JP6084469B2 - 半導体評価装置および半導体評価方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体評価装置1の概略図である。半導体評価装置1は、プローブ基体2と、チャックステージ3と、制御部4(制御手段)と、流体吹き付け部7(流体吹き付け手段)と、流体吸い込み部17(流体吸い込み手段)と、移動アーム9とを備えている。
次に、実施の形態2に係る半導体評価装置1Aについて説明する。図9は、実施の形態2に係る半導体評価装置1Aの概略図であり、半導体装置5の表裏面の双方からコンタクトプローブ10を接触させる、いわゆる両面プローブ構成の半導体評価装置1Aを示したものである。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
次に、実施の形態3に係る半導体評価装置1Bについて説明する。図10は、実施の形態3に係る半導体評価装置1Bの概略図である。図11は、実施の形態3に係る半導体評価装置1Bにおける流体吹き付け部7の配置構成を示す平面図であり、図面を見やすくするために絶縁性基体16は省略されている。図12は、実施の形態3に係る半導体評価装置1Bにおけるコンタクトプローブ10の動作説明図であり、図12(a)は、初期状態を示し、図12(b)は、接触状態を示し、図12(c)は、押圧状態を示す。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
Claims (19)
- 被測定物を保持するチャックステージと、
前記チャックステージに保持された前記被測定物に接触させて当該被測定物の電気的特性を評価するためのコンタクトプローブと、
前記コンタクトプローブおよび前記被測定物が設置された測定空間が開放された状態で、前記被測定物に流体を吹き付ける流体吹き付け手段と、
を備え、
前記コンタクトプローブを設置するための絶縁性基体をさらに備え、
前記流体吹き付け手段は、前記絶縁性基体に設置され、
前記流体吹き付け手段は、前記被測定物の外縁部に流体を吹き付け可能に設けられ、
前記絶縁性基体に、前記流体吹き付け手段により吹き付けられた流体が前記被測定物の外縁部から内側に流入しないように遮蔽する遮蔽手段を設けた、半導体評価装置。 - 前記流体吹き付け手段に対向する位置に設けられ、かつ、前記流体吹き付け手段により吹き付けられた流体を吸い込む流体吸い込み手段をさらに備えた、請求項1記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段および前記流体吸い込み手段は、前記絶縁性基体に設置された、請求項2記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段は、前記絶縁性基体において前記コンタクトプローブに隣接する位置に設置された、請求項1記載の半導体評価装置。
- 前記被測定物の電気的特性の評価開始と同時に、前記流体吹き付け手段による流体の吹き付けを開始する制御手段をさらに備えた、請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段はノズルを備えた、請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段は、前記被測定物の表面全体に流体を吹き付け可能に設けられた、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段は、前記被測定物の外縁部に流体を吹き付け可能に設けられた、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 前記コンタクトプローブおよび前記流体吹き付け手段は、前記被測定物の表裏面側にそれぞれ設けられた、請求項1記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段により吹き付けられた流体を吸い込む流体吸い込み手段が、前記被測定物の表裏面側における前記流体吹き付け手段に対向する位置にそれぞれ設けられた、請求項9記載の半導体評価装置。
- 前記流体吹き付け手段により吹き付けられる流体は、六フッ化硫黄ガス、二酸化炭素ガス、もしくは窒素ガスである、請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 前記ノズルに、前記流体吹き付け手段により吹き付けられる流体の温度を調整する第1温度調整手段を設けた、請求項6記載の半導体評価装置。
- 前記第1温度調整手段は、流体の温度を、前記被測定物の電気的特性の評価時における前記被測定物の温度と同じ温度に調整する、請求項12記載の半導体評価装置。
- 被測定物を保持するチャックステージと、
前記チャックステージに保持された前記被測定物に接触させて当該被測定物の電気的特性を評価するためのコンタクトプローブと、
前記被測定物に流体を吹き付ける流体吹き付け手段と、
を備え、
前記流体吹き付け手段は、前記被測定物の外縁部に流体を吹き付け可能に設けられ、
前記コンタクトプローブに、前記流体吹き付け手段により吹き付けられた流体が前記被測定物の外縁部から内側に流入しないように遮蔽する遮蔽手段を設けた、半導体評価装置。 - 前記遮蔽手段は金属板で形成された、請求項1または請求項14記載の半導体評価装置。
- 前記遮蔽手段は絶縁物で形成された、請求項1または請求項14記載の半導体評価装置。
- 前記遮蔽手段に、当該遮蔽手段の温度を調整する第2温度調整手段を設けた、請求項1、請求項14、請求項15および請求項16のいずれか1つに記載の半導体評価装置。
- 請求項1記載の半導体評価装置を用いた半導体評価方法であって、
前記コンタクトプローブを前記被測定物に接触させることで前記被測定物の電気的評価を行う工程と、
前記被測定物の電気的評価を行う工程の際に、前記流体吹き付け手段により前記被測定物の表面に流体を吹き付ける工程と、
を備えた、半導体評価方法。 - 請求項2記載の半導体評価装置を用いた半導体評価方法であって、
前記コンタクトプローブを前記被測定物に接触させることで前記被測定物の電気的評価を行う工程と、
前記被測定物の電気的評価を行う工程の際に、前記流体吹き付け手段により前記被測定物の表面に流体を吹き付ける工程と、
前記被測定物の表面に流体を吹き付ける工程の際に吹き付けられた流体を、前記流体吸い込み手段により吸い込む工程と、
を備えた、半導体評価方法。
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