WO2017018207A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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貴之 奥出
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/6459—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • H03H9/6463—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded
    • H03H9/6466—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded each track containing more than two transducers

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave device in which a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is formed on a piezoelectric substrate.
  • an IDT electrode and a ground side wiring are provided on a piezoelectric substrate.
  • the ground side wiring is provided so as to surround the IDT electrode.
  • the hot-side wiring connected to the IDT electrode crosses the ground-side wiring through the insulating film.
  • Patent Document 2 a ground side wiring that connects two longitudinally coupled resonator type acoustic wave elements, and a hot side wiring that connects two other longitudinally coupled resonator type acoustic wave elements, However, they cross each other through the insulating film.
  • Patent Document 3 wirings having different potentials cross each other through an insulating film.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can reduce the area of the piezoelectric substrate surface and can be miniaturized.
  • An elastic wave device is a first longitudinally coupled resonator type elastic wave having a piezoelectric substrate and at least three IDT electrodes provided on the piezoelectric substrate and arranged along the elastic wave propagation direction.
  • Each IDT electrode has a first bus bar provided on one end side and a second bus bar provided on the other end side in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction, At least one of the one end side and the other end side is provided with an inorganic insulating layer so as to cover the plurality of first bus bars or the plurality of second bus bars.
  • the first wiring arranged on the inorganic insulating layer so as to extend in the elastic wave propagation direction and three-dimensionally intersecting the first wiring via the inorganic insulating layer To the above And a second wiring provided on the electric substrate, and the first wiring is connected to the same potential among the plurality of first bus bars or the plurality of second bus bars.
  • a bus bar is connected through the inorganic insulating layer.
  • the elastic wave device further provided on the side where the plurality of second bus bars are arranged in the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter. It has been.
  • the elastic wave device is disposed on the inorganic insulating layer so as to extend in the elastic wave propagation direction above the plurality of first bus bars or the plurality of second bus bars. Further, the first wiring is provided so as not to protrude from the plurality of first bus bars or the plurality of second bus bars in a plan view of the piezoelectric substrate.
  • the acoustic wave element is a second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter includes: Second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters are cascaded. In this case, the area between the stages can be reduced.
  • the elastic wave element is an elastic wave resonator.
  • the area of the region between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the acoustic wave resonator can be reduced.
  • the width direction is a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction of the first bus bar or the second bus bar
  • the first bus bar or The width of the first wiring is narrower than the width of the second bus bar.
  • the positioning accuracy in the width direction can be relaxed. Further, it is difficult for variations in capacitance between the first and second wirings to occur.
  • the bus bar connected to the same potential is a bus bar connected to a ground potential
  • the first wiring is connected to a ground potential
  • the first wiring is provided so as to surround the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter can be electromagnetically shielded from the surroundings.
  • the first wiring is a wiring connected to a ground potential, and the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the acoustic wave element are provided. Is provided so as to surround. In this case, it is possible to suppress interference between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and the acoustic wave resonator, and elements and electrodes located outside the wiring.
  • the first wiring has an annular shape.
  • the first wiring has a notch for connecting the inner side and the outer side of the annular shape in plan view of the piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is a LiNbO 3 substrate.
  • the inorganic insulating layer covers at least a plurality of IDT electrodes of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter on the piezoelectric substrate. Is provided.
  • the inorganic insulating layer is made of silicon oxide. In this case, the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF of the acoustic wave device can be reduced.
  • the area of the piezoelectric substrate surface can be reduced, and the elastic wave device can be miniaturized.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the portion along the line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view for explaining an elastic wave device of a first comparative example prepared for comparison.
  • 4 is a cross-sectional view of a portion taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing an electrode structure of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • FIG. 2 is a cross-
  • FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the electrical connection structure of the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters in the second embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device of a second comparative example prepared for comparison.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the elastic wave devices according to the second embodiment and the second comparative example.
  • FIG. 10 is an enlarged view showing the attenuation frequency characteristics of the elastic wave devices of the second embodiment and the second comparative example.
  • FIG. 11 is a partially enlarged plan view for explaining a capacity generation portion in the second comparative example.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating isolation characteristics in the second embodiment and the second comparative example.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the acoustic wave devices according to the second embodiment and the second comparative example.
  • FIG. 14 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic plan view for explaining a modification of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic plan view for explaining another modification of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is an electrode structure of a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter according to this embodiment. It is a schematic plan view which shows. 2 is a cross-sectional view of a portion corresponding to the portion along the line AA in FIG.
  • the acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 2 having a main surface.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of LiNbO 3 .
  • the piezoelectric substrate 2 may be made of another piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 .
  • the piezoelectric substrate 2 may have a structure in which piezoelectric thin films are stacked on a plurality of stacked films.
  • a first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 is provided on the main surface of the piezoelectric substrate 2.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 includes first to third IDT electrodes 11 to 13. That is, the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 is a 3IDT type longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
  • First to third IDT electrodes 11 to 13 are arranged on the main surface of the piezoelectric substrate 2 along the elastic wave propagation direction.
  • a reflector 14 is disposed on one side in the elastic wave propagation direction, and a reflector 15 is disposed on the other side.
  • FIG. 1A schematically shows positions where the first to third IDT electrodes 11 to 13 and the reflectors 14 and 15 are provided.
  • FIG. 1B shows a more specific schematic diagram of the electrode structures of the first to third IDT electrodes and the reflectors 14 and 15.
  • each of the first to third IDT electrodes 11 to 13 includes first bus bars 11a, 12a, and 13a arranged on one end side in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • second bus bars 11b, 12b, and 13b are arranged on the other end side in the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 11c, 12c, 13c is connected to the first bus bars 11a, 12a, 13a.
  • One end of a plurality of second electrode fingers 11d, 12d, 13d is connected to the second bus bars 11b, 12b, 13b.
  • Each of the reflectors 14 and 15 includes first bus bars 14a and 15a provided on one end side in a direction orthogonal to the elastic wave propagation direction, and second bus bars 14b and 15b provided on the other end side. .
  • the first bus bar 14a and the second bus bar 14b are short-circuited by a plurality of electrode fingers.
