CN101142137B - 制造微机械元件的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造元件，尤其是制造微机械、微电子机械或微光电机械元件的方法，包括以下步骤：制造第一层复合物，其具有第一基底(2)和第一绝缘层(3)，该第一绝缘层覆盖第一基底(2)的表面(1)的至少一部分；制造第二层复合物，其具有第二基底(12)和第二绝缘层(14)，该第二绝缘层覆盖第二基底(12)的表面(13)的至少一部分；把至少部分导电的结构层(7)加到第一绝缘层(3)上；把所述第二层复合物加到所述结构层(7)，使得所述第二绝缘层(14)靠近所述结构层(7)；其中所述第一和第二层复合物以及所述结构层(7)被构造成包括所述元件的活性区域(8)的结构层(7)的至少一部分被所述第一和第二层复合物气密密封；形成接触孔(4)，其位于所述第一基底(2)和/或第二基底(12)中，用来与所述结构层(7)的导电区域(9)接触。

Description

制造微机械元件的方法
技术领域
本发明涉及一种组件，尤其涉及微机械、微电子机械或微光电机械元件，和涉及制造这种类型元件的方法。
背景技术
为把微电子机械元件(MEMS)或微光电机械元件(MOEMS)上的环境影响如湿气或杂质(如灰尘)的影响减小到最小，这些元件的活性结构(“活性结构”应理解为特别是指可动结构、光学结构或具有可动和光学结构(如可动镜片)的结构。术语“活性区域”表示活性结构位于其中或在其中移动的元件的面积或体积)经常被气密封装。该气密封装可进一步用于在活性结构的区域设置特别的内部压力，这对于其功能依赖于限定内部压力的元件是有利的，如加速传感器和陀螺仪(转速传感器)。
为了尽可能实现生产的成本效率，MEMS或MOEMS元件通常在晶片水平制造。在这种情况中经常不得不进行的接合加工可基于如直接贴合加工和阳极贴合加工实现。
就制造技术而言，为了与元件的特定部分接触(如为了与活性结构接触)从元件的气密区域引出电触点是难以实现的。考虑到各种可能性：电触点可通过例如植入或扩散方法制造的低表面电阻的横向延伸半导体层来实现(参考文献1)。通过覆盖有平面钝化层的有图案的导体层来实现则可行性更大。
作为替代，多个垂直延伸的电镀通孔形式的电触点可从该元件引出。为了制造垂直电镀通孔，接触孔首先形成在该元件中，导电材料随后被导入所述接触孔。导入该接触孔的导电材料可以是金属，如通过气相积淀处理、溅射处理、电镀处理或CVD(化学气相积淀)处理积淀的金属。该导电材料还可由某些其它材料组成，例如掺杂半导体(多晶硅)。在该导电材料被导入接触孔前，该接触孔的内壁通常设置有绝缘材料，如SiO2、Si3N4、尼龙或类似的，以避免该导电材料与该元件的其它导电区域发生电流短路。
该接触孔可通过各种途径制造：因此，通常由基于超声波(参考2、3)、喷砂(参考2)或水切割的钻孔方法制成。所述钻孔方法制造的接触孔具有数百μm的直径且由此仅在有限范围内适于制造具有较小尺寸的MEMS或MOEMS元件。而且所述钻孔方法的缺点是它们仅部分满足要求的清洁空间标准。为避免该缺点，已知的是通过激光束钻孔加工制造该接触孔。尽管该加工方法避免了上述缺点，其经常导致材料应力或在钻孔时由于高温产生的熔化，这造成组件后续加工的问题。因此，通过化学或等离子化学加花法形成实现接触孔的转变。
发明内容
本发明的目的是确定一种制造元件的方法，尤其是微电子机械或微光电机械元件的制造方法，就制造技术而言易于实现，且能可靠地气密封装相应的活性结构和能使与活性结构形成接触的电触点从气密密封元件引出。
为实现此目的，本发明提供了一种微机械元件的制造方法。而且，本发明提供了一种微机械元件元件。本发明概念的有益结构和发展可从从本发明的其他方面中得到。
根据本发明的制造尤其是微机械、微电子机械或微光电机械元件的方法包括以下步骤：
