CN103715344A - 荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置 - Google Patents

荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103715344A
CN103715344A CN201310451325.7A CN201310451325A CN103715344A CN 103715344 A CN103715344 A CN 103715344A CN 201310451325 A CN201310451325 A CN 201310451325A CN 103715344 A CN103715344 A CN 103715344A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organosilicon
luminescent coating
peel strength
optical semiconductor
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310451325.7A
Other languages
English (en)
Inventor
白川真广
藤井宏中
伊藤久贵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN103715344A publication Critical patent/CN103715344A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • C09J183/08Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen, and oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/22Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C08G77/26Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen nitrogen-containing groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00Presence of polysiloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852Adhesive compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)

Abstract

本发明提供荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置。所述荧光体层贴附成套配件含有荧光体层、以及用于将荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物。有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上。

Description

荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置
技术领域
本发明涉及荧光体层贴附成套配件(attaching kit)、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置,详细而言,涉及用于将荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置。
背景技术
发光二极管装置(以下简称为LED装置。)、激光二极管照射装置(以下简称为LD照射装置。)等光半导体装置具备例如发光二极管元件(LED)、激光二极管(LD)等光半导体元件,以及配置在光半导体元件上的荧光体层。所述光半导体装置由光半导体元件发光,例如通过将透过了荧光体层的蓝色光与在荧光体层中一部分蓝色光被波长转换得到的黄色光的混色而发出白色光。
作为这种光半导体装置,提出了具备用透明封装材料封装LED而成的LED封装体以及层叠在其上表面的荧光胶带的LED装置(例如参见美国专利第7,294,861号说明书。)。
美国专利第7,294,861号说明书的荧光胶带具备荧光层和层叠于其背面的由(甲基)丙烯酸酯系压敏粘接剂形成的丙烯酸类压敏粘接层,荧光层通过丙烯酸类压敏粘接层贴附于LED封装体的表面。
发明内容
发明要解决的问题
然而,荧光胶带容易随着LED的发光而变高温,而美国专利第7,294,861号说明书的荧光胶带存在高温(例如包括75℃的高温)的粘接力与常温(25℃)的粘接力相比显著降低这一不利情况。
进而,在高温下长时间使用美国专利第7,294,861号说明书的荧光胶带时会发生劣化,因此还存在LED装置的亮度降低这一不利情况。
本发明的目的在于提供耐热性和耐久性优异的荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体和光半导体装置。
本发明的荧光体层贴附成套配件的特征在于,含有:荧光体层、以及用于将前述荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物,前述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上。
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
此外,本发明的荧光体层贴附成套配件优选前述有机硅粘合粘接剂组合物为有机硅压敏粘接剂组合物。
此外,本发明的荧光体层贴附成套配件优选前述有机硅粘合粘接剂组合物为兼具热塑性和热固性的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
此外,本发明的光半导体元件-荧光体层贴附体的特征在于,具备光半导体元件和荧光贴附片,前述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将前述荧光体层贴附于前述光半导体元件的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,前述荧光体层通过前述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于前述光半导体元件,前述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上。
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
此外,本发明的光半导体装置的特征在于,具备:基板;安装于前述基板的光半导体元件;以及荧光贴附片,前述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将前述荧光体层贴附于前述光半导体元件的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,前述荧光体层通过前述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于前述光半导体元件,前述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上。
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
此外,本发明的光半导体装置的特征在于,具备光半导体封装体和荧光贴附片,前述光半导体封装体具备:基板、安装于前述基板的光半导体元件、反射器、以及封装层,前述反射器形成于前述基板的厚度方向一侧并且以向前述厚度方向投影时包围前述光半导体元件的方式配置,前述封装层填充在前述反射器内、用于封装前述光半导体元件,前述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将前述荧光体层贴附于前述光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,前述荧光体层通过前述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于前述光半导体封装体的前述厚度方向一侧,前述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上。
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由前述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的前述粘合粘接剂层贴附于前述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将前述支撑体和前述粘合粘接剂层自前述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
本发明的荧光体层贴附成套配件由于用于将荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上,因此耐热性和耐久性优异。
因此,本发明的光半导体元件-荧光体层贴附体和光半导体装置可以确保长期优异的发光可靠性。
附图说明
图1示出使用本发明的荧光体层贴附成套配件的一个实施方式得到的LED-荧光体层贴附体的剖视图。
图2是制造图1所示的LED-荧光体层贴附体的方法的工序图,
图2的(a)示出准备荧光体层的工序,
图2的(b)示出将有机硅粘合粘接剂层层叠于荧光体层的工序,
图2的(c)示出将荧光体层与LED贴合的工序。
图3是制造图1所示的LED-荧光体层贴附体的方法的工序图,
图3的(a)示出准备LED的工序,
图3的(b)示出将有机硅粘合粘接剂层层叠于LED的工序,
图3的(c)示出将LED与荧光体层贴合的工序。
图4是使用图1所示的LED-荧光体层贴附体制造LED装置的方法的工序图,
图4的(a)示出分别准备基板和LED-荧光体层贴附体的工序,
图4的(b)示出将LED-荧光体层贴附体的LED安装于基板的工序。
图5是使用另一实施方式的LED-荧光体层贴附体制造LED装置的方法的工序图,
图5的(a)示出分别准备基板和LED-荧光体层贴附体的工序,
图5的(b)示出将LED-荧光体层贴附体的LED安装于基板的工序。
图6是LED装置的制造方法的另一实施方式的工序图,
图6的(a)示出准备安装有LED的基板以及荧光贴附片的工序,
图6的(b)示出将荧光贴附片贴附于LED来制作LED-荧光体层贴附体的工序。
图7是LED装置的制造方法的另一实施方式的工序图,
图7的(a)示出准备安装有LED的基板以及荧光贴附片的工序,
图7的(b)示出将荧光贴附片贴附于LED来制作LED-荧光体层贴附体的工序。
图8是LED装置的制造方法的另一实施方式的工序图,
图8的(a)示出准备LED封装体和荧光贴附片的工序,
图8的(b)示出将荧光贴附片贴附于LED封装体的工序。
图9是LED装置的制造方法的另一实施方式的工序图,
图9的(a)示出准备层叠有有机硅粘合粘接剂层的LED封装体以及荧光体层的准备工序,
图9的(b)示出通过有机硅粘合粘接剂层将荧光体层贴附于LED封装体的工序。
具体实施方式
<荧光体层贴附成套配件>
本发明的荧光体层贴附成套配件含有荧光体层(参见后述的图2中的附图标记3)、以及用于将荧光体层贴附于作为光半导体元件的LED(参见后述的图2中的附图标记2)或作为光半导体元件封装体的LED封装体(参见后述的图8中的附图标记10)的有机硅粘合粘接剂组合物。该荧光体层贴附成套配件的荧光体层与有机硅粘合粘接剂组合物同时或分别流通和销售、同时使用。在使用该荧光体层贴附成套配件时,例如,有机硅粘合粘接剂组合物层叠于荧光体层、荧光体层通过有机硅粘合粘接剂组合物贴附于LED或LED封装体,或者,有机硅粘合粘接剂组合物层叠于LED或LED封装体、然后荧光体层通过有机硅粘合粘接剂组合物贴附于LED或LED封装体。
荧光体层是例如将由LED发出的一部分蓝色光转换成黄色光的波长转换层(荧光体片)。此外,荧光体层根据用途和目的而可以在上述的波长转换的基础上还将一部分蓝色光转换成红色光。荧光体层形成为板状或片状。荧光体层例如由荧光体的陶瓷形成为荧光体陶瓷板,或者,由含有荧光体和树脂的荧光体树脂组合物形成为荧光体树脂片。
荧光体吸收作为激发光的波长350~480nm的光的一部分或全部而被激发,发出比激发光的波长要长的、例如500~650nm的荧光。具体而言,作为荧光体,例如可举出黄色荧光体。作为这种荧光体,可举出在例如复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂有例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子的荧光体。
具体而言,作为荧光体,可列举出:例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Lu3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体,例如(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体,例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体,例如ZnS:Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体,例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体,例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体,例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物类荧光体等。优选举出石榴石型荧光体,进一步优选举出Y3Al5O12:Ce(YAG)。
荧光体可以单独使用或并用2种以上。
要想将荧光体层形成为荧光体陶瓷板,通过以上述的荧光体作为陶瓷材料、煅烧所述陶瓷材料,从而得到荧光体层(荧光体陶瓷)。或者也可以煅烧上述的荧光体的原材料,通过由此产生的化学反应而得到荧光体层(荧光体陶瓷)。
另外,在得到荧光体陶瓷时,在煅烧前,可以以适当的比例添加例如粘结剂树脂、分散剂、增塑剂、煅烧助剂等添加剂。
而由荧光体树脂组合物形成荧光体层时,例如,首先通过将上述的荧光体与树脂配混来制备荧光体树脂组合物。
树脂是用于分散荧光体的基体,例如可列举出:有机硅树脂组合物、环氧树脂、丙烯酸类树脂等透明树脂等。从耐久性的角度来看,优选举出有机硅树脂组合物。
有机硅树脂组合物在分子内具有主要由硅氧烷键(-Si-O-Si-)形成的主链,以及键合于主链的硅原子(Si)的、由烷基(例如甲基等)、芳基(例如苯基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有机基团形成的侧链。
具体而言,作为有机硅树脂组合物,例如可列举出:脱水缩合固化型有机硅树脂、加成反应固化型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、湿气固化型有机硅树脂等固化型有机硅树脂等。
有机硅树脂组合物在25℃下的运动粘度例如为10~30mm2/s。
树脂可以单独使用或并用2种以上。
对于各成分的配混比例,相对于荧光体树脂组合物,荧光体的配混比例例如为1质量%以上,优选为5质量%以上,此外,例如为50质量%以下,也优选为30质量%以下。此外,相对于树脂100质量份的荧光体的配混比例例如为1质量份以上,优选为5质量份以上,此外,例如为100质量份以下,也优选为40质量份以下。
此外,相对于荧光体树脂组合物,树脂的配混比例例如为50质量%以上,优选为70质量%以上,此外,例如为99质量%以下,也优选为95质量%以下。
荧光体树脂组合物通过按上述配混比例配混荧光体和树脂、进行搅拌混合而制备。所制备的荧光体树脂组合物成形为片状,具体而言,形成为荧光体树脂片。
荧光体树脂片在树脂含有固化型有机硅树脂时形成为B阶或C阶。进而,荧光体树脂片在以B阶形成时,也可以通过之后的加热制成C阶。
从由LED和荧光体层产生的热的导热的角度来看,荧光体层优选由荧光体陶瓷板形成。
荧光体层在形成为荧光体陶瓷板时,厚度例如为50μm以上,优选为100μm以上,此外,例如为1000μm以下,优选为500μm以下。此外,在由荧光体树脂片形成时,从成膜性和装置的外观的角度来看,厚度例如为25μm以上,优选为50μm以上,此外,例如为1000μm以下,也优选为200μm以下。
作为有机硅粘合粘接剂组合物,例如可列举出:有机硅压敏粘接剂组合物、有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物等。
有机硅压敏粘接剂组合物例如由含有第1聚硅氧烷、第2聚硅氧烷和催化剂等的原料制备。
第1聚硅氧烷是有机硅压敏粘接剂组合物的主原料,例如可举出含硅烷醇基的聚硅氧烷等反应性聚硅氧烷。
作为含硅烷醇基的聚硅氧烷,例如可举出两末端硅烷醇基聚硅氧烷。
两末端硅烷醇基聚硅氧烷是在分子的两末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有机硅氧烷,具体而言,由下述通式(A)表示。
通式(A):
Figure BDA0000389158630000091
(通式(A)中,Ra表示选自饱和烃基和芳香族烃基中的1价烃基。此外,n表示1以上的整数。)
上述通式(A)中,在Ra所示的1价烃基中,作为饱和烃基,可列举出:例如碳数1~6的直链或支链烷基(甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基等),例如碳数3~6的环烷基(环戊基、环己基等)等。
此外,上述通式(A)中,在Ra所示的1价烃基中,作为芳香族烃基,例如可举出碳数6~10的芳基(苯基、萘基)等。
在上述通式(A)中,Ra可以相同或彼此不同,优选相同。
作为1价烃基,优选列举出碳数1~6的烷基和碳数6~10的芳基,进一步优选列举出甲基、苯基。
在上述通式(A)中,n优选为10,000以下的整数,进一步优选为1,000以下的整数。
另外,上述通式(A)中的n作为平均值算出。
作为两末端硅烷醇基聚硅氧烷,具体而言,可列举出:两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷、两末端硅烷醇基聚甲基苯基硅氧烷、两末端硅烷醇基聚二苯基硅氧烷等。
这种第1聚硅氧烷可以单独使用或并用不同的多种。
在第1聚硅氧烷当中,优选举出两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷。
第1聚硅氧烷可以使用市售品,并且可以使用按照公知的方法合成的物质。
第1聚硅氧烷的数均分子量例如为100以上,优选为200以上,此外,例如为1,000,000以下,也优选为100,000以下。数均分子量通过凝胶渗透色谱用标准聚苯乙烯换算而算出。
