JP6562896B2 - 半導体装置の評価装置およびそれを用いた半導体装置の評価方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1における半導体装置の評価装置1の構成を概略的に示す側面図である。実施の形態1にて示す評価装置1が被測定物である半導体装置5の電気的特性を評価する際、プローブ10の周囲に設けられた絶縁物7の先端部22は、半導体装置5の表面5aに接触する。より詳細には、先端部22は後述する図4に示す終端部20の少なくとも一部に接触する。その接触により沿面距離が拡大された状態で、評価装置1は半導体装置5の電気的特性の評価を実施する。評価後、先端部22は、半導体装置5から離脱する際、半導体装置5の表面5aをクリーニングする。以下、図に従い本実施の形態1における半導体装置の評価装置1について説明する。
実施の形態2における半導体装置の評価装置を説明する。なお、実施の形態1と同様の構成および動作については説明を省略する。図12は、実施の形態2における評価装置が備える絶縁物7の先端部22を示す断面図である。本実施の形態2において、絶縁物7が備えるばね部材26は、先端部22の内部に設けられる。また、実施の形態1とは異なり、接触面23が位置する先端部22の一方の側面は、絶縁物7の枠形状の外側に位置する。なお、図12において、−X方向が絶縁物7の枠形状の外側である。さらに、先端部22のテーパー形状は、先端部22が半導体装置5に接触していない状態で、絶縁物の枠形状の内側に向くよう、やや湾曲している。半導体装置5の評価時に、先端部22が内側に湾曲し、接触面23が半導体装置5と確実に接触しやすくするためである。
実施の形態3における半導体装置の評価装置を説明する。なお、実施の形態1または実施の形態2と同様の構成および動作については説明を省略する。図14は、実施の形態3における評価装置が備えるステージ3および取付板16の周辺の構成を示す断面図である。実施の形態3における絶縁物7は、取付板16に設けられる貫通孔30に嵌合して設置される。それにより絶縁物7は取付板16に着脱可能に固定される。絶縁物7の上部つまり取付板16側には、その貫通孔30に嵌合する突起状の嵌合部27が設けられる。貫通孔30による絶縁物7の設置は、絶縁物7の取り外しを容易とする。つまり、取付板16において絶縁物7が設置された面とは反対側の面から、絶縁物7の嵌合部27を押し出して取り外すことができる。
実施の形態4における半導体装置の評価装置を説明する。なお、実施の形態1から実施の形態3のいずれかの実施の形態と同様の構成および動作については説明を省略する。図16は、実施の形態4における評価装置が備える絶縁物7の先端部22を示す断面図である。実施の形態4の絶縁物7は、ばね部材26に代えて、少なくとも1つの弾性部33を含む。その弾性部33の少なくとも一部は、接触面23が位置する先端部22の一方の側面とは反対側に位置する他方の側面に設けられる。弾性部33は、先端部22が有する硬さとは異なる硬さを有する弾性材料が付加されてなる。例えば、弾性部33は、先端部22の側面に弾性材料が接合されてなる。その弾性材料は、絶縁物7、特に先端部22よりも硬い。またその弾性材料は、絶縁性を有する。弾性部33は、先端部22に弾性を付与して先端部22の変形を元に戻す。弾性材料は、絶縁物7または先端部22と硬さが異なる材料であればよいが、同種材料であることが好ましい。異種材料の接合よりも、同種材料の接合のほうが容易である。また、廃棄の際の分別も容易である。しかし、弾性材料は、同種材料に限るものではない。
Claims (24)
- 主面に半導体装置を支持可能なステージと、
前記ステージの前記主面の上方に設けられる複数のプローブと、
枠形状を有し、前記枠形状が前記複数のプローブを囲み、かつ、前記ステージの前記主面の上方に設けられる絶縁物と、
前記複数のプローブと前記ステージの前記主面とに接続され、前記ステージの前記主面に支持される前記半導体装置に前記複数のプローブを介して電流を注入し前記半導体装置の電気的特性を評価する評価部とを備え、
前記絶縁物は、前記ステージの前記主面側に、柔軟性を有する先端部を含み、
前記先端部は、前記先端部の一方の側面に、前記先端部が前記枠形状の内側または外側に変形することにより前記半導体装置に接触可能な接触面を含む半導体装置の評価装置。 - 前記絶縁物の前記枠形状は、複数の絶縁部を組み合わせてなる請求項1に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記先端部は、弾性体からなる請求項1または請求項2に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、前記接触面が位置する前記先端部の前記一方の側面とは反対側に位置する前記先端部の他方の側面に、前記先端部が有する硬さとは異なる硬さを有する弾性材料が付加されてなり、前記先端部に弾性を付与して前記先端部の変形を元に戻す弾性部をさらに含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、前記先端部に設けられ、前記先端部に弾性を付与して前記先端部の変形を元に戻す板状のばね部材をさらに含む請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ばね部材は、前記先端部の内部に設けられる請求項5に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ばね部材は、前記接触面が位置する前記先端部の前記一方の側面とは反対側に位置する前記先端部の他方の側面に設けられる請求項5または請求項6に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ばね部材は、少なくとも1つの第1矩形と、前記第1矩形よりも大きい面積を有する少なくとも1つの第2矩形とが、前記絶縁物の前記枠形状の周回方向に交互に接続される形状を有する請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、複数の前記ばね部材をさらに含み、
前記絶縁物の前記枠形状は複数の辺からなり、
各前記ばね部材は、各前記辺に設けられ、前記第2矩形よりも大きい面積を有する第3矩形が両端に接続される形状を有する請求項8に記載の半導体装置の評価装置。 - 前記絶縁物は、複数の前記ばね部材をさらに含み、
前記絶縁物の前記枠形状は複数の辺からなり、
各前記ばね部材は、各前記辺の端部のみに設けられる請求項5から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。 - 前記絶縁物は、複数の前記ばね部材をさらに含み、
前記絶縁物の前記枠形状は複数の辺からなり、
各前記ばね部材は、各前記辺の中央部のみに設けられる請求項5から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。 - 前記ばね部材は、金属を含む請求項5から請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記ばね部材は、樹脂を含む請求項5から請求項11のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記先端部は、前記ステージの前記主面に向かって細くなるテーパー形状を有する請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記先端部のテーパー形状は、前記絶縁物の前記枠形状の内側に傾き、
