CN104428880A - 覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的封装层来埋设半导体元件而将半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化。加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对封装片加热；剥离工序，该剥离工序在第1加热工序之后将剥离层自封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在剥离工序之后利用温度高于第1温度的第2温度对封装层加热。

Description

覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法，详细而言，涉及覆有封装层的半导体元件的制造方法和使用通过该制造方法而获得的覆有封装层的半导体元件的半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，公知有一种利用树脂来封装发光二极管等半导体元件的方法。
例如，提出如下一种方法：在安装有发光二极管的基板之上设置具有基材片和层叠于基材片之下的有机硅树脂层的封装用片，接着，利用有机硅树脂层来埋设发光二极管而将该发光二极管封装。之后，以120℃～250℃加热封装用片而使有机硅树脂层(封装层)固化，接着，将基材片自封装层剥离，从而制造光半导体装置(例如，参照下述专利文献1。)。
专利文献1：日本特开2013－095809号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在专利文献1所记载的方法中，存在封装层在加热中变形这样的不良情况。另外，在加热中基材片也发生变形，因此存在封装层随着该基材片的变形而进一步变形这样的不良情况。
本发明的目的在于，提供能够在防止剥离层的变形同时也防止封装层的变形的情况下获得期望的封装层的覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
为了到达所述目的，本发明提供一种覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，所述加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。
采用该方法，在第1加热工序中，利用温度较低的第1温度在常压下对封装片加热，因此，能够使封装层贴紧于剥离层并保持形状，由此能够抑制封装层的变形。
另外，由于在剥离工序之前实施第1加热工序，因此，使被供给到剥离工序的封装层的固化进一步进行，因而，在第1加热工序之后的剥离工序中，使剥离层与封装层之间的边界处发生界面剥离，能够可靠地实施剥离层自封装层的剥离。其结果，能够获得期望的封装层。
然后，在剥离工序中将剥离层自封装层剥离下来，之后，在第2加热工序中，由于剥离层已经被自封装层剥离，因此即使利用温度较高的第2温度对封装层加热，也能够防止因剥离层与封装层之间的线膨胀系数的差异而导致的剥离层的变形，进而能够防止封装层的变形。
另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述第1加热工序之后的所述封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。
采用该方法，第1加热工序之后的封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。因此，能够利用剥离工序将剥离层自封装层可靠地剥离。
另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述封装工序中的所述封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段。
采用该方法，由于封装工序中的封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段，因此能够在封装工序中可靠地保持封装层的形状。因此，能够一边保持封装层的形状一边使封装层可靠地埋设半导体元件而将该半导体元件封装。
另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述封装层含有填充剂和/或荧光体。
采用该方法，能够提高第1加热工序之后的封装层的形状保持性。
另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述第1温度具有使温度上升到所述第2温度的升温温度范围。
采用该方法，能够提高覆有封装层的半导体元件的制造效率。
另外，在本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法中，优选的是，所述支承台是基板，在所述配置工序中，将所述半导体元件安装于所述基板。
采用该方法，能够防止封装层的变形并将完全固化后的封装层安装于基板，因此，能够制造可靠性优异的覆有封装层的半导体元件。
另外，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括制造覆有封装层的半导体元件的工序和将所述覆有封装层的半导体元件安装于基板的工序，通过覆有封装层的半导体元件的制造方法来制造所述覆有封装层的半导体元件，该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，所述加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。
采用该方法，能够将具有能防止变形且完全固化后的封装层的覆有封装层的半导体元件安装于基板，因此，能够制造可靠性优异的半导体装置。
发明的效果
采用本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法，能够抑制封装层的变形。
采用本发明的半导体装置的制造方法，能够将具有能防止变形且完全固化后的封装层的覆有封装层的半导体元件安装于基板，因此，能够制造可靠性优异的半导体装置。
附图说明
图1是本发明的半导体装置的制造方法的第1实施方式的制造工序图，图1A表示配置工序，图1B表示封装工序，图1C表示第1加热工序和剥离工序，图1D表示第2加热工序。
图2是本发明的半导体装置的制造方法的第2实施方式的制造工序图，图2A表示LED剥离工序，图2B表示安装工序。