-制造第一层复合物，其具有第一基底和第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖至少一部分第一基底的表面，
-制造第二层复合物，其具有第二基底和第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖至少一部分第二基底的表面，
-把至少部分导电的结构层加到第一绝缘层上，
-把第二层复合物加到该结构层，使得第二绝缘层靠近该结构层，
-其中第一和第二层复合物以及结构层被设置使得至少一部分包括该元件活性区域的结构层被第一和第二层复合物气密密封，
-形成接触孔，其形成在第一和/或第二基底中且一直到达结构层的导电区域，用来与结构层的导电区域接触。
本发明的一个基本方面是绝缘区域和要制造的元件的活性结构，在接触孔形成前从元件的元件的周围环境(就杂质和湿气而言)隔离。其有利的是当第一和第二层复合物还有结构层结合在一起形成总层复合物(接合处理)时，由于已形成接触连接(金属化)的意外溶解(固溶性)、合金化或熔化的风险可被消除，可使用高温(＞400℃)。
对于元件操作来说活性结构所需的电流或活性结构产生的信号输入到活性结构，或从活性结构输出，其经由接触孔和经由靠近活性结构的导电结构层。
在一个优选实施例中，根据本发明制造的元件的活性结构是通过使结构层形成图案来生产，其中形成图案可在结构层被加到第一层复合物之前或之后时进行。该形成图案的过程可通过例如把掩模加到结构层的表面上和随后蚀刻该结构层来实现。如果该结构层直到加到第一层复合物后才形成图案，则在把该结构层加到第一层复合物的过程中不必考虑接合公差。
在下面的详细说明中通过举例假设接触孔形成在第一基底中。
优选地，第一凹陷形成在结构层被加到第一层复合物之前朝向该结构层的第一基底的侧面，所述第一凹陷的横向位置至少部分对应形成在第一基底的接触孔的横向位置。在后续的根据本发明的制造方法的加工步骤中，第一凹陷可被用作接触孔(或至少部分接触孔)。
以有益的方式，直接靠近第一基底的表面的区域没有被第一绝缘层覆盖。换句话说，第一绝缘层没有直接到达第一凹陷的“边缘”。因此可能产生中断边缘，其在后续的加工步骤中可被利用来独立地与结构层的导电区域和第一基底的表面区域的接触。
以有益的方式，第二凹陷形成在在结构层被加到第一层复合物之前朝向该结构层的第一和/或第二基底的侧面，所述第二凹陷的横向位置至少部分对应活性结构或结构层的活性结构的横向位置。第二凹陷可在专门的加工步骤或与第一凹陷一起的共同加工步骤中制造。第二凹陷使位于活性区域的结构层的区域可以机械运动(如振动)。而且，第二凹陷可用于设定元件的特定参数。由于在一定条件下机械振动量首先依赖于包括在元件内的压力，依赖于活动(可动)结构和其直接围绕物的几何形状，可能通过选择第二凹陷的尺寸来影响例如可振动的活性结构的振动量。因此，振动量越大，第二凹陷越深(在元件中施加同样的压力)。
结构层凹陷可形成在结构层中，所述结构层凹陷的横向位置至少部分对应活性区域或结构层的活性结构的横向位置。在此情况下，由于具有相应结构的活性区域的运动可单独在结构层凹陷中进行，原则上，在第一和第二基底中的第二凹陷还可被省略。
而且，绝缘层凹陷可形成在第一和/或第二绝缘层中，所述绝缘层凹陷的横向位置至少对应活性区域或结构层的活性结构的横向位置。在此情况下，由于具有相应结构的活性结构的运动可单独在绝缘层凹陷中进行，原则上在第一和第二基底中的第二凹陷还有结构层凹陷也可被省略。绝缘层凹陷可被用于在活性结构运动期间阻挡部分活性结构，就是说绝缘层凹陷的位置/结构可被选择使得部分(相对较小的部分)活动(可动)结构一旦超过一定偏差就撞击绝缘层凹陷的底部，且由此防止由于可在第二凹陷内移动而经历较大的偏差的那部分活性结构(相对较大部分)以比较高的动能撞击第二凹陷(没有活性结构的机械性能的限制的活性结构的“中断保护”)。活性结构该区域用于阻挡的部分在此情况下应小于活性结构的该区域的剩余部分。
