JP2021097313A - 弾性波デバイスパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】標準化されたサイズで、より多種の機能または特性が得られる弾性波デバイスパッケージを提供する。【解決手段】基板２上に形成された共振子形成領域３Ａ〜３Ｄと、共振子形成領域３Ａ〜３Ｄを有する基板２を含む弾性表面波デバイス上に、ウォール６と、ウォール６上に形成されたルーフ７とを備える。ウォール６は閉じた領域を形成するように設けられ、ウォール６とルーフ７とにより、基板２上に空洞部８を形成する。ウォール６は、基板２上に設けられた共振子形成領域３Ａ〜３Ｄの一部領域又は全領域を覆うように形成される。【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波デバイスの表面に形成されたウォールと、ウォール上に形成されたルーフとにより、弾性波デバイス上に中空構造が形成される弾性波デバイスパッケージに関する。

携帯電話等の移動体通信機器においては、フィルタやデュプレクサ等のＲＦデバイスは、フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）やパワーアンプ（ＰＡ）等との集積化が進み、共用器包含ＦＥＭ（ＦＥＭｉＤ）や共用器包含パワーアンプモジュール（ＰＡＭｉＤ）として集積化される傾向にある。これらのマルチチップモジュールは、モールド封止されたチップ部品だけでなく、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）プロセスを適用したチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）のＲＦデバイスもボード実装されるケースが増えている。その中には、ＷＬＰ−ＣＳＰ単体で製品として流通している部品もある。ウエハレベルパッケージ適用のチップスケールパッケージであるＷＬＰ−ＣＳＰは、一般的に省面積、低背化のメリットがあり、マルチチップモジュールの部品に適した構造とされている。

例えば特許文献１に記載の弾性表面波デバイスのウエハレベルパッケージは、基板上に閉じた領域を形成するウォールを設け、その閉じた領域に、ウォールとルーフにより空洞部を形成した構造を有する。すなわち、基板（ウエハ）の表面にＩＤＴ電極、反射器及びパッド等を形成し、ＩＤＴ電極、反射器及びパッド等を形成した基板の表面に、感光性樹脂によるウォールを、ＩＤＴ電極における電極指、反射器及びパッドを除いた領域に形成する。ウォールは、フィルム状の感光性樹脂によってルーフにより覆われ、基板とルーフとの間に空洞部を形成する。実装基板に接続するための外部端子は、ルーフとウォールを貫通し、基板上のパッドに接続した構造で設ける。

特開２００４−１４７２２０号公報

従来のＷＬＰのプロセスでは、ウォール、ルーフなどの工程でのデバイスの機能付加、機能選択、性能向上及び性能調整は成されて来なかった。これは、従来のＷＬＰのプロセスではデバイス特性及び性能に関してはウエハ状態の機能と性能を保持することが重視されているためである。これらの背景により、共振子領域上にはＷＬＰプロセスのウォールが形成又は配置されることはなかった。
このため、要求されるデバイスの特性又は性能のチューニング、および仕様変更に応じて、基板表面に設けられるＩＤＴ電極又は反射器等の導電体パターンを変更する段階からデバイスを設計し直していた。これにより、要求されるデバイスの特性又は性能が変更されるたびに、ＷＬＰプロセス前のデバイス設計変更及びデバイスウエハ製造に伴う作業の工数、リードタイムが増える。特に、ＩＤＴ電極端での横モードスプリアスを低減するための電極形状、電極金属積層構造の調整には通常、多くの工数を要する。
また、一般的にＷＬＰ−ＣＳＰのチップサイズは、弾性表面波デバイスのベアチップサイズとなる。一例として、標準化されている１１０９パッケージ（１．１ｍｍ×０．９ｍｍ）に搭載されているチップサイズは、おおよそ０．９ｍｍ×０．７ｍｍとなる。このような標準サイズから外れたチップのパッキング及び実装においては、標準サイズから外れた専用の部材が必要となり、調達コストが上昇する。
本発明は、上述した問題点に鑑み、ＷＬＰプロセスの中でのデバイスの機能付加、機能選択、性能向上又は性能調整を行うことにより、より多種の機能または特性が得られる弾性波デバイスパッケージを提供することを目的とする。また、前記機能、特性をより標準化されたサイズで実現することによる調達コスト低減も併せて目的とする。

本発明の弾性波デバイスパッケージの１つの態様は、弾性表面波デバイスを包含する弾性波デバイスパッケージにおいて、圧電性材料を含む基板と、前記基板上に設けられた共振子形成領域と、前記共振子形成領域を有する基板を含む弾性表面波デバイス上に閉じた領域を形成するように設けられたウォールと、前記ウォール上に形成され、前記閉じた領域に、前記基板と前記ウォールと共に空洞部を形成するルーフとを備え、前記ウォールは、前記基板上に設けられた共振子形成領域の一部領域又は全領域を覆うように形成されているものである。

