JP7132944B2 - 弾性波フィルタ、分波器および通信装置 - Google Patents

弾性波フィルタ、分波器および通信装置 Download PDF

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Description

本開示は、弾性波を利用して信号をフィルタリングする弾性波フィルタ、当該弾性波フィルタを含む分波器および通信装置に関する。弾性波は、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：surface acoustic wave）である。
弾性波フィルタとして、複数の弾性波共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタが知られている（特開２００８－２４５３１０号公報）。弾性波共振子は、例えば、圧電基板と、圧電基板上に位置するＩＤＴ（interdigitated transducer）電極とを含んでいる。
特開２００８－２４５３１０号公報は、ラダー型フィルタを送信フィルタとして有している分波器を開示している。送信フィルタは、入力された送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子に出力する。分波器においては、送信フィルタと受信フィルタとのアイソレーションを高める必要がある。なお、特開２００８－２４５３１０号公報の分波器は、送信フィルタの後段（アンテナ端子側）にローパスフィルタを有している。ローパスフィルタのキャパシタは、圧電基板上に位置するＩＤＴ電極によって構成されている。
帯域外減衰特性を向上させることができる弾性波フィルタ、およびそれを用いることでアイソレーション特性に優れた分波器および通信装置が提供されることが望まれる。
本開示の一態様に係る弾性波フィルタは、第１信号端子と、アンテナ端子と、前記第１信号端子と前記アンテナ端子との間に接続され、ラダー型に接続された１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含むラダー型フィルタと、前記第１信号端子と基準電位との間に直列に接続された容量部とインダクタ部とを備え、前記１以上の並列共振子の少なくとも１つの並列共振子は、前記容量部と前記インダクタ部との間に電気的に接続されており、前記１以上の直列共振子は、最も前記第１信号端子の側の第１直列共振子と、前記第１直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第２直列共振子と、を含み、前記少なくとも１つの並列共振子は、前記第１直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第１並列共振子、および、前記第２直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第２並列共振子、の少なくとも一方を含み、前記第２並列共振子よりも前記アンテナ端子の側に接続された並列共振子を含まず、前記容量部の容量は、前記１以上の直列共振子および前記１以上の並列共振子のうち最も静電容量の小さい共振子の容量の１/５以下である。



本開示の一態様に係る分波器は、上記の弾性波フィルタと、第２信号端子と、前記第２信号端子と前記アンテナ端子との間に接続された通過帯域フィルタとを備える。
本開示の一態様に係る通信装置は、上記の分波器と、前記アンテナ端子に接続されたアンテナと、を備える。
上記構成によれば、減衰特性に優れた弾性波ファイタ、分波器および通信装置を提供することができる。
弾性波フィルタの構成を示す模式的な回路図である。 弾性波フィルタの構成を示す模式的な回路図である。 ＳＡＷ共振子の構成を示す平面図である。 図３のＳＡＷ共振子を含むＳＡＷフィルタの構成を模式的に示す平面図である。 パッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図である。 パッケージングして構成したＳＡＷフィルタの例を示す断面図である。 図７（ａ）～７（ｃ）はそれぞれ付加共振子を覆う絶縁体の例を示す図である。 図４のＳＡＷフィルタの利用例としての分波器を模式的に示す図である。 図８の分波器の利用例としての通信装置の要部の構成を示すブロック図である。 図１０（ａ）は、実施例１および比較例１に係る分波器の通過帯域における透過特性を示す線図であり、図１０（ｂ）は、実施例１および比較例１に係る分波器の通過帯域近傍における透過特性を示す線図であり、図１０（ｃ）は、実施例１および比較例１に係る分波器のアイソレーション特性を示す線図である。 図１１（ａ）は、実施例２および比較例２に係る分波器の通過帯域における透過特性を示す線図であり、図１１（ｂ）は、実施例２および比較例２に係る分波器の通過帯域近傍における透過特性を示す線図であり、図１１（ｃ）は、実施例２および比較例２に係る分波器のアイソレーション特性を示す線図である。 図１２（ａ）は、実施例３～５に係るＳＡＷフィルタの回路図であり、図１２（ｂ）は、実施例３～５に係るＳＡＷフィルタの容量部およびインダクタ部に起因する共振特性を示す線図である。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
同一または類似する構成については、「第１櫛歯電極１１Ａ」、「第２櫛歯電極１１Ｂ」のように、同一名称に対して互いに異なるアルファベットを付して呼称することがあり、また、この場合において、単に「櫛歯電極１１」といい、これらを区別しないことがある。
（弾性波フィルタ）
図１は実施形態に係る弾性波フィルタ５１の構成を示す模式的な回路図である。この例では後述するように弾性波のうちＳＡＷを用いた場合を示す。このため、以下、弾性波フィルタ５１をＳＡＷフィルタ５１と示すことがある。
ＳＡＷフィルタ５１は、アンテナ端子５３Ａと第１信号端子５３Ｘとラダー型フィルタ５５と容量部８５とインダクタ部８７とを備える。
ラダー型フィルタ５５は、アンテナ端子５３Ａと第１信号端子５３Ｘとの間に接続されており、その間に直列に接続された直列共振子６５（この例では６５Ａ～６５Ｄ）と、その間をつなぐ直列腕６１と基準電位との間をつなぐ並列腕６３にそれぞれ設けられた並列共振子６７（この例では６７Ａ～６７Ｃ）とを備える。
容量部８５およびインダクタ部８７は、第１信号端子５３Ｘと基準電位とを結ぶ経路の途中に位置する。これら容量部８５とインダクタ部８７とはこの経路に互いに直列に配置されている。別の観点では、容量部８５とインダクタ部８７とはラダー型フィルタ５５の初段よりも第１信号端子５３Ｘ側に位置している。すなわち、容量部８５とインダクタ部８７とは、ラダー型フィルタ５５と第１信号端子５３Ｘとの間にシャントに接続されている。
