CN103969565B - 半导体评价装置及半导体评价方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种半导体评价装置及半导体评价方法，其成本低，且不增加评价工序所花费的时间，能够简单地抑制被测定物上的局部放电的发生。半导体评价装置（1）具有：卡盘台（3），其对作为被测定物的半导体装置（5）进行保持；接触探针（10），其用于与保持在卡盘台（3）上的半导体装置（5）接触而评价半导体装置（5）的电气特性；以及流体吹出部（7），其向半导体装置（5）吹出流体。

Description

半导体评价装置及半导体评价方法

技术领域

本发明涉及一种半导体评价装置及半导体评价方法，其在向被测定物吹出流体的状态下，实施对被测定物的电气特性的评价。

背景技术

在对半导体晶圆状态或半导体芯片状态的半导体装置（被测定物）的电气特性进行评价时，在通过真空吸附等使被测定物的设置面与卡盘台的表面接触的状态下将被测定物的设置面固定后，进行电气输入/输出，因此使接触探针与被测定物的表面接触。另外，以往根据施加大电流、高电压的要求等，实现了接触探针的多针化。

已知在上述状况下，在被测定物的评价中，局部放电现象例如在接触探针和被测定物之间产生，产生被测定物的局部损坏、缺陷。因此，抑制上述的局部放电很重要。在将产生了局部放电的被测定物作为合格品而遗留至后续工序的情况下，在后续工序中将上述被测定物提取出是很困难的，因此，优选事先实施抑制局部放电的措施。因此，例如在专利文献1、2中公开了抑制局部放电的方法。

在专利文献1中记载有下述技术，即，通过在绝缘性的液体中，进行对电子部件的特性检查，抑制该特性检查中发生的放电。另外，在专利文献2中记载有下述技术，即，不使用绝缘性的液体，而是通过在充满惰性气体的封闭空间中实施被检查物的特性检查，抑制在该特性检查中发生的放电。

专利文献1：日本特开2003－130889号公报

专利文献2：日本特开平10－96746号公报

但是，在专利文献1记载的技术中，必须使用高价的探测器，并且，由于在液体中进行评价，因此，存在评价工序的时间增加，不利于低成本化的问题。另外，在被测定物是晶圆测试及芯片测试中的半导体元件的情况下，必须在评价后将绝缘性液体从半导体元件上完全去除，该评价方法的使用变得困难。

在专利文献2记载的技术中，虽然不使用绝缘性液体而是在充满了惰性气体的封闭空间中实施检查，但由于评价装置的结构复杂，因此，存在下述问题，即：不利于低成本化；以及由于在每次更换被检查物后必须使惰性气体充满封闭空间，因此评价工序所花费的时间增加。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种半导体评价装置及半导体评价方法，其成本低，且不增加评价工序所花费的时间，能够简单地抑制被测定物上的局部放电的发生。

本发明所涉及的半导体评价装置具有：卡盘台，其对被测定物进行保持；接触探针，其用于与保持在所述卡盘台上的所述被测定物接触而评价该被测定物的电气特性；以及流体吹出单元，其向所述被测定物吹出流体。

本发明所涉及的半导体评价方法具有下述工序：通过使所述接触探针与所述被测定物接触而进行所述被测定物的电气评价的工序；以及在进行所述被测定物的电气评价的工序时，由所述流体吹出单元向所述被测定物的表面吹出流体的工序。

发明的效果

根据本发明所涉及的半导体评价装置，半导体评价装置具有：卡盘台，其对被测定物进行保持；接触探针，其用于与保持在卡盘台上的被测定物接触而评价该被测定物的电气特性；以及流体吹出单元，其向被测定物吹出流体。

因此，在通过接触探针评价被测定物的电气特性时，通过利用流体吹出单元向被测定物吹出流体，能够简单地抑制在评价时发生的局部放电。

由于仅向被测定物吹出流体即可，因此，无需使设置有接触探针及被测定物的测定空间密闭，另外，由于无需在每次评价时充满流体、或在评价后从被测定物去除流体等追加处理，因此，成本低，且能够对评价工序所花费的时间的增加进行抑制。