对于第1聚硅氧烷的配混比例,在有机硅压敏粘接剂组合物中,例如为60质量%以上,优选为80质量%以上,此外,例如为99.5质量%以下,也优选为98质量%以下。
第2聚硅氧烷是有机硅压敏粘接剂组合物的辅助原料,例如为了获得粘接剂层4的硬度的提高、粘接力的提高、耐热性的提高这些特性而根据需要添加。作为第2聚硅氧烷,例如可列举出:链状聚硅氧烷、环状聚硅氧烷等。优选举出环状聚硅氧烷。
环状聚硅氧烷由下述式(B)表示。
通式(B):
(通式(B)中,Ra与通式(A)中的Ra同义。m表示2以上的整数。)
m优选表示3以上的整数,此外,例如为10以下的整数,也优选为6以下的整数。
作为环状聚硅氧烷,具体而言,可列举出:六甲基环三硅氧烷(通式(B)中,Ra为甲基、m为3)、八甲基环四硅氧烷(通式(B)中,Ra为甲基、m为4)、十甲基环五硅氧烷(通式(B)中,Ra为甲基、m为5)等。
这种第2聚硅氧烷也可以单独使用或并用不同的多种。
在第2聚硅氧烷当中,优选举出八甲基环四硅氧烷。
相对于100质量份第1聚硅氧烷,第2聚硅氧烷的配混比例例如为20质量份以下,优选为10质量份以下。
作为催化剂,例如可举出过氧化物,作为这种过氧化物,例如可列举出:过氧化二苯甲酰、过氧化苯甲酰间甲基苯甲酰、过氧化间甲苯酰等苯甲酰类过氧化物等有机过氧化物。
催化剂可以单独使用或并用。
作为催化剂,优选举出过氧化二苯甲酰、过氧化苯甲酰间甲基苯甲酰和过氧化间甲苯酰的并用(混合物)。
从控制粘接剂层4的硬度的角度来看,相对于100质量份第1聚硅氧烷,催化剂的配混比例例如为0.5质量份以上,优选为1质量份以上,并且为10质量份以下,优选为5质量份以下。
接着,有机硅压敏粘接剂组合物如下制备:将上述的原料根据需要在溶剂中配混,制备清漆,接着,根据需要而使它们反应,由此制备。作为溶剂,可举出甲苯等芳香族烃等。
另外,上述的溶剂在形成粘接剂层4的皮膜后根据需要而蒸馏去除。
上述的有机硅压敏粘接剂组合物可以使用市售品,可使用:例如DowCorning Corporation制造的280A、282、7355、7358、7502、7657、Q2-7406、Q2-7566、Q2-7735,例如Momentive Performance Materials Inc.制造的PSA590、PSA600、PSA595、PSA610、PSA518、PSA6574、PSA529、PSA750-D1、PSA825-D1、PSA800-C等。
这种有机硅压敏粘接剂组合物例如制备成液态或半固态状。
有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物兼具热塑性和热固性。作为这种有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,例如可列举出:第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物、第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物、第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物、第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物、第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物和第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有例如:两末端氨基型有机硅树脂组合物、二异氰酸酯和自由基产生剂。
从透明性、高耐热性的角度来看,两末端氨基型有机硅树脂组合物优选为下述式(1)所示的化合物。
式(3):
Figure BDA0000389158630000131
(式中,A~D为构成单元,A和D表示末端单元,B和C表示重复单元,R1表示1价烃基,R2表示链烯基,R3表示亚烷基,a表示0以上的整数,b表示0以上的整数。a+b满足至少为1以上的整数的关系。所有R1可以相同或不同,b个R2可以相同或不同。)
式(1)所示的化合物是由构成单元A、B、C和D构成的、末端单元含有氨基(-NH2)的化合物。
式(1)中的R1所示的烃基例如为饱和烃基或芳香族烃基。从可得性的角度来看,烃基的碳数例如为1~20,优选为1~10。
作为饱和烃基,例如可列举出:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、环己基、环戊基等烷基。作为芳香族烃基,例如可列举出:苯基、苄基、甲苯基等芳基等。
R1所示的烃基当中,从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐光性的角度来看,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。另外,在式(1)中,所有R1优选与构成单元无关地、各自独立地表示上述的烃基。
作为式(1)中的R2,可列举出取代或未取代的链烯基。具体而言,为骨架中包括链烯基的有机基团即可,可列举出乙烯基、烯丙基、丁炔基、戊炔基、己炔基等。其中,从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐热性的角度来看,优选举出乙烯基。
作为式(1)中的R3,例如可列举出取代或未取代的亚烷基。R3为骨架中包括亚烷基的有机基团即可,从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐热性的角度来看,这种有机基团的碳数例如为1~10。具体而言,可列举出:亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基等。其中,从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐热性的角度来看,优选举出亚丙基。另外,在式(1)中,所有R3、即2个R3可以相同或不同。
构成单元A为末端单元,具体而言,其包括在分子一端。即,在式(1)中包括1个构成单元A。
构成单元D为末端单元,具体而言,其包括在与构成单元A处于相反侧的分子另一端。即,在式(1)中包括1个构成单元D。
构成单元B的重复单元数、即式(1)中的a表示0以上的整数,从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性的角度来看,例如为1~10,000,优选为10~10,000的整数。
构成单元C的重复单元数、即式(1)中的b从所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性的角度来看,例如为0~10,000,优选为0~1,000的整数。
a与b的和优选为1~10,000,进一步优选为10~10,000。另外,由于a与b的和至少为1以上的整数,因此a或b中的任一者也可以为0。
式(1)所示的两末端氨基型有机硅树脂组合物可以使用市售品,此外,也可以按照公知的方法合成。
对于式(1)所示的两末端氨基型有机硅树脂组合物,从稳定性、操作性的角度来看,重均分子量例如为100~1,000,000,优选为1000~100,000。重均分子量用凝胶渗透色谱(GPC:标准聚苯乙烯换算值)测定,下同。
在第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,两末端氨基型有机硅树脂组合物的含量例如为1质量%以上,优选为80质量%以上,此外,也例如为99.9质量%以下。
从与各成分的相容性的角度来看,二异氰酸酯例如由下述式(2)表示。
式(2):
O=C=N-Y-N=C=O   (2)
(式中,Y表示2价烃基)
作为式(2)中的Y,例如可列举出:饱和或不饱和的直链、支链或环状的烃基。从可得性和所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的耐热性的角度来看,烃基的碳数例如为1~50,优选为1~30。
作为二异氰酸酯,例如可列举出:脂肪族二异氰酸酯、芳香族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯、以及它们的改性体等。具体而言,可列举出:六亚甲基二异氰酸酯、4,4’-亚甲基二亚环己基二异氰酸酯、4,4’-亚甲基二亚苯基二异氰酸酯、1,3-二氮杂环丁烷-2,4-二酮-双(4,4’-亚甲基二环己基)二异氰酸酯、1,3-二氮杂环丁烷-2,4-二酮-双(4,4’-亚甲基二苯基)二异氰酸酯、四亚甲基苯二甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、甲苯-2,4-二异氰酸酯、二环己基亚甲基二异氰酸酯等,这些可以单独使用或将2种以上组合使用。这些当中,从透明性、耐热性和可得性的角度来看,优选列举出:甲苯-2,4-二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯。
作为二异氰酸酯,可以使用市售品,此外,也可以按照公知的方法合成。
在第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,二异氰酸酯的含量例如为1.0×10-5质量%以上,此外,例如为20质量%以下,也优选为10质量%以下。
此外,对于两末端氨基型有机硅树脂组合物与二异氰酸酯的质量比,从使两末端氨基型有机硅树脂组合物的氨基与二异氰酸酯的异氰酸酯基既不过量也无不足地反应的角度来看,这些官能团的摩尔比(氨基/异氰酸酯基)例如为0.1/1~1/0.1,优选为实质上等量(1/1)。
自由基产生剂是产生自由基、促进两末端氨基型有机硅树脂组合物之间的交联反应的化合物,可列举出光自由基产生剂、有机过氧化物等,由于第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物根据温度而显示热塑性/热固性,因此优选举出通过加热而产生自由基的有机过氧化物。
具体而言,可列举出:过氧化甲乙酮、过氧化环己酮、过氧化甲基环己酮、过氧化乙酰丙酮、1,1-二(叔己基过氧化)-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-二(叔己基过氧化)环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)-2-甲基环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)环己烷、2,2-二(叔丁基过氧化)丁烷、2,2-二(4,4-二-(丁基过氧化)环己基)丙烷、对孟烷过氧化氢、二异丙基苯过氧化氢、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化氢、枯烯过氧化氢、叔丁基过氧化氢、过氧化二枯基、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、叔丁基枯基过氧化物、过氧化二叔己基、过氧化二叔丁基、过氧化二异丁酰、过氧化二正辛酰、过氧化二苯甲酰、过氧化二碳酸二正丙基酯、过氧化二碳酸二异丙基酯、过氧化碳酸二(4-叔丁基环己基)酯、过氧化新癸酸叔己酯、过氧化新癸酸叔丁酯、过氧化二异丁酸叔丁酯、过氧化烯丙基单碳酸叔丁酯、叔丁基过氧化苯等。这些可以单独使用或将2种以上组合使用。在这些当中,从透明性、耐热性和可得性的角度来看,优选列举出:过氧化二叔丁基、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、叔丁基过氧化苯。
这些自由基产生剂的产生自由基的温度并非一概而定,例如为100℃以上。
自由基产生剂可以使用市售品,此外,也可以按照公知的方法合成。
在第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,自由基产生剂的含量例如为1.0×10-6质量%以上,此外,例如为20质量%以下,也优选为10质量%以下。
此外,设两末端氨基型有机硅树脂组合物的R1基量为100mol%时,从维持所得第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的柔软性的角度来看,自由基产生剂的含量例如为0.001mol%以上,优选为0.01mol%以上,此外,例如为50mol%以下,也优选为10mol%以下。
第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物只要含有两末端氨基型有机硅树脂组合物、二异氰酸酯和自由基产生剂,即可没有特别限定地制备。
对于第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,从根据异氰酸酯基反应和基于自由基产生剂的交联反应的各反应机理而适当选择反应温度和时间、进行并结束反应的角度来看,优选预先混合异氰酸酯基反应的相关成分、即两末端氨基型有机硅树脂组合物和二异氰酸酯,然后配混自由基产生剂。
异氰酸酯基反应的相关成分的配混如下实施:在例如0℃以上、优选为10℃以上、此外例如100℃以下、优选为60℃以下,将两末端氨基型有机硅树脂组合物和二异氰酸酯、以及根据需要而定的有机溶剂等添加剂搅拌例如0.1~40小时,由此实施。
作为有机溶剂,没有特别限定,从提高各成分的相容性的角度来看,优选举出甲乙酮等酮。
另外,通过上述混合,两末端氨基型有机硅树脂组合物的氨基与二异氰酸酯的异氰酸酯基的反应被部分引发也是可以的,反应的进行程度可以利用1H-NMR测定通过来源于氨基的峰的消失程度来确认。
接着,作为交联反应的相关成分,将自由基产生剂混合到上述异氰酸酯基反应的相关成分的混合物中。第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物在进行异氰酸酯基反应和基于自由基产生剂的交联反应这2种反应得到固化物时,可以通过发生交联反应而得到固化物(成形物),因此自由基产生剂只要能均匀地混合到上述异氰酸酯基反应的相关成分的混合物中,则对混合方法没有特别限定。
具体而言,向两末端氨基型有机硅树脂组合物与二异氰酸酯的混合物中配混自由基产生剂并搅拌混合。混合时间根据反应温度、供于反应的成分的种类、量而无法一概而定,例如为0.1~40小时。另外,所得混合物(反应物)可以按照公知的方法去除溶剂等。
如此得到的第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物在常温下为固体,在40℃以上显示热塑性行为,进而,在50℃以上显示热固性。
具体而言,第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度优选为40℃以上,进一步优选为80℃以上,并且优选为200℃以下,进一步优选为150℃以下。另外,热塑温度是第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热塑性的温度,具体而言,是固体状的第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而软化、完全变成液体状的温度,与软化温度实质上相同。
此外,第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固化温度优选为100℃以上,进一步优选为130℃以上,并且优选为200℃以下。热固化温度是第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热固性的温度,具体而言,是液体状的第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而固化、完全变成固体状的温度。
第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有例如:两末端氨基型有机硅树脂组合物、有机氢聚硅氧烷、二异氰酸酯和硅氢(hydrosilyl)化催化剂。
作为第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中的两末端氨基型有机硅树脂组合物,可列举出与第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中所例示的两末端氨基型有机硅树脂组合物同样的两末端氨基型有机硅树脂组合物。
在第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,两末端氨基型有机硅树脂组合物的含量例如为1~99.5质量%,优选为80~99.5质量%。
有机氢聚硅氧烷是含有硅氢基(-SiH)的聚硅氧烷。更具体而言,有机氢聚硅氧烷是为直链、且在与主链键合的侧链含有硅氢基的侧链型有机氢聚硅氧烷、和/或、在分子的两末端含有硅氢基的两末端型有机氢聚硅氧烷。
侧链型有机氢聚硅氧烷例如由下述式(3)表示。
式(3):
Figure BDA0000389158630000191
(式中,E~H表示构成单元,E和H表示末端单元,F和G表示重复单元。R4表示1价烃基。此外,e表示0以上的整数,f表示1以上的整数。)
E~H构成侧链型有机氢聚硅氧烷。
在式(3)中,R4所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
作为R4所示的1价烃基,可列举出与在上述式(1)和(2)中R1所示的1价烃基同样的基团,优选为甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
从反应性和稳定性的角度来看,e优选表示1~10000的整数,进一步优选表示1~5000的整数。
f优选为2以上,此外,从反应性和稳定性的角度来看,优选表示1~10000的整数,进一步优选表示1~1000的整数,从在室温下以固体状得到有机硅树脂组合物的同时赋予柔软性的角度来看,尤其优选表示大于e的整数,最优选表示100~1000的整数。
作为侧链型有机氢聚硅氧烷,例如可列举出:甲基氢硅氧烷、二甲基硅氧烷-共聚-甲基氢硅氧烷、乙基氢硅氧烷、甲基氢硅氧烷-共聚-甲基苯基硅氧烷等。
从稳定性和操作性的角度来看,侧链型有机氢聚硅氧烷的数均分子量例如为200~100000,优选为200~80000。
侧链型有机氢聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司、信越化学工业株式会社制造)。
两末端型有机氢聚硅氧烷例如由下述式(4)表示。
式(4):
(式中,R~U表示构成单元,R和U表示末端单元,S和T表示重复单元。R5表示选自饱和烃基和芳香族烃基中的1价烃基。此外,g表示0以上的整数,t表示0以上的整数。)
R~U构成两末端型有机氢聚硅氧烷。
在式(4)中,R5所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
作为R5所示的1价烃基,可列举出与上述式(1)中R1所示的1价烃基同样的基团,作为1价烃基,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
