JP6876828B2 - 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

Description

本開示は、電気信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）である。

複数の弾性波共振子をラダー型に接続することによって構成された弾性波フィルタが知られている（例えば特許文献１及び２）。

特許文献１は、弾性波フィルタに信号を入力する入力端子または弾性波フィルタからの信号を出力する出力端子と、弾性波フィルタ内で信号を伝達する配線との間に、シールド導体が設けられたラダー型の弾性波フィルタを開示している。

特許文献２では、ラダー型の弾性波フィルタからなる送信フィルタと、ラダー型の弾性波フィルタからなる受信フィルタとを有するデュプレクサが開示されている。送信フィルタおよび受信フィルタは、１つの入出力端子に共に接続されており、全体として概略Ｕ字状に配置されている。特許文献２では、送信フィルタと受信フィルタとの間にシールド導体が設けられた態様も開示されている。

特開平０７−１５４２０１号公報 特開２０１０−２３９６１２号公報

本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上のフィルタ本体と、基準電位部に接続されているシールド導体とを有している。前記フィルタ本体は、直列腕と、１以上の並列共振子とを、これらがラダー型に接続されている状態で有している。前記直列腕は、互いに直列に接続されている複数の直列共振子を含んでいる。前記複数の直列共振子の間の共振周波数の差は、各直列共振子の共振周波数と***振周波数との差の半分よりも小さい。前記直列腕は、第１分割腕と、第２分割腕とを有している。前記第１分割腕は、前記圧電基板に対して所定方向の一方側から他方側へ延びており、少なくとも１つの前記直列共振子を含んでいる。前記第２分割腕は、前記第１分割腕の前記他方側の部分から折り返して前記一方側へ延びており、少なくとも１つの前記直列共振子を含んでいる。前記シールド導体は、前記第１分割腕が含む前記直列共振子の少なくとも１つと、前記第２分割腕が含む前記直列共振子の少なくとも１つとの間に位置している部分を有している。

本開示の一態様に係る分波器は、アンテナ端子と、前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、を有している。前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、上記の弾性波フィルタによって構成されている。

本開示の一態様に係る通信装置は、上記の弾性波フィルタと、前記直列腕の一端と接続されているアンテナと、前記直列腕の他端と接続されているＩＣと、を有している。

ＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図１のＳＡＷ共振子を含むＳＡＷフィルタの構成を模式的に示す平面図である。 図２のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は第１および第２変形例に係るＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は第３および第４変形例に係るＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 第５変形例に係るＳＡＷフィルタの一部を示す平面図である。 図６のＳＡＷフィルタの特性についてのシミュレーション結果を示す図である。 図２のＳＡＷフィルタの利用例としての分波器を模式的に示す図である。 図８の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。

以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

（ＳＡＷ共振子の構成）
図１は、実施形態に係るＳＡＷフィルタ５１（図２）に用いられるＳＡＷ共振子１の構成を示す平面図である。

ＳＡＷ共振子１（ＳＡＷフィルタ５１）は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板５の上面（紙面手前側の面。通常は最も広い面（主面）。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板５の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板５の上面に直交するように定義されている。

ＳＡＷ共振子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、模式的に示す２つの端子３の一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を２つの端子３の他方から出力する。

このようなＳＡＷ共振子１は、例えば、圧電基板５と、圧電基板５上に設けられたＩＤＴ電極７と、圧電基板５上にてＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを有している。

なお、上記のように、厳密には、ＳＡＷ共振子１は、圧電基板５を含んでいる。ただし、後述するように、本実施形態では、一の圧電基板５上に、ＩＤＴ電極７及び１対の反射器９の組み合わせが複数設けられ、複数のＳＡＷ共振子１（１Ｓ２、１Ｐ１等）が構成される（図２参照）。そこで、以下の説明では、便宜上、ＩＤＴ電極７及び１つの反射器９の組み合わせ（ＳＡＷ共振子１の電極部）をＳＡＷ共振子１という。

圧電基板５は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板５は、回転ＹカットＸ伝搬のものである。すなわち、Ｘ軸は圧電基板５の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板５の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、圧電基板５は、比較的薄く形成され、裏面（Ｄ３軸負側の面）に無機材料または有機材料からなる支持基板が貼り合わされたものであってもよい。また、圧電基板５と支持基板との間に中間層が介在してもよい。中間層は単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。

ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板５上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されていてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。

ＩＤＴ電極７は、１対の櫛歯電極１１（一方には視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）を有している。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５と、複数の電極指１５の間にてバスバー１３から突出する複数のダミー電極１７とを有している。

１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極１１の２本のバスバー１３は互いに対向して配置され、一方の櫛歯電極１１の電極指１５と他方の櫛歯電極１１の電極指１５とはその幅方向に基本的に交互に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数のダミー電極は、その先端が他方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と対向している。

バスバー１３は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。そして、１対のバスバー１３は、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）において互いに対向している。１対のバスバー１３の互いに対向する縁部は、例えば、互いに平行である。なお、バスバー１３は、幅が変化していたり、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。

各電極指１５は、例えば、概略、一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。

電極指１５の本数、長さ及び幅ｗ（別の観点ではピッチｐに対する幅ｗの比であるデューティー比）は、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極２１についても同様である。

複数の電極指１５のピッチｐ（電極指ピッチ）は、例えば、ＩＤＴ電極７全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指１５（または後述するストリップ電極２１）の中心間距離である。ピッチｐは、基本的に、圧電基板５上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長λの半分（ｐ＝λ／２）とされている。

複数のダミー電極１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に突出する長尺状に形成されている。複数のダミー電極１７の幅、本数およびピッチは、複数の電極指１５と同等である。なお、ダミー電極１７の幅は電極指１５と異なっていてもよい。ＩＤＴ電極７は、ダミー電極１７を有さないものであってもよい。以下の説明では、ダミー電極１７の説明および図示を省略することがある。

既述のように、一方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５の先端と、他方の櫛歯電極１１（より詳細には本実施形態では他方の櫛歯電極１１のダミー電極１７の先端）とは、複数の電極指１５の延びる方向（Ｄ２軸方向）においてギャップＧｐを介して対向している。ギャップＧｐのＤ２軸方向における大きさは、例えば、複数の電極指１５間で同等である。

反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１９と、１対のバスバー１９間において延びる複数のストリップ電極２１とを有している。

バスバー１９およびストリップ電極２１の形状は、ストリップ電極２１の両端が１対のバスバー１９に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。

１対の反射器９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極７の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極２１は、複数の電極指１５の配列に続いて配列されている。反射器９とＩＤＴ電極７との間で互いに隣接するストリップ電極２１と電極指１５とのピッチは、例えば、複数の電極指１５（および複数のストリップ電極２１）のピッチと同等である。

なお、圧電基板５の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ_２等からなる不図示の保護膜によって覆われていてもよい。当該保護膜は、ＩＤＴ電極７よりも薄くてもよいし、厚くてもよい。また、保護膜が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。

１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されると、電極指１５によって圧電基板５に電圧が印加され、圧電基板５の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指１５によって機械的に反射される。その結果、電極指１５のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１５によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１は共振子として機能する。その共振周波数は、電極指ピッチを半波長として圧電基板５上を伝搬するＳＡＷの周波数と概ね同一の周波数である。

ＩＤＴ電極７において励起されたＳＡＷは、反射器９のストリップ電極２１によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極２１がバスバー１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極７からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極２１によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極７における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１の共振子としての機能が向上する。

なお、ＳＡＷ共振子１について接続という場合、特に断りがない限りは、２つの端子３によって模式的に示されているように、１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されるような態様での接続をいうものとする。

ＩＤＴ電極７は、特性の向上または微調整のために、その一部（例えばピッチｐの総数の５０％未満又は５％未満）に、大部分のピッチｐとは異なる大きさのピッチｐが設定されることがある。例えば、ＩＤＴ電極７は、ＳＡＷの伝搬方向の両側に、他の大部分よりもピッチｐが小さい狭ピッチ部が設けられることがある。また、例えば、交互に配列されている１対の櫛歯電極１１の電極指１５を所定数（例えば１〜３本）無くす、またはこれと実質的に等価な電極指１５の幅ｗまたは配列の変更を行う、いわゆる間引きが行われることがある。本開示においてピッチｐ、幅ｗまたはデューティー比（ｗ／ｐ）について言及するとき、特に断りがない限りは、このような特異な部分は考慮しないものとする。また、ピッチｐまたは幅ｗがＩＤＴ電極７全体に亘って微小範囲内で変動するような場合においては、その平均値を用いてよい。

（ＳＡＷフィルタの概要）
図２は、ＳＡＷ共振子１を含むＳＡＷフィルタ５１の構成を模式的に示す平面図である。この図では、紙面左上側に示されたＩＤＴ電極７および反射器９の符号から理解されるように、これらの導体を図１よりも更に模式的に示している。

ＳＡＷフィルタ５１は、既述の圧電基板５を有している。そして、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板５上に、信号の入出力がなされる種々の端子（３Ｉ及び３Ｏ等）と、信号をフィルタリングするフィルタ本体５２と、フィルタ本体５２の特性の向上に寄与するシールド導体６３とを有している。

複数の端子は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１の外部から電気信号が入力される入力端子３Ｉ、外部へ電気信号を出力する出力端子３Ｏ、外部から基準電位が付与される第１ＧＮＤ端子３Ｇ１〜第４ＧＮＤ端子３Ｇ４、および接合用のダミー端子３Ｄを含んでいる。なお、ＳＡＷフィルタ５１は、入力端子３Ｉを出力端子として、出力端子３Ｏを入力端子として使用することができるものであってもよい。

なお、図解を容易にするために、これらの端子にはＩ、Ｏ、ＧまたはＤの文字を付している。また、これらの端子を区別せずに、単に端子３ということがある。第１ＧＮＤ端子３Ｇ１〜第４ＧＮＤ端子３Ｇ４については、単に「ＧＮＤ端子３Ｇ」といい、これらを区別しないことがある。入力端子３Ｉ、出力端子３Ｏおよび／またはＧＮＤ端子３Ｇは、例えば、図１に示した端子３に相当している。

フィルタ本体５２は、入力端子３Ｉからの電気信号をフィルタリングして出力端子３Ｏへ出力するように構成されている。また、フィルタ本体５２は、上記のフィルタリングの際、電気信号に含まれる不要成分（通過帯域外の信号）をＧＮＤ端子３Ｇへ逃がすように構成されている。

フィルタ本体５２は、入力端子３Ｉ、出力端子３Ｏおよび１以上のＧＮＤ端子３Ｇの間において、複数のＳＡＷ共振子１（図示の例では１Ｓ１〜１Ｓ６および１Ｐ１〜１Ｐ５）がラダー型に接続されることによって構成されている。複数の端子３及び複数のＳＡＷ共振子１の接続は、複数の配線２３によってなされている。