图3是本发明的半导体装置的制造方法的第3实施方式的制造工序图，图3A表示配置工序，图3B表示压接工序，图3C表示大气开放工序，图3D表示第1加热工序和剥离工序，图3E表示第2加热工序。
具体实施方式
第1实施方式
在图1中，将纸面上侧作为上侧(第1方向一侧、厚度方向一侧)，将纸面下侧作为下侧(第1方向另一侧、厚度方向另一侧)，将纸面左侧作为左侧(与第1方向正交的第2方向一侧)，将纸面右侧作为右侧(第2方向另一侧)，将纸面近前侧作为前侧(分别与第1方向和第2方向正交的第3方向一侧)，将纸面进深侧作为后侧(第3方向另一侧)。具体而言，以图1所记载的方向为准。图2之后的附图的方向以图1的方向为准。
作为本发明的覆有封装层的半导体元件的制造方法的第1实施方式的LED装置1的制造方法包括配置工序(参照图1A)、封装工序(参照图1B)、第1加热工序(参照图1C的实线)、剥离工序(参照图1C的假想线)以及第2加热工序(参照图1D)。下面，详细叙述各工序。
配置工序
在配置工序中，将作为半导体元件的LED2配置在作为支承台的基板3之上。具体而言，将LED2安装于基板3的上表面。
如图1A所示，基板3形成为沿面方向(前后方向和左右方向)延伸的俯视大致矩形的平板形状。基板3由例如铝等金属材料、例如氧化铝等陶瓷材料以及例如聚酰亚胺等树脂材料等那样的、作为LED装置1的基板而通常使用的材料形成。在基板3的上表面上形成有包括用于与LED2的端子(未图示)电连接的电极(未图示)和与电极相连续的配线的导体图案(未图示)。导体图案由例如，金、铜、银、镍等导体形成。基板3的1边的长度为例如1mm～1000mm。基板3的厚度为例如0.7mm以上，优选为0.9mm以上，而且，基板3的厚度为例如10mm以下，优选为5mm以下。
LED2形成为俯视大致矩形的平板形状，在LED2的上表面或下表面具有端子(未图示)。LED2的1边的长度为例如0.05mm以上，优选为0.1mm以上，而且，LED2的1边的长度为例如10mm以下，优选为5mm以下。LED2的厚度为例如5μm以上，优选为10μm以上，而且，LED2的厚度为例如2000μm以下，优选为1000μm以下。
作为将LED2安装于基板3的方法，例如，能够采用倒装法安装。另外，还能够利用引线接合的方式将LED2的端子与基板3的电极相连接。
另外，将多个LED2安装于基板3。LED2沿面方向相互隔开间隔地安装于基板3的上表面。LED2的在前后方向和左右方向上的间隔为例如0.1mm以上，优选为1mm以上，而且，LED2的在前后方向和左右方向上的间隔为例如50mm以下，优选为5mm以下。
封装工序
在封装工序中，如图1A所示，首先，准备封装片4，之后，如图1B所示，利用封装片4来封装LED2。
如图1A所示，封装片4包括剥离层5和层叠于剥离层5之下的封装层6。
剥离层5是用于在封装片4中支承封装层6且在使用后自封装层6剥离的层。作为剥离层5，可列举出例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET膜等)等聚合物膜、例如陶瓷片、以及例如金属箔等。可优选列举出聚合物膜。另外，也能够对剥离层5的表面(上表面和下表面)实施氟处理等剥离处理。在剥离层5为聚合物膜的情况下的线膨胀系数为例如70×10－6K－1以上，优选为80×10－6K－1以上，而且，该线膨胀系数为例如140×10－6K－1以下，优选为120×10－6K－1以下。剥离层5的厚度为例如25μm以上，优选为38μm以上，而且，剥离层5的厚度为例如2000μm以下，优选为100μm以下。
封装层6由含有封装树脂的封装树脂组合物呈片状地形成。
作为封装树脂，可列举出通过加热而固化的热固化性树脂。
作为热固化性树脂，可列举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂以及不饱和聚酯树脂等。可优选列举出有机硅树脂。
作为热固化性树脂，可列举出例如两阶段热固化性树脂组合物、一阶段热固化性树脂组合物等，可优选列举出两阶段热固化性树脂组合物。
另外，两阶段热固化性树脂组合物具有两个阶段的反应机理，在第一阶段的反应中实现B阶段化(半固化)、在第2阶段的反应中实现C阶段化(最终固化)。另一方面，一阶段热固化性树脂组合物具有一个阶段的反应机理，在第一阶段的反应中实现完全固化。另外，B阶段为热固化性树脂在液状的A阶段和完全固化后的C阶段之间的状态，为固化和凝胶化只进行了一点点且压缩弹性模量比C阶段的弹性模量小的状态。
作为两阶段热固化性树脂组合物的未固化体(第一阶段的固化前)，可列举出例如两阶段固化性有机硅树脂组合物的未固化体，可优选列举出缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物。
缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物是通过加热能够进行缩合反应和加成反应的热固性有机硅树脂组合物，更具体而言，是如下的热固性有机硅树脂组合物：通过加热而进行缩合反应，能变为B阶段(半固化)，然后通过进一步的加热，进行加成反应(具体而言，例如氢化硅烷化反应)，能形成C阶段(最终固化)。
作为这样的缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，可举出：例如第1缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有硅醇两末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷，有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第2缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有硅醇基两末端聚硅氧烷、含乙烯系不饱和烃基的硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及加成催化剂；例如第3缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有两末端硅醇型硅油、含烯基二烷氧基硅烷、有机氢硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂；例如第4缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有在1分子中具有至少2个烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷、在1分子中具有至少2个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂和固化延迟剂；例如第5缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、以及氢化硅烷化抑制剂；例如第6缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个硅醇基的第1有机聚硅氧烷、不包含乙烯系不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂、以及氢化硅烷化催化剂；例如第7缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有硅化合物、以及硼化合物或铝化合物；例如第8缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，其含有聚铝硅氧烷以及硅烷偶联剂；等。
这些缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物能够单独使用者两种以上组合使用。
作为缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物，可优选举出第4缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物。
第4缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物记载在日本特开2011－219597号公报等中，其含有例如二甲基乙烯基甲硅烷基末端聚二甲基硅氧烷、三甲基甲硅烷基末端二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物以及四甲基氢氧化铵等。
另一方面，一阶段固化性有机硅树脂组合物是指，具有一个阶段的反应机理、在第一阶段的反应中实现最终固化的热固化性有机硅树脂组合物。
作为一阶段固化性有机硅树脂组合物，可列举出例如加成反应固化性有机硅树脂组合物等。
加成反应固化性有机硅树脂组合物含有例如作为主剂的含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷、和作为交联剂的有机氢硅氧烷。
作为含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷，可列举出例如含有烯基的聚二甲基硅氧烷、含有烯基的聚甲基苯基硅氧烷、含有烯基的聚二苯基硅氧烷等。
加成反应固化性有机硅树脂组合物中，通常，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷和有机氢硅氧烷以分开的封装来提供。具体而言，以含有主剂(含有乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷)的A液、和含有交联剂(有机氢硅氧烷)的B液的这两种液体的形式提供。需要说明的是，两者的加成反应所必需的公知的催化剂添加在含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷中。
对于这样的加成反应固化性有机硅树脂组合物，将主剂(A液)和交联剂(B液)混合来制备混合液，在由混合液成形为所述封装层6的形状的工序中，含乙烯系不饱和烃基的聚硅氧烷与有机氢硅氧烷进行加成反应，加成反应固化性有机硅组合物固化，形成有机硅弹性体(固化体)。
相对于100质量份的封装树脂组合物而言，这样的封装树脂的混合比例为例如20质量份以上，优选为50质量份以上，而且，这样的封装树脂的混合比例为例如99.9质量份以下，优选为99.5质量份以下。
另外，根据需要能够在封装树脂组合物中含有荧光体、填充剂。
作为荧光体，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体等。作为这样的荧光体，可列举出例如在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子而得到的荧光体。
具体而言，作为荧光体，可列举出：例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体，例如(Sr,Ba)2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu等硅酸盐荧光体，例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Eu等铝酸盐荧光体，例如ZnS:Cu，Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu等硫化物荧光体，例如CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化合物荧光体，例如CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu等氮化物荧光体，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mn等氟化物系荧光体等。可优选列举出石榴石型荧光体，可进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。荧光体能够单独使用或者两种以上组合使用。
作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点出发，优选的是球状。
荧光体的最大长度的平均值(在球状的情况下，平均粒径)为例如0.1μm以上，优选为1μm以上，而且，荧光体的最大长度的平均值为例如200μm以下，优选为100μm以下。
相对于100质量份的封装树脂组合物而言，荧光体的混合比例为例如0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，而且，荧光体的混合比例为例如80质量份以下，优选为50质量份以下。
作为填充剂，可列举出例如有机硅微粒、玻璃、氧化铝、二氧化硅、氧化钛、氧化锆、滑石、粘土、硫酸钡等，这些填充剂能够单独使用或者两种以上组合使用。可优选列举出有机硅微粒、二氧化硅。
相对于100质量份的封装树脂组合物而言，填充剂的混合比例为例如0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上，而且，填充剂的混合比例为例如80质量份以下，优选为50质量份以下。