上述の通り、容量部８５とインダクタ部８７とを設けることで、第１信号端子５３Ｘとアンテナ端子５３Ａとを結ぶ信号線（直列腕６１）に対してシャントにＬＣ直列共振回路が接続されることとなり、所望の位置にＬＣ直列共振回路に起因する共振周波数を位置させることができる。その結果、ＳＡＷフィルタ５１の減衰特性を向上させることができる。なお、直列共振子６５や並列共振子６７はフィルタ特性を発現するための最適な容量値を選択する必要がある。一方、容量部８５はＳＡＷ共振によるラダー型フィルタの通過帯域形成に直接寄与しない。このため、容量値を任意の値に設定することができ、容量部８５とインダクタ部８７とで精密に共振周波数を制御することができる。
さらに、ＬＣ直列共振回路を、アンテナ端子５３Ａと第１信号端子５３Ｘとの間に設けることで、ラダー型フィルタ５５とのマッチングをとった状態とすることができ、通常の外付け回路を追加する場合に比べてラダー型フィルタ５５の損失を低減することができる。
また、複数のフィルタが共通端子で接続された回路構成を持つデバイスにおいては、それぞれのフィルタにおける共通端子に最も近い位置に形成された容量部やインダクタ部の損失が、共通端子を介して他のフィルタの損失を悪化させる虞がある。これに対して、図１に示すＳＡＷフィルタ５１によれば、容量部８５とインダクタ部８７とをアンテナ端子５３Ａ側でなく第１信号端子５３Ｘ側に接続することで、アンテナを介して他のフィルタの挿入損失を悪化させることがなく、また、アンテナ端子５３Ａに接続されるアンテナや他のフィルタ等との間でインピーダンス不整合が発生する虞を低減できる。
さらに、容量部８５とインダクタ部８７とをシャントに接続していることで、ラダー型フィルタ５５で発生した熱を放熱する経路としても機能し、耐電力性を高めることができる。特に、ラダー型フィルタ５５が送信フィルタとして機能する場合には、最も信号強度が高い第１信号端子５３Ｘ側において基準電位に接続する経路を設けることで、耐電力性を高めることができる。さらに、外部インピーダンスマッチング回路を付加することで、容量部８５を含んだローパスフィルタを構成することができる。例えば直列にインダクタを付加した場合、容量部８５を含んだL型のローパスフィルタとなり、さらにシャントにキャパシタを付加することで、容量部８５を含んだπ型ローパスフィルタを構成することができる。素子数を増やすことでより急峻で減衰量の大きなローパスフィルタとなるが、容量部８５と組み合わせることで外部素子数の増加を抑えることもできる。また、容量部８５は、ラダー型フィルタを構成する共振子と同一構造とした場合には、ＳＡＷ共振子であれば櫛歯電極の本数や線幅、周波数ピッチ、交差幅の変更等で容量値の微調整が可能であるため、ローパスフィルタの定数設定を詳細に行うことができる。
容量部８５は、基板上で間隔をあけて対向するよう配置された一対の電極パターンであってもよいし、同じく基板上で１対の櫛歯状の電極が互いに噛み合うように配置された、電極パターンで形成されたインターディジタルキャパシタであってもよいし、基板上の厚み方向に誘電体層を介して積層して形成された電極パターンであってもよい。
ＬＣ直列共振回路は、容量の僅かな変化でも大きく共振周波数が変動する。このため、容量部８５をこのような電極パターンで形成することで、所望の容量を細かく実現することができるので、所望の減衰特性を得ることができる。なお、圧電性を有する基板上にインターディジタルキャパシタで容量部８５を形成する場合には、容量部８５の共振周波数がラダー型フィルタ５５の通過帯域外となるように櫛歯の間隔を適宜調整してもよい。
インダクタ部８７は、細い導体パターンで形成してもよい。この場合、容量部８５と同一構成部材上に形成してもよいし、別部材に形成してもよい。
上述の例では、インダクタ部８７は容量部８５のみに接続された場合を例に説明したが、この限りではない。図２に、図１に示すＳＡＷフィルタ５１の変形例を示す。
図２において、並列共振子６７は基準電位との間に、インダクタＬ１～Ｌ３が接続されている。このようなインダクタＬを設けることで、インダクタが接続された並列共振子の共振周波数が下がることにより、共振周波数と***振周波数の間隔が広がり、フィルタの通過帯域を伸長させることができる。
ここで、図２において、容量部８５は第１並列共振子６７Ａに接続されたインダクタＬ１に接続されている。すなわち、第１並列共振子６７Ａと容量部８５とはインダクタＬ１から見て並列に接続されている。この場合には、インダクタＬ１が、帯域伸長のインダクタ成分として機能するとともにＬＣ直列共振回路としてのインダクタ成分としても機能するものとなる。すなわち、インダクタＬ１はインダクタ部８７となる。
このようにインダクタＬ１をインダクタ部８７としても機能させることで、インダクタの数を減らすことができるので、ＳＡＷフィルタ５１を小型化することができる。また、このように接続することで共振点が複数の周波数で発現するため、容量部８５の容量値やインダクタ部のインダクタンス値を最適な値に設定し共振周波数を制御することで、より広帯域に減衰特性を改善することができる。
この場合には、インダクタ部８７のインダクタンスは帯域伸長の機能をもつため、一定以上の大きさが必要となり、それに応じて所望の周波数帯域で大きな減衰量の改善効果を得るためには、容量部８５の容量を小さくする必要がある。このため、容量部８５の容量は、直列共振子６５，並列共振子６７の静電容量に比べ、大幅に小さい値となる。例えば１/５以下の容量値となる。
具体的には、例えば２ＧＨｚ帯のフィルタに本開示のＳＡＷフィルタを適用する場合には、インダクタ部８７のインダクタンスがおよそ１～３ｎＨ、容量部８５の容量はおよそ０．２ｐＦ以下であり、直列共振子６５，並列共振子６７のうち最も小さい静電容量を持つ共振子の１/１０程度の容量値となる。
なお、図２に示す例では、全ての並列共振子６７にそれぞれインダクタＬを直列接続させた場合を例に説明したが、これに限定されず、一部の並列共振子６７のみにインダクタＬを設けてもよい。
また、図２に示す例では、容量部８５が接続されるインダクタＬは、第１並列共振子６７Ａに接続されるインダクタＬ１に限定されない。例えば、第２並列共振子６７Ｂに接続されるインダクタＬ２でもよい。
（具体的構成）
次に、上述の図１、図２に示すＳＡＷフィルタ５１を実現する具体的構成について説明する。
（ＳＡＷ共振子の構成）
図３は、実施形態に係るＳＡＷフィルタ５１に用いられるＳＡＷ共振子１の構成を示す平面図である。