なお、ＳＡＷフィルタ５１のパッケージおよび／または実装構造は、種々の態様のものとされてよい。例えば、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板５の上面（＋Ｄ３側の面）が不図示の回路基板に対向するように配置され、上記の各種の端子３と、回路基板のパッドとがバンプによって接合されることによって、パッケージングまたは実装がなされる。あるいは、例えば、圧電基板５の上面には、不図示の箱状のカバーが被せられ、各種の端子３上には、カバーを貫通する不図示の柱状の導体が立てられる。そして、ＳＡＷフィルタは、カバーの上面が不図示の回路基板に対向するように配置され、カバーの上面から露出する柱状の導体と、回路基板のパッドとがバンプによって接合されることによって、実装される。

（端子および配線）
端子３および配線２３は、圧電基板５の上面に位置する導体層からなる。当該導体層は、例えば、ＩＤＴ電極７および反射器９を構成する導体層と同一のもの（同一の材料および厚さ）である。ただし、端子３の位置においては、ＩＤＴ電極７、反射器９および配線２３と共通の導体層上に、他の材料からなる導体層が形成されていてもよい。もちろん、端子３、配線２３およびその他の導体層は、互いに異なる材料から構成されていてもよい。

端子３の形状および寸法等は適宜に設定されてよい。なお、端子３は、それ自体の構成（形状または材料等）によって配線２３と区別可能である必要はなく、配線２３の一部のようになっていてもよい。例えば、端子３の位置または範囲は、配線２３を覆い、端子３を覆わない絶縁層によって特定されたり、圧電基板５がパッケージングされたときに端子３に当接する部材（例えばバンプ）によって特定されたりしてもよい。

図示の例では、全てのＧＮＤ端子３Ｇは、互いに短絡されていない。例えば、フィルタ本体５２が接続されている全てのＧＮＤ端子３Ｇ（３Ｇ２〜３Ｇ４）は、フィルタ本体５２（別の観点ではＳＡＷ共振子１等の電子素子）を介しては接続されているものの、配線２３（および／または不図示のパッケージ等の配線）のみによっては接続されていない。なお、電子素子としては、ＳＡＷ共振子１の他、例えば、抵抗体、キャパシタまたはインダクタを挙げることができる。配線２３も、厳密には、抵抗値、キャパシタンスおよびインダクタンスを有するが、ここでは考慮しない。なお、フィルタ本体５２が接続されている全てのＧＮＤ端子３Ｇは、図示の例とは異なり、その全部または一部が短絡されていてもよい。

ダミー端子３Ｄは、例えば、ＳＡＷフィルタ５１のパッケージングまたは実装に際して接合に利用される端子であり、ＳＡＷフィルタ５１のみにおいては、例えば、電気的に浮遊状態とされている。なお、ダミー端子３Ｄは、ＳＡＷフィルタ５１が実装されたときに基準電位が付与されてもよいし、フィルタ本体５２を覆う不図示のカバーを介してＧＮＤ端子３Ｇと接続されていてもよい。また、このようなダミー端子３Ｄは設けられなくてもよい。

配線２３の具体的な経路および幅等は適宜に設定されてよい。図２では、便宜上、配線２３を一定の幅で、また、比較的細く示している。ただし、配線２３は、幅が変化してもよいし、図１に示すように比較的太く形成されてもよいし、バスバー１３の長さ（Ｄ１軸方向）と同等の幅を一部に有していてもよい。また、図２では、便宜上、配線２３は、Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向に平行に引き回されているが、Ｄ１軸方向またはＤ２軸方向に傾斜していてもよい。図示の例では、配線２３は互いに重なっていないが、絶縁体を介して配線２３同士が立体交差する部分が存在してもよい。

（フィルタ本体におけるＳＡＷ共振子の接続関係）
フィルタ本体５２は、いわゆるラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されている。すなわち、フィルタ本体５２は、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとを接続している直列腕５３（直列腕５３に沿って矢印ｙ１を示す。）と、直列腕５３とＧＮＤ端子３Ｇとを接続している１以上（図示の例では複数（５つ））の並列腕５５とを有している。直列腕５３は、通過帯域の信号の伝送に寄与している。並列腕５５は、通過帯域外の信号をＧＮＤ端子３Ｇへ流すことに寄与している。なお、本実施形態の説明では、基本的に、並列腕５５の数が複数である場合を例にとる。

直列腕５３は、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとの間において直列に接続された第１直列共振子１Ｓ１〜第６直列共振子１Ｓ６（以下、単に「直列共振子１Ｓ」といい、これらを区別しないことがある。）を含んでいる。各並列腕５５は、いずれかの直列共振子１Ｓの入力側（入力端子３Ｉ側）または出力側（出力端子３Ｏ側）とＧＮＤ端子３Ｇとを接続する第１並列共振子１Ｐ１〜第５並列共振子１Ｐ５（以下、単に「並列共振子１Ｐ」といい、これらを区別しないことがある。）を有している。複数の並列腕５５（並列共振子１Ｐ）は、直列腕５３に対して電気的に互いに異なる位置（直列共振子１Ｓに対する相対関係が互いに異なる位置）に接続されている。

なお、本実施形態の説明において、直列腕５３（別の観点では１以上の直列共振子１Ｓ）および並列腕５５（別の観点では１以上の並列共振子１Ｐ）がラダー型に接続されているという場合、上記のように、入力端子３Ｉと出力端子３Ｏとの間に直列腕５３（別の観点では１つの直列共振子または直列に接続された複数の直列共振子１Ｓ）が接続され、１以上の直列共振子１Ｓの入力側または出力側とＧＮＤ端子３Ｇとの間に１以上の並列腕５５（別の観点では１以上の並列共振子１Ｐ）とが接続されている状態を指す。

直列共振子１Ｓの数および並列共振子１Ｐの数は、適宜に設定されてよく、図２に示す数は一例に過ぎない。図示の例では、最も入力端子３Ｉ側の第１直列共振子１Ｓ１の入力側には並列共振子１Ｐは接続されていないが、第１直列共振子１Ｓ１の入力側に並列共振子１Ｐが接続されていてもよい。同様に、最も出力端子３Ｏ側の第６直列共振子１Ｓ６の出力側には並列共振子１Ｐが接続されていないが、第６直列共振子１Ｓ６の出力側に並列共振子１Ｐが接続されていてもよい。

複数の並列共振子１Ｐは、互いに短絡されていない複数のＧＮＤ端子３Ｇに個別に（１対１で）接続されていてもよいし、その全部又は一部が、同一のＧＮＤ端子３Ｇまたは互いに短絡されている複数のＧＮＤ端子３Ｇに接続されていてもよい。図示の例では、第１並列共振子１Ｐ１および第２並列共振子１Ｐ２は共に第２ＧＮＤ端子３Ｇ２に接続されており、第４並列共振子１Ｐ４および第５並列共振子１Ｐ５は共に第４ＧＮＤ端子３Ｇ４に接続されており、第３並列共振子１Ｐ３は、第３ＧＮＤ端子３Ｇ３に接続されている。

直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐそれぞれは、例えば、図１を参照して説明したＳＡＷ共振子１により構成されている。ただし、電極指１５の本数、電極指１５の長さおよび／またはピッチｐ等の具体的な値は、各共振子に要求される特性に応じて設定されている。

直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐそれぞれは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されていてもよいし、複数のＳＡＷ共振子１によって構成されていてもよい。図示の例では、第１直列共振子１Ｓ１は、２つのＳＡＷ共振子１（第１分割共振子１Ｓ１−１および第２分割共振子１Ｓ１−２）によって構成されており、それ以外の共振子は、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されている。なお、別の観点では、第１直列共振子１Ｓ１は、１つのＳＡＷ共振子１が複数（ここでは２つ）のＳＡＷ共振子１に分割されて構成されていると捉えられてもよい。

第１分割共振子１Ｓ１−１および第２分割共振子１Ｓ１−２は、互いに直列に接続されている。接続は、配線２３によってなされていてもよいし、両者のバスバー１３が共通化されることによってなされていてもよい。第１分割共振子１Ｓ１−１および第２分割共振子１Ｓ１−２は、例えば、概略、互いに同一の構成とされている。ただし、両者は互いに異なる構成とされていてもよい。

このように、１つの直列共振子１Ｓまたは１つの並列共振子１Ｐを分割することによって、例えば、１つのＳＡＷ共振子１（ここでは第１分割共振子１Ｓ１−１または第２分割共振子１Ｓ１−２）に印加される電圧を下げ、１つの直列共振子１Ｓ全体または１つの並列共振子１Ｐ全体における耐電力性を向上させることができる。ＳＡＷフィルタ５１が無線通信に利用される送信フィルタ（後述）である場合においては、出力端子３Ｏ側に比較して入力端子３Ｉ側において電気信号の強度が高い。この場合、図示の例のように、最も入力端子３Ｉに近いＳＡＷ共振子１を分割することによって、ＳＡＷフィルタ５１全体としての耐電力性を向上させることができる。

なお、直列腕５３内で、直列に接続されている複数のＳＡＷ共振子１が設けられている場合において、各ＳＡＷ共振子１が、分割共振子であるのか、単体で直列共振子１Ｓを構成するものであるのかは、例えば、並列腕５５との接続位置を基準に特定してよい。例えば、互いに直列に接続されている２つのＳＡＷ共振子１間に並列腕５５が接続されていなければ、その２つのＳＡＷ共振子１は、共に１つの直列共振子１Ｓを構成する分割共振子とみなされてよい。

（容量素子の接続）
ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、複数のＳＡＷ共振子１の全部または一部（図示の例では、１Ｓ２、１Ｓ３、１Ｐ４および１Ｓ５）に対して並列接続される１以上の容量素子５７を有している。なお、図２では、容量素子５７は、その配置領域を示す枠（矩形）と、容量素子であることを示す記号とによって表されている。

ＳＡＷ共振子１に並列接続される容量素子５７を設けることによって、例えば、ＳＡＷ共振子１における共振周波数と***振周波数との差Δｆ（後述。図３参照）を小さくすることができる。その結果、例えば、通過帯域とその外側との境界において通過特性が急峻に変化するフィルタ特性を得ることができる。なお、ＳＡＷフィルタ５１は、容量素子５７を有していなくてもよい。

容量素子５７は、ＳＡＷフィルタ５１内のいずれの共振子１に対して設けられてもよく、また、その数も任意である。容量素子５７は、例えば、１つのＳＡＷ共振子１に対して１つ設けられる。ただし、容量素子５７は、複数のＳＡＷ共振子１に対して共通に設けられてもよい。分割共振子（１Ｓ１−２および１Ｓ１−２）についても同様に、容量素子５７は、個別に設けられてもよいし、複数の分割共振子に共通に設けられてもよい。

