JPH01143963A - 半導体加速度センサーの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサーの製造方法Info
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- JPH01143963A JPH01143963A JP30427487A JP30427487A JPH01143963A JP H01143963 A JPH01143963 A JP H01143963A JP 30427487 A JP30427487 A JP 30427487A JP 30427487 A JP30427487 A JP 30427487A JP H01143963 A JPH01143963 A JP H01143963A
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体加速度センサーの実装に関するもので、
自動車用の加速度センサーとしてアンチスキッドブレー
キシステム等に利用される。
自動車用の加速度センサーとしてアンチスキッドブレー
キシステム等に利用される。
（従来の技術）
本発明に係る従来技術としては、特開昭５９−９９３５
６号公報がある。
６号公報がある。
このものは単一結晶シリコンの圧電抵坑効果を用いたセ
ンサーで第５図に示すように加速度センサーのチップ１
をヘッダー３．カバー２に取り付けた構造で，ヘツダー
とカバーとチップの間にはガラスの粉末を含むエポキシ
化合物４が挟まれている構造である。
ンサーで第５図に示すように加速度センサーのチップ１
をヘッダー３．カバー２に取り付けた構造で，ヘツダー
とカバーとチップの間にはガラスの粉末を含むエポキシ
化合物４が挟まれている構造である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし前記構造の半導体加速度センサーの実装方法は、
（１１緩衝剤の充填が不完全になり空気が入り易く、緩
衝剤の役目が充分にその目的を達成することができず、 （２）チップをウェハから分割後に実装しているために
組付は工数が大巾に増加している。
衝剤の役目が充分にその目的を達成することができず、 （２）チップをウェハから分割後に実装しているために
組付は工数が大巾に増加している。
という問題がある。
本発明は半導体加速度センサーのセンサチップのオーバ
ーロード保護装置として働くヘッダー及びカバーの組付
は工数を削減することを技術的課題とするものである。
ーロード保護装置として働くヘッダー及びカバーの組付
は工数を削減することを技術的課題とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記技術的課題を解決するための技術的手段は次のとお
りである。すなわち、半導体よりなるゲージ梁とウェイ
トを有するセンサー部及びカバー。
りである。すなわち、半導体よりなるゲージ梁とウェイ
トを有するセンサー部及びカバー。
ヘッダーよりなる加速度センサーの製造方法に於いて、
＋１１ 窒化ケイ素に被覆されたセンサー部及びカバ
ー及びヘッダーの各ウェハを低融点ガラスにて接着し、 （２）電極取出しのためのパターン成形を行い、シリコ
ンエツチング液により前記エツチング速度の極めて遅い
窒化ケイ素膜までエツチングを行い、 （３）緩衝剤注入用の孔を形成し、 （４） ワイヤボンディングを行うために、カバーウ
ェハ裏面と、センサー部ウェハ表面の窒化ケイ素膜及び
接着用の低融点ガラスをドライエッチにより除去しボン
デイングパツドを露出し、（５） 緩衝剤を注入し密
閉し、 （６） 電極パッドと外部リードとをワイヤボンディ
ング法で結線し、 （７） 樹脂モールを行う、 加速度センサーの製造方法である。
ー及びヘッダーの各ウェハを低融点ガラスにて接着し、 （２）電極取出しのためのパターン成形を行い、シリコ
ンエツチング液により前記エツチング速度の極めて遅い
窒化ケイ素膜までエツチングを行い、 （３）緩衝剤注入用の孔を形成し、 （４） ワイヤボンディングを行うために、カバーウ
ェハ裏面と、センサー部ウェハ表面の窒化ケイ素膜及び
接着用の低融点ガラスをドライエッチにより除去しボン
デイングパツドを露出し、（５） 緩衝剤を注入し密
閉し、 （６） 電極パッドと外部リードとをワイヤボンディ
ング法で結線し、 （７） 樹脂モールを行う、 加速度センサーの製造方法である。
（作用）
前記技術的手段は次のように作用する。すなわち、セン
サーチップのオーバーロード保護装置として働くヘッダ
ー及びカバーを取り付ける工程を、前記工程の如くダイ
シング工程の前にすることにより通常のウェハと同様に
、ダイシングにより多数個のチップに分割すると同時に
そのままチップになり、通常のＩＣと同様樹脂封止も可
能となり、ＨＩＣ，プリント板へのペアチップも実゛装
可能である。
サーチップのオーバーロード保護装置として働くヘッダ
ー及びカバーを取り付ける工程を、前記工程の如くダイ
シング工程の前にすることにより通常のウェハと同様に
、ダイシングにより多数個のチップに分割すると同時に
そのままチップになり、通常のＩＣと同様樹脂封止も可
能となり、ＨＩＣ，プリント板へのペアチップも実゛装
可能である。
（実施例）
以下実施例について説明する。
第１図（イ）〜（チ）は本実施例の製造工程で、■は加
速度センサーを形成したウェハ、２はオーバーロード保
護と緩衝剤を内蔵するためのカバーを形成したウェハ、
