分鐘以下之情況下，判定為生產性良好，於超過15分鐘之情況 下，判定為生產性不良。
○：15分鐘/m2以下
×：超過15分鐘/m2
將實施例及比較例之製作條件及評價結果示於表1~12。
(評價結果)
實施例1~36之電路形成性均良好，斷線率均低。另一方面，比較例1~34之電路形成性及斷線率中之至少一個或兩個均不良。

Claims (37)

  1. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為1.5μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下。
  2. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度未達1.0μm，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且10個/m2以下。
  3. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.9μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且15個/m2以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之附載體銅箔，其中，藉由上述重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.15~0.85μm。
  5. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.8μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且17個/m2以下。
  6. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.7μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且20個/m2以下。
  7. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.65μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且20個/m2以下。
  8. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.60μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且23個/m2以下。
  9. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.55μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且25個/m2以下。
  10. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.50μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且27個/m2以下。
  11. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.45μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且30個/m2以下。
  12. 一種附載體銅箔，其於載體之一面或兩面依序具有中間層及極薄銅層，上述極薄銅層為電解銅層，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.40μm以下，且上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且30個/m2以下。
  13. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.10μm以上。
  14. 如申請專利範圍第13項之附載體銅箔，其中，藉由上述重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.15μm以上。
  15. 如申請專利範圍第2、3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下。
  16. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且3個/m2以下。
  17. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且2個/m2以下。
  18. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且1個/m2以下。
  19. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層具有光澤銅鍍層。
  20. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，上述極薄銅層為光澤銅鍍層。
  21. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其滿足以下(A)~(G)中之任一項目中一個或兩個以上：(A)：藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.10μm以上；(B)：藉由上述重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.15μm以上；(C)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且3個/m2以下；(D)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且2個/m2以下；(E)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且1個/m2以下；(F)：上述極薄銅層具有光澤銅鍍層；(G)：上述極薄銅層為光澤銅鍍層。
  22. 如申請專利範圍第2、3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其滿足以下(H)~(O)所記載之任一項目中一個或兩個以上：(H)：藉由重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.10μm以上；(I)：藉由上述重量法測得之上述極薄銅層之厚度為0.15μm以上；(J)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且5個/m2以下；(K)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且3個/m2以下；(L)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且2個/m2以下；(M)：上述極薄銅層之針孔個數為0個/m2以上且1個/m2以下；(N)：上述極薄銅層具有光澤銅鍍層；(O)：上述極薄銅層為光澤銅鍍層。
  23. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，在申請專利範圍第1至3、5至12中任一項之附載體銅箔於載體之一面具有極薄銅層之情況下，於上述極薄銅層及上述載體之至少一表面或兩表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層；或者在申請專利範圍第1至3、5至12項之附載體銅箔於載體之兩面具有極薄銅層之情況下，於該一個或兩個極薄銅層之表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層。
  24. 如申請專利範圍第23項之附載體銅箔，其於選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  25. 如申請專利範圍第23項之附載體銅箔，其中，上述粗化處理層是由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一單質或含有任一種以上上述單質之合金所構成之層。
  26. 如申請專利範圍第1至3、5至12項中任一項之附載體銅箔，其中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
  27. 如申請專利範圍第24項之附載體銅箔，其中，上述樹脂層為接著用樹脂及/或半硬化狀態之樹脂。
  28. 如申請專利範圍第26項之附載體銅箔，其中，上述樹脂層為接著用樹脂及/或半硬化狀態之樹脂。
  29. 一種積層體，其是使用申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔製造而成。
  30. 一種積層體，其含有申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔與樹脂，且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
  31. 一種積層體，其是一個申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側向另一個申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔之上述載體側或上述極薄銅層側進行積層而成。
  32. 一種印刷配線板，其是使用申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔進行製造而成。
  33. 一種電子機器，其使用申請專利範圍第32項之印刷配線板。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層體，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中任一方法來形成電路。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；於上述樹脂層上形成電路；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；及於將上述載體或上述極薄銅層剝離後，將上述極薄銅層或上述載體去除，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面之掩埋於上述樹脂層之電路露出。
  36. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面及/或上述載體側表面與樹脂基板積層；於上述附載體銅箔之與樹脂基板積層之一側之相反側的極薄銅層側表面及/或上述載體側表面，至少設置1次樹脂層與電路這2層；及於形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：於申請專利範圍第29至31項中任一項之積層體的一面或兩面至少設置1次樹脂層與電路這2層；及於形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從構成上述積層體之附載體銅箔剝離。
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