ＳＡＷ共振子１（ＳＡＷフィルタ５１）は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の説明では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義し、Ｄ３軸の正側（図１の紙面手前側）を上方として、上面等の語を用いることがあるものとする。なお、Ｄ１軸は、後述する圧電基板３の上面（紙面手前側の面。通常は最も広い面（主面）。）に沿って伝搬するＳＡＷの伝搬方向に平行になるように定義され、Ｄ２軸は、圧電基板３の上面に平行かつＤ１軸に直交するように定義され、Ｄ３軸は、圧電基板３の上面に直交するように定義されている。
ＳＡＷ共振子１は、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子を構成しており、例えば、模式的に示す第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの一方から所定の周波数の電気信号が入力されると共振を生じ、その共振を生じた信号を第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂの他方から出力する。
このようなＳＡＷ共振子１は、例えば、圧電基板３と、圧電基板３上に設けられた共振子電極部５とを有している。共振子電極部５は、ＩＤＴ電極７と、ＩＤＴ電極７の両側に位置する１対の反射器９とを有している。
圧電基板３は、例えば、圧電性を有する単結晶からなる。単結晶は、例えば、ニオブ酸リチウム（ＬＮ：ＬｉＮｂＯ３）単結晶またはタンタル酸リチウム（ＬＴ：ＬｉＴａＯ３）単結晶である。カット角は、利用するＳＡＷの種類等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、圧電基板３は、回転ＹカットＸ伝搬のものを用いることができる。すなわち、Ｘ軸は圧電基板３の上面（Ｄ１軸）に平行であり、Ｙ軸は、圧電基板３の上面の法線に対して所定の角度で傾斜している。なお、圧電基板３は、比較的薄く形成され、裏面（Ｄ３軸負側の面）に無機材料または有機材料からなる支持基板が直接的、または間接的に貼り合わされたものであってもよい。
ＩＤＴ電極７および反射器９は、圧電基板３上に設けられた層状導体によって構成されている。ＩＤＴ電極７および反射器９は、例えば、互いに同一の材料および厚さで構成されている。これらを構成する層状導体は、例えば、金属である。金属は、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）である。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金である。層状導体は、複数の金属層から構成されてもよい。層状導体の厚さは、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性および高周波特性等に応じて適宜に設定される。一例として、層状導体の厚さは５０ｎｍ～６００ｎｍである。
ＩＤＴ電極７は、第１櫛歯電極１１Ａ（視認性をよくする便宜上ハッチングを付す）および第２櫛歯電極１１Ｂを有している。各櫛歯電極１１は、バスバー１３と、バスバー１３から互いに並列に延びる複数の電極指１５と、複数の電極指１５の間にてバスバー１３から突出する複数のダミー電極１７とを有している。１対の櫛歯電極１１は、複数の電極指１５が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。すなわち、１対の櫛歯電極１１の２本のバスバー１３は互いに対向して配置され、第１櫛歯電極１１Ａの電極指１５と第２櫛歯電極１１Ｂの電極指１５とはその幅方向に基本的に交互に配列されている。また、一方の櫛歯電極１１の複数のダミー電極は、その先端が他方の櫛歯電極１１の電極指１５の先端と対向している。
バスバー１３は、この例ではＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されているが、ＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたりしてもよい。
各電極指１５は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。複数の電極指１５は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向に配列されており、また、互いに同等の長さである。なお、ＩＤＴ電極７は、複数の電極指１５の長さ（別の観点では交差幅）が伝搬方向の位置に応じて変化する、いわゆるアポダイズが施されていてもよい。
電極指１５の本数は、ＳＡＷ共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。なお、図１等は模式図であることから、電極指１５の本数は少なく示されている。実際には、図示よりも多く（例えば１００本以上）の電極指１５が配列されてよい。後述する反射器９のストリップ電極２１についても同様である。
複数の電極指１５のピッチｐ（電極指ピッチ）は、例えば、ＩＤＴ電極７全体に亘って概ね一定とされている。なお、ピッチｐは、例えば、互いに隣り合う２本の電極指１５（または後述するストリップ電極２１）の中心間距離である。ピッチｐは、基本的に、圧電基板３上を伝搬するＳＡＷのうち共振させたい周波数と同等の周波数を有するＳＡＷの波長λの半分（ｐ＝λ／２）とされている。
複数のダミー電極１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に突出する長尺状に形成されている。その先端と複数の電極指１５の先端とのギャップは、例えば、複数のダミー電極１７間で同等である。ＩＤＴ電極７は、ダミー電極１７を有さないものであってもよい。以下の説明では、ダミー電極１７の説明および図示を省略することがある。
反射器９は、例えば、格子状に形成されている。すなわち、反射器９は、互いに対向する１対のバスバー１９と、１対のバスバー１９間において延びる複数のストリップ電極２１とを有している。
バスバー１９およびストリップ電極２１の形状は、ストリップ電極２１の両端が１対のバスバー１９に接続されていることを除いては、ＩＤＴ電極７のバスバー１３および電極指１５と同様とされてよい。
複数のストリップ電極２１の本数は、例えば、利用を意図しているモードのＳＡＷの反射率が概ね１００％以上となるように設定されている。その理論的な必要最小限の本数は、例えば、数本～１０本程度であり、通常は、余裕を見て２０本以上または３０本以上とされている。