容量素子５７は、例えば、圧電基板５上の導体層によって構成されている。当該導体層は、例えば、ＩＤＴ電極７を構成する導体層と同一の導体層である。容量素子５７は、例えば、直線状の縁部同士を互いに平行に対向させる１対の平行電極によって構成されるものであってもよいし、互いに噛み合う１対の櫛歯電極によって構成されるものであってもよい。なお、１対の平行電極または１対の櫛歯電極のバスバーの対向方向は、圧電基板５の上面に平行ないずれの方向であってもよい。

なお、特に図示しないが、ＳＡＷフィルタ５１は、上記の他、適宜な位置にキャパシタおよび／またはインダクタを有していてもよい。例えば、ＳＡＷフィルタ５１は、並列共振子１ＰとＧＮＤ端子３Ｇとの間に直列に接続されるキャパシタおよび／またはインダクタを有していてもよい。このようなキャパシタおよび／またはインダクタと、ＳＡＷ共振子１（直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐ）との組み合わせ全体が、直列共振子または並列共振子と捉えられてもよい。

（直列腕の経路の形状）
ＳＡＷフィルタ５１は、直列腕５３に沿って付された矢印ｙ１から理解されるように、直列腕５３が圧電基板５上において途中で折り返すように（概略Ｕ字状に）構成されている。換言すれば、直列腕５３は、圧電基板５上の所定方向（Ｄ２軸方向）の一方側（−Ｄ２側）から他方側（＋Ｄ２側）へ延びている第１分割腕５９Ａと、第１分割腕５９Ａの前記他方側（＋Ｄ２側）から折り返して前記一方側（−Ｄ２側）へ延びている第２分割腕５９Ｂとを有している（以下、単に「分割腕５９」といい、両者を区別しないことがある。）。これらの構成は、具体的には、例えば、以下のとおりである。

圧電基板５は、例えば、平面視において概略矩形に構成されており、４辺を有している。−Ｄ２側の辺を第１辺６１Ａ、＋Ｄ１側の辺を第２辺６１Ｂ、＋Ｄ２側の辺を第３辺６１Ｃ、−Ｄ１側の辺を第４辺６１Ｄとする。

入力端子３Ｉおよび出力端子３Ｏは、例えば、圧電基板５の中央よりも同一の１辺側（第１辺６１Ａ）に位置しており、また、例えば、第１辺６１Ａに隣接している。また、例えば、入力端子３Ｉおよび出力端子３Ｏは、圧電基板５の中央よりも、これら端子が隣接する第１辺６１Ａの両側の１対の対辺（第２辺６１Ｂおよび第４辺６１Ｄ）側に位置しており、また、例えば、第２辺６１Ｂおよび第４辺６１Ｄに隣接している。

なお、ここでいう隣接は、例えば、端子３と１辺との間に、他の端子３またはＳＡＷ共振子１が位置していない状態、および／または端子３と１辺との距離（最短距離）が端子３の径（例えば最大径）よりも小さい状態を指す。なお、１辺と当該１辺に隣接する端子３との間には、例えば、圧電基板５の外縁に沿って延びる環状の導体パターン（シールド用および／または接合用）が位置していてもよい。

第１分割腕５９Ａは、概略、入力端子３Ｉから＋Ｄ２側（第１辺６１Ａの対辺である第３辺６１Ｃ側）へ延びて折り返し部（第１分割腕５９Ａと第２分割腕５９Ｂとの接続部）へ至っている。第２分割腕５９Ｂは、概略、折り返し部から−Ｄ２側（第１辺６１Ａ側）へ延びて出力端子３Ｏに至っている。折り返し部は、例えば、２つの直列共振子１Ｓ同士を接続する配線２３によって構成されており、第３辺６１Ｃの比較的近くに位置している。例えば、当該配線２３の一部は、第３辺６１Ｃに対して隣接している。隣接は、上記の端子３と１辺との隣接と同様である。

第１分割腕５９Ａは、例えば、圧電基板５上において、所定位置よりも＋Ｄ２側の第１分割領域６Ａに位置している。また、第２分割腕５９Ｂは、例えば、圧電基板５上において、前記所定位置よりも−Ｄ２側の第２分割領域６Ｂに位置している。なお、以下では、第１分割領域６Ａおよび第２分割領域６Ｂについて、単に「分割領域６」といい、両者を区別しないことがある。上記の所定位置は、例えば、圧電基板５の主面の略中央である。当該略中央は、例えば、圧電基板５の主面の中心（図心、図形の重心）からのＤ１軸方向の距離が、圧電基板５のＤ１軸方向の長さの１０％以内の位置である。

図２の紙面右側において符号を付すように、直列共振子１Ｓの１対の櫛歯電極１１のうち、電気信号の流れに関して入力端子３Ｉ側（入力側、一方側）に位置する櫛歯電極１１を入力側櫛歯電極１１Ｉとし、電気信号の流れに関して出力端子３Ｏ側（出力側、他方側）に位置する櫛歯電極１１を出力側櫛歯電極１１Ｏとする。すなわち、１対の櫛歯電極１１のうち、入力端子３Ｉに対して、他の直列共振子１Ｓを介して、または介さずに接続されているものが入力側櫛歯電極１１Ｉであり、１対の櫛歯電極１１のうち、出力端子３Ｏに対して、他の直列共振子１Ｓを介して、または介さずに接続されている接続されているものが出力側櫛歯電極１１Ｏである。また、入力側櫛歯電極１１Ｉのバスバー１３から出力側櫛歯電極１１Ｏのバスバー１３へのＤ２軸方向における向きを、入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの圧電基板５に対する向き等ということがあるものとする。

第１分割腕５９Ａは、１以上（図示の例では複数）の直列共振子１Ｓ（１Ｓ１〜１Ｓ３）を有している。また、第２分割腕５９Ｂは、１以上（図示の例では複数）の直列共振子１Ｓ（１Ｓ４〜１Ｓ６）を有している。そして、第１分割腕５９Ａの直列共振子１Ｓにおいて、入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの圧電基板５に対する向きは、＋Ｄ２方向（入力端子３Ｉから折り返し位置への方向、第１辺６１Ａから第３辺６１Ｃへの方向）となっている。一方、第２分割腕５９Ｂの直列共振子１Ｓにおいて、入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの圧電基板５に対する向きは、−Ｄ２方向（折り返し位置から出力端子３Ｏへの方向、第３辺６１Ｃから第１辺６１Ａへの方向）となっている。すなわち、入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの圧電基板５に対する向きは、第１分割腕５９Ａと第２分割腕５９Ｂとで逆である。

各分割腕５９において、複数の直列共振子１Ｓは、例えば、その接続順でＤ２軸方向に配列されている。例えば、各分割腕５９において、他の直列共振子１Ｓを介さずに互いに接続されている２つの直列共振子１Ｓに着目すると、出力側（出力端子３Ｏ側）の直列共振子１Ｓは、入力側の直列共振子１Ｓに対して、その分割腕５９が延びる方向（別の観点では入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの方向）に位置している。すなわち、第１分割腕５９Ａでは、出力側の直列共振子１Ｓは、入力側の直列共振子１Ｓに対して＋Ｄ２側に位置しており、第２分割腕５９Ｂでは、出力側の直列共振子１Ｓは、入力側の直列共振子１Ｓに対して−Ｄ２側に位置している。

換言すれば、各分割腕５９において、入力側の直列共振子１Ｓおよび出力側の直列共振子１Ｓは、Ｄ２軸方向の配置範囲が重複しておらず、一方で、Ｄ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複している。さらには、例えば、各分割腕５９において、全ての直列共振子１Ｓは、Ｄ２軸方向の配置範囲が重複しておらず、一方で、Ｄ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複している。

なお、第１分割腕５９Ａは、少なくとも１つの直列共振子１Ｓを含み、当該第１分割腕５９Ａ全体としての出力側部分（ここでは第３直列共振子１Ｓ３の出力側櫛歯電極１１Ｏのバスバー１３）が、入力側部分（ここでは配線２３の入力端子３Ｉとの接続部分、または第１分割共振子１Ｓ１−１の入力側櫛歯電極１１Ｉのバスバー１３）に対して＋Ｄ２側に位置していれば、＋Ｄ２側へ延びていると言ってよい。同様に、第２分割腕５９Ｂは、少なくとも１つの直列共振子１Ｓを含み、当該第２分割腕５９Ｂ全体としての出力側部分（ここでは配線２３の出力端子３Ｏとの接続部分、または第６直列共振子１Ｓ６の出力側櫛歯電極１１Ｏのバスバー１３）が、入力側部分（ここでは第４直列共振子１Ｓ４の入力側櫛歯電極１１Ｉのバスバー１３）に対して−Ｄ２側に位置していれば、−Ｄ２側へ延びていると言ってよい。

従って、例えば、各分割腕５９は、入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの圧電基板５に対する向きが、上記の説明とは異なる直列共振子１Ｓを含んでいてもよい。また、例えば、各分割腕５９において、２つの直列共振子１Ｓは、Ｄ２軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複していてもよい。また、例えば、直列腕５３は、２つの分割腕５９の入力側または出力側に、２つの分割腕５９に含まれない直列共振子１Ｓを含んでいてもよい。また、例えば、入力端子３Ｉおよび出力端子３Ｏは、電極指１５が延びる方向（Ｄ２軸方向）における位置が互いに異なっていてもよい。

（直列腕に接続される構成要素の圧電基板上における配置位置）
上述のように、直列腕５３には、例えば、複数の並列腕５５および複数の容量素子５７が接続されている。これらの複数の構成要素も、直列腕５３が折り返すように延びていることに伴って、圧電基板５上において、第１分割腕５９Ａ側（＋Ｄ１側）の第１分割領域６Ａと、第２分割腕５９Ｂ側（−Ｄ１側）の第２分割領域６Ｂとに分けて配置されている。具体的には、以下のとおりである。

（並列共振子の圧電基板上における配置位置）
複数の並列共振子１Ｐは、例えば、圧電基板５上において、入力端子３Ｉに電気的に近いものから順に、直列腕５３の入力側から出力側への経路に沿って配置されている。その結果、例えば、入力端子３Ｉに電気的に近い順で複数の並列共振子１Ｐの配列を考えると、複数の並列共振子１Ｐは、概略、直列腕５３と同様に、折り返すように配列されている。換言すれば、複数の並列共振子１Ｐは、第１分割腕５９Ａに沿う配列（第１分割領域６Ａ内の配列）と、第２分割腕５９Ｂに沿う配列（第２分割領域６Ｂ内の配列）とに分けられている。

なお、各並列共振子１Ｐにおける、直列腕５３に接続される櫛歯電極１１からＧＮＤ端子３Ｇに接続される櫛歯電極１１への圧電基板５に対する向きは、適宜に設定されてよい。例えば、上記の向きは、各分割領域６において統一されている必要は無い。