このように、ウォールによって、共振子形成領域の一部領域又は全領域を覆うことにより、本来のフィルタ機能を有する弾性表面波デバイスパッケージと異なる機能または特性の弾性波デバイスパッケージを実現することが可能となる。このため、より多種の弾性波デバイスパッケージのサイズの共通化が図れ、調達コストが低減される。

また、弾性波デバイスパッケージを実現するものとして、共振子形成領域の一部領域又は全領域をウォールで覆うことにより、本来のフィルタ素子と異なる機能又は特性のデバイスを実現できる。このため、ベースとなるデバイスの電極パターンを共通化することができる。すなわち、パッケージ工程のうちの1工程であるウォールの形成工程で機能選択又は特性調整が可能となるので、マルチチップモジュール実現のための開発リードタイムが短縮される。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記共振子形成領域として、さらに、冗長に追加した共振子形成領域を備え、前記冗長に追加した共振子形成領域が選択的にウォールで覆われることにより、共振子としての機能が不活性化されているものがある。

このように、一部の共振子形成領域をウォールで覆うことにより、このウォールで覆った部分は、弾性波によって動作する機能が無くなる。このため、ウォールで覆った部分は、他の素子あるいは回路として利用することが可能となる。このため、ウォールで覆うことにより、他の機能を持たせた部分を、ウォールで共振子形成領域を覆わないものと共通化して実現することができ、調達コストを低減できる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記ウォールにより覆われる共振子形成領域は、ＩＤＴ電極を覆う領域であり、前記ＩＤＴ電極が前記ウォールによって覆われることにより、キャパシタが構成されているものである。

このように、一部のフィルタ素子用のＩＤＴ電極をウォールで覆うことにより、キャパシタを実現できるので、異なるサイズのキャパシタを別に設けることなく弾性表面波デバイスパッケージを実現することができる。このため、キャパシタ機能を付加した弾性波デバイスパッケージを、ウォールでＩＤＴ電極を覆わないものと共通化して実現することができ、調達コストを低減できる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記共振子形成領域は、ＩＤＴ電極と反射器とを有し、前記ウォールは、１または複数の共振子形成領域の反射器の一部を覆う領域に形成されているものである。

このように、ウォールによって、１または複数の反射器の一部を覆うことにより、フィルタ素子の共振子としての機能を変更することが可能となり、弾性波デバイスパッケージとして異なる電極構成のものを別のチップとして準備する必要が無くなる。このため、弾性波デバイスのウエハおよびパッケージの共通化が可能となり、調達コストを低減できる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記反射器は、互いに対向するように配置されたバスバーと、対向するバスバー間にそれぞれ両端を接続して設けられた複数の電極とを有し、前記反射器は、ＩＤＴ電極に隣接して設けられ、前記反射器は、少なくとも一部の電極のバスバー側の部分がウォールにより覆われた特性調整領域として、第１の特性調整領域及び第２の特性調整領域を備えており、前記第１の特性調整領域と前記第２の特性調整領域との間隔は、前記ＩＤＴ電極側がその反対側より広幅をなすように形成されているものである。

このように、特性調整領域の対向縁が傾斜するように、反射器の電極を覆うことにより、バスバーからの弾性表面波の反射による横方向スプリアスを低減することができる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記共振子形成領域にＩＤＴ電極を有し、前記ＩＤＴ電極は、互いに対向して形成された第１のバスバー及び第２のバスバーと、第１のバスバーから第２のバスバーに向けて延出させて形成された第１の電極指と、第２のバスバーから第１のバスバーに向けて延出させて形成された第２の電極指とを有し、前記第１のバスバー及び第２のバスバーはウォールにより覆われ、特性調整領域として、第１の電極指と前記第２の電極指の一部がウォールにより覆われた領域を備えているものである。

このように、ウォールによって電極指の一部を覆うことにより、フィルタ素子の共振子としての機能を変更することが可能となり、弾性波デバイスパッケージとして異なる電極構成のものを別のチップとして準備する必要が無くなる。このため、弾性波デバイスのウエハおよびパッケージの共通化が可能となり、調達コストを低減できる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記特性調整領域は、前記第１の電極指及び第２の電極指の各基端部をウォールにより覆うように形成されているものである。