前記先端部の前記接触面が位置する前記先端部の前記一方の側面は、前記絶縁物の前記枠形状の外側に位置する請求項14に記載の半導体装置の評価装置。 - 前記先端部は、前記接触面に複数の凹部をさらに含む請求項1から請求項15のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、シリコーンゴムを含む請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、フッ素ゴムを含む請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、前記先端部の前記接触面に保護部材をさらに含む請求項1から請求項18のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物を保持する取付板をさらに備え、
前記絶縁物は、前記取付板に着脱可能に固定される請求項1から請求項19のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置。 - 前記絶縁物は、前記取付板の下面に設けられる溝部に嵌合して設置されることにより前記取付板に着脱可能に固定される請求項20に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記絶縁物は、前記取付板に設けられる貫通孔に嵌合して設置されることにより前記取付板に着脱可能に固定される請求項20に記載の半導体装置の評価装置。
- 前記貫通孔は、前記絶縁物の前記枠形状の輪郭の一部に設けられる嵌合部に嵌合するよう、前記取付板の一部に設けられる請求項22に記載の半導体装置の評価装置。
- 請求項1から請求項23のいずれか一項に記載の半導体装置の評価装置を用いた半導体装置の評価方法であって、
前記複数のプローブを移動させて、前記ステージの前記主面に支持された前記半導体装置に接触させるステップと、
前記絶縁物を移動させて、前記先端部の前記接触面を前記半導体装置に接触させる接触ステップと、
前記接触ステップの後に、前記半導体装置に前記複数のプローブを介して電流を注入して前記半導体装置の電気的特性を評価する評価ステップと、
前記評価ステップの後に、前記絶縁物を前記半導体装置から遠ざける方向に移動させる退避ステップとを備え、
前記退避ステップにおいて、前記先端部の前記接触面が、前記半導体装置上を擦り、前記半導体装置上の異物を除去することを含む半導体装置の評価方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016248622A JP6562896B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 半導体装置の評価装置およびそれを用いた半導体装置の評価方法 |
US15/677,245 US10725086B2 (en) | 2016-12-22 | 2017-08-15 | Evaluation apparatus of semiconductor device and method of evaluating semiconductor device using the same |
CN201711405607.8A CN108231618B (zh) | 2016-12-22 | 2017-12-22 | 半导体装置的评价装置及使用了该评价装置的半导体装置的评价方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016248622A JP6562896B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 半導体装置の評価装置およびそれを用いた半導体装置の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018101759A JP2018101759A (ja) | 2018-06-28 |
JP6562896B2 true JP6562896B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=62630012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016248622A Active JP6562896B2 (ja) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 半導体装置の評価装置およびそれを用いた半導体装置の評価方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10725086B2 (ja) |
JP (1) | JP6562896B2 (ja) |
CN (1) | CN108231618B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE2251043A1 (en) * | 2022-09-08 | 2024-03-09 | Silex Microsystems Ab | Microstructure inspection device and system and use of the same |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5500607A (en) * | 1993-12-22 | 1996-03-19 | International Business Machines Corporation | Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer |
JP2929948B2 (ja) * | 1994-09-20 | 1999-08-03 | 三菱電機株式会社 | プローブ式テストハンドラー及びそれを用いたicのテスト方法 |
US5644249A (en) * | 1996-06-07 | 1997-07-01 | Probe Technology | Method and circuit testing apparatus for equalizing a contact force between probes and pads |
US7382142B2 (en) * | 2000-05-23 | 2008-06-03 | Nanonexus, Inc. | High density interconnect system having rapid fabrication cycle |
JP2001051011A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体チップの評価方法、高耐圧電子機器基板およびその製造方法、および高耐圧半導体装置 |
JP2003130889A (ja) | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Vector Semicon Kk | 半導体装置検査装置及び検査方法 |
