CN101263569A - 电解质电容器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及具有高标称电压、低等效串联电阻、低剩余电流的电解质电容器的制备方法，由该方法制备的电解质电容器以及所述电解质电容器的应用。
Description
发明领域
本发明涉及具有高标称电压、低等效串联电阻和低剩余电流的电解质电容器的制备方法，由该方法制得的电解质电容器及所述电解质电容器的应用。
背景技术
市售固体电解质电容器通常包括：多孔金属电极、金属表面上的氧化物层、结合在多孔结构内的导电固体、外部电极(接头)如银层以及电接头和封套(encapsulation)
固体电解质电容器的例子有用电荷转移复合物、或软锰矿或聚合物固体电解质制备的钽、铝、铌和铌氧化物电容器。使用多孔主体的优点在于，高的表面积产生非常高的电容密度，即可在小空间内实现高电容。
π-共轭聚合物由于具有高的导电性而尤其适合用作固体电解质。π-共轭聚合物也称为导电聚合物或合成金属。因为聚合物在加工性能、重量以及通过化学修饰有目的地调节性质方面优于金属，所以它们在经济上的重要性日益突出。已知的π-共轭聚合物的例子有：聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚亚苯基和聚(p-亚苯基-亚乙烯基)，尤其重要的是聚噻吩，其中工业上应用的为聚-3，4-(亚乙基-1，2-二氧代)噻吩，常常也称为聚(3，4-亚乙基二氧代噻吩)，因为其氧化形式具有非常高的导电性。
电子领域的技术发展越来越需要具有非常低的等效串联电阻(ESR)的固体电解质电容器。其原因在于逻辑电压降低、集成密度提高和集成电路中的循环频率增加等。而且，低ESR还能降低能耗，尤其适用于利用电池工作的应用。所以，人们希望尽可能降低固体电解质电容器的ESR。
欧洲专利说明书EP-A-340 512描述了从3，4-亚乙基-1，2-二氧代噻吩制备固体电解质以及通过氧化聚合反应制备的其阳离子聚合物在电解质电容器中作为固体电解质的应用。聚(3，4-亚乙基二氧代噻吩)在固体电解质电容器中用作二氧化锰或电荷转移复合物的替代品，由于其较高的导电性而能够降低等效串联电阻并改善频率性质。
采用化学原位聚合反应的方法其类似方法的缺点在于，不能产生具有高标称电压、低ESR和低剩余电流的固体电解质电容器。
聚合物固体电解质沉积之后，通常必须再形成电容器的氧化物层，以获得低剩余电流，如EP-A 899 757所述。为此，将电容器浸渍到电解液中，施加对应于氧化物薄膜的阳极化电压的电压。
在最低具有16伏标称电压的聚合物电解质电容器的制备过程中，随着标称电压的增加，再形成氧化物层变得越发困难， 而最低标称电压为25伏时，要再形成氧化物层将难免严重损害ESR。在弱条件下进行再形成过程，即在远低于阳极化电压下进行再形成是一种解决办法。但是，这将导致电容器的可靠性降低。
电容器的击穿电压(击穿电压)是对可靠性的一种量度。击穿电压是指，电容器的电介质(氧化物层)不再能抵抗电场强度而在阳极和阴极之间放电，从而导致电容器短路的电压。击穿电压越高，电介质的质量越好，因而电容器也越可靠。电容器的击穿电压越高，可采用的标称电压也越高。
在低标称电压的聚合物电容器中，击穿电压接近阳极化电压，因而远高于标称电压，标称电压通常比阳极化电压低2-4倍。但是，在高标称电压的聚合物固体电解质电容器中，由于再形成期间的上述问题，击穿电压下降到显著低于阳极化电压。结果，电容器的可靠性降低。因此，人们希望增加击穿电压，从而增加聚合物固体电解质电容器的可靠性。
电子器件，例如汽车电子或电源元件中的滤压片等许多应用领域都需要使用高度可靠的具有高标称电压、低ESR和剩余电流的固体电解质电容器。
因此，需要具有高标称电压、低等效串联电阻(ESR)、低剩余电流的固体电解质电容器的合适的制备方法。
因此，本发明的目的是提供所述方法及经该方式改进的电容器。
我们意外地发现，使用包含平均粒径为1-100nm的导电聚合物颗粒的分散体来形成固体电解质，可得到所述电容器。
意外地，如果使用这些颗粒，就需要进行氧化物薄膜再形成步骤，相应地电容器将具有非常低的剩余电流。
发明内容
因此，本发明提供了电解质电容器的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：
a)电极材料的多孔电极体(2)经阳极氧化反应，形成覆盖电极材料表面的电介质(3)。
b)在多孔主体上施加分散体A)，所述多孔主体至少包括电极材料的多孔电极体(2)和电介质(3)，所述分散体A)至少包含导电聚合物的颗粒B)和分散剂D)，
c)为形成完全或部分覆盖电介质表面的固体电解质(4)，至少部分地去除和/或固化分散剂D)，
其特征在于，在多孔电极体(2)的阳极氧化期间，最大阳极化电压大于30伏，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的平均粒径为1-100nm。
经超速离心测量来确定颗粒B)的粒径。一般过程参见Colloid Polym.Sci.267，1113-1116(1989)。如果颗粒B)在分散体中溶胀，则在溶胀状态下测定粒径。颗粒B)的粒径分布与分散体中颗粒的重量分布有关。
所述方法中，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的平均粒径优选约为1-80nm，尤其优选1-50nm，更优选5-40nm。
所述方法中，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的粒径分布的d90值优选小于150nm，尤其优选小于100nm，更优选小于80nm，最优选小于50nm。
所述方法中，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的粒径分布的d10值优选大于1nm，尤其优选大于3nm，更优选大于5nm。
在本说明书中，粒径分布的d10值是指，分散体A)中导电聚合物颗粒B)全部重量的10％是粒径小于或等于d10值的那些颗粒B)。粒径分布的d90值是指，分散体A)中导电聚合物颗粒B)全部重量的90％是粒径小于或等于d90值的那些颗粒B)。
优选采用这样的分散体A)，其形成干态薄膜后，比电导率大于10S/cm，尤其优选大于20S/cm，更优选大于50S/cm，最优选大于100S/cm，在尤其优选的实施方式中，大于200S/cm。
众所周知，金属杂质，尤其是过渡金属杂质能破坏电容器中的电介质(氧化物薄膜)。为了防止这些金属杂质降低电容器的可靠性，优选几乎不含金属杂质的分散体A)。
所述方法中，优选分散体A)中金属阳离子的含量小于5,000mg/kg，尤其优选小于1,000mg/kg，更优选小于200mg/kg。
所述方法中，优选分散体A)中过渡金属的含量小于1,000mg/kg，尤其优选小于100mg/kg，更优选小于20mg/kg。
所述方法中，优选分散体A)中铁的含量小于1,000mg/kg，尤其优选小于100mg/kg，更优选小于20mg/kg。
分散体中金属浓度低具有较大的优势，在固体电解质形成期间及电容器后续操作期间，电介质不会遭到破坏。
在用本发明方法制备的电解质电容器中，电极材料形成具有高表面积的多孔主体，例如为多孔烧结主体或粗糙化薄膜的形式。下文中，该多孔主体也简称为电极体。
电介质覆盖的电极体在后文中也简称为氧化电极体。
被电介质覆盖且完全或部分地被固体电解质覆盖的电极体在后文中也简称为电容器主体。
电容器主体的外表面应理解为电容器主体的外部表面。
在本发明的内容中，术语聚合物包括具有一个以上相同或不同重复单元的所有化合物。
导电聚合物在这里应具体理解为氧化或还原后具有导电性的π-共轭聚合物类化合物。优选地，导电聚合物应理解为氧化后电导率至少为1μScm-1数量级的π-共轭聚合物。
分散体A)中导电聚合物颗粒B)优选包括任选地被取代的至少一种聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺。
尤其优选地，导电聚合物颗粒B)包括具有通式(I)或通式(II)的重复单元、或通式(I)和(II)的重复单元的至少一种聚噻吩：
式中，
A表示任选取代的C1-C5-亚烷基，
R表示任选取代的直链或支链C1-C18-烷基、任选取代的直链或支链C5-C12-环烷基、任选取代的直链或支链C6-C14-芳基、任选取代的直链或支链C7-C18-芳烷基、任选取代的直链或支链C1-C4-羟烷基或羟基，
x表示0-8的整数。
A结合有几个R基团时，它们可以相同或不同。
通式(I)和(II)应理解为，x个取代基R结合于亚烷基A。
尤其优选具有通式(I)、(II)的重复单元或通式(I)和(II)的重复单元的聚噻吩，其中，A表示任选取代的C2-C3-亚烷基，x表示0或1。
更优选任选取代的聚(3，4-亚乙基二氧代噻吩)作为固体电解质的导电聚合物。
在本发明的内容中，前缀聚-应理解为聚合物或聚噻吩中包含一个以上的相同或不同重复单元。聚噻吩总共包含n个通式(I)或通式(II)或通式(I)和(II)的重复单元，其中，n是2-2,000的整数，优选2-100。聚噻吩内通式(I)和/或(II)的重复单元在各种情况下可以相同或不同。优选在各种情况具有相同的通式(I)或(II)或(I)和(II)的重复单元的聚噻吩。
各种情况下，优选聚噻吩末端基团含H。
在本发明的内容中，C1-C5-亚烷基优选是亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基或正亚戊基。C1-C18-烷基R优选是直链或支链C1-C18-烷基，例如甲基、乙基、正丙基或异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丙基、1，1-二甲基丙基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C5-C12-环烷基R表示例如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基或环癸基，C5-C14-芳基R表示例如苯基或萘基，C7-C18-芳烷基R表示例如苄基、邻-、间-、对-甲苯基、2，3-、2，4-、2，5-、2，6-、3，4-、3，5-二甲苯基或三甲苯基。上述内容只是通过举例的方式说明本发明而并非覆盖所有情况。
在本发明的内容中，基团A和/或基团R的其他可能的任选取代基包括各种有机基团，例如烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、卤素、醚、硫醚、二硫化物、亚砜、砜、磺酸酯、氨基、醛、酮、羧酸酯、羧酸、碳酸酯、羧化物、氰基、烷基甲硅烷和烷氧基甲硅烷基团以及羧酰胺基团。
聚苯胺或聚吡咯可能的取代基包括例如上述基团A和R和/或基团A和R的进一步取代基。优选未取代的聚苯胺。
本发明的范围包括上述和下文所列的所有基团定义、参数和解释，它们具有普遍性或在彼此优选的范围内提及，就是说也包括具体范围和优选范围间的任何所需组合。
优选方法中用作固体电解质的聚噻吩可以是中性或阳离子的。在优选的实施方式中，它们是阳离子的，“阳离子”仅涉及聚噻吩主链上的电荷。根据基团R上的取代基，聚噻吩的结构单元中可携带正电荷或负电荷，正电荷位于聚噻吩主链上，负电荷任选地位于被磺酸酯或羧酸酯基团取代的基团R上。在该内容中，聚噻吩主链上的正电荷被基团R上任选存在的阴离子基团部分或完全饱和。整体来看，聚噻吩在上述情况下可以是阴离子性的、中性的甚至阴离子性的。但是，在本发明的内容中，它们都被视作阳离子聚噻吩，因为聚噻吩主链上正电荷是决定性的。通式中未示出正电荷，因为不能明确测定其精确数量和位置。然而，正电荷的数量至少为1且不大于n，n是聚噻吩内所有重复单元(相同或不同)的总数。
如果任选被磺酸酯或羧酸酯取代的负电荷基团R没能补偿正电荷，那么为了补偿正电荷，阳离子聚噻吩需要阴离子作为反离子。
反离子可以是单体或聚合阴离子，后者在下文中也称为聚阴离子。
聚合阴离子比单体阴离子更优选，因为它们有利于薄膜的形成，并且由于其尺寸而能够形成对热更稳定的导电薄膜。
聚合阴离子可以是，例如，聚合羧酸的阴离子，例如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚马来酸，或聚合磺酸，例如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯磺酸。这些聚羧酸和磺酸也可以是乙烯羧酸和乙烯磺酸与其它可聚合单体如丙烯酸酯和苯乙烯的共聚物。
所述颗粒B)中优选聚合羧酸或磺酸的阴离子作为聚合阴离子。
尤其优选聚苯乙烯磺酸(PSS)的阴离子作为聚合阴离子。
提供聚阴离子的聚酸的分子量优选为1,000-2,000,000，尤其优选2,000-500,000。聚酸或其碱金属盐可商业获得，例如聚苯乙烯磺酸和聚丙烯酸，或者可通过已知方法制备(例如参见Houben Weyl，Methoden der organischenChemie，第E 20卷Makromolekulare Stoffe，第2部分，(1987)，第1141页及以下)。
