JP2005030829A - プッシャおよび半導体装置の特性検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップへの熱伝導を向上させる。
【解決手段】熱風を先端に送る空洞２をプッシャ１に設けるとともに、プッシャ１を加熱するヒートブロック４を設け、プッシャ１の先端に網目状部材３を設け、プッシャ１および網目状部材３を樹脂で構成する。此により、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに及ぶダメージをを抑制する事が可能となるとともに、空洞部を介して測定対象デバイスに熱風を送ることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【選択図】 図１
【解決手段】熱風を先端に送る空洞２をプッシャ１に設けるとともに、プッシャ１を加熱するヒートブロック４を設け、プッシャ１の先端に網目状部材３を設け、プッシャ１および網目状部材３を樹脂で構成する。此により、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに及ぶダメージをを抑制する事が可能となるとともに、空洞部を介して測定対象デバイスに熱風を送ることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプッシャおよび半導体装置の特性検査装置に関し、特に、半導体チップの高温測定方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の特性検査装置では、例えば、特許文献１に開示されているように、電気的特性測定時の測定対象デバイス自体の発熱による測定対象デバイスの温度上昇を抑えて、一定の温度範囲での測定を可能とするために、コンタクトプッシャに放熱ブロックを設ける方法が行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３３７６１４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置の特性検査装置では、半導体チップをコンタクトプッシャで抑えると、半導体チップにダメージが及ぶという問題があった。
一方、半導体チップをコンタクトプッシャで抑えた時の半導体チップに与えるダメージを低減するために、コンタクトプッシャを樹脂で形成すると、半導体チップへの熱伝導性が劣化し、半導体チップの高温測定が困難になるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、半導体チップに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能なプッシャおよび半導体装置の特性検査装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るプッシャによれば、先端が網目状に構成され、測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、前記樹脂製押圧部に設けられた空洞部と、前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックとを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに樹脂製押圧部を接触させることが可能となり、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、空洞部を介して測定対象デバイスに熱風を送ることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係るプッシャによれば、測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックと、前記樹脂製押圧部に埋め込まれ、前記ヒートブロックで発生した熱を前記測定対象に伝達する金属部材とを備えることを特徴とする。
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに樹脂製押圧部を接触させることが可能となり、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、金属部材を介して測定対象デバイスに熱を伝えることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るプッシャによれば、測定対象デバイスに押圧可能な金属製押圧部と、前記加熱するヒートブロックと、前記金属製押圧部の先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする。
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、樹脂層を介して金属製押圧部を接触させることが可能となる。このため、測定対象デバイスへの熱伝導の劣化を抑制しつつ、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記樹脂製プッシャに設けられ、熱風を先端に送り込む空洞部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂製プッシャを用いて半導体パッケージをソケットに接触させることが可能となり、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、空洞部を介して半導体パッケージに熱風を送ることが可能となる。このため、半導体チップに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製プッシャを用いた場合においても、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記樹脂製プッシャに埋め込まれ、前記加熱手段で発生させられた熱を先端に伝導させる金属部材とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂製プッシャを用いて半導体パッケージをソケットに接触させることが可能となり、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、金属部材を介して半導体パッケージに熱を伝えることが可能となる。このため、半導体チップに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製プッシャを用いた場合においても、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する金属製プッシャと、前記金属製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記金属製プッシャの先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂層を介して金属製プッシャを半導体チップに接触させることが可能となる。このため、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップへの熱伝導の劣化を抑制しつつ、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の特性検査装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