  • the first bus bar 15a and the second bus bar 15b are short-circuited by a plurality of electrode fingers.
  • the first bus bars 14a and 15a and the second bus bars 14b and 15b of the reflectors 14 and 15 can be omitted.
  • the materials constituting the first to third IDT electrodes 11 to 13 and the reflectors 14 and 15 are not particularly limited as long as they are conductive materials, but metals such as Al and Au, or alloys are preferably used.
  • first bus bars 11a, 12a, 13a extending in the elastic wave propagation direction are arranged along the elastic wave propagation direction.
  • the first bus bar 14a and the first bus bar 15a are also extended linearly on the extension in the direction in which the first bus bars 11a, 12a, and 13a extend.
  • the second bus bars 11b, 12b, 13b are formed in an elongated strip shape extending along the elastic wave propagation direction.
  • the second bus bars 14b and 15b also have an elongated strip shape, and are located on an extension in the direction in which the second bus bars 11b, 12b and 13b extend.
  • the first bus bars 11a and 13a are connected to the signal potential, and the second bus bars 11b and 13b are connected to the ground potential.
  • the first bus bar 12a is connected to the ground potential, and the second bus bar 12b is connected to the signal potential.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of an example of an elastic wave device of a first comparative example for explaining a three-dimensional intersection of conventional wiring.
  • the first to third IDT electrodes 111 to 113 are configured in the same manner as the first to third IDT electrodes 11 to 13 of the above embodiment.
  • reflectors 114 and 115 are provided.
  • the three-dimensional intersection is configured as follows.
  • the signal wiring 120 is connected to the second bus bar 112b.
  • the upper wiring 119 is connected to the second bus bars 111b and 113b connected to the ground potential.
  • the inorganic insulating layer 118 is actually laminated below the upper wiring 119. By this inorganic insulating layer 118, a short circuit between the upper wiring 119 and the signal wiring 120 is prevented. As is clear from FIG. 3, the region indicated by X1 was necessary for the above-described intersection.
  • the entire surface of the main surface of the piezoelectric substrate 2 is covered with the electrode structure.
  • An inorganic insulating layer 17 is provided.
  • the inorganic insulating layer 17 is made of silicon oxide (SiO 2 ).
  • various inorganic insulating materials such as SiN, SiON, and Al 2 O 3 can be used as the material constituting the inorganic insulating layer.
  • the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be reduced by using SiO 2 .
  • the second bus bar 12b is covered with the inorganic insulating layer 17.
  • through holes are formed in the inorganic insulating layer 17 in the portions where the second bus bars 11b and 13b are provided.
  • a first wiring 18 is provided on the inorganic insulating layer 17. The first wiring 18 fills the through hole and is electrically connected to the second bus bars 11b and 13b. In the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3, the first wiring 18 commonly connects the second bus bars 11b and 13b connected to the same potential.
  • the first wiring 18 extends in the elastic wave propagation direction and is located above the region where the second bus bars 11b, 12b, and 13b are provided. ing.
  • the 2nd wiring 19 as a signal wiring is connected with the 2nd bus-bar 12b.
  • the second wiring 19 is covered with the inorganic insulating layer 17 to prevent a short circuit with the first wiring 18.
  • the thickness of the wiring which is the length of the 2nd wiring 19 in an elastic wave propagation direction is smaller than the length of the 1st bus-bar 12b.
  • the first wiring 18 connected to the ground potential and the signal potential are connected in the region where the second bus bars 11b, 12b, and 13b are provided.
  • a solid intersection with the second wiring 19 is performed. Therefore, it is not necessary to provide a three-dimensional intersection in the region indicated by X in FIG. Therefore, the region indicated by X can be used for forming other elements. Therefore, the area of the piezoelectric substrate surface of the acoustic wave device 1 can be reduced, and the acoustic wave device 1 can be downsized.
  • the first wiring 20 is provided on the inorganic insulating layer 17 also in the region where the first bus bar 11a, 12a, 13a is provided. Yes. However, the first wiring 20 is electrically connected to the first bus bars 11a and 13a connected to the signal potential.
  • the first bus bar 12a is electrically connected to a second wiring 20A formed integrally with the first bus bar 12a.
  • the second wiring 20A is located below the inorganic insulating layer 17 described above. The second wiring 20A is connected to the ground potential.
  • the three-dimensional intersection is performed on the area where the first bus bars 11a, 12a and 13a are provided. It is possible to reduce the outer region in the direction orthogonal to the propagation direction.
  • the 3IDT type first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 is used, but a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having five or more IDT electrodes may be used.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the electrode structure of the acoustic wave device 21.
  • the elastic wave device 21 includes a first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 3A.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 ⁇ / b> A has substantially the same configuration as the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3A and the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3A are arranged so that the output signal of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 23 becomes the input signal of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3A.
  • a second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 23 is connected in cascade.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 23 includes first to third IDT electrodes 31 to 33 and reflectors 34 and 35.
  • the first bus bars 31a, 32a, 33a of the first to third IDT electrodes 31 to 33 are extended along the elastic wave propagation direction.
  • the first wiring 40 is provided via an inorganic insulating layer which is not shown in FIG.
  • the first wiring 40 three-dimensionally intersects with the second wiring 41 connected to the signal potential via an inorganic insulating layer.
  • the second bus bars 31b and 33b of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 23 connected to the previous stage are connected to the second wirings 43a and 43b, respectively.
  • the second wirings 43a and 43b are electrically connected to the first bus bars 11a and 13a of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3A at the next stage.
  • the first bus bars 11a and 13a are connected to the second wires 43a and 43b, and the second bus bar 12b is connected to the ground potential. Except for this, it has substantially the same structure as the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 of the first embodiment.
  • the first bus bar 12a is electrically connected to a first wiring 20 provided on an inorganic insulating layer (not shown). The first wiring 20 is connected to the ground potential.
  • the second wirings 43a and 43b described above are connected to the first bus bars 11a and 13a below the inorganic insulating layer.
  • the first wiring 20 is located above the region where the first bus bars 11a, 12a, and 13a are provided.