分散体A)可包含聚合阴离子和导电聚合物，具体重量比从0.5∶1到50∶1，优选从1∶1到30∶1，尤其优选2∶1到20∶1。假定聚合期间发生完全转化，导电聚合物的重量在这里对应于所用单体的重量。
作为单体阴离子形式的阴离子包括例如：C1-C20-烷磺酸的阴离子，例如甲烷-、乙烷-、丙烷-、丁烷-或更高级磺酸，例如十二烷基磺酸；脂肪族全氟磺酸的阴离子，例如三氟甲烷磺酸、全氟丁烷磺酸或全氟辛烷磺酸；脂肪族C1-C20-羧酸的阴离子，例如2-乙基己基羧酸；脂肪族全氟羧酸的阴离子，例如三氟乙酸或全氟辛酸；以及任选地被C1-C20-烷基基团取代的芳香族磺酸的阴离子，例如苯磺酸，o-甲苯磺酸，对甲苯磺酸或十二烷基苯磺酸；环烷磺酸的阴离子，例如樟脑磺酸或四氟硼酸酯、六氟磷酸酯、高氯酸酯、六氟锑酸酯、六氟砷酸酯或六氯锑酸酯。
优选对甲苯磺酸、甲磺酸或樟脑磺酸用作单体阴离子。
包含阴离子作为反离子以实现电荷补偿的阴离子聚噻吩常常也被本领域技术人员称为聚噻吩/(聚)阴离子复合物。
分散体A)可包含一种或多种分散剂D)。下述溶剂可用作分散剂D)：脂肪醇，例如甲醇、乙醇、异丙醇和丁醇；脂肪酮，例如丙酮和甲基乙基酮；脂肪族羧酸酯，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯；芳族烃，例如甲苯和二甲苯；脂族烃，例如己烷、庚烷和环己烷；氯代烃，例如二氯甲烷和二氯乙烷；脂族腈，例如乙腈；脂族亚砜和砜，例如二甲亚砜和环丁砜；脂族羧酸酰胺，例如甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺；以及脂族和芳族脂族(araliphatic)醚，例如二***和苯甲醚。水或水与上述有机溶剂的混合物也可用作分散剂D)。
优选的分散剂D)是水或其它质子溶剂，例如醇，如甲醇、乙醇、异丙醇和丁醇、以及水与这些醇的混合物，尤其优选的溶剂是水。
分散体A)还可包含其它成分，例如表面活性剂，如离子性和非离子性表面活性剂；或助粘剂，例如有机功能性甲硅烷或其水解产物，例如3-缩水甘油氧基丙基三烷氧基甲硅烷、3-氨基丙基三乙氧基甲硅烷、3-巯基丙基-三甲氧基甲硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基甲硅烷、乙烯基三甲氧基甲硅烷或辛基三乙氧基甲硅烷；交联剂，例如蜜胺化合物、掩蔽的异氰酸酯、功能性甲硅烷——例如四乙氧基甲硅烷、烷氧基甲硅烷水解产物，如基于四乙氧基甲硅烷或环氧化甲硅烷，如3-缩水甘油氧基丙基三烷氧基甲硅烷——聚氨基甲酸酯、聚丙烯酸酯或聚烯烃分散体。
分散体A)优选包含能增加导电性的其它添加剂，例如含醚基团的化合物如四氢呋喃，含内酯基团的化合物如γ-丁内酯和γ-戊内酯，含酰胺或内酰胺基团的化合物如己内酰胺、N-甲基己内酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺、N-甲基甲酰苯胺，N-甲基吡咯烷酮(NMP)，N-辛基吡咯烷酮和吡咯烷酮，砜和亚砜如环丁砜(四亚甲基砜)和二甲亚砜(DMSO)，糖或糖衍生物如蔗糖、葡萄糖、果糖和乳糖、糖醇如山梨糖醇和甘露醇，呋喃衍生物如2-呋喃羧酸和3-呋喃羧酸，和/或二元醇或多元醇如乙二醇、丙三醇以及二乙二醇和三乙二醇。尤其优选四氢呋喃、N-甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、乙二醇、二甲亚砜或山梨糖醇作为增加导电性的添加剂。
分散体A)还可包含一种或多种可溶解在有机溶剂中的有机粘合剂，如聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚乙烯基丁缩醛、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚丁二烯、聚异戊二烯、聚醚、聚酯、硅酮或苯乙烯/丙烯酸酯、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯和乙烯/乙酸乙烯酯共聚物；或水溶性粘合剂如聚乙烯醇。
分散体A)的pH为1-14，优选pH 1-8。对于腐蚀敏感性电介质如氧化铝或铌氧化物，为了不破坏电介质，优选pH 4-8的分散体。
分散体中可加入碱或酸来调节pH。优选这样的添加剂，它不会破坏分散体的成膜性，且在较高的温度下(例如焊接温度)不挥发，而是在所述条件下保留在固体电解质中，例如2-二甲基氨基乙醇、2，2′-亚氨基二乙醇或2，2′，2″-次氮基三乙醇等碱和聚苯乙烯磺酸等酸。
分散体A)的粘度为0.1-500mPa·s(20℃下测量，剪切速率100s-1)，具体取决于应用方法。优选地，粘度为1-200mPa·s，尤其优选1-100mPa·s，更优选3-50mPa·s。
附图简述
图1描述了固体电解质电容器的结构示意图，以钽电容器为例，包括
1电容器主体
5任选存在的导电外层
6石墨/银层
7至电极体2的导线接头
8外接头
9封套
10细节图
图2描绘了图1中细节图10的放大视图，示出了钽电容器的示意性层状结构，包括
10细节图
2多孔电极体(阳极)
3电介质
4固体电解质(阴极)
5任选存在的导电外层
6石墨/银层。
原则上，本发明电极电容器的制备过程如下：首先将具有高表面积的阀用金属粉末加压和浇注成多孔电极体。在该过程中，通常将电接触导线，优选阀用金属如钽的接触导线加压形成电极体。或者也可蚀刻金属薄膜来获取多孔薄膜。
然后，例如通过阳极氧化反应，用电介质(即氧化物层)来涂布电极体。随后，根据本发明将至少包含导电聚合物颗粒B)和分散剂D)的分散体A)施涂于氧化的电极体，分散剂D)至少部分地除去和/或固化以形成固体电解质。任选地将其它层(在图1和图2中称为导电外层(5))施加于电容器主体外层上。将带有优良导电层的覆盖层，如石墨和银，或金属阴极体，用作传导电流的电极。最后，接触和包封电容器。
电解质电容器的制备方法的特征在于，电极材料是阀用金属或优选具有与阀用金属相当的电学性质的化合物。
在本发明的内容中，阀用金属应理解为，这些金属的氧化物层不会产生沿两个方向相等的电流：如果对阳极施加电压，阀用金属的氧化物层将阻断电流，而对阴极施加电压时，出现高电流而破坏氧化物层。阀用金属包括Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和W以及至少一种所述金属与其它元素的合金或化合物。阀用金属的最常见例子是Al、Ta和Nb。具有相当于阀用金属的电学性质的化合物是指那些可被氧化且氧化物层具有上述性质的金属导电性化合物。例如，NbO具有金属导电性，但通常不视作阀用金属。然而，氧化的NbO层具有阀用金属氧化物层的典型性质，因而NbO或NbO与其它元素的合金或化合物是具有相当于阀用金属的电学性质的化合物的典型例子。
优选钽、铝等电极材料以及基于铌或铌氧化物的电极材料。
基于铌或铌氧化物的电极材料应理解为其中铌或铌氧化物代表着最高物质含量组分的材料。
基于铌或铌氧化物的电极材料优选是铌、NbO、铌氧化物NbOx(其中x可以是0.8到1.2的值)、铌氮化物、铌氧氮化物或这些材料的混合物，或至少一种上述材料与其它元素的合金或化合物。
优选的合金是与至少一种阀用金属如Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta或W的合金。
因此，术语“可氧化的金属”不仅指金属也指金属与其它元素的合金或化合物，只要它们具有金属导电性和可氧化性。
将粉末形式的可氧化的金属进行烧结以得到多孔电极体，或者可在金属体上压印多孔结构。后者可通过蚀刻薄膜来进行。
多孔电极体在合适的电解液中进行阳极氧化。合适的电解液包括例如稀酸，如磷酸、硫酸、硝酸、硼酸、醋酸或己二酸，或酸的盐溶液，如磷酸钠、醋酸钠、己二酸铵或四硼酸钠十水合物。电解液可包含添加剂或相对大量的(例如)醇(例如甲醇、乙醇、丁醇或二醇)或酮，以改善氧化物薄膜的性能。
对于阳极氧化反应，通过施加电压，氧化浸渍在电解液中的多孔电极体。电压(也称为阳极化电压)水平取决于所要获得的氧化物层的厚度或电容器的后续标称电压。
通常选择高于标称电压的阳极化电压，以确保电容器具有较低的剩余电流和较高的可靠性。优选比标称电压高但低于5倍的标称电压的阳极化电压，更优选比标称电压高但低于4倍的标称电压的阳极化电压，尤其优选比标称电压高但低于3倍的标称电压的阳极化电压，最优选比标称电压高但低于2倍的标称电压的阳极化电压。优选的阳极化电压为30-1,000V，更优选45-500V，尤其优选70-500V，最优选100-500V。
阳极氧化期间，阳极化电压可以恒定的或脉冲的，或者可逐渐增加。在本文中，出现的最大阳极化电压决定了氧化物薄膜的厚度。
氧化物薄膜厚度取决于层形成因子k，k是氧化物的特征，而最大阳极化电压由下式决定：
氧化物薄膜厚度＝k*最大阳极化电压
其中，最大阳极化电压以伏特表示，氧化物薄膜的层形成因子k以纳米/伏特表示。
例如，氧化铝的k约为1.2nm/V，氧化钽的k约为1.8nm/V，氧化铌的k约为2.8nm/V。
优选地，电极材料基于铝的电容器的氧化物薄膜厚度大于30nm，尤其优选大于50nm，更优选大于80nm，最优选大于110nm。
优选地，电极材料基于钽的电容器的氧化物薄膜厚度大于50nm，尤其优选大于80nm，更优选大于120nm，最优选大于170nm。
优选地，电极材料基于铌或氧化铌的电容器的氧化物薄膜厚度大于80nm，尤其优选大于130nm，更优选大于190nm，最优选大于260nm。
优选地，电极体的制备中采用荷质比为500-2,000,00μC/g的金属粉末，尤其优选荷质比为1,000-100,000μC/g，更优选荷质比为1,000-50,000μC/g。
在本说明书中，荷质比的计算公式如下：
荷质比＝(电容*阳极化电压)/氧化的电极体的重量
在本说明书中，所述电容得自氧化的电极在水性电解液中于120Hz下测定的电容。电解质的导电性足够高，使得120Hz下不会发生电解质电阻导致的电容下降。例如，采用浓度为18％的水性硫酸电解液进行测量。
所用电极体的孔隙率为10-90％，优选30-80％，更优选50-80％。
多孔电极体的平均孔径为10-10,000nm，优选50-5,000nm，更优选100-3,000nm。
因此，本发明尤其优选地提供了电解质电容器的制备方法，其特征在于，阀用金属或具有相当于阀用金属的电学性质的化合物是钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒、至少一种上述金属与其它元素的合金或化合物、NbO或NbO与其它元素的合金或化合物。
电介质优选包括电极材料的氧化物。任选地包含其它元素和/或元素。氧化的电极体的电容取决于电介质的表面积和厚度，以及电介质的性质。荷质比度量的是每单位重量的氧化电极体可容纳多少电荷。荷质比的计算公式如下：
荷质比＝(电容*标称电压)/氧化的电极体的重量
所述电容得自最终电容器在120Hz下测量的电容，标称电压指电容器的指定工作电压(额定电压)。氧化的电极体的重量是在无聚合物、接头和封套的情况下，覆盖了电介质的多孔电极材料的纯重量。
优选地，用本发明方法制备的电解质电容器的荷质比为100-100,000μC/g，尤其优选荷质比为500-75,000μC/g，更优选荷质比为500-30,000μC/g。
优选电解质电容器的标称电压大于15V，更优选标称电压大于19V，尤其优选标称电压大于24V，最优选标称电压大于34V。
用于制备分散体中导电聚合物颗粒B)的前体(在下文中也称为前体)应理解为表示相应的单体或其衍生物。也可采用各种前体的混合物。合适的单体前体包括：例如，任选取代的噻吩、吡咯或苯胺，优选任选取代的噻吩，尤其优选任选取代的3，4-亚烷基二氧噻吩。
可提及的取代的3，4-亚烷基二氧噻吩的例子包括通式(III)或(IV)的化合物或通式(III)和(IV)噻吩的混合物。
式中，
A代表任选取代的C1-C5-亚烷基，优选任选取代的C2-C3-亚烷基，
R代表任选取代的直链或支链C1-C18-烷基基团，优选任选取代的直链或支链C1-C4-烷基基团，任选取代的直链或支链C5-C12-环烷基基团，任选取代的直链或支链C6-C14-芳基基团，任选取代的直链或支链C7-C18-芳烷基基团，任选取代的直链或支链C1-C4-羟烷基基团，优选任选取代的直链或支链C1-C2-羟烷基基团，或羟基基团，
x代表0-8的整数，优选0-6，尤其优选0-1，
如果几个R基团结合于A，它们可相同或不同。
任选取代的3，4-亚乙基二氧噻吩是尤其优选的单体前体。
可提及的取代的3，4-亚乙基二氧噻吩的例子包括通式(V)的化合物，
式中，
R和x具有如通式(III)和(IV)中所述相同的含义。
在本发明的内容中，这些单体前体的衍生物应理解为这些单体前体的二聚体或三聚体。单体前体的较高分子量的衍生物，即四聚体、五聚体等也是可能的衍生物。
可提及的取代的3，4-亚烷基二氧噻吩的衍生物的例子包括通式(VI)的化合物，
式中，
n代表2-20的整数，优选2-6，尤其优选2或3，
A、R和x具有通式(III)和(IV)中所述相同的含义。
衍生物可由相同或不同的单体单元构建，可以纯的形式以及彼此之间的混合物和/或与单体前体的混合物的形式应用。在本发明的内容中，这些前体的氧化或还原形式也包括在术语“前体”的含义内，只要像上面列出的前体那样，它们在聚合期间形成相同的导电聚合物。