从反应性和稳定性的角度来看,g优选表示0以上的整数,进一步优选表示1~10000的整数,尤其优选表示1~5000的整数。
从反应性和稳定性的角度来看,t优选表示0以上的整数,进一步优选表示1~10000的整数,尤其优选表示1~5000的整数。
例如在t为1以上时,两末端型有机氢聚硅氧烷为在由主链分出的侧链和主链的两末端含有氢原子的、侧链和两末端兼具氢的有机聚硅氧烷,具体而言,可列举出:两末端硅氢基的甲基氢聚硅氧烷、两末端硅氢基的(二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷)、两末端硅氢基的乙基氢聚硅氧烷、两末端硅氢基的(甲基氢聚硅氧烷-共聚-甲基苯基聚硅氧烷)等。
此外,例如在t为0时,两末端型有机氢聚硅氧烷为在由主链分出的侧链不含氢原子而在主链的两末端含有氢原子的、侧链不含氢/两末端含氢的有机聚硅氧烷,具体而言,可列举出:两末端硅氢基的聚二甲基硅氧烷、两末端硅氢基的聚甲基苯基硅氧烷、两末端硅氢基的聚二苯基硅氧烷等。
作为两末端型有机氢聚硅氧烷,优选举出式(5)所示的侧链不含氢/两末端含氢的有机聚硅氧烷。
式(5):
(式中,R5表示选自饱和烃基和芳香族烃基中的1价烃。此外,g表示1以上的整数。)
在式(5)中,R5所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
在式(5)中,R5表示与上述相同的意思,此外,g表示与上述相同的意思。
从稳定性和操作性的角度来看,两末端型有机氢聚硅氧烷的数均分子量例如为100~30000,优选为100~10000。
两末端型有机氢聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品。
在有机氢聚硅氧烷中,硅氢基含量具体而言例如为0.01mmol/g以上,优选为0.05mmol/g以上,此外,例如为20mmol/g以下,也优选为15mmol/g以下。该硅氢基含量用1H-NMR由硅氢基和甲基的积分值算出。
有机氢聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司、信越化学工业株式会社制造)。
在第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,有机氢聚硅氧烷的含量例如为0.0001质量%以上,优选为0.001质量%以上,此外,例如为90质量%以下,也优选为50质量%以下。
此外,对于两末端氨基型有机硅树脂组合物与有机氢聚硅氧烷的质量比,从使两末端氨基型有机硅树脂组合物的链烯基与有机氢聚硅氧烷的SiH基(硅氢基)既不过量也无不足地反应的角度来看,官能团的摩尔比(链烯基/SiH基)例如为1/1~0.1/1,优选为1/1~0.2/1,进一步优选为1/1~0.5/1,尤其优选为实质上等量(1/1)。
作为二异氰酸酯,可列举出与第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的二异氰酸酯同样的二异氰酸酯。
在第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,二异氰酸酯的含量例如为1.0×10-5质量%以上,此外,例如为20质量%以下,优选为10质量%以下。
此外,对于两末端氨基型有机硅树脂组合物与二异氰酸酯的质量比,从使两末端氨基型有机硅树脂组合物的氨基与二异氰酸酯的异氰酸酯基既不过量也无不足地反应的角度来看,官能团的摩尔比(氨基/异氰酸酯基)例如为1/1~0.1/1,优选为1/1~0.2/1,进一步优选为1/1~0.5/1,尤其优选为实质上等量(1/1)。
作为硅氢化催化剂,只要为催化两末端氨基型有机硅树脂组合物的链烯基与有机氢聚硅氧烷的硅氢基的硅氢化反应的化合物,则没有特别限定,可列举出:例如铂黑、氯化铂、氯化铂酸、铂烯烃络合物、铂羰基络合物、铂乙酰醋酸酯等铂催化剂,例如钯催化剂,例如铑催化剂等。
对于第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中的硅氢化催化剂的含量,例如在使用铂催化剂时,从反应速度的角度来看,相对于100质量份有机氢聚硅氧烷,铂含量例如为1.0×10-10质量份以上,优选为1.0×10-8质量份以上,此外,例如为0.5质量份以下,也优选为1.0×10-3质量份以下。
第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物只要含有两末端氨基型有机硅树脂组合物、有机氢聚硅氧烷、二异氰酸酯和硅氢化催化剂的各成分,则可以没有特别限定地制备。
第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物从根据异氰酸酯基的反应和硅氢化反应的各反应机理而适当选择反应温度和时间、进行并结束反应的角度来看,也可以预先混合异氰酸酯基反应的相关成分之后再混合硅氢化反应的相关成分。
异氰酸酯基反应的相关成分的混合可以如下实施:在例如0℃以上、优选为10℃以上、此外例如100℃以下、优选为60℃以下,将两末端氨基型有机硅树脂组合物和二异氰酸酯、根据需要而定的有机溶剂等添加剂搅拌例如0.1~40小时,由此实施。
作为有机溶剂,没有特别限定,从提高各成分的相容性角度来看,优选举出甲乙酮等酮。
另外,通过上述混合,两末端氨基型有机硅树脂组合物的氨基与二异氰酸酯的异氰酸酯基的反应被部分引发也是可以的,反应的进行程度可以利用1H-NMR测定通过来源于氨基的峰的消失程度来确认。
然后,作为硅氢化反应的相关成分,将有机氢聚硅氧烷和硅氢化催化剂配混到上述异氰酸酯基反应的相关成分的混合物中。
第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过之后的加热,可以通过发生上述的硅氢化反应而得到固化物(成形物),因此硅氢化反应的相关成分只要能均匀混合到上述异氰酸酯基反应的相关成分的混合物中,则对混合方法没有特别限定。
具体而言,向两末端氨基型有机硅树脂组合物和二异氰酸酯的混合物中配混有机氢聚硅氧烷和硅氢化催化剂并搅拌混合。混合时间根据反应温度、供于反应的成分的种类、量而无法一概而定,例如为0.1~40小时。作为混合方法,只要各成分混合均匀则没有特别限定。另外,所得混合物可以按照公知的方法去除溶剂等。
如此得到的第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物在常温下为固体,在40℃以上表现热塑性行为,进而,在50℃以上表现热固性。
具体而言,第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度例如为40~200℃,优选为40~150℃。
此外,在下述的热固化温度下,第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物进行硅氢化反应,第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物发生热固化。
热固化温度例如为100~200℃,优选为130~200℃。另外,硅氢化反应的进行程度可以利用1H-NMR测定通过来源于两末端氨基型有机硅树脂组合物的氨基的信号的强度来确认,在信号消失的阶段可视为反应结束。
第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过在硅氢化催化剂的存在下使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应而得到。
笼型八聚倍半硅氧烷是3官能有机硅单体的八聚物,具体而言,具有8个下述式(6)所示的基团,
式(6):
Figure BDA0000389158630000241
(式中,R6表示1价烃基,R7表示氢或1价烃基。其中,按笼型八聚倍半硅氧烷整体的平均值计,R7的1价烃基:氢的摩尔比为6.5:1.5~5.5:2.5的范围。)
更具体而言,由下述式(7)表示。
式(7):
(式中,R6和R7表示与上述相同的意思。此外,R7的1价烃基:氢的摩尔比与上述相同。)
在上述式(6)和(7)中,R6所示的1价烃基例如为饱和烃基或芳香族烃基。
作为饱和烃基,例如可列举出:直链饱和烃基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳数1~6的烷基)、支链饱和烃基(例如异丙基、异丁基等碳数3~6的烷基)、环状饱和烃基(例如环己基等碳数3~6的环烷基)等。
作为芳香族烃基,例如可列举出:苯基、苄基、甲苯基等碳数6~8的芳基等。
1价烃基的碳数例如为1~8,优选为1~6。
R6可以相同或不同,优选相同。
作为1价烃基,从制备的容易性和热稳定性的角度来看,优选举出饱和的直链烃基,进一步优选举出碳数1~6的烷基,尤其优选举出甲基。
在上述式(6)和(7)中,作为R7所示的1价烃基,可列举出与上述的R1所示的1价烃基同样的基团。优选举出甲基。
按笼型八聚倍半硅氧烷整体的平均值计,式(7)中的R7的1价烃基:氢的摩尔比为6.5:1.5~5.5:2.5的范围,优选为6.0:2.0~5.5:2.5的范围。
即,在笼型八聚倍半硅氧烷1分子中,上述式(6)所示的基团形成1.5~2.5个(具体为2个)、优选2~2.5个(具体为2个)硅氢基(-SiH)。
在上述的R7的1价烃基:氢的摩尔比超过6.5/1.5(=6.5:1.5)时(例如7/1(=7:1)),由于硅氢基的摩尔数过少,因此笼型八聚倍半硅氧烷相对于含链烯基的聚硅氧烷的反应程度过度降低,所得第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的分子量降低,有时无法得到固体状的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
而在上述的R7的1价烃基:氢的摩尔比不满足5.5/2.5(=5.5:2.5)时(例如5/3(=5:3)),由于笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数过多,因此笼型八聚倍半硅氧烷相对于含链烯基的聚硅氧烷的的反应程度过度增大,因而有时第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物不显示热塑性。
作为上述的笼型八聚倍半硅氧烷,具体而言,例如可举出:在上述式(6)和(7)中,R6为甲基、R7为甲基或氢,按笼型八聚倍半硅氧烷整体的平均值计,R7的甲基:氢的摩尔比为5.5:2.5、6:2或6.5:1.5的笼型八聚倍半硅氧烷等。
上述式(7)所示的笼型八聚倍半硅氧烷例如按照公知的方法(例如依据日本特开2007-246880号公报等的记载)合成。
具体而言,在催化剂的存在下使四烷氧基硅烷(四乙氧基硅烷等)与甲醇等醇和/或水反应,合成八(倍半硅氧烷)骨架(在式(7)中除式(6)的基以外的部分),然后,按与上述的R7的1价烃基:氢的摩尔比对应的配混比例配混二烷基氯硅烷(二甲基氯硅烷等)和三烷基氯硅烷(三甲基氯硅烷等),使八(倍半硅氧烷)骨架的硅原子上键合的烷氧基(乙氧基等)与二烷基氯硅烷和三烷基氯硅烷反应。反应后,根据需要而纯化反应物。由此可以得到笼型八聚倍半硅氧烷。
另外,笼型八聚倍半硅氧烷也可以使用市售品。
含链烯基的聚硅氧烷是在分子的两末端含有链烯基的两末端含链烯基的聚硅氧烷,
具体而言,由下述式(8)表示。
式(8):
Figure BDA0000389158630000271
(式中,R8表示1价烃基,R9表示链烯基。此外,i表示1以上的整数。)
在式(8)中,R8所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
作为R8所示的1价烃基,可列举出与上述式(6)和(7)中R6所示的1价烃基同样的基团,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
在式(8)中,作为R9所示的链烯基,例如可举出取代或未取代的链烯基,优选举出未取代的链烯基。
作为这种链烯基,例如可列举出:乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基等碳数2~10的链烯基。
链烯基的碳数例如为2~10,优选为2~5。
R9可以相同或不同,优选相同。
作为链烯基,从与笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的反应性的角度来看,优选举出碳数2~5的链烯基,进一步优选举出乙烯基。
从反应性和稳定性的角度来看,i优选表示1~5000的整数,进一步优选表示1~1000的整数。
从安全性和操作性的角度来看,上述式(8)所示的含链烯基的聚硅氧烷的数均分子量例如为100以上,优选为300以上,此外,例如为10000以下,也优选为5000以下。
上述式(8)所示的含链烯基的聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司制造)。
作为硅氢化催化剂,可列举出与第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的硅氢化催化剂同样的物质,从相容性和透明性的角度来看,优选举出铂催化剂,进一步优选举出铂烯烃络合物,具体而言,可举出铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物等铂-二乙烯基硅氧烷络合物等。
另外,硅氢化催化剂可以制备成公知的溶剂(甲苯等)溶液。
相对于笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,硅氢化催化剂(固体成分)的配混比例例如为1.0×10-10质量份以上,优选为1.0×10-8质量份以上,此外,例如为3质量份以下,优选为1质量份以下。
接着,在硅氢化催化剂的存在下,以笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数比含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数多(过量)的方式使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应。
链烯基与硅氢基的摩尔比(链烯基的摩尔数/硅氢基的摩尔数)小于1,例如为0.10~0.99,优选为0.20~0.99,进一步优选为0.50~0.99。
而在上述的摩尔比超过上述范围时,硅氢基变得比链烯基少,此时,在反应后没有过量的硅氢基残留,有时无法赋予第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以热固性。
接着,要想使上述的笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应,按上述配混比例将它们与硅氢化催化剂和溶剂一起配混,然后,根据需要而将它们加热。
作为溶剂,可列举出:例如甲苯等芳香族烃、例如己烷等脂肪族烃、例如醋酸乙酯等酯等。从提高各成分的相容性的角度来看,优选举出芳香族烃,进一步优选举出甲苯。
反应温度例如为0℃以上,优选为20℃以上,此外,例如为100℃以下,优选为80℃以下,反应时间例如为0.5~96小时。
由此,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基进行硅氢化反应。
另外,硅氢化反应的程度可以利用1H-NMR测定通过来源于含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的信号的强度来确认,认为该信号消失时硅氢化反应结束。
上述硅氢化反应中,笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷以使硅氢基的摩尔数与链烯基的摩尔数相比过量的方式进行反应,因此在该反应后,硅氢基的过量部分残留,所述过量部分的硅氢基通过之后的加热(例如100~200℃的加热)而与空气中的水分进行水解和缩合反应,彼此键合(三维交联),由此赋予第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以热固性。
由此可以得到第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
所得第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物为固体状。由于笼型八聚倍半硅氧烷的位阻导致含链烯基的聚硅氧烷的运动性降低,因此第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以固体状得到。
第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度例如为40℃以上,优选为50℃以上,此外,例如为100℃以下,也优选为90℃以下。
暂时塑化了的第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固性如下表现出来:通过之后的加热,过量部分的硅氢基进行水解和缩合反应,彼此键合(三维交联),由此表现出来。
此外,第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固化温度例如为150℃以上,优选为180℃以上,此外,例如为300℃以下,也优选为250℃以下。
第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂以及含羟基的聚硅氧烷。
对于第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中的笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷和硅氢化催化剂,分别可列举出与第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的笼型八聚倍半硅氧烷、第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的含链烯基的聚硅氧烷、以及第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的硅氢化催化剂同样的物质。
含羟基的聚硅氧烷例如是含有多个(例如2个)羟基的聚硅氧烷,更具体而言,是在分子的两末端含有羟基的两末端型聚硅氧烷。详细而言,含羟基的聚硅氧烷由下述式(9)表示。
式(9):
Figure BDA0000389158630000301
(式中,R10表示1价烃基。此外,j表示1以上的整数。)
在式(9)中,R10所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
作为R10所示的1价烃基,可列举出与上述式(5)和(6)中R6所示的1价烃基同样的基团,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
从反应性和稳定性的角度来看,j优选表示1~10000的整数,进一步优选表示1~5000的整数。
