TW201540143A - 表面處理銅箔、附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、積層體及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種微細配線形成性優異之表面處理銅箔。表面處理銅箔，於銅箔上形成有表面處理層，當從與形成有表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻時，於使銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.5以上。

Description

表面處理銅箔、附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、積層體及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種表面處理銅箔、附載體銅箔、印刷配線板、覆銅積層板、積層體及印刷配線板之製造方法。
半導體封裝基板及印刷配線基板之電路形成法，係以減成法(subtractive process)為主流。然而，近年來，隨著半導體之高積集化，使用於半導體之半導體封裝基板、印刷配線基板之電路微細化亦不斷發展，以減成法形成微細電路越趨困難。
作為因應進一步之微細配線化，已知有MSAP(改良半加成法(modified semi-additive process)(例如，專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利第4683769號公報
MSAP法如上述適用於形成微細配線。具體而言，如圖1A所示，在樹脂層(絕緣材)上形成極薄銅箔作為供電層，接著於極薄銅箔上實施圖案銅鍍敷。接著，如圖1B所示，藉由快速蝕刻(flash etching)將極薄銅箔去除，藉此形成想要之配線。另，於圖1中，將配線寬度表示成L(Line)，配線間隔表示成S(Space)。
然而，通常於極薄銅箔為了確保與樹脂層之密合性，而於樹 脂層側表面形成有粗化處理層等之表面處理層。當為了形成配線而對此表面處理銅箔即極薄銅箔進行快速蝕刻時，若花費時間去除表面處理層，則極薄銅箔之銅箔部分(配線部)的寬度亦會相應地因蝕刻而被過度去除，而發生變成較所欲寬度細之配線的問題。
因此，本發明之課題在於提供一種微細配線形成性優異之表面處理銅箔、附載體銅箔、印刷配線板，覆銅積層板、積層體及印刷配線板之製造方法。
為了達成上述目的，本發明人等經反覆潛心研究後，發現：藉由控制成使表面處理銅箔之表面處理層的蝕刻速率相對於該表面處理銅箔之銅箔的蝕刻速率在既定之值以上，可提供微細配線形成性優異之表面處理銅箔。
本發明係以上述見解為基礎而完成者，於一態樣中，係一種表面處理銅箔，於銅箔上形成有表面處理層，當從與形成有該表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻(spray etching)時，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.5以上。
本發明之表面處理銅箔於一實施形態中，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.75以上。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在1.0以上。
本發明於另一態樣中，係一種表面處理銅箔，於銅箔上形成有表面處理層，當從與形成有該表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.7以下。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.4以下。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.2以下。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液具有18g/L之H2O2、92g/L之H2SO4及8g/L之Cu的液體組成。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該銅箔係由電解銅箔或壓延銅箔形成。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有粗化處理層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有粗化處理層與設置於該粗化處理層表面之選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理(chromate treatment)層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層 具有該防鏽層及該耐熱層中至少一者，該防鏽層及該耐熱層中至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上的元素。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有該粗化處理層及該耐熱層，於該粗化處理層上具有該耐熱層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有該粗化處理層或該耐熱層，與該防鏽層，於該粗化處理層或該耐熱層上具有該防鏽層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有該防鏽層與該鉻酸處理層，於該防鏽層上具有該鉻酸處理層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層具有該鉻酸處理層與該矽烷偶合處理層，於該鉻酸處理層上具有該矽烷偶合處理層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層為選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，於該表面處理層上具備樹脂層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該樹脂層含有介電體。
本發明於另一態樣中，係一種附載體銅箔，於載體之一面或兩面依序積層有中間層、極薄銅層所構成，該極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中，於該載體之一面依序具有該中間層、該極薄銅層，而於該載體之另一面具有粗化處理層。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之表面處理銅箔製造之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之附載體銅箔製造之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之表面處理銅箔製造之覆銅積層板。
本發明於再另一態樣中，係一種使用本發明之附載體銅箔製造之覆銅積層板。
本發明於再另一態樣中，係一種積層體，含有本發明之附載體銅箔與樹脂，該附載體銅箔之端面的一部份或全部被該樹脂覆蓋。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板，形成覆銅積層板，然後藉由減成法、部分加成法(partly additive process)或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟； 將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後藉由部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：將電路形成在本發明之附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面的步驟；將電路形成在該樹脂層上的步驟；將電路形成在該樹脂層上後，將該載體或該極薄銅層剝離的步驟；及將該載體或該極薄銅層剝離後，去除該極薄銅層或該載體，藉此使形成在該極薄銅層側表面或該載體側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：積層本發明之附載體銅箔的該極薄銅層側表面及該載體側表面與樹脂基板的步驟；於該附載體銅箔之與樹脂基板積層之側的相反側之極薄銅層側表面及該載體側表面，設置至少1次樹脂層與電路之2層的步驟；及形成該樹脂層及電路之2層後，自該附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層的步驟。
根據本發明，可提供一種微細配線形成性優異之表面處理銅箔。
圖1：(A)及(B)顯示MSAP法之概略圖。
圖2：A~C係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例至電路鍍敷、去除阻劑之步驟的配線板剖面示意圖。
圖3：D~F係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔之步驟的配線板剖面示意圖。
圖4：G~I係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例自形成填孔(via fill)至剝離第1層載體之步驟的配線板剖面示意圖。
圖5：J~K係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板製造方法的具體例自快速蝕刻至形成凸塊、銅柱(pillar)之步驟的配線板剖面示意圖。
圖6：係顯示實施例1~3及比較例1之蝕刻處理時間與蝕刻量的關係之圖。
圖7：係實施例1~3及比較例1之配線的快速蝕刻後，配線間的殘渣外觀(L/S=15μm/15μm間距部)之觀察照片。
圖8：係銅層及表面處理層之剖面觀察照片之例。
〔表面處理銅箔〕
本發明之表面處理銅箔所使用之銅箔，可為電解銅箔或壓延銅箔任一者。於本發明中使用之銅箔的厚度並無特別限定之必要，例如在1μm以 上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，例如在3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。
於本發明所使用之壓延銅箔，亦包含含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素一種以上之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計在10質量%以上)，則會有導電率降低之情形。壓延銅箔之導電率較佳在50%IACS以上，更佳在60%IACS以上，再更佳在80%IACS以上。又，壓延銅箔亦包含使用精銅(JIS H3100 C1100)或無氧銅(JIS H3100 C1020)製造之銅箔。另，於本說明書中，單獨使用「銅箔」此用語時，亦包含銅合金箔。
又，可使用於本發明之電解銅箔，可用下述製造條件來製作。另，只要未特別載明，於本說明書記載之電解、蝕刻、表面處理或鍍敷等所使用之處理液(蝕刻液、電解液)的剩餘部分為水。
‧一般電解原箔：
<電解液組成>
銅：80~120g/L
硫酸：80~120g/L
氯：30~100ppm
調平劑(leveling agent)(膠)：0.1~10ppm
‧兩面平坦電解原箔，附載體極薄銅箔之載體銅箔：
<電解液組成>
銅：80~120g/L
硫酸：80~120g/L
氯：30~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用下述化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者。)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~65℃
電解液線速度：1.5~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