このように、ウォールにより、ＩＤＴ電極の電極指の基端部を覆うことにより、その基端部側の弾性表面波の伝播方向の速度を遅くすることができる。このため、横モードスプリアスを抑制するピストンモードを実現することができる。これにより、デバイスの横モードスプリアスを抑制し、フィルタデバイスとしての性能向上が可能となる。また、このようなピストンモードを実現するためのウォールで覆う領域を、複数の共振子形成領域のうちの一部あるいは全部について設けることにより、ＩＤＴ電極の基本パターンを同じにして、用途に応じたフィルタ機能を有する弾性波デバイスパッケージを実現することができる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記特性調整領域は、前記第１のバスバーから前記第２の電極指の先端部までを覆う領域と、前記第２のバスバーから前記第１の電極指の先端部までを覆う領域とを有するものである。

このように、ウォールでＩＤＴ電極の電極指の先端部までを覆うことにより、電極指の先端部における弾性表面波の伝播方向の速度を、電極指の交差領域の速度より遅くすることができる。このため、横モードスプリアスを抑制するピストンモードを実現することができる。これにより、デバイスの横モードスプリアスを抑制し、フィルタデバイスとしての性能向上が可能となる。また、このようなピストンモードを実現するためのウォールで覆う領域を、複数の共振子形成領域のうちの一部あるいは全部について設けることにより、ＩＤＴ電極の基本パターンを同じにして、用途に応じたフィルタ機能を有する弾性波デバイスパッケージを実現することができる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様として、前記特性調整領域は、前記第１の電極指の先端部を覆う領域と、前記第２の電極指の先端部を覆う領域とを有するものである。

このように、ウォールが覆う領域として、前記ＩＤＴ電極の電極指の先端部を覆う領域を備えることにより、横モードスプリアスを抑制するためのピストンモードを実現することができる。このため、デバイスの横モードスプリアスを抑制し、フィルタデバイスとしての性能向上が可能となる。また、このようなピストンモードを実現するためのウォールで覆う領域を、複数のフィルタ素子のうちの一部あるいは全部について設けることにより、ＩＤＴ電極の基本パターンを同じにして、ＷＬＰプロセスによりフィルタ性能が向上した弾性波デバイスパッケージを実現することができる。

本発明の弾性波デバイスパッケージは、上述の態様の具体的態様であって、前記ウォール及びルーフの少なくとも一方は、感光性樹脂により形成されているものである。

このように、ウォール及びルーフのうちの少なくとも一方を感光性樹脂によって形成することにより、フォトリソグラフィを用いて上述の構造を容易に実現することができる。

本発明によれば、本来のフィルタ素子としての電極パターンを共通にしながら、機能又は特性が異なる複数種類の弾性波デバイスパッケージを実現することが可能となる。このため、より多種の弾性波デバイスのサイズの共通化が図れ、調達コストが低減される。

本発明の弾性波デバイスパッケージの第１の実施の形態における共振子形成領域の概略配置を示す平面図である。 本実施の形態の弾性波デバイスパッケージの断面図であり、図１のＡ――Ａ線に沿って描いたものである。 図１の弾性波デバイスパッケージにおいて、ウォールで覆う領域を示す平面図である。 図３のＢ−Ｂ断面図である。 図３のＣ―Ｃ断面図である。 本実施の形態の弾性波デバイスパッケージの製造工程の一例を示す図である。 本発明の弾性波デバイスパッケージの第２の実施の形態における素子の概略配置をバスバーと共に示す平面図である。 図７の弾性波デバイスパッケージの回路図である。 図７の弾性波デバイスパッケージの素子の一部の電極配置を示す平面図である。 本実施の形態のウォール形成領域を示す平面図である。 図１０の一部を拡大して示す平面図である。 図１１のＤ−Ｄ断面図である。 本発明の弾性波デバイスパッケージの第３の実施の形態を示す平面図である。 図１３のＥ−Ｅ断面図である。 本発明の弾性波デバイスパッケージの第４の実施の形態のウォール形成領域を示す平面図である。 図１５の一部を拡大して示す平面図である。 図１６のＦ−Ｆ断面図である。 本発明の弾性波デバイスパッケージの第５の実施の形態のウォール形成領域を示す平面図である。 図１８の一部を拡大して示す平面図である。 図１９のＧ−Ｇ断面図である。 本実施の形態における電極パターンの他の例を示す平面図である。

＜第１の実施の形態＞
本発明による弾性波デバイスパッケージの第１の実施の形態を図１ないし図６により説明する。図１は本実施の形態の弾性波デバイスパッケージにおける共振子形成領域の配置を示し、図２は本実施の形態の内部構造を図１のＡ−Ａ線に沿って示す。ただし、図１においては、パッケージにおいて、空洞部形成のためのルーフを省略して示している。この弾性波デバイスパッケージは、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）プロセスを適用したチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）として構成されるものである。