从安全性和操作性的角度来看,上述式(9)所示的含羟基的聚硅氧烷的数均分子量例如为100以上,优选为500以上,此外,例如为100000以下,也优选为50000以下。
上述式(9)所示的含羟基的聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司制造)。
第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过配混笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂和含羟基的聚硅氧烷来制备。
相对于第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,笼型八聚倍半硅氧烷的配混比例例如为1质量%以上,优选为5质量%以上,此外,例如为50质量%以下,也优选为40质量%以下。
含链烯基的聚硅氧烷的配混比例调整成含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数比笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数少。
即,链烯基与硅氢基的摩尔比(链烯基的摩尔数/硅氢基的摩尔数)小于1,例如为0.10~0.99,优选为0.20~0.99,进一步优选为0.50~0.99。
在上述的摩尔比超过上述范围时,硅氢基变得比链烯基少,此时,在反应后过量部分的硅氢基没有残留,有时无法赋予第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以热固性。
而在上述的摩尔比不满足上述范围时,硅氢基过量残留,笼型八聚倍半硅氧烷之间通过利用空气中水分的水解和自缩合而固化,有时无法获得柔软性。
相对于笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,硅氢化催化剂(固体成分)的配混比例例如为1.0×10-10质量份以上,优选为1.0×10-8质量份以上,此外,例如为3质量份以下,优选为1质量份以下。
对于含羟基的聚硅氧烷的配混比例,其羟基的摩尔数(X)相对于从笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数中减去含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数而得到的摩尔数(Y),按摩尔比(X/Y)计,调整成例如0.001以上、优选为0.01以上、此外例如1000以下、优选为100以下。换言之,相对于笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,含羟基的聚硅氧烷的配混比例例如为0.1质量份以上,优选为1质量份以上,此外,例如为50质量份以下,也优选为30质量份以下。
要想制备第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,优选配混有机硅树脂组合物前体与含羟基的聚硅氧烷,所述有机硅树脂组合物前体通过在硅氢化催化剂的存在下使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应而得到。
即,首先,在硅氢化催化剂的存在下,以笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数比含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数多(过量)的方式使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应,由此得到有机硅树脂组合物前体。
要想得到有机硅树脂组合物前体,更具体而言,按上述配混比例将上述的笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷与硅氢化催化剂和根据需要而定的溶剂一起配混,然后根据需要而将它们加热。
作为溶剂,可列举出:例如甲苯等芳香族烃、例如己烷等脂肪族烃、例如醋酸乙酯等酯等。从提高各成分的相容性的角度来看,优选举出芳香族烃,进一步优选举出甲苯。
反应温度例如为0℃以上,优选为20℃以上,此外,例如为100℃以下,优选为80℃以下,反应时间例如为0.5~96小时。
由此,笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷进行反应。即,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基进行硅氢化反应。
另外,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的硅氢化反应的程度可以利用1H-NMR测定通过来源于含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的信号的强度来确认,认为该信号消失时硅氢化反应结束。
上述硅氢化反应中,笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷以使硅氢基的摩尔数与链烯基的摩尔数相比过量的方式反应,在该反应后,硅氢基的过量部分残留。
由此得到有机硅树脂组合物前体。
另外,有机硅树脂组合物前体为液体状或半固体状。
接着,按上述比例配混所得有机硅树脂组合物前体和含羟基的聚硅氧烷。通过之后的加热使有机硅树脂组合物前体与含羟基的聚硅氧烷反应。另外,根据需要而蒸馏去除溶剂。
由此可以得到第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
所得第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物为固体状。由于笼型八聚倍半硅氧烷的位阻导致含链烯基的聚硅氧烷的运动性降低,因此第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以固体状得到。
第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑性如下表现出来:通过加热,笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的运动性上升,由此表现出来。
第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度例如为40℃以上,优选为50℃以上,此外,例如为150℃以下,也优选为100℃以下。
暂时塑化了的第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固性具体通过第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体中残留的硅氢基与含羟基的聚硅氧烷的羟基反应而表现出来。
更具体而言,第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体中的笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含羟基的聚硅氧烷的羟基进行缩合反应。
此外,第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固化温度较低,例如为100℃以上,优选为120℃以上,此外,例如为250℃以下。热固化温度是第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热固性的温度,具体而言是塑化了的第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而固化、完全变成固体状的温度。
该第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有含羟基的聚硅氧烷,因此含羟基的聚硅氧烷的羟基与笼型八聚倍半硅氧烷的残余的硅氢基反应,由此可以使笼型八聚倍半硅氧烷交联。因此,可以提高第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的柔软性。
此外,第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物可以降低其热固化温度(例如100~250℃)。
第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂和有机氢聚硅氧烷。
在第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷和硅氢化催化剂分别可列举出与第4有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷和硅氢化催化剂同样的物质。在第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,硅氢基含量例如为0.01mmol/g以上,优选为0.05mmol/g以上,此外,例如为20mmol/g以下,也优选为15mmol/g以下。
在第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,有机氢聚硅氧烷可列举出与第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的有机氢聚硅氧烷同样的物质。
第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过配混笼型八聚倍半硅氧烷、含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂和有机氢聚硅氧烷来制备。
相对于第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,笼型八聚倍半硅氧烷的配混比例例如为10~80质量%,优选为10~70质量%。
含链烯基的聚硅氧烷的配混比例调整成含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数比笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数少。
即,链烯基相对于硅氢基的摩尔比(链烯基的摩尔数/硅氢基的摩尔数)小于1,例如为0.10~0.99,优选为0.20~0.99,进一步优选为0.50~0.99。
在上述的摩尔比超过上述范围时,硅氢基变得比链烯基少,此时,在反应后过量部分的硅氢基没有充分残留,有时无法赋予第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以热固性。
而在上述的摩尔比不满足上述范围时,硅氢基过量残留,笼型八聚倍半硅氧烷之间由于利用空气中的水分的水解和自缩合而固化,有时无法获得柔软性。
相对于笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,硅氢化催化剂(固体成分)的配混比例例如为1.0×10-10质量份以上,优选为1.0×10-8质量份以上,此外,例如为3质量份以下,也优选为1质量份以下。
对于有机氢聚硅氧烷的配混比例,其硅氢基的摩尔数(X)相对于从笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数中减去含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数而得到的摩尔数(Y),按摩尔比(X/Y)计,调整成例如0.001以上、优选为0.01以上、此外例如1000以下、优选为100以下。换言之,相对于笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,有机氢聚硅氧烷的配混比例例如为0.01~100质量份,优选为0.01~50质量份。
此外,相对于第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物整体的有机氢聚硅氧烷的配混比例例如为0.01~50质量%,优选为0.01~30质量%。
要想制备第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,优选将有机硅树脂组合物前体与有机氢聚硅氧烷配混,所述有机硅树脂组合物前体通过在硅氢化催化剂的存在下使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应而得到。
即,首先,在硅氢化催化剂的存在下,按笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数比含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数多(过量)的配混比例使笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷反应,由此得到有机硅树脂组合物前体。
要想得到有机硅树脂组合物前体,更具体而言,按上述配混比例将上述的笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷与硅氢化催化剂和根据需要而定的溶剂一起配混,然后根据需要而将它们加热。
作为溶剂,可列举出:例如甲苯等芳香族烃、例如己烷等脂肪族烃、例如醋酸乙酯等酯等。从提高各成分的相容性的角度来看,优选举出芳香族烃,进一步优选举出甲苯。
反应温度例如为0℃以上,优选为20℃以上,此外,例如为100℃以下,优选为80℃以下,反应时间例如为0.5~96小时。
由此,笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷进行反应。即,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基进行硅氢化反应。
另外,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的硅氢化反应的程度可以利用1H-NMR测定通过来源于含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的信号的强度来确认,认为该信号消失时硅氢化反应结束。
上述硅氢化反应中,笼型八聚倍半硅氧烷与含链烯基的聚硅氧烷以硅氢基的摩尔数与链烯基的摩尔数相比过量的方式反应,在该反应后,硅氢基的过量部分残留。
由此得到有机硅树脂组合物前体。
另外,有机硅树脂组合物前体为液体状或半固体状。
接着,按上述比例配混所得有机硅树脂组合物前体和有机氢聚硅氧烷。通过之后的加热(后述),使有机硅树脂组合物前体与有机氢聚硅氧烷反应。另外,根据需要而蒸馏去除溶剂。
由此可以得到第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
所得第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物为固体状。由于笼型八聚倍半硅氧烷的位阻导致含链烯基的聚硅氧烷的运动性降低,因此第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以固体状得到。
第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于R7的1价烃基:氢的摩尔比为特定范围,因此对笼型八聚倍半硅氧烷中与含链烯基的聚硅氧烷的链烯基反应的硅氢基的比例进行了调整。而且,含链烯基的聚硅氧烷以其链烯基达到比笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数少的摩尔数的方式与笼型八聚倍半硅氧烷反应。因此,所得第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐热性优异,并且可以兼具热塑性和热固性。
即,第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过上述的加热而暂时塑化(或者液态化),然后热固化。
第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑性如下表现出来:通过加热,笼型八聚倍半硅氧烷和含链烯基的聚硅氧烷的运动性上升,由此表现出来。
另外,第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度例如为40℃以上,优选为50℃以上,此外,例如为150℃以下,也优选为100℃以下。另外,热塑温度是第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热塑性的温度,具体而言,是固体状的第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而软化、完全变为液体状的温度,与软化温度实质上相同。
暂时塑化了的第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固性具体通过有机硅树脂组合物前体中残留的硅氢基与有机氢聚硅氧烷的硅氢基反应而表现出来。
更具体而言,有机硅树脂组合物前体中的笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基和有机氢聚硅氧烷的硅氢基与空气中的水反应(水解)、进行脱水(分子间脱水)缩合反应。
此外,第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固化温度较低,例如为100℃以上,优选为120℃以上,此外,例如为250℃以下。热固化温度是第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热固性的温度,具体而言,是塑化了的第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而固化、完全变成固体状的温度。
该第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,有机氢聚硅氧烷的硅氢基与笼型八聚倍半硅氧烷的残余的硅氢基反应。即,通过脱水(分子间脱水)缩合反应,可以使笼型八聚倍半硅氧烷交联。因此,可以提高第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的柔软性。
此外,第5有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物可以降低其热固化温度(例如100~250℃)。
第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物含有笼型八聚倍半硅氧烷、两末端含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂和侧链含链烯基的聚硅氧烷。