３はセンサーの保護とオーバーロード保護の機能を持つ
ヘッダーを形成したウェハで、それぞれのウェハは第１
図（イ）に示すように窒化ケイ素膜８で覆われており、
６はウェイトで、７はゲージ梁である。
速度センサーを形成したウェハ、２はオーバーロード保
護と緩衝剤を内蔵するためのカバーを形成したウェハ、
３はセンサーの保護とオーバーロード保護の機能を持つ
ヘッダーを形成したウェハで、それぞれのウェハは第１
図（イ）に示すように窒化ケイ素膜８で覆われており、
６はウェイトで、７はゲージ梁である。
（１１第１図（ロ）に示すように前記各ウェハ１゜２及
び３を低融点ガラス（３００℃〜４００℃）により接着
する。５は接着剤である。
び３を低融点ガラス（３００℃〜４００℃）により接着
する。５は接着剤である。
（２） 第２図（ハ）に示すようにウェハ２の表面の
窒化ケイ素膜８に電極取り出しのためのエツチング用に
パターンを形成する。
窒化ケイ素膜８に電極取り出しのためのエツチング用に
パターンを形成する。
（３）第２図（ニ）に示すようにＫＯＨ等のエツチング
液を用いウェハ２のシリコンを表面よりウェハ２の裏面
の窒化ケイ素膜８に達するまでエツチングを行う。
液を用いウェハ２のシリコンを表面よりウェハ２の裏面
の窒化ケイ素膜８に達するまでエツチングを行う。
（４）第２図（ホ）に示すようにシリコンオイル等の緩
衝剤を注入用の孔を形成するために、カバーウェハの表
面の窒化ケイ素膜８に孔８ａを２ヶ以上形成する。
衝剤を注入用の孔を形成するために、カバーウェハの表
面の窒化ケイ素膜８に孔８ａを２ヶ以上形成する。
（５）第２図（ハ）に示すようにＫＯＨ等のエツチング
により、シリコン等の緩衝剤を注入孔１０を形成する。
により、シリコン等の緩衝剤を注入孔１０を形成する。
（６）第２図（ト）に示すようにワイヤボンディングを
行うために、カバーウェハ２の裏面の窒化ケイ素膜８．
低融点ガラス５及びセンサー用ウェハの表面の窒化ケイ
素膜８をＣＦ、＋Ｈ２のガスを用いたドライエッチによ
り除去し、ボンデイングパツド１１を露出させる。
行うために、カバーウェハ２の裏面の窒化ケイ素膜８．
低融点ガラス５及びセンサー用ウェハの表面の窒化ケイ
素膜８をＣＦ、＋Ｈ２のガスを用いたドライエッチによ
り除去し、ボンデイングパツド１１を露出させる。
（７）第２図（チ）に示すようにシリコンオイル等の緩
衝剤を注入孔１０より注入後、シリコンゴム２等を塗布
することにより孔１０をふさぐ。
衝剤を注入孔１０より注入後、シリコンゴム２等を塗布
することにより孔１０をふさぐ。
ベータを行いゴム等を硬化後洗浄を行いオイル等を除去
する。
する。
（８）次に第２図に示すように通常のＩＣ工程と同様に
ダイシングによりセンサーチップ毎に分割し、分割した
チップをリードフレーム■５にグイボンド後、ワイヤボ
ンディングによりチップの電極とリードを接続する。９
はワイヤである。
ダイシングによりセンサーチップ毎に分割し、分割した
チップをリードフレーム■５にグイボンド後、ワイヤボ
ンディングによりチップの電極とリードを接続する。９
はワイヤである。
（９）第３図に示すようにトランスファ成形機により樹
脂封止を行い、１３に示すようにパッケージにする。
脂封止を行い、１３に示すようにパッケージにする。
また他の実施例として第４図に示すようにＨＩＣ基板１
４に、ベアチップで装着したり、プリント基板に装着す
ることも可能であり、１６はリード、１７は配線パター
ン、１８は実装状態のセンサーである。
４に、ベアチップで装着したり、プリント基板に装着す
ることも可能であり、１６はリード、１７は配線パター
ン、１８は実装状態のセンサーである。
本発明は次のような効果を有する。すなわち、本実施例
は従来技術に比べ、センサーの保護用のカバー，ヘツダ
ーの実装及び緩衝剤の充填をウェハプロセスで行うため
に、−枚のウェハのチップ数の実装工程が１回の実装で
可能となり、又従来技術に比較してＩＣチップと同様に
扱えるために樹脂モールドタイプの実装にもペアチップ
実装にも対応できるものである。
は従来技術に比べ、センサーの保護用のカバー，ヘツダ
ーの実装及び緩衝剤の充填をウェハプロセスで行うため
に、−枚のウェハのチップ数の実装工程が１回の実装で
可能となり、又従来技術に比較してＩＣチップと同様に
扱えるために樹脂モールドタイプの実装にもペアチップ
実装にも対応できるものである。
第１図（イ）〜（チ）は本実施例の各工程の説明図、第
２図は分割したセンサチップの説明図、第３図はパッケ
ージを行った説明図、第４図は他の実施例の説明図、第
５図は従来例の断面説明図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・カバー。 ３・・・ヘッダー、５・・・接着剤。 ８・・・窒化ケイ素。
２図は分割したセンサチップの説明図、第３図はパッケ
ージを行った説明図、第４図は他の実施例の説明図、第
５図は従来例の断面説明図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・カバー。 ３・・・ヘッダー、５・・・接着剤。 ８・・・窒化ケイ素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体よりなるゲージ梁とウエイトを有するセンサー部
及びカバー，ヘツダーよりなる加速度センサーの製造方
法に於いて、 （１）前記窒化ケイ素に被覆されたセンサー部，カバー
及びヘツダーの各ウエハを低融点ガラスにて接着し、 （２）電極取出しのためのパターン形成を行い、シリコ