於本發明中，形成在銅箔上之表面處理層亦可為粗化處理層。粗化處理，通常係指對銅箔其與樹脂基板接合之面亦即表面處理側之表面，為了提升積層後銅箔之剝離強度，而在脫脂後之銅箔的表面形成瘤 狀之電沈積的處理。電解銅箔雖於製造時已具有凹凸，但藉由粗化處理可增強電解銅箔之凸部，更加增大凹凸。粗化處理，例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子來進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅組成之群中任一單質或含有此等單質任1種以上之合金構成之層等。又，亦可進行下述之粗化處理：於以銅或銅合金形成粗化粒子後，進一步以鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子。以此方式，若表面處理層為粗化處理層，則可良好地抑制如上述之MSAP法等中藉由蝕刻極薄銅層所形成之銅電路自樹脂層脫離。
可使用銅-鈷-鎳合金鍍敷、銅-鎳-磷合金鍍敷、銅-鎳-鎢合金鍍敷、銅-鈷-鎢合金鍍敷等合金鍍敷，更佳為銅合金鍍敷，來作為粗化處理。作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷，可以下述方式來實施：藉由電鍍，形成附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳的3元系合金層。若Co附著量未達100μg/dm2，則有時耐熱性會惡化，蝕刻性會變差。若Co附著量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性之影響的情形時，並不佳，會有產生蝕刻污漬且耐酸性及耐化學品性惡化之情況。若Ni附著量未達100μg/dm2，則有時耐熱性會變差。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則有時蝕刻殘留會變多。較佳之Co附著量為1000~2500μg/dm2，較佳之鎳附著量為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻污漬，係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留，並且，所謂蝕刻殘留，係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。
用於形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之鍍浴及鍍敷條件如下：
鍍浴組成：Cu 10~20g/L，Co 1~10g/L，Ni 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
鍍敷結束後之該鍍液浸漬時間：20秒以下(係由於若浸漬多於20秒，則粒子形狀會凌亂)，較佳在10秒以下，更佳在5秒以下。
前述鍍敷結束後，通常並不會特別急地自鍍液取出，但於本發明，該鍍敷結束後，必須要在既定之時間內自鍍液取出。因此，如上述，使前述鍍敷結束後之該鍍液浸漬時間在20秒以下。若該浸漬時間超過20秒進行浸漬，則可能會因鍍液而使粗化粒子之一部分溶解。該粗化粒子之一部分溶解，被認為是粒子形狀凌亂的原因之一。。
藉由將前述鍍敷結束後之該鍍液浸漬時間縮短至10秒以下，或5秒以下，由於可使粒子形狀更加不易凌亂，故是有效的。
另，與銅-鈷-鎳合金鍍敷同樣地，將銅-鈷-鎳合金鍍敷以外之合金鍍敷其鍍敷結束後之該鍍液浸漬時間控制在20秒以下(係由於若浸漬多於20秒，則粒子形狀會凌亂)，較佳在10秒以下，更佳在5秒以下，是重要的。若該浸漬時間超過20秒進行浸漬，則可能會因鍍液而使粗化粒子之一部分溶解。該粗化粒子之一部分溶解，被認為是粒子形狀凌亂的原因之一。銅-鈷-鎳合金鍍敷以外之合金鍍敷的pH、溫度、電流密度、 鍍敷時間可使用公知條件。
藉由將前述鍍敷結束後之該鍍液浸漬時間縮短至10秒以下，或5秒以下，由於可使粒子形狀更加不易凌亂，故是有效的。
又，亦可進行下述作為粗化處理之銅鍍敷，來作為表面處理。由下述作為粗化處理之銅鍍敷形成的表面處理層，會成為銅濃度高，大部分皆由銅構成的粗化處理層(鍍敷層)。銅濃度高之粗化處理層(鍍敷層)，具有不易溶解於鍍液之特徴。下述作為粗化處理之銅鍍敷，係以銅鍍敷1、銅鍍敷2之順序進行。
‧銅鍍敷1
(液組成1)
Cu濃度：10~30g/L
H2SO4濃度：50~150g/L
鎢濃度：0.5~50mg/L
十二基硫酸鈉：0.5~50mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
(第一段電流條件)
電流密度：18~70A/dm2
粗化庫侖量：1.8~1000A/dm2，較佳為1.8~500A/dm2
鍍敷時間：0.1~20秒
(第二段電流條件)
電流密度：0.5~13A/dm2
粗化庫侖量：0.05~1000A/dm2，較佳為0.05~500A/dm2
鍍敷時間：0.1~20秒
另，亦可重複進行第一段與第二段。又，亦可在進行1次或複數次第 一段之後，再進行1次或複數次第二段。又，亦可重複進行「在進行1次 或複數次第一段之後，再進行1次或複數次第二段」。
‧銅鍍敷2
(液組成2)
Cu濃度：20~80g/L
H2SO4濃度：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
(電流條件)
電流密度：5~50A/dm2
粗化庫侖量：50~300A/dm2
鍍敷時間：1~60秒
又，亦可於銅箔上，組合進行前述銅-鈷-鎳合金鍍敷等之合金鍍敷與前述銅鍍敷。較佳在銅箔上進行前述銅鍍敷後，再進行前述合金鍍敷。
又，在粗化處理層之表面，亦可形成選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。又，於粗化處理層上亦可形成耐熱層，於粗化處理層或耐熱層上亦可形成防鏽層，於防鏽層上亦可形成鉻酸處理層，於鉻酸處理層上亦可形成矽烷偶合處理層。
又，於本發明中，形成在銅箔上之表面處理層，亦可為選自 由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。又，於銅箔上亦可形成耐熱層，於耐熱層上亦可形成防鏽層，於防鏽層上亦可形成鉻酸處理層，於鉻酸處理層上亦可形成矽烷偶合處理層。
耐熱層、防鏽層可使用公知的耐熱層、防鏽層。例如，耐熱層及/或防鏽層亦可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素構成的金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防鏽層亦可含有含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防鏽層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防鏽層亦可為鎳-鋅合金層。前述鎳-鋅合金層亦可不包括不可避免之雜質，含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%。前述鎳-鋅合金層之鋅及鎳的合計附著量亦可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，更佳為20~100mg/m2。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防鏽層為含有鎳-鋅合金之層的情形，銅箔與樹脂基板之密合性會獲得提升。
例如耐熱層及/或防鏽層亦可為依序積層有附著量為1mg/m2~100mg/m2(較佳為5mg/m2~50mg/m2)之鎳或鎳合金層與附著量 為1mg/m2~80mg/m2(較佳為5mg/m2~40mg/m2)之錫層者，前述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷之任一種構成。又，耐熱層及/或防鏽層較佳為鎳或鎳合金與錫之合計附著量為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防鏽層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防鏽層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板後之電路的剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變良好。
鉻酸處理層係指經含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體處理過的層。鉻酸處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷，鎢、錫、砷及鈦等之元素(金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等可為任何形態)。作為鉻酸處理層之具體例，可列舉純鉻酸處理層或鋅鉻酸處理層等。於本發明中，將經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理過之鉻酸處理層稱為純鉻酸處理層。又，於本發明中，將經含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理過之鉻酸處理層稱為鋅鉻酸處理層。
另，用以設置矽烷偶合處理層之矽烷偶合劑可使用公知的矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧基系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基(methacryloxy)丙基三甲氧基矽烷，γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
前述矽烷偶合處理層，亦可使用環氧基系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等之矽烷偶合劑等而形成。另，此種矽烷偶合劑亦可混合2種以上使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧基系矽烷偶合劑所形成者。
此處所稱之胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基 -3-胺基丙基三甲氧基矽烷組成之群中者。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計，於0.05mg/m2~200mg/m2，較佳為0.15mg/m2~20mg/m2，更佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍設置。於前述範圍之情形時，可更加提升基材與表面處理銅箔之密合性。
〔蝕刻速率〕