根据本发明所涉及的半导体评价方法，其具有下述工序：通过使接触探针与被测定物接触而进行被测定物的电气评价的工序；以及在进行被测定物的电气评价的工序时，由流体吹出单元向被测定物的表面吹出流体的工序。

因此，在通过接触探针对被测定物的电气特性进行评价时，通过利用流体吹出单元向被测定物吹出流体，能够简单地抑制在评价时发生的局部放电。

由于仅向被测定物吹出流体即可，因此，无需使设置有接触探针及被测定物的测定空间密闭，另外，由于无需在每次评价时充满流体、或在评价后从被测定物去除流体等追加处理，因此，成本低，且能够对评价工序所花费的时间的增加进行抑制。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的半导体评价装置的概略图。

图2是实施方式1所涉及的半导体评价装置中的接触探针的动作说明图。

图3是表示实施方式1所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部和流体吸入部的配置结构的俯视图。

图4是表示实施方式1的变形例1所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部和流体吸入部的配置结构的俯视图。

图5是表示实施方式1的变形例2所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部的配置结构的正视图。

图6是表示实施方式1的变形例3所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部的配置结构的正视图。

图7是表示实施方式1的变形例4所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部和流体吸入部的配置结构的俯视图。

图8是表示实施方式1的变形例5所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部和流体吸入部的配置结构的俯视图。

图9是实施方式2所涉及的半导体评价装置的概略图。

图10是实施方式3所涉及的半导体评价装置的概略图。

图11是表示实施方式3所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部的配置结构的俯视图。

图12是实施方式3所涉及的半导体评价装置中的接触探针的动作说明图。

图13是表示实施方式3的变形例1所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部的配置结构的俯视图。

标号的说明

1、1A、1B 半导体评价装置，3、3A 卡盘台，4 控制部，7 流体吹出部，10、10A 接触探针，16 绝缘性基体，17 流体吸入部，22 加热部，23、24 遮挡部。

具体实施方式

＜实施方式1＞

下面，使用附图，对本发明的实施方式1进行说明。图1是实施方式1所涉及的半导体评价装置1的概略图。半导体评价装置1具有：探针基体2、卡盘台3、控制部4（控制单元）、流体吹出部7（流体吹出单元）、流体吸入部17（流体吸入单元）以及移动臂部9。

探针基体2具有：接触探针10、绝缘性基体16以及连接部8b。在本实施方式1中，在绝缘性基体16上设置流体吹出部7及流体吸入部17，半导体装置5的电气特性的评价是在向半导体装置5的表面吹出流体的状态下实施的。

在本实施方式1中，以在半导体装置5的纵向即面外方向上流过大电流的纵向型构造的半导体装置5作为一个例子进行了例示，但并不限定于此，也可以是在半导体装置的一个表面上进行输入/输出的横向型构造的半导体装置。在对纵向型构造的半导体装置5进行评价时，用于与外部连接的一个电极是与设置在半导体装置5的上表面的连接焊盘18（参照图2）接触的接触探针10。并且，另一个电极是与半导体装置5的下表面即设置面接触的卡盘台3的上表面。

接触探针10固定在绝缘性基体16上，经由与绝缘性基体16的连接部8b连接的信号线6b而与控制部4连接。卡盘台3经由与设置在卡盘台3的侧面的连接部8a连接的信号线6a而与控制部4连接。

此外，设想为施加大电流而设置有多个接触探针10，优选将各连接部8a、8b设置在无论经由哪个接触探针10，从各接触探针10至信号线6b和绝缘性基体16的连接位置即连接部8b的距离、和至设置在卡盘台3侧面的连接部8a的距离大致一致的位置处，以使得施加在各接触探针10上的电流密度大致一致。即，优选连接部8a和连接部8b位于隔着接触探针10而彼此相对的位置处。另外，各接触探针10和连接部8b之间例如经由设置在绝缘性基体16上的金属板（省略图示）而连接。