  • the first wiring 42 is located above the region where the second bus bars 31b, 32b, 33b are provided. Therefore, the three-dimensional intersection portion of the wiring is located not on the interstage region X2 but on the bus bar forming region. Therefore, the distance between steps can be shortened. That is, the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 23 can be brought closer to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3A. Therefore, also in 2nd Embodiment, size reduction of the elastic wave apparatus 21 can be achieved.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the elastic wave device of the second embodiment
  • FIG. 8 is a schematic plan view of the elastic wave device of the second comparative example.
  • the three-dimensional intersection is provided as described above.
  • the elastic wave device 121 of the second comparative example shown in FIG. 8 as in the first comparative example described above, it is more than the region where the bus bar of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter is provided. A three-dimensional intersection is provided on the outside.
  • the interstage region X2 is larger than the interstage region X 0.
  • FIG. 9 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the elastic wave devices of the second embodiment and the second comparative example
  • FIG. 10 is an enlarged view showing the attenuation frequency characteristics of the passband. is there. 9 and 10, the solid line shows the result of the second embodiment, and the broken line shows the result of the second comparative example.
  • the maximum loss in the pass band is about 0, compared to the second comparative example. It can be seen that it is .02 dB smaller.
  • FIG. 9 is a diagram showing the attenuation frequency characteristics of the elastic wave devices of the second embodiment and the second comparative example
  • FIG. 10 is an enlarged view showing the attenuation frequency characteristics of the passband. is there. 9 and 10
  • the solid line shows the result of the second embodiment
  • the broken line shows the result of the second comparative example.
  • the maximum loss in the pass band is about 0, compared to the second comparative example. It can be seen that it is .02 dB smaller.
  • FIGS. 12 and 13 are diagrams showing isolation characteristics and attenuation frequency characteristics in a duplexer having the elastic wave device 21 of the second embodiment and the elastic wave device 121 of the second comparative example as reception filters, respectively. 12 and 13, the solid line indicates the result of the second embodiment, and the broken line indicates the result of the second comparative example.
  • the transmission frequency band is indicated by Tx and the reception frequency band is indicated by Rx.
  • the isolation characteristics are greatly improved according to the second embodiment as compared with the second comparative example.
  • a first wiring 18 connected to a ground potential and a second wiring 19 in a lower layer are laminated via an inorganic insulating layer. Capacitance occurs in the part.
  • the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction is defined as the width direction.
  • the widths of the first and second bus bars 11a to 13b are dimensions along the width direction.
  • the width of the second wiring 19 is also a dimension along the width direction.
  • the width of the first wiring 18 narrower than the width of the second bus bar 12b.
  • the variation in the capacitance can be reduced. Therefore, for example, when used as a reception filter as described above, it is possible to improve the isolation characteristics due to the variation in the capacitance in the transmission frequency band.
  • the second bus bars 11 b, 12 b, and 13 b do not protrude from the second bus bars 11 b, 12 b, and 13 b in the width direction. It is desirable that the first wiring 18 overlaps, and the width of the first wiring 18 is desirably smaller than the width of the second bus bars 11b, 12b, 13b. In this case, even if the position of the first wiring 18 is shifted in the width direction or the elastic wave propagation direction, the facing area between the first wiring 18 and the second bus bars 11b, 12b, 13b is constant. Since the permissible range for the positional deviation of the first wiring 18 becomes wider, the variation in the capacitance can be reduced. Therefore, the isolation characteristics and the like can be effectively improved. In addition, the tolerance of the formation position of the first wiring 18 is increased.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of an acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • an elastic wave resonator 52 is connected to the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 3.
  • the fourth embodiment is the same as the first embodiment.
  • the three-dimensional intersection of wiring is the same as that of the first embodiment. Therefore, the distance X3 between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 3 and the acoustic wave resonator 52 provided on the piezoelectric substrate 2 can be reduced. Therefore, the area of the piezoelectric substrate 2 can be reduced, and the acoustic wave device 51 can be downsized.
  • various acoustic wave elements such as a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter and an acoustic wave resonator are included in the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter. May be connected.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of the acoustic wave device according to the fifth embodiment.
  • the elastic wave device 61 of the fifth embodiment is configured in substantially the same manner as the elastic wave device 21 of the second embodiment.
  • the first wiring 62 connected to the ground potential is provided so as to surround the region where the first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 3A and 23 are provided.
  • the first wiring 62 has a rectangular frame shape.
  • the first wirings 18 and 40 described above constitute a part of the rectangular frame-shaped first wiring 62. Further, the first wiring 62 is connected to the first wirings 20 and 42.
  • the first wiring 42 extends in the elastic wave propagation direction on the inorganic insulating layer above the second bus bars 31b, 32b, and 33b.
  • the first wiring 62 connected to the ground potential is preferably configured in an annular shape surrounding the region where the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 3A and 23 are provided. Accordingly, the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 3A and 23 can be electromagnetically shielded from surrounding elements and circuits.
  • a part of the first wiring 62 configured in a ring shape surrounding the region where the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 3A and 23 are provided is connected to the inner side and the outer side of the ring.
  • a notch 62A may be provided.
  • the first wiring 62 is provided by photolithography, the photoresist can be easily peeled off. Therefore, the first wiring 62 that performs the electromagnetic shielding function can be easily formed.
  • the annular first wiring 62 is provided with a notch 62A and does not have a closed opening inside the ring.
  • the two first and second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 70 and 80 are constituted by 5IDT type longitudinally coupled resonant type acoustic wave filters.
  • the first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 70 includes first to fifth IDT electrodes 71 to 75 arranged along the elastic wave propagation direction.
  • reflectors 76 and 77 are arranged on both sides of the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave propagation direction is a direction indicated by Z in FIG.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 70 is connected to an unbalanced input terminal 91. That is, the unbalanced input terminal 91 is connected to one end of the IDT electrodes 72 and 74. One end of each of the IDT electrodes 71, 73, 75 is connected to the first wiring 40. The first wiring 40 is connected to one end of the IDT electrodes 71, 73, 75 through a through hole provided in the inorganic insulating layer. Similarly, one end of each of the reflectors 76 and 77 is connected to the first wiring 40.