以MSAP(改良半加成法)等製造印刷配線板時，有時會於將表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂基板後，藉由對該表面處理銅箔進行快速蝕刻而形成配線。於此快速蝕刻時，若花費時間去除表面處理層，則銅箔之配線寬度亦會相應地因蝕刻而被過度去除，變成較所欲寬度細之配線。又，如後述，當以嵌入樹脂基板之方式形成電路即所謂嵌入法製作印刷配線板時，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將樹脂基板表面之銅層去除，使樹脂基板內之電路鍍敷的表面露出。此時，若花費時間去除表面處理層，則樹脂基板表面與銅層(電路鍍敷)表面之階差會變大。亦即，於快速蝕刻時，若花費時間去除表面處理層，則由於銅面會自樹脂基板表面後退許多，因此需要事先確保相應之銅鍍敷厚度，不僅是快速蝕刻步驟，銅鍍敷步驟之生產性亦會大幅降低，亦導致成本上升。相對於此，本發明之表面處理銅箔藉由如上述之構成，當從與形成有表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻時，於使銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，表面處理層之厚度方向的蝕刻速率被控制在0.5以上。藉由在使銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.5以上，與以往相比，以快速蝕刻去除之時間變 短，可抑制銅箔部分被過度蝕刻，可將銅箔之配線形成為所欲寬度。且，可抑制嵌入法等容易產生之樹脂基板表面與銅層(電路鍍敷)表面之階差的發生。本發明之表面處理銅箔，於使銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，表面處理層之厚度方向的蝕刻速率較佳在0.6以上，更佳在0.7以上，再更佳在0.75以上，再更佳在0.8以上，再更佳在0.9以上，再更佳在1.0以上，典型為0.6~1.0，更典型為0.7~1.0。另，當表面處理銅箔經表面處理之側之表面的面粗糙度Sz為大之情形時，會有表面處理層之蝕刻速率低的傾向。又，當該面粗糙度Sz為小之情形時，則會有表面處理層之蝕刻速率高的傾向。因此，表面處理銅箔經表面處理之側之表面的面粗糙度Sz較佳為0.8~3.2μm，更佳為0.9~3.0μm，再更佳為1.0~3.0μm，再更佳為1.4~3.0μm，再更佳為1.6~2.8μm。
又，當銅箔之結晶粒徑為大的情形時，會有銅箔之蝕刻速率低的傾向。又，當銅箔之結晶粒徑為小的情形時，則會有銅箔之蝕刻速率高的傾向。壓延銅箔或以含有氯、雙(3-磺丙基)二硫化物及胺化合物之電解液所製造的電解銅箔，會有銅箔之結晶粒徑大的傾向。又，以膠濃度高之電解液所製造的電解銅箔，會有銅箔之結晶粒徑小的傾向。又，當表面處理層含有難以被蝕刻之元素(例如鎳、鉻、鎢、釩等)的情形時，會有表面處理層之蝕刻速率低的傾向。又，當表面處理層含有容易被蝕刻之元素(例如鋅、鈷、鐵等)的情形時，會有表面處理層之蝕刻速率高的傾向。
〔蝕刻處理時間〕
又，如上述，於快速蝕刻中，若花費時間去除表面處理層，則銅箔之 配線寬度亦會相應地因蝕刻而被過度去除，變成較所欲寬度細之配線。又，當以嵌入法製作印刷配線板時，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將樹脂基板表面之銅層去除，使樹脂基板內之電路鍍敷的表面露出。此時，若花費時間去除表面處理層，則樹脂基板表面與銅層(電路鍍敷)表面之階差會變大，而會變成電路被覆蓋於樹脂基板內之較不佳的形狀。相對於此，本發明之表面處理銅箔，係於銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，當從與形成有表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻時，表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比被控制在0.7以下。藉由表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.7以下，與以往相比，以快速蝕刻去除之時間變短，可抑制銅箔部分被過度蝕刻，可將銅箔之配線形成為所欲寬度。且，可良好地抑制嵌入法等容易產生之樹脂基板表面與銅層(電路鍍敷)表面之階差的發生。本發明之表面處理銅箔，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比，較佳在0.4以下，更佳在0.3以下，再更佳在0.2以下，再更佳在0.1以下，典型為0.2~0.7，更典型為0.2~0.4。另，當表面處理銅箔經表面處理之側之表面的面粗糙度Sz為大之情形時，會有去除表面處理層所需要之蝕刻處理時間長的傾向。又，當該面粗糙度Sz為小之情形時，則會有去除表面處理層所需要之蝕刻處理時間短的傾向。因此，表面處理銅箔經表面處理之側之表面的面粗糙度Sz較佳為0.8~3.2μm，更佳為0.9~3.0μm，再更佳為1.0~3.0μm，再更佳為1.4~3.0μm，再更佳為1.6~2.8μm。
又，當銅箔之結晶粒徑為大的情形時，會有去除銅箔所需要之蝕刻處理時間長的傾向。又，當銅箔之結晶粒徑為小的情形時，則會有去除銅箔所需要之蝕刻處理時間短的傾向。壓延銅箔或以含有氯、雙(3-磺丙基)二硫化物及胺化合物之電解液所製造的電解銅箔，會有銅箔之結晶粒徑大的傾向。又，以膠濃度高之電解液所製造的電解銅箔，會有銅箔之結晶粒徑小的傾向。又，當表面處理層含有難以被蝕刻之元素(例如鎳、鉻、鎢、釩等)的情形時，會有去除表面處理層所需要之蝕刻處理時間長的傾向。又，當表面處理層含有容易被蝕刻之元素(例如鋅、鈷、鐵等)的情形時，則會有去除表面處理層所需要之蝕刻處理時間短的傾向。
作為上述快速蝕刻之蝕刻條件，可規定成如下：
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：全圓錐(full cone)型
‧噴霧壓力：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑(添加市售之添加劑作為過氧化氫的安定化劑) 適量
剩餘部分 水
〔附載體銅箔〕
本發明之附載體銅箔，於載體之一面或兩面依序具有中間層、極薄銅 層。並且，該極薄銅層為前述本發明之一實施形態的表面處理銅箔。
<載體>
可使用於本發明之載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對酞酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)之形態提供。
作為可使用於本發明之載體，較佳使用銅箔。其原因在於：銅箔由於電傳導度高，容易形成其後之中間層、極薄銅層。載體典型上以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。一般而言，電解銅箔係利用硫酸銅鍍浴將銅電解析出在鈦或不鏽鋼之滾筒上來加以製造，壓延銅箔則是重複進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理來製造。銅箔之材料，除了精銅及無氧銅等之高純度銅外，例如亦可使用摻Sn銅；摻Ag銅；添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金；添加有Ni及Si等之卡遜(corson)系銅合金此類的銅合金。
可使用於本發明之載體的厚度，並無特別限制，只要適當調節成可作為載體之適合厚度即可，例如可設為12μm以上。但是，若過厚則生產成本會提高，故通常較佳設為35μm以下。因此，載體之厚度典型為12~70μm，更典型為18~35μm。
另，亦可在與載體設置極薄銅層之側的表面相反側之表面設置粗化處理層。亦可使用公知方法設置該粗化處理層，亦可藉由上述之粗化處理來設置。在與載體設置極薄銅層之側的表面相反側之表面設置粗化處理層，具有下述優點：當自具有該粗化處理層之表面側將載體積層在樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板不易剝離。
<中間層>
於載體之單面或兩面上設置中間層。亦可在載體與中間層之間設置其他層。本發明中所使用之中間層只要為下述構成，則無特別限定：於將附載體銅箔積層於絕緣基板之步驟前，極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於積層於絕緣基板之步驟後，極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔的中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、此等之合金、此等之水合物、此等之氧化物、有機物組成之群中的一種或二種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由下述方式構成：自載體側形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種元素構成的單一金屬層，或形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種或二種以上之元素的水合物或氧化物或有機物構成之層。
又，例如，中間層可藉由下述方式構成：自載體側形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種元素構成的單一金屬層，或形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種之元素構成的單一金屬層，或形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn組成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層。
於僅在單面設置中間層之情形時，較佳在載體之相反面設置鍍 Ni層等防鏽層。另，當以鉻酸處理或鋅鉻酸處理或鍍敷處理設置中間層之情形時，有時鉻或鋅等附著之金屬的一部份會成為水合物或氧化物。
又，例如，中間層可在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、及鉻而構成。由於鎳與銅之接合力高於鉻與銅之接合力，因此當剝離極薄銅層時，會在極薄銅層與鉻之界面發生剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散的阻隔效果。中間層之鎳的附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層之鉻的附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅在單面設置中間層之情形時，較佳在載體之相反面設置鍍Ni層等防鏽層。
<極薄銅層>
於中間層之上設置極薄銅層。亦可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。該極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。極薄銅層之厚度並無特別限制，但通常較載體薄，例如為12μm以下。典型上為0.5~12μm，更典型地為1.5~5μm。又，於在中間層上設置極薄銅層前，為了減少極薄銅層之針孔(pinhole)，亦可進行利用銅-磷合金之打底鍍敷(strike plating)。打底鍍敷可舉焦磷酸銅鍍敷液等。另，極薄銅層亦可設置在載體之兩側。
可使用本發明之附載體銅箔來製作覆銅積層板。作為該覆銅積層板，例如可為依序積層有「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體」之構成，或亦可為依序積層有「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層」之構成。另，附載體銅箔亦可小於樹脂。又， 為了防止化學液向中間層滲透，亦可用樹脂覆蓋附載體銅箔之端部。
〔表面處理層上之樹脂層〕
在本發明之表面處理銅箔的表面處理層上亦可具備有樹脂層。前述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
前述樹脂層可為接合劑，或亦可為接合用之半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即使以手指接觸其表面亦無黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊加以保管，並且若受到加熱處理，則會產生硬化反應之狀態。
前述樹脂層可為接合用樹脂，亦即接合劑，或亦可為接合用之半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即使以手指接觸其表面亦無黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊加以保管，並且若受到加熱處理，則會產生硬化反應之狀態。