另外，在封装树脂组合物中，能够以适当的比例添加例如改性剂、表面活性剂、染料、颜料、防变色剂、紫外线吸收剂等公知的添加物。
在封装层6由两阶段热固化性树脂组合物构成的情况下，封装层6由两阶段热固化性树脂组合物的一阶段固化体构成，另外，在封装层6由一阶段热固化性树脂组合物构成的情况下，封装层6由一阶段热固化性树脂组合物的未固化体(固化前)构成。
特别优选的是，封装层6为两阶段固化性有机硅树脂组合物的一阶段固化体。也就是说，特别优选的是，封装层6为两阶段热固化性树脂组合物的B阶段。
在形成封装层6时，例如通过铸造、旋涂、辊涂等方法在剥离层5之上涂覆适当的厚度的所述封装树脂组合物(根据需要含有荧光剂、填充剂等)，并根据需要加热。由此在剥离层5之上形成片状的封装层6。
该封装层6在23℃时的压缩弹性模量为例如0.15MPa以下，优选为0.12MPa以下，更优选为0.1MPa以下，而且，该封装层6在23℃时的压缩弹性模量为例如0.01MPa以上，优选为0.02MPa以上。只要封装层6的压缩弹性模量为所述上限以下，就能够保证封装层6的柔软性。另一方面，只要封装层6的压缩弹性模量为下限以上，就能够在确保封装层6的形状保持性的情况下利用该封装层6来埋设LED2。
封装层6的线膨胀系数为例如150×10－6K－1以上，优选为200×10－6K－1以上，而且，封装层6的线膨胀系数为例如400×10－6K－1以下，优选为300×10－6K－1以下。另外，存在如下情况，即，从封装层6的线膨胀系数中减去剥离层5的线膨胀系数而得到的值(差)越大，封装层6越容易变形。线膨胀系数能够通过TMA(热机械分析)进行测定。
如参照图1A那样，封装层6形成为俯视矩形的片状。另外，能够将封装层6的大小调节为能够一并封装多个LED2的尺寸。封装层6的厚度为例如100μm以上，优选为300μm以上，更优选为400μm以上，而且，封装层6的厚度为例如2000μm以下，优选为1000μm以下。
此外，封装层6也能够由多层形成。例如，封装层6也能够由第1层61和形成于第1层61的上表面的第2层62形成。第2层62层叠于剥离层5的下表面。第1层61和第2层62以适当的厚度形成。
由此，准备了包括剥离层5和封装层6的封装片4。
之后，如图1B所示，利用封装片4来封装LED2。具体而言，利用封装片4的封装层6来埋设LED2而将该LED2封装。此外，在封装层6由第1层61和第2层62形成的情况下，LED2被第1层61埋设。
具体而言，如图1A所示，首先，将封装片4以封装层6朝下的方式配置于基板3的上侧，接着，如图1B所示，利用压力机等将封装层6压接于基板3。
优选的是，将封装片4和基板3以彼此相对配置的状态投入到真空压力机等的真空室内。接着，对真空室内减压。具体而言，利用真空泵(减压泵)等对真空室内进行排气。之后，一边使真空室内为减压气氛，一边利用真空压力机等压力机来将封装层6压接于基板3。减压气氛为例如300Pa以下，优选为100Pa以下，特别优选为50Pa以下。之后，使基板3和封装层6向大气压气氛开放。
封装工序的温度是封装层6没有完全固化的温度，具体而言，在封装层6为B阶段的情况下，调整到能够维持B阶段的温度。封装工序的温度为例如0℃以上，优选为15℃以上，而且，封装工序的温度为例如30℃以下，优选为25℃以下、具体而言为常温(具体而言，20℃～25℃)。
由此，利用封装层6在常温下埋设LED2而将该LED2封装。
也就是说，各LED2的上表面和侧面(左侧面、右侧面、前表面以及后表面)以及基板3的自LED2暴露的上表面均被封装层6覆盖。
第1加热工序
第1加热工序是在封装工序之后利用第1温度在常压下对封装片4加热的加热工序。
常压是不对封装片4进行流体加压和机械加压中的任意一种加压的状态，具体而言，在常压气氛(大气压、也就是说大约0.1MPa)下，使封装片4处于无负荷状态。
在利用第1温度在常压下对封装片4加热时，能够使用例如加热炉(具体而言，干燥炉等)、热板等常压加热装置。优选使用加热炉。
第1温度是从所述范围中选择的定温(恒定温度)。
以使第1加热工序后的封装层6在23℃时的压缩弹性模量为例如0.15MPa以上、优选为0.20MPa以上的方式设定第1温度和其加热时间。若压缩弹性模量为所述下限以上，则能够可靠地制备在剥离工序中能够将剥离层5自封装层6可靠地剥离的固化状态的封装层6(具体而言，在封装层6由两阶段热固化性树脂组合物构成的情况下，为自封装工序刚结束后的B阶段状态起稍稍固化后的B阶段状态的封装层6)。
第1温度是所述封装层6没有完全固化的温度。具体而言，第1温度为例如20℃以上，进一步为25℃以上，而且，第1温度为例如小于75℃、优选小于70℃。若第1温度为所述下限以上，则能够将封装层6在23℃时的压缩弹性模量设定为所述范围内，从而能够可靠地制备在剥离工序中能够将剥离层5自封装层6可靠地剥离的固化状态的封装层6(具体而言，在封装层6由两阶段热固化性树脂组合物构成的情况下，为自封装工序刚结束后的B阶段状态起稍稍固化后的B阶段状态的封装层6)。若第1温度为所述上限以下，则能够抑制由于剥离层5与封装层6之间的线膨胀系数的差异而引起的剥离层5的变形。
第1温度下的加热时间为例如5分钟以上，优选为10分钟以上，更优选为1小时以上，进一步优选为10小时以上，而且，第1温度下的加热时间为例如50小时以下，优选为25小时以下，更优选为20小时以下。若第1温度下的加热时间为所述下限以上，则能够将封装层6在23℃时的压缩弹性模量设定为所述期望的范围，从而能够可靠地制备在剥离工序中能够将剥离层5自封装层6可靠地剥离的固化状态的封装层6(具体而言，在封装层6由两阶段热固化性树脂组合物构成的情况下，为自封装工序刚结束后的B阶段状态起稍稍固化后的B阶段状态的封装层6)。另一方面，若第1温度下的加热时间为所述上限以下，则能够缩短第1加热工序的时间而降低LED装置1的制造成本。
第1加热工序后的封装层6在23℃时的压缩弹性模量如上所述。
通过第1加热工序，封装层6在保持完全固化前的状态的情况下自封装工序刚结束后的B阶段状态起稍微固化。尤其是，在封装层6为B阶段的情况下，通过第1加热工序，封装层6在保持B阶段状态的情况下稍微固化(具体而言，在封装层6含有缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的情况下，进行缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的加成反应)。
剥离工序
在剥离工序中，如图1C的假想线所示，将剥离层5自封装层6剥离。此外，在封装层6由第1层61和第2层62形成的情况下，将剥离层5自第2层62剥离。