  • the first wiring 40 constitutes a part of a rectangular frame-shaped first wiring 62 as in the case of FIG.
  • the first wiring 62 is connected to a reference potential or a ground potential.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 80 is cascaded to the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 70.
  • the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 80 includes IDT electrodes 81 to 85 arranged along the acoustic wave propagation direction.
  • reflectors 86 and 87 are provided on both sides of the elastic wave propagation direction.
  • the output terminal of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 80 is connected to the unbalanced output terminal 92. More specifically, one end of the IDT electrodes 82 and 84 is connected to the unbalanced output terminal 92.
  • One end of the IDT electrodes 81, 83, 85 is connected to the ground potential. That is, it is connected to the first wire 62 having a rectangular frame shape. That is, the first wiring 62 is electrically connected to one bus bar of the IDT electrodes 81, 83, 85 so as to penetrate through holes provided in an inorganic insulating layer (not shown).
  • the second wirings 93 to 95 as inter-stage connection wirings are used to connect the bus bars of the IDT electrodes 71, 73, 75 of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 70 to the second vertical wiring.
  • the bus bars of the IDT electrodes 81, 83, 85 of the coupled resonator type elastic wave filter 80 are electrically connected.
  • the first wiring 62 is electrically connected to a bus bar located on the interstage side of the IDT electrodes 72, 74, 82, 84. That is, the first wiring 62 is electrically connected to the bus bars on the interstage side of the IDT electrodes 72, 74, 82, 84 so as to penetrate through the through holes provided in the inorganic insulating layer. Therefore, even between the stages, the space between the second wirings 93 to 95 or the bus bar connected to the signal potential and the first wiring 62 is formed in the bus bar forming region, so that the space can be reduced. it can.
  • the first wiring 62 is connected to a reference potential or a ground potential.
  • connection with the reference potential can be realized by connecting with the reference potential provided on the substrate on which the acoustic wave device is mounted.
  • the 1st wiring 62 has a cyclic
  • the length of the notch 62B in the Z direction in FIG. 18, that is, the length of the cut portion, is desirably 5 times or less the line width of the first wiring 62 when the piezoelectric substrate is viewed in plan.
  • the line width refers to a dimension W in a direction orthogonal to the annular extending direction of the annular first wiring 62.
  • the input / output terminals of the elastic wave device may be not only unbalanced-unbalanced but also unbalanced-balanced or balanced-balanced.

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Abstract

圧電基板面の面積を小さくすることができ、小型化を図ることができる弾性波装置を提供する。　圧電基板２上に、縦結合共振子型弾性波フィルタ３が設けられている。縦結合共振子型弾性波フィルタ３のＩＤＴ電極１１～１３が、第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａと、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂとを有する。弾性波伝搬方向と直交する方向のうち少なくとも一方において、複数の第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａまたは複数の第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂを覆うように、無機絶縁層が設けられており、無機絶縁層上に、弾性波伝搬方向に延びるように第１の配線１８が配置されている。第２の配線１９が無機絶縁層を介して第１の配線１８と立体交差している。第１の配線１８が、同電位に接続されるバスバーに無機絶縁層を貫通して接続されている。

Description

弾性波装置
　本発明は、圧電基板上に縦結合共振子型弾性波フィルタが構成されている弾性波装置に関する。
　下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、圧電基板上に、ＩＤＴ電極及びグラウンド側配線が設けられている。グラウンド側配線はＩＤＴ電極を囲むように設けられている。ＩＤＴ電極に接続されているホット側配線が、絶縁膜を介して、グラウンド側配線と立体交差している。
　下記の特許文献２では、２つの縦結合共振子型弾性波素子間を接続しているグラウンド側配線と、他の２つの縦結合共振子型弾性波素子間を接続しているホット側配線とが、絶縁膜を介して交差している。また、下記の特許文献３には、絶縁膜を介して、異なる電位の配線同士が交差されている。
ＷＯ２０１０／１５０８８２ ＷＯ２０１４／１９９６７４ 特開２００４－２８２７０７号公報
　特許文献１～３に記載のような従来の弾性波装置では、ＩＤＴ電極から離れた部分において、立体交差部分が設けられていた。そのため、圧電基板面の面積が大きくならざるを得ず、小型化が困難であった。