弾性波デバイスパッケージ１はその基板（ウエハ）として、圧電性材料を含む基板２を有する。すなわち、基板２は、圧電性材料のみではなく、圧電性材料と他の材料とを積層した構造で構成してもよい。図１に示すように、基板２上に、共振子形成領域３Ａ〜３Ｄと、パッド５が設けられている。共振子形成領域３Ａ〜３Ｄは、図２において共振子形成領域３Ｂで代表させて示すように、基板２上に、ＩＤＴ電極４と、不図示のバスバー及び反射器用電極とを形成した領域である。

共振子形成領域３Ａ〜３Ｄが形成された基板２上に、閉じた領域を形成するように、ウォール６が設けられる。ウォール６上に、ルーフ７が設けられる。ウォール６により形成された閉じた領域は、ルーフ７と基板２との間に形成された空洞部８となる。図１においては、ウォール６は、共振子形成領域３Ａ〜３Ｄと、パッド５とを避けた箇所に設けられている。この弾性波デバイスパッケージ１には、このパッケージ１を不図示の実装基板に実装するための外部接続端子（バンプ）９が、ルーフ７及びウォール６を貫通し、下地金属５ａを設けたパッド５に接続して設けられる。

この第１の実施の形態は、ウォール６が、共振子形成領域の一部または全部を覆うことにより、本来発揮すべきであった機能又は特性を変更するものである。図３に示す例においては、共振子形成領域３Ａ〜３Ｄのうち、実線で示す共振子形成領域３Ｂ及び共振子形成領域３Ｃはウォール６で覆われず、点線で示す共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄは、これらの領域の全部を覆うように、ウォール６が形成されている。

図４は図３のＢ−Ｂ断面図であり、共振子形成領域３Ｃ上はウォール６で覆われずに空洞部８が存在する状態を示す。一方、図５は図３のＣ−Ｃ断面図であり、共振子形成領域３Ｄ上はウォール６で覆われ、空洞部８が存在しない状態を示す。すなわちこの例においては、共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄをウォール６で覆うことにより、弾性表面波の伝播による共振子としての機能を無くしている。すなわち、共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄは、冗長に追加した領域であり、これらの共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄは、弾性波素子として機能する部分を無くしたものである。一方、ウォール６で覆わない共振子形成領域３Ｂ及び共振子形成領域３Ｃは本来の共振子として機能を残している。弾性波素子として機能する部分を無くしている共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄは、一例としてキャパシタとして用いることができる。

図６により、本実施の形態の製造工程の一例を説明する。図６（Ａ）は、すでにＩＤＴ電極４及びパッド５が形成されたウエハとしての基板２を示している。なお、基板２には、タンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウム等が用いられる。ＩＤＴ電極４及びパッド５と、不図示の反射器やバスバー（配線）は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されたものである。これらのＩＤＴ電極４及びパッド５等には、例えば金、銅又はアルミニウム、もしくはこれらの合金等を用いることができる。

図６（Ａ）に示すように、このようなＩＤＴ電極４等が形成された基板２上に、ウォール６形成のための感光性樹脂フィルム６Ｘを接着する。ウォール６形成のためには、フィルムを接着する代わりに、感光性樹脂を塗布してもよい。次に図６（Ｂ）に示すように、不図示のフォトマスクを介して、感光性樹脂フィルム６Ｘに露光する。その後、現像することにより、ウォール６の閉じた領域を形成する。すなわち、図６（Ｃ）に示すように、感光性樹脂フィルム６Ｘのうち、感光した部分を残留させ、感光しなかった部分は空洞６ａ及び空洞６ｂとする。空洞６ａは共振子形成領域３Ａ〜３Ｄのうちの対応する部分に選択的に形成される。空洞６ｂはパッド５に対応する部分に形成される。

図３の例においては、共振子形成領域３Ｂ及び共振子形成領域３Ｃについては、ウォール６に空洞６ａを形成する。一方、共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄについては、空洞６ａは形成しない。

次に図６（Ｄ）に示すように、ルーフ７となる感光性樹脂フィルム７Ｘをウォール６上に接着する。そして図６（Ｅ）に示すように、不図示のフォトマスクを介して感光性樹脂フィルム７Ｘに露光する。ここで、露光しない部分、すなわち感光性樹脂フィルム７Ｘを除去する部分は、図６（Ｃ）に示したウォール６上のパッド５に対応して形成した空洞６ｂに合致する部分のみである。その後、現像することにより、図６（Ｆ）に示すように、ウォール６の空洞６ｂに対応するルーフ７の部分に、空洞７ａが形成される。