在根据本发明的制造方法中，当然可能同时使用所有类型的凹陷，就是说根据本发明的制造方法生产的元件可同时具有所有类型的凹陷。
通常，第一和第二基底在各情况下中组成将随后被分割为单体的部分晶片或晶片集。为便于分割，第三凹陷可形成在第一基底和/或第二基底的远离结构层的表面，所述第三凹陷用作所述的中断点。
而且，有益的是在结构层的图案形成过程中，在结构层中制造沟槽，所述沟槽用于将活性结构与要制造的元件的结构层的外部区域(芯片边缘)绝缘。这确保元件的电作用不以非所愿的方式分布，即使结构层的外端没有与它们的周围电绝缘。
如果第一凹陷已形成在第一基底内，则为了形成从第一基底的远离结构层的表面起始的接触孔，至少一部分第一基底可被去除，直到第一凹陷的底部的垂直位置对应的垂直位置。因此，第一凹陷在某种意义上是“开放的”，其起始于第一凹陷的底部且可用作接触孔。
接触孔形成后，通常金属层或其它导电材料层沉积在第一基底的远离结构层的表面上。如果中断边缘预先形成在第一基底中，则其可能通过单独沉积加工的方法来制造把元件从不想要的辐射屏蔽开来的第一基底上的屏蔽电极，以及用于在一个步骤中接触基底的导电区域的与屏蔽表面电绝缘的接触层(在接触孔的底部)。中断边缘的使用使得其可以同时接触在一个步骤中彼此电绝缘的区域。
接触孔，第一到第三凹陷和/或结构层优选地通过蚀刻的方法形成。然而，本发明不限于此。
在一个特别优选实施例中，第一和第二基底和结构层都由硅组成。然而，本发明不限于此；其它材料/材料组合也是可能的。硅通常具有如下优点：较好的机械性能、较高的可用性和成熟的加工方法。如果所有元件都由硅组成，则其具有以下优点：较低的热应力和低脱气(与耐热玻璃或SD2相比较(材料都是“Hoya”和“Coming Glas”公司出售的玻璃))，由此可在元件中实现低于0.01mbar的压力。
本发明提供了制造元件的方法，尤其是微机械、微电子机械或微光电机械元件的制造方法，其具有以下步骤：
-把至少部分导电结构层加到第一非导电基底，
-把第二非导电基底加到该结构层，
-其中该第一和第二基底以及结构层以这样的方式设置：至少一部分包括元件的活性区域的结构层被第一和第二基底气密封装，
-形成接触孔，其位于第一和/或第二基底中，用来与结构层的导电区域接触。
在该方法中，在前述方法中使用的绝缘层被非导电的第一和第二基底代替。这里第一和第二基底优选地是由石英、耐热玻璃或SD2组成。所有关于前述方法描述的实施例在可使用的范围内同样有效。
在一个优选实施例中，接触孔形成在第一基底中，且第一凹陷在结构层被加到第一基底前形成在第一基底面对结构层的侧部，所述第一凹陷的横向位置至少部分对应后来形成在第一基底中的接触孔的横向位置。第一凹陷具有阶梯状的形状，这样第一凹陷的上部区域的横向尺寸大于对应的下部区域的横向尺寸。在后来的导电层(屏蔽电极)的沉积过程中，阶梯状形状用作中断边缘。第一凹陷的阶梯层可通过例如两个阶段的形成图案的加工来制造。在前述制造方法中在第一绝缘层和第一凹陷的边缘之间过渡形成的中断边缘由此被第一凹陷的阶梯层替换。
根据本发明的制造方法的优选实施例将在下面的描述中详细解释。制造具有垂直的、电绝缘接触孔的元件的方法将在此例中予以描述，其中经由该接触孔，元件的各电极形成电接触。
首先，接合夹层(如热氧化硅)被加到适当的第一基底(如硅)上。所述夹层在特定区域通过适当的形成图案方法(例如“RIE”(活性离子蚀刻))去除。夹层的在特定的区域被去除，自支撑元件随后定位在这些区域内或之下，自支撑元件是用来降低沿某方向(Z方向)的衰减，例如在加速度传感器和陀螺仪中。而且，该夹层的直接位于导电区域之上的区域被去除以接触结构层。在所述区域中，夹层的横向尺寸大于在进一步的形成图案步骤中被导入第一基底的凹陷(第一和第二凹陷)。