在第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,笼型八聚倍半硅氧烷、两末端含链烯基的聚硅氧烷和硅氢化催化剂可列举出与第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的笼型八聚倍半硅氧烷、第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的两末端含链烯基的聚硅氧烷、第2有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中例示的硅氢化催化剂同样的物质。
侧链含链烯基的聚硅氧烷是在侧链含有2个以上链烯基的聚硅氧烷。作为这种侧链含链烯基的聚硅氧烷,例如可列举出:含有链烯基作为键合在含有直链的硅氧烷部分(-Si-O-)的主链(的硅原子)上的侧链的含直链硅氧烷的聚硅氧烷、和/或、含有键合在支链的硅氧烷部分的硅原子上的链烯基的含支链硅氧烷的聚硅氧烷。
含直链硅氧烷的聚硅氧烷具体由下述式(10)表示。
式(10):
Figure BDA0000389158630000391
(式中,I~L为构成单元,I和L表示末端单元,J和K表示重复单元。R11表示1价烃基,R12表示链烯基。此外,k表示0以上的整数,m表示2以上的整数。)
I~L构成含直链硅氧烷的聚硅氧烷。
在式(10)中,R11所示的1价烃基可以相同或不同,优选相同。
作为R11所示的1价烃基,可列举出与上述式(1)中R1所示的1价烃基同样的基团,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
从反应性和稳定性的角度来看,k优选表示1~10000的整数,进一步优选表示1~5000的整数。
从反应性和稳定性的角度来看,m优选表示2~500的整数,进一步优选表示2~100的整数。
从稳定性和操作性的角度来看,含直链硅氧烷的聚硅氧烷的数均分子量例如为200~1000000,优选为200~80000。
含直链硅氧烷的聚硅氧烷的乙烯基含量例如为0.01mmol/g以上,优选为0.1mmol/g以上,此外,例如为10mmol/g以下,优选为5mmol/g以下。含直链硅氧烷的聚硅氧烷的乙烯基含量用1H-NMR根据乙烯基与甲基的面积比测定。
含直链硅氧烷的聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司制造)。
含支链硅氧烷的聚硅氧烷具体由下述式(11)表示。
式(11)
Figure BDA0000389158630000401
(式中,M、N、P和Q为构成单元,M、N和P表示重复单元,Q表示末端单元。R13表示1价烃基。此外,n表示1以上的整数,p和q表示0以上的整数,r表示4以上的整数。进而,平均每分子中至少2个R13为链烯基。)
M、N、P和Q构成含支链硅氧烷的聚硅氧烷。
R13所示的1价烃基例如为饱和烃基、芳香族烃基或不饱和烃基(芳香族烃基除外。)。
作为饱和烃基和芳香族烃基,可列举出与上述式(1)中R1所示的1价烃基同样的基团,优选列举出甲基、苯基,进一步优选举出甲基。
作为不饱和烃基(芳香族烃基除外。),可列举出与上述式(1)中R2所示的链烯基同样的基团,优选举出乙烯基。
在式(11)中,R13所示的1价烃基至少包含链烯基,优选包含烷基和/或苯基、以及链烯基,进一步优选包含甲基和乙烯基。
含支链硅氧烷的聚硅氧烷中的链烯基的数目为2以上,优选为3以上,通常为30以下。
n优选表示1~100的整数,进一步优选表示1~50的整数。
p优选表示1~100的整数,进一步优选表示1~50的整数。
q优选表示1~100的整数,进一步优选表示1~50的整数。
r优选表示4~100的整数,进一步优选表示4~30的整数。
从稳定性和操作性的角度来看,含支链硅氧烷的聚硅氧烷的数均分子量例如为100以上,优选为200以上,此外,例如为10000以下,也优选为8000以下。
含支链硅氧烷的聚硅氧烷的乙烯基含量例如为0.01mmol/g以上,优选为0.1mmol/g以上,此外,例如为100mmol/g以下,也优选为10mmol/g以下。含支链硅氧烷的聚硅氧烷的乙烯基含量用1H-NMR根据乙烯基与甲基的面积比测定。
含支链硅氧烷的聚硅氧烷例如可以按照公知的方法合成,或者也可以使用市售品(例如Gelest公司制造)。
第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过配混笼型八聚倍半硅氧烷、两末端含链烯基的聚硅氧烷、硅氢化催化剂和侧链含链烯基的聚硅氧烷来制备。
相对于第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,笼型八聚倍半硅氧烷的配混比例例如为10~80质量%,优选为10~70质量%。
两末端含链烯基的聚硅氧烷的配混比例调整成两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数比笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数少。
即,链烯基相对于硅氢基的摩尔比(链烯基的摩尔数/硅氢基的摩尔数)小于1,例如为0.10~0.99,优选为0.20~0.99,进一步优选为0.50~0.99。换言之,相对于笼型八聚倍半硅氧烷和两末端含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,两末端含链烯基的聚硅氧烷的配混比例例如为0.001质量份以上,优选为0.01质量份以上,此外,例如为30质量份以下,也优选为20质量份以下。此外,相对于笼型八聚倍半硅氧烷和两末端含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,也可以将两末端含链烯基的聚硅氧烷的配混比例设定为例如0.01质量份以上、优选为0.1质量份以上,此外,例如设定为100质量份以下、优选为50质量份以下。
在上述的摩尔比超过上述范围时,硅氢基变得比链烯基少,此时,在反应后过量部分的硅氢基没有充分残留,有时无法赋予第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以热固性。
而在上述的摩尔比不满足上述范围时,硅氢基过量残留,笼型八聚倍半硅氧烷之间由于利用空气中的水分的水解和自缩合而固化,有时无法获得柔软性。
相对于笼型八聚倍半硅氧烷和两末端含链烯基的聚硅氧烷的总量100质量份,硅氢化催化剂(固体成分)的配混比例例如为1.0×10-10质量份以上,优选为1.0×10-8质量份以上,此外,例如为3质量份以下,也优选为1质量份以下。
对于侧链含链烯基的聚硅氧烷的配混比例,其链烯基的摩尔数(X)相对于从笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数中减去两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数而得到的摩尔数(Y),按摩尔比(X/Y)计,调整成例如为0.001以上、优选为0.01、此外例如调整为1000以下、优选为100以下。
要想制备第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物,优选配混第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体和侧链含链烯基的聚硅氧烷,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体通过在硅氢化催化剂的存在下使笼型八聚倍半硅氧烷与两末端含链烯基的聚硅氧烷反应而得到。
即,首先,在硅氢化催化剂的存在下,以笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数比两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的摩尔数多(过量)的配混比例使笼型八聚倍半硅氧烷与两末端含链烯基的聚硅氧烷反应,由此得到第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体。
要想得到第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体,更具体而言,按上述配混比例将上述的笼型八聚倍半硅氧烷和两末端含链烯基的聚硅氧烷与硅氢化催化剂和根据需要而定的溶剂一起配混,然后根据需要而将它们加热。
作为溶剂,可列举出:例如甲苯等芳香族烃、例如己烷等脂肪族烃、例如醋酸乙酯等酯等。从提高各成分的相容性的角度来看,优选举出芳香族烃,进一步优选举出甲苯。
反应温度例如为0℃以上,优选为20℃以上,此外,例如为100℃以下,优选为80℃以下,反应时间例如为0.5~96小时。
由此,笼型八聚倍半硅氧烷与两末端含链烯基的聚硅氧烷进行反应。即,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基进行硅氢化反应。
另外,笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的硅氢化反应的程度可以利用1H-NMR测定通过来源于两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基的信号的强度来确认,认为该信号消失时硅氢化反应结束。
上述硅氢化反应中,笼型八聚倍半硅氧烷与两末端含链烯基的聚硅氧烷以硅氢基的摩尔数与链烯基的摩尔数相比过量的方式反应,在该反应后,硅氢基的过量部分残留。
由此得到第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体。
另外,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体为液体状或半固体状。
接着,按上述比例配混所得第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体和侧链含链烯基的聚硅氧烷。通过之后的加热(后述)使第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体与侧链含链烯基的聚硅氧烷反应。另外,根据需要而蒸馏去除溶剂。
由此可以得到第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
所得第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物为固体状。由于笼型八聚倍半硅氧烷的位阻导致两末端含链烯基的聚硅氧烷的运动性降低,因此第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物以固体状得到。
第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于笼型八聚倍半硅氧烷中的1价烃基:氢的摩尔比为特定范围,因此,对笼型八聚倍半硅氧烷中与两末端含链烯基的聚硅氧烷的链烯基反应的硅氢基的比例进行了调整。而且,两末端含链烯基的聚硅氧烷以其链烯基达到比笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔数少的摩尔数的方式与笼型八聚倍半硅氧烷反应。因此,所得第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的透明性和耐热性优异,并且可以兼具热塑性和热固性。
即,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物通过上述的加热而暂时塑化(或者液态化),然后热固化。
第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑性如下表现出来:通过加热,笼型八聚倍半硅氧烷和两末端含链烯基的聚硅氧烷的运动性上升,由此表现出来。
另外,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度例如为40℃以上,优选为50℃以上,此外,例如为150℃以下,优选为100℃以下。另外,热塑温度是第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热塑性的温度,具体而言,是固体状的第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而软化、完全变成液体状的温度,与软化温度实质上相同。
暂时塑化了的第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固性具体而言通过第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体中残留的硅氢基与侧链含链烯基的聚硅氧烷的链烯基反应而表现出来。
更具体而言,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物前体中的笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基与侧链含链烯基的聚硅氧烷的链烯基进行硅氢化反应。
此外,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热固化温度较低,例如为100~250℃,优选为120~250℃。热固化温度是第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物显示热固性的温度,具体而言,是塑化了的第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物由于加热而固化、完全变成固体状的温度。
该第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物中,通过侧链含链烯基的聚硅氧烷的链烯基与笼型八聚倍半硅氧烷的残余的硅氢基反应,可以使笼型八聚倍半硅氧烷交联。因此,可以提高第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的柔软性。
此外,第6有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物可以降低其热固化温度(例如100~250℃)。
上述的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物成形为例如片状、块状(block-like)、粒状(粉状)等有机硅成形体(参见后述的图2的虚拟线所示的附图标记9)。优选成形为块状的有机硅成形体。
并且,在该荧光体层贴附成套配件中,有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上,优选为35%以上,更优选为40%以上,此外,例如为200%以下,也优选为150%以下。
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的粘合粘接剂层贴附于荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将支撑体和粘合粘接剂层自荧光体层剥离下来时的剥离强度。即,75℃气氛下的粘合粘接剂层相对于荧光体层的剥离强度。另外,剥离强度的评价中的粘合粘接剂层的厚度为40μm。
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的粘合粘接剂层贴附于荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将支撑体和粘合粘接剂层自荧光体层剥离下来时的剥离强度。即,25℃气氛下的粘合粘接剂层相对于荧光体层的剥离强度。另外,剥离强度的评价中的粘合粘接剂层的厚度为40μm。
如果剥离强度的百分比不足30%,则存在由有机硅粘合粘接剂组合物形成的粘接剂层自荧光体层发生界面剥离这一不利情况。
而如果有机硅粘合粘接剂组合物的粘接力为上述上限以下,则在作为贴附对象的LED2(参见图1~图9)或者LED封装体10(参见图8和图9)上有损伤时,可以容易地实施将后述的荧光贴附片6(参见图2的(b))先从它们上剥离下来、对它们进行修理的修复。
接着,参照图1对采用上述的本发明的荧光体层贴附成套配件的一个实施方式得到的LED-荧光体层贴附体1进行说明。
在图1中,作为本发明的一个实施方式的LED-荧光体层贴附体1具备LED2、在LED2的上侧相对配置的荧光体层3、以及介于LED2和荧光体层3之间的有机硅粘合粘接剂层4。
LED2呈截面大致矩形状的大致平板形状,由公知的半导体材料所形成。此外,虽未图示,LED2上设置有用于与连接后述的基板5(参见图4)的基板侧端子电连接的LED侧端子。
此外,有机硅粘合粘接剂层4将LED2和荧光体层3贴附。另外,贴附涵盖基于由有机硅压敏粘接剂组合物形成的有机硅粘合粘接剂层4的粘性的压敏粘接(粘合),以及基于热固化的粘接等粘合粘接,所述热固化是在将由有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成的有机硅粘合粘接剂层4热塑化之后进行的。
从粘合粘接性(贴附性)的角度来看,有机硅粘合粘接剂层4的厚度例如为5μm以上,此外,例如为200μm以下,从传导来自LED2和荧光体层3的发热的角度来看,优选为100μm以下,也更优选为50μm以下。
荧光体层贴附成套配件的第1使用方法
接着,作为荧光体层贴附成套配件的第1使用方法,是制造LED-荧光体层贴附体1的方法,对于LED-荧光体层贴附体1中的有机硅粘合粘接剂层4由有机硅压敏粘接剂组合物形成的方式,参见图2的实线进行说明。
该方法如图2的(a)所示,首先准备荧光体层3。
接着,如图2的(b)所示,该方法将由有机硅压敏粘接剂组合物形成的有机硅粘合粘接剂层4层叠于荧光体层3的上表面。
具体而言,在将有机硅压敏粘接剂组合物制备成清漆时,将清漆涂布或滴在荧光体层3的上表面整面。由此形成有机硅压敏粘接剂组合物的皮膜4’。接着,根据需要而蒸馏去除溶剂。
由此在荧光体层3的表面形成由有机硅压敏粘接剂组合物形成的有机硅粘合粘接剂层4(即有机硅压敏粘接剂层)。
由此得到在荧光体层3上层叠有有机硅粘合粘接剂层4的荧光贴附片6。
然后,如图2的(c)所示,该方法将荧光贴附片6与LED2贴合。具体而言,通过有机硅粘合粘接剂层4对LED2与荧光体层3进行压敏粘接。即,使LED2的下表面接触有机硅粘合粘接剂层4的上表面。
荧光贴附片6与LED2的贴合在常温(具体为20~25℃)下实施。或者,也可以根据需要而将荧光贴附片6加热至例如30~50℃来实施。
另外,也可以根据需要而以适当的压力相对于荧光体层3按压LED2。此外,根据情况,通过该按压,可以控制有机硅粘合粘接剂层4的厚度。
由此制造LED2与荧光体层3通过有机硅粘合粘接剂层4进行了压敏粘接(粘合)的LED-荧光体层贴附体1。
接着,将图2的(c)的LED-荧光体层贴附体1的LED2安装于基板5,对于制造LED装置7的方法,参见图4进行说明。
如图4的(a)所示,该方法首先分别准备基板5和LED-荧光体层贴附体1。
基板5形成为在俯视时略大于LED-荧光体层贴附体1的平板状。基板5由例如硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、在金属基板上层叠有绝缘层的层叠基板等绝缘基板形成。
