CN104076760A - 远程控制***及中央控制装置、客户端和信息采集装置 - Google Patents

远程控制***及中央控制装置、客户端和信息采集装置 Download PDF

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伊藤久贵
二宫明人
大薮恭也
梅谷荣弘
松田广和
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本发明提供一种远程控制***及中央控制装置、客户端和信息采集装置。片材制造工序的该远程控制***的特征在于，具备中央控制装置和与其异地设置的客户端装置，中央控制装置具有第一信息收发单元和信息生成单元，客户端装置具有第二信息收发单元和片材制造控制单元，第一与第二信息收发单元通过网络远程连接，中央控制装置基于用第一信息收发单元接收到的与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与清漆相关的第2信息，通过信息生成单元生成与片材制造条件相关的第3信息，用第一信息收发单元通过网络将第3信息发送给客户端装置，客户端装置用第二信息收发单元接收第3信息，通过片材制造控制单元基于第3信息控制片材制造工序的制造条件。

Description

远程控制***及中央控制装置、客户端和信息采集装置
技术领域
本发明涉及一种由清漆制成用于制造具有半导体元件的半导体装置的片材的片材制造工序的远程控制***。
背景技术
近年来，作为光半导体装置的制造方法，研究着以下方法：制造包含粒子和固化性树脂的清漆，从该清漆制造B阶段的密封片材等的覆盖片材，用该覆盖片材覆盖光半导体元件。
例如，提出了以下方法：利用由B阶段的热固性树脂构成的荧光体层来覆盖安装于基板的发光二极管，之后使荧光体层C阶段化，由此制造LED装置(例如，参照以下专利文献1)。
专利文献1：日本特开2009-060031号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在密封片材制造工厂制造包含荧光体层的密封片材，因此将制造出的密封片材出货到LED装置制造工厂。此外，在密封片材制造工厂，从LED装置制造工厂提供与发光二极管和LED装置相关的信息，基于该信息和与清漆相关的信息，生成适合于设为目的的LED装置的密封片材的制造条件。
然而，在LED装置制造工厂半导体元件和/或光半导体装置发生变动的情况下，在密封片材制造工厂需要与这些变动对应地再次制造密封片材，或者进一步将再次制造的不同种类的密封片材运送至LED装置制造工厂。因此，存在花费功夫、时间这种问题。
另一方面，还考虑在LED装置制造工厂内设置密封片材制造工厂，从而省略所述功夫、时间。
然而，LED装置制造工厂存在与清漆相关的信息不充分而无法准确地生成密封片材的制造条件这种问题。
本发明的目的在于提供一种在光半导体装置的制造工厂能够简单且可靠地制造适合于光半导体装置的覆盖片材的片材制造工序的远程控制***以及其中央控制装置、客户端装置和信息采集装置。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明提供一种片材制造工序的远程控制***，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，
所述远程控制***包括中央控制装置和与所述中央控制装置异地设置的客户端装置，
所述中央控制装置具有第一信息收发单元和信息生成单元，
所述客户端装置具有第二信息收发单元和片材制造控制单元，
所述中央控制装置的所述第一信息收发单元与所述客户端装置的第二信息收发单元通过网络远程连接，
所述中央控制装置基于用所述第一信息收发单元接收到的与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，通过所述信息生成单元生成与片材制造条件相关的第3信息，并用所述第一信息收发单元通过网络将所述第3信息发送给所述客户端装置，所述客户端装置用所述第二信息收发单元接收所述第3信息，并通过所述片材制造控制单元根据所述第3信息对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
优选还包括信息采集装置，所述中央控制装置与所述信息采集装置通过网络连接，
所述信息采集装置具有第三信息收发单元，
所述信息采集装置通过所述第三信息收发单元接收所述第1信息和第2信息，并用所述第三信息收发单元通过网络将所述第1信息和所述第2信息发送给所述中央控制装置。
优选所述信息采集装置包括分别用于接受所述第1信息和所述第2信息的第1信息采集装置和第2信息采集装置。
优选所述中央控制装置具有存储所述第1信息的第1信息存储单元和用于存储所述第2信息的第2信息存储单元，所述信息生成单元从所述第1信息存储单元和所述第2信息存储单元读取所述第1信息和所述第2信息，所述客户端装置具有存储所述第3信息的第3信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第3信息存储单元读取所述第3信息。
优选所述客户端装置还接收包括清漆、清漆中所含粒子、清漆中所含固化性树脂、半导体元件中至少一种的批次信息，和/或单位期间半导体装置制造量信息的第4信息，并根据所述第4信息对所述片材制造工序的制造条件进行修正控制。
优选所述中央控制装置还基于与本次之前的片材制造条件相关的第5信息生成与本次片材制造条件相关的第3信息，并将所述与本次片材制造条件相关的第3信息发送到所述客户端装置，
所述客户端装置根据所述与本次片材制造条件相关的第3信息对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
优选所述客户端装置具有存储所述第4信息的第4信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第4信息存储单元读取第4信息。
优选所述中央控制装置具有存储所述第5信息的第5信息存储单元，所述信息生成单元从所述第5信息存储单元读取第5信息。
优选所述与片材制造条件相关的第3信息进一步包括与清漆制造工序的制造条件相关的信息，所述片材制造控制单元根据所述第3信息进一步对所述清漆制造工序的制造条件进行控制。
本发明还提供一种片材制造工序远程控制***中的中央控制装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述中央控制装置包括：
第一信息收发单元，用于通过网络接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，以及
信息生成单元，与所述第一信息收发单元连接，用于基于所述第1信息和第2信息生成与片材制造条件相关的第3信息，并通过所述第一信息收发单元发送所述第3信息。
优选所述信息生成单元还被配置为基于与本次之前的片材制造条件相关的第5信息生成与本次片材制造条件相关的第3信息，并通过所述第一信息收发单元发送与本次片材制造条件相关的第3信息。
优选所述中央控制装置具有存储所述第5信息的第5信息存储单元，所述信息生成单元从所述第5信息存储单元读取第5信息。
优选所述中央控制装置具有存储所述第1信息的第1信息存储单元和用于存储所述第2信息的第2信息存储单元，所述信息生成单元从所述第1信息存储单元和所述第2信息存储单元读取所述第1信息和所述第2信息。
本发明还提供一种片材制造工序远程控制***中的客户端装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述客户端装置包括：
第二信息收发单元，用于与所述片材制造工序远程控制***中的中央控制装置连接，接收与片材制造条件相关的第3信息，以及
片材制造控制单元，与所述第二信息收发单元连接，用于根据由所述第二信息收发单元接收到的与片材制造条件相关的第3信息，对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
优选所述客户端装置具有存储所述与片材制造条件相关的第3信息的信息存储单元。
优选所述第二信息收发单元还被设置为接收包括清漆、清漆中所含粒子、清漆中所含固化性树脂、半导体元件中至少一种的批次信息，和/或单位期间半导体装置制造量信息的第4信息，并且
所述片材制造控制单元还被配置为根据所述第4信息对所述片材制造工序的制造条件进行修正控制。
优选所述客户端装置具有存储第4信息的第4信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第4信息存储单元读取第4信息。
本发明还提供一种片材制造工序远程控制***中的信息采集装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述信息采集装置包括：
信息接收单元，用于接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，以及
信息发送单元，与所述信息接收单元以及所述片材制造工序远程控制***中的中央控制装置连接，用于将所述信息接收单元接收到的所述第1信息和第2信息发送至所述中央控制装置。
本发明的片材制造工序的远程控制***是具备制造包含粒子和固化性树脂的清漆的清漆制造工序、从所述清漆制造B阶段的覆盖片材的片材制造工序以及用所述覆盖片材覆盖光半导体元件的覆盖工序的光半导体装置的制造方法中的所述片材制造工序的远程控制***。