【００１７】
図１において、プッシャ１には、熱風を先端に送る空洞２が設けられるとともに、プッシャ１を加熱するヒートブロック４が設けられている。また、プッシャ１の先端には、網目状部材３が設けられている。ここで、プッシャ１および網目状部材３は樹脂で構成することができる。
一方、半導体パッケージＰＫ１にはキャリア基板５が設けられ、キャリア基板５上には、半導体チップ６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板５の裏面には突出電極６ｂが設けられている。
【００１８】
また、プッシャ１の下方には、半導体パッケージＰＫ１を着脱可能なソケット７が設けられている。そして、ソケット７には、突出電極６ｂに接触可能な接続端子８が設けられるとともに、接続端子８は、半導体チップ６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ９に接続されている。
そして、半導体チップ６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ１をソケット７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ１がソケット７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ１をプッシャ１で押圧することにより、突出電極６ｂを接続端子８に接触させる。そして、プッシャ１を介してヒートブロック４の熱を半導体チップ６ａに伝達し、半導体チップ６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ９により半導体チップ６ａに信号の入出力を行う。
【００１９】
ここで、プッシャ１を樹脂で構成することにより、半導体チップ６ａが半導体パッケージＰＫ１から露出している場合においても、半導体チップ６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ６ａをプッシャ１で押圧することが可能となる。また、プッシャ１に空洞部２を設けることにより、空洞部２を介して半導体パッケージＰＫ１に熱風を送ることが可能となり、プッシャ１を樹脂で構成した場合においても、半導体チップ６ａへの熱伝導を向上させることが可能として、半導体チップ６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００２０】
なお、キャリア基板５としては、例えば、フィルム基板の他、プリント基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板、ガラス基板などを用いるようにしてもよい。また、突出電極６ｂとしては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕ／Ｎｉバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。
【００２１】
また、半導体チップ６ａをキャリア基板５上にフェースダウン実装する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。
【００２２】
また、半導体パッケージＰＫ１としては、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）の他、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）、ＴＣＰ（テープ・キャリア、パッケージ）、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）、ＴＣＭ（テープキャリアモジュール）などのフェースダウン実装が行われる全ての半導体パッケージに適用するようにしてもよい。
【００２３】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
図２において、樹脂で構成されたプッシャ１１には、プッシャ１１を加熱するヒートブロック１４が設けられるとともに、ヒートブロック１４で発生した熱を先端に伝達する金属部材１２が埋め込まれている。
【００２４】
一方、半導体パッケージＰＫ２にはキャリア基板１５が設けられ、キャリア基板１５上には、半導体チップ１６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板１５の裏面には突出電極１６ｂが設けられている。
また、プッシャ１１の下方には、半導体パッケージＰＫ２を着脱可能なソケット１７が設けられている。そして、ソケット１７には、突出電極１６ｂに接触可能な接続端子１８が設けられるとともに、接続端子１８は、半導体チップ１６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ１９に接続されている。
【００２５】
そして、半導体チップ１６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ１６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ２をソケット１７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ２がソケット１７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ２をプッシャ１１で押圧することにより、突出電極１６ｂを接続端子１８に接触させる。そして、プッシャ１１を介してヒートブロック１４の熱を半導体チップ１６ａに伝達し、半導体チップ１６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ１９により半導体チップ１６ａに信号の入出力を行う。
【００２６】
ここで、プッシャ１１を樹脂で構成することにより、半導体チップ１６ａが半導体パッケージＰＫ２から露出している場合においても、半導体チップ１６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ１６ａをプッシャ１１で押圧することが可能となる。また、プッシャ１１に金属部材１２を埋め込むことにより、金属部材１２を介して半導体パッケージＰＫ２に熱を効率よく伝えることが可能となり、プッシャ１１を樹脂で構成した場合においても、半導体チップ１６ａへの熱伝導を向上させることが可能として、半導体チップ１６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００２７】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
図３において、金属で構成されたプッシャ２１には、プッシャ２１を加熱するヒートブロック２４が設けられるとともに、プッシャ２１の先端には樹脂層２２が設けられている。なお、プッシャ２１の先端には樹脂層２２を設ける場合、プッシャ２１の先端に樹脂をコーティングしてもよいし、プッシャ２１の先端に樹脂部材を貼り付けるようにしてもよい。
【００２８】
一方、半導体パッケージＰＫ３にはキャリア基板２５が設けられ、キャリア基板２５上には、半導体チップ２６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板２５の裏面には突出電極２６ｂが設けられている。