探针基体2以通过移动臂部9能够向任意方向移动的方式受到保持。在此，形成为仅通过1个移动臂部9对探针基体2进行保持的结构，但并不限定于此，也可以通过多个移动臂部而稳定地保持。另外，移动臂部9也可以形成为将卡盘台3可移动地进行保持的结构，不移动探针基体2，而是使半导体装置5即卡盘台3侧移动。卡盘台3是与半导体装置5的设置面接触而进行固定（保持）的基座，作为用于固定半导体装置5的手段，例如具有真空吸附的功能。此外，用于固定半导体装置5的手段并不限定于真空吸附，也可以是静电吸附等。

下面，对接触探针10进行说明。图2是实施方式1所涉及的半导体评价装置1中的接触探针10的动作说明图，图2（a）表示初始状态，图2（b）表示接触状态，图2（c）表示按压状态。

接触探针10朝向下方（－Z方向）固定在作为基座形成的绝缘性基体16上。接触探针10具有：设置部14，其固定在绝缘性基体16上；前端部12，其具有与设置在半导体装置5的上表面上的连接焊盘18机械且电接触的接触部11；压入部13，其借助于安装在内部的弹簧等弹簧部件而在接触时能够进行滑动；以及电连接部15，其与前端部12电导通且成为向外部的输出端。

接触探针10由具有导电性的，例如铜、钨、钨铼合金等金属材料形成，但并不限定于此，特别地，从提高导电性及提高耐久性等的角度出发，接触部11也可以通过其他部件例如金、钯、钽、铂等进行包覆。

如果接触探针10从图2（a）所示的初始状态向设置在半导体装置5的表面的连接焊盘18（沿－Z方向）下降，则最初，如图2（b）所示，连接焊盘18和接触部11接触。然后，如果接触探针10进一步下降，则如图2（c）所示，压入部13借助于弹簧部件而压入至设置部14内，使与半导体装置5的连接焊盘18的接触变得可靠。

下面，使用图3，对配置在绝缘性基体16上的流体吹出部7及流体吸入部17的设置例进行说明。作为从流体吹出部7吹出的流体，优选在热学、化学上稳定，且绝缘性能优异、电离性低的气体。具体来说为六氟化硫气体、二氧化碳气体、氮气等，但并不限定于此。特别是六氟化硫气体作为优良的消弧介质而公知，用于吹弧式气体断路器。通过在吹出具有上述特性的流体的状态即流体的气氛浓度高的状态下，进行电气特性的评价，从而能够对在半导体装置5的表面附近产生的局部放电进行抑制。

图3是表示半导体评价装置1中的流体吹出部7和流体吸入部17的配置结构的俯视图，为了便于观察附图而省略了绝缘性基体16。1个流体吹出部7在绝缘性基体16上，位于与半导体装置5的一个角部的大致中央相对应的位置处，例如以相对于垂直方向（Z方向）而倾斜的状态进行设置，通过流体吹出部7向半导体装置5的表面整体吹出流体20。

1个流体吸入部17在绝缘性基体16上，设置于与和设置有流体吹出部7的半导体装置5的角部相对的角部的大致中央相对应的位置处，通过流体吸入部17对吹至半导体装置5的流体20进行吸入。在半导体评价装置1上，为了抑制对有限的测定空间进行加压这一情况，另外，为了抑制流体20的飞散，而设置有流体吸入部17。

在此，例如，流体吹出部7经由流体导出管（省略图示）而与流体供给部（省略图示）连接，并且，流体吸入部17经由流体导入管（省略图示）而与流体供给部（省略图示）连接，流体供给部由控制部4进行控制。控制部4以下述方式对流体供给部进行控制，即，在开始评价半导体装置5的电气特性的同时，开始经由流体导出管从流体供给部向流体吹出部7供给流体20，并且，开始通过流体吸入部17对流体20进行吸入。