例如，将由LED2、基板3以及封装片4构成的层叠体自常压加热装置取出并放置而使其逐渐冷却到常温之后，将层叠体中的剥离层5自封装层6剥离。
第2加热工序
在第2加热工序中，能够使用例如(1)常压加热装置、(2)机械加压－加热装置、以及(3)流体加压－流体加热装置等。
(1)常压加热装置与所述常温加热装置相同。
(2)作为机械加压－加热装置，可列举出例如具有装备有加热器的平板的热压装置(机械加压－加热装置)、带有加压装置的干燥机(流体加压－加热装置)等，在该干燥机所带有的加压装置中装备有具有平板的加压装置。
(3)流体加压－流体加热装置是一边对封装层6进行流体加压(静压)一边利用第2温度对封装层6加热的装置，具体而言，可列举出高压釜等。
从有效地防止完全固化前的封装层6的变形的观点考虑，优选使用(1)常压加热装置。若使用(1)常压加热装置，则能够利用与第1加热工序相同的(1)常压加热装置、也就是说利用同一种的加热装置来实施第1加热工序和第2加热工序，从而能够简化制造装置的装置构成。
第2加热工序中的第2温度是使封装层6完全固化的温度。在第1加热工序后的封装层6为B阶段的情况下，第2温度是使封装层6C阶段化的温度。在封装层6含有缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的情况下，第2温度是能够使缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的加成反应实质性结束(完成)的温度。具体而言，第2温度为例如60℃以上，优选为75℃以上，更优选为135℃以上，而且，第2温度为例如200℃以下，优选为180℃以下。
第2温度条件下的加热时间为例如10分钟以上，优选为30分钟以上，而且，第2温度条件下的加热时间为例如20小时以下，优选为10小时以下，更优选为5小时以下。
利用第2加热工序来使封装层6完全固化。例如，在第1加热工序中为B阶段的封装层6通过第2加热工序而成为C阶段。在封装层6含有缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的情况下，使缩合反应·加成反应固化性有机硅树脂组合物的加成反应实质性结束(完成)。
第2加热工序后的固化(完全固化)了的封装层6在23℃时的压缩弹性模量为例如大于0.6Mpa，更优选为1.2MPa以上，进一步优选为1.4MPa以上，而且，该封装层6在23℃时的压缩弹性模量为例如15MPa以下，优选为10MPa以下。
这样，如图1C所示，制造了包括基板3、多个LED2以及封装片4的LED装置1。
另外，在该LED装置1中，在基板3之上构成有作为覆有封装层的半导体元件的覆有封装层的LED11，该覆有封装层的LED11包括LED2和覆盖LED2的封装层6。也就是说，在LED装置1中，覆有封装层的LED11安装于基板3。
作用效果
采用该方法，在第1加热工序中，利用温度较低的第1温度在常压下对封装片4加热，因此，能够使封装层6贴紧于剥离层5并保持形状，因此能够抑制封装层6的变形。
另外，由于在剥离工序之前实施第1加热工序，因此，使被供给到剥离工序的封装层6的固化进一步进行，因此，在第1加热工序之后的剥离工序中，使剥离层5与封装层6之间的边界处发生界面剥离，能够可靠地实施剥离层5自封装层6的剥离。其结果，能够获得期望的封装层6、即具有期望的厚度和形状的封装层6。
然后，在剥离工序中将剥离层5自封装层6剥离下来，之后，在第2加热工序中，由于剥离层5已经被自封装层6剥离，因此即使利用温度较高的第2温度对封装层6加热，也能够防止因剥离层5与封装层6之间的线膨胀系数的差异而导致的剥离层5的变形，具体而言，由于自剥离层5的线膨胀系数中减去封装层6的线膨胀系数之后得到的值处于所述范围内，因此能够防止因剥离层5比封装层6更大地膨胀而导致的封装层6的翘曲、进而能够防止封装层6的翘曲等变形。
采用该方法，若第1加热工序之后的封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上，则能够在第1加热工序之后利用剥离工序将剥离层5自封装层6可靠地剥离。
换言之，若第1加热工序之后的封装层在23℃时的压缩弹性模量不满足所述下限，则在将该封装层6供给至剥离工序时，由于封装层6过度地柔软，因此不能将剥离层5自封装层6可靠地剥离，具体而言，不能使剥离层5与封装层6之间的边界发生界面剥离，从而有时在封装层6产生内聚破坏(日文：凝集破壊)。
另一方面，若第1加热工序之后的封装层在23℃时的压缩弹性模量为所述下限以上，则即使将该封装层6供给至第2加热工序，封装层6也能够充分地保持形状，并且能达到封装层6不会在剥离工序中产生所述内聚破坏而使剥离层5与封装层6之间产生界面剥离那样的硬度。因此，能够将剥离层5自封装层6可靠地剥离。其结果，能够获得可靠性优异的封装层6。
另外，采用该方法，若封装工序中的封装层6为两阶段热固化性树脂组合物的B阶段，则能够在封装工序中可靠地保持封装层6的形状。因此，能够一边保持封装层6的形状一边可靠地由封装层6埋设LED2而将该LED2封装。
另外，在该方法中，若封装层6含有填充剂和/或荧光体，则能够提高第1加热工序之后的封装层6的形状保持性。
另外，在该方法中，能够防止封装层6的变形，并能够将完全固化且可靠性优异的封装层6安装于基板，因此能够制造可靠性优异的覆有封装层的LED11、进而能够制造LED装置1。
变形例
在所述第1实施方式中，将多个LED2配置在了基板3上，但例如也能够将单个LED2配置在基板3上，对此没有图示。
另外，在所述第1实施方式中，对作为本发明中的半导体元件的光半导体元件的LED2作为一个例子进行了说明，但是，虽未图示，例如也能够将LED2作为电子元件。
电子元件是将电能转换成光以外的能量，具体而言，电子元件是将电能转换成信号能等的半导体元件，具体而言，能够列举出晶体管、二极管等。能够根据用途和目的适当地选择电子元件的尺寸。
在该情况下，封装层6作为必要成分而含有封装树脂、作为任意成分而含有填充剂。作为填充剂，还可以列举出碳黑等黑色颜料等。相对于100质量份的封装树脂，填充剂的混合比例为例如5质量份以上，优选为10质量份以上，而且，填充剂的混合比例为例如99质量份以下，优选为95质量份以下。
另外，封装层6的物理性质(具体而言，压缩弹性模量、线膨胀率等)和所述第1实施方式的封装层6的物理性质相同。
第1温度
在所述第1实施方式中，将第1温度设定为定温，但并不限定于此，例如，第1温度也可以具有温度范围，具体而言，第1温度也能够具有使温度上升到第2温度的升温温度范围。
