JP6504971B2 - 半導体チップテスト装置および半導体チップテスト方法 - Google Patents
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Description
また、本発明に係る他の半導体チップテスト装置は、被検体である半導体チップが載置される下治具と、前記被検体の表面に接触させて前記被検体の電気的特性を測定するためのコンタクトピンと、前記被検体の上側に配置され、かつ、前記コンタクトピンが固定される上治具と、前記被検体の側面を囲む位置に配置され、かつ、前記上治具と前記下治具とで前記被検体を密閉可能な絶縁壁と、前記被検体が密閉された状態で、密閉された空間の空気を排気し負圧にする排気部と、前記上治具において、前記被検体の表面に向けて絶縁性ガスを噴出可能に配置されるガス噴出口と、前記ガス噴出口に前記絶縁性ガスを供給するガス供給部とを備え、前記ガス供給部は、前記排気部により排気を行う前であって、前記被検体が前記下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、予め定められた周期で前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給するものである。
また、本発明に係る半導体チップテスト方法は、被検体が下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、上治具に対して上下方向に貫通状に形成されたガス噴出口から前記被検体である半導体チップの表面に向けて予め定められた周期で絶縁性ガスを噴出する工程と、前記被検体の上側に配置された上治具と、前記下治具と、前記被検体の側面を囲む位置に配置された絶縁壁とで前記被検体を密閉する工程と、密閉された空間が予め定められた圧力になるまで前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給して噴出する工程と、前記被検体を密閉した状態で前記被検体の電気的特性を測定する工程とを備えるものである。
また、本発明に係る他の半導体チップテスト方法は、被検体が下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、上治具に形成されたガス噴出口から前記被検体である半導体チップの表面に向けて予め定められた周期で絶縁性ガスを噴出する工程と、前記被検体である半導体チップが載置された前記下治具と、前記被検体の上側に配置された前記上治具と、前記被検体の側面を囲む位置に配置された絶縁壁とで前記被検体を密閉する工程と、密閉された空間の空気を排気し負圧にする工程と、前記密閉された空間を負圧にした状態で前記被検体の電気的特性を測定する工程とを備えるものである。
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体チップテスト装置の断面図であり、コンタクト前、すなわち、半導体チップの電気的特性の測定における直前の状態を示す図である。図2は、半導体チップテスト装置の断面図であり、コンタクト時、すなわち、半導体チップの電気的特性の測定時の状態を示す図である。図3は、下治具8の平面図であり、図4は、上治具7の底面図である。
次に、図1と図2を用いて、実施の形態2に係る半導体チップテスト装置および半導体チップテスト方法について説明する。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (5)
- 被検体である半導体チップが載置される下治具と、
前記被検体の表面に接触させて前記被検体の電気的特性を測定するためのコンタクトピンと、
前記被検体の上側に配置され、かつ、前記コンタクトピンが固定される上治具と、
前記被検体の側面を囲む位置に配置され、かつ、前記上治具と前記下治具とで前記被検体を密閉可能な絶縁壁と、
前記上治具に対して上下方向に貫通状に形成され、前記被検体の表面に向けて絶縁性ガスを噴出可能に配置されるガス噴出口と、
前記ガス噴出口に前記絶縁性ガスを供給するガス供給部と、
を備え、
前記ガス供給部は、前記被検体が前記下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、予め定められた周期で前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給して前記被検体の表面に向けて前記絶縁性ガスを噴出し、前記被検体が密閉された状態で、密閉された空間が予め定められた圧力になるまで前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給して噴出する、半導体チップテスト装置。 - 被検体である半導体チップが載置される下治具と、
前記被検体の表面に接触させて前記被検体の電気的特性を測定するためのコンタクトピンと、
前記被検体の上側に配置され、かつ、前記コンタクトピンが固定される上治具と、
前記被検体の側面を囲む位置に配置され、かつ、前記上治具と前記下治具とで前記被検体を密閉可能な絶縁壁と、
前記被検体が密閉された状態で、密閉された空間の空気を排気し負圧にする排気部と、
前記上治具において、前記被検体の表面に向けて絶縁性ガスを噴出可能に配置されるガス噴出口と、
前記ガス噴出口に前記絶縁性ガスを供給するガス供給部と、
を備え、
前記ガス供給部は、前記排気部により排気を行う前であって、前記被検体が前記下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、予め定められた周期で前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給する、半導体チップテスト装置。 - 被検体が下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、上治具に対して上下方向に貫通状に形成されたガス噴出口から前記被検体である半導体チップの表面に向けて予め定められた周期で絶縁性ガスを噴出する工程と、
前記被検体の上側に配置された上治具と、前記下治具と、前記被検体の側面を囲む位置に配置された絶縁壁とで前記被検体を密閉する工程と、
密閉された空間が予め定められた圧力になるまで前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口に供給して噴出する工程と、
前記被検体を密閉した状態で前記被検体の電気的特性を測定する工程と、
を備える、半導体チップテスト方法。 - 被検体が下治具に載置されかつ前記被検体が密閉されていない状態で、上治具に形成されたガス噴出口から前記被検体である半導体チップの表面に向けて予め定められた周期で絶縁性ガスを噴出する工程と、
前記被検体である半導体チップが載置された前記下治具と、前記被検体の上側に配置された前記上治具と、前記被検体の側面を囲む位置に配置された絶縁壁とで前記被検体を密閉する工程と、
密閉された空間の空気を排気し負圧にする工程と、
前記密閉された空間を負圧にした状態で前記被検体の電気的特性を測定する工程と、
を備える、半導体チップテスト方法。 - 前記密閉された空間に存在する前記絶縁性ガスを回収し、回収された前記絶縁性ガスを前記ガス噴出口から前記被検体の表面に向けて噴出する工程をさらに備える、請求項3又は請求項4に記載の半導体チップテスト方法。
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