　本発明の目的は、圧電基板面の面積を小さくすることができ、小型化を図り得る、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に沿って配置された少なくとも３つのＩＤＴ電極を有する第１の縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、前記各ＩＤＴ電極が、弾性波伝搬方向と直交する方向において、一端側に設けられた第１のバスバーと、他端側に設けられた第２のバスバーとを有し、前記一端側及び前記他端側のうち少なくとも一方において、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーを覆うように無機絶縁層が設けられており、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーの上方において、前記無機絶縁層上に弾性波伝搬方向に延びるように配置された第１の配線と、前記無機絶縁層を介して前記第１の配線と立体交差するように前記圧電基板上に設けられた第２の配線とがさらに備えられており、前記第１の配線が、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーのうちの同電位に接続されるバスバーに前記無機絶縁層を貫通して接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの複数の前記第２のバスバーが配置されている側に設けられた弾性波素子がさらに備えられている。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーの上方において、前記無機絶縁層上に弾性波伝搬方向に延びるように配置された前記第１の配線は、前記圧電基板を平面視して複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーからはみ出ることなく、重なって設けられている。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記弾性波素子が、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタであり、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタに、前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタが縦続接続されている。この場合には、段間の面積を小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記弾性波素子が、弾性波共振子である。この場合には、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタと、弾性波共振子との間の領域の面積を小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーの弾性波伝搬方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーの幅に比べて、前記第１の配線の幅が狭くされている。この場合には、第１の配線を無機絶縁層上に形成するに際し、幅方向における位置決め精度を緩和することができる。また、第１，第２の配線間の容量のばらつきが生じ難い。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記同電位に接続される前記バスバーが、グラウンド電位に接続されるバスバーであり、前記第１の配線がグラウンド電位に接続される。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の配線が、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタを囲むように設けられている。この場合には、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタを、周囲に対して電磁シールドすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の配線が、グラウンド電位に接続される配線であり、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記弾性波素子を囲むように設けられている。この場合には、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ及び弾性波共振子と、配線の外側に位置している素子や電極との干渉を抑制することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の配線が環状の形状を有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板を平面視して、前記第１の配線が環状の形状の内側と外側を接続する切欠きを有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板である。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記無機絶縁層が、前記圧電基板上において、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの少なくとも複数のＩＤＴ電極を覆うように設けられている。好ましくは、前記無機絶縁層が、酸化ケイ素からなる。この場合には、弾性波装置の周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置によれば、圧電基板面の面積を小さくすることができ、弾性波装置の小型化を図ることができる。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図であり、図１（ｂ）は縦結合共振子型弾性波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 図２は、図１の矢印Ａ－Ａ線に沿う部分に相当する部分の断面図である。 図３は、比較のために用意した第１の比較例の弾性波装置を説明するための模式的平面図である。 図４は、図３の矢印Ｂ－Ｂ線に沿う部分の断面図である。 図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図６は、第２の実施形態における第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの電気的接続構造を説明するための模式的平面図である。 図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図８は、比較のために用意した第２の比較例の弾性波装置の模式的平面図である。 図９は、第２の実施形態及び第２の比較例に係る弾性波装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図１０は、第２の実施形態及び第２の比較例の弾性波装置の減衰量周波数特性を拡大して示す図である。 図１１は、第２の比較例における容量発生部分を説明するための部分拡大平面図である。 図１２は、第２の実施形態及び第２の比較例におけるアイソレーション特性を示す図である。 図１３は、第２の実施形態及び第２の比較例に係る弾性波装置の減衰量周波数特性を示す図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１５は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１６は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１７は、第５の実施形態の弾性波装置の変形例を説明するための模式的平面図である。 図１８は、第５の実施形態の弾性波装置の他の変形例を説明するための模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図であり、図１（ｂ）は、本実施形態における縦結合共振子型弾性波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。また図２は、図１の矢印Ａ－Ａ線に沿う部分に相当する部分の断面図である。
　弾性波装置１は、主面を有する圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３からなる。もっとも、圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３などの他の圧電単結晶からなるものであってもよい。また、圧電基板２は、複数の積層膜上に圧電薄膜を積層した構造を有していてもよい。
　圧電基板２の主面上に、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３が設けられている。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３は、第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３を有する。すなわち、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３は、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。
　弾性波伝搬方向に沿って第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３が圧電基板２の主面上に配置されている。第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３が設けられている領域の弾性波伝搬方向一方側に反射器１４が、他方側に反射器１５が配置されている。
　図１（ａ）では、第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３及び反射器１４，１５が設けられている位置を模式的に示している。図１（ｂ）に、第１～第３のＩＤＴ電極及び反射器１４，１５の電極構造をより具体的な模式図で示す。
　図１（ｂ）に示すように、第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３は、それぞれ、弾性波伝搬方向と直交する方向において一端側に配置された第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａを有する。また、弾性波伝搬方向と直交する方向において他端側には、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが配置されている。第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａに、複数本の第１の電極指１１ｃ，１２ｃ，１３ｃの一端が接続されている。第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂに、複数本の第２の電極指１１ｄ，１２ｄ，１３ｄの一端が接続されている。