在该***中，优选中央控制装置具备第1信息收发单元、第1信息存储单元、第2信息存储单元以及信息生成单元，另一方面，设置于与中央控制装置不同的位置(异地设置的位置)的客户端装置具备第2信息收发单元、第3信息存储单元以及片材制造控制单元。
而且，在中央控制装置中，第1信息收发单元接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息和与所述清漆相关的第2信息，将各第1信息和第2信息分别存储到第1信息存储单元和第2信息存储单元，用信息生成单元生成片材制造工序的制造条件，能够将该片材制造工序的制造条件提供给客户端装置。
而且，在客户端装置中，用第2信息收发单元接收从中央控制装置提供的与制造条件相关的第3信息，将第3信息存储到第3信息存储单元，基于所述第3信息，用片材制造控制单元控制片材制造工序的制造条件。
因此，能够与客户端装置分开地在中央控制装置中决定片材制造工序的制造条件，并且客户端装置能够控制片材制造工序的制造条件。
另外，从中央控制装置提供的与片材制造工序的制造条件相关的第3信息基于第1信息和第2信息。因此，客户端装置基于从中央控制装置提供的第3信息，用片材制造控制单元，能够高精度地控制片材制造工序的制造条件。其结果，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，本发明的***优选还生成和控制所述清漆制造工序的制造条件，所述信息生成单元基于所述第1信息存储单元所存储的所述第1信息以及所述第2信息存储单元所存储的所述第2信息，还生成所述清漆制造工序的所述制造条件，所述片材制造控制单元基于所述第3信息存储单元所存储的所述第3信息，还控制所述清漆制造工序的所述制造条件。
在该***中，信息生成单元基于第1信息存储单元所存储的第1信息以及第2信息存储单元所存储的第2信息，还生成清漆制造工序的制造条件，片材制造控制单元基于第3信息存储单元所存储的第3信息还控制清漆制造工序的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的***中，第1信息优选包含与安装光半导体元件的基板相关的信息。
根据该***，第1信息包含与安装光半导体元件的基板相关的信息，因此中央控制装置还与所述各信息一起具备与安装光半导体元件的基板相关的信息。
因此，基于与基于第1信息生成的制造条件相关的高精度的第3信息，客户端装置能够更进一步高精度地控制片材制造工序的制造条件。
另外，在本发明的***中，所述客户端装置优选具备：第4信息存储单元，其存储粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或包含每个单位期间的光半导体装置的制造量的第4信息；以及作为片材制造控制单元的修正单元，其基于所述第4信息存储单元所存储的所述第4信息，对所述片材制造工序的所述制造条件进行修正。
粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件的批次信息根据每个批次而发生变动。另外，每个单位期间的光半导体装置的制造量根据每个单位期间而发生变动。因此，有时所制造的光半导体装置的物性根据每个批次和/或每个单位期间而发生变动。在这种情况下，中央控制装置每次基于第4信息来生成制造条件是烦杂的。
但是，在该***中，在客户端装置中，用作为片材制造控制单元的修正单元基于第4信息存储单元所存储的粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或包含每个单位期间的光半导体装置的制造量的第4信息，能够修正片材制造工序的制造条件。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地修正片材制造工序的制造条件，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的***中，优选所述中央控制装置具备存储第5信息的第5信息存储单元，该第5信息与本次之前制造所述覆盖片材的制造条件相关，基于所述第5信息存储单元所存储的所述第5信息，生成用于本次制造所述覆盖片材的制造条件。
根据该***，中央控制装置能够累积与本次之前制造覆盖片材的制造条件相关的第5信息。因此，基于过去累积的制造条件，能够在本次制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，并且能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置。
本发明的中央控制装置是具备制造包含粒子和固化性树脂的清漆的清漆制造工序、从所述清漆制造B阶段的覆盖片材的片材制造工序以及用所述覆盖片材覆盖光半导体元件的覆盖工序的光半导体装置的制造方法中的、用于生成所述片材制造工序的制造条件的中央控制装置，优选具备：第1信息收发单元；第1信息存储单元，其存储与所述光半导体元件相关的第1信息；第2信息存储单元，其存储与所述清漆相关的第2信息；以及信息生成单元，其基于所述第1信息存储单元所存储的所述第1信息和所述第2信息存储单元所存储的所述第2信息生成所述制造条件。
该中央控制装置具备第1信息收发单元、第1信息存储单元、第2信息存储单元以及信息生成单元。
因此，根据该中央控制装置，第1信息收发单元接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，将各第1信息和第2信息分别存储到第1信息存储单元和第2信息存储单元，能够用信息生成单元生成片材制造工序的制造条件。
其结果，根据所述片材制造工序的制造条件，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，优选本发明的中央控制装置还生成所述清漆制造工序的制造条件，所述信息生成单元基于所述第1信息存储单元所存储的所述第1信息以及所述第2信息存储单元所存储的所述第2信息还生成所述清漆制造工序的所述制造条件。
在该中央控制装置中，信息生成单元基于第1信息存储单元所存储的第1信息以及第2信息存储单元所存储的第2信息还生成清漆制造工序的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的中央控制装置中，所述第1信息优选包含与安装所述光半导体元件的基板相关的信息。
根据该中央控制装置，第1信息包含与安装光半导体元件的基板相关的信息，因此中央控制装置还能够与所述各信息一起具备与安装光半导体元件的基板相关的信息。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，优选本发明的中央控制装置具备第5信息存储单元，该第5信息存储单元存储与本次之前制造所述覆盖片材的制造条件相关的第5信息，基于所述第5信息存储单元所存储的所述第5信息，生成用于本次制造所述覆盖片材的制造条件。
根据该中央控制装置，能够累积与本次之前制造覆盖片材的制造条件相关的第5信息。因此，基于过去累积的制造条件，能够在本次制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，并且能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置。
本发明的客户端装置是具备制造包含粒子和固化性树脂的清漆的清漆制造工序、从所述清漆制造B阶段的覆盖片材的片材制造工序以及用所述覆盖片材覆盖光半导体元件的覆盖工序的光半导体装置的制造方法中的、用于控制所述片材制造工序的制造条件的客户端装置，优选具备：第2信息收发单元；第3信息存储单元，其存储与所述制造条件有关的第3信息；以及片材制造控制单元，其基于所述第3信息存储单元所存储的所述第3信息，控制所述片材制造工序的所述制造条件。
根据该客户端装置，用第2信息收发单元接收从中央控制装置提供的与制造条件相关的第3信息，将与片材制造工序的制造条件相关的第3信息存储到第3信息存储单元，基于所述第3信息，用片材制造控制单元，能够高精度地控制片材制造工序的制造条件。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，优选本发明的客户端装置还控制所述清漆制造工序的制造条件，所述片材制造控制单元基于所述第3信息存储单元所存储的所述第3信息，还控制所述清漆制造工序的所述制造条件。
根据该客户端装置，片材制造控制单元基于第3信息存储单元所存储的第3信息，还控制清漆制造工序的制造条件，因此能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，本发明的客户端装置优选具备：第4信息存储单元，其存储第4信息，该第4信息包含粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置的制造量；以及作为片材制造控制单元的修正单元，其基于所述第4信息存储单元所存储的所述第4信息，对所述片材制造工序的所述制造条件进行修正。
粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件的批次信息根据每个批次而发生变动。另外，每个单位期间的光半导体装置的制造量根据每个单位期间而发生变动。因此，有时所制造的光半导体装置的物性根据每个批次和/或单位期间而发生变动。在这种情况下，中央控制装置每次根据第4信息生成制造条件是烦杂的。