在随后的接合加工(例如“硅熔贴合”(SFB))中，在这之后进行的是被修磨到要求的层厚，结构层被加到第一基底上(为了更精确地把它放置到加于其上的夹层)，在进一步的加工步骤后，该结构层将包括元件的活性组件。通过适当的形成图案的方法(例如“深层活性离子蚀刻”(DRIE))，凹陷形成在结构层中，达到夹层或直到凹陷。这样可以建立被横向凹槽电绝缘的区域，最小凹槽宽度通过技术参数，如结构层的厚度和用于执行DRIE方法的装置的最大纵横比，被确定。
而且，凹陷(第二凹陷)被通过适当的形成图案的方法被导入第二基底，例如湿化学蚀刻或DRIE方法。通过接合加工，包括第一基底、夹层和结构层的复合物以对齐的方式被接合到第二基底。第二基底中的凹陷处于第一复合物的可动或活性区域。这样可以实现结构层的特定元件的机械保护，和如果必要的话设定限定的内部压力。如果第二基底是由导电或半导体材料组成，第二基底的表面必须预先设置有可接合第二绝缘层，例如热SiO2，以防止各导电区域之间的短路。
第二接合加工是通过对包括第一和第二复合物的整个复合物的适当的图案的形成进行的，图案的形成从第一基底的北面进行的，例如通过DRIE的方法，图案形成加工的厚度在第一基底的接触孔区域内还有凹陷内延伸。因此接触孔区域从第一基底的背面是可进入的，用于后续的触电金属化。元件的内部的气密密封同时得以确保。
最后，整个复合物通过适当的金属化方法，例如溅射或气相积淀，在第一基底背面的整个区域被金属化。在此情况下，金属层由于第一基底和结构层之间的绝缘夹层的阻碍边缘而产生中断。这导致各电极(接触孔)和第一基底的表面上的金属化的整个区域之间的电绝缘。
在整个复合物形成后，第二基底的表面在整个区域上还可被导电地覆盖。在该此情况下，基底被用作屏蔽电极。单独电隔离区域可通过引线贴合接触连接。
本发明还提供了微机械、微电子机械和微光电机械元件。该元件具有：
-第一层复合物，其具有第一基底和第一绝缘层，其覆盖在第一基底的表面的至少一部分，
-第二层复合物，其具有第二基底和第二绝缘层，其覆盖在第二基底的表面的至少一部分，
-至少部分导电的结构层，其设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间，其中第一和第二层复合物以及结构层被设置使得包含元件的活性区域的结构层的至少一部分被第一和第二层复合物气密密封，和
-接触孔，其位于第一和/第二基底内，用来接触结构层的导电区域。本发明还提供了微机械、微电子机械和微光电机械元件。该元件具有：
-第一非导电基底，
-第二非导电基底，
-至少部分导电结构层，其设置在第一和第二基底之间，其中第一和第二基底以及结构层被设置使得包含元件的活性区域的结构层的至少一部分被第一和第二基底气密密封，和
-接触孔，其位于第一和/第二基底内，用来接触结构层的导电区域
本发明的元件优选地根据元件变量配置，其通过本发明的元件制造方法制造。
附图说明
本发明参考附图在示例性的实施例中更详细地予以说明，其中：
图1-10显示了根据本发明的制造方法的优选实施例的第一至第十加工步骤。
在附图中，同样的或互相对应的区域、元件和元件组用相同的参考标号表示。
具体实施方式
根据本发明的制造方法的优选实施例在下文中参考图1-10予以详细说明。
在第一加工步骤100中(图1)，具有图案的第一绝缘层3形成在第一基底2的表面1上。在第二加工步骤101中(图2)，第一凹陷4和第二凹陷5形成在第一基底2的表面1上。在该情况下，第一凹陷4的宽度B1制造得小于第一凹陷4上方的第一绝缘层3的切口的宽度B2。这样，中断边缘6出现在靠近第一凹陷4的区域中。相反，第二凹陷5的宽度对应位于所述凹陷5上方的第一绝缘层3的切口的宽度。