　反射器１４，１５は、それぞれ、弾性波伝搬方向と直交する方向において一端側に設けられた第１のバスバー１４ａ，１５ａと、他端側に設けられた第２のバスバー１４ｂ，１５ｂとを有する。第１のバスバー１４ａと第２のバスバー１４ｂとが、複数本の電極指により短絡されている。同様に、第１のバスバー１５ａと第２のバスバー１５ｂとが、複数本の電極指により短絡されている。なお、反射器１４，１５の第１のバスバー１４ａ，１５ａ及び第２のバスバー１４ｂ，１５ｂは省略可能である。
　上記第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３及び反射器１４，１５を構成する材料は、導電性材料であれば特に限定されないが、Ａｌ、Ａｕなどの金属または、合金が好適に用いられる。
　図１（ｂ）に示すように、弾性波伝搬方向に延びる細長いストリップ状の第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが弾性波伝搬方向に沿って配置されている。第１のバスバー１４ａ及び第１のバスバー１５ａも、第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが延びる方向の延長上において、直線状に延ばされている。
　弾性波伝搬方向と直交する方向の他端側においても、同様に、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが、弾性波伝搬方向に沿って延びる細長いストリップ状の形状とされている。第２のバスバー１４ｂ，１５ｂも細長いストリップ状の形状を有し、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが延びる方向の延長上に位置している。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３では、第１のバスバー１１ａ，１３ａが、信号電位に接続され、第２のバスバー１１ｂ，１３ｂが、グラウンド電位に接続される。第２のＩＤＴ電極１２では、第１のバスバー１２ａがグラウンド電位に接続され、第２のバスバー１２ｂが信号電位に接続される。
　従来、縦結合共振子型の弾性波装置では、圧電基板上において他の素子と接続するために、またグラウンド電位に接続するために、それぞれ、配線を設けるにあたり、大きな配線スペースを必要としていた。これに対して、本実施形態の弾性波装置１では、この配線スペースを小さくすることができる。これを、図３と、図１（ａ）及び図２とを参照してより具体的に説明する。
　図３は、従来の配線の立体交差部分を説明するための第１の比較例の弾性波装置の一例の模式的平面図である。図３に示すように、第１～第３のＩＤＴ電極１１１～１１３は、上記実施形態の第１～第３のＩＤＴ電極１１～１３と同様に構成されている。また、反射器１１４，１１５が設けられている。もっとも、立体交差部分は、以下のようにして構成されている。
　すなわち、第２のバスバー１１２ｂに、信号配線１２０が接続されている。他方、グラウンド電位に接続される第２のバスバー１１１ｂ，１１３ｂには上層の配線１１９が接続されている。図３では図示を省略しているが、図４に示すように、実際には、上層の配線１１９の下方に無機絶縁層１１８が積層されている。この無機絶縁層１１８により、上層の配線１１９と信号配線１２０との短絡が防止されている。図３から明らかなように、Ｘ１で示す領域が、上記立体交差部分のために必要であった。
　これに対して、本実施形態では、図１（ａ）では図示を省略しているが、図２に示すように、圧電基板２の主面上の全面には、上記電極構造を覆うように無機絶縁層１７が設けられている。無機絶縁層１７は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる。もっとも、無機絶縁層を構成する材料については、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３などの様々な無機絶縁材料を用いることができる。好ましくは、ＳｉＯ２を用いることにより、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。
　図２に示すように、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが設けられている領域では、無機絶縁層１７により、第２のバスバー１２ｂが被覆されている。他方、第２のバスバー１１ｂ，１３ｂが設けられている部分においては、無機絶縁層１７に貫通孔が形成されている。そして、無機絶縁層１７上に、第１の配線１８が設けられている。第１の配線１８は上記貫通孔を充填しており、第２のバスバー１１ｂ，１３ｂに電気的に接続されている。第１の配線１８は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３において、同電位に接続される第２のバスバー１１ｂ，１３ｂを共通接続している。
　図１（ａ）に示すように、第１の配線１８は、弾性波伝搬方向に延ばされており、かつ上記第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが設けられている領域の上方に位置している。他方、図１（ａ）に示すように、第２のバスバー１２ｂには、信号配線としての第２の配線１９が連ねられている。第２の配線１９は、無機絶縁層１７で被覆されており、第１の配線１８との短絡が防止されている。なお、弾性波伝搬方向における、第２の配線１９の長さである配線の太さは、第１のバスバー１２ｂの長さより小さい。
　上記の通り、縦結合共振子型弾性波フィルタ３では、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが設けられている領域において、グラウンド電位に接続される第１の配線１８と、信号電位に接続される第２の配線１９との立体交差が果たされている。従って、図１（ａ）においてＸで示す領域に立体交差部分を設ける必要がない。よって、Ｘで示す領域を他の素子の形成等に利用することができる。従って、弾性波装置１の圧電基板面の面積を小さくすることができ、弾性波装置１の小型化を図ることができる。
　第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ側を例にとり説明したが、第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられている領域においても、第１の配線２０が無機絶縁層１７上に設けられている。もっとも、第１の配線２０は、信号電位に接続される第１のバスバー１１ａ，１３ａに電気的に接続されている。第１のバスバー１２ａは、第１のバスバー１２ａと一体に形成された第２の配線２０Ａに電気的に接続されている。第２の配線２０Ａは、前述した無機絶縁層１７の下層に位置している。第２の配線２０Ａはグラウンド電位に接続される。
　第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられている側においても、立体交差が、第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられている領域上で行なわれているため、同様に、弾性波伝搬方向と直交する方向において外側の領域を小さくすることが可能とされている。
　なお、本実施形態では、３ＩＤＴ型の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３が用いられていたが、５以上のＩＤＴ電極を有する縦結合共振子型弾性波フィルタを用いてもよい。
　図５は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図６は、弾性波装置２１の電極構造を示す模式的平面図である。弾性波装置２１は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａを有する。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａは、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３とほぼ同様の構成を有する。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３の出力信号が、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａの入力信号となるように、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａと第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３とが縦続接続されている。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３は、第１～第３のＩＤＴ電極３１～３３と、反射器３４，３５とを有する。第１～第３のＩＤＴ電極３１～３３の第１のバスバー３１ａ，３２ａ，３３ａが、弾性波伝搬方向に沿って延ばされている。第１のバスバー３１ａ，３２ａ，３３ａが設けられている領域の上方において、図５では図示を省略している無機絶縁層を介して、第１の配線４０が設けられている。第１の配線４０は、信号電位に接続される第２の配線４１と無機絶縁層を介して立体交差している。図５に示すように、前段に接続されている第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３の第２のバスバー３１ｂ，３３ｂが、第２の配線４３ａ，４３ｂにそれぞれ接続されている。第２の配線４３ａ，４３ｂは、次段の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａの第１のバスバー１１ａ，１３ａに電気的に接続されている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａは、上記第２の配線４３ａ，４３ｂに第１のバスバー１１ａ，１３ａが接続されており、第２のバスバー１２ｂがグラウンド電位に接続されることを除いては、第１の実施形態の第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３とほぼ同様の構造を有する。第１のバスバー１２ａが、図示しない無機絶縁層上に設けられている第１の配線２０に電気的に接続されている。第１の配線２０はグラウンド電位に接続される。