１対の反射器９は、例えば、ＳＡＷの伝搬方向においてＩＤＴ電極７の両側に隣接している。従って、複数のストリップ電極２１は、複数の電極指１５の配列に続いて配列されている。
なお、圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７および反射器９の上から、ＳｉＯ２等からなる保護膜２３（図７）によって覆われていてもよい。また、保護膜２３が設けられる場合等において、ＩＤＴ電極７および反射器９の上面または下面には、ＳＡＷの反射係数を向上させるために、絶縁体または金属からなる付加膜が設けられてもよい。
１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されると、電極指１５によって圧電基板３に電圧が印加され、圧電基板３の上面付近において上面に沿ってＤ１軸方向に伝搬する所定のモードのＳＡＷが励起される。励起されたＳＡＷは、電極指１５によって機械的に反射される。その結果、電極指１５のピッチを半波長とする定在波が形成される。定在波は、当該定在波と同一周波数の電気信号に変換され、電極指１５によって取り出される。このようにしてＳＡＷ共振子１は共振子として機能する。
ＩＤＴ電極７において励起されたＳＡＷは、反射器９のストリップ電極２１によって機械的に反射される。また、互いに隣接するストリップ電極２１がバスバー１９によって互いに接続されていることから、ＩＤＴ電極７からのＳＡＷは、電気的にもストリップ電極２１によって反射される。これにより、ＳＡＷの発散が抑制され、ＩＤＴ電極７における定在波が強く立ち、ＳＡＷ共振子１の共振子としての機能が向上する。
なお、ＳＡＷ共振子１（または後述する付加共振子５７）について接続という場合、特に断りがない限りは、第１端子３１Ａおよび第２端子３１Ｂによって模式的に示されているように、１対の櫛歯電極１１に電圧が印加されるような態様での接続をいうものとする。
（ＳＡＷフィルタの構成）
図４は、ＳＡＷ共振子１を含むＳＡＷフィルタ５１のうち、図２に破線で囲んだ領域の構成を模式的に示す平面図である。この図では、紙面左上側に示されたＩＤＴ電極７および反射器９の符号から理解されるように、これらの導体を図３よりも更に模式的に示している。
ＳＡＷフィルタ５１は、ＳＡＷ共振子１がラダー型に接続されたラダー型フィルタ５５を含む。そして、このラダー型フィルタ５５を含むＳＡＷフィルタ５１は、例えば、無線通信において、送信すべき信号をフィルタリングするフィルタとして構成されていてもよい。以下の例ではＳＡＷフィルタ５１を送信フィルタに適用した場合を例に説明する。
ＳＡＷフィルタ５１は、既述の圧電基板３を有しているとともに、当該圧電基板３上に、送信端子５３Ｔ（第１信号端子５３Ｘ）、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１～５３Ｇ－３、ラダー型フィルタ５５、容量部８５を形成する付加共振子５７および配線５９を有している。
なお、以下では、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１～５３Ｇ－３を区別せずに、単に「ＧＮＤ端子５３Ｇ」ということがある。また、送信端子５３Ｔ、アンテナ端子５３ＡおよびＧＮＤ端子５３Ｇを区別せずに、単に「端子５３」ということがある。
送信端子５３Ｔは、例えば、送信信号を生成する回路に接続される端子である。アンテナ端子５３Ａは、アンテナに接続される端子である。ＧＮＤ端子５３Ｇは、基準電位が付与される（接地される）端子である。ラダー型フィルタ５５は、送信端子５３Ｔに入力された信号をフィルタリングしてアンテナ端子５３Ａに出力する。この際、不要成分（通過帯域外の信号）は、ＧＮＤ端子５３Ｇへ流される。付加共振子５７は、例えば、送信フィルタ５５を熱から保護することに寄与する。
端子５３および配線５９は、圧電基板３の上面に位置する層状導体からなる。これらの具体的な数、形状、大きさおよび位置は適宜に設定されてよい。端子５３および配線５９は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、端子５３の位置においては、端子５３および配線５９に共通の導体層上に、他の材料からなる導体層が形成されていてもよい。もちろん、端子５３および配線５９は、互いに異なる材料から構成されていてもよい。
なお、端子５３は、それ自体の構成（形状または材料等）によって配線５９と区別可能である必要はなく、配線５９の一部のようになっていてよい。例えば、端子５３の位置または範囲は、配線５９を覆い、端子５３を覆わない絶縁層（例えば保護膜２３）によって特定されたり、圧電基板３がパッケージングされたときに端子５３に当接する部材（例えばバンプ）によって特定されたりしてもよい。
（送信フィルタの構成）
ラダー型フィルタ５５は、直列腕６１および１以上の並列腕６３（図示の例では第１並列腕６３Ａ～第３並列腕６３Ｃ）を有している。直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとを接続しており、通過帯域の信号の伝送に寄与している。並列腕６３は、直列腕６１とＧＮＤ端子５３Ｇとを接続しており、通過帯域外の信号をＧＮＤ端子５３Ｇへ流すことに寄与している。
直列腕６１は、送信端子５３Ｔとアンテナ端子５３Ａとの間において直列に接続された複数の直列共振子６５を含んでいる。なお、直列共振子６５の数は、１つとすることも可能である。各並列腕６３は、いずれかの直列共振子６５の入力側（ここでは送信端子５３Ｔ側）または出力側（ここではアンテナ端子５３Ａ側）とＧＮＤ端子５３Ｇ（図２のｐ１～ｐ３）とを接続する並列共振子６７を有している。複数の並列腕６３（並列共振子６７）は、直列腕６１に対して電気的に互いに異なる位置（直列共振子６５に対する相対関係が互いに異なる位置）に接続されている。
本実施形態では、ラダー型フィルタ５５において初段（最も入力側（送信端子５３Ｔ側））の共振子は直列共振子６５（第１直列共振子６５Ａ）となっている。すなわち、第１直列共振子６５Ａ（別の観点では全ての直列共振子６５）に対して送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７は設けられていない。なお、図示とは異なり、第１直列共振子６５Ａの送信端子５３Ｔ側に接続されている並列共振子６７が設けられている場合、初段の共振子は並列共振子６７であるということになる。最も後段（アンテナ端子５３Ａ側）の共振子は、直列共振子６５であってもよいし（図示の例）、並列共振子６７であってもよい。