以这样的方式得到的包括第一基底2和第一绝缘层3的第一复合物具有在第三加工步骤102中(图3)加到其上的结构层7，结构层7支撑在第一绝缘层3的独立区域上。
在第四加工步骤103(图4)中，结构层7形成图案，这样，活性结构8出现，电接合与其横向靠近的结构层7的导电区域9，结构层7的外部区域10(芯片边缘，即将要制造的元件的边缘区域)通过沟槽11与元件“内”的导电区域9电绝缘。
在第五加工步骤104中(图5)，第二复合物由第二基底12和加在第二基底12的表面13上的第二绝缘层14形成。第二凹陷5’设置在第二基底12的表面13上，所述第二凹陷的宽度对应活性结构8的宽度。
在第六加工步骤105中(图6)，第一复合物和第二复合物互相接合合，这样第二绝缘层14靠近结构层7且第二凹陷5、5’分别位于活性结构8的上方和下方。
在第七加工步骤106中(图7)，第一基底2的***部分朝下蚀刻到与第一凹陷4的底部的垂直位置对应的垂直位置，这样第一凹陷4被露出来。
在第八加工步骤107中(图8)，金属化层15接着被沉积在第一基底2的表面上，在该情况下，由于中断边缘6的存在，金属层15沉积在第一凹陷4内的部分与该金属层的其它部分电隔离，这样金属触点形成区域16在第一凹陷4内形成。
在第九加工步骤108中(图9)，金属化层17被沉积到第二基底12的远离结构层7的表面。金属化层15和金属化层17用作屏蔽电极，以屏蔽不想要的电磁场。金属层15和金属层17可接合到确定的共同电势或不同电势。
接着进行分割加工，其中所形成的包括第一基底2、第二基底12、结构层7和绝缘层3、14的复合物在锯刃S处被分割成单独的元件(在附图中仅可以看出从复合物锯下的具有一个元件的部分)。
在第十加工步骤109中(图10)，接触区域16借助接合线18接触接合。
如果第一和第二基底2、12由非导电材料组成，则绝缘层3、14可被省略。
根据本发明，给出了微电子机械或微光电机械元件，特别是具有气密封装的活性结构和与其电接触的区域的元件的制造方法的说明。根据本发明的制造方法，可以在晶片水平以几乎任意设置的内部压力气密封装结构层的特定区域，且提供了制造防止外部电磁干扰场的与其它电触点电绝缘的屏蔽的可能。
根据本发明的制造方法使用第一基底，凹陷通过适当的方法引入其中且其被环绕该凹陷阻挡的可接合电绝缘夹层覆盖。通过适当的接合方法，具有图案或可具有图案的结构层加到第一基层上，所述结构层具有一直到第一基底凹陷的凹陷或一直到夹层的凹陷。而且，第二基底被制造，其同样具有凹陷形成图案的表面且依次与第一基底的结构层接合。远离第一基底的夹层的表面以凹陷一直到达第一基底的相反侧的凹陷的方式形成图案。通过适当的方法，导电层加在第一基底的远离夹层的表面的整个区域上，在该情况下，第一基底上的电绝缘接合夹层的阻碍边缘可用作中断边缘，由此来接合与第一基底的结构层中的凹陷一起产生结构层中的电绝缘区域的连接。远离第一基底的夹层的表面的形成图案的方法同时产生凹陷，其可用作要求的分割加工的中断点。
为了绝缘第一基底的导电材料，有利地利用中断边缘，其造成接触孔的导电侧壁与接触孔底部的电绝缘，接触孔底部(常常是直接)接合到元件的电极。
从以上说明可以清楚，根据本发明的制造方法具有以下优点：
接触孔从第一基底的背面露出，结构层通过接合加工的方法加到其上。如果结构层的“对齐”没有通过接合加工实现，而是通过双侧平板印刷的方法实现，接合加工的接合公差是非关键的，双侧平板印刷的公差明显小于接合加工的公差。如果结构层在加到基底上前被形成图案，则该优点可省略。
接触区域的金属化直到所有接合加工结束后才进行。因此，还可能使用的方法例如有：假设结构层中不存在杂质分布在相对较高温度下可被破坏的掺杂活性区域，在高于400℃的温度下的硅直接贴合(SFB)，。