但是，在该客户端装置中，用作为片材制造控制单元的修正单元，基于第4信息存储单元所存储的粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置的制造量的第4信息，能够修正片材制造工序的制造条件。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地，修正片材制造工序的制造条件，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
发明的效果
根据具备本发明的中央控制装置和客户端装置的本发明的***，能够与客户端装置分开地在中央控制装置中生成制造条件，并且客户端装置能够控制制造条件。另外，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
附图说明
图1示出本发明的***的一个实施方式的概要结构图。
图2A～图2E是图1示出的密封片材的放大截面图，图2A示出仅由荧光体层构成的密封片材，图2B示出具备荧光体的浓度不同的多个荧光体层的密封片材，图2C示出具备具有向下方打开的凹部的树脂层以及填充到凹部的荧光体层的密封片材，图2D示出具备截面大致梯形状的荧光体层以及形成于其周围的树脂层的密封片材，图2E示出具备截面大致矩形状的荧光体层以及形成于其周围的树脂层的密封片材。
图3F～图3G是图1示出的密封片材的放大截面图，图3F示出具备树脂层、形成于树脂层的上侧的荧光体层的密封片材，图3G示出具备树脂层、形成于树脂层的上侧的荧光体层以及在树脂层的下侧以包围用于形成光半导体元件的部分的方式形成的功能层的密封片材。
图4示出图1的变形例的***的概要结构图。
图5A～图5B是图2A的密封片材的变形例的放大截面图，图5A示出将覆盖片材相对配置在覆盖光半导体元件的密封层的上侧的状态，图5B示出将覆盖片材层叠到密封层的上表面的状态。
附图标记说明
1：***；2：中央控制装置；3：片材制造控制装置(客户端装置)；6：第1存储器；8：第1CPU；11：清漆；12：密封片材；13：光半导体元件；14：基板；15：第1信息；16：第2信息；17：第3信息；20：光半导体装置；23：第3存储器；24：第4存储器；60：覆盖片材；S1：清漆制造工序；S2：片材制造工序；S3：密封工序。
具体实施方式
[***的结构]
作为本发明的一个实施方式的***1是设置于控制部门5和光半导体装置制造工厂4的***，其中，该光半导体装置制造工厂4设置于与该控制部门5不同的位置(异地设置的位置)。通过网络将控制部门5与设置于不同的位置(异地设置的位置)的光半导体装置制造工厂4内的各装置连接，对片材制造工序进行远程控制。
***1生成和控制具备清漆制造工序S1、片材制造工序S2以及密封工序S3(覆盖工序的一例)的光半导体装置20的制造方法中的清漆制造工序S1和片材制造工序S2的制造条件，其中，在该清漆制造工序S1中，制造包含粒子和固化性树脂的清漆11，在该片材制造工序S2中，从清漆11制造作为B阶段的覆盖片材的密封片材12，在该密封工序S3(覆盖工序的一例)中，用密封片材12密封光半导体元件13。***1具备中央控制装置2以及作为客户端装置的片材制造控制装置3。
控制部门5具备中央控制装置2。
中央控制装置2具备第1信息收发单元37、作为第1信息存储单元的第1存储器6、作为第2信息存储单元的第2存储器7、作为信息生成单元的第1CPU8以及作为第5信息存储单元的第5存储器10。
第1存储器6存储光半导体元件13、安装光半导体元件13的基板14以及与光半导体装置20相关的第1信息15。
作为第1信息15，具体地说作为与光半导体元件13相关的信息，例如可举出光半导体元件13的形状、光半导体元件13的尺寸、光半导体元件13的发光峰值波长、基板14的每个单位面积的光半导体元件13的安装数以及每一个基板14的光半导体元件13的安装数等。
另外，作为第1信息15，具体地说作为与基板14相关的信息，例如可举出基板14的外形形状、基板14的尺寸以及基板14的表面形状(是否存在凹部等)等。
并且，作为第1信息15，具体地说作为与光半导体装置20相关的信息，例如可举出光半导体装置20的色温、光半导体装置20的总光通量以及光半导体装置20的配光特性等。具体地说，在设为目标的光的颜色为自然光的情况下，目标色温例如为4600K以上且例如为5500K以下。另外，在设为目标的光的颜色为白色的情况下，目标色温例如为3250K以上且例如为3800K以下。从上述温度范围中选择目标色温。
中央控制装置2与第1信息采集装置21通过网络连接，构成为从光半导体装置制造工厂4所具有的第1信息采集装置21输入第1信息15。
第2存储器7存储与清漆11相关的第2信息16。
作为第2信息16，具体地说作为与粒子相关的信息，例如可举出粒子的种类、粒子的混合比例、粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下为平均粒径)等。此外，在粒子包含后述的荧光体的情况下，作为与粒子相关的信息，还可举出荧光体的吸收峰值波长。另外，作为第2信息16，具体地说作为与固化性树脂相关的信息，例如可举出固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的混合比例以及固化性树脂的固化速度等。并且，作为第2信息16，具体地说作为与清漆相关的信息，例如可举出清漆的粘度。另外，作为第2信息16，在脱模片材28(后述)设置有定位标记(未图示)的情况下，还可举出涂布后的多个清漆11的相对位置信息等。
中央控制装置2与第2信息采集装置22通过网络连接，构成为从光半导体装置制造工厂4所具有的第2信息采集装置22输入第2信息16。
另外，控制部门5例如还能够设置在能够制造与用光半导体装置制造工厂4的片材制造装置34(后述)制造的密封片材12相同的密封片材12的密封片材制造工厂内。构成为从密封片材制造工厂的控制部门5所具有的第2信息采集装置22输入第2信息16。
第1CPU8是基于第1存储器6所存储的第1信息15以及第2存储器7所存储的第2信息16生成密封片材12的制造条件的信息生成单元。
在第1CPU8中预先存储有规定的程序处理，第1CPU8按照程序处理生成密封片材12的制造条件。
作为密封片材12的制造条件，例如可举出密封片材12的层结构的种类、清漆11的涂布条件等。此外，在密封片材12为后述的B阶段的情况下，还可举出使A阶段的清漆11进行B阶段化时的清漆11的加热条件、活性能量射线的照射条件等。另外，还可举出B阶段的密封片材12的压缩弹性率。
如参照图2和图3那样，密封片材12例如以具备含有荧光体的荧光体层26的含荧光体的密封片材、即荧光体片材构成。作为密封片材12的层结构，例如可举出如图2A～图2E所示那样荧光体层26能够与光半导体元件13(虚拟线)直接接触的接触结构、并且例如图3F和图3G所示那样荧光体层26能够覆盖光半导体元件13、另一方面在荧光体层26与光半导体元件13(虚拟线)之间隔着间隔的分离结构等。
在图2和图3中虚拟线示出被埋设于密封片材12的光半导体元件13。
作为接触结构的密封片材12，从例如图2A所示那样仅由荧光体层26构成的密封片材12A、如图2B所示那样具备荧光体的浓度不同且在厚度方向上层叠的多个荧光体层26A和26B的密封片材12B、如图2C所示那样具备具有向下方打开的凹部的树脂层27和填充到凹部的荧光体层26的密封片材12C、参照图2D和图2E那样具备俯视观察大致圆形状或者俯视观察大致矩形状的荧光体层26和形成于其周围的树脂层27的密封片材12、即如图2D所示那样随着荧光体层26形成为朝向上侧而宽度变大的截面观察大致梯形状的密封片材12D并且如图2E所示那样荧光体层26形成为截面观察大致矩形状的密封片材12E等中选择。
另外，作为分离结构的密封片材12，例如从图3F所示那样具备树脂层27和形成于树脂层27的上侧的荧光体层26的密封片材12F、或者例如图3G所示那样具备树脂层27、形成于树脂层27的上侧的荧光体层26以及在树脂层27的下侧仰视观察形成为包围要形成光半导体元件13的部分的功能层29的密封片材12G等中选择。此外，在图3G中，通过在树脂中混合具备荧光体等的波长变换功能、白色颜料(具体地说，二氧化钛等)等光反射功能的功能材料，来从功能层29中选择。
具体地说，作为具有上述各种结构的密封片材12，可举出公知的密封片材，具体地说，作为接触结构的密封片材12，例如从日本特开2010-067641号公报、日本特开2009-231750号公报、日本特开2009-188207号公报、日本特开2009-182149号公报、日本特开2009-099784号公报、日本特开2009-060031号公报等所记载的密封片材(荧光体片材)中选择(决定)，并且，作为分离结构的密封片材12，例如从日本特开2011-258634号公报、日本特开2011-228525号公报、日本特开2011-159874号公报、日本特开2011-082340号公报、日本特开2010-192844号公报、日本特开2010-153500号公报、日本特开2010-123802号公报等所记载的密封片材(荧光体片材)中选择(决定)。
适当地选择具有接触结构的荧光体层26、荧光体的浓度不同的两个荧光体层26A和荧光体层26B以及树脂层27(包含凹部)的尺寸，从所述公开公报所记载的范围中选择。
作为清漆11的涂布条件，例如可举出紧接着涂布之后的清漆11的形状、紧接着涂布之后的清漆11的厚度等。此外，所述形状包含清漆11相互隔开间隔而成的形状。
如图1所示，第1CPU8被配置成能够读取第1存储器6所存储的第1信息15和第2存储器7所存储的第2信息16。
如图1所示，第5存储器10是用于存储用第1CPU8生成的密封片材12的制造条件的区域。