このように空洞７ａを設けた後、図６（Ｇ）に示すように、空洞７ａを設けたパッド５上に、外部接続端子９の下地金属５ａを設ける。そして、ルーフ７上に、メタルマスク１０を介して半田ペースト９Ｘを塗布することにより、ルーフ７の空洞７ａに対応する部分に半田ペースト９Ｘを充填する。その後、リフロー処理することにより、図６（Ｈ）に示すように、半田ペースト９Ｘを半田でなる外部接続端子９とする。その後、ダイシング工程により、個々のパッケージに切り分ける。そして、個々のパッケージを、保管、搬送のための不図示のテーピング材に搭載して保管、搬送する。

本実施の形態によれば、共通の電極パターンを有するウエハを用い、ウォール６のパターンを変更し、ウォール６によって共振子形成領域の一部または全部を覆うか覆わないかを選択することにより、本来のフィルタ素子と異なる機能または特性の弾性波デバイスパッケージを実現したり、性能の付加及び変更することが可能となる。このため、多種の弾性波デバイスについて、規格化したサイズのものを実現することができる。このため、多種の弾性波デバイスパッケージを保管及び搬送するための手段として、規格化されたテーピング材等を使用することが可能となる。このため、調達コストが低減される。

また、弾性波デバイスパッケージとして実現するものとして、単一の機能又は特性のフィルタ素子のみを予定するのではなく、複数の機能又は特性を実現しうるものとして、一例として、共振子形成領域３Ａ及び共振子形成領域３Ｄで示す冗長な共振子形成領域を準備しておき、冗長な共振子形成領域の一部または全部を選択的にウォールで覆うことにより、本来のフィルタ素子と異なる機能又は特性のデバイスを実現できる。このため、ベースとなるデバイスの電極パターンを共通化することができる。すなわち、ウォールの形成工程であるパッケージ工程で機能選択又は特性調整が可能となるので、マルチチップモジュール実現のための開発リードタイム短縮が可能となる。

このリードタイムの短縮について説明する。弾性表面波デバイスの機能及び性能は、ウエハプロセスで作りこまれているため、マルチチップモジュールとして実装基板に他のチップと共に弾性波デバイスパッケージを実装した後、評価することにより、不具合又は改善点が明らかになる。すなわち、下記の一連の開発フローを数回反復して最終的な製品となる。
第１段階；チップ設計
第２段階；ウエハ製造用マスク作製
第３段階；デバイスウエハ製造
第４段階；組立工程（ＷＬＰ）
第５段階；モジュール実装
第６段階；モジュールの機能及び性能の評価
本実施の形態においては、共振子形成領域の電極パターンを共通化して、パッケージ段階（第４段階）でフィルタ素子用電極を選択してウォールによって覆うことにより、機能選択又は特性調整を行なっている。このため、機能選択又は特性調整のためには、第１段階から第３段階までの工程を省略し、試行錯誤の工程を第４から第６段階に絞ることができる。すなわち、図６（Ａ）の工程に至る前までの工程を共通化し、図６（Ａ）〜（Ｃ）の工程で機能選択又は特性調整を行なうことにより、異なる機能選択又は特性調整が行なえる。このため、開発リードタイムが短縮される。

＜第２の実施の形態＞
本発明の弾性波デバイスパッケージの第２の実施の形態を図７〜図１２により説明する。この実施の形態は、携帯電話等の移動体通信機器のフロントエンドモジュールに含まれるフィルタに例を示している。図７に示すように、圧電性材料を含む基板２上に、共振子形成領域３Ｅ及び共振子形成領域３Ｆと、外部接続端子９Ａ〜９Ｆと、共振子形成領域３Ｅ及び共振子形成領域３Ｆ相互間、あるいは共振子形成領域３Ｅ及び共振子形成領域３Ｆと外部接続端子９Ａ〜９Ｆのいずれかとを接続するバスバー１３ａ〜１３ｉが設けられる。図８は図７の等価回路図である。

図７に示すように、共振子形成領域３Ｅには、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃと、反射器１５ａ及び反射器１５ｂを有する。また、共振子形成領域３Ｆは、ＩＤＴ電極１４ｄ〜１４ｆと、反射器１５ｃ及び反射器１５ｄを有する。本例の弾性波デバイスは、受信側のフィルタを構成している。そして外部接続端子９Ａは不図示のアンテナに接続され、外部接続端子９Ｆは受信回路に接続され、他の外部接続端子９Ｂ〜９Ｅはグランドに接続される。このデバイスは送信側フィルタや他のフィルタ機能が必要とされる回路にも用いることができる。