此外,在基板5的上表面形成有具备用于与LED2的LED侧端子(未图示)电连接的基板侧端子(未图示)和与其连接的布线的导体图案(未图示)。导体图案由例如金、铜、银、镍等导体所形成。
此外,将LED-荧光体层贴附体1以LED2朝下的方式配置在基板5的上侧。
接着,如图4的(b)所示,将LED-荧光体层贴附体1的LED2安装于基板5。具体而言,将LED2的LED侧端子(未图示)倒装芯片安装或引线接合连接于基板5的基板侧端子(未图示)。另外,在将LED2引线接合连接于基板5时,将贴附于LED2的荧光贴附片6形成为避开(绕过)引线的形状。
由此得到具备基板5和LED-荧光体层贴附体1、并且LED-荧光体层贴附体1的LED2安装在基板5上的LED装置7。
另外,也可以在之后根据需要如图4的(b)的虚拟线所示,将第1封装层8设置于LED装置7。第1封装层8在基板5上以被覆LED2和荧光贴附片6的方式由透明树脂形成。将第1封装层8设置于LED装置7后,根据需要而通过例如切割等调整尺寸。
该荧光体层贴附成套配件由于用于将荧光体层3贴附于LED2的有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上,因此耐热性和耐久性优异。
详细而言,由于可以防止有机硅粘合粘接剂组合物的高温(例如包括75℃的高温)的粘接力与有机硅粘合粘接剂组合物的常温(25℃)的粘接力相比显著降低,因此可以确保优异的耐热性。
因此,具备LED2和荧光贴附片6的LED装置7可以长期确保优异的发光可靠性,所述荧光贴附片6由荧光体层贴附成套配件制作,其通过由有机硅粘合粘接剂组合物形成的有机硅类粘合粘接剂层4将荧光体层3贴附于LED2。
荧光体层贴附成套配件的第2使用方法
接着,作为荧光体层贴附成套配件的第2使用方法,是制造LED-荧光体层贴附体1的方法,对于LED-荧光体层贴附体中的有机硅粘合粘接剂层4由有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成的方式,参见图2的虚拟线进行说明。
该方法如图2的(a)所示,首先准备荧光体层3。
然后,加热荧光体层3。具体而言,使荧光体层3接触加热板15(虚拟线)。详细而言,将荧光体层3载置于加热板15(虚拟线)的上表面。
加热板15的温度例如调整为上述的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的热塑温度,具体而言,例如为40℃以上,优选为50℃以上,更优选为80℃以上,例如为200℃以下,优选为150℃以下,更优选为100℃以下。
接着,该方法如图2的(b)所示,将有机硅粘合粘接剂层4层叠于荧光体层3的上表面。
具体而言,将上述形状的有机硅成形体9(虚拟线)、优选为块状的有机硅成形体9载置于荧光体层3的上表面。
例如,有机硅成形体9的底面积S1小于荧光体层3的上表面的面积S2(S1<S2),具体而言,它们的比(=S1/S2)例如为0.1以上,优选为0.6以上,此外,例如小于1,优选为0.95以下。
在有机硅成形体9的底面积S1小于荧光体层3的上表面的面积S2时(S1<S2),有机硅成形体9例如载置于荧光体层3的上表面的中央部。
接着,由于荧光体层3载置在加热板15(虚拟线)上,因此有机硅成形体9被加热而由此塑化。
有机硅成形体9通过上述的塑化而在荧光体层3的上表面流动。例如,在有机硅成形体9载置于荧光体层3的上表面的中央部时,如图2的(a)的虚拟线箭头所示,有机硅成形体9朝荧光体层3的面方向(沿荧光体层3的上表面的方向)外侧扩散,具体而言,从荧光体层3的中央部向周端部扩散。
另外,有机硅成形体9例如以不会从荧光体层3的上表面溢出的方式流动。
由此,如图2的(b)所示,扩散了的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物在面方向上以均一厚度层叠于荧光体层3的上表面。由此,有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜4’形成于荧光体层3的上表面整面。
接着,通过有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜4’将LED2层叠在荧光体层3上。即,使LED2接触皮膜4’。
然后,将通过皮膜4’层叠了LED2的荧光体层3从加热板15(虚拟线)上取下(拿起),将所述荧光体层3载置于室温(20~25℃)的工作台(未图示)的上表面。
由此将有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜4’冷却、固体化。
由此,如图2的(b)所示,由固体状的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成的有机硅粘合粘接剂层4(即,有机硅热塑性-热固性粘接剂层)将荧光体层3和LED2粘接。即,有机硅粘合粘接剂层4与荧光体层3的上表面整面和LED2的下表面整面密合。
由此制造LED2与荧光体层3通过有机硅粘合粘接剂层4并基于其热固化而粘接了的LED-荧光体层贴附体1。
接着,使用该LED-荧光体层贴附体1制造LED装置7。
在第2使用方法中,作为使用LED-荧光体层贴附体1制造LED装置7的方法,采用与图4的(a)和图4的(b)所示的第1使用方法同样的方法。
并且,根据第2使用方法,可以发挥与第1使用方法同样的作用效果,进而,由于使用固体状的有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成有机硅粘合粘接剂层4,可以提高荧光体层贴附成套配件的操作性。
<其他实施方式>
在图3和图5~图9的各附图中,对于对应上述各部分的构件和工序标以相同的附图标记,省去其详细说明。
在上述的第1和第2使用方法中,作为荧光体层贴附成套配件的使用方法,如图2的(b)所示,将有机硅粘合粘接剂层4层叠于荧光体层3形成荧光贴附片6,然后,如图2的(c)所示,将有机硅粘合粘接剂层4与LED2贴合。而例如也可以如图3的(b)所示,首先将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED2,然后,如图3的(c)所示,将有机硅粘合粘接剂层4与荧光体层3贴合。
该方法如图3的(a)所示,首先准备LED2。
接着,该方法如图3的(b)所示,将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED2的上表面。
然后,如图3的(c)所示,将有机硅粘合粘接剂层4与荧光体层3贴合。具体而言,使荧光体层3的下表面接触有机硅粘合粘接剂层4的上表面。
进而,图2和图3的实施方式将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED2和荧光体层3中的任一方,然后将有机硅粘合粘接剂层4与另一方贴合,而例如也可以如图2的(b)和图3的(b)所示,将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED2和荧光体层3的双方,然后通过2个有机硅粘合粘接剂层4将LED2和荧光体层3贴合。
图1的实施方式中的LED-荧光体层贴附体1通过有机硅粘合粘接剂层4将荧光体层3仅粘接于LED2的上表面,而例如也可以如图5的(a)的上侧图所示,通过有机硅粘合粘接剂层4将其粘接于LED2的上表面和侧面。
如图5的(a)的上侧图所示,在LED2的上表面和侧面连续层叠有有机硅粘合粘接剂层4。
此外,在有机硅粘合粘接剂层4的表面(上表面和侧面)层叠有荧光体层3。
将荧光体层3和有机硅类压敏粘接剂层4形成为下部开口的截面大致コ字形状。
由此,荧光体层3通过有机硅粘合粘接剂层4与LED2的上表面和侧面的两面粘接。
要想得到图5的(a)所示的LED-荧光体层贴附体1,参见图2的(a),将荧光体层3形成比LED2大的尺寸,接着,参见图2的(b),将有机硅粘合粘接剂层4层叠于荧光体层3的上表面整面,得到尺寸比LED2大的荧光贴附片6。
接着,如图5的(a)所示,以有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED2的上表面和侧面的方式将荧光贴附片6与LED2贴合。
由此得到LED-荧光体层贴附体1。
然后,如图5的(b)所示,通过将所得LED-荧光体层贴附体1的LED2安装于基板5而得到LED装置7。
然后,如图5的(b)的虚拟线所示,根据需要而将第1封装层8设置于LED装置7。
图5的(a)所示的LED-荧光体层贴附体1与图5的(b)所示的LED装置7发挥与上述同样的作用效果。
此外,图4的实施方式首先如图4的(a)所示,与基板5分开另行制作LED-荧光体层贴附体1,然后,如图4的(b)所示,将LED-荧光体层贴附体1的LED2安装于基板5。然而,也可以如图6所示,预先将LED2安装于基板5,另行准备荧光贴附片6,然后在基板5上制作LED-荧光体层贴附体1。
图6的实施方式如图6的(b)所示,在基板5上制作LED-荧光体层贴附体1。
要想在基板5上制作LED-荧光体层贴附体1,首先,如图6的(a)所示,准备预先安装于基板5的LED2,并且另行预先准备荧光贴附片6。
然后,如图6的(b)所示,通过有机硅粘合粘接剂层4将荧光体层3贴附于LED2。
由此得到LED装置7。
另外,如图6的(b)的虚拟线所示,根据需要而在LED装置7上设置第1封装层8。
根据图6的实施方式也可以发挥与图4的实施方式同样的作用效果。
此外,也可以如图7的(b)所示,在基板5上将尺寸比LED2大的荧光贴附片6贴附于LED2的上表面和侧面,在基板5上形成LED-荧光体层贴附体1。
图7的实施方式如图7的(a)所示,分别准备荧光贴附片6和预先安装于基板5的LED2,然后,如图7的(b)所示,将荧光贴附片6粘接于LED2的上表面和侧面。
然后,如图7的(b)的虚拟线所示,根据需要而设置第1封装层8。
根据图7的实施方式也可以发挥与图6的实施方式同样的作用效果。
此外,图4~图7的实施方式将荧光贴附片6贴附于LED2,而例如也可以如图8所示,将其贴附于LED封装体10。
在图8的(a)中,LED封装体10具备:基板5,安装于基板5的LED2,形成在基板5上、以向厚度方向投影时包围LED2的方式配置的反射器11,以及填充在反射器11内、封装LED2的第2封装层12。
LED2预先安装于基板5。
反射器11形成为在俯视时中央开口的大致矩形框形状或大致环形状(圆环形状或者椭圆环形状)。此外,反射器11形成为在剖视时从下往上宽度逐渐变狭窄的大致梯形形状。反射器11以包围LED2的方式与LED2隔着间隔配置。即,LED2配置在反射器11内。
反射器11例如由含有光反射成分(例如氧化钛等)的陶瓷材料的煅烧物、含有光反射成分的反射树脂组合物等所形成,反射由LED2发出的光。
第2封装层12填充在反射器11内,具体而言,以被覆反射器11的内侧面、自LED2露出的基板5的上表面、以及LED2的上表面和外侧面的方式形成。
此外,第2封装层12的上表面以沿面方向(与厚度方向正交的方向)与反射器11的上表面形成同一平面的方式形成。另外,虽未图示,第2封装层12的上表面可以形成有从周端部向中央部逐渐下凹的凹部(未图示)。
要想将荧光贴附片6贴附于LED封装体10,如图8的(a)所示,分别准备荧光贴附片6和LED封装体10。
接着,在有机硅粘合粘接剂层4由有机硅压敏粘接剂组合物形成时,如图8的(b)所示,在常温(具体为20~25℃)下将荧光贴附片6施加于LED封装体10的上表面。或者,也可以根据需要而将荧光贴附片6加热至例如30~50℃来施加。
而在有机硅粘合粘接剂层4由有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成时,预先加热LED封装体10,接着,将有机硅粘合粘接剂层4载置于LED封装体10的上表面。由此,有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜4’形成于LED封装体10的上表面整面。
然后,将LED封装体10载置于室温(20~25℃)的工作台(未图示)的上表面,将有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物冷却、固体化。
由此可以制造具有上表面通过有机硅粘合粘接剂层4粘接有荧光体层3的LED封装体10的LED装置7。
接着,该LED装置7由于用于将荧光体层3贴附于LED封装体10的有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上,因此耐热性和耐久性优异。其结果,LED装置7可以长期确保优异的发光可靠性。
此外,图8的实施方式如图8的(a)所示,首先将有机硅粘合粘接剂层4层叠于荧光体层3形成荧光贴附片6,然后,如图8的(b)所示,通过有机硅粘合粘接剂层4将荧光贴附片6的荧光体层3贴合于LED封装体10。而例如也可以如图9的(a)所示,首先将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED封装体10的上表面,然后,如图9的(b)所示,通过有机硅粘合粘接剂层4将荧光体层3贴合于LED封装体10。
该方法首先准备LED封装体10。
接着,该方法如图9的(a)的下侧图所示,将有机硅粘合粘接剂层4层叠于LED封装体10的上表面。
具体而言,在将有机硅压敏粘接剂组合物制备成清漆时,将清漆涂布或滴在LED2的上表面整面。由此形成有机硅压敏粘接剂组合物的皮膜。接着,根据需要而将清漆中的溶剂蒸馏去除。
而在有机硅粘合粘接剂组合物由有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成时,预先加热LED封装体10,接着将有机硅成形体9(参见图2的(a)的虚拟线)载置于LED封装体10的上表面。由此,有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜4’形成于LED封装体10的上表面整面。
然后,如图9的(b)所示,通过有机硅粘合粘接剂层4将荧光体层3贴合于LED封装体10。具体而言,使荧光体层3的下表面接触有机硅粘合粘接剂层4的上表面。
根据图9的实施方式也可以发挥与图8的实施方式同样的作用效果。
此外,图1~图9的实施方式作为本发明的光半导体元件举例LED2进行了说明,而例如也可以采用LD(激光二极管)2。
该情况下,LED装置7成为激光二极管照射装置7,此外,LED-荧光体层贴附体1成为LD-荧光体层贴附体1,LED封装体10成为LD封装体。
实施例
以下给出制作例、准备例、比较准备例、合成例、实施例和比较例来进一步详细说明本发明,但本发明完全不限定于这些。
荧光体陶瓷板的制作
制作例1
制备由11.34g氧化钇颗粒(纯度99.99%、批号(lot):N-YT4CP、NipponYttrium Co.,Ltd.制造)、8.577g氧化铝颗粒(纯度99.99%、产品号“AKP-30”、住友化学株式会社制造)和0.087g氧化铈颗粒形成的荧光体的原料粉末。
将所制备的荧光体的原料粉末20g和水溶性粘结剂树脂(“WB4101”、Polymer Inovations,Inc.制造)以固体成分的体积比率为60:40的方式混合,进一步加入蒸馏水,放入氧化铝制容器,加入直径3mm的钇稳定化氧化锆球,利用球磨进行24小时湿式混合,由此制备荧光体的原料颗粒的浆料溶液。
接着,利用刮刀法将所制备的浆料溶液流延成型在PET薄膜上,以70℃干燥,形成陶瓷坯片,然后将陶瓷坯片自PET薄膜剥离,得到厚度90μm的陶瓷坯片。
然后,从所得坯片切出20mm×20mm的大小,共制作2片,将它们叠合,使用双轴热压机进行热层压,由此制作陶瓷坯片层叠体。
然后,在电马弗炉中,大气中,以1℃/分钟的升温速度将所制作的陶瓷坯片层叠体加热至1200℃,实施分解去除粘结剂树脂等有机成分的脱粘结剂处理。然后,将层叠体移至高温真空炉,在约10-3Torr(133×10-3N/m2)的减压下,以5℃/分钟的升温速度加热至1750℃,以该温度煅烧5小时,由此制作厚度150μm的荧光体陶瓷板(荧光体层)。
荧光体树脂片的制作
制作例2
使用涂抹器将使YAG荧光体粉末(产品号BYW01A、平均粒径9μm、Phosphor Tech公司制造)以YAG荧光体粉末的浓度达到25质量%的方式分散在双组分混合型的热固性有机硅弹性体(Shin-Etsu Silicone株式会社制造、产品号KER2500)中而得到的溶液涂覆在玻璃板上,形成厚度150μm的荧光体皮膜,将荧光体皮膜以100℃加热1小时、接着以150℃加热1小时,由此制作厚度150μm的C阶的荧光体树脂片(荧光体层)。
有机硅压敏粘接剂组合物的准备
准备例1
准备有机硅压敏粘接剂组合物(商品名、PSA600、通用电气公司制造)。
另外,有机硅压敏粘接剂组合物的原料如下。
·两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷
·八甲基环四硅氧烷(式(B)中,Ra:全部为甲基,m:3)
                              1~5质量%(相对于固体成分总量)
·苯甲酰类过氧化物的混合物(过氧化二苯甲酰、过氧化苯甲酰间甲基苯甲酰和过氧化间甲苯酰的混合物)       少量
·甲苯                        相对于固体成分为45质量%
笼型八聚倍半硅氧烷的合成
合成例1
向四甲基氢化铵(tetramethyl ammonium hydride)(25%甲醇溶液)66.8mL(158.6mol)、甲醇32.8mL和蒸馏水24.6mL的混合液中缓慢滴加四乙氧基硅烷35.8mL(160.6mol)搅拌一昼夜,由此使它们反应。
接着,过滤反应液,将滤液滴加在己烷428mL、二甲基氯硅烷7.1g(75mmol)和三甲基氯硅烷24.4g(225mmol)的混合液中,搅拌一昼夜。然后,用己烷萃取反应物,在萃取液中加入硫酸镁使其干燥。然后,先去除己烷,然后再加入己烷使其再结晶,由此得到白色固体的笼型八聚倍半硅氧烷。
所得笼型八聚倍半硅氧烷利用1H-NMR确认为式(7)的结构,并且确认式(7)中的R6为甲基、R7为氢和甲基,计算R7的甲基与氢的摩尔比(笼型八聚倍半硅氧烷整体的平均值),结果甲基:氢=6:2。
有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的准备
准备例2
配混0.3g合成例1的笼型八聚倍半硅氧烷(式(7)的R7/甲基:氢(摩尔比)=6:2)、0.24g两末端含链烯基的聚硅氧烷(式(8)中,R8为甲基、R9为乙烯基、i为8,数均分子量800、Gelest公司制造)、1g甲苯、以及0.5μL铂-二乙烯基硅氧烷络合物溶液(硅氢化催化剂、甲苯溶液、铂浓度2质量%),在50℃下搅拌15小时。两末端含链烯基的聚硅氧烷的乙烯基与笼型八聚倍半硅氧烷的硅氢基的摩尔比(=乙烯基/硅氢基)为0.91。
然后,蒸馏去除甲苯,由此得到透明固体状的第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
准备例3