上述前体，尤其是噻吩，优选是3，4-亚烷基二氧噻吩，其可能的取代基是通式(III)和(IV)中针对R所提及的基团。
吡咯和苯胺的可能的取代基包括上述基团A和R和/或基团A和R的进一步取代基。
基团A和/或基团R任选可能的进一步取代基是通式(I)和(II)中提及的有机基团。
用于制备导电聚合物及其衍生物的单体前体的制备方法是本领域技术人员已知的，例如参见L.Groenendaal，F.Jonas，D.Freitag，H.Pielartzik & J.R.Reynolds，Adv.Mater.12(2000)481-494及本文引用的文献。
制备聚噻吩所需的通式(III)的3，4-亚烷基氧噻吩是本领域技术人员已知的，并可通过已知方法制备(例如，根据P.Blanchard，A.Cappon，E.Levillain，Y.Nicolas，P.Frère and J.Roncali，Org.Lett.4(4)，2002，p.607-609)。
在类似于诸如EP-A 440 957(US 5,300,575)所述的条件下，从上述前体制备分散体。对分散体制备的一个改良是使用离子交换剂来去除无机盐成分或其一部分。例如，所述改良可参见DE-A 19627071(US 6,376,105)。举例而言，离子交换剂可与产物一起进行搅拌，或者将产物转移到离子交换填充柱上。举例而言，采用离子交换剂可实现本文所述的低金属含量。
举例而言，脱盐后可采用高压匀浆器来降低分散体A)中颗粒B)的粒径。也可重复该过程以增加效果。已经证明，100到2,000bar的显著高压能显著降低粒径。
制备聚苯胺/聚阴离子或聚噻吩/聚阴离子复合物并随后制成在一种或多种溶剂中的分散体或再分散体也是可能的。
分散体A)中导电聚合物颗粒B)的固体含量为0.1-90重量％，优选0.5-30重量％，更优选0.5-10重量％。
导电聚合物颗粒B)优选形成稳定的分散体。但是，也可使用不稳定的分散体，只要在使用前搅拌、滚动或振摇以确保颗粒B)均匀分布。
可通过已知方法，例如通过旋涂、浸渍、倾倒、滴加、喷涂、雾化涂布、刮刀涂布、刷涂或印刷，例如喷墨印刷、滤网印刷、接触印刷或塞印刷(tamponprinting)，将分散体A)施涂于电极体的电介质上。
举例而言，可通过增加或降低压力、振动、超声或加热以促进分散体透入多孔电极体中。
可在电极体的电介质上直接进行施涂，或使用粘附促进剂进行施涂，所述粘附促进剂如甲硅烷，例如有机功能性的甲硅烷或其水解产物，例如3-缩水甘油氧基丙基三烷氧基甲硅烷、3-氨基丙基三乙氧基甲硅烷、3-巯基丙基三甲氧基甲硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基甲硅烷、乙烯基三甲氧基甲硅烷或辛基三乙氧基甲硅烷和/或一种或多种其它功能层。
施涂分散体A)之后，优选除去分散剂D)，以使颗粒B)与分散体中任选的其它添加剂形成固体电解质。然而，固体电解质中也可能残留至少一部分分散剂D)。根据分散剂D)的性质，它可完全固化，或者仅仅是经部分去除后残留的一部分固化。
施涂分散体后，分散剂D)的去除可通过在室温下简单蒸发来实现。然而，为了获得较高的处理速率，更优选在升高的温度下去除分散剂D)，例如20-300℃，优选40-250℃。热后处理可与溶剂的去除直接联合，或者可独立于分散体涂料的制备过程。
热处理的持续时间为5秒到几个小时，取决于涂布所用分散体的性质。热处理中也可采用不同温度及保持时间的温度曲线。
热处理的过程如下：例如，使涂布的氧化电极体通过处在所需温度下的加热室，移动的速率能使在选定的温度下达到所需的保持时间，或者使其与处在所需温度下的热板接触所需的保持时间。而且，热处理可在烘箱或几个不同温度的烘箱中进行。
根据氧化电极体的性质，宜将氧化电极体浸入分散体中几次，以获得较厚的聚合物层和/或较高的电介质表面覆盖。
优选地，分散体A)的涂布及分散剂D)的至少部分去除和/或固化进行几次。
在a)分散体的涂布与b)分散剂D)的至少部分去除和/或固化之间可任选地进行其它步骤。
作为任选的其它步骤，例如，可从氧化电极体上再去除一些分散体，可用相同或不同的分散体进行进一步的浸渍，用任选包含添加剂的相同或不同的溶剂进行漂洗，或者进行储存。
我们意外地发现，涂布之后和干燥之前，从氧化电极体的外表面去除分散剂可产生较高的覆盖率和较低的ESR，尤其在几次浸渍和干燥循环的情况下。
因此，优选以下方法：涂布分散体A)之后，尤其优选尽可能多地除去电极体外表面上的至少一些导电聚合物颗粒B)。这可通过例如漂洗、擦除、吹净、甩胶等方法实现。应用超声、热或辐射来除去外部聚合物膜也是可能的。优选用溶剂漂洗，尤其是用作分散剂的溶剂。
然而，至少部分地去除和/或固化分散剂D)之后，导电聚合物颗粒B)也可通过超声、激光束、溶剂或机械分离等方法从电极体的外表面上除去。
固体电解质对电介质的覆盖率的测定过程如下：在干和湿状态下，在120Hz下测定电容器的电容。覆盖率是指干状态电容与湿状态电容的比值，以百分比表示。干状态表示，电容器在升高的温度下(80-120℃)干燥几个小时然后测定。湿状态表示电容器在升高的压力下暴露在饱和大气湿度(例如蒸气压锅炉)中几个小时。该过程期间，蒸气透入没有被固体电解质覆盖的孔，在该处起到液体电解质的作用。
固体电解质对电介质的覆盖率优选大于50％，更优选大于70％，尤其优选大于80％。
制备固体电解质之后，可对电容器主体进一步涂布导电层，例如导电外层。优选地，涂布例如欧洲专利申请EP-A 1 524 678(US 6,987,663)所述的聚合物外层。具有优良导电性的其它层，例如石墨和/或银层可用作集电器。最后，接触并包封电容器。
我们意外地发现，本发明方法制备的电容器比原位聚合方法制备的电容器具有显著更高的击穿电压。
本发明电容器的击穿电压优选大于电容器标称电压的150％，更优选大于标称电压的200％，尤其优选大于标称电压的250％。
本发明电容器的击穿电压优选大于电极体阳极化电压的40％，更优选大于阳极化电压的50％，尤其优选大于阳极化电压的60％，最优选大于阳极化电压的75％。
击穿电压(伏)与氧化物薄膜厚度d(纳米)和氧化物的层形成因子k(纳米/伏)之商的比值τ表示击穿电压与阳极化电压的比值，是电容器可靠性的量度：
τ＝击穿电压/(d/k)
优选地，标称电压大于15V、具有包含导电聚合物的固体电解质的电解质电容器的特征在于，τ值大于0.4，优选大于0.5，更优选大于0.6，最优选大于0.75。
因此，本发明方法提供了具有高标称电压的固体电解质电容器的可能的制备方法，制备这样的固体电解质电容器是迄今为止用固体电解质的原位聚合方法所不能实现的。本发明方法制备的电容器的突出特征在于其具有低等效串联电阻(ESR)、低剩余电流和高击穿电压。
基于低剩余电流和低ESR，本发明制备的电解质电容器尤其适合用作要求高标称电压的电子电路元件，例如在汽车电子设备、电源和发动机的控制***。本发明还提供了其应用。优选在电子电路中的应用，所述电路存在于例如计算机(台式、膝上型、服务器)、计算机***设备(例如PC卡)、便携式电子设备(例如手机、数码相机或电子娱乐***)、电子娱乐***设备(例如CD/DVD播放器和计算机游戏控制台)、导航***、电信设备、家用电器、电源或汽车电子设备。
下面的实施例是为了通过例子的方式阐述本发明而不应解释为限制性的。
实施例
实施例1：
首先将868克去离子水和330克平均分子量为70,000、固体含量为3.8重量％的的聚苯乙烯磺酸水溶液引入带有搅拌器和内部温度计的2升三颈烧瓶中。反应温度保持在20到25℃之间。加入5.1克3，4-亚乙基二氧噻吩，同时搅拌。将该溶液搅拌30分钟，然后加入0.03克硫酸铁(III)和9.5克过硫酸钠，将该溶液再搅拌24小时。
反应结束后，为除去无机盐，加入100毫升强酸性阳离子交换剂和250毫升弱碱性阴离子交换剂，将所得溶液再搅拌2小时。滤去离子交换剂。用高压匀浆器，在700bar的压力下，将聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯分散体匀浆化10次。然后，将分散体浓缩至固体含量1.6％。
用上述方法制备的分散体A)-1具有以下粒径分布：
d10 19nm
d50 26nm
d90 40nm
导电聚合物颗粒B)的直径是基于分散体中颗粒B)的重量分布与粒径的函数。通过超速离心测量进行确定。测定溶胀状态下的颗粒粒径。
在100Hz剪切速率和20℃下，分散体的粘度为26mPa*s。对分散体A)-1中金属含量的ICP分析得到以下结果：
钠(Na)：110mg/kg
镁(Mg)：0.58mg/kg
铝(Al)：1.0mg/kg
硅(Si)：1.2mg/kg
磷(P)： 5.9mg/kg
钾(K)： 0.53mg/kg
钙(Ca)：3.9mg/kg
铬(Cr)：0.16mg/kg
铁(Fe)：0.89mg/kg
锌(Zn)：＜0.01mg/kg
实施例2：
将5克二甲亚砜(DMSO)加入到100克实施例1的分散体A)中，搅拌该混合物形成分散体A)-2。通过旋涂机(Chemat Technology KW-4A)以1,000rpm的速率持续旋涂5秒，将此分散体A)-2的一部分旋涂到玻璃显微镜载玻片(26毫米*26毫米*1毫米)上。120℃下干燥样品10分钟。然后用导电银涂布显微镜载玻片的两个相对边缘。导电银干燥之后，使两个银条相接触并用Keithley199万用表测定表面电阻。用Tencor Alpha Step 500断面测量仪测定层厚度。根据公式σ＝1/(Rs*d)，由表面电阻和层厚度d确定比电导率σ。层厚度为120nm，比电导率为483S/cm。
实施例3：
3.1氧化电极体的制备
将包含钽线7的、比电容为30,000μFV/g的钽粉末压制成块并烧结，以形成4.25毫米*3毫米*1毫米的尺寸。多孔电极体(2)的平均孔径为960nm，使之于150V下在磷酸电解液中阳极化，以形成电介质，对应于氧化物薄膜厚度约270nm。
3.2由本发明方法制备固体电解质
将100克实施例1的分散体A)-1、4克二甲亚砜(DMSO)和0.5克3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基甲硅烷(Silquest A-187，OSi Specialties)在玻璃烧杯中用搅拌器剧烈混合，以形成分散体A)-3。
将氧化的电极体浸渍到该分散体A)-3中1分钟。然后将浸渍的电极体在流水下冲洗，以除去电极体外表面上的分散体A)-3。然后，在120℃下干燥10分钟。将浸渍、冲洗和干燥步骤再进行9次。
3.3聚合物外层的制备
a)分散体A)-4的制备
首先将868克去离子水和330克平均分子量为70,000、固体含量为3.8重量％的聚苯乙烯磺酸水溶液引入一带有搅拌器和内部温度计的2升三颈烧瓶中。将反应温度保持在20-25℃。加入5.1克3，4-亚乙基二氧噻吩，同时搅拌。将该溶液搅拌30分钟，然后加入0.03克硫酸铁(III)和9.5克过硫酸钠，将溶液再搅拌24小时。反应结束后，为除去无机盐，加入100毫升强酸性阳离子交换剂和250毫升弱碱性阴离子交换剂，将所得溶液再搅拌2小时。滤去离子交换剂。
b)PEDT/甲苯磺酸酯粉末的制备
首先将2.5升去离子水引入5升带有搅拌器和温度计的玻璃反应器中。引入214.2克对甲苯磺酸一水合物和2.25克硫酸铁(III)七水合物，同时搅拌。完全溶解后，加入85.8克3，4-亚乙基二氧噻吩并将混合物搅拌30分钟。然后引入192.9克过氧化二硫酸钠，同时搅拌。混合物在室温下再搅拌24小时。反应结束后，在瓷吸滤器上滤去PEDT/甲苯磺酸酯粉末，用3升去离子水洗涤，最后在100℃下干燥6小时，得到89克蓝-黑色的PEDT-甲苯磺酸酯粉末。
将180克PEDT/PSS分散体A)-4、10克磺基聚酯(Eastek 1100，Eastman)、8克二甲亚砜、1克3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基甲硅烷(Silquest A-187，OSiSpecialties)和0.4克润湿剂(Dynol 604，Air Products)在玻璃烧杯中用搅拌器剧烈混合1小时。然后通过球磨溶解装置分散2克PEDT/甲苯磺酸酯粉末。为此，加入300克锆氧化物球珠(
1mm)，混合物在7,000rpm下搅拌1小时，同时用水冷却。最后，在0.8μm筛网上分离研磨球珠。所得分散体A)-5的固体含量为4.7％。
将来自3.2的电容器主体浸渍到该分散体A)-5中，然后在120℃下干燥10分钟。最后，用石墨和银层涂布电极体。
测定所得9个电容器的电学性质均值：
电容： 9.3μF
ESR： 53mΩ
40V标称电压下的剩余电流： ＜0.1μA
电容在120Hz下测定，等效串联电阻(ESR)在100kHz下通过LCR测定仪(Agilent 4284A)测定。施加40伏电压3分钟后，用Keithley 199万用表测定剩余电流。剩余电流低于万用表的检测限0.1μA。
然后测定所制备的18个电容器的击穿电压。为此，每个电容器都接上一个1,000Ω的串联电阻器，并且施加从0V开始升高的电压，电压升高步阶为1V/s。用Keithley 199万用表测定产生的电流。将电流增加至超过500μA时的电压值称为击穿电压。