各分割腕５９において、直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐは、例えば、その接続順で、Ｄ２軸方向に交互に配列されている。例えば、各分割腕５９において、直列共振子１Ｓの出力側に接続されている並列共振子１Ｐは、その直列共振子１Ｓに対して、その分割腕５９が延びる方向（別の観点ではその直列共振子１Ｓの入力側櫛歯電極１１Ｉから出力側櫛歯電極１１Ｏへの方向）に位置している。また、各分割腕５９において、直列共振子１Ｓの入力側に接続されている並列共振子１Ｐは、その直列共振子１Ｓに対して、その分割腕５９が延びる方向とは逆方向（別の観点ではその直列共振子１Ｓの出力側櫛歯電極１１Ｏから入力側櫛歯電極１１Ｉへの方向）に位置している。

なお、折り返し位置に接続されている並列共振子１Ｐ（図示の例では１Ｐ３）は、上記の２通りのうち一方のみが成り立っている。入力端子３Ｉまたは出力端子３Ｏに直列共振子１Ｓを介さずに接続されている並列共振子１Ｐが設けられている場合、例えば、当該並列共振子１Ｐについても、上記の２通りのうち一方のみが成り立つ。

上記の交互の配置について換言すれば、各分割腕５９において、直列共振子１Ｓと、その入力側または出力側に接続されている並列共振子１Ｐは、Ｄ２軸方向の配置範囲が重複しておらず、一方で、Ｄ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複している。さらには、例えば、各分割腕５９において、全ての直列共振子１Ｓと全ての並列共振子１Ｐとは、Ｄ２軸方向の配置範囲が重複しておらず、一方で、Ｄ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複している。

各分割腕５９において、複数の並列共振子１Ｐの圧電基板５上における配置位置は、例えば、第３並列共振子１Ｐ３を除く全てが、隣接する直列共振子１Ｓに対して他の分割腕５９とは反対側（別の観点では圧電基板５のＤ１軸方向外側）にずれている。このずれは、例えば、直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐの他の分割腕５９側の端部位置（例えば第１分割腕５９Ａであれば−Ｄ１側の端部位置）同士の比較、Ｄ１軸方向の中央位置同士の比較、および／または他の分割腕５９とは反対側の端部位置によって判定されてよい。なお、第３並列共振子１Ｐ３も他の並列共振子１Ｐと同様にずれてもよいし、逆に、他の並列共振子１Ｐは、上記のようにずれていなくてもよい。

各分割腕５９の直列共振子１Ｓ同士を接続する配線２３は、圧電基板５上において、例えば、並列共振子１Ｐの、他の分割腕５９側（別の観点では圧電基板５のＤ１軸方向中央側）を経由している。また、各分割腕５９に係る並列共振子１ＰとＧＮＤ端子３Ｇとを接続する配線２３は、圧電基板５上において、例えば、概略、並列共振子１Ｐから他の分割腕５９とは反対側（別の観点では圧電基板５のＤ１軸方向の外側）へ向かって延びている。少なくとも一方の分割腕５９の、少なくとも一部の直列共振子１Ｓ（図示の例では１Ｓ２および１Ｓ５）については、例えば、当該直列共振子１Ｓの他の分割腕５９とは反対側にＧＮＤ端子３Ｇが位置しているとともに、当該直列共振子１Ｓの入力側および出力側の２つの並列共振子１Ｐからの配線２３が前記のＧＮＤ端子３Ｇに共に接続されている。

（容量素子の配置位置）
第１分割領域６Ａ内の直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐに接続されている容量素子５７は、例えば、第１分割領域６Ａに配置されている。同様に、第２分割領域６Ｂ内の直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐに接続されている容量素子５７は、例えば、第２分割領域６Ｂに配置されている。

各分割領域６において、少なくとも一部の容量素子５７の圧電基板５上の配置位置は、例えば、その分割領域６内の分割腕５９に対して他の分割腕５９側（別の観点では圧電基板５のＤ１軸方向中央側）に位置している。図示の例では、他の分割腕５９側に位置している容量素子５７は、いずれも直列共振子１Ｓに対して並列接続されている容量素子５７である。また、当該容量素子５７は、例えば、いずれかの直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐに対して他の分割腕５９側に位置している。なお、容量素子５７は、単に直列腕５３内の配線２３に対して他の分割腕５９側に位置しているだけでもよい（直列共振子１ＳとＤ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部同士が重複していてもよい。）。

第１分割腕５９Ａの容量素子５７と、第２分割腕５９Ｂの容量素子５７とは、例えば、Ｄ１軸方向の配置範囲が互いに重複していない。ただし、両者は、Ｄ１軸方向の配置範囲の少なくとも一部が互いに重複していてもよい。また、両者は、Ｄ２軸方向の配置範囲が互いに重複していなくてもよいし、一部又は全部が互いに重複していてもよい。

（シールド導体）
シールド導体６３は、２つの分割腕５９の間に位置しているとともに、１以上のＧＮＤ端子３Ｇのいずれか（図示の例では３Ｇ１）に接続されている。このようなシールド導体６３を設けることによって、例えば、２つの分割腕５９同士が互いに電磁結合する蓋然性を低減することができる。

既述のように、２つの分割腕５９だけでなく、直列腕５３に接続される各種の構成要素（１Ｐ、５７および２３）も、第１分割腕５９Ａ側（＋Ｄ１側）の第１分割領域６Ａと、第２分割腕５９Ｂ側（−Ｄ１側）の第２分割領域６Ｂとに分けて配置されている。そして、シールド導体６３は、両領域の間に位置しており、ひいては、上記の各種の構成要素の間にも位置している。なお、シールド導体６３によって圧電基板５の主面が２つの分割領域６に分けられている（シールド導体６３が２つの分割領域６の境界線である。）と捉えてもよい。

シールド導体６３は、例えば、第１分割腕５９Ａが含む直列共振子１Ｓ（１Ｓ１〜１Ｓ３）の少なくとも１つと、第２分割腕５９Ｂが含む直列共振子１Ｓ（１Ｓ４〜１Ｓ６）の少なくとも１つとの間に位置している部分を有している。図示の例では、シールド導体６３は、一方の分割腕５９の全ての直列共振子１Ｓそれぞれと、他方の分割腕５９の全ての直列共振子１Ｓそれぞれとの間に位置している。

なお、シールド導体６３は、第３直列共振子１Ｓ３および第４直列共振子１Ｓ４については、その一部同士の間に位置している。換言すれば、圧電基板５の上面に、シールド導体６３に交差せず、かつ第３直列共振子１Ｓ３および第４直列共振子１Ｓ４の双方に交差する直線を描くことが可能である。このように、シールド導体６３が２つの直列共振子１Ｓの間に位置しているという場合、必ずしも両者の全体を遮断するようにシールド導体６３が位置している（上記のような直線を描くことができない）必要は無い。

既述のように、各分割腕５９に接続されている一部の容量素子５７の圧電基板５上における配置位置は、その分割腕５９に対して他の分割腕５９側に位置している。シールド導体６３は、例えば、その一部の容量素子５７に対して他の分割腕５９側に位置している部分を含んでいる。すなわち、一部の容量素子５７は、分割腕５９とシールド導体６３との間に位置している。より詳細には、例えば、一部の容量素子５７は、直列共振子１Ｓおよび／または並列共振子１Ｐに対してシールド導体６３側に位置している。

シールド導体６３は、例えば、圧電基板５の上面に位置する導体層からなる。当該導体層は、例えば、ＩＤＴ電極７、反射器９、配線２３および／または端子３を構成する導体層と同一のもの（同一の材料および厚さ）であってもよいし、異なるものであってもよい。後者の場合、例えば、シールド導体６３は、ＩＤＴ電極７および反射器９を構成する導体層よりも厚く形成されてよい。

シールド導体６３の平面視における形状及び寸法は適宜に設定されてよい。図示の例では、シールド導体６３は、概略、一定の幅で直線状に延びる長尺状である。一定の幅で直線状に延びる部分は、例えば、シールド導体６３の面積の８割以上を占めている。当該一定の幅の大きさは、例えば、複数の配線２３の最小幅よりも大きい。

ただし、シールド導体６３は、直列共振子１Ｓ、並列共振子１Ｐ、容量素子５７および／または配線２３等の配置に応じて、適宜に屈曲したり、幅が変化したりしてよい。例えば、シールド導体６３は、大部分（例えば面積の８割以上）が一定の幅で直線状に延びつつ、一部において、２つの分割腕５９の並び方向（Ｄ１軸方向）に分けられた構成要素（図示の例では１Ｓ、１Ｐ、５７および／または２３）間の距離が短くなっている部分において細くされていてもよい。また、例えば、シールド導体６３は、２つの分割腕５９の並び方向に分けられた構成要素間の距離が長い位置ほど幅が広くされ、面積が最大限確保されてもよい。

シールド導体６３は、基準電位が付与されるものであるから、例えば、フィルタ本体５２内の基準電位が付与される導体と直接または間接に接続されてもよい。例えば、シールド導体６３は、並列共振子１Ｐが接続されているＧＮＤ端子３Ｇに接続されていてもよいし、シールド導体６３が接続されているＧＮＤ端子３Ｇと並列共振子１Ｐが接続されているＧＮＤ端子３Ｇとが配線２３によって接続されていてもよいし、並列共振子１ＰのＧＮＤ端子３Ｇに接続されている櫛歯電極１１に接続されていてもよい。また、反射器９に基準電位が付与される場合においては、シールド導体６３は、反射器９に直接または間接に接続されていてもよい。

ただし、図示の例では、シールド導体６３は、圧電基板５上において、フィルタ本体５２から電気的に分離されている。例えば、シールド導体６３は、フィルタ本体５２と短絡（電子素子を介さない接続）がなされていないだけでなく、フィルタ本体５２と、電子素子を介した接続もなされていない。電子素子は、既に述べたように、例えば、ＳＡＷ共振子１、抵抗体、キャパシタおよび／またはインダクタである。また、例えば、ＳＡＷフィルタ５１が圧電基板５を覆うカバーを有しており、当該カバーに導体が設けられている場合においても、シールド導体６３は、フィルタ本体５２と電気的に分離されている。

（直列共振子および並列共振子の周波数特性）
図３は、直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐの周波数特性を示す図である。

この図において、横軸は、周波数ｆ（Ｈｚ）を示し、縦軸は、インピーダンスの絶対値｜Ｚ｜（Ω）または減衰量Ａ（ｄＢ）を示している。線Ｌ１は直列共振子１Ｓのインピーダンスを示している。線Ｌ２は並列共振子１Ｐのインピーダンスを示している。線Ｌ３は、ＳＡＷフィルタ５１の減衰量を示している。

ＳＡＷ共振子１（直列共振子１Ｓ、並列共振子１Ｐ）に係るインピーダンスの周波数特性においては、インピーダンスが極小値となる共振点と、インピーダンスが極大値となる***振点が現れる。共振点および***振点が現れる周波数を共振周波数（ｆｓｒ、ｆｐｒ）および***振周波数（ｆｓａ、ｆｐａ）とする。ＳＡＷ共振子１において、***振周波数は共振周波数よりも高い。