なお、ＳＡＷフィルタ５１において、入出力に供される２つの端子（５３Ｔおよび５３Ａ）のうち、いずれが送信端子５３Ｔまたはアンテナ端子５３Ａであるか（別の観点では通過させるべき信号が伝達される方向）は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１の仕様書などから特定可能である。
直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、例えば、図３を参照して説明したＳＡＷ共振子１により構成されている。ただし、電極指１５の本数、電極指１５の長さおよび／またはピッチｐ等の具体的な値は、各共振子に要求される特性に応じて設定されている。
直列共振子６５および並列共振子６７それぞれは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されてもよいし、複数のＳＡＷ共振子１によって構成されていてもよい。図示の例では、第３並列共振子６７Ｃは、１つのＳＡＷ共振子１によって構成されており、それ以外の共振子は、複数のＳＡＷ共振子１（６９）によって構成されている。
なお、第３並列共振子６７Ｃ以外の共振子は、１つのＳＡＷ共振子１が複数のＳＡＷ共振子１に分割されて構成されていると捉えられてもよい。以下では、１つの直列共振子６５または１つの並列共振子６７が複数のＳＡＷ共振子１によって構成される場合、このＳＡＷ共振子１を分割共振子６９というものとする。
直列共振子６５または並列共振子６７それぞれにおいて、複数の分割共振子６９は、互いに直列に接続されている。接続は、配線５９によってなされていてもよいし、バスバー１３が共通化されることによってなされていてもよい。
なお、直列腕６１内で、直列に接続されている複数のＳＡＷ共振子１がある場合において、各ＳＡＷ共振子１が、分割共振子６９であるのか、単体で直列共振子６５を構成するものであるのかは、例えば、並列腕６３との接続位置を基準に特定してよい。例えば、互いに直列に接続されている２つのＳＡＷ共振子１間に並列腕６３が接続されていなければ、その２つのＳＡＷ共振子１は、共に１つの直列共振子６５を構成する分割共振子６９である。
なお、特に図示しないが、直列共振子６５または並列共振子６７に並列に接続されるキャパシタ、または並列共振子６７とＧＮＤ端子５３Ｇとの間に直列に接続されるインダクタ等が設けられてもよい。
図４では、配線５９は、バスバー１３（図１参照）に対して、そのＤ１軸方向の一部のみに接続されている。ただし、配線５９は、直列共振子６５または並列共振子６７のバスバー１３に対して、そのＤ１軸方向の概ね全体に亘って接続されていてもよい。別の観点では、配線５９とバスバー１３との境界は明確でなくてもよい。
（付加共振子の構成）
次に、図２に示す容量部８５を実現する付加共振子５７の構成について説明する。付加共振子５７は、ラダー型フィルタ５５（別の観点では初段の共振子である第１直列共振子６５Ａ）よりも前段（入力側）において送信端子５３Ｔに接続されているとともに、ＧＮＤ端子５３Ｇ－１に接続されている。従って、例えば、送信端子５３ＴからＧＮＤ端子５３Ｇ－１へ放熱経路が形成され、ラダー型フィルタ５５が熱から保護される。なお、付加共振子５７は、その接続関係のみを見れば、ラダー型フィルタ５５の並列共振子６７に見えるが、並列共振子６７とは共振周波数および***振周波数が大きく異なり、ラダー型フィルタの通過帯域構成に直接は寄与しない。具体的にはラダー型フィルタの通過帯域外の共振周波数を備えるようにする。
付加共振子５７は、電気的にラダー型フィルタ５５よりも前段において送信端子５３Ｔに接続されていればよく、圧電基板３の平面視における接続位置（構造的な観点の接続位置）は適宜に設定されてよい。例えば、付加共振子５７から延びているように見える配線５９が設けられている場合、当該配線５９は、送信フィルタ５５と送信端子５３Ｔとを結ぶ配線５９、第１直列共振子６５Ａの前段側のバスバー１３、および送信端子５３Ｔのいずれに接続されてもよい。
付加共振子５７は、例えば、図４において模式的に示されているように、インターディジタルキャパシタ、すなわちＩＤＴ電極７によって構成されている。換言すれば、付加共振子５７は、ＳＡＷ共振子１から１対の反射器９を無くした構成である。１対の反射器９が設けられていないことから、付加共振子５７においては、例えば、共振子としての機能は低下しており、その結果、相対的に容量素子としての意義が大きくなっている。ただし、付加共振子５７は、１対の反射器９を有していてもよい。また、付加共振子５７からのＳＡＷの漏れを低減するように、ベタ状の導体を付加共振子５７のＳＡＷの伝搬方向の両側に配置するなどしてもよい。また、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７からダミー電極１７を無くした構成としてもよい。このように、反射器９およびダミー電極１７を備えないことから付加共振子５７は他のＳＡＷ共振子１が同じ容量を得るために要する大きさに比べて極めて小さくすることができる。また、付加共振子５７は、この例ではＳＡＷの伝搬方向に沿うように構成されているが、交差する方向に傾けて構成してもよい。
付加共振子５７（そのＩＤＴ電極７）、送信端子５３ＴおよびＧＮＤ端子５３Ｇ－１の圧電基板３上における相対位置、ならびにこれらを接続する配線の形状は適宜に設定されてよい。例えば、Ｄ１方向において他の共振子１に比べ最も外側に位置していてもよい。Ｄ２方向にみたときに他の共振子１と重複することがないように位置させてもよい。また、図４に示すように他の共振子（６５，６７）と間隔を空けて配置されてもよい。言い換えると、他の共振子（６５，６７）や、これらを接続する導体パターンから離れるよう、導体パターン非形成領域に接するように配置されてもよい。付加共振子５７の容量は精密に実現する必要がある。これに対してこのような配置とすることで、意図せぬ寄生容量の発生を抑制することができる。
付加共振子５７と接続されるＧＮＤ端子５３Ｇ－１は、第１並列共振子６７Ａとも接続されている。
端子５３、配線５９、直列共振子６５の電極、並列共振子６７の電極および付加共振子５７の電極は、例えば、互いに同一の導体層によって構成されている（互いに同一の材料および厚さである。）。ただし、これらは互いに異なる材料によって構成されていてもよいし、これらのうちの一部のみ、これらに共通の導体層の上に他の導体層が形成されていてもよい。