18个电容器的平均击穿电压为119V。
对比例1：
类似于实施例3.1制备18个阳极化的电极体。这些电极体通过化学原位聚合方法涂布固体电解质。
为此，制备了以下溶液，该溶液包含1重量份数的3，4-亚乙基二氧噻吩(BAYTRON
M，H.C.S.G.公司(H.C.Starck GmbH))和20重量份数的浓度为40重量％的对甲苯磺酸铁(III)的乙醇溶液(BAYTRON
C-E，H.C.S.G.公司(H.C.Starck GmbH))。
该溶液用于浸渍所述18个阳极化电极体(2)。将电极体(2)浸渍到该溶液中，然后在室温(20℃)下干燥30分钟。随后，在50℃干燥箱中热处理30分钟。然后，将电极体在浓度为2重量％的对甲苯磺酸水溶液中浸渍60分钟。
然后，电极体在浓度为0.25重量％的对甲苯磺酸水溶液中再形成30分钟。但是，不可能按照需要将再形成电压设置成150V阳极化电压的水平。为了实现75-100V的再形成电压(已明显较低)，每个电极体的再形成电流应显著增加以至于损害电极体，因为电流不再随时间降低。而且，随着再形成电压的增加，电极体上发生明显放气。
对于150V阳极化电压、40V标称电压的电极体，用原位聚合方法制备固体电解质是不可能的。
实施例4：
4.1氧化电极体的制备
将包含钽线7的、比电容为30,000μFV/g的钽粉末压制成块并烧结，以形成4.25毫米*3毫米*1毫米的尺寸。多孔电极体(2)的平均孔径为960nm，使之于100V下在磷酸电解液中阳极化，以形成电介质，对应于氧化物薄膜厚度约180nm。
4.2由本发明方法制备固体电解质
类似于实施例3.2，进行固体电解质的制备。
4.3聚合物外层的制备
类似于实施例3.3，进行聚合物外层的制备。最后，用石墨和银层涂布电极体。
电容器的电学性质参见表1。
对比例2：
类似于实施例4.1制备9个阳极化的电极体。这些电极体通过化学原位聚合方法涂布固体电解质。
为此，制备了以下溶液，该溶液包含1重量份数的3，4-亚乙基二氧噻吩(BAYTRONM，H.C.S.G.公司(H.C.Starck GmbH))和20重量份数的40重量％强度的铁(III)对甲苯磺酸酯的乙醇溶液(BAYTRONC-E，H.C.S.G.公司(H.C.Starck GmbH))。
该溶液用于浸渍所述9个阳极化电极体(2)。将电极体(2)浸渍到该溶液中，然后在室温(20℃)下干燥30分钟。随后，将它们在50℃干燥箱中热处理30分钟。然后，将电极体在浓度为2重量％的对甲苯磺酸水溶液中浸渍60分钟。在50V、9mA下，电极体在浓度为0.25重量％的对甲苯磺酸水溶液中再形成30分钟，然后在蒸馏水中漂洗并干燥。所述浸渍、干燥、热处理和再形成步骤对同一电极体再进行2次。
然后类似于实施例4.3，形成电容器主体的聚合物外层。最后，用石墨和银层涂布电极体。
电容器的电学性质参见表1。
对比例3：
类似于对比例2，制备9个电容器，只是将再形成电压设置为75V。由此产生的电流为72mA。
电容器的电学性质参见表1。
对比例4：
类似于对比例2，制备9个电容器，但不进行再形成步骤。
电容器的电学性质参见表1。
表1：
| 实施例4 | 对比例2 | 对比例3 | 对比例4 | |
| 电容[μF] | 15 | 15 | 14 | 15 |
| ESR[mΩ] | 39 | 32 | 500 | 38 |
| 击穿电压[V] | 96 | 62 | 89 | 0 |
电容在120Hz下测定，等效串联电阻(ESR)在100kHz下通过LCR测定仪(Agilent 4284A)测定。击穿电压的测定类似于实施例3。
所有电容器具有相似的电容。但是实施例4的电容器具有低ESR和高击穿电压的突出特征，因而可靠性高。因此，它们适应最高达约50V的标称电压。另一方面，对比例的电容器仅具有低ESR或高击穿电压，但不能同时具备这两种特征。
对比例4的电容器因为没有再形成过程而短路，因此其击穿电压为0V。这些电容器不能使用。
在50V下进行再形成，能够将对比例2的击穿电压提高到62V，但仍然远低于100V的阳极化电压，所以对比例2的电容器在高标称电压下的可靠性低。
在对比例3中，在75V下进行再形成可显著提高击穿电压，但固体电解质被破坏，导致ESR增加超过一个数量级。结果，这些电容器也不能使用。
比较表明，化学原位聚合方法不能制备具有高标称电压的聚合物固体电解质电容器。然而，用本发明方法是可能制备的。
Claims (36)
1.一种电解质电容器的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：
a)使电极材料的多孔电极体(2)经阳极氧化反应以形成覆盖该电极材料表面的电介质(3)；
b)在多孔主体上施加分散体A)，所述多孔主体至少包括电极材料的多孔电极体(2)和电介质(3)，所述分散体A)至少包含导电聚合物的颗粒B)和分散剂D)，
c)为形成完全或部分覆盖电介质表面的固体电解质(4)，至少部分地去除和/或固化分散剂D)，
其特征在于，多孔电极体(2)在阳极氧化期间的最大阳极化电压大于30V，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的平均粒径为1-100nm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，由颗粒B)所得薄膜在干状态下的比电导率大于10S/cm。
3.如权利要求1-2中至少一项所述的方法，其特征在于，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的直径分布的d90值小于150nm。
4.如权利要求1-3中至少一项所述的方法，其特征在于，分散体A)中导电聚合物颗粒B)的直径分布的d10值大于1nm。
5.如权利要求1-4中至少一项所述的方法，其特征在于，分散体A)中金属阳离子的含量小于5,000mg/kg。
6.如权利要求1-5中至少一项所述的方法，其特征在于，分散体A)中过渡金属的含量小于1,000mg/kg。
7.如权利要求1-6中至少一项所述的方法，其特征在于，分散体A)中铁含量小于1,000mg/kg。
8.如权利要求1-7中至少一项所述的方法，其特征在于，导电聚合物颗粒B)包括任选取代的聚噻吩、聚吡咯或聚苯胺中的至少一种。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，导电聚合物颗粒B)包括具有通式(I)或通式(II)的重复单元或通式(I)和(II)的重复单元的至少一种聚噻吩，
式中，
A表示任选取代的C1-C5-亚烷基，
R表示任选取代的直链或支链C1-C18-烷基、任选取代的直链或支链C5-C12-环烷基、任选取代的直链或支链C6-C14-芳基、任选取代的直链或支链C7-C18-芳烷基、任选取代的直链或支链C1-C4-羟烷基或羟基，
x表示0-8的整数，
如果A结合有几个R基团，这些基团可以相同或不同。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述颗粒B)中包含的导电聚合物是聚(3，4-亚乙基二氧代噻吩)。
11.如权利要求1-10中至少一项所述的方法，其特征在于，所述颗粒B)还包含至少一种聚合阴离子。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述聚合阴离子是聚合羧酸或磺酸，优选聚苯乙烯磺酸的阴离子。
13.如权利要求1-12中至少一项所述的方法，其特征在于，所述分散体A)包含有机溶剂、水或有机溶剂与水的混合物作为分散剂D)。
14.如权利要求1-13中至少一项所述的方法，其特征在于，所述分散体A)还包含交联剂和/或表面活性物质和/或其它添加剂。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述分散体A)还包含以下添加剂化合物：醚、内酯、酰胺或内酰胺基团、砜、亚砜、糖、糖衍生物、糖醇、呋喃衍生物和/或二元醇或多元醇。
16.如权利要求1-15中至少一项所述的方法，其特征在于，如果电介质对pH敏感，将所述分散体A)的pH调节至4-8。
17.如权利要求1-16中至少一项所述的方法，其特征在于，在20℃和100s-1的剪切速率下测得的所述分散体A)的粘度为1-200mPa·s。
18.如权利要求1-17中至少一项所述的方法，其特征在于，所述电极体(2)的电极材料是阀用金属或具有相当于阀用金属的电学性质的化合物。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述阀用金属或具有相当于阀用金属的电学性质的化合物是钽、铌、铝、钛、锆、铪、钒、至少一种上述金属与其它元素的合金或NbO或NbO与其它元素的合金或化合物。
20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于，所述电极材料基于铌或NbO。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述基于铌或铌氧化物的电极材料是：铌，NbO，铌氧化物NbOx，其中x是0.8-1.2的值，铌氮化物，铌氮氧化物或这些材料的混合物或至少一种所述材料与其它元素的合金或化合物。
22.如权利要求1-21中至少一项所述的方法，其特征在于，所述电介质是阀用金属的氧化物或具有相当于阀用金属的电学性质的化合物的氧化物。
23.如权利要求1-22中至少一项所述的方法，其特征在于，将施加分散体A)及至少部分地去除和/或固化分散剂的步骤进行几次。
24.如权利要求1-23中至少一项所述的方法，其特征在于，施加分散体A)之后，除去至少一些导电聚合物颗粒B)，所述导电聚合物颗粒位于被电介质覆盖的电极体外表面上。
25.如权利要求1-24中至少一项所述的方法，其特征在于，施加分散体A)和形成固体电解质之后，电容器任选地再形成导电外部接头(5、6、8)，并且任选完成接触和包封。
26.用如权利要求1-25中至少一项所述方法制备的电解质电容器。
27.如权利要求26所述的电解质电容器，其特征在于，以被电介质覆盖的电极体的重量计，所述电解质电容器的荷质比为100-100,000μC/g。
28.如权利要求26-27中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电解质电容器的标称电压大于15V。
29.如权利要求26-28中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电解质电容器的击穿电压大于标称电压的150％。
30.如权利要求26-29中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电解质电容器的击穿电压大于阳极化电压的40％。
31.标称电压大于15V、具有含导电聚合物的固体电解质的电解质电容器，其特征在于，用伏特表示的其击穿电压与用纳米表示的氧化物薄膜厚度和用纳米/伏特表示的氧化物层形成因子之商的比值大于0.4。
32.如权利要求26-31中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电极材料基于铝，电介质的厚度大于30nm。
33.如权利要求26-31中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电极材料基于钽，电介质的厚度大于50nm。
34.如权利要求26-31中至少一项所述的电解质电容器，其特征在于，所述电极材料基于铌或铌氧化物，电介质的厚度大于80nm。
35.如权利要求26-34中至少一项所述的电解质电容器在电子电路中的应用。
36.包括如权利要求26-34中至少一项所述的电解质电容器的电子电路。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403135A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | Avx公司 | 湿式电解电容器阴极的形成技术 |
| CN102403129A (zh) * | 2010-08-03 | 2012-04-04 | Avx公司 | 机械稳定的固体电解电容器组件 |
| CN102646515A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 三洋电机株式会社 | 电解电容器及电解电容器的制造方法 |
| CN103295792A (zh) * | 2012-03-01 | 2013-09-11 | Avx公司 | 超高压固体电解电容器 |
| CN103429796A (zh) * | 2011-03-06 | 2013-12-04 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 借助聚甘油提高包含pedot/pss作为固体电解质的电容器的电参数的方法 |