直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐは、直列共振子１Ｓ（線Ｌ１）の共振周波数ｆｓｒと並列共振子１Ｐ（線Ｌ２）の***振周波数ｆｐａとが概ね一致するように共振周波数および***振周波数が設定される。これにより、ＳＡＷフィルタ５１（線Ｌ３）は、並列共振子１Ｐの共振周波数ｆｐｒから直列共振子１Ｓの***振周波数ｆｓａまでの周波数範囲（減衰域ＡＢ）よりも若干狭い範囲を通過帯域ＰＢ１とするフィルタとして機能する。

従って、別の観点では、ＳＡＷフィルタ５１において、複数の直列共振子１Ｓは、基本的に、共振周波数が互いに同等とされ、また、***振周波数が互いに同等とされる。複数の並列共振子１Ｐについても同様である。

ただし、同等といっても、公差等に起因する差は存在してよい。また、例えば、要求される仕様等にもよるが、一般に、複数の共振周波数間（***振周波数間）において、各共振周波数（***振周波数）の０．３％未満の差は許容される。また、ＳＡＷフィルタ５１全体の特性の向上のための調整がなされた結果、比較的大きな差が存在してもよい。

ここで、各直列共振子１Ｓにおいて、共振周波数と***振周波数との差をΔｆとする。このとき、複数の直列共振子１Ｓの間の共振周波数の差が比較的大きいとしても、例えば、当該差は、いずれの直列共振子１ＳのΔｆを用いても、Δｆ／２よりも小さい。直列共振子１Ｓの***振周波数、ならびに並列共振子１Ｐの共振周波数および***振周波数についても同様である。並列共振子１Ｐについては、並列共振子１ＰのΔｆを用いてよい。

次に、ラダー型の弾性波フィルタからなる送信フィルタと、ラダー型の弾性波フィルタからなる受信フィルタとを有するデュプレクサについて考える。送信フィルタの通過帯域と受信フィルタの通過帯域とは、当然に重なっていない。例えば、ＳＡＷフィルタ５１を送信フィルタと仮定する。この場合、受信フィルタの通過帯域は、通過帯域ＰＢ１よりも低周波側の通過帯域ＰＢ２または通過帯域ＰＢ１よりも高周波側のＰＢ３となる。

そして、特に図示しないが、受信フィルタの直列共振子１Ｓの共振周波数は、通過帯域ＰＢ２またはＰＢ３の概ね中央に位置する。また、各通過帯域ＰＢ１〜ＰＢ３は、通常、少なくともΔｆ程度の帯域幅を有している。また、一般に、送信フィルタの通過帯域と受信フィルタの通過帯域とは、概略、同等の帯域幅を有している。従って、送信フィルタの直列共振子１Ｓの共振周波数と、受信フィルタの直列共振子１Ｓの共振周波数との差が、いずれかの直列共振子１ＳのΔｆ／２よりも小さくなることはない。直列共振子１Ｓの***振周波数、ならびに並列共振子１Ｐの共振周波数および***振周波数も同様である。

ＳＡＷフィルタ５１のＵ字状の直列腕５３は、一見すると、例えば、デュプレクサにおいて、送信フィルタの直列腕と受信フィルタの直列腕とが接続されて両者がＵ字を構成しているものに見える。しかし、デュプレクサでは、Ｕ字の折り返し位置に入力および出力に兼用される端子が設けられるから、当該端子の有無によって、ＳＡＷフィルタ５１とデュプレクサとは区別される。

また、上記の周波数特性の説明からも理解されるように、ＳＡＷフィルタ５１とデュプレクサとは、複数のＳＡＷ共振子１の共振周波数および／または***振周波数の差がΔｆ／２よりも小さいか否かで区別されてよい。別の観点では、例えば、複数のＳＡＷ共振子１が直列に接続されているデバイス（例えばデュプレクサ）において、その共振周波数の差がΔｆ／２よりも小さいか否かによって、１つのフィルタの範囲が特定されてよい。

以上のとおり、本実施形態では、ＳＡＷフィルタ５１は、圧電基板５と、圧電基板５上のフィルタ本体５２と、シールド導体６３とを有している。フィルタ本体５２は、互いに直列に接続されている複数の直列共振子１Ｓを含んでいる直列腕５３と、１以上の並列共振子１Ｐとを、これらがラダー型に接続されている状態で有している。複数の直列共振子１Ｓの間の共振周波数の差は、各直列共振子１Ｓの共振周波数と***振周波数との差の半分（Δｆ／２）よりも小さい。直列腕５３は、圧電基板５上の所定方向（Ｄ２軸方向）の一方側（−Ｄ２側）から他方側（＋Ｄ２側）へ延びている第１分割腕５９Ａと、第１分割腕５９Ａの前記他方側（＋Ｄ２側）から折り返して前記一方側（−Ｄ２側）へ延びている第２分割腕５９Ｂとを有している。シールド導体６３は、第１分割腕５９Ａが含む直列共振子１Ｓの少なくとも１つと、第２分割腕５９Ｂが含む直列共振子１Ｓの少なくとも１つとの間に位置している部分を有している。

従って、例えば、直列共振子１Ｓ同士の電磁結合をシールド導体６３によって低減することができる。その結果、例えば、通過帯域の外側における減衰特性を向上させることができる。従来は、１つのラダー型フィルタ（デュプレクサではない）においては、直列腕は折り返されずに延びていた。すなわち、直列腕の一部（少なくとも１つの直列共振子を含む）同士の間に何らかの部材を介在させることができる構成とはなっていなかった。しかし、ＳＡＷフィルタ５１では、直列腕５３を折り返すことによって、直列腕の一部同士の間にシールド導体６３を配置可能としており、画期的である。そして、本願発明者のシミュレーション計算では、直列腕が折り返されずに延びている場合に比較して、ＳＡＷフィルタ５１は減衰特性が向上した。

また、本実施形態では、フィルタ本体５２は、直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐに接続されており、第１分割腕５９Ａ（または第２分割腕５９Ｂ）とシールド導体６３との間に位置している容量素子５７をさらに有している。

従って、例えば、２つの分割腕５９同士の距離を大きくして、減衰特性をさらに向上させることができる。このような容量素子５７は、例えば、ＳＡＷ共振子１の容量を増加させてＳＡＷフィルタ５１の特性を向上させるために設けられる。従って、フィルタ本体５２全体としての面積を拡大せずに、容量素子５７とＳＡＷ共振子１とのレイアウトの調整によって、減衰特性を向上させることができることになる。

また、本実施形態では、シールド導体６３は、フィルタ本体５２と電気的に分離されている。

従って、例えば、シールド導体６３が並列共振子１Ｐと直接または間接に接続されている場合に比較して、並列共振子１Ｐから逃げた不要成分がシールド導体６３の電位に変動を生じる蓋然性が低減される。その結果、シールド導体６３の電磁結合を抑制する効果が向上する。

（第１〜第４変形例）
図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）および図５（ｂ）は、それぞれＳＡＷフィルタ５１に用いられる、変形例に係るＳＡＷ共振子を示す平面図である。これらの図は、図１の＋Ｄ１側の半分に対応している。なお、−Ｄ１側の半分は、例えば、図示されている半分に対してＤ２軸に平行な対称軸に対して線対称、またはＤ３軸に平行な対称軸に対して１８０°回転対称である。

これらの変形例は、一方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と、他方の櫛歯電極１１とのギャップＧｐ（ＧｐｅおよびＧｐｃ）のＤ２軸方向における大きさの設定が実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。なお、以下において、ギャップＧｐの大きさは、特に断りがない限りは、Ｄ２軸方向における大きさを指すものとする。

（第１変形例）
図４（ａ）に示す第１変形例に係るＳＡＷ共振子２０１において、複数の電極指１５は、ＩＤＴ電極７の端部側（反射器９側）に位置する所定数の端部側電極指１５Ｅと、端部側電極指１５Ｅに対してＩＤＴ電極７の中央側に位置している、前記所定数よりも多い数の中央側電極指１５Ｃとを含んでいる。また、複数のダミー電極１７は、端部側電極指１５Ｅの先端とギャップＧｐｅを介してＤ２軸方向において対向する端部側ダミー電極１７Ｅと、中央側電極指１５Ｃの先端とギャップＧｐｃを介してＤ２軸方向において対向する中央側ダミー電極１７Ｃとを含んでいる。そして、ギャップＧｐｅは、ギャップＧｐｃよりも大きい。

ここで、一方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と、他方の櫛歯電極１１（より詳細には、ここではダミー電極１７）とのＤ２軸方向における短絡は、ＩＤＴ電極７の反射器９側の端部において生じやすい。その理由としては、例えば、ＩＤＴ電極７および反射器９のエッチングプロセスにおいて、両者の間に電位の相違が生じること、ＩＤＴ電極７の周囲に位置して露光に影響を及ぼす配線２３が反射器９の周囲には位置していないことが挙げられる。

従って、例えば、上記のようにギャップＧｐｅを相対的に大きくして短絡の蓋然性を低減することによって、ＩＤＴ電極７全体として、ギャップＧｐにおける短絡の蓋然性を低減できる。別の観点では、全てのギャップＧｐを大きくするのではなく、端部側の一部のギャップＧｐｅを大きくすることによって、ＩＤＴ電極７の特性の低下を抑制しつつ、短絡の蓋然性を効率的に低減することができる。

端部側電極指１５Ｅの本数は、例えば、ＩＤＴ電極７の一端側において１以上４以下（図示の例では３。また、ＩＤＴ電極７の両端では２以上８以下）である。また、別の観点では、端部側電極指１５Ｅの本数は、例えば、ＩＤＴ電極７の一端側において、ＩＤＴ電極７の全ての電極指１５の本数の１０％以下、５％以下または３％以下（ＩＤＴ電極７の両端では、２０％以下、１０％以下または６％以下）である。

なお、ＩＤＴ電極７の両側に既述の狭ピッチ部が設けられる場合において、端部側電極指１５Ｅの少なくとも一部は、狭ピッチ部を構成するものであってもよい。また、中央側電極指１５Ｃは、例えば、端部側電極指１５Ｅを除いた、ＩＤＴ電極７の全ての電極指１５であってよい。

上記のように、端部側電極指１５Ｅの本数を比較的少なくすることによって、ギャップＧｐｅを大きくすることによるＩＤＴ電極７の特性の低下を抑制することができる。

ギャップＧｐｅの大きさ（Ｄ２軸方向）は適宜に設定されてよい。例えば、ギャップＧｐｅの大きさは、ギャップＧｐｃの大きさの１．１倍以上かつ１０倍以下または５倍以下である。なお、ギャップＧｐｃの大きさは、例えば、ＩＤＴ電極７を伝搬するＳＡＷの波長をλとしたとき、λ／８以上λ／２以下である。