此外，在第5存储器10中设置有记录区域(未图示)，该记录区域(未图示)能够记录与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第5信息19。此外，记录区域所记录并累积的第5信息19被配置成在本次的制造过程中用第1CPU8读取并再次用第1CPU8生成密封片材12的制造条件。
光半导体装置制造工厂4具备片材制造装置34和密封装置32。
片材制造装置34具备清漆制造装置33、片材化装置31以及片材制造控制装置3(客户端装置)。
清漆制造装置33例如具备容器52，该容器52配备搅拌机51。
片材化装置31例如具备分配器、涂抹器、狭缝式涂布机等涂布装置53。作为涂布装置53，优选举出分配器。另外，片材化装置31还能够具备干燥机55，该干燥机55具有在上下方向上相互隔开间隔配置的加热器54。
片材制造控制装置3(客户端装置)具备第2信息收发单元38、作为第3信息存储单元的第3存储器23、作为第4信息存储单元的第4存储器24以及片材制造控制单元即作为修正单元的第2CPU25。
中央控制装置2的第1信息收发单元37与片材制造控制装置3的第2信息收发单元38通过网络远程连接。
第3存储器23存储与用第1CPU8生成的密封片材12的制造条件相关的第3信息17。
第3信息17包含用第1CPU8生成的密封片材12的制造条件。
第3存储器23配置成被从第5存储器10输入用第1CPU8生成的第3信息17。
第4存储器24存储第4信息18，该第4信息18包含粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量。
批次信息为随着批次的变更而变动的信息，具体地说，可举出根据批次不同而不同的粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下，平均粒径)等，并且，可举出根据批次不同而不同的固化性树脂的粘度等。此外，在粒子包含荧光体的情况下，作为荧光体的批次信息可举出根据批次不同而不同的荧光体的吸收峰值波长。并且，作为与根据批次不同而不同的清漆相关的信息，可举出由所述粒子和/或固化性树脂的批次不同而引起的清漆的粘度。
作为每个单位期间的光半导体装置20的制造量，以每个月期间的光半导体装置20的制造量、例如从1000个以上、优选为5000个以上且例如200，000个以下的范围中选择。
第4存储器24配置成被从光半导体装置制造工厂4内的第1信息采集装置21以及光半导体装置制造工厂4或者控制部门5内的第2信息采集装置22输入第4信息18。
作为第4信息18中从第1信息采集装置21输入的第4信息18B，例如可举出光半导体元件13的批次信息、每个单位期间的光半导体装置20的制造量，并且，作为从第2信息采集装置22输入的第4信息18A，例如可举出粒子的批次信息、固化性树脂的批次信息以及清漆的批次信息。
在第2CPU25中预先存储有规定的程序处理，第2CPU25基于第3存储器23所存储的第3信息17，对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行控制。另外，第2CPU25还能够基于第4存储器24所存储的第4信息18，对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正。
第2CPU25被配置成能够读取第3存储器23所存储的第3信息17以及第4存储器24所存储的第4信息18。
第2CPU25被配置成能够对各清漆制造装置33和片材化装置31分别控制且修正清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
密封装置32具备加压装置35和密封控制装置36。
加压装置35例如在上下方向上隔开间隔相对置，可选择具有两个平板41的加压机等，该两个平板41能够在上下方向上按压密封片材12和基板14。
密封控制装置36被配置成能够控制密封工序S3的密封条件。此外，被配置成在密封控制装置36中设置有未图示的存储器，被从第1信息采集装置21输入密封工序S3的密封条件，而且，控制密封工序S3的密封条件。
接着，说明利用该***1在光半导体装置制造工厂4制造光半导体装置20的方法。
1.制造条件生成工序
在该方法中，首先，用第1信息采集装置21的第3信息收发单元接收第1信息15，并且将第1信息15发送给中央控制装置2。中央控制装置2的第1信息收发单元37接收第1信息15而发送给第1存储器6。在所述信息发送方法中，例如还能够通过对第1信息采集装置21与中央控制装置2进行连接的网络等线路来发送第1信息15。
另外，用第2信息采集装置22的第3信息收发单元接收第2信息16，将第2信息16发送给中央控制装置2。中央控制装置2的第1信息收发单元37接收第2信息16发送给第2存储器7。所述发送方法与将第1信息15发送给第1存储器6的发送方法相同。
接着，第1CPU8读取第1存储器6所存储的第1信息15和第2存储器7所存储的第2信息16，接着，按照规定的程序处理，基于这些第1信息15和第2信息16，生成密封片材12的制造条件作为第3信息17(接着详细进行说明)。
2.制造控制工序
之后，用第1CPU8生成的第3信息17被记录到第5存储器10，接着，第5存储器10所记录的第3信息17通过第1信息收发单元37被发送给片材制造控制装置3，片材制造控制装置3的第2信息收发单元38接收第3信息17，发送给第3存储器23。
将第3信息17发送给第3存储器23的方法与将第1信息15发送给第1存储器6的发送方法相同。
另外，用第1信息采集装置21和第2信息采集装置22的第3信息收发单元将第4信息18发送给片材制造控制装置3，片材制造控制装置3的第2信息收发单元38接收第4信息18并发送给第4存储器24。将第4信息18发送给第4存储器24的方法与将第1信息15发送给第1存储器6的发送方法相同。
之后，第2CPU25读取第3存储器23所存储的第3信息17，接着，按照规定的程序处理，基于第3信息17对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行控制。
而且，在片材制造装置34中，基于用第2CPU25控制的制造条件，依次实施清漆制造工序S1和片材制造工序S2。
3.清漆制造工序S1
在清漆制造装置33中，首先，按照用第2CPU25控制的制造条件实施清漆制造工序S1。
具体地说，在清漆制造工序S1中，首先，分别准备粒子和固化性树脂，将这些粒子和固化性树脂进行混合，将清漆11制备为含粒子的固化性树脂组合物。
作为粒子，例如从荧光体、填充剂等中选择。
荧光体具有波长变换功能，例如从能够将蓝色光变换为黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光变换为红色光的红色荧光体等中选择。
作为黄色荧光体，例如从(Ba，Sr，Ca)2SiO4;Eu、(Sr，Ba)2SiO4:Eu(正硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等中选择。
作为红色荧光体，例如从CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等中选择。
作为荧光体的形状，例如从球状、板状、针状等中选择。
荧光体的最大长度的平均值(在是球状的情况下，平均粒径)例如从0.1μm以上、优选为1μm以上且例如200μm以下、优选100μm以下的范围中选择。
荧光体的吸收峰值波长例如从300nm以上、优选为430nm以上且例如550nm以下、优选470nm以下的范围中选择。
以单独使用或者一起使用的方式选择荧光体。
荧光体的混合比例从相对于固化性树脂100质量部例如为0.1质量部以上、优选为0.5质量部以上且例如为80质量部以下、，优选50质量部以下的范围中选择。
作为填充剂，例如从有机硅粒子(具体地说，包含有机硅橡胶粒子)等有机微粒子、例如二氧化硅(例如，烟雾二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒子中选择。另外，填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下，平均粒径)例如从0.1μm以上、优选1μm以上且例如200μm以下、优选100μm以下的范围中选择。以单独使用或者一起使用的方式选择填充剂。填充剂的混合比例从相对于固化性树脂100质量部例如0.1质量部以上、优选0.5质量部以上且例如70质量部以下、优选50质量部以下的范围中选择。
作为固化性树脂，例如从两阶段固化型树脂中选择，该两阶段固化型树脂具有两个阶段的反应机理，通过第一阶段的反应B阶段化(半固化)，通过第二阶段的反应C阶段化(完全固化)。
作为两阶段固化型树脂，例如从通过加热而固化的两阶段固化型热固性树脂、例如通过照射活性能量射线(例如紫外线、电子线等)而固化的两阶段固化型活性能量射线固化性树脂等中选择。优选选择两阶段固化型热固性树脂。
具体地说，作为两阶段固化型热固性树脂，例如从有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等中选择。从光透过性和耐久性的观点出发，优选从两阶段固化型有机硅树脂中选择。
作为两阶段固化型有机硅树脂，例如从具有缩合反应和加成反应这两种反应体系的缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂等中选择。