下面，对实施方式1所涉及的半导体评价装置1的动作顺序进行说明。由于具有多个接触探针10，因此，在评价前使各接触探针10的接触部11的平行度一致。使半导体装置5的设置面与卡盘台3接触而将半导体装置5固定在卡盘台3上。作为半导体装置5，可以想到例如形成有多个半导体芯片的半导体晶圆或半导体芯片本身，但并不限定于此，只要是通过真空吸附等而固定的半导体装置5即可。

在半导体装置5向卡盘台3上固定后，经由连接焊盘18进行接触探针10和半导体装置5的接触。然后，实施关于期望的电气特性的评价，控制部4在开始评价的同时，通过流体吹出部7向半导体装置5的表面吹出流体20，并且，通过流体吸入部17将吹出的流体20吸入。由此，在评价中，在半导体装置5的表面附近，能够维持流体20的气氛浓度高的状态。控制部4随着评价结束而结束对流体20的吹出及吸入。由于在流体20的气氛浓度高的状态下实施评价，因此，能够有效地抑制在半导体装置5的表面附近发生的局部放电。

如上所述，在实施方式1所涉及的半导体评价装置1中，半导体评价装置1具有：卡盘台3，其对作为被测定物的半导体装置5进行固定；接触探针10，其用于经由连接焊盘18与固定在卡盘台3上的半导体装置5接触而评价半导体装置5的电气特性；以及流体吹出部7，其向半导体装置5吹出流体20。

因此，在通过接触探针10评价半导体装置5的电气特性时，通过利用流体吹出部7向半导体装置5吹出流体20，从而能够简单地抑制在评价时发生的局部放电。因此，能够实现半导体装置5的成品率的提高。

由于仅向半导体装置5吹出流体20即可，因此，无需使设置有接触探针10及半导体装置5的测定空间密闭，另外，由于无需在每次评价时充满流体20、或在评价后从半导体装置5去除流体20等追加处理，因此，成本低，且能够对评价工序所花费的时间的增加进行抑制。

由于还具有流体吸入部17，其设置在与流体吹出部7相对的位置处，且将由流体吹出部7吹出的流体20吸入，因此，能够抑制吹出的流体20飞散，并且，能够抑制测定空间的加压。

还具有用于设置接触探针10的绝缘性基体16，流体吹出部7由于设置在绝缘性基体16上，因此，通过与作为评价对象的半导体装置5接近而吹出流体20，能够提高局部放电的抑制效果。

还具有用于设置接触探针10的绝缘性基体16，流体吹出部7及流体吸入部17由于设置在绝缘性基体16上，因此，通过与作为评价对象的半导体装置5接近而吹出流体20，能够提高局部放电的抑制效果。另外，通过接近地吸入流体20，能够有效地抑制吹出的流体20的飞散，并且，能够有效地抑制测定空间的加压。

由于还具有控制部4，其在开始评价半导体装置5的电气特性的同时，开始通过流体吹出部7吹出流体20，因此，通过仅在评价中吹出流体20，能够实现工序的简化，并且，能够实现低成本化。

通过流体吹出部7吹出的流体20由于是六氟化硫气体、二氧化碳气体或氮气，因此，能够提高局部放电的抑制效果。

流体吹出部7由于以能够向半导体装置5的表面整体吹出流体20的方式进行设置，因此，能够有效地进行流体20的吹出。

在此，流体吹出部7可以具有喷嘴。即，也可以形成下述结构：流体吹出部7的吹出口形成喷嘴状，使流体20高速地喷出，可靠地使流体20在半导体装置5的表面扩散。在此情况下，能够有效地将流体20吹向半导体装置5的目标位置处。