また、プッシャ２１の下方には、半導体パッケージＰＫ３を着脱可能なソケット２７が設けられている。そして、ソケット２７には、突出電極２６ｂに接触可能な接続端子２８が設けられるとともに、接続端子２８は、半導体チップ２６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ２９に接続されている。
【００２９】
そして、半導体チップ２６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ２６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ３をソケット２７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ３がソケット２７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ３をプッシャ２１で押圧することにより、突出電極２６ｂを接続端子２８に接触させる。そして、プッシャ２１を介してヒートブロック２４の熱を半導体チップ２６ａに伝達し、半導体チップ２６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ２９により半導体チップ２６ａに信号の入出力を行う。
【００３０】
ここで、プッシャ２１の先端に樹脂層２２を設けることにより、半導体チップ２６ａが半導体パッケージＰＫ３から露出している場合においても、半導体チップ２６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ２６ａをプッシャ２１で押圧することが可能となるとともに、半導体チップ２６ａへの熱伝導の劣化を抑制することが可能となり、半導体チップ２６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【図２】第２実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【図３】第３実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【符号の説明】
ＰＫ１〜ＰＫ３ 半導体パケージ、１、１１、２１ プッシャ、２ 空洞、３網目状部材、４、１４、２４ ヒートブロック、５、１５、２５ キャリア基板、６ａ、１６ａ、２６ａ 半導体チップ、６ｂ、１６ｂ、２６ｂ 突出電極、７、１７、２７ ソケット、８、１８、２８ 接続端子、９、１９、２９ ＬＳＩテスタ、１２ 埋め込み金属、２２ 樹脂層
【発明の属する技術分野】
本発明はプッシャおよび半導体装置の特性検査装置に関し、特に、半導体チップの高温測定方法に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の特性検査装置では、例えば、特許文献１に開示されているように、電気的特性測定時の測定対象デバイス自体の発熱による測定対象デバイスの温度上昇を抑えて、一定の温度範囲での測定を可能とするために、コンタクトプッシャに放熱ブロックを設ける方法が行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３３７６１４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置の特性検査装置では、半導体チップをコンタクトプッシャで抑えると、半導体チップにダメージが及ぶという問題があった。
一方、半導体チップをコンタクトプッシャで抑えた時の半導体チップに与えるダメージを低減するために、コンタクトプッシャを樹脂で形成すると、半導体チップへの熱伝導性が劣化し、半導体チップの高温測定が困難になるという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、半導体チップに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能なプッシャおよび半導体装置の特性検査装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係るプッシャによれば、先端が網目状に構成され、測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、前記樹脂製押圧部に設けられた空洞部と、前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックとを備えることを特徴とする。
【０００７】
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに樹脂製押圧部を接触させることが可能となり、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、空洞部を介して測定対象デバイスに熱風を送ることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係るプッシャによれば、測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックと、前記樹脂製押圧部に埋め込まれ、前記ヒートブロックで発生した熱を前記測定対象に伝達する金属部材とを備えることを特徴とする。
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、測定対象デバイスに樹脂製押圧部を接触させることが可能となり、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、金属部材を介して測定対象デバイスに熱を伝えることが可能となる。このため、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製押圧部を用いた場合においても、測定対象デバイスへの熱伝導を向上させることが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係るプッシャによれば、測定対象デバイスに押圧可能な金属製押圧部と、前記加熱するヒートブロックと、前記金属製押圧部の先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする。
これにより、測定対象デバイスの高温測定を行う際に、樹脂層を介して金属製押圧部を接触させることが可能となる。このため、測定対象デバイスへの熱伝導の劣化を抑制しつつ、測定対象デバイスに及ぶダメージを抑制することが可能となり、測定対象デバイスの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記樹脂製プッシャに設けられ、熱風を先端に送り込む空洞部とを備えることを特徴とする。