作为这样的缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，选自：例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含烯基的三烷氧基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第一缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含烯属不饱和烃基的硅化合物、含烯属不饱和烃基的硅化合物、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第二缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有两末端硅烷醇基型硅油、含烯基的二烷氧基烷基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第三缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有1分子中至少具有2个烯基硅烷基的有机聚硅氧烷、1分子中至少具有2个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及固化延迟剂的第四缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有在1分子中同时具有至少2个烯属不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且在1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及氢化硅烷化抑制剂的第五缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有在1分子中同时具有至少2个烯属不饱和烃基和至少2个硅烷醇基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂以及氢化硅烷化催化剂的第六缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有硅化合物以及硼化合物或者铝化合物的第七缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有聚铝硅氧烷以及硅烷偶联剂的第八缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂等。
A阶段的两阶段固化型树脂的粘度例如从3000mPa·s以上、优选5000mPa·s以上且例如20000mPa·s以下、优选15000mPa·s以下的范围中选择。此外，将A阶段的两阶段固化型树脂的温度调节为25℃，使用E型圆锥以转速99s-1测量A阶段的两阶段固化型树脂的粘度。通过与所述方法相同的方法测量以下的粘度。
固化性树脂的混合比例从相对于含粒子的固化性树脂组合物(清漆)例如30质量%以上、优选40质量%以上、更优选50质量%以上且例如98质量%以下、优选95质量%以下、更优选90质量%以下的范围中选择。
另外，根据需要，还能够使含粒子的固化性树脂组合物含有溶剂。
作为溶剂，选自：例如己烷等脂肪族烃，例如二甲苯等芳香族烃，例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。溶剂以含颗粒固化性树脂组合物成为后述的粘度那样的配混比例在含颗粒的固化性树脂组合物中配混。
在制备含粒子的固化性树脂组合物时，具体地说，如图1所示，在清漆制造装置33中，基于用第2CPU25控制的清漆制造工序S1的制造条件，例如用第2CPU25控制的与密封片材12的层结构对应的清漆11的种类，更具体地说用第2CPU25控制的粒子的种类、粒子的混合比例、粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下，平均粒径)、固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的混合比例、在粒子包含荧光体的情况下荧光体的吸收峰值波长、清漆11的粘度等，在容器52内混合所述各成分。接着，使用搅拌机51来混合这些所述各成分。
由此，制备清漆11。
此外，在固化性树脂为两阶段固化型树脂的情况下，以A阶段的含粒子的固化性树脂组合物制备清漆11。
将清漆11在25℃、一个气压条件下的粘度例如调整为1，000mPa·s以上、优选4，000mPa·s以上且例如1，000，000mPa·s以下、优选100，000mPa·s以下的范围内。
4.片材制造工序S2
在片材化装置31中，在清漆制造工序S1之后，按照用第2CPU25控制的制造条件实施片材制造工序S2。
即，从清漆11形成密封片材12。
在形成密封片材12时，例如首先将清漆11涂布到脱模片材28的表面。
作为脱模片材28，例如从聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜、例如陶瓷片材、例如金属箔等中选择。优选从聚合物膜中选择。另外，还能够在脱模片材28的表面实施氟处理等剥离处理。另外，脱模片材28的形状并不特别进行限定，例如从俯视观察大致矩形状(包含短形条状、长条状)等中选择。并且，作为脱模片材28，选择是否形成定位标记(未图示)以及定位标记的位置信息、尺寸等。形成标记以确保涂布清漆11的区域。
在将清漆11涂布到脱模片材28的表面时，例如选择分配器、涂抹器、狭缝式涂布机等涂布装置53。优选选择分配器。
从清漆11的涂布条件中选择密封片材12的厚度，以使其例如成为10μm以上、优选50μm以上且例如2000μm以下、优选1000μm以下。
也就是说，从涂布装置53的涂布条件中选择以将清漆11调节为用第2CPU25控制的制造条件，具体地说是用第2CPU25控制的紧接着涂布之后的清漆11的形状、紧接着涂布之后的清漆11的厚度。
此外，在脱模片材28形成有定位标记(未图示)的情况下，一边用涂布装置53所配备的传感器(未图示)确认相对于定位标记的涂布位置一边调节清漆11相对于定位标记的相对位置。
之后，在清漆11含有两阶段固化型树脂的情况下，使清漆11B阶段化。具体地说，如果从热固型中选择两阶段固化型树脂，则将清漆11投放到干燥机55内来对清漆11进行加热。
加热条件从加热温度例如为40℃以上、优选80℃以上、更优选100℃以上且例如200℃以下、优选150℃以下、更优选140℃以下的范围中选择。加热时间例如从1分钟以上、优选5分钟以上、更优选10分钟以上且例如24小时以下、优选1小时以下、更优选0.5小时以下的范围中选择。
另一方面，如果从活性能量固化型中选择两阶段固化型树脂，则使用紫外线灯(未图示)对清漆11照射紫外线。
由此，制造在脱模片材28的表面层叠的密封片材12。
将密封片材12在25℃时的压缩弹性率调节为例如0.040MPa以上、优选0.050MPa以上、更优选0.075MPa以上、进一步优选0.100MPa以上且例如0.145MPa以下、优选0.140MPa以下、更优选0.135MPa以下、进一步优选0.125MPa以下的范围。
5.密封工序S3
在密封装置32的加压装置35中，在片材制造工序S2之后，按照用密封控制装置36控制的条件实施密封工序S3。
具体地说，在密封工序S3中，首先准备安装了光半导体元件13的基板14。
基板14例如从在硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、金属基板上层叠绝缘层得到的层叠基板等绝缘基板中选择。
另外，在基板14的表面形成有导体图案(未图示)，该导体图案(未图示)具备用于与以下说明的光半导体元件13的端子(未图示)进行电连接的电极(未图示)以及与该电极(未图示)连续的布线。导体图案例如从金、铜、银、镍等导体中选择。
另外，基板14的表面形成为平坦状。或者，虽然并未图示，但是也可以在基板14的要安装光半导体元件13的表面形成向下方凹下的凹部。
基板14的外形形状并不特别进行限定，例如从俯视观察大致矩形状、俯视观察大致圆形状等中选择。适当地选择基板14的尺寸，例如从最大长度例如2mm以上、优选10mm以上且例如300mm以下、优选100mm以下的范围中选择。
光半导体元件13是将电能变换为光能的LED(发光二极管元件)、LD(激光二极管)等，例如从厚度比面方向长度(与厚度方向正交的正交方向长度)短的截面观察大致矩形状中选择。作为光半导体元件13，优选从发出蓝色光的蓝色LED中选择。根据用途和目的适当地选择光半导体元件13的尺寸，具体地说，从厚度例如10μm以上且1000μm以下而最大长度例如0.05mm以上、优选0.1mm以上且例如5mm以下、优选2mm以下的范围中选择。
光半导体元件13的发光峰值波长例如从400nm以上、优选430nm以上且例如500nm以下、优选470nm以下的范围中选择。
例如将光半导体元件13倒装安装到基板14或者引线接合连接到基板14。
另外，能够对一个基板14安装多个(在图1中3个)光半导体元件13。每一个基板14的光半导体元件13的安装数例如从1以上、优选4以上且例如2000以下、优选400以下的范围中选择。
接着，在该方法中，将安装了光半导体元件13的基板14设置于加压装置35。
在将安装了光半导体元件13的基板14设置于加压装置35时，具体地说，将安装了光半导体元件13的基板14设置于下侧的平板41。
接着，使层叠在脱模片材28的上表面的密封片材12进行上下反转，使其与光半导体元件13的上侧相对置。也就是说，将密封片材12配置成朝向光半导体元件13。