另外，流体吸入部17的吸入口可以形成为宽度较宽即圆锥状的吸入口，提高流体20的吸入性能。另外，在图3中对流体吹出部7及流体吸入部17分别设置1个的例子进行了例示，但并不限定于此，可以形成设置有多个流体吹出部7及流体吸入部17的结构（例如后述的图4），用于对流体20的气氛浓度进行整体的调整或局部的调整。

已知局部放电在半导体装置5上，不仅在构成与接触探针10接触的活性区域即元件部的中央区域中，在形成有末端部的外缘部的周边区域中也频繁地发生。因此，考虑将吹送流体20的区域仅特定为外缘部。

图4是表示实施方式1的变形例1所涉及的半导体评价装置1中的流体吹出部7和流体吸入部17的配置结构的俯视图，为了便于观察附图而省略了绝缘性基体16。在此，由于将吹送流体20的区域仅特定为外缘部，因此，4个流体吹出部7在绝缘性基体16上分别设置在与半导体装置5的4个角部相对应的位置处，4个流体吸入部17在绝缘性基体16上分别设置在对应于与设置有流体吹出部7的半导体装置5的角部相对的角部的位置处。

在图4中，以流体吹出部7和流体吸入部17重叠的方式示出，但如图1所示，流体吹出部7从半导体装置5的斜上方将流体20向半导体装置5的一边的外缘部吹出，流体吸入部17在半导体装置5的表面附近对流体20进行吸入，因此，流体吹出部7和流体吸入部17所设置的高度位置分别不同。因此，在设置上，流体吹出部7及流体吸入部17不发生干涉。流体吹出部7由于设置为能够将流体20向半导体装置5的外缘部吹出，因此，特别是能够对在半导体装置5的末端部附近经常发生的局部放电进行抑制。

另外，对接触探针是在Z轴方向上具有滑动性的弹簧式的结构进行了说明，但并不限定于此，也可以是悬臂式的接触探针（例如，图5所示的结构）。此外，关于在Z轴方向上具有滑动性的结构，并不限定于弹簧式，也可以是层叠探针、线探针等。

对使用悬臂式的接触探针10A的情况简单地进行说明。图5是表示实施方式1的变形例2所涉及的半导体评价装置1中的流体吹出部7的配置结构的正视图。作为绝缘性基体16而采用印刷基板。构成接触探针10A的探针10a、10b隔开规定的间隔而分别在相对于垂直方向（Z方向）倾斜的状态下固定于绝缘性基体16的下表面上。更具体地说，探针10a、10b的基端部固定在形成于绝缘性基体16上的空缺部16a的外周部，在探针10a、10b的前端侧设置有半导体装置5。在空缺部16a的上侧设置流体吹出部7，流体吹出部7经由空缺部16a向半导体装置5的表面整体吹出流体20。

另外，流体20的温度优选与评价时的半导体装置5的温度大致一致。关于半导体装置5的评价，为了实施温度特性的评价，有时从低温到高温，具体来说，例如从－40℃左右到达至+200℃左右。因此，在评价时给与的流体20的温度和半导体装置5的温度背离的情况下，由于流体20的吹出使得半导体装置5的温度变得不稳定，其结果，无法进行期望的温度特性的评价。

因此，在图6中示出在流体吹出部7上附加第1温度调整单元的例子。图6是表示实施方式1的变形例3所涉及的半导体评价装置1中的流体吹出部7的配置结构的正视图。作为用于调整流体20的温度的第1温度调整单元，在流体吹出部7的喷嘴上设置有将电热线卷绕为线圈状的加热部22。通过向加热部22施加电流，将流体吹出部7的温度以及被吹出的流体20的温度调整为期望值。由此，能够对由于流体20的吹出而产生的半导体装置5的温度的不稳定进行抑制。