【００１１】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂製プッシャを用いて半導体パッケージをソケットに接触させることが可能となり、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、空洞部を介して半導体パッケージに熱風を送ることが可能となる。このため、半導体チップに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製プッシャを用いた場合においても、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記樹脂製プッシャに埋め込まれ、前記加熱手段で発生させられた熱を先端に伝導させる金属部材とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂製プッシャを用いて半導体パッケージをソケットに接触させることが可能となり、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となるとともに、金属部材を介して半導体パッケージに熱を伝えることが可能となる。このため、半導体チップに及ぶダメージを抑制するために、樹脂製プッシャを用いた場合においても、半導体チップへの熱伝導を向上させることが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の特性検査装置によれば、半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する金属製プッシャと、前記金属製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、前記金属製プッシャの先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、半導体チップの高温測定を行う際に、樹脂層を介して金属製プッシャを半導体チップに接触させることが可能となる。このため、半導体チップが半導体パッケージから露出している場合においても、半導体チップへの熱伝導の劣化を抑制しつつ、半導体チップに及ぶダメージを抑制することが可能となり、半導体チップの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の特性検査装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
【００１７】
図１において、プッシャ１には、熱風を先端に送る空洞２が設けられるとともに、プッシャ１を加熱するヒートブロック４が設けられている。また、プッシャ１の先端には、網目状部材３が設けられている。ここで、プッシャ１および網目状部材３は樹脂で構成することができる。
一方、半導体パッケージＰＫ１にはキャリア基板５が設けられ、キャリア基板５上には、半導体チップ６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板５の裏面には突出電極６ｂが設けられている。
【００１８】
また、プッシャ１の下方には、半導体パッケージＰＫ１を着脱可能なソケット７が設けられている。そして、ソケット７には、突出電極６ｂに接触可能な接続端子８が設けられるとともに、接続端子８は、半導体チップ６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ９に接続されている。
そして、半導体チップ６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ１をソケット７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ１がソケット７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ１をプッシャ１で押圧することにより、突出電極６ｂを接続端子８に接触させる。そして、プッシャ１を介してヒートブロック４の熱を半導体チップ６ａに伝達し、半導体チップ６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ９により半導体チップ６ａに信号の入出力を行う。
【００１９】
ここで、プッシャ１を樹脂で構成することにより、半導体チップ６ａが半導体パッケージＰＫ１から露出している場合においても、半導体チップ６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ６ａをプッシャ１で押圧することが可能となる。また、プッシャ１に空洞部２を設けることにより、空洞部２を介して半導体パッケージＰＫ１に熱風を送ることが可能となり、プッシャ１を樹脂で構成した場合においても、半導体チップ６ａへの熱伝導を向上させることが可能として、半導体チップ６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００２０】
なお、キャリア基板５としては、例えば、フィルム基板の他、プリント基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板、ガラス基板などを用いるようにしてもよい。また、突出電極６ｂとしては、例えば、Ａｕバンプ、Ａｕ／Ｎｉバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができる。
【００２１】
また、半導体チップ６ａをキャリア基板５上にフェースダウン実装する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。
【００２２】
また、半導体パッケージＰＫ１としては、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）の他、ＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）、ＴＣＰ（テープ・キャリア、パッケージ）、ＣＯＧ（チップ・オン・グラス）、ＴＣＭ（テープキャリアモジュール）などのフェースダウン実装が行われる全ての半導体パッケージに適用するようにしてもよい。
【００２３】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
図２において、樹脂で構成されたプッシャ１１には、プッシャ１１を加熱するヒートブロック１４が設けられるとともに、ヒートブロック１４で発生した熱を先端に伝達する金属部材１２が埋め込まれている。
【００２４】
一方、半導体パッケージＰＫ２にはキャリア基板１５が設けられ、キャリア基板１５上には、半導体チップ１６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板１５の裏面には突出電極１６ｂが設けられている。
また、プッシャ１１の下方には、半導体パッケージＰＫ２を着脱可能なソケット１７が設けられている。そして、ソケット１７には、突出電極１６ｂに接触可能な接続端子１８が設けられるとともに、接続端子１８は、半導体チップ１６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ１９に接続されている。
【００２５】
そして、半導体チップ１６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ１６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ２をソケット１７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ２がソケット１７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ２をプッシャ１１で押圧することにより、突出電極１６ｂを接続端子１８に接触させる。そして、プッシャ１１を介してヒートブロック１４の熱を半導体チップ１６ａに伝達し、半導体チップ１６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ１９により半導体チップ１６ａに信号の入出力を行う。
【００２６】