接着，用密封片材12覆盖光半导体元件13。用密封片材12埋设光半导体元件13。
具体地说，基于用密封控制装置36控制的加压条件，用密封片材12覆盖光半导体元件13。
具体地说，如图1的箭头所示，使密封片材12下降(按下)。详细地说，将密封片材12加压到安装了光半导体元件13的基板14。
由此，用密封片材12覆盖光半导体元件13。
也就是说，用密封片材12埋设光半导体元件13，并且在密封片材12具备荧光体层26的情况下，用荧光体层26覆盖光半导体元件13。
详细地说，如图2A～图2G所示，在从接触结构中选择密封片材12的荧光体层26的层结构的情况下，荧光体层26与光半导体元件13(图2的虚拟线)的表面直接接触，用荧光体层26覆盖光半导体元件13。也就是说，荧光体层26密封光半导体元件13。换言之，荧光体层26兼作密封层。
另一方面，如图3F和图3G所示，在从分离结构中选择密封片材12的荧光体层26的层结构的情况下，荧光体层26被配置成与光半导体元件13(图3的虚拟线)隔着树脂层27并且覆盖光半导体元件13的上侧。另一方面，树脂层27与光半导体元件13(图2的虚拟线)的表面直接接触并覆盖光半导体元件13。也就是说，树脂层27密封光半导体元件13而形成密封层。
之后，如果密封片材12处于B阶段，则使密封片材12C阶段化。
例如，根据用密封控制装置36控制的、C阶段化中的密封片材12的加热条件、活性能量射线的照射条件，使密封片材12C阶段化。
具体地说，在从热固化型中选择两阶段固化型树脂的情况下，对B阶段的密封片材12进行加热。
详细具体地说，一边维持平板41对密封片材12的加压状态一边投放到干燥机内。由此，对B阶段的密封片材12进行加热。
加热温度例如从80℃以上、优选100℃以上且例如200℃以下、优选180℃以下的范围中选择。另外，加热时间例如从10分钟以上、优选30分钟以上且例如10小时以下、优选5小时以下的范围中选择。
通过密封片材12的加热，使B阶段的密封片材12C阶段化(完全固化)。
另一方面，在从活性能量射线固化型中选择两阶段固化型树脂的情况下，通过将活性能量射线照射到密封片材12，使B阶段的密封片材12C阶段化(完全固化)。具体地说，使用紫外线灯等对B阶段的密封片材12照射紫外线。
由此，制造出具备密封片材12、用密封片材12密封的光半导体元件13以及安装了光半导体元件13的基板14的光半导体装置20。
在图1中，在一个光半导体装置20中设置有多个(三个)光半导体元件13。
之后，如箭头所示，从密封片材12剥下脱模片材28。
此外，之后，根据需要在将多个光半导体元件13安装于一个基板14的情况下，还能够与各光半导体元件13对应地切断密封片材12而单片化。
6.制造条件的累积、批次变更和每个单位期间的制造量
在本次之前的密封片材12的制造过程中，将清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件记录与累积到第5存储器10的记录区域(未图示)。
也就是说，第5存储器10将第3信息17输入到第3存储器23，并且将第3信息17作为是过去信息的第5信息19，直接累积到第5存储器10的记录区域。
而且，通过本次的密封片材12的制造，第1CPU8读取累积到第5存储器10的、本次之前制造密封片材12的清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，根据该制造条件生成本次的清漆制造工序S1的制造条件以及本次的片材制造工序S2的制造条件。
另外，粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量发生变动。与该变动对应地，将这些第4信息18从第1信息采集装置21和第2信息采集装置22发送给第4存储器24，接着，第2CPU25读取第4存储器24所存储的第4信息18，按照规定的程序处理，对清漆制造工序S1的制造条件和/或片材制造工序S2的制造条件进行修正。
[作用效果]
通过本发明，能够对设置于与中央控制装置、客户端装置和信息采集装置不同的位置(异地设置的位置)的片材制造工序实现远程控制。
而且，在该***1中，中央控制装置2具备第1存储器6、第2存储器7以及第1CPU8，另一方面，片材制造控制装置3(客户端装置)具备第3存储器23和第2CPU25。
而且，中央控制装置2将各第1信息15和第2信息16分别存储到第1存储器6和第2存储器7，用第1CPU8生成片材制造工序S2的制造条件，能够将该制造条件提供给片材制造控制装置3(客户端装置)。
而且，在片材制造控制装置3中，将与从中央控制装置2提供的制造条件相关的第3信息17存储到第3存储器23，根据所述第3信息17，用第2CPU25控制片材制造工序S2的制造条件。
因此，能够与片材制造控制装置3分开地在中央控制装置2中生成片材制造工序S2的制造条件，并且能够用片材制造控制装置3控制片材制造工序S2的制造条件。
另外，与从中央控制装置2提供的片材制造工序S2的制造条件相关的第3信息17基于第1信息15和第2信息16。因此，片材制造控制装置3能够基于从中央控制装置2提供的第3信息17，用第2CPU25高精度地控制片材制造工序S2的制造条件。其结果，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该***1中，第1CPU8基于第1存储器6所存储的第1信息15以及第2存储器7所存储的第2信息16，还生成清漆制造工序S1的制造条件，第2CPU25基于第3存储器23所存储的第3信息17，还控制清漆制造工序S1的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
并且，根据该***1，第1信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此中央控制装置2还和与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息一起具备与安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，片材制造控制装置3根据基于第1信息15生成的与片材制造工序S2的制造条件相关的高精度的第3信息17，能够更进一步高精度地控制片材制造工序S2的制造条件。
另外，在该***1中，在片材制造控制装置3中，用第2CPU25，根据第4存储器24所存储的粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或包含每个单位期间的光半导体装置20的制造量的第4信息18，能够修正片材制造工序S2的制造条件。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地，对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
并且，根据该***1，中央控制装置2的第5存储器10能够累积与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第5信息19。因此，能够基于过去累积的制造条件，在本次制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
该中央控制装置2具备第1存储器6、第2存储器7以及第1CPU8。
因此，根据该中央控制装置2，能够将各第1信息15和第2信息16分别存储到第1存储器6和第2存储器7，用第1CPU8生成清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
其结果，基于所述清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该中央控制装置2中，第1CPU8进一步基于第1存储器6所存储的第1信息15以及第2存储器7所存储的第2信息16，生成清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，根据该中央控制装置2，第1信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此中央控制装置2还和与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息一起具备与安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
根据该中央控制装置2，能够累积与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第5信息19。因此，基于过去累积的制造条件，能够在本次制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
根据该片材制造控制装置3，能够将包含与清漆制造工序S1相关的制造条件以及与片材制造工序S2的制造条件相关的制造条件的第3信息17存储到第3存储器23，基于所述第3信息17，用第2CPU25高精度地控制与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，根据该片材制造控制装置3，第2CPU25进一步基于第3存储器23所存储的第3信息17控制与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，因此能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该片材制造控制装置3中，用第2CPU25，基于第4存储器24所存储的包含粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量的第4信息18，能够对与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正。因此，能够容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地，对与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正，而高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