| CN105761937A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-07-13 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
| CN105761938A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-07-13 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005043828A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| DE102005043829A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| US7563290B2 (en) * | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
| JP4737775B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2011-08-03 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE102007048212A1 (de) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
| JP4873572B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-02-08 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
| JP5243067B2 (ja) | 2008-03-10 | 2013-07-24 | 日機装株式会社 | 導電性ポリマーの導電性向上方法 |
| US8094434B2 (en) | 2008-04-01 | 2012-01-10 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
| DE102008024805A1 (de) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| DE102008032578A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
| CN101350253B (zh) * | 2008-09-17 | 2011-03-23 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种固体电解电容器及其制造方法 |
| DE102009007594A1 (de) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht. |
| US8310815B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors |
| JP5308982B2 (ja) | 2009-10-06 | 2013-10-09 | 信越ポリマー株式会社 | 固体電解キャパシタ及びその製造方法並びに固体電解キャパシタ用溶液 |
| US8194395B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
| US8125768B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-02-28 | Avx Corporation | External coating for a solid electrolytic capacitor |
| JP5444057B2 (ja) | 2010-03-16 | 2014-03-19 | 信越ポリマー株式会社 | 固体電解キャパシタ及びその製造方法並びに固体電解キャパシタ用溶液 |
| US8279584B2 (en) | 2010-08-12 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly |
| US8824121B2 (en) * | 2010-09-16 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor |
| US8605411B2 (en) * | 2010-09-16 | 2013-12-10 | Avx Corporation | Abrasive blasted conductive polymer cathode for use in a wet electrolytic capacitor |
| US9508491B2 (en) | 2010-10-01 | 2016-11-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method for improving electrical parameters in capacitors comprising PEDOT/PSS as a solid electrolyte through a polyalkylene glycol |
| DE102010047087A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch ein Polyalkylenglykol |
| US8824122B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications |
| US8848342B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-30 | Avx Corporation | Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors |
| JP5807997B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2015-11-10 | テイカ株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US8576543B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-11-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt |
| US8493713B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-23 | Avx Corporation | Conductive coating for use in electrolytic capacitors |
| DE102011013068A1 (de) | 2011-03-06 | 2012-09-06 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Kenngrößen in Kondensatoren enthaltend PEDOT/PSS als Feststoffelektrolyt durch Polyglycerin |
| US8451588B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-05-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion |
| CN102959659B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-01-14 | 松下电器产业株式会社 | 电解电容器的制造方法 |
| US8947857B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-02-03 | Avx Corporation | Manganese oxide capacitor for use in extreme environments |
| US8300387B1 (en) | 2011-04-07 | 2012-10-30 | Avx Corporation | Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability |
| US9767964B2 (en) | 2011-04-07 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly |
| US8379372B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-02-19 | Avx Corporation | Housing configuration for a solid electrolytic capacitor |
| WO2013106659A1 (en) | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with integrated fuse assembly |
| US11482382B2 (en) | 2012-02-27 | 2022-10-25 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor and process for forming an electrolytic capacitor |
| US10643796B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-05-05 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer dispersion with enhanced coverage |
| US10879010B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-12-29 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower ESR |
| US8971019B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene) |
| JP2013219362A (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Avx Corp | 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ |
| US9776281B2 (en) | 2012-05-30 | 2017-10-03 | Avx Corporation | Notched lead wire for a solid electrolytic capacitor |
| RU2528010C2 (ru) * | 2012-07-18 | 2014-09-10 | Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Физико-Технический Институт (Государственный Университет)" | Твердотельный суперконденсатор на основе многокомпонентных оксидов |
| DE102013213723A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
| DE102013213720A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator |
| DE102013213728A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Nichtionisches Tensid zur Verwendung in einem festen Elektrolyten eines Elektrolytkondensators |
| US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
| JP5933397B2 (ja) | 2012-08-30 | 2016-06-08 | エイヴィーエックス コーポレイション | 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ |
| DE102012018978A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verwendung von PEDOT/PSS-Dispersionen mit hohem PEDOT-Anteil zur Herstellung von Kondensatoren und Solarzellen |
| JP6180010B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2017-08-16 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| GB2512480B (en) | 2013-03-13 | 2018-05-30 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions |
| US9324503B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| DE102013004526A1 (de) | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | PEDOT/Tensid-Komplexe |
| US9472350B2 (en) | 2013-05-13 | 2016-10-18 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating |
| GB2517019B (en) | 2013-05-13 | 2018-08-29 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles |
| GB2514486B (en) | 2013-05-13 | 2018-08-29 | Avx Corp | Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer |
| US9236192B2 (en) | 2013-08-15 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Moisture resistant solid electrolytic capacitor assembly |
| US9269499B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-02-23 | Avx Corporation | Thin wire/thick wire lead assembly for electrolytic capacitor |
| US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
| US9589733B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Avx Corporation | Stable solid electrolytic capacitor containing a nanocomposite |
| JP6589142B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2019-10-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
| EP2950317B1 (en) * | 2014-05-30 | 2017-08-23 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers |
| US9916935B2 (en) | 2014-11-07 | 2018-03-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency |
| US9837216B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-12-05 | Avx Corporation | Carrier wire for solid electrolytic capacitors |
| EP3037497A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing functionalized polythiophenes |
| US10014108B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-07-03 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly |
| US10297393B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-05-21 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage capacitor assembly |
| US9928963B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-03-27 | Avx Corporation | Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly |
| US9754730B2 (en) | 2015-03-13 | 2017-09-05 | Avx Corporation | Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing |
| US10074487B2 (en) | 2015-05-18 | 2018-09-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor having a high capacitance |
| US9972444B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions |
| US9767963B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
| US9672989B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere |
| US9991055B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-06-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures |
| US9842704B2 (en) | 2015-08-04 | 2017-12-12 | Avx Corporation | Low ESR anode lead tape for a solid electrolytic capacitor |
| US9905368B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-02-27 | Avx Corporation | Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors |
| JP6740579B2 (ja) * | 2015-08-12 | 2020-08-19 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
| DE112016005410T5 (de) * | 2015-11-27 | 2018-09-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Elektrolytkondensator und Verfahren zur seiner Herstellung |
| CN108369869B (zh) * | 2015-12-15 | 2021-06-11 | 凯米特电子公司 | 覆盖率提高的导电聚合物分散体 |
| US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US10763046B2 (en) | 2016-09-15 | 2020-09-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US11387047B2 (en) | 2016-10-18 | 2022-07-12 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high temperatures and voltages |
| JP7209631B2 (ja) | 2016-10-18 | 2023-01-20 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 固体電解キャパシタアセンブリ |
| US10741333B2 (en) | 2016-10-18 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| US10431389B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-10-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for high voltage environments |
| US10737101B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-08-11 | Avx Corporation | Medical device containing a solid electrolytic capacitor |
| US10832871B2 (en) | 2016-11-14 | 2020-11-10 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor for an implantable medical device |
| US10504657B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-12-10 | Avx Corporation | Lead wire configuration for a solid electrolytic capacitor |
| EP3593367A4 (en) | 2017-03-06 | 2021-01-20 | AVX Corporation | SOLID ELECTROLYTE CONDENSER ASSEMBLY |
| CN110720131B (zh) | 2017-07-03 | 2022-05-31 | 京瓷Avx元器件公司 | 固体电解质电容器组件 |
| CN110730995A (zh) * | 2017-07-03 | 2020-01-24 | 阿维科斯公司 | 包含纳米涂层的固体电解质电容器 |
| US10957493B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-03-23 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor for an implantable medical device |
| WO2019199485A1 (en) | 2018-04-13 | 2019-10-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing an adhesive film |
| US11049664B2 (en) | 2018-04-13 | 2021-06-29 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film |
| KR102412561B1 (ko) | 2018-04-13 | 2022-06-23 | 교세라 에이브이엑스 컴포넌츠 코포레이션 | 순차적으로 증착된 내부 전도성 폴리머 필름을 포함하는 고체 전해 커패시터 |
| EP3811390A4 (en) | 2018-06-21 | 2022-05-04 | KYOCERA AVX Components Corporation | SOLID ELECTROLYTE CAPACITOR WITH STABLE ELECTRICAL PROPERTIES AT HIGH TEMPERATURES |