又，前述樹脂層可含有熱固性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，前述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。前述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體，反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，前述樹脂層例如亦可使用國際公開號WO2008/004399號、國際公開號WO2008/053878、國際公開號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第 4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開號WO2008/114858、國際公開號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開號WO2009/001850、國際公開號WO2009/145179、國際公開號WO2011/068157、日本特開2013-19056號記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置來形成。
又，前述樹脂層，其種類並無特別限定，例如作為較佳者，可列舉包含選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺(maleimide)化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛(polyvinyl acetal)樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、丙烯酸樹脂、聚醚碸(polyether sulfone)、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、多胺、芳香族多胺、聚醯胺亞醯胺(polyamide imide)樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂(phenoxy resin)、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱固性聚伸苯醚樹 脂、氰酸酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基的線狀聚合物、聚苯醚(polyphenylene ether)樹脂、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺亞醯胺(polyamide imide)樹脂、氰基酯樹脂、膦氮烯(phosphazene)系樹脂、橡膠改質聚醯胺亞醯胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群中一種以上的樹脂。
又，前述環氧樹脂係分子內具有2個以上之環氧基者，若為可用於電氣、電子材料用途者，則可無特別問題地使用。又，前述環氧樹脂較佳為經使用分子內具有2個以上環氧丙基之化合物進行過環氧化的環氧樹脂。又，可將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(bromination)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolac)型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙酯(triglycidylisocyanurate)、N,N-二環氧丙基苯胺等之環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中的1種或2種以上混合來使用，或可使用前述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
可使用公知之含有磷的環氧樹脂作為前述含磷環氧樹脂。又，前述含 磷環氧樹脂較佳為例如以源自分子內具備2個以上之環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物的形式獲得之環氧樹脂。
(當樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形時)
前述樹脂層亦可含有介電體(介電體填料)。
當使上述任一樹脂層或樹脂組成物含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增大電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦(perovskite)結構之複合氧化物的介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性，較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm(較佳為0.02μm~2.0μm)之範圍者。再者，於利用掃描型電子顯微鏡(SEM)對介電體拍攝照片，於該照片上之介電體的粒子之上劃出直線的情形時，將橫穿介電體粒子之直線之長度最長部分的介電體粒子之長度設為該介電體粒子之直徑。並且，將測量視野中之介電體粒子直徑的平均值設為介電體之粒徑。
將前述樹脂層所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮(N-methylpyrrolidone)、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽珞蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑而製成樹脂液(樹脂清漆)，例如藉由輥式塗佈法等將其塗佈於前述表面處理銅箔的粗化 處理表面上，繼而，視需要進行加熱乾燥將溶劑去除，形成為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度可為100~250℃，較佳為130~200℃。亦可使用溶劑將前述樹脂層之組成物溶解，而製成樹脂固形物成分3wt%~70wt%(較佳為3wt%~60wt%，較佳為10wt%~40wt%，更佳為25wt%~40wt%)之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，於現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑來進行溶解。再者，溶劑較佳使用沸點為50℃~200℃之範圍的溶劑。
又，前述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測量時之樹脂溢流量位於5%~35%的範圍之半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂溢流量，係依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自附有將樹脂厚度設為55μm之樹脂的表面處理銅箔取樣4片10cm見方之試樣，於使該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測量此時之樹脂流出重量的結果依照數1而算出之值。
具備有前述樹脂層之表面處理銅箔(附有樹脂之表面處理銅箔)係以下述態樣使用，即，於使其樹脂層與基材重疊後將整體熱壓合而使該樹脂層熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層的情形時，將載體剝離而使極薄銅層露出(當然露出部分為該極薄銅層之中間層側之表面)，自與表面處理銅箔經粗化處理之側為相反側的表面形成既定之 配線圖案。
若使用該附有樹脂之表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時預浸材料之使用片數。而且，即便將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或完全未使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可將絕緣樹脂底塗(undercoat)於基材之表面而進一步改善表面之平滑性。
另，於不使用預浸材料之情形時，可節約預浸材料之材料成本，且亦簡化積層步驟，因此於經濟方面有利，而且，具有下述優點：由於沒有預浸材料之厚度，故所製造之多層印刷配線基板之厚度會變薄，可製造1層之厚度在100μm以下之極薄的多層印刷配線基板。
此樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則接合力會下降，於不隔著預浸材料而將該附有樹脂之表面處理銅箔積層於具備有內層材料的基材時，有時會難以確保內層材料與電路之間的層間絕緣。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於120μm，則有時會難以藉由1次塗佈步驟形成目標厚度之樹脂層，而花費額外之材料費與工時，因此於經濟方面變得不利。
另，於將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，為了減小多層印刷配線板之厚度，較佳使前述樹脂層之厚度為0.1μm~5μm，更佳為0.5μm~5μm，更佳為1μm~5μm。
<印刷配線板>
本發明之印刷配線板，可使用本發明之表面處理銅箔、附載體銅箔來製作。關於附載體銅箔，其本身之使用方法為該行業者所熟知，例如可將 極薄銅層之表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等之絕緣基板，於熱壓合後，將銅箔載體剝除，將接合於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成想要的導體圖案，最後製造印刷配線板。又，亦可製造覆銅積層板。又，準備屏蔽膜用之絕緣層，將附載體銅箔自極薄銅層側貼合在其表面後，自極薄銅層將銅箔載體剝除，並且於銅箔載體剝離後之極薄銅層的表面設置異向導電性接合劑，藉此可製造屏蔽膜。印刷配線板，例如可安裝在要求安裝零件高密度構裝之各種電子零件。
另，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可將2個以上本發明之印刷配線板連接而製造連接有2個以上之印刷配線板的印刷配線板，又，可將至少1個本發明之印刷配線板與另一個本發明之印刷配線板或不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接，亦可使用此種印刷配線板製造電子機器。另，於本發明中，「銅電路」亦包含銅配線。
以下，揭示幾個使用本發明之表面處理銅箔或附載體銅箔的印刷配線板製造步驟之例。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板製造方法的一實施形態中，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將前述表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板的步驟；去除前述絕緣基板上之表面處理銅箔的步驟；將電路形成在經去除前述表面處理銅箔之絕緣基板之表面的步驟。
於半加成法中，使用銅箔之表面輪廓(profile)。具體而言，首先，將本發明之銅箔積層在樹脂基材，製作覆銅積層體。接著，對覆銅積層體之銅箔進行整面蝕刻。接著，對轉印有銅箔表面輪廓之樹脂基材(整面蝕刻基材)的表面實施無電鍍銅。然後，以乾膜等被覆樹脂基材(整面蝕刻基材)不形成電路之部分，對未被乾膜被覆之無電鍍銅層的表面實施電鍍(電解)銅。然後，於將乾膜去除後，將形成在不形成電路之部分的無電鍍銅層去除，藉此，形成微細之電路。本發明中所形成之微細電路，由於與本發明轉印有銅箔表面輪廓之樹脂基材(整面蝕刻基材)的蝕刻面密合，故其密合力(剝離強度)良好。