在氮气下、室温(25℃)下,将5g(0.43mmol)两末端氨基型有机硅树脂组合物(式(1)中的R1全部为甲基、R3为亚丙基、a=150、b=0所示的化合物,重均分子量11,400、信越化学工业株式会社制造)、0.074g(0.43mmol)甲苯-2,4-二异氰酸酯、以及10mL甲乙酮搅拌混合1小时。然后,加入过氧化二叔丁基(0.1mol/L苯溶液、日本油脂株式会社制造)1315μL(相对于两末端氨基型有机硅树脂组合物的R1基100mol%,自由基产生剂为0.1mol%),在室温(25℃)下搅拌混合1小时。然后,在减压下、室温(25℃)下去除溶剂,由此得到透明固体状的第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物。
有机硅固化型粘接剂组合物的准备
比较准备例1
准备有机硅压敏粘接剂组合物(商品名、SD4580PSA、Dow CorningToray Co.,Ltd.制造)。
另外,有机硅压敏粘接剂组合物的原料如下。
·两末端硅烷醇基聚二甲基硅氧烷
·苯甲酰类过氧化物的混合物(过氧化二苯甲酰、过氧化苯甲酰间甲基苯甲酰和过氧化间甲苯酰的混合物)         少量
·甲苯                          相对于固体成分为70质量%
丙烯酸类压敏粘接剂组合物的准备
比较准备例2
参考日本特开平6-172729号公报的实施例2的配方准备丙烯酸类压敏粘接剂。
光半导体封装体的制作
制作例3
准备在金属基板上层叠有绝缘层的层叠基板上形成有导体图案的金属芯基板。接着,在金属芯基板上对光半导体元件(蓝色LED、产品号C450EZ1000-0123、Cree Inc.制造)进行引线接合连接来安装(参见图6的(a)的下侧图)。
制作例4
准备将分隔开大致椭圆状的凹部(型腔,cavity)的反射器层叠于基板、在凹部内的基板上形成有导体图案的多层陶瓷基板(产品号207806、Sumitomo Metal Electronics Devices Inc.制造)。
接着,在多层陶瓷基板上引线接合连接光半导体元件(蓝色LED、产品号C450EZ1000-0123、Cree Inc.制造)。
接着,向型腔内灌注双组分混合型的热固性有机硅弹性体(产品号KER2500、Shin-Etsu Silicone株式会社制造),然后,以100℃加热1小时、以150℃加热1小时,由此使其固化。
由此形成封装层(参见图8的(a)的下侧图)。
由此制作光半导体封装体。
荧光贴附片的制作
实施例1-a
将制作例1的荧光体陶瓷板切成规定的尺寸(3.5mm×2.8mm或1mm×1mm。另外,应用于制作例3的光半导体封装体时,还配合引线接合的位置制作切口。)(参见图2的(a)),然后,在该荧光体陶瓷板的上表面整面涂布准备例1的有机硅压敏粘接剂组合物,形成皮膜。接着,蒸馏去除溶剂。
由此在荧光体陶瓷板的上表面形成厚度40μm的有机硅压敏粘接剂层(参见图2的(b))。即,制作由荧光体陶瓷板和有机硅压敏粘接剂层形成的荧光贴附片。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例1-b
通过有机硅压敏粘接剂层在25℃下将实施例1-a的尺寸1mm×1mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在安装于制作例3的基板的光半导体元件的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
实施例1-c
通过有机硅压敏粘接剂层在25℃下将实施例1-a的尺寸3.5mm×2.8mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在制作例4的光半导体封装体的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
实施例2-a
代替制作例1的荧光体陶瓷板,使用制作例2的荧光体树脂片(参见图2的(a)),除此之外与实施例1-a同样地进行处理,制作荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例2-b
代替实施例1-a的荧光贴附片,使用实施例2-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与实施例1-b同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
实施例2-c
代替实施例1-a的荧光贴附片,使用实施例2-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与实施例1-c同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制造
实施例3-a
将制作例1的荧光体陶瓷板切成尺寸3.5mm×2.8mm或1mm×1mm(另外,应用于制作例3的光半导体封装体时,还配合引线接合的位置制作了切口。),将其载置于加热至100℃的加热板上(参见图2的(a)的实线)。
接着,将由准备例2的第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成的有机硅成形体1mg载置于荧光体陶瓷板的上表面的中央(参见图2的(a)的虚拟线)。
于是,在载置后有机硅成形体立即塑化(液态化),在荧光体陶瓷板的上表面整面均匀扩散,形成有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜(参见图2的(a)的虚拟线箭头和图2的(b))。
然后,将荧光体陶瓷板从加热板上取下,冷却至室温。由此使第3有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物固态化。
由此得到在由荧光体陶瓷板形成的荧光体层上形成有厚度约100μm的有机硅热塑性-热固性粘接剂层的荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例3-b
在实施例3-a中,准备一边用加热板加热一边使有机硅成形体塑化了的荧光体陶瓷板(冷却前的陶瓷片,尺寸1mm×1mm)、以及用加热板加热了的制作例3的基板和安装在其上的光半导体元件(参见图6的(a)下侧图),确认两者达到相同温度,通过塑化了的有机硅成形体将荧光体陶瓷板贴合在光半导体元件的上表面。然后,将其从加热板上取下,冷却至室温。由此制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有光半导体封装体
实施例3-c
将实施例3-b的基板和光半导体元件变更为制作例4的光半导体封装体(参见图8的(a)的下侧图),进而使用有机硅成形体塑化了的尺寸3.5mm×2.8mm的荧光体陶瓷板,除此之外与实施例3-b同样地进行处理,制作光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
实施例4-a
代替制作例1的荧光体陶瓷板,使用制作例2的荧光体树脂片,除此之外与实施例3-a同样地进行处理,得到荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例4-b
代替实施例3-a的荧光贴附片,使用实施例4-a的荧光贴附片,除此之外与实施例3-b同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
实施例4-c
代替实施例3-a的荧光贴附片,使用实施例4-a的荧光贴附片,除此之外与实施例3-c同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制造
实施例5-a
将制作例1的荧光体陶瓷板切成尺寸3.5mm×2.8mm或1mm×1mm(另外,应用于制作例3的光半导体封装体时,还配合引线接合的位置制作了切口。),将其载置于加热至100℃的加热板上(参见图2的(a)的实线)。
接着,将由准备例3的第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物形成的有机硅成形体1mg载置于荧光体陶瓷板的上表面的中央(参见图2的(a)的虚拟线)。
于是,在载置后有机硅成形体立即塑化(液态化),在荧光体陶瓷板的上表面整面均匀扩散,形成有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物的皮膜(参见图2的(a)的虚拟线箭头和图2的(b))。
然后,将荧光体陶瓷板从加热板上取下,冷却至室温。由此使第1有机硅热塑性-热固性粘接剂组合物固态化。
由此得到在由荧光体陶瓷板形成的荧光体层上形成有厚度约100μm的有机硅热塑性-热固性粘接剂层的荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例5-b
在实施例5-a中,准备一边用加热板加热一边使有机硅成形体塑化了的荧光体陶瓷板(冷却前的陶瓷片,尺寸1mm×1mm)、以及用加热板加热了的制作例3的基板和安装在其上的光半导体元件(参见图6的(a)下侧图),确认两者达到相同温度,通过塑化了的有机硅成形体将荧光体陶瓷板贴合在光半导体元件的上表面。然后,将其从加热板上取下,冷却至室温。由此制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
实施例5-c
将实施例5-b的基板和光半导体元件变更为制作例4的光半导体封装体(参见图8的(a)的下侧图),进而使用有机硅成形体塑化了的尺寸3.5mm×2.8mm的荧光体陶瓷板,除此之外与实施例5-b同样地进行处理,制作光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
实施例6-a
代替制作例1的荧光体陶瓷板,使用制作例2的荧光体树脂片,除此之外与实施例5-a同样地进行处理,得到荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
实施例6-b
代替实施例5-a的荧光贴附片,使用实施例6-a的荧光贴附片,除此之外与实施例5-b同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
实施例6-c
代替实施例5-a的荧光贴附片,使用实施例6-a的荧光贴附片,除此之外与实施例5-c同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
比较例1-a
将制作例1的荧光体陶瓷板切成规定的尺寸(3.5mm×2.8mm或1mm×1mm。另外,应用于制作例3的光半导体封装体时,还配合引线接合的位置制作切口。)(参见图2的(a)),然后,在该荧光体陶瓷板的上表面整面涂布比较准备例1的有机硅压敏粘接剂组合物,形成皮膜。接着,蒸馏去除溶剂。
由此在荧光体陶瓷板的上表面形成厚度40μm的有机硅压敏粘接剂层(参见图2的(b))。即,制作由荧光体陶瓷板和有机硅压敏粘接剂层形成的荧光贴附片。
光半导体装置的制造/无型腔
比较例1-b
通过有机硅压敏粘接剂层在25℃下将比较例1-a的尺寸1mm×1mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在安装于制作例3的基板的光半导体元件的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
比较例1-c
通过有机硅压敏粘接剂层在25℃下将比较例1-a的尺寸3.5mm×2.8mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在制作例4的光半导体封装体的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
比较例2-a
代替制作例1的荧光体陶瓷板,使用制作例2的荧光体树脂片(参见图2的(a)),除此之外与比较例1-a同样地进行处理,制作荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
比较例2-b
代替比较例1-a的荧光贴附片,使用比较例2-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与比较例1-b同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
比较例2-c
代替比较例1-a的荧光贴附片,使用比较例2-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与比较例1-c同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
比较例3-a
将制作例1的荧光体陶瓷板切成规定的尺寸(3.5mm×2.8mm或1mm×1mm。另外,应用于制作例3的光半导体封装体时,还配合引线接合的位置制作切口。)(参见图2的(a)),然后,在该荧光体陶瓷板的上表面整面涂布比较准备例2的丙烯酸类压敏粘接剂组合物,形成皮膜。接着,蒸馏去除溶剂。
由此在荧光体陶瓷板的上表面形成厚度40μm的丙烯酸类压敏粘接剂层(参见图2的(b))。即,制作由荧光体陶瓷板和丙烯酸类压敏粘接剂层形成的荧光贴附片。
光半导体装置的制造/无型腔
比较例3-b
通过丙烯酸类压敏粘接剂层在25℃下将比较例3-a的尺寸1mm×1mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在安装于制作例3的基板的光半导体元件的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
比较例1-c
通过丙烯酸类压敏粘接剂层在25℃下将比较例1-a的尺寸3.5mm×2.8mm的荧光贴附片中的荧光体层贴合在制作例4的光半导体封装体的上表面。
由此制造光半导体装置(参见图8的(b))。
荧光贴附片的制作
比较例4-a
代替比较例3的荧光体陶瓷板,使用制作例2的荧光体树脂片(参见图2的(a)),除此之外与比较例3-a同样地进行处理,制作荧光贴附片(参见图2的(b))。
光半导体装置的制造/无型腔
比较例4-b
代替比较例3-a的荧光贴附片,使用比较例4-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与比较例3-b同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图6的(b))。
光半导体装置的制造/有型腔
比较例4-c
代替比较例3-a的荧光贴附片,使用比较例4-a的荧光贴附片(参见图2的(b)),除此之外与比较例3-c同样地进行处理,制造光半导体装置(参见图8的(b))。
各实施例和各比较例中的荧光体层和粘合粘接剂组合物中使用的材料的组合和评价结果示于表1。
表1
Figure BDA0000389158630000681
※由于有机硅压敏粘接剂层自荧光体陶瓷板剥离而无法测定
评价
对于实施例和比较例的各粘合粘接剂层(粘合粘接剂组合物),通过以下方法评价相对于荧光体层的剥离强度。
此外,还评价将实施例和比较例的各光半导体装置点亮时的随时间的发光可靠性。上述结果示于表1。
1.剥离强度
通过19mm宽度下的剥离粘接力测定[N/19mm]分别算出25℃和75℃的气氛下的粘合粘接剂层相对于荧光体陶瓷板的剥离强度。
详细而言,在作为支撑体的厚度25μm的聚酰亚胺薄膜的表面涂覆粘合粘接剂组合物,使其宽度为19mm且厚度为40μm。由此形成层叠于支撑体的粘合粘接剂层。接着,通过从聚酰亚胺薄膜上方使2kg的辊往返1次而将带粘合粘接剂层的聚酰亚胺薄膜压接于尺寸20mm×20mm的荧光体陶瓷板。压接后,放置约30分钟。然后,设置在装于设定为规定温度的恒温槽内的拉伸试验装置内(装置名:株式会社岛津制作所制造、恒温槽内拉伸试验机AUTOGRAPH AG-10kNX),在下述温度气氛下保持5分钟,然后,在下述条件下将聚酰亚胺薄膜与粘合粘接剂层一起自荧光体陶瓷板剥离(剥下),测定此时的剥离粘接力作为剥离强度。
恒温槽内的温度:25℃或75℃
剥离(剥下)条件:剥离角度180度
                  拉伸速度300mm/分钟
测定后,算出75℃气氛下的剥离强度PS75℃[N/19mm]相对于25℃气氛下的剥离强度PS25℃[N/19mm]的百分比([PS75℃/PS25℃]×100)。
2.点亮光半导体装置时的荧光体层的表面温度
将实施例和比较例的各光半导体装置用导热膏(Grease)与足够尺寸的散热片连接,并与电源电连接。接着,分别测定由电源施加350mA的电流使光半导体装置进行初始发光时的发光亮度(初始亮度)和连续进行30天发光时的亮度(30天后亮度)。
接着,算出30天后亮度相对于初始亮度的百分比([30天后亮度/初始亮度]×100)。
另外,对于比较例1-b~比较例2-c,由于有机硅压敏粘接剂层自荧光体陶瓷板剥离而无法测定30天后亮度,未能算出上述百分比。
另外,虽然作为本发明的例示实施方式给出了上述说明,但这仅仅是例示,不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例是包括在本发明的保护范围内的。

Claims (6)

1.一种荧光体层贴附成套配件,其特征在于,含有:
荧光体层、以及
用于将所述荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物,
所述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上:
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度,
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
2.根据权利要求1所述的荧光体层贴附成套配件,其特征在于,所述有机硅粘合粘接剂组合物为有机硅压敏粘接剂组合物。
3.根据权利要求1所述的荧光体层贴附成套配件,其特征在于,所述有机硅粘合粘接剂组合物为兼具热塑性和热固化性的有机硅热塑性-热固化性粘接剂组合物。
4.一种光半导体元件-荧光体层贴附体,其特征在于,具备光半导体元件和荧光贴附片,所述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将所述荧光体层贴附于所述光半导体元件的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,所述荧光体层通过所述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于所述光半导体元件,
所述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上:
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度,
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
5.一种光半导体装置,其特征在于,具备:
基板;
安装于所述基板的光半导体元件;以及
