JP5323905B2 - マイクロ機械部品の製造方法 - Google Patents
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Description
−第1の基板2と、第1の基板2の表面1の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層3とを有する第1の複合体層と、
−第2の基板12と、第2の基板12の表面13の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層14とを有する第2の複合体層とを有しており、
−第1の絶縁体層3と第2の絶縁体層14との間に、少なくとも部分的に導電性を有する構造体層7を有し、部品の実動領域8を含む構造体層7の少なくとも一部が、第1および第2の複合体層によってぴったり気密に封止されるように、第1および第2の複合体層ならびに構造体層7が配置されており、
-第1の基板2および/または第2の基板12内に構造体層7の導電性領域9に接するための接触孔を備えている。
−不伝導である第1の基板2と、
−不伝導である第2の基板12とを有しており、
−第1の基板2および第2の基板12の間に、少なくとも部分的に導電性を有する構造体層7を有し、部品の実動領域8を含む構造体層7の少なくとも一部が、第1の基板2および第2の基板12によってぴったり気密に封止されるように、第1の基板2および第2の基板12ならびに構造体層7が配置されており、
−第1の基板2および/または第2の基板12内に構造体層7の導電性領域9に接するための接触孔を備えている。
Claims (15)
- マイクロ機械部品を製造するための方法であって、
第1の基板(2)と、当該第1の基板(2)の表面(1)の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層(3)と、当該第1の基板(2)の当該表面(1)に形成された第1のくぼみ(4)とを含む第1の複合体層を形成する工程と、
第2の基板(12)と、当該第2の基板(12)の表面(13)の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層(14)とを含む第2の複合体層を形成する工程と、
少なくとも部分的に導電性の構造体層(7)を、前記第1の複合体層における前記第1の絶縁体層(3)の上であって、前記第1の基板(2)における前記第1のくぼみ(4)が形成された部分の上に、取り付ける工程と、
前記第1の複合体層に前記構造体層(7)を取り付けた後、部品の実動構造(8)を含む前記構造体層(7)の少なくとも一部を、前記第1および第2の複合体層によってぴったり気密に封止するように、前記第1および第2の複合体層、ならびに前記構造体層(7)を配置し、前記第2の絶縁体層(14)が前記構造体層(7)に隣接するように、前記第2の複合体層を前記構造体層(7)に取り付ける工程と、
前記構造体層(7)に前記第2の複合体層を取り付けた後、前記構造体層(7)の導電性を有する領域(9)と接触するための接触孔を、前記第1の基板(2)内における前記第1のくぼみ(4)の水平方向の位置と前記接触孔の水平方向の位置とが少なくとも部分的に対応する位置に形成する工程とを含み、
前記第1の基板(2)の前記表面(1)の、前記第1のくぼみ(4)に直接隣接する領域は、前記第1の絶縁体層(3)によって覆われていない、方法。 - 前記構造体層(7)を前記第1の複合体層に取り付ける前に、第1の基板(2)および/または第2の基板(2)における前記構造体層(7)に面する側に、第2のくぼみ(5,5´)を形成する工程を含み、前記第2のくぼみ(5,5´)の水平方向の位置は、前記構造体層(7)の前記実動構造(8)の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記構造体層(7)から離れた方の前記第1の基板(2)の表面に第3のくぼみを形成する工程を包含し、前記第3のくぼみは、ウエハあるいはウエハ集合体からマイクロ機械部品を単一化する際の目標破断個所であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記構造体層(7)には、前記実動構造(8)を前記構造体層(7)の外部領域(10)から電気的に絶縁する溝(11)が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の基板(2)の少なくとも一部を、前記第1のくぼみ(4)の底部の垂直方向の位置に対応する垂直方向の位置まで取り除くことによって、前記構造体層(7)から離れた方の前記第1の基板(2)の表面から生じる前記接触孔を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記接触孔を形成した後、前記構造体層(7)から離れた方の前記第1の基板(2)の表面に金属層を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1〜第3のくぼみおよび/または前記構造体層をエッチング法によって形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の基板、前記第2の基板および前記構造体層は、同一の半導体材料により構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体材料はシリコンであることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記構造体層に構造体層のくぼみを形成する工程を包含し、前記構造体層のくぼみの水平方向の位置は、前記構造体層の実働構造の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1および/または第2の絶縁体層に絶縁体層のくぼみを形成する工程を包含し、前記絶縁体層のくぼみの水平方向の位置は、前記構造体層の前記実動構造の水平方向の位置に少なくとも部分的に対応していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記絶縁体層のくぼみは、動作中の前記実動構造の一部を停止させるように機能することを特徴とする請求項11に記載の方法。
- マイクロ機械部品を製造するための方法であって、
第1の不伝導基板(2)の表面(1)に第1のくぼみ(4)を形成する工程と、
前記第1のくぼみ(4)を形成した後、前記第1の不伝導基板(2)における前記第1のくぼみ(4)が形成されている領域の前記表面(1)に、少なくとも部分的に導電性の構造体層(7)を取り付ける工程と、
前記第1の不伝導基板(2)の前記表面(1)に前記構造体層(7)を取り付けた後、前記構造体層(7)に第2の不伝導基板(12)を取り付ける工程と、
部品の実動構造(8)を含む前記構造体層(7)の少なくとも一部を、前記第1および第2の不伝導基板(2、12)によってぴったり気密に封止するように、前記第1および第2の不伝導基板(2、12)、ならびに前記構造体層(7)を配置し、
前記構造体層(7)に前記第2の不伝導基板(12)を取り付けた後、前記構造体層(7)の導電性を有する領域(9)と接触するための接触孔を、前記第1の不伝導基板(2)における前記第1のくぼみ(4)の水平方向の位置と前記接触孔の水平方向の位置とが少なくとも部分的に対応する位置に形成する工程と、
前記接触孔を形成した後に、第1の不伝導基板(2)における構造体(7)から離れた側の表面に金属層(15)を形成すると同時に、前記接触孔内の構造体層(7)上に、当該金属層(15)と電気的に絶縁されている接触領域(16)を形成する工程とを含み、
前記第1のくぼみ(4)における、前記第1の不伝導基板(2)の前記表面(1)に近い側にある上部領域の水平方向の寸法(B2)が、当該第1のくぼみ(4)における、前記上部領域よりも前記第1の不伝導基板(2)の前記表面(1)から離れた側にある下部領域の水平方向の寸法(B1)よりも大きくなるように、前記第1のくぼみ(4)は階段形状を有するように形成する、方法。 - 前記第1および第2の不伝導基板(2、12)は、石英、Pyrex(登録商標)またはSD2、あるいはこれらの材料の複合体により構成されていることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記第1のくぼみ(4)の階段形状は、2段階のパターン形成工程によって形成されることを特徴とする請求項13に記載の方法。
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