複数のギャップＧｐｅが存在する場合において、複数のギャップＧｐｅの大きさは、互いに同一であってもよいし（図示の例）、互いに異なっていてもよい。後者の場合、例えば、端部側のギャップＧｐｅほど大きくされてもよい。複数のギャップＧｐｃについても同様に、全てのギャップＧｐｃの大きさが同一である必要は無い。また、複数の中央側電極指１５Ｃの配列の中に、その先端が、ギャップＧｐｅよりも大きいギャップＧｐを介してＤ２軸方向にダミー電極１７（他方の櫛歯電極１１）と対向する電極指１５が混在していてもよい。

ギャップＧｐｅのＤ１軸方向における大きさは、ギャップＧｐｃのＤ１軸方向における大きさと同等でよい。すなわち、端部側電極指１５Ｅ（および端部側ダミー電極１７Ｅ）の幅は、中央側電極指１５Ｃ（および中央側ダミー電極１７Ｃ）の幅と同等でよい。ただし、ＩＤＴ電極７の端部において、端部側電極指１５Ｅの少なくとも一部を含む電極指１５の幅が、これよりも中央側の電極指１５の幅よりも小さく、または大きくされていてもよい。

ＳＡＷ共振子２０１においては、紙面右側に点線を付して示すように、端部側ダミー電極１７Ｅが中央側ダミー電極１７Ｃよりも短くされることによって、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされている。別の観点では、端部側電極指１５Ｅの長さは、中央側電極指１５Ｃの長さと同等である。

このように、端部側ダミー電極１７Ｅを相対的に短くすることによってギャップＧｐｅを相対的に大きくする場合、例えば、電極指１５の交差幅Ｗ（互いに隣接する電極指１５同士のＤ２軸方向における重複長さ）は、ギャップＧｐｅを大きくしない場合と、大きくした場合とで基本的に変わらない。その結果、例えば、短絡不良の蓋然性を低減しつつ、ＳＡＷ共振子２０１の特性を維持する効果が向上する。

図示の例は、１対の櫛歯電極１１のバスバー１３の互いに対向する縁部が互いに平行であり、中央側電極指１５Ｃおよび端部側電極指１５Ｅの長さが互いに同等の態様（別の観点では交差幅Ｗが中央側電極指１５Ｃおよび端部側電極指１５Ｅに亘って一定の態様）である。ただし、上記の端部側ダミー電極１７Ｅを相対的に短くして（別の観点では本来の設計値よりも短くして）ギャップＧｐｅをギャップＧｐｃよりも大きくする設計方法は、交差幅Ｗが変化するアポダイズが施されたＩＤＴ電極７にも適用可能である。

なお、例えば、アポダイズが施されたＩＤＴ電極７において、一方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５の先端を結んだ線が、反射器９側の端部から、当該一方の櫛歯電極１１の電極指１５の所定数（例えば１０本）以上に亘って直線状である場合がある。この場合、例えば、他方の櫛歯電極１１のダミー電極１７の先端を結んだ線の上記の直線状部分に対向する部分が、上記の直線状部分に基本的に平行でありつつ、反射器９側の一部（例えば当該他方の櫛歯電極１１のダミー電極１７の１本または２本）において、当該他方の櫛歯電極１１のバスバー１３側へ位置することにより直線性を崩していれば、端部側ダミー電極１７Ｅが短くされているといえる。

また、例えば、アポダイズが施されたＩＤＴ電極７において、一方の櫛歯電極１１の複数の電極指１５の先端を結んだ線が正弦波または三角波のように規則性を有している場合がある。この場合、例えば、他方の櫛歯電極１１のダミー電極１７の先端を結んだ線が、基本的にギャップＧｐの大きさが一定となるように上記の規則性を有しつつ、反射器９側の一部（例えば当該他方の櫛歯電極１１のダミー電極１７の１本または２本）において、当該他方の櫛歯電極１１のバスバー１３側へ位置することにより上記の規則性を崩していれば、端部側ダミー電極１７Ｅが短くされているといえる。

ＳＡＷ共振子２０１は、ＳＡＷフィルタ５１の全てのＳＡＷ共振子１（１Ｓおよび１Ｐ）と置換されてもよいし、一部のＳＡＷ共振子１と置換されてもよい。また、一部のＳＡＷ共振子１と置換される場合において、当該一部は、いずれの位置の直列共振子１Ｓおよび／または並列共振子１Ｐであってもよい。

例えば、ＳＡＷフィルタ５１内の複数のＳＡＷ共振子の少なくとも一部同士において、デューティー比（ｗ／ｐ）が互いに異なることがある。この場合、ＳＡＷフィルタ５１内の複数のＳＡＷ共振子の一部である１以上のＳＡＷ共振子２０１は、ＳＡＷフィルタ５１内の他の一部または全部の共振子よりもデューティー比が大きい共振子であってよい。この場合において、２以上のＳＡＷ共振子２０１が設けられているときは、両者のデューティー比は同じであってもよいし、異なっていてもよい。

また、例えば、ＳＡＷフィルタ５１内の複数のＳＡＷ共振子の少なくとも一部同士において、デューティー比が互いに異なる場合、最もデューティー比が大きい共振子のみがＳＡＷ共振子２０１であってよい。ただし、最もデューティー比が大きい共振子は、複数のＳＡＷ共振子の全部でない限り、１つであってもよいし、２以上であってもよく、例えば、１つである。

ここで、デューティー比が相対的に大きいＳＡＷ共振子は、電極指１５の面積が電極指１５の周囲の隙間の面積に対して大きいから、短絡が生じやすい。従って、上記のように、全てのＳＡＷ共振子について変形例に係るＳＡＷ共振子２０１を用いるのではなく、デューティー比が相対的に大きい一部のＳＡＷ共振子についてのみ変形例に係るＳＡＷ共振子２０１を用いることによって、ＳＡＷ共振子の特性を維持しつつ、短絡の蓋然性を低減できる。

以上に述べた事項以外は、ＳＡＷ共振子２０１は、ＳＡＷ共振子１と同様でよい。ただし、例えば、ギャップＧｐｅを大きくしたことによって生じる特性変化を補償するために、電極指１５の本数および長さ等の各種のパラメータが微調整され、これによる相違がＳＡＷ共振子１とＳＡＷ共振子２０１との間に存在してもよい。

なお、電極指１５とダミー電極１７とのギャップＧｐは、一方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と、他方の櫛歯電極１１とのＤ２軸方向におけるギャップの一例である。

（第２変形例）
第１変形例のＳＡＷ共振子２０１では、端部側電極指１５Ｅの先端と対向する端部側ダミー電極１７Ｅの長さが相対的に短くされることによって、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされた。これに対して、図４（ｂ）に示す第２変形例のＳＡＷ共振子３０１では、端部側電極指１５Ｅの先端と対向するダミー電極１７が設けられておらず、これにより、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされている。それ以外の事項は、第１変形例と同様とされてよい。

この第２変形例においても、第１変形例と同様に、電極指１５の交差幅Ｗは、ギャップＧｐｅを大きくしない場合と、大きくした場合とで基本的に変わらない。その結果、例えば、短絡不良の蓋然性を低減しつつ、ＳＡＷ共振子３０１の特性を維持する効果が向上する。

なお、端部側電極指１５Ｅの先端とバスバー１３とがギャップＧｐｅを介して対向していることから理解されるように、一方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と、他方の櫛歯電極１１とのＤ２軸方向におけるギャップＧｐは、電極指１５の先端とダミー電極１７の先端とのギャップＧｐに限定されない。

（第３変形例）
第１変形例のＳＡＷ共振子２０１では、端部側電極指１５Ｅの先端と対向する端部側ダミー電極１７Ｅの長さが相対的に短くされることによって、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされた。これに対して、図５（ａ）に示す第３変形例のＳＡＷ共振子４０１では、端部側電極指１５Ｅの長さが中央側電極指１５Ｃの長さよりも短くされることによって、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされている。別の観点では、端部側ダミー電極１７Ｅの長さと、中央側ダミー電極１７Ｃの長さとは同等である。それ以外の事項は、第１変形例と同様とされてよい。

第３変形例においても、第１および第２変形例と同様に、ＩＤＴ電極７の端部に位置するギャップＧｐｅが相対的に大きくされることによって、ＩＤＴ電極７の特性の低下を抑制しつつ、短絡の蓋然性を低減することができる。

（第４変形例）
図５（ｂ）に示す第４変形例は、第３変形例と同様に、端部側電極指１５Ｅの長さが中央側電極指１５Ｃの長さよりも短くされることによって、ギャップＧｐｅがギャップＧｐｃよりも大きくされている。ただし、第４変形例では、第３変形例と異なり、複数のダミー電極１７が設けられていない。それ以外の事項は、第１〜第３変形例と同様でよい。

第４変形例においても、第１〜第３変形例と同様に、ＩＤＴ電極７の端部に位置するギャップＧｐｅが相対的に大きくされることによって、ＩＤＴ電極７の特性の低下を抑制しつつ、短絡の蓋然性を低減することができる。

なお、第１変形例と第２変形例とが組み合わされてもよいし、第１変形例および／または第２変形例と、第３変形例とが組み合わされてもよい。また、第１〜第４変形例は、直列共振子１Ｓまたは並列共振子１Ｐに含まれるＩＤＴ電極７だけでなく、他のＩＤＴ電極７に適用されてもよい。例えば、後述する第５変形例の付加ＩＤＴ電極に適用されてもよい。

上述のような第１〜第４変形例は、ラダー型フィルタのうち電力が強くかかる共振子に適用してもよい。すなわち、分割共振子とする共振子（図２に示す例では第１直列共振子１Ｓ１）や、強い電力が加わるが省スペース化が要求される共振子等に適用してもよい。

（第５変形例）
図６は、第５変形例に係るＳＡＷフィルタ６５１の一部を示す平面図である。

この図は、例えば、図２のＳＡＷフィルタ５１のうち、第１直列共振子１Ｓ１、第１並列共振子１Ｐ１および第２直列共振子１Ｓ２の部分を抽出した図と捉えられてよい。ただし、複数のＳＡＷ共振子１の圧電基板５上における相対位置等は簡略化されている。

本変形例の説明においては、便宜上、並列共振子１ＰのＩＤＴ電極７を並列ＩＤＴ電極７Ｐといい、並列共振子１Ｐの反射器９を並列反射器９Ｐということがある。

図６に示す例では、図２では設けられていなかった、第１直列共振子１Ｓ１の入力側に接続されている第７並列共振子１Ｐ７が設けられている。ただし、第１直列共振子１Ｓ１の入力側に並列共振子１Ｐが接続されてよいことは、実施形態の説明でも述べたとおりであり、第７並列共振子１Ｐ７が設けられていること自体は、実施形態に対する本変形例の相違点ではない。第７並列共振子１Ｐ７は、より具体的には、２つの分割共振子のうち前段（入力側）の第１分割共振子１Ｓ１−１よりも入力側に接続されている。

