JP5078644B2 - 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 - Google Patents
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Description
工程(1) 基板上の光半導体素子が搭載された面に、少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子を封止するために光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層する工程であって、前記光半導体素子封止用樹脂シートが、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが左右方向に隣接して配設され、かつ、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を直接または間接的に覆うように積層されてなり、該封止樹脂層がシリコーン樹脂、ポリボロシロキサン樹脂またはポリアルミノシロキサン樹脂からなり、該接着樹脂層がエポキシ樹脂からなり、該保護樹脂層がポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、及びポリカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも一種からなるものである工程、
工程(2) 工程(1)で積層したシートを加圧硬化する工程
に関する。
a)離型処理した基材上に接着樹脂層を形成する工程、
b)該接着樹脂層に封止樹脂層を形成するための貫通孔を設ける工程、
c)該貫通孔を有する接着樹脂層を保護樹脂層に貼り合わせて、該離型処理した基材を剥離除去する工程、および
d)該接着樹脂層の貫通孔に封止樹脂層となる封止樹脂を充填し、半硬化させる工程、
を少なくとも含んでいてもよい。従って、かかる製造方法によって、耐熱性と接着性の両方の性質を有し、効率的に封止することができる光半導体素子封止用樹脂シートを製造することができる。また、かかる製造方法の一態様を図2(a)〜(d)に示す。
A)離型処理した基材上に第一の接着樹脂層を形成する工程、
A')離型処理した基材上の保護樹脂層に第二の接着樹脂層を形成する工程、
B)該第一の接着樹脂層に封止樹脂層を形成するための貫通孔を設ける工程、
C)工程B)で得られた該第一の接着樹脂層と、工程A')で得られた該第二の接着樹脂層同士を貼り合わせて、該離型処理した基材を剥離除去する工程、および
D)該第一の接着樹脂層の貫通孔に封止樹脂層となる封止樹脂を充填し、半硬化させる工程、
を少なくとも含んでいてもよい。また、かかる製造方法の一態様を図4(A)〜(D)に示す。
(1)基板上の光半導体素子が搭載された面に本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子を封止するために光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層する工程、及び
(2)工程(1)で積層したシートを加圧硬化する工程
を含んでいてもよい。
エポキシ当量7500のビスフェノールA型エポキシ樹脂45重量部とエポキシ当量260の脂環式エポキシ樹脂(EHPE3150、ダイセル化学社製)33重量部と4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を22重量部、2-メチルイミダゾール1.2重量部をメチルエチルケトンに50重量%ベースで溶解し、エポキシ樹脂塗工溶液を作製した。この塗工溶液を、表面を離型処理した基材(PETフィルム、厚み50μm)の上にエポキシ樹脂の厚みが100μmになるように塗布し、130℃で2分間乾燥させたものを3つ作製した。そして、その内の1つのエポキシ樹脂の上に、他の2つのエポキシ樹脂をラミネート(PETフィルムは剥離除去)して、厚み300μmのエポキシ樹脂からなる接着樹脂層を基材(PETフィルム)上に形成した。(図2(a))
封止樹脂層の形成工程において、未架橋のシリコーン樹脂を注入するかわりに、100℃にて溶融させたポリアルミノシロキサン樹脂を注入して、常温に冷やしたこと以外は、実施例1と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。
実施例1で作製したPETフィルム上の厚み300μmのエポキシ樹脂からなる接着樹脂層に貫通孔をあけずに、保護樹脂層であるポリメチルメタクリレートフィルム上に、100℃10秒でラミネート(PETフィルムは剥離除去)して、樹脂シートを得た。なお、この接着樹脂層は封止樹脂層を兼ねている。
保護樹脂層であるポリメチルメタクリレートフィルム上に、未架橋のシリコーン樹脂からなる封止樹脂層を形成し、90℃で1時間加熱して半硬化状態とすることにより、樹脂シートを得た。
(輝度保持性)
得られた光半導体装置の電流350mAでの初期の輝度と300時間経過後の輝度を測定し、減衰率を算出した。その結果を表1に示す。
*輝度:電流100mAを流し、分光光度計(大塚電子MCPD-3700)にて、波長380nm〜780nmまでの積分値とする。
*減衰率=〔(輝度の低下量)÷(初期の輝度)〕×100
上記の光半導体装置において、23℃で、実施例の光半導体素子封止用樹脂シート及び比較例の樹脂シートのせん断剥離力を評価した。せん断剥離力は、プッシュプルゲージ(SIMPO製)を用いて測定された。その結果を表1に示す。
2 保護樹脂層
3 封止樹脂層
4 接着樹脂層
5 基板上に搭載された光半導体素子
6 基材
7 貫通孔
Claims (1)
- 下記工程(1)及び(2)を含む、光半導体装置の製造方法。
工程(1) 基板上の光半導体素子が搭載された面に、少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子を封止するために光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層する工程であって、前記光半導体素子封止用樹脂シートが、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが左右方向に隣接して配設され、かつ、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を直接または間接的に覆うように積層されてなり、該封止樹脂層がシリコーン樹脂、ポリボロシロキサン樹脂またはポリアルミノシロキサン樹脂からなり、該接着樹脂層がエポキシ樹脂からなり、該保護樹脂層がポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、及びポリカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも一種からなるものである工程、
工程(2) 工程(1)で積層したシートを加圧硬化する工程
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