ここで、付加共振子５７は、ＩＤＴ電極７によって構成されているから、ＳＡＷ共振子１と同様に、共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａを有している。しかし、その共振周波数ｆｃｒおよび***振周波数ｆｃａは、いずれもラダー型フィルタ５５の通過帯域ＰＢの外側に位置している。別の観点では、付加共振子５７は、接続関係は並列共振子６７と同様であるものの、直列共振子６５および他の並列共振子６７の周波数特性との関係において、ラダー型フィルタ５５を構成し得る周波数特性を有していなくてもよい。
付加共振子５７は、あくまでも容量部８５として機能するものであり、所望の静電容量を実現するべく電極指１５のピッチ、交差幅、線幅および本数を決定する。一例として、直列共振子８５、並列共振子８７よりもピッチを大きくし、線幅を太くしてもよい。
なお、図４には図２に示すインダクタ部８７を実現する構成を含んでいないが、後述するように、圧電基板３を端子５３を介して実装した先の回路基板や、ＳＡＷ共振子１をパッケージングするパッケージ部材等に導体パターンで形成し、端子５３を介して回路的に接続させてもよい。
（パッケージされたＳＡＷフィルタ）
ＳＡＷフィルタ５１は、例えば、そのまま（ベアチップのまま）、電子機器に組み込まれるなどして利用されてよい。ただし、ＳＡＷフィルタ５１は、パッケージされてもよい。以下では、パッケージの例を示す。
（パッケージの例１）
図５は、パッケージングして構成したＳＡＷフィルタ５１を示す断面図である。
ＳＡＷフィルタ５１において、圧電基板３は、隙間を介して対向基板２０３に対向配置されている。また、端子５３と、対向基板２０３のパッド２０５とがその間に介在するバンプ２０７によって接合されている。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。振動空間Ｓは、対向基板２０３上においてＳＡＷフィルタ５１の周囲に配置された樹脂などからなる封止部２０９によって封止されている。
対向基板２０３の、ＳＡＷフィルタ５１が実装される面とは反対側の面には、ＳＡＷフィルタ２０１を回路基板等にバンプによって実装するための外部端子２１１が設けられている。パッド２０５と外部端子２１１とは、対向基板２０３の配線導体（符号省略）によって電気的に接続されている。当該配線導体は、例えば、対向基板２０３（その絶縁基板）の内部または表面において対向基板２０３に沿って形成された層状の導体パターン２１３、および対向基板２０３をその厚み方向に貫通する貫通導体２１５によって構成されている。例えば、図２に示すインダクタ部８７やインダクタＬ１～Ｌ３は、導体パターン２１３を適宜な平面形状とされることによって構成していてもよい。
ＳＡＷフィルタ５１においては、ラダー型フィルタ５５以外の電子素子が設けられてもよい。また、例えば、対向基板２０３には、電子素子（例えば電子部品２１７）が実装されていてもよい。電子部品２１７は、例えば、チップ型の部品であり、また、例えば、インダクタまたはＩＣ（Integrated Circuit）である。
（パッケージの例２）
図６は、ラダー型フィルタ５５を他の手法でパッケージングして構成したＳＡＷフィルタ５１を示す断面図である。
この例では、圧電基板３上にカバー３０３が設けられている。カバー３０３は、圧電基板３上において少なくともラダー型フィルタ５５を囲む枠部３０５と、枠部３０５上に位置して枠部３０５の開口を塞ぐ蓋部３０７とを有している。これにより、送信フィルタ５５上には、ＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を容易化する振動空間Ｓが構成されている。圧電基板３が支持基板に貼り合わされた構成である場合には、枠部３０５は支持基板上に配置してもよい。なお、平面視において、付加共振子５７は、枠部３０５内に位置していてもよいし、枠部３０５に重なっていてもよい（後述）。
端子５３上には、カバー３０３を貫通する柱状端子３０９が設けられている。柱状端子３０９の上面側部分は、ＳＡＷフィルタ３０１を回路基板等にバンプによって実装するためのランド３１０となっている。なお、柱状端子３０９が設けられずに、端子５３上においてカバー３０３を貫通する貫通孔が設けられてもよい。この場合、例えば、端子５３と回路基板等とがバンプによって接合される。
図６に示すように、カバー３０３の上面には、平面視において振動空間Ｓの少なくとも一部に重なる補強層３１１を有している。補強層３１１は、例えば、金属などのカバー３０３よりも剛性が高い導体から構成されている。補強層３１１は、例えば、蓋部３０７の振動空間Ｓ側への撓みを抑制することに寄与している。
ここで、補強層３１１は、幅の狭い線状パターンとして、図２に示すインダクタ部８７やインダクタＬとして機能する。これにより、インダクタ部８７をカバー３０３に設けることができる。
なお補強層３１１は複数あり、ランド３１０と接続されていないものを含んでもよいし、インダクタ部８７として機能しないものを含んでいてもよい。
（付加共振子の被覆）
付加共振子５７は、ラダー型フィルタ５５（その共振子）を覆っていない絶縁体等によって覆われていてもよい。この場合、例えば、ラダー型フィルタ５５（の共振子）におけるＳＡＷの伝搬（圧電基板３の振動）を許容する一方で、付加共振子５７におけるＳＡＷの伝搬を抑制することができる。以下では、そのような絶縁体の例を示す。
図７（ａ）は、圧電基板３の上面における構成例の一部を模式的に示す断面図である。
圧電基板３の上面は、ＩＤＴ電極７等を構成する導体層の上から保護膜２３によって覆われている。保護膜２３は、単にＩＤＴ電極７等の腐食を抑制するためのものであってもよいし、温度補償に寄与するものであってもよい。保護膜２３は、例えば、ＳｉＯ２からなる。また、その厚さは、ＩＤＴ電極７等よりも薄くてもよいし（図示の例）、厚くてもよい。保護膜２３は、例えば、送信フィルタ５５および付加共振子５７の双方を覆っている。
付加共振子５７は、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上には設けられていない絶縁層７１によって覆われている。絶縁層７１は、例えば、樹脂または無機材料からなる。その厚さは適宜に設定されてよい。なお、絶縁層７１は、保護膜２３を介さずに、直接的に付加共振子５７を覆っていてもよい。
図７（ｂ）は、圧電基板３の上面における他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
この例では、図７（ａ）を参照して説明した保護膜２３は、付加共振子５７上における厚さが、送信フィルタ５５（直列共振子６５および並列共振子６７）上における厚さよりも厚くなっている。このような構成は、例えば、圧電基板３の全面に保護膜２３となる材料を成膜する工程と、付加共振子５７上においてのみ保護膜２３となる材料を成膜する工程とを行うことにより実現される。なお、前記の２つの工程は、いずれが先でもよい。