例如，在加热部22将流体20的温度调整为与半导体装置5的电气特性评价时的半导体装置5的温度相同温度的情况下，能够对由于流体20的吹出而产生的半导体装置5的温度的不稳定进一步地进行抑制。在此，作为第1温度调整单元而例示出了加热部22，但并不限定于此，也可以使用将近红外线卷绕为线圈状的加热部进行加热。另外，可以通过附加珀耳帖元件而形成应对低温的结构。

如图4所示，在将流体的吹送特定为半导体装置5的外缘部的情况下，可以在元件部和外缘部之间设置遮挡单元，以使得元件部不受到流体20的温度影响。图7是表示实施方式1的变形例4所涉及的半导体评价装置1中的流体吹出部7和流体吸入部17的配置结构的俯视图，为了便于观察附图而省略了绝缘性基体16，并仅在半导体装置5的一边的外缘部示出了流体吹出部7和流体吸入部17。

遮挡部23（遮挡单元）在俯视观察下形成为框状，以包围半导体装置5的元件部的方式，设置在绝缘性基体16上的与半导体装置5的外缘部相对应的位置处。流体吹出部7在绝缘性基体16上，设置在与半导体装置5的规定角部相对应的位置处，流体吸入部17在绝缘性基体16上，设置在对应于与设置有流体吹出部7的半导体装置5的角部相对的角部的位置处。

因此，由流体吹出部7吹出的流体20从半导体装置5的外缘部向内侧的流入被遮挡部23遮挡，而大致仅吹向半导体装置5的外缘部。由于在绝缘性基体16上设置有遮挡部23，该遮挡部23进行遮挡以使得由流体吹出部7吹出的流体20不从半导体装置5的外缘部流入至内侧，因此，对流体20向半导体装置5的元件部的吹出进行抑制，并能够抑制半导体装置5的元件部的温度变化。

遮挡部23例如由金属板或绝缘物形成。因此，在遮挡部23由金属板形成的情况下，容易加工，另外，热的移动效果增大。在遮挡部23由绝缘物形成的情况下，热容量大，热遮挡效果优异。

另外，为了将遮挡部23的温度维持为与元件部的温度大致相同，可以在遮挡部23上设置用于调整遮挡部23的温度的第2温度调整单元。在此情况下，作为第2温度调整单元，与第1温度调整单元的情况相同地，能够使用附加有将电热线或近红外线卷绕为线圈状的加热部、珀耳帖元件的结构。在遮挡部23上设置有用于调整遮挡部23的温度的第2温度调整单元的情况下，即使在流体20通过遮挡部23而流入至半导体装置5的元件部的情况下，通过利用第2温度调整单元使流体20的温度与元件部的温度大致相同，从而能够抑制元件部的温度变化，提高热遮挡效果。

另外，遮挡部23不限定于1个，为了使得半导体装置5的元件部的温度不受流体20的温度影响而以高精度进行维持，可以在遮挡部23的外周侧设置例如2重或3重遮挡部。

另外，遮挡部24如图8所示，可以设置在设置于最外周侧的多个接触探针10上。图8是表示实施方式1的变形例5所涉及的半导体评价装置1中的流体吹出部7和流体吸入部17的配置结构的俯视图，流体吹出部7和流体吸入部17设置在与图7相同的位置处。在此情况下，也能够通过遮挡部24对流体20向半导体装置5的元件部的吹出进行抑制，并抑制元件部的温度变化。

＜实施方式2＞

下面，对实施方式2所涉及的半导体评价装置1A进行说明。图9是实施方式2所涉及的半导体评价装置1A的概略图，是表示使接触探针10与半导体装置5的正反面这两者接触的、所谓双面探针结构的半导体评价装置1A的概略图。此外，在实施方式2中，对与实施方式1中所说明的内容相同的结构要素，标注相同的标号并省略说明。

半导体评价装置1A具有：探针基体2、流体吹出部7、流体吸入部17、移动臂部9，它们分别设置在半导体装置5的正面侧及反面侧；控制部4；以及卡盘台3A，其分别固定半导体装置5的X方向的两端部。在图9中，示出了将半导体装置5设置在水平方向（X方向）上的例子，但并不限定于此，也可以设置在垂直方向（Z方向）上。