　前述した第２の配線４３ａ，４３ｂは、無機絶縁層の下方において、第１のバスバー１１ａ，１３ａと連ねられている。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａでは、上記第１の配線２０が第１のバスバー１１ａ，１２ａ，１３ａが設けられている領域の上方に位置している。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３においても、第１の配線４２が第２のバスバー３１ｂ，３２ｂ，３３ｂが設けられている領域の上方に位置している。そのため、配線の立体交差部分が、段間領域Ｘ２ではなく、上記バスバー形成領域上に位置している。よって、段間距離を短くできる。すなわち、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａに第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ２３を近づけることができる。よって、第２の実施形態においても、弾性波装置２１の小型化を図ることができる。
　加えて、第２の実施形態の弾性波装置２１では、通過帯域内における損失を低減することができる。これを、以下においてより具体的に説明する。図７は、第２の実施形態の弾性波装置の模式的平面図であり、図８は、第２の比較例の弾性波装置の模式的平面図である。第２の実施形態の弾性波装置２１では、前述したように立体交差部が設けられている。これに対して、図８に示す第２の比較例の弾性波装置１２１では、前述した第１の比較例と同様に、縦結合共振子型弾性波フィルタのバスバーが設けられている領域よりも外側において立体交差部が設けられている。従って、図８を図７と対比すれば明らかなように、段間領域Ｘ２が段間領域Ｘ０よりも大きくなっている。
　図９は、上記第２の実施形態及び第２の比較例の弾性波装置の減衰量周波数特性を示す図であり、図１０は、その通過帯域の減衰量周波数特性を拡大して示す図である。図９及び図１０において、実線が第２の実施形態の結果を、破線が第２の比較例の結果を示す。図９及び図１０から明らかなように、通過帯域である８５９ＭＨｚ以上、８９４ＭＨｚ以下の範囲において、第２の比較例に比べ、第２の実施形態によれば、通過帯域内最大損失が、約０．０２ｄＢ小さくなっていることがわかる。これは、図７に示すように、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａ，２３が近づいているため、配線４１，４２間の寄生容量が相対的に小さくなっているためと考えられる。第２の比較例の弾性波装置１２１では、配線１４１，１４２の長さが長く、従って、図示の寄生容量Ｃ１が大きくなっていると考えられる。そのため、第２の実施形態によれば、上記のように低損失化が図られていると考えられる。
　図１２及び図１３は、第２の実施形態の弾性波装置２１及び第２の比較例の弾性波装置１２１を受信フィルタとして有するデュプレクサにおけるアイソレーション特性及び減衰量周波数特性をそれぞれ示す図である。図１２及び図１３において、実線が第２の実施形態の結果を、破線が第２の比較例の結果を示す。
　図１２において、送信周波数帯をＴｘ、受信周波数帯をＲｘで示す。
　送信周波数帯Ｔｘにおいて、第２の比較例に比べ、第２の実施形態によれば、アイソレーション特性が大幅に改善されていることがわかる。これは、図１１に示すように、第２の実施形態では、例えばグラウンド電位に接続される第１の配線１８と、無機絶縁層を介して下層の第２の配線１９とが積層されている部分において静電容量が生じる。ここで、第１，第２のバスバー１１ａ～１３ｂにおいて、弾性波伝搬方向と直交する方向を幅方向とする。第１，第２のバスバー１１ａ～１３ｂの幅とは、上記幅方向に沿う寸法である。また、上記第２の配線１９の幅も、上記幅方向に沿う寸法とする。
　この場合、第２の実施形態では、第２のバスバー１２ｂの幅よりも、第１の配線１８の幅を狭くすることが望ましい。それによって、上記静電容量のばらつきを小さくすることができる。従って、上記のように例えば受信フィルタとして用いた場合、送信周波数帯における上記静電容量のばらつきによるアイソレーション特性を改善することができる。
　特に、図１４に示す第３の実施形態のように、圧電基板を平面視したとき、幅方向において第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂからはみ出ることなく、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂと第１の配線１８とが重なっていることが望ましく、上記第１の配線１８の幅が、第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂの幅よりも細くなっていることが望ましい。その場合には、幅方向において、あるいは弾性波伝搬方向において上記第１の配線１８の位置がずれたとしても、第１の配線１８と第２のバスバー１１ｂ，１２ｂ，１３ｂとの対向面積が一定となる上記第１の配線１８の位置ずれに対する許容範囲が広がるため、上記静電容量の変動が小さくできる。従って、アイソレーション特性などを効果的に改善することができる。また、第１の配線１８の形成位置の許容度も高められる。
　図１５は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。弾性波装置５１では、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３に、弾性波共振子５２が接続されている。その他の構成は、第４の実施形態は第１の実施形態と同様である。本実施形態においても、配線の立体交差が第１の実施形態と同様とされている。従って、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３と、圧電基板２上に設けられる弾性波共振子５２との距離Ｘ３を小さくすることができる。よって、圧電基板２の面積を小さくすることができ、弾性波装置５１においても小型化を図ることができる。
　第４の実施形態から明らかなように、本発明の弾性波装置においては、縦結合共振子型弾性波フィルタに、縦結合共振子型弾性波フィルタや弾性波共振子などの様々な弾性波素子を接続してもよい。
　図１６は、第５の実施形態の弾性波装置の模式的平面図である。第５の実施形態の弾性波装置６１は、第２の実施形態の弾性波装置２１とほぼ同様に構成されている。もっとも、弾性波装置６１では、第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａ，２３が設けられている領域を囲むように、グラウンド電位に接続される第１の配線６２が設けられている。この第１の配線６２は矩形枠状の形状を有している。前述した第１の配線１８，４０は、この矩形枠状の第１の配線６２の一部を構成している。また、第１の配線６２は、第１の配線２０，４２に連ねられている。第１の配線４２は、第２のバスバー３１ｂ，３２ｂ，３３ｂの上方において無機絶縁層上を弾性波伝搬方向に延びている。このように、グラウンド電位に接続される第１の配線６２を、縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａ，２３が設けられている領域を囲む環状に構成することが好ましい。それによって、縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａ，２３を周囲の素子や回路から電磁シールドすることができる。
　また、図１７に示すように、縦結合共振子型弾性波フィルタ３Ａ，２３が設けられている領域を囲む環状に構成する第１の配線６２の一部に、環の内側と外側をつなぐ切欠き６２Ａを設けてもよい。その場合には、フォトリソグラフィーにより第１の配線６２を設ける場合、フォトレジストの剥離を容易に行ない得る。従って、上記電磁シールド機能を果たす第１の配線６２を容易に形成することができる。このとき、圧電基板２を平面視したとき、環状の第１の配線６２に切欠き６２Ａが設けられており、環の内部に閉じた開口部を有さないことが望ましい。
　また、図１８に示すように、２つの第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ７０，８０が、５ＩＤＴ型の縦結合共振型弾性波フィルタで構成されることも望ましい。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ７０は、弾性波伝搬方向に沿って配置された第１～第５のＩＤＴ電極７１～７５を有する。また、反射器７６，７７が、弾性波伝搬方向両側に配置されている。弾性波伝搬方向とは、図１８において、Ｚで示す方向である。
　第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ７０は、不平衡入力端子９１に接続されている。すなわち、不平衡入力端子９１が、ＩＤＴ電極７２，７４の一端に接続されている。ＩＤＴ電極７１，７３，７５の各一端は、第１の配線４０に接続されている。無機絶縁層に設けられた貫通孔を介して、上記第１の配線４０がＩＤＴ電極７１，７３，７５の一端に接続されている。反射器７６，７７の一端も、同様にして、第１の配線４０に接続されている。