ＳＡＷフィルタ６５１においては、直列共振子１Ｓに並列接続されている第１付加ＩＤＴ電極８Ａおよび第２付加ＩＤＴ電極８Ｂ（以下、両者を区別せずに、単に「付加ＩＤＴ電極８」ということがある。）が設けられている点が実施形態と相違する。付加ＩＤＴ電極８は、便宜上、ＩＤＴ電極７とは異なる符号を付しているが、図１に示したＩＤＴ電極７と同様のものである。

第１直列共振子１Ｓ１においては、第１付加ＩＤＴ電極８Ａは、２つの分割共振子のうち後段の第２分割共振子１Ｓ１−２に並列接続されている。また、第１付加ＩＤＴ電極８Ａは、第７並列共振子１Ｐ７の１対の並列反射器９Ｐ間の間に位置して、第７並列共振子１Ｐ７の並列ＩＤＴ電極７ＰとＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）において隣り合っている。第１付加ＩＤＴ電極８Ａおよび並列ＩＤＴ電極７Ｐは、ＳＡＷの伝搬方向において隣り合っていることにより、いわゆる縦結合が可能になっている。

第１付加ＩＤＴ電極８Ａの共振周波数は、例えば、第１付加ＩＤＴ電極８Ａの並列ＩＤＴ電極７Ｐと同等とされている。なお、同等といっても、公差等に起因する差があってもよく、また、０．３％未満の差があってもよいことは、既に述べたとおりである。あるいは、例えば、図３において線Ｌ５によって示すように、第１付加ＩＤＴ電極８Ａの共振周波数ｆｄｒは、フィルタ本体５２（直列腕５３および１以上の並列共振子１Ｐ）によって実現される通過帯域ＰＢ１よりも当該通過帯域ＰＢ１の幅以上の差で低い。あるいは、例えば、ＳＡＷフィルタ５１が、受信フィルタの通過帯域ＰＢ２よりも高い通過帯域ＰＢ１を有する送信フィルタである場合において、第１付加ＩＤＴ電極８Ａの共振周波数ｆｄｒは、通過帯域ＰＢ２よりも低い。なお、第１付加ＩＤＴ電極８Ａの***振周波数は、例えば、並列共振子１Ｐの***振周波数と同等である。ただし、両者は異なっていてもよい。

このような第１付加ＩＤＴ電極８Ａを設けると、例えば、直列腕５３を流れる電気信号のうち、通過帯域ＰＢ１に対して低周波側の不要成分が第１付加ＩＤＴ電極８Ａへ流れる。この不要成分は、第１付加ＩＤＴ電極８Ａと並列ＩＤＴ電極７Ｐとの縦結合によって並列ＩＤＴ電極７Ｐへ流れ、さらには、ＧＮＤ端子３Ｇへ流れる。これにより、ＳＡＷフィルタ６５１の低周波側の減衰特性が向上する。ＳＡＷフィルタ６５１が受信フィルタの通過帯域ＰＢ２よりも高い通過帯域ＰＢ１を有する送信フィルタである場合においては、通過帯域ＰＢ２付近における減衰特性が向上する。その結果、例えば、デュプレクサの特性が向上する。

別の観点では、第１分割共振子１Ｓ１−１の入力側だけでなく、第２分割共振子１Ｓ１−２の入力側にも不要成分が逃げる経路が形成される。一方で、並列ＩＤＴ電極７Ｐと第１付加ＩＤＴ電極８Ａとで１対の並列反射器９Ｐが共用されていることから、小型化が図られる。

また、例えば、第１付加ＩＤＴ電極８Ａは、並列ＩＤＴ電極７Ｐとは異なり、直列共振子１Ｓに並列接続されているから、例えば、直列共振子１Ｓに並列接続された容量素子５７と同様の作用を奏する。具体的には、例えば、直列共振子１ＳのΔｆを小さくすることに寄与し、ひいては、通過帯域の高周波側の減衰特性を急峻にすることなどに寄与する。

第２付加ＩＤＴ電極８Ｂは、第１付加ＩＤＴ電極８Ａとは異なり、分割されていない第２直列共振子１Ｓ２に並列接続されている。また、第２付加ＩＤＴ電極８Ｂは、第１付加ＩＤＴ電極８Ａと同様に、並列共振子１Ｐ内に組み込まれている。ただし、第１付加ＩＤＴ電極８Ａとは異なり、第２付加ＩＤＴ電極８Ｂ、および当該第２付加ＩＤＴ電極８Ｂが組み込まれている第２並列共振子１Ｐ２は、直列腕５３に対して同一の位置（第２並列共振子１Ｐ２の入力側）に接続されている。それ以外の事項は、第２付加ＩＤＴ電極８Ｂは、第１付加ＩＤＴ電極８Ａと同様である。なお、図示の例では、第２付加ＩＤＴ電極８Ｂおよび第２並列共振子１Ｐ２の並列ＩＤＴ電極７Ｐは、バスバー１３が１本のバスバー１３であるかのように連結されているが、そのような連結はされなくてもよい。

第２付加ＩＤＴ電極８Ｂも第１付加ＩＤＴ電極８Ａと同様の効果を奏する。ただし、第１付加ＩＤＴ電極８Ａのみ、並列共振子１Ｐとは別に、不要成分をＧＮＤ端子３Ｇへ逃がす新たな経路を構成する効果を奏する。

付加ＩＤＴ電極８は、ＳＡＷフィルタ５１内の複数の直列共振子１Ｓの全てに対して設けられてもよいし、一部に対して設けられもよく、後者の場合に、いずれの直列共振子１Ｓに対して設けられてもよい。また、直列共振子１Ｓが分割されている場合、後段の分割共振子（図示の例では１Ｓ１−２）に並列接続されている付加ＩＤＴ電極８（８Ａ）に代えて、または加えて、前段の分割共振子（図示の例では１Ｓ１−１）に並列接続されている付加ＩＤＴ電極８が設けられてもよい。

図示の例では、付加ＩＤＴ電極８が組み込まれる並列共振子１Ｐは、付加ＩＤＴ電極８が並列接続されている直列共振子１Ｓの入力側に接続されている並列共振子１Ｐとされた。ただし、付加ＩＤＴ電極８が組み込まれる並列共振子１Ｐは、付加ＩＤＴ電極８が並列接続されている直列共振子１Ｓの出力側に接続されているものであってもよいし、ＳＡＷフィルタ６５１内の他の直列共振子１Ｓの入力側または出力側に接続されているものであってもよい。

図示の例では、１対の反射器９間に、１つの並列ＩＤＴ電極７Ｐと、１つの付加ＩＤＴ電極８とが配置された。ただし、特に図示しないが、例えば、互いに並列接続されている２つの並列ＩＤＴ電極７Ｐが１対の並列反射器９Ｐの間においてＤ１軸方向に配列され（別の観点では１つの並列ＩＤＴ電極７ＰがＤ１軸方向に２つに分割され）、その間に１つの付加ＩＤＴ電極８が配置されてもよい。また、例えば、互いに並列接続されている２つの付加ＩＤＴ電極８が１対の並列反射器９Ｐの間においてＤ１軸方向に配列され（別の観点では付加ＩＤＴ電極８がＤ１軸方向に２つに分割され）、その間に１つの並列ＩＤＴ電極７Ｐが配置されてもよい。いずれにせよ、並列ＩＤＴ電極７Ｐに対して所定の配列方向（Ｄ１軸方向）の両側に１対の並列反射器９Ｐが位置しており、１対の並列反射器９Ｐ間において並列ＩＤＴ電極７Ｐと前記配列方向と隣り合っているといえる。また、特に図示しないが、直列腕５３と付加ＩＤＴ電極８との間に、付加ＩＤＴ電極８に直列に接続されるＳＡＷ共振子が設けられてもよい。

図７は、ＳＡＷフィルタ６５１の特性についてシミュレーション計算を行った結果を示している。この図において、横軸は周波数を示し、縦軸は、通過特性を示している。

このシミュレーション計算では、送信フィルタおよび受信フィルタを有するデュプレクサが想定されるとともに、第５変形例の構成を送信フィルタに適用した場合が想定されている。また、実施形態とは異なり、直列腕が折り返していない構成が想定されている。想定されている直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐの数も図示の例とは相違する。また、第１付加ＩＤＴ電極８Ａおよび第２付加ＩＤＴ電極８Ｂのいずれも配置されている態様が想定されている。

同図において、線Ｌ１１は、送信フィルタの通過特性を示している。線Ｌ１２は、受信フィルタの通過特性を示している。同図から読み取れるように、付加ＩＤＴ電極８を設けたことによって、受信フィルタの通過帯域において、送信フィルタの減衰特性が向上している。

（弾性波装置の利用例：分波器）
図８は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器１０１（例えばデュプレクサ）の構成を模式的に示す回路図である。この図の紙面左上に示された符号から理解されるように、この図では、櫛歯電極１１が二叉のフォーク形状によって模式的に示され、反射器９は両端が屈曲した１本の線で表わされている。また、この図では、図２よりも直列共振子１Ｓおよび並列共振子１Ｐの数は減らされており、かつＳＡＷ共振子１の圧電基板５上における具体的な配置（例えば直列腕のＵ字状の形状）は省略されている。

分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。

送信フィルタ１０９は、例えば、実施形態のＳＡＷフィルタ５１（または６５１）によって構成されている。送信端子１０５は、入力端子３Ｉまたは当該入力端子３Ｉに接続されている端子である。アンテナ端子１０３は、出力端子３Ｏまたは当該出力端子３Ｏに接続されている端子である。

受信フィルタ１１１は、例えば、ＳＡＷ共振子１と、多重モード型フィルタ（ダブルモード型フィルタを含むものとする。）１１３とを含んで構成されている。多重モード型フィルタ１１３は、弾性波の伝搬方向に配列された複数（図示の例では３つ）のＩＤＴ電極７と、その両側に配置された１対の反射器９とを有している。なお、受信フィルタ１１１を構成するＳＡＷ共振子１および多重モード型フィルタ１１３は、例えば、同一の圧電基板５に設けられている。

なお、送信フィルタ１０９および受信フィルタ１１１は、同一の圧電基板５に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板５に設けられていてもよい。図８は、あくまで分波器１０１の構成の一例であり、例えば、受信フィルタ１１１が送信フィルタ１０９と同様にラダー型フィルタによって構成されるなどしてもよい。分波器１０１は、デュプレクサに限定されず、例えば、ダイプレクサでもよいし、３以上のフィルタを含んだマルチプレクサであってもよい。

（弾性波装置の利用例：通信装置）
図９は、ＳＡＷフィルタ５１（別の観点では分波器１０１）の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものであり、分波器１０１を含んでいる。

通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数を有する高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１（送信フィルタ１０９）は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。

また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（アンテナ端子１０３）に入力される。分波器１０１（受信フィルタ１１１）は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して受信端子１０７から増幅器１６１へ出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。

なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、公知の各種の規格に従ってよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。