[变形例]
在图4以后的说明中，对与图1相同的部件附加相同的参照标记，省略其详细说明。
在图1的实施方式中，中央控制装置2与片材制造控制装置3(客户端装置)具有一对一的关系，即，对一个中央控制装置2设置有一个片材制造控制装置3。但是，中央控制装置2和片材制造控制装置3的对应关系并不限定于此，例如图4所示，还能够对一个中央控制装置2设置多个片材制造控制装置3。
具体地说，在相互独立设置的多个光半导体装置制造工厂4各自中设置有片材制造控制装置3。中央控制装置2和多个片材制造控制装置3构成为能够从多个片材制造控制装置3分别所具有的第1信息采集装置21将多个第1信息15发送给第1存储器6，并且能够将用第1CPU8生成的第3信息17从第5存储器10发送给多个第3存储器23。
在图4的实施方式中，一个中央控制装置2对一个片材制造控制装置3A(3)提供第3信息17，并且从一个片材制造控制装置3A(3)的第1信息采集装置21获取第1信息15而存储到第1存储器6，用第5存储器10累积该第1信息15，而且，还能够向其它片材制造控制装置3B(或者其它多个片材制造控制装置3B和3C)(3)提供给第3信息17。
也就是说，一个中央控制装置2能够使从多个片材制造控制装置3提供的多个第1信息15(要存储到第1存储器6的第1信息15、具体地说与光半导体元件13相关的信息、与基板14相关的信息、与光半导体装置20相关的信息)一元化。即，一个中央控制装置2能够作为能够汇集多个片材制造控制装置3的第1信息15而对多个片材制造控制装置3提供与它们对应的第3信息17的汇集型中央控制装置2而发挥功能。
因此，作为一个中央控制装置2的同时能够对各片材制造控制装置3提供高精度的第3信息17。
另外，在图1的实施方式中，***1生成和控制清漆制造工序S1的制造工序。也就是说，用片材制造控制装置3控制清漆制造工序S1的制造条件。但是，还能够将***1构成为***1不生成和控制清漆制造工序S1的制造工序。具体地说，还能够不控制清漆制造工序S1的制造条件而仅控制片材制造工序S2的制造条件。
根据该实施方式，第2CPU25不需要控制清漆制造工序S1的制造条件，因此能够使第2CPU25的结构简单。
另外，在图1的实施方式中，密封装置32、片材化装置31以及清漆制造装置33被设置于光半导体装置制造工厂4。但是，密封装置32、片材化装置31以及清漆制造装置33还能够分别被设置于不同位置的工厂，通过远程网络连接。
另外，在图1的实施方式中设置两个信息采集装置。根据需要，还能够设置一个或者三个以上的信息采集装置。
另外，在图1的实施方式中，第1、第2、第3信息收发单元能够分别具有信息接收单元和信息发送单元。
另外，在图1的实施方式中，使片材制造控制装置3作为本发明的客户端装置来控制片材制造工序S2的制造条件，密封控制装置36控制密封工序S3的密封条件，但是，例如还能够使片材制造控制装置3兼作密封控制装置36而构成一个制造控制装置，控制片材制造工序S2的制造条件和密封工序S3的密封条件两者。
另外，在图2和图3的实施方式中，将本发明的覆盖片材设为密封光半导体元件13的密封片材12进行了说明，但是并不限定于此，例如图5所示，还能够选择为在预先密封光半导体元件13的树脂层(密封层)27(参照图5A)上层叠的覆盖片材60(参照图5A的箭头和图5B)。
在图5A中，覆盖片材60从与图1的密封片材12相同的材料中选择。
在图5B中，覆盖片材60覆盖光半导体元件13的上侧，具体地说，隔着树脂层27而在光半导体元件13的上侧隔开间隔配置。
并且，在图2和图3的实施方式中，将密封片材12选择为荧光体片材(含荧光体的密封片材)，但是，例如虽然并未图示，但是还能够选择为不含荧光体而含有密封层(树脂层)的密封片材12。
另外，在图1的说明中，第1信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，但是也能够不含该信息地构成第1信息15。

Claims (18)

1.一种片材制造工序的远程控制***，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述远程控制***包括中央控制装置和与所述中央控制装置异地设置的客户端装置，
所述中央控制装置具有第一信息收发单元和信息生成单元，
所述客户端装置具有第二信息收发单元和片材制造控制单元，
所述中央控制装置的所述第一信息收发单元与所述客户端装置的第二信息收发单元通过网络远程连接，
所述中央控制装置基于用所述第一信息收发单元接收到的与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，通过所述信息生成单元生成与片材制造条件相关的第3信息，并用所述第一信息收发单元通过网络将所述第3信息发送给所述客户端装置，所述客户端装置用所述第二信息收发单元接收所述第3信息，并通过所述片材制造控制单元根据所述第3信息对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
2.根据权利要求1的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，还包括信息采集装置，所述中央控制装置与所述信息采集装置通过网络连接，
所述信息采集装置具有第三信息收发单元，
所述信息采集装置通过所述第三信息收发单元接收所述第1信息和第2信息，并用所述第三信息收发单元通过网络将所述第1信息和所述第2信息发送给所述中央控制装置。
3.根据权利要求2的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，所述信息采集装置包括分别用于接受所述第1信息和所述第2信息的第1信息采集装置和第2信息采集装置。
4.根据权利要求1～3任一项的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，
所述中央控制装置具有存储所述第1信息的第1信息存储单元和用于存储所述第2信息的第2信息存储单元，所述信息生成单元从所述第1信息存储单元和所述第2信息存储单元读取所述第1信息和所述第2信息，所述客户端装置具有存储所述第3信息的第3信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第3信息存储单元读取所述第3信息。
5.根据权利要求1～3任一项的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，
所述客户端装置还接收包括清漆、清漆中所含粒子、清漆中所含固化性树脂、半导体元件中至少一种的批次信息，和/或单位期间半导体装置制造量信息的第4信息，并根据所述第4信息对所述片材制造工序的制造条件进行修正控制。
6.根据权利要求1～3任一项的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，
所述中央控制装置还基于与本次之前的片材制造条件相关的第5信息生成与本次片材制造条件相关的第3信息，并将所述与本次片材制造条件相关的第3信息发送到所述客户端装置，
所述客户端装置根据所述与本次片材制造条件相关的第3信息对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
7.根据权利要求5的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，所述客户端装置具有存储所述第4信息的第4信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第4信息存储单元读取第4信息。
8.根据权利要求6的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，所述中央控制装置具有存储所述第5信息的第5信息存储单元，所述信息生成单元从所述第5信息存储单元读取第5信息。
9.根据权利要求1～3任一项的片材制造工序的远程控制***，其特征在于，所述片材制造条件相关的第3信息进一步包括与清漆制造工序的制造条件相关的信息，所述片材制造控制单元根据所述第3信息进一步对所述清漆制造工序的制造条件进行控制。
10.一种片材制造工序远程控制***中的中央控制装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述中央控制装置包括：
第一信息收发单元，用于通过网络接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，以及
信息生成单元，与所述第一信息收发单元连接，用于基于所述第1信息和第2信息生成与片材制造条件相关的第3信息，并通过所述第一信息收发单元发送所述第3信息。
11.根据权利要求10的片材制造工序远程控制***中的中央控制装置，其特征在于，