如上所述，在实施方式2所涉及的半导体评价装置1A中，接触探针10及流体吹出部7由于各自设置在半导体装置5的正反面侧，因此，能够将流体吹向半导体装置5的正反面整体，不仅能够抑制在半导体装置5正面发生的局部放电，还能够抑制在反面发生的局部放电。

另外，由于将由流体吹出部7吹出的流体20吸入的流体吸入部17，分别设置在与半导体装置5的正反面侧的流体吹出部7相对的位置处，因此，不仅在半导体装置5的正面，在反面也能够进行对流体20的吸入，能够有效地抑制吹出的流体20的飞散，并且，能够有效地抑制测定空间的加压。

＜实施方式3＞

下面，对实施方式3所涉及的半导体评价装置1B进行说明。图10是实施方式3所涉及的半导体评价装置1B的概略图。图11是表示实施方式3所涉及的半导体评价装置1B中的流体吹出部7的配置结构的俯视图，为了便于观察附图而省略了绝缘性基体16。图12是实施方式3所涉及的半导体评价装置1B中的接触探针10的动作说明图，图12（a）表示初始状态，图12（b）表示接触状态，图12（c）表示按压状态。此外，在实施方式3中，对与实施方式1、2中所说明的内容相同的结构要素，标注相同的标号并省略说明。

如图10和图11所示，在半导体评价装置1B中，流体吹出部7在绝缘性基体16上，以朝下（－Z方向）的方式设置在分别与接触探针10相邻的位置处。流体吹出部7具有喷嘴，形成为向下（－Z方向）吹出流体20，为了向半导体装置5的表面整体吹出流体20，而设置有多个流体吹出部7。

如图12（a）所示，在初始状态下，流体吹出部7的喷嘴的前端与接触探针10的前端部即接触部11的高度不一致。更具体地说，流体吹出部7的喷嘴的前端位于接触部11的上方。如图12（b）所示，在接触部11与连接焊盘18接触后，在如图12（c）所示的接触部11进行按压的按压状态下，喷嘴的前端设置为位于连接焊盘18的上表面附近。特别地，以在水平方向（X方向）上隔开间隔而使得接触部11不与喷嘴接触的方式，设置接触探针10和流体吹出部7。

如上所述，在实施方式3所涉及的半导体评价装置1B中，由于流体吹出部7在绝缘性基体16上，设置在与接触探针10相邻的位置处，因此，能够对在接触探针10附近发生的局部放电进行重点抑制。

另外，已知局部放电在半导体装置5上，不仅在接触探针10所接触的中央区域（元件部）中，在形成有末端部的周缘部的附近也发生。图13是表示实施方式3的变形例1所涉及的半导体评价装置中的流体吹出部7的配置结构的俯视图，为了便于观察附图而省略了绝缘性基体16。在该变形例中，在绝缘性基体16上，流体吹出部7被特定地设置在与半导体装置5的周缘部相对应的位置处，在绝缘性基体16上，在与半导体装置5的各边相对应的位置处分别设置有4个流体吹出部7。另外，流体吹出部7与图11的情况相同地，在绝缘性基体16上设置为朝下（－Z方向）。此外，在绝缘性基体16上，在与半导体装置5的各边相对应的位置处的流体吹出部7的设置数量并不限定于4个，可以对应于半导体装置5的大小或测定精度而进行变更。

此外，关于本发明，能够在本发明的范围内将各实施方式自由地进行组合，或对各实施方式进行适当的变形、省略。

Claims (20)

1.一种半导体评价装置，其具有：

卡盘台，其对被测定物进行保持；

接触探针，其用于与保持在所述卡盘台上的所述被测定物接触而评价该被测定物的电气特性；以及

流体吹出单元，其向所述被测定物吹出流体，

所述接触探针及所述流体吹出单元各自设置在所述被测定物的正反面侧。

2.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有流体吸入单元，该流体吸入单元设置在与所述流体吹出单元相对的位置处，且吸入由所述流体吹出单元吹出的流体。