　第１の配線４０は、図１６の場合と同様に、矩形枠状の第１の配線６２の一部を構成している。第１の配線６２は基準電位またはグラウンド電位に接続される。
　第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ８０は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ７０に縦続接続されている。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ８０は、弾性波伝搬方向に沿って並べられたＩＤＴ電極８１～８５を有する。また、弾性波伝搬方向両側に、反射器８６，８７が設けられている。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ８０の出力端は、不平衡出力端子９２に接続されている。より具体的には、不平衡出力端子９２に、ＩＤＴ電極８２，８４の一端が接続されている。ＩＤＴ電極８１，８３，８５の一端は、グラウンド電位に接続される。すなわち、矩形枠状の第１の配線６２に接続されている。すなわち、図示しない無機絶縁層に設けられた貫通孔を貫通するように、第１の配線６２が、ＩＤＴ電極８１，８３，８５の一方のバスバーに電気的に接続されている。
　上記不平衡入力端子９１及び不平衡出力端子９２またはこれらの一方に連なるバスバーは、それぞれ、入力端側及び出力端側において、無機絶縁層を介して、上方の第１の配線６２と立体交差している。従って、入力端側及び出力端側において、本実施形態においてもスペースを低減することができる。
　他方、段間においては、段間接続配線としての第２の配線９３～９５により、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ７０のＩＤＴ電極７１，７３，７５のバスバーと、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ８０のＩＤＴ電極８１，８３，８５のバスバーとが電気的に接続されている。
　第１の配線６２は、ＩＤＴ電極７２，７４，８２，８４の段間側に位置しているバスバーと、電気的に接続されている。すなわち、無機絶縁層に設けられた貫通孔を貫通するようにして、第１の配線６２が、ＩＤＴ電極７２，７４，８２，８４の段間側のバスバーに電気的に接続されている。従って、段間においても、第２の配線９３～９５または信号電位に接続されるバスバーと、第１の配線６２との立体交差がバスバー形成領域で行なわれているため、スペースを低減することができる。
　第１の配線６２は、基準電位あるいはグラウンド電位に接続される。
　基準電位との接続は、弾性波装置が実装される基板に設けられた基準電位と接続することで実現できる。第１の配線６２は、全体として環状の形状を有するが、一部に切断部としての切欠き６２Ｂを有する。そのため、フォトリソグラフィーにより第１の配線６２を形成する場合、フォトレジストを容易に剥離することができる。
　上記切欠き６２Ｂの図１８のＺ方向の長さ、すなわち切断部長は、圧電基板を平面視した場合、第１の配線６２の線幅に対し、５倍以下であることが望ましい。ここで、線幅とは、環状の第１の配線６２の環状に延びる方向と直交する方向の寸法Ｗをいうものとする。第１の配線６２の環状部が延びる方向に沿う切欠き６２Ｂの長さが、１０μｍ以上であって、第１の配線６２の線幅Ｗの５倍以下である場合、電離シールド機能を十分に果たしつつ、フォトレジストの剥離をより一層容易に行なうことができる。
　なお弾性波装置の入出力端子は不平衡-不平衡だけでなく、不平衡-平衡または平衡-平衡であってもよい。
１…弾性波装置
２…圧電基板
３，３Ａ…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ
１１～１３…ＩＤＴ電極
１１ａ，１２ａ，１３ａ…第１のバスバー
１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ…第２のバスバー
１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ…第１の電極指
１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ…第２の電極指
１４，１５…反射器
１４ａ，１５ａ…第１のバスバー
１４ｂ，１５ｂ…第２のバスバー
１７…無機絶縁層
１８，２０…第１の配線
１９，２０Ａ…第２の配線
２１…弾性波装置
２３…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
３１～３３…ＩＤＴ電極
３１ａ，３２ａ，３３ａ…第１のバスバー
３４，３５…反射器
４０，４２…第１の配線
４１…第２の配線
４３ａ，４３ｂ…第２の配線
５１，６１…弾性波装置
５２…弾性波共振子
６２…第１の配線
６２Ａ，６２Ｂ…切欠き
７０，８０…第１，第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
７１～７５，８１～８５…ＩＤＴ電極
７６，７７，８６，８７…反射器
９１…不平衡入力端子
９２…不平衡出力端子
９３～９５…第２の配線

Claims (14)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられており、弾性波伝搬方向に沿って配置された少なくとも３つのＩＤＴ電極を有する第１の縦結合共振子型弾性波フィルタとを備え、
    　前記各ＩＤＴ電極が、弾性波伝搬方向と直交する方向において、一端側に設けられた第１のバスバーと、他端側に設けられた第２のバスバーとを有し、
    　前記一端側及び前記他端側のうち少なくとも一方において、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーを覆うように無機絶縁層が設けられており、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーの上方において、前記無機絶縁層上に弾性波伝搬方向に延びるように配置された第１の配線と、
    　前記無機絶縁層を介して前記第１の配線と立体交差するように前記圧電基板上に設けられた第２の配線と、
    がさらに備えられており、前記第１の配線が、複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーのうちの同電位に接続されるバスバーに前記無機絶縁層を貫通して接続されている、弾性波装置。
  2. 　前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの複数の前記第２のバスバーが配置されている側に設けられた弾性波素子をさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーの上方において、前記無機絶縁層上に弾性波伝搬方向に延びるように配置された前記第１の配線は、前記圧電基板を平面視して複数の前記第１のバスバーまたは複数の前記第２のバスバーからはみ出ることなく、重なって設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記弾性波素子が、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタであり、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタに、前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタが縦続接続されている、請求項２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記弾性波素子が、弾性波共振子である、請求項２に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーの弾性波伝搬方向と直交する方向を幅方向としたときに、前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーの幅に比べて、前記第１の配線の幅が狭くされている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記同電位に接続される前記バスバーが、グラウンド電位に接続されるバスバーであり、前記第１の配線がグラウンド電位に接続される、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１の配線が、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタを囲むように設けられている、請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１の配線が、グラウンド電位に接続される配線であり、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ及び前記弾性波素子を囲むように設けられている、請求項２に記載の弾性波装置。
  10. 　前記第１の配線が環状の形状を有する、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記圧電基板を平面視して、前記第１の配線が環状の形状の内側と外側を接続する切欠きを有する、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記無機絶縁層が、前記圧電基板上において、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの少なくとも複数のＩＤＴ電極を覆うように設けられている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記無機絶縁層が、酸化ケイ素からなる、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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