図７（ｃ）は、圧電基板３の上面におけるさらに他の構成例の一部を模式的に示す断面図である。
この例では、図６を参照して説明したカバー３０３が設けられることを想定している。そして、カバー３０３の枠部３０５は、平面視において送信フィルタ５５を囲む一方で、付加共振子５７上に位置している。すなわち、枠部３０５は、送信フィルタ５５（その共振子）および付加共振子５７のうち付加共振子５７のみを覆う絶縁体として機能している。なお、図７（ｃ）では保護膜２３が図示されていないが、カバー３０３は、保護膜２３上に設けられていてもよい。
上述の通り、パッケージと合わせて容量部８５とインダクタ部８７とを実現することができる。このような構成とすることで、容量部８５は圧電基板３上に微細な電極パターンとして形成することができ、その結果、細かい容量値を実現することができる。一方で、インダクタ部８７はパッケージ部や実装基板に設けることで、大型化することなく所望のインダクタンスを実現することができる。
また、図示の例とは異なり、圧電基板３上の導体パターンによってインダクタ部８７等を構成してもよい。
（分波器）
図８は、ＳＡＷフィルタ５１の利用例としての分波器１０１を模式的に示す図である。
分波器１０１は、例えば、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサである。この分波において、送信信号をフィルタリングするフィルタとしてＳＡＷフィルタ５１が用いられている。
分波器１０１は、例えば、ＳＡＷフィルタ５１と、第２信号端子５３Ｙと、アンテナ端子５３Ａと第２信号端子５３Ｙ（この例では受信端子５３Ｒ）との間に位置する通過帯域フィルタ（この例では受信フィルタ）１０３とを有している。
受信フィルタ１０３の構成は適宜なものとされてよい。図８では、受信フィルタ１０３として、送信フィルタ５５と同様に、ラダー型のＳＡＷフィルタによって構成されているものを例示している。なお、受信フィルタ１０３を構成するＳＡＷフィルタは、他の形式（例えば多重モード型フィルタ）であってもよい。
このように受信フィルタ１０３がＳＡＷフィルタによって構成されている場合において、ラダー型フィルタ５５および受信フィルタ１０３は、同一の圧電基板３に設けられていてもよいし、互いに異なる圧電基板３に設けられていてもよい。なお、同一の圧電基板３に設けられている場合、例えば、アンテナ端子５３Ａは、ラダー型フィルタ５５および受信フィルタ１０３に共通のものであり、受信フィルタ１０３は、圧電基板３上においてアンテナ端子５３Ａに接続されている。互いに異なる圧電基板３に設けられている場合、アンテナ端子５３Ａは、例えば、ラダー型フィルタ５５および受信フィルタ１０３のうちのラダー型フィルタ５５のみにとってのものであり、アンテナと受信フィルタ１０３との最短経路上に位置していない。ただし、ＳＡＷフィルタ５１および受信フィルタ１０３が実装される回路基板等を介してアンテナ端子５３Ａと受信フィルタ１０３とが接続されていることに変わりはない。
特に図示しないが、分波器１０１は、上記以外の構成を有していてもよい。
（通信装置）
図９は、分波器１０１の利用例としての通信装置１５１の要部の構成を示すブロック図である。
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子５３Ｔ）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子５３Ａからアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１（例えばアンテナ端子５３Ａ）に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して、受信端子５３Ｒから増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。回路方式は、図９では、ダイレクトコンバージョン方式を例示したが、それ以外の適宜なものとされてよく、例えば、ダブルスーパーヘテロダイン方式であってもよい。また、図９は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
特に図示しないが、通過帯域が互いに異なる２以上のＳＡＷフィルタ５１が共通のアンテナ用ポート（アンテナ端子５３Ａでもよい）に接続されたり、通過帯域が互いに異なる２以上の分波器１０１が共通のアンテナ用ポートに接続されたりすることにより、マルチプレクサ（ダイプレクサ等）が構成されてもよい。また、ＳＡＷフィルタ５１、２０１または３０１が実装される回路基板に適宜な電子部品が実装されて通信モジュールが構成されてもよい。
本開示の技術は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
弾性波は、ＳＡＷに限定されない。例えば、弾性波は、圧電基板内を伝搬するバルク波であってもよいし、圧電基板と圧電基板を覆う絶縁層との境界部を伝搬する弾性境界波（ただし、広義にはＳＡＷの一種である。）であってもよい。
付加共振子における複数の電極指の配列方向は必ずしもＳＡＷの伝搬方向と一致しなくてもよい。
インダクタを構成する、パッケージ用部材に設けられる導体パターンは、対向基板２０３またはカバー３０３の内部に設けられるものに限定されない。例えば、導体パターンは、対向基板またはカバーの表面に設けられてもよい。また、インダクタまたはキャパシタを構成する、パッケージ用部材に実装される電子部品は、対向基板２０３に実装されるものに限定されない。例えば、電子部品は、カバー３０３の上面に実装されてもよい。また、電子部品は、回路基板またはカバーに形成された凹部内に配置されるなど、パッケージ用部材の内部に位置していてもよい。
図１０、図１１に、受信フィルタと送信フィルタとを共通のアンテナ端子に接続した分波器を、２つのバンドで形成したときの周波数特性結果を示す。図１０（ａ），図１１（ａ）は通過帯域の透過特性を示し、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）は通過帯域近傍（高周波数側）の透過特性を示し、図１０（ｃ），図１１（ｃ）はアイソレーション特性を示す。
いずれのバンドにおいても、通過帯域が低周波数側に位置するフィルタに、図２に示すような容量部８５およびインダクタ部８７を設けた場合を実施例１，２とし実線で示した。また、容量部８５およびインダクタ部８７を備えない点以外は全て実施例と同様の構成としたものを比較例１，２とし破線で示した。