亦可使絕緣基板為具有內層電路者。又，於本發明中，半加成法係指下述方法：在絕緣基板或銅箔種晶層(seed layer)上進行薄的無電電鍍，於形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；於將前述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除前述附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除前述載體後之絕緣基板上的極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除前述極薄銅層之絕緣基板之表面的步驟。
於本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將前述表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板，而形成覆銅積層板，然後，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於本發明中，減成法係指下述方法：藉由蝕刻等，選擇性地去除覆銅積層板上銅箔不需要之部分，而形成導體圖案。
於本發明中，部分加成法係指下述方法：在設置導體層而成的基板、視需要開出通孔或導通孔用之孔而成的基板上賦予觸媒核，進行蝕刻，形成導體電路，並視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，在該導體電路上，藉由無電電鍍處理對通孔或導通孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板。
於本發明中，改良半加成法係指下述方法：將金屬箔積層在絕緣層上，以鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電鍍增加電路形成部之銅厚後，將阻劑去除，藉由(快速)蝕刻將該電路形成部以外之金屬箔去除，藉此將電路形成在絕緣層上。
於本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將前述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將前述附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面的步驟；將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；去除該樹脂層上之表面處理銅箔的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂層之表面的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：以本發明之附載體銅箔作為第1附載體銅箔，將電路形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該第1附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自該第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟；將該第2附載體銅箔積層在該樹脂層後，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；將經剝除該第2附載體銅箔之載體後之樹脂層上之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；將電路形成在該樹脂層上之後，將該第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除該第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面的步驟；將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂層，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：以本發明之附載體銅箔作為第1附載體銅箔，將電路形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該第1附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自 該第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在該樹脂層，將該第2附載體銅箔之載體剝除，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；將電路形成在該樹脂層上之後，將該第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除該第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除的步驟；將通孔或/及盲孔(blind via)設置在藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理(desmear treatment)的步驟；對含有該樹脂及該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層去除的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電 漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除的步驟；對藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂表面設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；於設置該鍍敷阻劑後，藉由電鍍形成電路的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻將經去除該鍍敷阻劑而露出之極薄銅層去除的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形 成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除的步驟。
於使用部分加成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對該含有通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核的步驟；將阻蝕劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；對該阻蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該觸媒核去除，形成電路的步驟；將該阻蝕劑去除的步驟；將阻焊劑或鍍敷阻劑設置在經藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除該極薄銅層及該觸媒核而露出之該絕緣基板表面的步驟；將無電電鍍層設置在未設置有該阻焊劑或鍍敷阻劑之區域的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將電鍍層設置在該無電電鍍層之表面的步驟；將阻蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該阻蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該 無電電鍍層及該電鍍層去除，形成電路的步驟；將該阻蝕劑去除的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將遮罩形成在該無電電鍍層之表面的步驟；將電鍍層設置在未形成遮罩之該無電電鍍層之表面的步驟；將阻蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該阻蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該無電電鍍層去除，形成電路的步驟；將該阻蝕劑去除的步驟。
設置通孔或/及盲孔的步驟及其後之去膠渣步驟亦可不進行。
此處，使用圖式詳細地說明使用有本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。另，此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖2-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
接著，如圖2-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈阻劑，進行曝光、 顯影，將阻劑蝕刻為既定之形狀。
接著，如圖2-C所示，於形成電路用之鍍層後，去除阻劑，藉此形成既定形狀之電路鍍層。
接著，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方式)於極薄銅層上設置嵌入樹脂而將樹脂層積層，接著自極薄銅層側接合其他附載體銅箔(第2層)。
接著，如圖3-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
接著，如圖3-F所示，於樹脂層之既定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
接著，如圖4-G所示，於盲孔中嵌入銅而形成通孔填充物(via fill)。
接著，如圖4-H所示，於通孔填充物上，如上述圖2-B及圖2-C般形成電路鍍層。
接著，如圖4-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
接著，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面之極薄銅層，而露出樹脂層內之電路鍍層之表面。
接著，如圖5-K所示，在樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以上述方式製作使用有本發明之附載體銅箔的印刷配線板。
上述其他附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，可使用以往之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，於圖4-H所示之第2層的電路上，可進一步形成1層或複數層電路，亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法任一方法進行該等電路形成。
又，前述被用於第1層之附載體銅箔，在該附載體銅箔之載 體側表面亦可具有基板。被用於第1層之附載體銅箔因具有該基板或樹脂層而會獲得支持，不易產生皺摺，因此具有提升生產性之優點。另，前述基板若為具有支持被用於前述第1層之附載體銅箔的效果者，則可使用所有的基板。例如可使用本案說明書記載之載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為前述基板。
將基板形成在載體側表面之時機並無特別限制，但必須於剝離載體之前形成。尤佳於將樹脂層形成在該附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟之前形成，更佳於將電路形成在附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟之前形成。
另，嵌入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或為含浸有BT樹脂之玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製ABF膜或ABF。又，前述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