図９はこの実施の形態の弾性波デバイスパッケージの素子の一部の電極配置を示す。この例の反射器１５ａは、バスバー１３ｃとバスバー１３ｄとの間に平行かつ等間隔に設けられた線状をなす複数の電極１５０により構成されている。図７に示す他の反射器１５ｂ〜１５ｄも同様の構成を有する。ＩＤＴ電極１４ａは、バスバー１３ｃから延出して形成された複数本の電極指１４０と、バスバー１３ｅから延出して形成された複数本の電極指１４１とが、交互にかつ平行に形成された櫛型電極により構成される。ＩＤＴ電極１４ｂは、バスバー１３ａ（第１のバスバー）から延出して形成された複数本の電極指１４０（第１の電極指）と、バスバー１３ｂ（第２のバスバー）から延出して形成された複数本の電極指１４１（第２の電極指）とが、交互にかつ平行に形成された櫛型電極により構成される。他のＩＤＴ電極１４ｃ〜１４ｆも同様の構成を有する。

図１０〜図１２は、反射器１５ａ〜１５ｄの電極１５０の一部をウォール６で覆うことにより、共振子形成領域３Ｅ及び共振子形成領域３Ｆで構成されるフィルタ素子の特性の変更したデバイスの例を示す。この例においては、図１１及び図１２で示すように、反射器１５ａ〜１５ｄの電極１５０は、電極１５０の両端部であるバスバー１３ｃ（第１のバスバー）及びバスバー１３ｄ（第２のバスバー）側に、それぞれ特性調整領域６ｃ（第１の特性調整領域）及び特性調整領域６ｄ（第２の特性調整領域）を設けた例を示す。図１１に示すように、このバスバー１３ｃ及びバスバー１３ｄにそれぞれ形成された特性調整領域６ｃと特性調整領域６ｄの間隔は、ＩＤＴ電極１４ａ側で広く、その反対側では狭くなるようにテーパー形に形成されている。すなわち、特性調整領域６ｃの対向縁６ｃ１及び特性調整領域６ｄの対向縁６ｄ１は、弾性表面波の伝搬方向である縦方向に対して、αで示す角度で傾斜させて形成されている。図１２において、Ｗ１は、図１１のＤ−Ｄ線の断面において、ウォール６により反射器１５ａの電極１５０の両端部を覆った幅を示している。この幅Ｗ１は、反射器１５ａにおけるＩＤＴ電極１４ａ側程広くなる。

このように、対向縁６ｃ１及び対向縁６ｄ１が傾斜するように、反射器１５ａ〜１５ｄの電極１５０を覆うことにより、バスバー１３ｃ及びバスバー１３ｄからの反射による横方向スプリアスを低減することができる。すなわち、図１１において、バスバー１３ｃとバスバー１３ｄの間隔が、使用周波数の波長λの整数倍であると、横モードの弾性表面波の定在波が発生する。このため、フィルタの通過領域内にリップルが発生することがある。このため、バスバー１３ｃとバスバー１３ｄからの反射波は相手側に到達せず、定在波は発生しないので、横モードのスプリアスの発生を防止することができる。このような特性調整領域６ｃを必要に応じて設けることにより、用途に応じた特性のフィルタを実現することができる。なお、反射器１５ａにおいて、電極指１５０の両端を接続するバスバーは、バスバー１３ｃ及びバスバー１３ｄから電気的に絶縁したバスバーで会っても良い。反射器１５ｃ〜１５ｄについても同様である。

＜第３の実施の形態＞
本発明の弾性波デバイスパッケージの第３の実施の形態を図１３及び図１４により説明する。本実施の形態は、ＩＤＴ電極１４ａ及びＩＤＴ電極１４ｂに、電極指１４０の基端部１４０ａをウォール６により覆う特性調整領域６ｅ、及び電極指１４１の基端部１４１ａをウォール６により覆う特性調整領域６ｆを設けたものである。図１４に、バスバー１３ａ及び１３ｂのみならず、電極指１４０の基端部１４０ａと、電極指１４１の基端部１４１ａとが、Ｗ２の幅に亘って、ウォール６により覆われていることが示されている。

このように、バスバーのみならず、電極指１４０の基端部１４０ａ及び電極指１４１の基端部１４１ａを、ウォール６で覆う特性調整領域６ｅ及び特性調整領域６ｆを設ければ、この特性調整領域６ｅ及び特性調整領域６ｆにおける弾性表面波の速度を遅くすることができる。このため、電極指１４０と電極指１４１の交差領域Ｙからバスバー１３ａとバスバー１３ｂ、及びバスバー１３ｃとバスバー１３ｅ側に漏れる弾性表面波の漏れを抑制することができる。その結果、この特性調整領域６ｅ及び特性調整領域６ｆを設けることにより、弾性表面波の漏れによって生じるスプリアスを低減することができる。また、このような特性調整領域６ｅ及び特性調整領域６ｆを設けることにより、電極指交差領域Ｙにおいて弾性表面波を均一化するピストンモードの実現に寄与し、Ｑ値を向上させることができる。なお、このような特性調整領域６ｅ及び特性調整領域６ｆは、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｆの一部に設けてもよく、全部に設けてもよい。