接触孔直到用于气密密封的接合加工完成后才被露出。因此，接合区域可被放大且接合加工因此可被简化。“接合区域”应理解为该区域在接合加工期间彼此形成接触。接合区域越大，保持接合对(基底、晶片等)在一起的力越大。
本发明可用于制造任意(小型化的)元件的方法，特别是用于制造微机械、微电子机械或微光电机械元件，例如加速传感器、速度或转速传感器、压力传感器、光耦合器等。
参考文献
1.Daniel Lapadatu等人，“双轴电容倾斜计/车用低g加速度计”，微机电***2001，pp.34-37，2001
2.Th.Diepold，E.Obermeier等人，“利用超声波钻孔和喷砂的硼硅酸盐玻璃批量微机械加工”，微***技术96，pp.211-216，1996
3.U.Breng等人，“基于耦合谐振器的CORS-A批量微机械加工的陀螺仪”，传感器99，pp.1570-1573，1999
4.A.Gaiber等人，“具有增强传感器设计的微机械陀螺仪的数字读出电子电子学”，陀螺仪技术专集2002，pp.5.0-5.11，2002
5.T.Gessner等人，“微机械加速度测量装置和其制造方法”，EP000000623824A1

Claims (21)

1.一种制造微机械元件的方法，包括以下步骤：
制造第一层复合物，其具有第一基底(2)和第一绝缘层(3)，该第一绝缘层覆盖第一基底(2)的表面(1)的至少一部分，在第一基底中制造第一凹陷(4)，
制造第二层复合物，其具有第二基底(12)和第二绝缘层(14)，该第二绝缘层覆盖第二基底(12)的表面(13)的至少一部分，
把至少部分导电的结构层(7)加到第一绝缘层(3)上，
把所述第二层复合物加到所述结构层(7)，使得所述第二绝缘层(14)靠近所述结构层(7)，
其中所述第一和第二层复合物以及所述结构层(7)被构造成包括所述元件的活性结构(8)的结构层(7)的至少一部分被所述第一和第二层复合物气密密封，
在将第二层复合物加到所述结构层(7)上之后加工所述第一凹陷以形成接触孔(4)，用来与所述结构层(7)的导电区域(9)接触。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述活性结构(8)是通过使所述结构层(7)形成图案来产生，其中所述形成图案在所述结构层(7)被加到所述第一层复合物之前或之后时进行。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述结构层(7)被加到所述第一层复合物之前第一凹陷(4)形成朝向所述结构层的所述第一基底(2)的侧面，所述第一凹陷的横向位置至少部分对应形成在所述第一基底(2)中的接触孔的横向位置。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，与第一凹陷(4)直接靠近的第一基底(2)表面(1)的区域没有被第一绝缘层(3)覆盖。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述结构层(7)被加到所述第一层复合物之前形成朝向所述结构层(7)的所述第一基底(2)和/或第二基底(12)侧面的第二凹陷(5，5’)，所述第二凹陷的横向位置至少部分对应所述结构层(7)的活性结构(8)的横向位置。
6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，第三凹陷可形成在第一基底的远离所述结构层(7)的表面，所述第三凹陷用作所需的中断点。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述结构层(7)的形成图案过程中，在所述结构层中形成沟槽(11)，所述沟槽把所述导电区域(9)与所述结构层(7)的外部区域(10)电绝缘。