又，本發明之印刷配線板製造方法，亦可為包含下述步驟之印刷配線板製造方法(無核心法(coreless method))：將本發明之附載體銅箔之前述極薄銅層側表面或前述載體側表面與樹脂基板積層的步驟；在和與前述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或前述載體側表面相反之側的附載體銅箔之表面，設置至少1次樹脂層與電路之2層的步驟；及於形成前述樹脂層及電路之2層後，自前述附載體銅箔剝離前述載體或前述極薄銅層的步驟。關於該無核心法，作為具體例，首先，將本發明之附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層。然後，在和與樹脂基板積 層之極薄銅層側表面或前述載體側表面相反之側的附載體銅箔之表面，形成樹脂層。亦可於形成在載體側表面之樹脂層，進一步自載體側積層另外之附載體銅箔。於此情形時，係成為下述構成：以樹脂基板為中心，在該樹脂基板之兩表面側，以載體/中間層/極薄銅層之順序或極薄銅層/中間層/載體之順序積層有附載體銅箔。亦可在兩端極薄銅層或載體露出之表面，設置另外之樹脂層，並進一步設置銅層後，對該銅層進行加工，藉此形成電路。並且，亦可在該電路上，以將該電路嵌入之方式設置另外之樹脂層。又，亦可設置1次以上此種電路及樹脂層之形成(增層(buildup)法)。然後，可對以上述方式形成之積層體，將各附載體銅箔之極薄銅層或載體自載體或極薄銅層剝離而製作無核心基板。另，在樹脂基板之兩面設置附載體銅箔由於生產性優異，故較佳。
另，於上述無核心基板之製造方法，當藉由以樹脂將附載體銅箔之端面的一部份或全部覆蓋，而以增層法製造印刷配線板時，可防止化學液向中間層滲透，可防止因化學液滲透導致極薄銅層與載體分離，而可提升產率。此處所使用之「將附載體銅箔之端面的一部份或全部覆蓋之樹脂」，可使用能夠用於樹脂層之樹脂。另，當將載體與極薄銅層分離時，附載體銅箔之端面被樹脂覆蓋的部分，必須要藉由切割等去除。又，於上述無核心基板之製造方法，於俯視附載體銅箔時，附載體銅箔之積層部分的外緣至少一部份亦可被樹脂或預浸體覆蓋。又，以上述無核心基板之製造方法形成的積層體，亦可使一對附載體銅箔以可相互分離之方式接觸而構成。又，於該附載體銅箔俯視時，亦可為附載體銅箔之積層部分的外緣整體被樹脂或預浸體覆蓋而成者。藉由形成為此種構成，而於俯視附載體 銅箔時，附載體銅箔之積層部分被樹脂或預浸體覆蓋，而可防止其他構件自此部分之側方向亦即相對於積層方向為横方向的撞擊，結果可減少處理中之附載體銅箔彼此的剝離。又，藉由以樹脂或預浸體覆蓋成不使附載體銅箔之積層部分的外緣露出，而可防止如前述之化學液處理步驟中化學液滲入此界面，可防止附載體銅箔之腐蝕或侵蝕。另，當自一對之附載體銅箔分離一片附載體銅箔時，或當分離附載體銅箔之載體與銅箔(極薄銅層)時，必須藉由切割等去除被樹脂或預浸體覆蓋之附載體銅箔的積層部分。
[實施例]
以下揭示本發明之實施例，惟此等實施例係提供用以更加清楚理解本發明及其優點者，並無限定發明之意圖。
準備以下之銅箔主體層(bulk layer)(原箔))，作為實施例1~11及比較例1~4。
‧一般電解原箔
以銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L、氯化物離子濃度30~100ppm、膠濃度1~5ppm、電解液溫度57~62℃之硫酸銅電解液作為電解銅鍍浴，使流經陽極與陰極(銅箔用電沈積用金屬製滾筒)間之電解液的線速度為1.5~2.5m/秒，以電流密度70A/dm2製作厚度12μm(重量厚度95g/m2)之一般電解原箔。
‧兩面平坦電解原箔
以銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L、氯化物離子濃度30~ 100ppm、調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm、調平劑2(胺化合物)：10~30ppm、電解液溫度57~62℃之硫酸銅電解液作為電解銅鍍浴，使流經陽極與陰極(銅箔用電沈積用金屬製滾筒)間之電解液的線速度為1.5~2.5m/秒，以電流密度70A/dm2製作厚度12μm(重量厚度95g/m2)之兩面平坦電解原箔。上述之胺化合物係可使用下述化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者。)
‧附載體極薄原銅箔(raw copper foil)
以前述之兩面平坦電解原箔製造條件，製作厚度18μm之兩面平坦電解原箔。以該原箔作為銅箔載體，藉由下述方法，形成剝離層、表1所記載之厚度的極薄銅層，得到附載體極薄銅箔。
(1)Ni層(剝離層：基底鍍敷1)
對銅箔載體之S面，以下述條件，於捲對捲(roll-to-roll)型連續鍍敷 生產線進行電鍍，藉此形成1000μg/dm2附著量之Ni層。具體之鍍敷條件如下。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇(butynediol)等
十二基硫酸鈉：55~75ppm
pH：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(剝離層：基底鍍敷2)
接著，對(1)所形成之Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼而於捲對捲型連續鍍敷生產線上，以下述條件進行電解鉻酸處理，使11μg/dm2附著量之Cr層附著在Ni層上。
重鉻酸鉀：1~10g/L，鋅：0g/L
pH：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
(3)極薄銅層
接著，對(2)所形成之Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼而於捲對捲型連續鍍敷生產線上，以下述條件進行電鍍，藉此將厚度1.5μm、2μm、3μm、或5μm之極薄銅層形成在Cr層上，製得附載體極薄銅箔。
銅濃度：80~120g/L
硫酸濃度：80~120g/L
氯化物離子濃度：30~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
另，使用下述之胺化合物作為調平劑2。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基組成之一群中者。)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
接著，對上述原箔與樹脂基材接合之側的表面即M面(霧面(matte surface))或S面(亮面)，依序實施粗化處理、阻隔處理、防鏽 處理、塗佈矽烷偶合材之各表面處理。各處理條件如下。
〔粗化處理〕
‧球狀粗化(通常)：
對前述之各種原箔的M面或S面，以下述條件進行粗化處理。
(電解液組成)
Cu：20~30g/L(以硫酸銅5水合物添加，以下相同)
H2SO4：80~120g/L
砷：1.0~2.0g/L
(電解液溫)
35~40℃
(電流條件)
電流密度：70A/dm2
為了防止粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件實施粗化處理之各種銅箔的M面、附載體極薄銅箔的表面進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：29A/dm2
‧微細粗化(1)：
對前述之各種原箔的M面、附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行粗化處理。
(電解液組成)
Cu濃度：10~20g/L
H2SO4濃度：80~120g/L
鎢濃度：1~10mg/L(以鎢酸鈉2水合物添加)
十二基硫酸鈉濃度：1~10mg/L
(電解液溫)
35~45℃
(電流條件)
為了得到既定之面粗糙度Sz，而以四段式賦予電流。
電流密度如下。
第一段：30A/dm2
第二段：10A/dm2
第三段：30A/dm2
第四段：10A/dm2
為了防止粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件實施粗化處理之各種銅箔的M面、附 載體極薄銅箔的表面進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2
‧微細粗化(2)：
對前述之附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行粗化處理。
(電解液組成)
Cu濃度：10~20g/L
H2SO4濃度：80~120g/L
鎢濃度：1~10mg/L(以鎢酸鈉2水合物添加)
十二基硫酸鈉濃度：1~10mg/L
(電解液溫)
35~45℃
(電流條件)
為了得到既定之面粗糙度Sz，而應用二段式。
電流密度如下。
第一段：50A/dm2
第二段：10A/dm2
為了防止粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件實施粗化處理之各種銅箔的M面、附載體極薄銅箔的表面進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2
‧微細粗化(3)：
對前述之兩面平坦電解原箔的M面及附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行粗化處理。
(電解液組成)
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH：1~4
(電解液溫度)
40~50℃
(電流條件)
電流密度：25A/dm2
(鍍敷結束後於鍍液中的浸漬時間)
為了得到既定之面粗糙度Sz，使之在5秒以內。
對經以上述條件實施粗化處理之兩面平坦銅箔的M面，及附載體極薄銅箔的表面，進行Co-Ni的覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Co：1~30g/L
Ni：1~30g/L
pH：1.0~3.5
(電解液溫)
30~80℃
(電流條件)
電流密度：5.0A/dm2
‧微細粗化(4)：
對前述之附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行形成第一次粒子與第二次粒子之粗化處理。
形成第一次粒子：
(電解液組成)
Cu濃度：10~20g/L
H2SO4濃度：80~120g/L
鎢濃度：1~10mg/L(以鎢酸鈉2水合物添加)
十二基硫酸鈉濃度：1~10mg/L
(電解液溫)
35~45℃
(電流條件)
為了得到既定之面粗糙度Sz，而應用二段式。
電流密度如下。
第一段：50A/dm2
第二段：10A/dm2
為了防止第一次粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件形成第一次粗化粒子之附載體極薄銅箔的表面，進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2
形成第一次粒子：
接著，進行用以在附載體極薄銅箔之第一次粗化粒子上形成第二次粗 化粒子的粗化處理。
(電解液組成)
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH：1~4
(電解液溫度)
40~50℃
(電流條件)
電流密度：25A/dm2
(鍍敷結束後於鍍液中之浸漬時間)
為了得到既定之面粗糙度Sz，使之在5秒以內。
對經以上述條件實施第二次粒子粗化處理之附載體極薄銅箔的表面，進行Co-Ni之覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Co：1~30g/L
Ni：1~30g/L
pH：1.0~3.5
(電解液溫)
30~80℃
(電流條件)
電流密度：5.0A/dm2
‧微細粗化(5)：
對前述之附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行形成第一次粒子與第二次粒子之粗化處理。
形成第一次粒子：
(電解液組成)
Cu濃度：10~20g/L
H2SO4濃度：80~120g/L
鎢濃度：1~10mg/L(以鎢酸鈉2水合物添加)
十二基硫酸鈉濃度：1~10mg/L
(電解液溫)
35~45℃
(電流條件)
為了得到既定之面粗糙度Sz，而應用二段式。電流密度如下。