なお、以上の実施形態および変形例において、ＳＡＷフィルタ５１および６５１それぞれは弾性波フィルタの一例である。第１〜第４変形例に係るＳＡＷ共振子２０１、３０１、４０１および５０１それぞれは、第１共振子の一例である。第５変形例に係る第７並列共振子１Ｐ７および第１並列共振子１Ｐ１それぞれは、付加ＩＤＴ電極が組み込まれる並列共振子の一例である。第１ＧＮＤ端子３Ｇ１は基準電位部の一例である。

本開示に係る技術は、以上の実施形態および変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

例えば、フィルタを構成する共振子は、ＩＤＴ電極を励振電極とするものに限定されず、圧電薄膜共振子であってもよい。弾性波は、ＳＡＷに限定されず、例えば、バルク波または弾性境界波（ただしＳＡＷの一種と捉えられてよい。）であってもよい。

直列腕が折り返す構成は、実施形態においても言及したように、最低限、２つの直列共振子と１つの並列共振子とによって実現可能である。また、直列腕は、２以上の折り返し部分を有していてもよい。シールド導体は、圧電基板上のパターンに限定されない。例えば、圧電基板に被せられるカバーは、第１分割領域６Ａと第２分割領域６Ｂと間において圧電基板上に立つ仕切壁を有していることがあり、この仕切壁にシールド導体が形成されていてもよい。

直列腕とシールド導体との間に位置する容量素子は、直列共振子に並列接続されるものに限定されない。例えば、当該容量素子は、並列共振子に並列接続されるものであってもよいし、並列共振子に直列に接続されるものであってもよいし、フィルタ本体内の適宜な部位を電磁結合させるためのものであってもよい。また、直列腕とシールド導体との間には、容量素子以外の素子（例えばインダクタ）が配置されてもよい。

第１〜第４変形例からは、以下の弾性波素子に係る概念を抽出可能である。
（概念１）
圧電基板と、
前記圧電基板上にて１対の櫛歯電極を有しているＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上にて前記ＩＤＴ電極と所定の第１方向において隣り合っている反射器と、を有しており、
前記１対の櫛歯電極は、
バスバーと、
前記バスバーから前記第１方向に交差する第２方向へ互いに並列に延びている複数の電極指と、をそれぞれ有しており、
互いに噛み合っている状態で配置されて、各櫛歯電極の前記電極指の先端が他方の櫛歯電極と前記第２方向においてギャップを介して対向しており、
前記複数の電極指は、前記１対の櫛歯電極の全体で、
前記反射器側の端から数えて所定数の端部側電極指と、
前記所定数の端部側電極指に対して前記ＩＤＴ電極の中央側に位置している、前記所定数よりも多い数の中央側電極指と、を含んでおり、
前記端部側電極指の前記ギャップは、前記中央側電極指の前記ギャップよりも、前記第２方向において大きい
弾性波素子。

上記の概念１の弾性波素子は、ラダー型フィルタに含まれる弾性波共振子に限定されない。例えば、互いに隣り合うＩＤＴ電極および反射器は、多重モード型フィルタにおける１対の反射器の一方、および当該一方の反射器と隣り合うＩＤＴ電極であってもよい。また、概念１の弾性波素子は、ラダー型フィルタに含まれる弾性波共振子である場合において、当該ラダー型フィルタは、直列腕が折り返している必要は無いし、直列共振子の数は１つであってもよい。

また、第５変形例からは、以下の弾性波フィルタに係る概念を抽出可能である。
（概念２）
圧電基板と、
前記圧電基板上にてラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子と、
前記１以上の直列共振子のいずれかに対して並列接続されている、前記圧電基板上の付加ＩＤＴ電極と、
を有しており、
前記１以上の並列共振子のいずれかは、
並列ＩＤＴ電極と、
前記並列ＩＤＴ電極に対して所定方向の両側に位置している１対の並列反射器と、を有しており、
前記付加ＩＤＴ電極は、前記１対の並列反射器間において前記並列ＩＤＴ電極と前記所定方向に隣り合っており、かつその共振周波数が前記１以上の直列共振子および前記１以上の並列共振子によって実現される通過帯域よりも当該通過帯域の幅以上の差で低い
弾性波フィルタ。

（概念３）
圧電基板と、
前記圧電基板上にてラダー型に接続されている１以上の直列共振子および１以上の並列共振子と、
前記１以上の直列共振子に含まれる第１直列共振子に対して並列接続されている、前記圧電基板上の付加ＩＤＴ電極と、
を有しており、
前記第１直列共振子は、互いに直列接続されている第１分割共振子および第２分割共振子を有しており、
前記１以上の並列共振子に含まれている、前記第１分割共振子の前記第２分割共振子とは反対側に接続されている並列共振子は、
並列ＩＤＴ電極と、
前記並列ＩＤＴ電極に対して所定方向の両側に位置している１対の並列反射器と、を有しており、
前記付加ＩＤＴ電極は、前記第１分割共振子および前記第２分割共振子のうち前記第２分割共振子のみに並列接続されており、かつ前記１対の並列反射器間において前記並列ＩＤＴ電極と前記所定方向に隣り合っている
弾性波フィルタ。

上記の概念２および３の弾性波フィルタは、直列腕が折り返している必要は無いし、直列共振子の数は１つであってもよい。

１Ｓ…直列共振子、１Ｐ…並列共振子、５…圧電基板、５１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、５２…フィルタ本体、５３…直列腕、６３…シールド導体、５９Ａ…第１分割腕、５９Ｂ…第２分割腕。

Claims (12)

1. 圧電基板と、
   互いに直列に接続されている複数の直列共振子を含んでいる直列腕と、１以上の並列共振子とを、これらがラダー型に接続されている状態で有している、前記圧電基板上のフィルタ本体と、
   基準電位部に接続されているシールド導体と、
   を有しており、
   前記複数の直列共振子の間の共振周波数の差は、各直列共振子の共振周波数と***振周波数との差の半分よりも小さく、
   前記直列腕は、
   前記圧電基板に対して所定方向の一方側から他方側へ延びており、少なくとも１つの前記直列共振子を含んでいる第１分割腕と、
   前記第１分割腕の前記他方側の部分から折り返して前記一方側へ延びており、少なくとも１つの前記直列共振子を含んでいる第２分割腕と、を有しており、
   前記シールド導体は、前記第１分割腕が含む前記直列共振子の少なくとも１つと、前記第２分割腕が含む前記直列共振子の少なくとも１つとの間に位置している部分を有している
   弾性波フィルタ。
2. 前記フィルタ本体は、前記直列共振子または前記並列共振子に接続されており、前記第１分割腕と前記シールド導体との間に位置している容量素子をさらに有している
   請求項１に記載の弾性波フィルタ。
3. 前記シールド導体は、前記フィルタ本体と電気的に分離されている
   請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
4. 前記複数の直列共振子および前記１以上の並列共振子に含まれている第１共振子は、
   前記圧電基板上にて１対の櫛歯電極を有しているＩＤＴ電極と、
   前記圧電基板上にて前記ＩＤＴ電極と所定の第１方向において隣り合っている反射器と、を有しており、
   前記１対の櫛歯電極は、
   バスバーと、
   前記バスバーから前記第１方向に交差する第２方向へ互いに並列に延びている複数の電極指と、をそれぞれ有しており、
   互いに噛み合っている状態で配置されて、各櫛歯電極の前記複数の電極指の先端が他方の櫛歯電極と前記第２方向においてギャップを介して対向しており、
   前記複数の電極指は、前記１対の櫛歯電極の全体で、
   前記反射器側の端から数えて所定数の端部側電極指と、
   前記所定数の端部側電極指に対して前記ＩＤＴ電極の中央側に位置している、前記所定数よりも多い数の中央側電極指と、を含んでおり、
   前記端部側電極指の前記ギャップは、前記中央側電極指の前記ギャップよりも、前記第２方向において大きい
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
5. 前記所定数は、１本以上４本以下である
   請求項４に記載の弾性波フィルタ。
6. 前記１対の櫛歯電極それぞれは、前記複数の電極指の間から前記複数の電極指が延びている方向へ突出しており、他方の櫛歯電極の前記複数の電極指の先端と前記ギャップを介して対向している複数のダミー電極を有しており、
   １対の前記バスバーの互いに対向する縁部は互いに平行であり、
   前記端部側電極指および前記中央側電極指の長さは同等であり、
   前記端部側電極指の先端と対向している前記ダミー電極が、前記中央側電極指の先端と対向している前記ダミー電極よりも短い、または設けられていない
   請求項４または５に記載の弾性波フィルタ。
7. 前記複数の直列共振子および前記１以上の並列共振子のうちの一部の１以上の共振子のみが前記第１共振子であり、
   前記１以上の第１共振子は、前記複数の直列共振子および前記１以上の並列共振子のうちの他の共振子に比較して、隣り合う電極指のピッチに対する電極指の幅の比が大きい
   請求項４〜６のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
8. 前記複数の直列共振子のいずれかに対して並列接続されている、前記圧電基板上の付加ＩＤＴ電極をさらに有しており、
   前記１以上の並列共振子のいずれかは、
   並列ＩＤＴ電極と、
   前記並列ＩＤＴ電極に対して所定の配列方向の両側に位置している１対の並列反射器と、を有しており、
   前記付加ＩＤＴ電極は、前記１対の並列反射器間において前記並列ＩＤＴ電極と前記配列方向に隣り合っており、かつその共振周波数が前記複数の直列共振子および前記１以上の並列共振子によって実現される通過帯域よりも当該通過帯域の幅以上の差で低い
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
9. 前記複数の直列共振子に含まれる第１直列共振子に対して並列接続されている、前記圧電基板上の付加ＩＤＴ電極をさらに有しており、
   前記第１直列共振子は、互いに直列接続されている第１分割共振子および第２分割共振子を有しており、
   前記１以上の並列共振子に含まれている、前記第１分割共振子の前記第２分割共振子とは反対側に接続されている並列共振子は、
   並列ＩＤＴ電極と、
   前記並列ＩＤＴ電極に対して所定の配列方向の両側に位置している１対の並列反射器と、を有しており、
   前記付加ＩＤＴ電極は、前記第１分割共振子および前記第２分割共振子のうち前記第２分割共振子のみに並列接続されており、かつ前記１対の並列反射器間において前記並列ＩＤＴ電極と前記配列方向に隣り合っている
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
10. アンテナ端子と、
    前記アンテナ端子に接続されている送信フィルタと、
    前記アンテナ端子に接続されている受信フィルタと、
    を有しており、
    前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一方は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波フィルタによって構成されている
    分波器。
11. 前記送信フィルタの通過帯域が前記受信フィルタの通過帯域よりも高く、
    前記送信フィルタが請求項８または９の弾性波フィルタによって構成されており、
    前記付加ＩＤＴ電極の共振周波数が前記受信フィルタの通過帯域よりも低い
    請求項１０に記載の分波器。
12. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    前記直列腕の一端と接続されているアンテナと、
    前記直列腕の他端と接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。

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