3.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有用于设置所述接触探针的绝缘性基体，

所述流体吹出单元设置在所述绝缘性基体上。

4.根据权利要求2所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有用于设置所述接触探针的绝缘性基体，

所述流体吹出单元及所述流体吸入单元设置在所述绝缘性基体上。

5.根据权利要求3所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元在所述绝缘性基体上，设置在与所述接触探针相邻的位置处。

6.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有控制单元，该控制单元在开始评价所述被测定物的电气特性的同时，开始通过所述流体吹出单元吹出流体。

7.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元具有喷嘴。

8.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元设置为能够向所述被测定物的表面整体吹出流体。

9.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

所述流体吹出单元设置为能够向所述被测定物的外缘部吹出流体。

10.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

将由所述流体吹出单元吹出的流体吸入的流体吸入单元，分别设置在所述被测定物的正反面侧的与所述流体吹出单元相对的位置处。

11.根据权利要求1所述的半导体评价装置，其中，

由所述流体吹出单元吹出的流体为六氟化硫气体、二氧化碳气体或氮气。

12.根据权利要求7所述的半导体评价装置，其中，

在所述喷嘴上设置有第1温度调整单元，该第1温度调整单元对由所述流体吹出单元吹出的流体的温度进行调整。

13.根据权利要求12所述的半导体评价装置，其中，

所述第1温度调整单元将流体的温度调整为与评价所述被测定物的电气特性时的所述被测定物的温度相同的温度。

14.根据权利要求9所述的半导体评价装置，其中，

在所述接触探针上设置有遮挡单元，该遮挡单元进行遮挡以使得由所述流体吹出单元吹出的流体不从所述被测定物的外缘部流入至内侧。

15.根据权利要求9所述的半导体评价装置，其中，

该半导体评价装置还具有用于设置所述接触探针的绝缘性基体，

在所述绝缘性基体上设置有遮挡单元，该遮挡单元进行遮挡以使得由所述流体吹出单元吹出的流体不从所述被测定物的外缘部流入至内侧。

16.根据权利要求14所述的半导体评价装置，其中，

所述遮挡单元由金属板形成。

17.根据权利要求14所述的半导体评价装置，其中，

所述遮挡单元由绝缘物形成。

18.一种半导体评价装置，其具有：

卡盘台，其对被测定物进行保持；

接触探针，其用于与保持在所述卡盘台上的所述被测定物接触而评价该被测定物的电气特性；以及

流体吹出单元，其向所述被测定物吹出流体，

所述流体吹出单元设置为能够向所述被测定物的外缘部吹出流体，

在所述接触探针上设置有遮挡单元，该遮挡单元进行遮挡以使得由所述流体吹出单元吹出的流体不从所述被测定物的外缘部流入至内侧，

在所述遮挡单元上设置有第2温度调整单元，该第2温度调整单元对该遮挡单元的温度进行调整。

19.一种半导体评价方法，在该方法中，使用权利要求1所述的半导体评价装置，

该半导体评价方法具有下述工序：

通过使所述接触探针与所述被测定物接触而进行所述被测定物的电气评价的工序；以及

在进行所述被测定物的电气评价的工序时，由所述流体吹出单元向所述被测定物的表面吹出流体的工序。

20.一种半导体评价方法，在该方法中，使用权利要求2所述的半导体评价装置，

该半导体评价方法具有下述工序：

通过使所述接触探针与所述被测定物接触而进行所述被测定物的电气评价的工序；

在进行所述被测定物的电气评价的工序时，由所述流体吹出单元向所述被测定物的表面吹出流体的工序；以及

通过所述流体吸入单元，将在向所述被测定物的表面吹出流体的工序时所吹出的流体吸入的工序。