ンエツチング液により前記エツチング速度の極めて遅い
窒化ケイ素膜までエツチングを行い、 （３）緩衝剤注入用の孔を形成し、 （４）ワイヤボンデイングを行うために、カバーウエハ
裏面と、センサー部ウエハ表面の窒化ケイ素膜及び接着
用の低融点ガラスをドライエツチにより除去し、ボンデ
イングパツドを露出し、（５）緩衝剤を注入孔より注入
後、密閉し、（６）電極パツドと外部リードとを、ワイ
ヤボンデイング法で結線し、 （７）樹脂モールドを行う、 加速度センサーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30427487A JPH01143963A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体加速度センサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30427487A JPH01143963A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体加速度センサーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143963A true JPH01143963A (ja) | 1989-06-06 |
Family
ID=17931072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30427487A Pending JPH01143963A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 半導体加速度センサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143963A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177768A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ及びその製造方法 |
| JP2008534306A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | マイクロ機械部品およびマイクロ機械部品の製造方法 |
| JP2008239042A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 航空機用化粧室 |
| US7568390B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-08-04 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP30427487A patent/JPH01143963A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7568390B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-08-04 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same |
| US7788976B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-09-07 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor acceleration sensor device and method for manufacturing the same |
| JP2006177768A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ及びその製造方法 |
| JP4542885B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-09-15 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ及びその製造方法 |
| JP2008534306A (ja) * | 2005-04-05 | 2008-08-28 | リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | マイクロ機械部品およびマイクロ機械部品の製造方法 |
| US7964428B2 (en) | 2005-04-05 | 2011-06-21 | Litef Gmbh | Micromechanical component and method for fabricating a micromechanical component |
| JP2012020397A (ja) * | 2005-04-05 | 2012-02-02 | Northrop Grumman Litef Gmbh | マイクロ機械部品およびマイクロ機械部品の製造方法 |
| JP2008239042A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 航空機用化粧室 |
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