荧光贴附片,所述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将所述荧光体层贴附于所述光半导体元件的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,所述荧光体层通过所述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于所述光半导体元件,
所述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上:
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度,
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
6.一种光半导体装置,其特征在于,具备光半导体封装体和荧光贴附片,
所述光半导体封装体具备:基板、安装于所述基板的光半导体元件、反射器、以及封装层,所述反射器形成于所述基板的厚度方向一侧并且以向所述厚度方向投影时包围所述光半导体元件的方式配置,所述封装层填充在所述反射器内、用于封装所述光半导体元件,
所述荧光贴附片由含有荧光体层和用于将所述荧光体层贴附于所述光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物的荧光体层贴附成套配件制成,所述荧光体层通过所述有机硅粘合粘接剂组合物贴附于所述光半导体封装体的所述厚度方向一侧,
所述有机硅粘合粘接剂组合物的下述剥离强度的百分比为30%以上:
剥离强度的百分比=[(75℃气氛下的剥离强度PS75℃)/(25℃气氛下的剥离强度PS25℃)]×100
75℃气氛下的剥离强度PS75℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度75℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度,
25℃气氛下的剥离强度PS25℃:将由所述有机硅粘合粘接剂组合物形成且层叠于支撑体的所述粘合粘接剂层贴附于所述荧光体层,然后,在温度25℃下,以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述支撑体和所述粘合粘接剂层自所述荧光体层剥离下来时的剥离强度。
CN201310451325.7A 2012-09-28 2013-09-27 荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置 Pending CN103715344A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012216863A JP2014072351A (ja) 2012-09-28 2012-09-28 蛍光体層貼着キット、光半導体素子−蛍光体層貼着体および光半導体装置
JP2012-216863 2012-09-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103715344A true CN103715344A (zh) 2014-04-09

Family

ID=49223682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310451325.7A Pending CN103715344A (zh) 2012-09-28 2013-09-27 荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9080103B2 (zh)
EP (1) EP2712905A1 (zh)
JP (1) JP2014072351A (zh)
KR (1) KR20140042727A (zh)
CN (1) CN103715344A (zh)
TW (1) TW201414018A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106967370A (zh) * 2015-12-07 2017-07-21 株式会社Lg化学 色彩转换膜及其制备方法
CN108028292A (zh) * 2015-03-06 2018-05-11 亮锐控股有限公司 使用切割带将陶瓷磷光板附着在发光器件(led)管芯上的方法、形成切割带的方法以及切割带
US10281808B2 (en) 2015-08-31 2019-05-07 Coretronic Corporation Multilayer wavelength conversion device and projector
US10423054B2 (en) 2016-03-18 2019-09-24 Coretronic Corporation Wavelength conversion structure and projection device
US10578956B2 (en) 2017-11-15 2020-03-03 Coretronic Corporation Projector and wavelength-converting element
CN112585534A (zh) * 2018-08-27 2021-03-30 索尼公司 波长转换元件、光源模块及投影显示装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5960014B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 日東電工株式会社 蛍光接着シート、光半導体素子−蛍光体層感圧接着体および光半導体装置
JP6331710B2 (ja) * 2014-05-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP6519133B2 (ja) * 2014-09-25 2019-05-29 三菱ケミカル株式会社 積層構造体及び発光装置
US9966506B2 (en) * 2014-10-09 2018-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emission device
JP6483246B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
CN105990496B (zh) * 2015-03-04 2018-11-16 光宝光电(常州)有限公司 Led封装结构及其制造方法
CN104793275A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 宁波江北激智新材料有限公司 一种色度坐标和色域范围可调的荧光薄膜
EP3308407B1 (en) * 2015-06-09 2018-12-12 Lumileds LLC Led fabrication using high-refractive-index adhesives
DE102015120775A1 (de) 2015-11-30 2017-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Hintergrundbeleuchtung für ein Display
JP6561815B2 (ja) * 2015-12-14 2019-08-21 豊田合成株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2017227772A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 日東電工株式会社 蛍光体層シート、および、蛍光体層付光半導体素子の製造方法
US10600937B1 (en) * 2018-09-17 2020-03-24 Lumileds Holding B.V. Precise bondline control between LED components
US11545597B2 (en) 2018-09-28 2023-01-03 Lumileds Llc Fabrication for precise line-bond control and gas diffusion between LED components
JP6669292B2 (ja) * 2019-02-28 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7022285B2 (ja) * 2019-07-02 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP7111993B2 (ja) * 2019-12-20 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
US11322665B2 (en) * 2020-05-14 2022-05-03 Lumileds Llc Adhesive film transfer coating and use in the manufacture of light emitting devices
CN115668520A (zh) * 2020-05-14 2023-01-31 亮锐有限责任公司 粘合膜转移涂层及其在制造光发射装置中的应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004065A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
JP2010526910A (ja) * 2007-05-11 2010-08-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多層アセンブリ、多層延伸剥離型感圧接着剤アセンブリ並びにその製造及び使用方法
JP2011202099A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂用組成物
JP2012160664A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Bridgestone Kbg Co Ltd 青色ledから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0819393B2 (ja) 1992-12-09 1996-02-28 日東電工株式会社 感圧接着剤とその接着シ―ト類
JP2002338934A (ja) * 2001-05-17 2002-11-27 Three M Innovative Properties Co 接着剤組成物及び接着性物品
JP2007246880A (ja) 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体光装置及び透明光学部材
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
KR101191906B1 (ko) * 2007-11-16 2012-10-16 타이카 코포레이션 광학용 투명 점착체, 광학용 투명 점착 적층체 및 그 제조 방법
JP2009277705A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Koa Corp パッケージ発光部品およびその製造法
CN102421864B (zh) * 2009-05-18 2015-04-08 株式会社大华 光学用透明粘合体、光学用透明粘合层叠体及其制造方法
JP5744386B2 (ja) * 2009-10-07 2015-07-08 日東電工株式会社 光半導体封止材
JP2011148883A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂用組成物
JP5511524B2 (ja) * 2010-06-07 2014-06-04 日東電工株式会社 光半導体用封止シート
JP6230233B2 (ja) * 2012-04-23 2017-11-15 日東電工株式会社 表面保護フィルム
JP5960014B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 日東電工株式会社 蛍光接着シート、光半導体素子−蛍光体層感圧接着体および光半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070004065A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
JP2010526910A (ja) * 2007-05-11 2010-08-05 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 多層アセンブリ、多層延伸剥離型感圧接着剤アセンブリ並びにその製造及び使用方法
JP2011202099A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂用組成物
JP2012160664A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Bridgestone Kbg Co Ltd 青色ledから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108028292A (zh) * 2015-03-06 2018-05-11 亮锐控股有限公司 使用切割带将陶瓷磷光板附着在发光器件(led)管芯上的方法、形成切割带的方法以及切割带
US10734543B2 (en) 2015-03-06 2020-08-04 Lumileds Llc Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (LED) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape
CN108028292B (zh) * 2015-03-06 2020-11-17 亮锐控股有限公司 使用切割带将陶瓷磷光板附着在发光器件(led)管芯上的方法、形成切割带的方法以及切割带
US11563141B2 (en) 2015-03-06 2023-01-24 Lumileds Llc Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (LED) dies using a dicing tape, method to form a dicing tape, and dicing tape
US10281808B2 (en) 2015-08-31 2019-05-07 Coretronic Corporation Multilayer wavelength conversion device and projector
CN106967370A (zh) * 2015-12-07 2017-07-21 株式会社Lg化学 色彩转换膜及其制备方法
US10423054B2 (en) 2016-03-18 2019-09-24 Coretronic Corporation Wavelength conversion structure and projection device
US10578956B2 (en) 2017-11-15 2020-03-03 Coretronic Corporation Projector and wavelength-converting element
CN112585534A (zh) * 2018-08-27 2021-03-30 索尼公司 波长转换元件、光源模块及投影显示装置
CN112585534B (zh) * 2018-08-27 2022-10-04 索尼公司 波长转换元件、光源模块及投影显示装置
US11868033B2 (en) 2018-08-27 2024-01-09 Sony Group Corporation Wavelength conversion element and light source module and projection display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140042727A (ko) 2014-04-07
US20140091347A1 (en) 2014-04-03
EP2712905A1 (en) 2014-04-02
JP2014072351A (ja) 2014-04-21
US9080103B2 (en) 2015-07-14
TW201414018A (zh) 2014-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103715344A (zh) 荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置
JP5864367B2 (ja) 蛍光接着シート、蛍光体層付発光ダイオード素子、発光ダイオード装置およびそれらの製造方法
CN103715335A (zh) 荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置
CN103009780B (zh) 有机硅树脂片、其制造方法、封装片以及发光二级管装置
JP5712920B2 (ja) 蛍光体含有シリコーン硬化物、その製造方法、蛍光体含有シリコーン組成物、その組成物前駆体、シート状成型物、ledパッケージ、発光装置およびled実装基板の製造方法
KR101330593B1 (ko) 형광체 함유 시트, 그것을 사용한 led 발광 장치 및 그 제조 방법
CN103311414A (zh) 荧光封装片、发光二极管装置及其制造方法
JP6033557B2 (ja) 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法
KR20120135071A (ko) 리플렉터 재료 및 발광 다이오드 장치
TW201312811A (zh) 密封片材、其製造方法、發光二極體裝置及其製造方法
CN102347403A (zh) 发光二极管装置的制造方法
CN103802421A (zh) 热固性硅酮树脂片及其制造方法、以及使用该热固性硅酮树脂片的发光装置及其制造方法
CN102738360A (zh) 密封片、发光二极管装置及其制造方法
JP2016506998A (ja) 蛍光体含有硬化型シリコーン組成物及びそれから作製される硬化型ホットメルトフィルム
KR20190056597A (ko) 실리콘계 반사재 조성물 및 이를 이용하여 형성된 광학 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140409