＜第４の実施の形態＞
本発明の弾性波デバイスパッケージの第４の実施の形態を図１５、図１６及び図１７により説明する。本実施の形態は、共振子形成領域１４ａ〜１４ｃの一部に、特性調整領域６ｇ及び特性調整領域６ｈを形成したものである。すなわち図１６及び図１７に示すように、バスバー１３ａから、電極指１４１の先端部１４１ｂまで、ウォール６で覆う特性調整領域６ｇを設けている。同様に、バスバー１３ｂから電極指１４０の先端部１４０ｂまでをウォール６で覆う特性調整領域６ｈを設けている。図１７に、バスバー１３ａとバスバー１３ｂから、それぞれ幅Ｗ３に亘って特性調整領域６ｇ及び特性調整領域６ｈが設けられている。すなわち、バスバー１３ａから、対向する電極指１４１の先端部１４１ｂについて、幅Ｗ３にわたり、ウォール６により覆われる。同様に、バスバー１３ｂから、対向する電極指１４０の先端部１４０ｂについて、幅Ｗ３にわたり、ウォール６により覆われる。

このような特性調整領域６ｇ及び特性調整領域６ｈを設ければ、ピストン構造が実現でき、この電極指１４０の先端部１４０ｂと、電極指１４１の１４１ｂにおける弾性表面波の速度を遅くすることができる。このピストン構造の実現の度合は、第３の実施の形態よりも効果的に行なわれる。このため、電極指１４０と電極指１４１の交差領域Ｙからバスバー１３ａ及びバスバー１３ｂ側への弾性表面波の漏れによるスプリアスの抑制と、Ｑ値の向上をより良く達成することができる。なお、このような特性調整領域６ｇ及び特性調整領域６ｈは、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｆの一部に設けてもよく、全部に設けてもよい。

＜第５の実施の形態＞
本発明の弾性波デバイスパッケージの第５の実施の形態を図１８、図１９及び図２０により説明する。本実施の形態は、ウォール６により、共振子形成領域１５ａにおけるＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｃの電極指１４０の先端部１４０ｂ及び電極指１４１の先端部１４１ｂを、弾性表面波の伝搬方向、すなわち縦方向の帯状あるいは線状のウォール６で覆う特性調整領域６ｊ及び特性調整領域６ｉを形成したものである。

このように、電極指１４０の先端部１４０ｂ及び電極指１４１の先端部１４１ｂをそれぞれウォール６で覆う特性調整領域６ｊ及び特性調整領域６ｉを設ければ、ピストン構造が実現でき、これらの先端部１４０ｂと先端部１４１ｂにおける弾性表面波の速度を遅くすることができる。このため、第４の実施の形態と同様に、電極指１４０と電極指１４１の交差領域Ｙからバスバー側への弾性表面波の漏れの抑制によるスプリアスの低減と、Ｑ値の向上を達成することができる。なお、このような特性調整領域６ｊ及び特性調整領域６ｉは、ＩＤＴ電極１４ａ〜１４ｆの一部に設けてもよく、全部に設けてもよい。

上述した第３〜第５の実施の形態においては、例えば、特許第５２２１６１６号公報に記載のピストン構造のように、電極指の先端部の厚みや幅を変更したり、別の金属製材料を付加したりすることなく、横モードスプリアスを低減することができる。すなわち、金属製材料の付加なしに、感光性樹脂からなるウォール６の形成パターンを変更するだけでピストン構造を実現でき、デバイスの製造価格を抑制することができるという効果も得られる。

図２１は本発明を実施する場合に採用できるＩＤＴ電極の他の例を示している。この例においては、バスバー１３ａから延出して形成する電極指１４０と電極指１４０の間に、短い電極指１４０ｃを形成している。同様に、バスバー１３ｂかから延出して形成する電極指１４１と電極指１４１との間に、短い電極指１４１ｃを形成している。バスバー１３ａから延出させた短い電極指１４０ｃは、対向するバスバー１３ｂから延出させた電極指１４１の先端部１４１ｂに、微小間隔を隔てて対向する。同様に、バスバー１３ｂから延出させた短い電極指１４１ｃは、対向するバスバー１３ａから延出させた電極指１４０の先端部１４０ｂに、微小間隔を隔てて対向する。