第一段：20A/dm2
第二段：10A/dm2
為了防止第一次粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件形成第一次粗化粒子之附載體極薄銅箔的表面，進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2
形成第二次粒子：
接著，進行用以在附載體極薄銅箔之第一次粗化粒子上形成第二次粗化粒子的粗化處理。
(電解液組成)
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH：1~4
(電解液溫度)
40~50℃
(電流條件)
電流密度：25A/dm2
(鍍敷結束後於鍍液中之浸漬時間)
為了得到既定之面粗糙度Sz，使之為15~20秒。
對經以上述條件實施第二次粒子粗化處理之附載體極薄銅箔的表面，進行Co-Ni之覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Co：1~30g/L
Ni：1~30g/L
pH：1.0~3.5
(電解液溫)
30~80℃
(電流條件)
電流密度：5.0A/dm2
‧微細粗化(6)：
對前述之附載體極薄原銅箔的表面，以下述條件進行形成第一次粒子與第二次粒子之粗化處理。
形成第一次粒子：
(電解液組成)
Cu濃度：10~20g/L
H2SO4濃度：80~120g/L
鎢濃度：1~10mg/L(以鎢酸鈉2水合物添加)
十二基硫酸鈉濃度：1~10mg/L
(電解液溫)
35~45℃
(電流條件)
為了得到既定之面粗糙度Sz，而應用三段式。電流密度如下。
第一段：25A/dm2
第二段：10A/dm2
第三段：5A/dm2
為了防止第一次粗化粒子脫落與提升剝離強度，係於由硫酸-硫酸銅構成之銅電解浴，對經以上述條件形成第一次粗化粒子之附載體極薄銅箔的表面，進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Cu：40~50g/L
H2SO4：80~120g/L
(電解液溫)
43~47℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2
形成第二次粒子：
接著，進行用以在附載體極薄銅箔之第一次粗化粒子上形成第二次粗化粒子的粗化處理。
(電解液組成)
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH：1~4
(電解液溫度)
40~50℃
(電流條件)
電流密度：25A/dm2
(鍍敷結束後於鍍液中之浸漬時間)
為了得到既定之面粗糙度Sz，使之為5~10秒。
對經以上述條件實施第二次粒子粗化處理之附載體極薄銅箔的表面，進行Co-Ni之覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下。
(電解液組成)
Co：1~30g/L
Ni：1~30g/L
pH：1.0~3.5
(電解液溫)
30~80℃
(電流條件)
電流密度：5.0A/dm2
〔阻隔(耐熱)處理〕
以下述條件進行阻隔(耐熱)處理，形成黃銅鍍敷層或鋅-鎳合金鍍敷層。
實施例2、6；比較例2之阻隔層(鋅-鎳鍍敷)形成條件：
使用添加有Ni：10g/L~30g/L、Zn：1g/L~15g/L、硫酸(H2SO4)：1g/L~12g/L、氯化物離子：0g/L~5g/L之鍍浴，以電流密度1.3A/dm2 對形成有粗化處理層之M面賦予鍍敷電量5.5As/dm2。
實施例8；比較例3、4之阻隔層(黃銅鍍敷)形成條件：
使用銅濃度50~80g/L、鋅濃度2~10g/L、氫氧化鈉濃度50~80g/L、氰化鈉濃度5~30g/L、溫度60~90℃之黃銅鍍浴，以電流密度5~10A/dm2(多段處理)對形成有粗化處理層之M面賦予鍍敷電量30As/dm2。
〔防鏽處理〕
以下述條件進行防鏽處理(鉻酸處理)，形成防鏽處理層。
(鉻酸鹽條件)於CrO3：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na2SO4：10g/L、pH4.8、54℃之鉻酸鹽浴，施予0.7As/dm2之電量。並且，於結束在鉻酸鹽浴之防鏽處理後，隨即以液體噴淋配管，使用相同之鉻酸鹽浴對粗化處理面整面進行噴淋。
〔矽烷偶合材塗佈〕
對銅箔之粗化處理面，噴灑含有0.2~2%之烷氧基矽烷(alkoxysilane)之pH7~8的溶液，藉此進行矽烷偶合材塗佈處理。
對於實施例9，於防鏽處理、矽烷偶合材塗佈之後，更進一步以下述條件形成樹脂層。
(樹脂合成例)
將3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯啶酮(以下記載為NMP)300g、甲苯20g加入在附有不鏽鋼製錨型攪拌棒、氮導入管及管閂之分離器上安裝有具備球管冷凝管之回流冷凝器的2公升三口燒瓶，以180℃加熱1小時後，冷卻至室溫附近， 然後加入3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，以室溫混合1小時後，以180℃加熱3小時，而得到固形物成分38%之嵌段共聚聚醯亞胺。此嵌段共聚聚醯亞胺，係下述之一般式(1)：一般式(2)=3：2，數量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
進一步以NMP將合成例所得之嵌段共聚聚醯亞胺溶液加以稀釋，製成固形物成分10%之嵌段共聚聚醯亞胺溶液。使雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，KI Chemical Industry公司)之固形物成分重量比率為35，嵌段共聚聚醯亞胺之固形物成分重量比率為65(亦即，樹脂溶液所含之雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷固形物成分重量：樹脂溶液所含之嵌段共聚聚醯亞胺固形物成分重量=35：65)，以60℃、20分鐘將雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷溶解混合於該嵌段共聚聚醯亞胺溶液，製 成樹脂溶液。然後，使用反輥塗佈機將前述樹脂溶液塗佈在極薄銅層表面，於氮環境下，以120℃進行3分鐘乾燥處理，並以160℃進行3分鐘乾燥處理後，最後以300℃進行2分鐘加熱處理，製得具備有樹脂層之銅箔。另，使樹脂層之厚度為2μm。
(表面處理銅箔及附載體銅箔之各種評價)
對以上述方式製得之表面處理銅箔及附載體銅箔，以下述方法實施評價。
<蝕刻速率>
準備6.25cm見方、厚度100μm之下述樹脂基材，以將銅箔具有表面處理層之面接合在樹脂基材的方式，將樹脂基材與銅箔積層加壓。積層加壓係以加壓：3MPa，加熱溫度及時間：220℃×2小時之條件來進行。
使用樹脂：三菱氣體化學公司製造GHPL-830MBT
接著，於表面處理銅箔之情形時，對樹脂基材上積層有銅箔之啟動材的銅箔，以下述條件進行蝕刻。又，於附載體銅箔之情形時，則藉由自樹脂基材上之附載體銅箔將載體剝除來製作，對樹脂基材上積層有極薄銅層之啟動材的極薄銅層，以下述條件進行蝕刻。
(蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：全圓錐型
‧噴霧壓：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑 傑希優股份有限公司製FE-830IIW3C適量
剩餘部分 水
蝕刻處理時間：10~300秒
自上述蝕刻處理前後之重量差(蝕刻處理前重量-蝕刻處理後重量)，以下式算出蝕刻量及蝕刻速率。
‧蝕刻量(μm)=重量差(g)÷〔銅密度(8.93g/cm2)÷面積(6.25×2cm2)〕×10000
‧蝕刻速率(μm/s)=上述蝕刻量(μm)÷蝕刻處理時間(s)
又，圖6係顯示實施例1~3及比較例1之蝕刻處理時間與蝕刻量之關係的圖形。若根據圖6，則可知極薄銅層部分(於表面處理銅箔之情形時顯示銅箔部分，於附載體銅箔之情形時則顯示極薄銅層部分)之蝕刻處理之間，處理時間與蝕刻量之圖形描繪有直線，將極薄銅層部分之厚度(於3μm厚之極薄銅層，為3μm)蝕刻後，於到達表面處理層時圖形出現拐點，蝕刻量變少(蝕刻速率下降)，一邊描繪曲線一邊接近水平。從此點來看，於本發明中，將極薄銅層部分之蝕刻速率的算出式，及表面處理層部分之蝕刻速率的算出式、表面處理層之厚度方向之蝕刻處理時間的算出式及銅箔之厚度1μm之蝕刻處理時間的算出式規定成如下。
(a)極薄銅層部分之蝕刻速率的算出式：
‧「極薄銅層之厚度(μm)」÷「以蝕刻去除極薄銅層部分之厚度量所 需的時間(s)」
(b)表面處理層部分之蝕刻速率的算出式：
‧「以蝕刻完全去除極薄銅層及表面處理層之厚度(μm)-極薄銅層之厚度(μm)」÷「以蝕刻完全去除極薄銅層及表面處理層所需的時間(s)-以蝕刻去除極薄銅層部分之厚度量所需的時間(s)」
另，使用於測量重量之精密天秤，可測量至小數點以下4位，測量值係將第4位四捨五入。
(c)表面處理層之厚度方向之蝕刻處理時間的算出式：
‧以蝕刻完全去除極薄銅層及表面處理層所需的時間(s)-以蝕刻去除極薄銅層部分之厚度量所需的時間(s)
(d)銅箔之厚度1μm之蝕刻處理時間的算出式：
‧極薄銅層之厚度1μm/極薄銅層部分之蝕刻速率(μm/s)
另，為了畫出圖6顯示蝕刻處理時間與蝕刻量之關係的圖形，測量係以下述蝕刻時間間隔來進行。
‧極薄銅層部分：10秒間隔
‧拐點附近：1~3秒間隔
‧表面處理層：1~2秒間隔
上述測量間隔為一例，可適當訂定能夠正確地測量蝕刻處理時間與蝕刻量之關係的測量時間間隔。作為其他之測量例，極薄銅層、拐點附近、表面處理層皆亦可以0.1~2秒間隔進行測量。
此處，極薄銅層部分之厚度(μm)，於圖6中具有拐點之情形時，以產生拐點之厚度(蝕刻量(μm))作為極薄銅層之厚度。又， 於拐點不明顯之情形時，或拐點與極薄銅層之厚度不一致之可能性高的情形時，被認為是拐點之附近的蝕刻處理時間之間，對樣品進行了蝕刻。並且，以FIB(聚焦離子束)-SIM(掃瞄離子顯微鏡)進行經蝕刻之樣品的剖面觀察，自銅之結晶組織(金屬組織)判別極薄銅層與表面處理層的界面。此處，圖8係顯示銅層(此處係對應於極薄銅層)與表面處理層之剖面觀察照片之例。於圖8中，於極薄銅層表面確認有來自樹脂基材之樹脂及粒子狀之表面處理層。該界面顯示極薄銅層與表面處理層之境界面。並且，以藉由蝕刻使前述極薄銅層與表面處理層之界面的一部份或全部露出(於極薄銅層之厚度變動大之情形時，則是露出一部份)之蝕刻處理時間作為藉由蝕刻去除極薄銅層完畢之蝕刻處理時間。並且，以該極薄銅層之蝕刻完畢之蝕刻處理時間的蝕刻量作為極薄銅層部分之厚度(μm)。
又，以「以蝕刻去除極薄銅層部分之厚度量所需的時間(s)」作為去除上述極薄銅層部分之厚度(μm)所需的時間(極薄銅層之蝕刻完畢之蝕刻處理時間)。
又，「以蝕刻完全去除極薄銅層及表面處理層之厚度(μm)」，係以表2中之區間的蝕刻重量變化為蝕刻時間每2秒在0.001g以下之點的前一個區間作為終點，從蝕刻開始至該終點的蝕刻量。另，當各區間之蝕刻時間未達2秒之情形時，對每個區間之蝕刻時間的合計為2秒之經合計的區間，合計樣品之重量變化量，藉此測量蝕刻時間每2秒之樣品的重量變化量。
又，使「以蝕刻完全去除極薄銅層及表面處理層所需的時間(s)」為自蝕刻開始至上述終點所需的時間。
<面粗糙度Sz>
使用奧林巴斯公司製雷射顯微鏡(試驗機：OLYMPUS LEXT OLS 4000，解析度：XY-0.12μm、Z-0.0μm，截取(cut-off)：無)，依ISO25178測量表面處理銅箔及附載體銅箔之表面處理層側表面的面粗糙度Sz。
<配線形成性>
準備6.25cm見方、厚度100μm之下述樹脂基材，以將銅箔具有表面處理層之面接合在樹脂基材的方式，將樹脂基材與表面處理銅箔及附載體銅箔積層加壓。積層加壓係以加壓：3MPa，加熱溫度及時間：220℃×2小時之條件來進行。
使用樹脂：三菱氣體化學公司製造GHPL-830MBT
接著，以下述之蝕刻條件對樹脂基材上之表面處理銅箔進行微蝕刻，將表面處理銅箔之厚度調整成1.4μm。又，關於樹脂基材上之附載體銅箔，係於剝除載體後，以下述之蝕刻條件對極薄銅層進行微蝕刻，將表面處理極薄銅層之厚度調整成1.4μm。藉由該微蝕刻，後述之DF圖案化處理時的DF密合性良好。