ここで、プッシャ１１を樹脂で構成することにより、半導体チップ１６ａが半導体パッケージＰＫ２から露出している場合においても、半導体チップ１６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ１６ａをプッシャ１１で押圧することが可能となる。また、プッシャ１１に金属部材１２を埋め込むことにより、金属部材１２を介して半導体パッケージＰＫ２に熱を効率よく伝えることが可能となり、プッシャ１１を樹脂で構成した場合においても、半導体チップ１６ａへの熱伝導を向上させることが可能として、半導体チップ１６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【００２７】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の特性検査装置の概略構成を示す断面図である。
図３において、金属で構成されたプッシャ２１には、プッシャ２１を加熱するヒートブロック２４が設けられるとともに、プッシャ２１の先端には樹脂層２２が設けられている。なお、プッシャ２１の先端には樹脂層２２を設ける場合、プッシャ２１の先端に樹脂をコーティングしてもよいし、プッシャ２１の先端に樹脂部材を貼り付けるようにしてもよい。
【００２８】
一方、半導体パッケージＰＫ３にはキャリア基板２５が設けられ、キャリア基板２５上には、半導体チップ２６ａがフェースダウン実装されるとともに、キャリア基板２５の裏面には突出電極２６ｂが設けられている。
また、プッシャ２１の下方には、半導体パッケージＰＫ３を着脱可能なソケット２７が設けられている。そして、ソケット２７には、突出電極２６ｂに接触可能な接続端子２８が設けられるとともに、接続端子２８は、半導体チップ２６ａの電気的な特性を検査するＬＳＩテスタ２９に接続されている。
【００２９】
そして、半導体チップ２６ａの高温測定を行う場合、半導体チップ２６ａが搭載された半導体パッケージＰＫ３をソケット２７上に搬送する。そして、半導体パッケージＰＫ３がソケット２７上に搬送されると、半導体パッケージＰＫ３をプッシャ２１で押圧することにより、突出電極２６ｂを接続端子２８に接触させる。そして、プッシャ２１を介してヒートブロック２４の熱を半導体チップ２６ａに伝達し、半導体チップ２６ａを加熱しながら、ＬＳＩテスタ２９により半導体チップ２６ａに信号の入出力を行う。
【００３０】
ここで、プッシャ２１の先端に樹脂層２２を設けることにより、半導体チップ２６ａが半導体パッケージＰＫ３から露出している場合においても、半導体チップ２６ａに及ぶダメージを抑制しつつ、半導体チップ２６ａをプッシャ２１で押圧することが可能となるとともに、半導体チップ２６ａへの熱伝導の劣化を抑制することが可能となり、半導体チップ２６ａの高温測定を効率よく行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【図２】第２実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【図３】第３実施形態の半導体装置の特性検査装置の構成を示す断面図。
【符号の説明】
ＰＫ１〜ＰＫ３ 半導体パケージ、１、１１、２１ プッシャ、２ 空洞、３網目状部材、４、１４、２４ ヒートブロック、５、１５、２５ キャリア基板、６ａ、１６ａ、２６ａ 半導体チップ、６ｂ、１６ｂ、２６ｂ 突出電極、７、１７、２７ ソケット、８、１８、２８ 接続端子、９、１９、２９ ＬＳＩテスタ、１２ 埋め込み金属、２２ 樹脂層
Claims (6)
- 先端が網目状に構成され、測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、
前記樹脂製押圧部に設けられた空洞部と、
前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックとを備えることを特徴とするプッシャ。 - 測定対象デバイスに押圧可能な樹脂製押圧部と、
前記樹脂製押圧部を加熱するヒートブロックと、
前記樹脂製押圧部に埋め込まれ、前記ヒートブロックで発生した熱を前記測定対象に伝達する金属部材とを備えることを特徴とするプッシャ。 - 測定対象デバイスに押圧可能な金属製押圧部と、
前記金属製押圧部を加熱するヒートブロックと、
前記金属製押圧部の先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とするプッシャ。 - 半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、
前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、
前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、
前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、
前記樹脂製プッシャに設けられ、熱風を先端に送り込む空洞部とを備えることを特徴とする半導体装置の特性検査装置。 - 半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、
前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、
前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する樹脂製プッシャと、
前記樹脂製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、
前記樹脂製プッシャに埋め込まれ、前記加熱手段で発生させられた熱を先端に伝導させる金属部材とを備えることを特徴とする半導体装置の特性検査装置。 - 半導体チップの電気的特性を測定するＬＳＩテスタと、
前記半導体チップと前記ＬＳＩテスタと電気的に接続するソケットと、
前記半導体チップが搭載された半導体パッケージを前記ソケットに押圧する金属製プッシャと、
前記金属製プッシャを介して前記半導体パッケージを加熱する加熱手段と、
前記金属製プッシャの先端に設けられた樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置の特性検査装置。
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| KR101392400B1 (ko) | 2013-02-19 | 2014-05-08 | 주식회사 아이에스시 | 피검사 디바이스의 검사를 위한 푸셔장치 |
| JP2014145615A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体評価装置および半導体評価方法 |
| JP2021009146A (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-28 | セメス株式会社Ｓｅｍｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 半導体パッケージテスト装置 |
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-
2003
- 2003-07-09 JP JP2003194404A patent/JP2005030829A/ja active Pending
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