具体而言，第1温度为例如20℃以上，进一步为25℃以上，而且，第1温度为小于第2温度的温度范围。第1温度的升温速度为例如1℃/分钟以上，优选为2℃/分钟以上，而且，第1温度的升温速度为例如30℃/分钟以下，优选为20℃/分钟以下。另外，第1温度的升温时间为例如4分钟以上，优选为5分钟以上，而且，第1温度的升温时间为例如30分钟以下，优选为12分钟以下。
在该情况下，在第1加热工序和第2加热工序这两个工序中，能够使用同一常压加热装置，另外，剥离工序能够在常压加热装置内实施。
例如，将封装片4设于温度为室温(20℃～25℃左右)的常压加热装置中，接着，在第1加热工序中，使常压加热装置的温度升温而达到第2温度。接着，实施剥离工序，之后，将常压加热装置加热至第2温度而实施第2加热工序。
通过使第1温度具有能够升温到第2温度的升温温度范围，能够提高生产效率。
第2实施方式
在第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在第1实施方式中，将基板3作为本发明的支承台而进行了说明，但是，例如，如图1的假想线所示，也能够使支承片12为本发明的支承台。
第2实施方式包括配置工序(参照图1A)、封装工序(参照图1B)、第1加热工序(参照图1C的实线)、剥离工序(参照图1C的假想线)、第2加热工序(参照图1D)以及安装工序(参照图2A～图2C)。以下，详细叙述各工序。
配置工序
在配置工序中，如图1A所示，将LED2配置于作为支承台的支承片12之上。
具体而言，首先，准备支承片12。
支承片12形成为与第1实施方式的基板3相同的平面形状，如图1A的假想线所示，支承片12包括支承板10和层叠于支承板10的上表面的粘合层15。支承板10构成沿面方向延伸的板形状并设于支承片12的下部，该支承板10形成为俯视时与支承片12大致相同的形状。
支承板10由在面方向无法延伸的硬质的材料形成，具体而言，作为这样的材料，能够列举出例如氧化硅(石英等)、氧化铝等氧化物、例如不锈钢等金属，例如硅等。支承板10在23℃时的杨氏模量为例如106Pa以上，优选为107Pa以上，更优选为108Pa以上，而且，支承板10在23℃时的杨氏模量为例如1012Pa以下。支承板10的杨氏模量只要为所述下限以上，就能够保证支承板10的硬质，从而能够进一步可靠地支承LED4。其中，支承板10的杨氏模量可以由例如JIS H 7902：2008的压缩弹性模量等求出。支承板10的厚度为例如0.1mm以上，优选为0.3mm以上，而且，支承板10的厚度为例如5mm以下，优选为2mm以下。
在支承板10的整个上表面形成有粘合层15。作为形成粘合层15的粘合材料，可列举出例如丙烯酸系压敏粘合剂、有机硅系压敏粘合剂等压敏粘合剂。另外，也能够由例如粘合力会因活性能量射线的照射而降低的活性能量射线照射剥离片(具体而言，日本特开2005－286003号公报等所述的活性能量射线照射剥离片)等来形成粘合层15。粘合层15的厚度为例如0.1mm以上，优选为0.2mm以上，而且，粘合层15的厚度为1mm以下，优选为0.5mm以下。
在准备支承片12时，例如，将支承板10和粘合层15贴合起来。而且，也能够通过如下的涂布方法等将粘合层15直接层叠在支承板10上，即，首先，准备支承板10，接着，将由所述粘合材料和根据需要而混合的溶剂调制而成的清漆涂布在支承板10上，之后，根据需要，将溶剂蒸馏掉。
支承片12的厚度为例如0.2mm以上，优选为0.5mm以上，而且，支承片12的厚度为6mm以下，优选为2.5mm以下。
接下来，将多个LED2层叠在支承片12上。具体而言，使各LED2的下表面与粘合层15的上表面相接触。
由此，将多个LED2配置于支承片12。
封装工序
在封装工序中，如图1A所示，首先，准备封装片4，之后，如图1B所示，与第1实施方式同样地利用封装片4来封装LED2。
第1加热工序、剥离工序以及第2加热工序
与第1实施方式同样地，如图1C和图1D所示，依次实施第1加热工序、剥离工序以及第2加热工序。
此外，考虑支承片12的耐热性来设定第1加热工序中的第1温度和第2温度的上限值。
由此，获得支承片12之上多个LED2被封装层6覆盖而成的覆有封装层的LED11。
安装工序
在安装工序中，首先，如图2A所示，将覆有封装层的LED11自粘合层15的上表面剥离(LED剥离工序)。具体而言，在粘合层15为活性能量射线照射剥离片的情况下，向粘合层15照射活性能量射线。
由此，得到自支承片12剥离下来的覆有封装层的LED11。
接着，如图2A的虚线所示，将封装层6与LED2相对应地切断。具体而言，将封装层6沿着厚度方向切断。由此，使覆有封装层的LED11与LED2相对应地单片化。
之后，在将单片化后的覆有封装层的LED11按照发光波长、发光效率进行分选之后，如图2B所示，将分选后的覆有封装层的LED11安装于基板3。具体而言，将设于LED2的下表面的端子与基板3的电极相连接，将覆有封装层的LED11以倒装法安装于基板3。
由此，制造包括基板3、单个LED2以及封装片4的LED装置1。
作用效果
在该方法中，能够将具有能防止变形且完全固化、可靠性优异的封装层6的覆有封装层的LED11安装于基板3，因此，能够制造可靠性优异的LED装置1。
尤其是，在第2实施方式中，LED2配置于支承片12(参照图1A的假想线)，LED2被支承片12以比第1实施方式中的基板3(参照图1A的实线)支承LED2的支承力小的支承力支承。因此，与第1实施方式的LED2相比，第2实施方式的LED2容易沿面方向位移(错位)。
然而，在该第2实施方式中，在第1加热工序中，利用较低的温度加热封装片4，因此能够防止LED2的错位(芯片位移)。
第3实施方式
在第3实施方式中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
在图1A所示的第1实施方式中，将基板3形成为平板形状，但例如，如图3A所示，也能够在基板3上形成凹部7。
第3实施方式包括配置工序(参照图3A)、封装工序(参照图3B和图3C)、第1加热工序(参照图3D的实线)、剥离工序(参照图3D的假想线)以及第2加热工序(参照图3E)。以下，详细叙述各工序。
配置工序
如图3A所示，凹部7以俯视矩形状且朝向下方凹陷的方式形成在基板3的上表面上，凹部7的四方(前后左右方向)被位于凹部7周边的、基板3的除凹部7以外的部分(周边)无间隙地包围。
凹部7的1边的长度为例如0.8mm以上，优选为1mm以上，而且，凹部7的1边的长度为例如300mm以下，优选为100mm以下。