図２１に示すような電極構造にすれば、その電極構造自体でも横モードのスプリアスの低減効果を得ることができる。このような電極構造は、第１から第５の実施の形態のＩＤＴ電極にも採用することができる。このような短い電極指１４０ｃ及び電極指１４１ｃの長さは、電極指１４０及び電極指１４１の配列方向に次第に変化するように形成してもよい。このように電極指１４０ｃ及び電極指１４１ｃの長さを変化させる場合、これらの電極指１４０ｃ及び電極指１４１ｃにそれぞれ先端で対向する電極指１４１及び電極指１４０の長さも、電極指１４１及び電極指１４０の配列方向に変化する。

上記実施の形態においては、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）プロセスを適用したチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）について示したが、本発明は、このＷＬＰ以外の中空構造を有する封止されたチップ部品としても実施可能である。

以上、本発明についての説明を行なったが、本発明を実施する場合、上述した例に限らず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、付加が可能である。

１ 弾性波デバイスパッケージ
２ 基板
３、３Ａ〜３Ｆ 共振器形成領域
４、１４ａ〜１４ｆ ＩＤＴ電極
５ パッド
６ ウォール
６ｃ〜６ｊ 特性調整領域
７ ルーフ
８ 空洞部
９、９Ａ〜９Ｆ 外部接続端子
１３ａ〜１３ｉ バスバー
１５ａ〜１５ｄ 反射器
１４０、１４１ 電極指
１５０ 電極

Claims (10)

1. 弾性表面波デバイスを包含する弾性波デバイスパッケージにおいて、
   圧電性材料を含む基板と、
   前記基板上に設けられた共振子形成領域と、
   前記共振子形成領域を有する基板を含む弾性表面波デバイス上に閉じた領域を形成するように設けられたウォールと、
   前記ウォール上に形成され、前記閉じた領域に、前記基板と前記ウォールと共に空洞部を形成するルーフとを備え、
   前記ウォールは、前記基板上に設けられた共振子形成領域の一部領域又は全領域を覆うように形成されている、弾性波デバイスパッケージ。
2. 請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記共振子形成領域として、さらに、冗長に追加した共振子形成領域を備え、
   前記冗長に追加した共振子形成領域が選択的にウォールで覆われることにより、共振子としての機能を無くしている、弾性波デバイスパッケージ。
3. 請求項２に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記ウォールにより覆われる共振子形成領域は、ＩＤＴ電極を覆う領域であり、
   前記ＩＤＴ電極が前記ウォールによって覆われることにより、キャパシタが構成されている、弾性波デバイスパッケージ。
4. 請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記共振子形成領域は、ＩＤＴ電極と、反射器とを有し、
   前記ウォールは、１または複数の共振子形成領域の反射器の一部を覆う領域に形成されている、弾性波デバイスパッケージ。
5. 請求項４に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記反射器は、互いに対向するように配置されたバスバーと、対向するバスバー間にそれぞれ両端を接続して設けられた複数の電極とを有し、
   前記反射器は、ＩＤＴ電極に隣接して設けられ、
   前記反射器は、少なくとも一部の電極のバスバー側の部分がウォールにより覆われた特性調整領域として、第１の特性調整領域及び第２の特性調整領域を備えており、
   前記第１の特性調整領域と前記第２の特性調整領域との間隔は、前記ＩＤＴ電極側がその反対側より広幅をなすように形成されている、弾性波デバイスパッケージ。
6. 請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記共振子形成領域にＩＤＴ電極を有し、
   前記ＩＤＴ電極は、互いに対向して形成された第１のバスバー及び第２のバスバーと、第１のバスバーから第２のバスバーに向けて延出させて形成された第１の電極指と、第２のバスバーから第１のバスバーに向けて延出させて形成された第２の電極指とを有し、
   前記第１のバスバー及び第２のバスバーはウォールにより覆われ、
   特性調整領域として、第１の電極指と前記第２の電極指の一部がウォールにより覆われた領域を備えている、弾性波デバイスパッケージ。
7. 請求項６に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記特性調整領域は、前記第１の電極指及び第２の電極指の各基端部をウォールにより覆うように形成されている、弾性波デバイスパッケージ。
8. 請求項６に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記特性調整領域は、前記第１のバスバーから前記第２の電極指の先端部までを覆う領域と、前記第２のバスバーから前記第１の電極指の先端部までを覆う領域とを有する、弾性波デバイスパッケージ。
9. 請求項６に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
   前記特性調整領域は、前記第１の電極指の先端部を覆う領域と、前記第２の電極指の先端部を覆う領域とを有する、弾性波デバイスパッケージ。
10. 請求項１から９までのいずれか１項に記載の弾性波デバイスパッケージにおいて、
    前記ウォール及びルーフの少なくとも一方は、感光性樹脂により形成されている、弾性波デバイスパッケージ。

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