8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，为了形成从所述第一基底(2)的远离所述结构层(7)的表面起始的接触孔，至少一部分所述第一基底可被去除，直到所述第一凹陷(4)的底部的垂直位置对应的垂直位置。
9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述接触孔形成后，金属层(15)沉积在所述第一基底(2)的远离所述结构层(7)的表面上。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触孔，所述第一凹陷(4)和/或所述结构层(7)通过蚀刻的方法形成。
11.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接触孔，所述第一凹陷(4)和所述第二凹陷(5，5’)和/或所述结构层(7)通过蚀刻的方法形成。
12.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述接触孔，所述第一凹陷(4)和所述第三凹陷和/或所述结构层(7)通过蚀刻的方法形成。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一基底(2)、第二基底(12)以及所述结构层(7)是由同样的半导体材料构成。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述半导体材料是硅。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，结构层凹陷形成在所述结构层中，所述结构层凹陷的横向位置至少部分对应所述结构层(7)的活性结构(8)的横向位置。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，绝缘层凹陷形成在所述第一和/或第二绝缘层中，所述绝缘层凹陷的横向位置至少部分对应结构层(7)的活性结构(8)的横向位置。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述绝缘层凹陷用于在所述活性结构运动期间阻挡部分活性结构。
18.一种微机械元件的制造方法，其包括以下步骤：
第一非导电基底(2)中制造第一凹陷(4)，
把至少部分导电的结构层(7)加到第一非导电基底(2)，
把第二非导电基底(12)加到所述结构层(7)，
其中所述第一非导电基底(2)和第二非导电基底(12)以及所述结构层(7)被构造成包括所述元件的活性区域(8)的所述结构层(7)的至少一部分被所述第一和第二非导电基底气密封装，
在将第二非导电基底(12)加到所述结构层(7)上之后加工所述第一凹陷以形成接触孔，用来与所述结构层(7)的导电区域(9)接触。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一和第二非导电基底的材料包括石英、耐热玻璃或SD2。
20.如权利要求18或19所述的方法，其特征在于，所述接触孔(4)形成在所述第一非导电基底(2)中，且第一凹陷(4)在所述结构层(7)被加到第一非导电基底前，形成在所述第一非导电基底(2)面对所述结构层(7)的侧面，所述第一凹陷的横向位置至少部分对应后来形成在所述第一非导电基底(2)中的所述接触孔的横向位置，其中所述第一凹陷(4)具有阶梯状的形状，这样所述第一凹陷的上部区域的横向尺寸大于对应的下部区域的横向尺寸。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一凹陷(4)的阶梯状是通过两个阶段的形成图案的加工来制造。
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