| CN112889123A (zh) | 2018-08-10 | 2021-06-01 | 阿维科斯公司 | 包含本征导电聚合物的固体电解电容器 |
| WO2020033817A1 (en) | 2018-08-10 | 2020-02-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing polyaniline |
| JP7442500B2 (ja) | 2018-08-10 | 2024-03-04 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | 導電性ポリマー粒子から形成される固体電解キャパシタ |
| US11081288B1 (en) | 2018-08-10 | 2021-08-03 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic |
| WO2020112954A1 (en) | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a sequential vapor-deposited dielectric film |
| US11380492B1 (en) | 2018-12-11 | 2022-07-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| CN118213199A (zh) | 2018-12-11 | 2024-06-18 | 京瓷Avx元器件公司 | 含有本征导电聚合物的固体电解电容器 |
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
| DE112020002428T5 (de) | 2019-05-17 | 2022-01-27 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator |
| US11315740B2 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-26 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| CN113678217B (zh) | 2019-05-17 | 2023-06-23 | 京瓷Avx元器件公司 | 抗分层固体电解电容器 |
| DE112020004416T5 (de) | 2019-09-18 | 2022-06-15 | KYOCERA AVX Components Corporation | Festelektrolytkondensator zur Verwendung bei hohen Spannungen |
| JP7417714B2 (ja) | 2019-09-18 | 2024-01-18 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | バリヤ被覆を含む固体電解キャパシタ |
| DE112020006028T5 (de) | 2019-12-10 | 2022-10-06 | KYOCERA AVX Components Corporation | Festelektrolytkondensator, der eine Vorbeschichtung und ein intrinsisch leitfähiges Polymer enthält |
| US11756742B1 (en) | 2019-12-10 | 2023-09-12 | KYOCERA AVX Components Corporation | Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures |
| US11776759B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-10-03 | KYOCER AVX Components Corporation | Tantalum capacitor with increased stability |
| CN115699234A (zh) * | 2020-02-06 | 2023-02-03 | 萨拉斯微设备股份有限公司 | 改性的金属箔电容器及制造其的方法 |
| US11763998B1 (en) | 2020-06-03 | 2023-09-19 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor |
| US11631548B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-04-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier |
| US11837415B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-12-05 | KYOCERA AVX Components Corpration | Solid electrolytic capacitor |
| US12002631B2 (en) | 2021-10-20 | 2024-06-04 | KYOCERA AVX Components Corporation | Electrodeposited dielectric for a solid electrolytic capacitor |
| DE102022104622B4 (de) | 2022-02-25 | 2023-11-30 | Tdk Electronics Ag | Hybrid-Polymer-Kondensator |
| WO2024111506A1 (ja) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ |
Family Cites Families (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3398067A (en) * | 1964-11-03 | 1968-08-20 | Army Usa | Method of making thin film capacitor |
| US3671410A (en) * | 1970-02-16 | 1972-06-20 | Philip Morris Inc | Method for making metal oxide membranes |
| DE3814730A1 (de) | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
| DE59010247D1 (de) * | 1990-02-08 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung |
| JPH04239715A (ja) * | 1991-01-23 | 1992-08-27 | Nec Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| US5538811A (en) * | 1992-07-23 | 1996-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ionic conductive polymer electrolyte |
| TW278096B (zh) * | 1992-09-24 | 1996-06-11 | Dsm Nv | |
| JP2765462B2 (ja) * | 1993-07-27 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH07118370A (ja) * | 1993-10-27 | 1995-05-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ピロール系重合体微粒子およびその製造方法 |
| JP2765453B2 (ja) * | 1993-11-04 | 1998-06-18 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH07135126A (ja) * | 1993-11-10 | 1995-05-23 | Nec Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2818110B2 (ja) * | 1994-04-05 | 1998-10-30 | 積水化学工業株式会社 | 有機導電性高分子塗料 |
| JP2536458B2 (ja) * | 1994-08-16 | 1996-09-18 | 日本電気株式会社 | ジスルホン酸化合物、それをド―パントとする導電性高分子、導電材およびそれを用いた固体電解コンデンサ |
| JPH08134693A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-28 | Mitsubishi Chem Corp | 高誘電率複合酸化アルミニウム皮膜の製造方法 |
| JP3619915B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2005-02-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 偏光板用保護フィルム及び偏光板 |
| DE19627071A1 (de) | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
| JP3235475B2 (ja) * | 1996-07-16 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3228155B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP3741539B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-02-01 | 松下電器産業株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JPH1145824A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP3119604B2 (ja) | 1997-09-01 | 2000-12-25 | 富山日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| DE69939262D1 (de) * | 1998-06-25 | 2008-09-18 | Nichicon Corp | Verfahren zur herstellung eines festelektrolytkondensators |
| US6001281A (en) | 1998-09-04 | 1999-12-14 | Kemet Electronics Corporation | Preparation of conductive polymers from stabilized precursor solutions |
| US6375688B1 (en) * | 1998-09-29 | 2002-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making solid electrolyte capacitor having high capacitance |
| WO2000019468A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nippon Chemi-Con Corporation | Condensateur a electrolyte solide et procede de fabrication |
| JP2000235937A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2000306781A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Showa Kyabotto Super Metal Kk | 電解コンデンサ用金属粉末ならびにこれを用いた電解コンデンサ用陽極体および電解コンデンサ |