所述信息生成单元还被配置为基于与本次之前的片材制造条件相关的第5信息生成与本次片材制造条件相关的第3信息，并通过所述第一信息收发单元发送所述与本次片材制造条件相关的第3信息。
12.根据权利要求11的片材制造工序远程控制***中的中央控制装置，其特征在于，所述中央控制装置具有存储所述第5信息的第5信息存储单元，所述信息生成单元从所述第5信息存储单元读取第5信息。
13.根据权利要求10至12任一项的片材制造工序远程控制***中的中央控制装置，其特征在于，所述中央控制装置具有存储所述第1信息的第1信息存储单元和用于存储所述第2信息的第2信息存储单元，所述信息生成单元从所述第1信息存储单元和所述第2信息存储单元读取所述第1信息和所述第2信息。
14.一种片材制造工序远程控制***中的客户端装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述客户端装置包括：
第二信息收发单元，用于与所述片材制造工序远程控制***中的中央控制装置连接，接收与片材制造条件相关的第3信息，以及
片材制造控制单元，与所述第二信息收发单元连接，用于根据由所述第二信息收发单元接收到的与片材制造条件相关的第3信息，对所述片材制造工序的制造条件进行控制。
15.根据权利要求14的片材制造工序远程控制***中的客户端装置，其特征在于，所述客户端装置具有存储所述与片材制造条件相关的第3信息的信息存储单元。
16.根据权利要求14或15的片材制造工序远程控制***中的客户端装置，其特征在于，
所述第二信息收发单元还被设置为接收包括清漆、清漆中所含粒子、清漆中所含固化性树脂、半导体元件中至少一种的批次信息，和/或单位期间半导体装置制造量信息的第4信息，并且
所述片材制造控制单元还被配置为根据所述第4信息对所述片材制造工序的制造条件进行修正控制。
17.根据权利要求16的片材制造工序远程控制***中的客户端装置，其特征在于，所述客户端装置具有存储第4信息的第4信息存储单元，所述片材制造控制单元从所述第4信息存储单元读取第4信息。
18.一种片材制造工序远程控制***中的信息采集装置，所述片材由清漆制成，并用于制造具有半导体元件的半导体装置，其特征在于，所述信息采集装置包括：
信息接收单元，用于接收与光半导体元件和光半导体装置相关的第1信息以及与所述清漆相关的第2信息，以及
信息发送单元，与所述信息接收单元以及所述片材制造工序远程控制***中的中央控制装置连接，用于将所述信息接收单元接收到的所述第1信息和第2信息发送至所述中央控制装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015024571A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 日東電工株式会社 シートの製造方法およびシート製造装置
KR101475863B1 (ko) * 2013-09-24 2014-12-23 (주)파워보이스 음파를 출력하는 디바이스 및 방법, 그리고 음파에 대응하는 제어 정보를 생성하는 모바일 디바이스 및 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383295A (zh) * 2007-09-03 2009-03-11 日东电工株式会社 光学半导体装置的生产工艺和该工艺中使用的片
JP2009197185A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Hitachi Chem Co Ltd 透明熱伝導接着フィルム及びその用途
JP2010067641A (ja) * 2008-09-08 2010-03-25 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置
CN101798490A (zh) * 2009-02-06 2010-08-11 信越化学工业株式会社 粘接剂组合物、粘接用片材、切割-管芯粘合膜及半导体装置
CN101864249A (zh) * 2009-04-17 2010-10-20 古河电气工业株式会社 粘接膜及晶片加工用带
CN102097341A (zh) * 2009-12-10 2011-06-15 日东电工株式会社 半导体器件的制造方法
JP2011228525A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Nitto Denko Corp 光半導体装置
CN102270728A (zh) * 2010-06-07 2011-12-07 日东电工株式会社 光半导体用封装片
WO2013030998A1 (ja) * 2011-08-31 2013-03-07 日立化成工業株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、金属箔付き樹脂シート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4018438B2 (ja) * 2002-04-30 2007-12-05 キヤノン株式会社 半導体露光装置を管理する管理システム
US20050086120A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of managing subcontracting for backend outsourcing business
JP5080881B2 (ja) * 2007-06-27 2012-11-21 ナミックス株式会社 発光ダイオードチップの封止体の製造方法
JP4915869B2 (ja) * 2007-10-17 2012-04-11 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
JP5064254B2 (ja) * 2008-01-30 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5078644B2 (ja) * 2008-02-06 2012-11-21 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5064278B2 (ja) * 2008-03-25 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5190993B2 (ja) * 2008-11-20 2013-04-24 日東電工株式会社 光半導体封止用シート
JP5107886B2 (ja) * 2008-12-24 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
JP5366587B2 (ja) * 2009-02-20 2013-12-11 日東電工株式会社 光半導体封止用加工シート
JP5744386B2 (ja) * 2009-10-07 2015-07-08 日東電工株式会社 光半導体封止材
JP5340191B2 (ja) * 2010-02-02 2013-11-13 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5716227B2 (ja) * 2010-12-17 2015-05-13 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383295A (zh) * 2007-09-03 2009-03-11 日东电工株式会社 光学半导体装置的生产工艺和该工艺中使用的片
JP2009197185A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Hitachi Chem Co Ltd 透明熱伝導接着フィルム及びその用途
JP2010067641A (ja) * 2008-09-08 2010-03-25 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シート及びそれを用いてなる光半導体装置
CN101798490A (zh) * 2009-02-06 2010-08-11 信越化学工业株式会社 粘接剂组合物、粘接用片材、切割-管芯粘合膜及半导体装置
CN101864249A (zh) * 2009-04-17 2010-10-20 古河电气工业株式会社 粘接膜及晶片加工用带
CN102097341A (zh) * 2009-12-10 2011-06-15 日东电工株式会社 半导体器件的制造方法
JP2011228525A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Nitto Denko Corp 光半導体装置
CN102270728A (zh) * 2010-06-07 2011-12-07 日东电工株式会社 光半导体用封装片
WO2013030998A1 (ja) * 2011-08-31 2013-03-07 日立化成工業株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、金属箔付き樹脂シート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス

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