図１０に示す実施例１において、容量部８７の静電容量はおよそ０．２ｐＦとし、インダクタ部のインダクタンスはおよそ１．５ｎＨとした。
図１１に示す実施例２において、容量部８７の静電容量はおよそ０．２ｐＦとし、インダクタ部のインダクタンスはおよそ２ｎＨとした。
いずれの実施例の場合についても、容量部８５，インダクタ部８７による通過帯域内特性の劣化は確認されなかった。さらに、実施例の通過帯域外の減衰特性は比較例に比べ向上していることが確認され、それに伴いアイソレーション特性も比較例に比べて改善していることを確認できた。また、容量部８５の容量は非常に小さく、かつ、容量値が僅かに変動しても大きな共振周波数変化に繋がる。このため、容量部８５については０．０１ｐＦ単位での容量調整が必要となることから、図４に示すようにインターディジタル型のキャパシタとすることが最適である。
また、実施例３～５として、容量部８５とインダクタ部８７との接続方法を異ならせた場合の、ＬＣ直列共振回路部の周波数特性をシミュレーションした。図１２（ａ）は実施例３～５の回路図であり、図１２（ｂ）に、直列共振回路部の周波数特性を示す。実施例３のように並列共振子６７が容量部８５，インダクタ部８７と回路的に接続されていない場合は、１か所で大きな減衰極を形成することができる。また、実施例４および実施例５のように、並列共振子６７が容量部８５，インダクタ部８７と回路的に接続されている場合は、実施例３に比べ減衰極における減衰量は小さくなるが複数の減衰極を形成することができるので広帯域にわたり減衰特性を向上させることができる。
また、実施例４は実施例５に比べ減衰量が大きくなっていた。このことから、初段の並列共振子に対して容量部８５を並列接続させてもよい。
なお、容量部８５は、いずれの直列共振子６５，並列共振子６７よりも容量が小さい。減衰特性を向上させるためには、並列共振子６７の容量が大きくなる傾向があるが、その並列共振子６７の容量に比べ１/１０以下となるように設定されている。容量部８５は、分割共振子６９のように分割されておらず、かつ、反射器やダミー電極指がないことから、並列共振子６７に要する面積に対して１/２０以下程度とすることもできる。このため、本開示のＳＡＷフィルタ５１は、容量部８５による大型化を招くことなく減衰特性を向上させることができるものとなる。
３…圧電基板、７…ＩＤＴ電極、５１…ＳＡＷフィルタ（弾性波フィルタ）、５３Ｔ…送信端子、５３Ａ…アンテナ端子、５３Ｇ（５３Ｇ－１～５３Ｇ－１）…ＧＮＤ端子、５５…ラダー型フィルタ、５７…付加共振子、６５（６５Ａ～６５Ｄ）…直列共振子、６７（６７Ａ～６７Ｃ）…並列共振子、８５…容量部、８７…インダクタ部。

Claims (7)

  1. 第１信号端子と、アンテナ端子と、
    前記第１信号端子と前記アンテナ端子との間に接続され、ラダー型に接続された１以上の直列共振子および１以上の並列共振子を含むラダー型フィルタと、
    前記第１信号端子と基準電位との間に直列に接続された容量部とインダクタ部とを備え、
    前記１以上の並列共振子の少なくとも１つの並列共振子は、前記容量部と前記インダクタ部との間に電気的に接続されており、
    前記１以上の直列共振子は、
    最も前記第１信号端子の側の第１直列共振子と、
    前記第１直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第２直列共振子と、
    を含み、
    前記少なくとも１つの並列共振子は、
    前記第１直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第１並列共振子、および、
    前記第２直列共振子に対して前記アンテナ端子の側に接続された第２並列共振子、の少なくとも一方を含み、
    前記第２並列共振子よりも前記アンテナ端子の側に接続された並列共振子を含まず、
    前記容量部の容量は、前記１以上の直列共振子および前記１以上の並列共振子のうち最も静電容量の小さい共振子の容量の１/５以下である、
    弾性波フィルタ。
  2. 前記ラダー型フィルタは、
    前記１以上の直列共振子および前記１以上の並列共振子が位置する圧電基板を備え、
    前記第１信号端子に接続される初段の共振子が直列共振子であり、
    前記容量部は、前記圧電基板上に位置するとともに、前記ラダー型フィルタの通過帯域と重複しない共振周波数を有するインターディジタルキャパシタで構成されている、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 前記圧電基板が対向配置されて実装される対向基板を備え、
    前記インダクタ部は前記対向基板の内部に位置する導体パターンで構成されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 前記圧電基板の上面に位置し、前記ラダー型フィルタを収容するカバーを備え、
    前記インダクタ部は前記カバーに接して位置する導体パターンで構成されている、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  5. 前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記容量部のうち前記容量部のみを覆っている、または前記１以上の直列共振子、前記１以上の並列共振子および前記容量部のうち前記容量部のみにおいて厚くなっている絶縁体を有している
    請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波フィルタ。
  6. 請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    第２信号端子と、
    前記アンテナ端子と前記第２信号端子との間に位置し、前記ラダー型フィルタの通過帯域とは異なる通過帯域を備える帯域フィルタと、
    を有している分波器。
  7. アンテナと、
    前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されている請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波フィルタと、
    前記第１信号端子に接続されているＩＣと、
    を有している通信装置。
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