| JP2001102255A (ja) | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タンタル固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP3536772B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | 導電性組成物前駆体、導電性組成物及び固体電解コンデンサの製造方法 |
| US6602741B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive composition precursor, conductive composition, solid electrolytic capacitor, and their manufacturing method |
| JP3834746B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2006-10-18 | 潤二 伊藤 | 多孔質ゴム系電極用バインダー、これを用いた多孔質ゴム系電極及び多孔質ゴム系電極基材 |
| DE19953946A1 (de) * | 1999-11-09 | 2001-05-10 | Starck H C Gmbh Co Kg | Kondensatorpulver |
| JP3864651B2 (ja) | 1999-12-03 | 2007-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| DE10004725A1 (de) * | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren |
| JP2001250743A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Marcon Electronics Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2001325991A (ja) * | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Nisshinbo Ind Inc | 電気部品及びその製造方法 |
| EP1780233B1 (en) * | 2000-06-26 | 2009-06-17 | Agfa-Gevaert | Redispersible latex comprising a polythiophene |
| US6473293B2 (en) * | 2000-10-12 | 2002-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitor unit, method for producing the same, and solid electrolytic capacitor |
| IL139351A0 (en) * | 2000-10-30 | 2001-11-25 | Al Coat Ltd | Solutions of conducting polyaniline |
| DE10058116A1 (de) * | 2000-11-22 | 2002-05-23 | Bayer Ag | Polythiophene |
| JP4500492B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-07-14 | アグフア−ゲヴエルト，ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 安定なエレクトロルミネッセント装置 |
| US7149074B2 (en) | 2001-04-19 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
| JP2002324732A (ja) | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ及び該コンデンサの材料並びにその製造方法 |
| JP4329299B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2009-09-09 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR20040030487A (ko) * | 2001-10-02 | 2004-04-09 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 니오브분말, 그 소결체, 그 화성체 및 그들을 사용한 콘덴서 |
| JP4328483B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2009-09-09 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6671168B2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| JP2003229330A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
| JP2003168631A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-13 | Japan Carlit Co Ltd:The | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4259794B2 (ja) | 2001-12-07 | 2009-04-30 | 日本カーリット株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2003264127A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
| JP2003289019A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP4596543B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2010-12-08 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPWO2004070750A1 (ja) | 2003-02-10 | 2006-05-25 | Tdk株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| TWI223294B (en) * | 2003-03-11 | 2004-11-01 | Ind Tech Res Inst | Solid-state electrolytic capacitor and its manufacturing method |
| JP4387131B2 (ja) | 2003-06-30 | 2009-12-16 | 富山薬品工業株式会社 | 導電性高分子物質の有機溶剤分散液及びその製造方法 |
| DE10331673A1 (de) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophen mit Alkylenoxythiathiophen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren |
| JP2005109252A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| ES2329898T3 (es) | 2003-10-17 | 2009-12-02 | H.C. Starck Gmbh | Condensadores electroliticos con capa externa de polimero. |
| JP2006185973A (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電性高分子溶液及びその製造方法、導電体、コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4626334B2 (ja) | 2005-02-23 | 2011-02-09 | 横浜ゴム株式会社 | タイヤ加硫用ブラダ−及びその製造方法 |
| DE102005016727A1 (de) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US20060269436A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Cabot Corporation | Process for heat treating metal powder and products made from the same |
| US9548166B2 (en) * | 2005-06-30 | 2017-01-17 | Medtronic, Inc. | Capacitor electrolyte |
| DE102005033839A1 (de) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung |
| US20080232038A1 (en) * | 2005-09-04 | 2008-09-25 | Cerel (Ceramic Technologies) Ltd. | Method For Electrophoretic Deposition Of Conductive Polymer Into Porous Solid Anodes For Electrolyte Capacitor |
| DE102005043829A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
| US7563290B2 (en) * | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
-
2005
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403129A (zh) * | 2010-08-03 | 2012-04-04 | Avx公司 | 机械稳定的固体电解电容器组件 |
| CN107240501A (zh) * | 2010-08-03 | 2017-10-10 | Avx 公司 | 机械稳定的固体电解电容器组件 |
| CN102403135A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | Avx公司 | 湿式电解电容器阴极的形成技术 |
| CN102646515A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 三洋电机株式会社 | 电解电容器及电解电容器的制造方法 |
| CN102646515B (zh) * | 2011-02-22 | 2016-08-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器及电解电容器的制造方法 |
| CN103429796A (zh) * | 2011-03-06 | 2013-12-04 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 借助聚甘油提高包含pedot/pss作为固体电解质的电容器的电参数的方法 |
| CN103429796B (zh) * | 2011-03-06 | 2016-03-09 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 借助聚甘油提高包含pedot/pss作为固体电解质的电容器的电参数的方法 |
| CN103295792A (zh) * | 2012-03-01 | 2013-09-11 | Avx公司 | 超高压固体电解电容器 |
| CN105761937A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-07-13 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
| CN105761938A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-07-13 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种铝电解质电容器及其制备方法 |
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