凹部7的深度H1(自凹部7的周边的上表面(以下，称作周边上表面21。)起到凹部7的上表面(以下，称作凹部上表面14。)为止的在上下方向上的长度)为例如1000μm以下，优选为500μm以下，更优选为200μm以下，特别优选为170μm以下，而且，凹部7的深度H1为例如10μm以上，优选为50μm以上。
另外，凹部7的深度H1为基板3的厚度H2的例如90％以下，优选为80％以下，而且，凹部7的深度H1为基板3的厚度H2的例如10％以上，优选为基板3的厚度H2的20％以上。
然后，将多个LED4配置于凹部7。LED4的厚度为凹部7的深度H1的例如90％以下，优选为凹部7的深度H1的80％以下。
封装工序
封装工序包括压接工序(参照图3B)和大气开放工序(参照图3C)。
压接工序
在压接工序中，首先，准备封装片4。如图3A所示，封装层6的厚度H3为凹部7的深度H1的例如50％以上，优选为凹部7的深度H1的80％以上，更优选为凹部7的深度H1的100％以上，而且，封装层6的厚度H3为凹部7的深度H1的例如900％以下，优选为凹部7的深度H1的700％以下，更优选为凹部7的深度H1的400％以下。
接着，在压接工序中将准备好的封装片4以与基板3的上侧隔开间隔地相对的方式配置，并将封装片4和基板3投入到真空压力机等的真空室内。
接着，对真空室内减压。具体而言，利用真空泵(减压泵)等对真空室内进行排气。
然后，如图3B所示，一边使真空室内成为减压气氛，一边利用真空压力机等压力机来将封装片4的封装层6压接于基板3。
压接工序中的减压气氛为例如300Pa以下，优选为100Pa以下，特别优选为50Pa以下。
另外，在压接工序中的压接中，对封装层6被压入基板3侧(下侧)的(被压接的)量(以下，称作压入量)进行控制。
通过控制压入量，从而以使封装层6的下表面贴紧于周边上表面21且使封装层6的下表面与凹部上表面14分开的方式进行调整。
具体而言，以使由下述式所示的压入量为负且使压入量的绝对值小于凹部7的深度H1的方式来调整封装层6。
压入量＝(以基板3的底面为准的凹部上表面14的高度H2+压接工序前的封装层6的厚度H3)－以压接工序后的基板3的底面为准的封装层6的上表面的高度H4
当压入量为正时，对封装层6过度地按压，直至使压接工序后的封装层6的厚度(H4－H2)小于压接工序前的封装层6的厚度H3，从而使封装层6贴紧于凹部上表面14。与此相对，当压入量为负时，以使封装层6与凹部上表面14分开的方式进行调整。
当压入量的绝对值大于凹部7的深度H1时，封装层6的下表面不贴紧于周边上表面21，不能利用封装层6来闭塞凹部7。与此相对，当压入量的绝对值小于凹部7的深度H1时，能够以使封装层6贴紧于周边上表面21的方式进行调整。
另外，压入量(H2+H3－H4)的绝对值为例如小于凹部7的深度H1的100％，优选为凹部7的深度H1的95％以下，而且，压入量(H2+H3－H4)的绝对值为例如大于凹部7的深度H1的0％，优选为凹部7的深度H1的10％以上。
压接工序的温度为例如0℃以上，优选为15℃以上，而且，压接工序的温度为例如60℃以下，优选为35℃以下。
另外，在压接工序中，根据需要，保持将封装片4下压(压入)后的状态。
保持时间为例如5秒以上，优选为10秒以上，而且，保持时间为10分钟以下，优选为5分钟以下。
通过压接工序，从而如图3B所示那样在凹部7形成由基板3和封装层6划分出的密闭的减压空间8。
压接工序以例如与第1实施方式的封装工序相同的温度来实施，优选在常温下来实施。
大气开放工序
如图3C所示，大气开放工序是使基板3和封装片4向大气压气氛开放的工序。
在压接工序之后，通过大气开放工序来使封装层6以追随凹部7的形状的方式贴紧于凹部7。
具体而言，使真空泵的运转停止并将真空室内向大气开放。
这样一来，在减压空间8与大气压之间的压力差的作用下，封装层6的上表面被朝向下方按压，从而使封装层6的下表面以追随凹部7的形状的方式变形而贴紧于凹部7的上表面。
通过大气开放工序，从而以使封装层6贴紧于凹部7的方式封装LED4。
第1加热工序、剥离工序以及第2加热工序
与第1实施方式同样地，如图3D和图3E所示，依次实施第1加热工序、剥离工序以及第2加热工序。
由此，得到LED装置1。
作用效果
采用该LED装置1的制造方法，在压接工序中，以使封装层6与凹部上表面14分开的方式对封装层6进行压接。因此，能够降低作用于LED2的周围的构件的应力，具体而言，在LED2以引线接合的方式与基板3相连接的情况下，能够降低封装层6被压接时作用于引线的应力。
另一方面，在压接工序中，封装层6在减压气氛下闭塞周边上表面21，因此，在凹部7中形成有由基板3和封装层6划分出的密闭的减压空间8。
在大气开放工序中，当向大气开放时，在减压空间8与大气压之间的压力差的作用下，封装层6被无间隙地填充到凹部7中。因此，能够抑制在基板3与封装层6之间产生空隙。
其结果，在以引线接合的方式将LED2与基板3相连接的情况下，能够降低引线(未图示)的变形并抑制产生空隙。
实施例
能够将以下所示的实施例等的数值替换成所述实施方式中记载的数值(即，上限值或下限值)。
实施例1
配置工序
将多个LED配置在基板之上。LED的厚度是100μm，各LED之间的间隔是1.5mm。
封装工序
准备了封装片。
具体而言，将20g(1.4mmol乙烯基甲硅烷基)二甲基乙烯基甲硅烷基末端聚二甲基硅氧烷(乙烯基甲硅烷基当量0.071mmol/g)、0.40g(1.6mmol氢化甲硅烷基)三甲基甲硅烷基末端二甲基硅氧烷-甲基聚硅氧烷共聚物(氢化硅烷基当量4.1mmol/g)、0.036mL(1.9μmol)铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物(氢化硅烷化催化剂)的二甲苯溶液(铂浓度2质量％)、以及0.063mL(57μmol)四甲基氢氧化铵(TMAH、固化延迟剂)的甲醇溶液(10质量％)混合，并在20℃下搅拌10分钟，相对于100质量份的该混合物，混合30质量份的有机硅微粒(Tospearl2000B，Momentive Performance Materials Japan公司制造)，均匀地搅拌而进行混合，从而得到了两阶段固化性有机硅树脂组合物。
另外，将LR7665(两阶段固化性有机硅树脂组合物、Wacker AsahikaseiSilicone(日文：旭化成ワッカー)公司制造)涂覆在剥离处理后的由PET膜构成的剥离层(厚度：50μm，线膨胀系数：90×10－6K－1)之上，从而制备出厚度200μm的第2涂膜。
接着，以105℃对第2涂膜加热10分钟，从而得到了厚度200μm的第2层。