US20050110478A1 (en) * | 2003-11-21 | 2005-05-26 | Peng-Cheng Shi | Method and apparatus for detecting electrostatic charges during semiconductor fabrication process |
JP2006284384A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
US7851794B2 (en) * | 2006-12-28 | 2010-12-14 | Formfactor, Inc. | Rotating contact element and methods of fabrication |
US20100194423A1 (en) * | 2007-09-28 | 2010-08-05 | Masamoto Tago | Apparatus and method for testing semiconductor and semiconductor device to be tested |
JP5067280B2 (ja) | 2008-06-25 | 2012-11-07 | 株式会社デンソー | 半導体ウエハ測定装置 |
US7872486B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Wing-shaped support members for enhancing semiconductor probes and methods to form the same |
CN201490168U (zh) * | 2009-04-03 | 2010-05-26 | 中茂电子(深圳)有限公司 | 具有静电放电装置的探针检测机台 |
WO2010141264A1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant wafer level probe assembly |
JP5414739B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2014-02-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体テスト治具 |
JP5687172B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法 |
JP5943742B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-07-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具およびそれを用いた半導体試験方法 |
JP6110086B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2017-04-05 | 株式会社日本マイクロニクス | 接触検査装置 |
US9000793B2 (en) * | 2012-11-15 | 2015-04-07 | Advantest America, Inc. | Fine pitch probes for semiconductor testing, and a method to fabricate and assemble same |
US9086433B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-07-21 | International Business Machines Corporation | Rigid probe with compliant characteristics |
US9354273B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-05-31 | Intel Corporation | Composite wire probe test assembly |
JP6084469B2 (ja) * | 2013-01-28 | 2017-02-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置および半導体評価方法 |
JP6480099B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2019-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体試験治具、測定装置、試験方法 |
TWI669761B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置 |
JP6285292B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-02-28 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカードおよび検査装置 |
JP6386923B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2018-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置およびチャックステージの検査方法 |
CN105988071B (zh) * | 2015-02-04 | 2020-04-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体测试设备及方法 |
CN204575802U (zh) * | 2015-05-13 | 2015-08-19 | 国网智能电网研究院 | 一种电力电子芯片的高压检测装置 |
-
2016
- 2016-12-22 JP JP2016248622A patent/JP6562896B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-15 US US15/677,245 patent/US10725086B2/en active Active
- 2017-12-22 CN CN201711405607.8A patent/CN108231618B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180180659A1 (en) | 2018-06-28 |
US10725086B2 (en) | 2020-07-28 |
CN108231618B (zh) | 2022-01-04 |
JP2018101759A (ja) | 2018-06-28 |
CN108231618A (zh) | 2018-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190625 |
|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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