(微蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：全圓錐型
‧噴霧壓：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑 傑希優股份有限公司製FE-830IIW3C適量
剩餘部分 水
接著，藉由下述之處理步驟及處理條件進行DF(乾膜)圖案化處理。
‧DF層疊步驟：使用日立化成公司製造之RY-5325作為DF，使該DF貼合在上述微蝕刻面。用於貼合之層疊輥的溫度為110℃，壓力為0.4MPa，旋轉速度為1.0m/分。
‧DF曝光步驟：使用L(Line)/S(Space)=21μm/9μm之曝光遮罩，隔著該曝光遮罩將光照射在DF。使用之DF為負型，照到光之部份發生光硬化。曝光量為100mJ/cm2。
‧DF顯影步驟：藉由利用碳酸鈉水溶液(顯影液)之噴霧蝕刻進行顯影，在上述曝光步驟以顯影液將未照到光之部位溶解去除。碳酸鈉濃度為1wt/vol%，噴霧壓為0.16MPa，噴霧時間為36秒。
‧水洗步驟：藉由噴霧進行水之噴霧，水洗顯影處理面。噴霧壓為0.16MPa，噴霧時間為36秒。
接著，於銅箔及極薄銅層表面，使用下述鍍敷液組成之處理液進行圖案銅鍍敷。
圖案銅鍍敷液組成：
‧硫酸銅五水合物：100g/L
‧硫酸：180g/L
‧氯離子：50ppm
‧添加劑：傑希優股份有限公司製CU-BRITE-RF適量
剩餘部分 水
添加劑是為了提升鍍敷表面之光澤或平滑性而使用。
接著，於氫氧化鈉溶液進行DF剝離。氫氧化鈉濃度為3wt/vol%，液溫為55℃，處理時間為5分。
接著，於銅箔及極薄銅層表面，以下述條件進行快速蝕刻。
(蝕刻條件)
‧蝕刻形式：噴霧蝕刻
‧噴霧噴嘴：全圓錐型
‧噴霧壓：0.10MPa
‧蝕刻液溫：30℃
‧蝕刻液組成：
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加劑 傑希優股份有限公司製FE-830IIW3C適量
剩餘部分 水
‧處理時間〔10~200秒〕
關於實施例1~3、比較例1，於評價上述配線形成性時，拍攝上面外觀之光學顯微鏡照片。光學顯微鏡照片(倍率：500倍)，係分別對聚焦在配線之頂面者及聚焦在配線之底面者進行拍攝。將實施例1~3及比較例1之配線快速蝕刻後之配線間的殘渣外觀(L/S=15μm/15μm間 距部)之觀察照片示於圖7。
(配線形成性評價1)
於聚焦在配線之底面時的觀察照片，於去除配線間之樹脂面上的銅殘渣完畢之時點，測量形成之配線的寬度，以下述基準進行評價。
(評價基準)◎：配線寬度超過15μm，○：配線寬度為10~15μm，×：配線寬度未達10μm
(配線形成性評價2)
於聚焦在配線之底面時的觀察照片，於配線寬度成為13.5μm之時點，根據配線間之樹脂面上的銅殘渣剩餘程度，以下述基準，相對地進行評價。
(評價基準)○：無殘渣，×：確認殘渣，××：確認大量之殘渣
(配線形成性評價3)
於去除配線間之樹脂面上的銅殘渣完畢之時點，測量形成之配線的表面與樹脂表面之階差，以下述基準，相對地進行評價。
(評價基準)◎：階差未達1.5μm，○：階差為1.5~4μm，×：階差超過4μm
將試驗條件及結果示於表1~4。
(評價結果)
於實施例1~11皆使銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，由於表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.5以上，故微細配線形成性良好。
於比較例1~4皆使厚度方向之蝕刻速率為1之情形時，由於表面處理層之厚度方向的蝕刻速率未達0.5，故微細配線形成性不良。

Claims (32)

  1. 一種表面處理銅箔，於銅箔上形成有表面處理層，當從與形成有該表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻(spray etching)時，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.5以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在0.75以上。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，於使該銅箔之厚度方向的蝕刻速率為1之情形時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻速率在1.0以上。
  4. 一種表面處理銅箔，於銅箔上形成有表面處理層，當從與形成有該表面處理層之表面為相反側的表面以過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液進行噴霧蝕刻時，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.7以下。
  5. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.4以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層之厚度方向的蝕刻處理時間相對於該銅箔之厚度1μm的蝕刻處理時間之比在0.2以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該過氧化氫/硫酸系 之銅溶解蝕刻液具有18g/L之H2O2、92g/L之H2SO4及8g/L之Cu的液體組成。
  8. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，該過氧化氫/硫酸系之銅溶解蝕刻液具有18g/L之H2O2、92g/L之H2SO4及8g/L之Cu的液體組成。
  9. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該銅箔係由電解銅箔或壓延銅箔形成。
  10. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，該銅箔係由電解銅箔或壓延銅箔形成。
  11. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有粗化處理層。
  12. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有粗化處理層。
  13. 如申請專利範圍第11項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有粗化處理層與設置於該粗化處理層表面之選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理(chromate treatment)層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。
  14. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有該防鏽層及該耐熱層中至少一者，該防鏽層及該耐熱層中至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上的元素。
  15. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有該粗化處理層及該耐熱層，於該粗化處理層上具有該耐熱層。
  16. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有 該粗化處理層或該耐熱層，與該防鏽層，於該粗化處理層或該耐熱層上具有該防鏽層。
  17. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有該防鏽層與該鉻酸處理層，於該防鏽層上具有該鉻酸處理層。
  18. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層具有該鉻酸處理層與該矽烷偶合處理層，於該鉻酸處理層上具有該矽烷偶合處理層。
  19. 如申請專利範圍第1或4項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層為選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成之群中之1種以上的層。
  20. 如申請專利範圍第1或4項之表面處理銅箔，其中，於該表面處理層上具備樹脂層。
  21. 如申請專利範圍第20項之表面處理銅箔，其中，該樹脂層含有介電體。
  22. 一種附載體銅箔，於載體之一面或兩面依序積層有中間層、極薄銅層所構成，該極薄銅層為申請專利範圍第1至21項中任一項之表面處理銅箔。
  23. 如申請專利範圍第22項之附載體銅箔，其中，於該載體之一面依序具有該中間層、該極薄銅層，而於該載體之另一面具有粗化處理層。
  24. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第1至21項中任一項之表面處理銅箔製造。
  25. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔 製造。
  26. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第1至21項中任一項之表面處理銅箔製造。
  27. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔製造。
  28. 一種積層體，含有申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔與樹脂，該附載體銅箔之端面的一部份或全部被該樹脂覆蓋。
  29. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至21項中任一項之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板，形成覆銅積層板，然後藉由減成法(subtractive process)、部分加成法(partly additive process)或改良半加成法(modified semi-additive process)中之任一方法形成電路的步驟。
  30. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後藉由部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
  31. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：將電路形成在申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔的該極薄銅層側 表面或該載體側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面的步驟；將電路形成在該樹脂層上的步驟；將電路形成在該樹脂層上後，將該載體或該極薄銅層剝離的步驟；及將該載體或該極薄銅層剝離後，去除該極薄銅層或該載體，藉此使形成在該極薄銅層側表面或該載體側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
  32. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：積層申請專利範圍第22或23項之附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面與樹脂基板的步驟；於該附載體銅箔之與樹脂基板積層之側的相反側之極薄銅層側表面或該載體側表面，設置至少1次樹脂層與電路之2層的步驟；及形成該樹脂層及電路之2層後，自該附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層的步驟。
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