接着，将两阶段固化性有机硅树脂组合物涂覆在第2层之上而制备了第1涂膜，以135℃对该第1涂膜加热15分钟加热，从而制作出由半固化(B阶段状态)的两阶段固化性有机硅树脂组合物构成的厚度800μm的第1层。由此，制作出由第2层和第1层构成的封装层。也就是说，由此，制作出包括剥离层和封装层(厚度：800μm，线膨胀系数：260×10－6K－1)的封装片(参照图1A)。
将安装有LED的基板和封装片的封装层以在厚度方向上相对的方式配置并将该基板和封装片投入到真空压力机(型号CV200、Nichigo-Morton(日文：ニチゴーモートン)公司制造)的真空室内。
利用真空泵(减压泵)(型号E2M80、Edwards(日文：エドワーズ)公司制造)对真空室内进行排气，从而将真空室内在常温下减压至50Pa。
在减压气氛下，利用真空压力机对基板和封装片进行压接，该压接状态以20℃保持3分钟。之后，使真空泵停止，并将真空室内向大气开放。
通过这样设置，从而利用封装层封装LED(参照图1B)。
第1加热工序
将安装有被封装层封装后的LED的基板设置在加热炉内。
接着，将加热炉内设定为50℃，对层叠体加热12小时。
剥离工序
之后，将层叠体自加热炉取出，在将层叠体冷却到25℃之后，将剥离层自封装层剥离下来。
第2加热工序
之后，将层叠体再次设置在加热炉内。
接着，使加热炉内以2℃/分钟的升温速度升温到150℃，以150℃对层叠体加热了两小时。
由此，使封装层C阶段化、即完全固化。
由此，制造了包括基板、多个LED以及封装片的LED装置。
实施例2
将第1加热工序中的加热时间从12小时变更为18小时，除此以外，与实施例1同样地进行处理而制造出LED装置。
实施例3
将第1加热工序中的加热时间从12小时变更为24小时，除此以外，与实施例1同样地进行处理而制造出LED装置。
比较例1
将第1加热工序的温度和时间分别设定为150℃和14小时，且没有实施第2加热工序，除此以外，与实施例1同样地进行处理而制造出LED装置。
比较例2
在第2加热工序之后实施了剥离工序，除此以外，与实施例1同样地进行处理而制造出LED装置。
比较例3
在封装工序之后且在第1加热工序之前实施了剥离工序，除此以外，与实施例1同样地进行处理而制造出LED装置。
评价
压缩弹性模量
在实施例和比较例中，在封装工序后，分别测定了第1加热工序后(剥离工序前)和第2加热工序后的封装层在23℃时的压缩弹性模量。压缩弹性模量是以JIS H 7902：2008的记载为标准进行测定的。
封装层和剥离层的变形
在实施例和比较例中，利用目视观察所制得的LED装置的封装层和剥离层有无变形以及封装层和剥离层的内聚模式(日文：凝集モード)。
将其结果表示在表1中。
表1
※1：第1加热工序：150℃※2：第2加热工序前※3：在封装工序之后且在第1加热工序之前实施剥离工序。
此外，虽然作为本发明的例示实施方式提供了所述说明，但这仅仅是例示，不应做限定性解释。本领域技术人员所清楚的本发明的变形例包括在本发明的权利要求书中。
产业上的可利用性
能够将覆有封装层的半导体元件和通过半导体装置的制造方法而制得的覆有封装层的半导体元件和半导体装置应用于各种半导体用途。

Claims (7)

1.一种覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：
配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；
封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及
加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，
所述加热工序具有：
第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；
剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及
第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。
2.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述第1加热工序之后的所述封装层在23℃时的压缩弹性模量为0.15MPa以上。
3.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述封装工序中的所述封装层是两阶段热固化性树脂组合物的B阶段。
4.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述封装层含有填充剂和/或荧光体。
5.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述第1温度具有使温度上升到所述第2温度的升温温度范围。
6.根据权利要求1所述的覆有封装层的半导体元件的制造方法，其特征在于，
所述支承台是基板，在所述配置工序中，将所述半导体元件安装于所述基板。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
该半导体装置的制造方法包括制造覆有封装层的半导体元件的工序和将所述覆有封装层的半导体元件安装于基板的工序，
通过覆有封装层的半导体元件的制造方法来制造所述覆有封装层的半导体元件，
该覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：
配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；
封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在所述剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的所述封装层来埋设所述半导体元件而将所述半导体元件封装；以及
加热工序，该加热工序在所述封装工序之后对所述封装层加热而使所述封装层固化，
所述加热工序具有：
第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对所述封装片加热；
剥离工序，该剥离工序在所述第1加热工序之后将所述剥离层自所述封装层剥离；以及
第2加热工序，该第2加热工序在所述剥离工序之后利用温度高于所述第1温度的第2温度对所述封装层加热。
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