WO2023100670A1 - フィルタ装置 - Google Patents

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WO2023100670A1
WO2023100670A1 PCT/JP2022/042715 JP2022042715W WO2023100670A1 WO 2023100670 A1 WO2023100670 A1 WO 2023100670A1 JP 2022042715 W JP2022042715 W JP 2022042715W WO 2023100670 A1 WO2023100670 A1 WO 2023100670A1
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reflector
insulating film
electrode
busbar
bus bar
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PCT/JP2022/042715
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Inventor
明 野口
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a filter device having elastic wave resonators.
  • Patent Literature 1 discloses an example of an elastic wave filter.
  • a plurality of resonators are used in this elastic wave filter.
  • Each resonator has an IDT (Interdigital Transducer) electrode and a pair of reflectors.
  • One reflector in one resonator is connected to the ground pattern.
  • the ground pattern is connected to ground potential.
  • the elastic wave resonator heat is generated in the portion where the IDT electrodes are provided as the elastic wave is excited.
  • the electrical characteristics of the acoustic wave resonator may also change from the desired characteristics. If the temperature of the acoustic wave resonator becomes too high, the acoustic wave resonator may be damaged.
  • the reflector is connected to the ground pattern, but the heat dissipation is insufficient.
  • An object of the present invention is to provide a filter device that can improve heat dissipation.
  • a filter device includes a series arm resonator, a parallel arm resonator, and an external connection terminal.
  • a first reflector and a second reflector wherein the IDT electrode includes a first bus bar and a second bus bar facing each other; and a plurality of electrode fingers; a first reflector bus bar and a second reflector bus bar facing each other; a plurality of reflector electrode fingers; an insulating film provided on the first reflector bus bar; a wiring electrode provided over both the one bus bar and the insulating film, and the first reflector bus bar, the insulating film, and the wiring electrode form a laminated portion.
  • the first reflector busbar and the wiring electrode are electrically insulated by the insulating film, and the first reflector busbar or the second reflector busbar is connected to the external connection terminal. ing.
  • the filter device of the present invention it is possible to improve heat dissipation.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of a series arm resonator and a ground terminal in the first embodiment of the invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the first comparative example.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the second comparative example.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of a series arm resonator and a ground terminal in the first embodiment of the
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the third embodiment of the invention.
  • FIG. 1 is a schematic circuit diagram of the filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • the filter device 10 of this embodiment is a duplexer.
  • the filter device 10 has a transmission filter 1A and a reception filter 1B.
  • the communication band of the filter device 10 is Band8. Therefore, the pass band of the transmission filter 1A is 880-915 MHz.
  • the pass band of the reception filter 1B is 925-960 MHz.
  • the communication band of the filter device 10 is not limited to the above.
  • the filter device according to the present invention is not limited to a duplexer, and may be a multiplexer or the like.
  • the filter device is not limited to a composite filter device such as a duplexer or multiplexer, but may be a band-pass filter such as a receive filter or a transmit filter.
  • the filter device may be a band-stop filter or the like.
  • the filter device 10 has a common connection terminal 2.
  • the common connection terminal 2 is connected to an antenna in this embodiment.
  • a common connection terminal 2 is commonly connected to a transmission filter 1A and a reception filter 1B.
  • the transmission filter 1A has a plurality of series arm resonators, a plurality of parallel arm resonators, and an input terminal 3A.
  • the reception filter 1B has a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8, a plurality of series arm resonators, a plurality of parallel arm resonators, and an output terminal 3B.
  • a series arm resonator, a parallel arm resonator, and a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter may be collectively referred to as a resonator.
  • the circuit configuration of the filter device 10 is not particularly limited as long as it includes a ladder circuit section.
  • the ladder type circuit section should have at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator. Note that the characteristic configuration of this embodiment is included in the transmission filter 1A.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the filter device according to the first embodiment.
  • each resonator in the filter device 10 is represented by a schematic representation of a polygon with two diagonals.
  • a dielectric film which will be described later, is omitted. The same applies to each schematic plan view below.
  • the filter device 10 has a piezoelectric substrate 4 .
  • Each resonator of the transmission filter 1A is formed on the piezoelectric substrate 4 .
  • a plurality of external connection terminals are provided on the piezoelectric substrate 4 .
  • the plurality of external connection terminals includes a terminal connected to hot potential and a terminal connected to ground potential. More specifically, in this embodiment, the plurality of external connection terminals connected to the hot potential are the common connection terminal 2, the input terminal 3A and the output terminal 3B. That is, the hot potential refers to the signal potential.
  • the plurality of external connection terminals connected to the ground potential are the plurality of ground terminals 3C.
  • the plurality of series arm resonators of the transmission filter 1A are a series arm resonator S1, a series arm resonator S2, a series arm resonator S3, a series arm resonator S4 and a series arm resonator S5.
  • a first lamination section A1 and a second lamination section A2 indicated by a dashed line including the electrodes of the series arm resonator S3 are configured. Details of the configuration around the series arm resonator S3 are shown below.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the first embodiment. Note that FIG. 3 omits the configuration of connection between the series arm resonator S3 and the ground terminal 3C and resonators other than the series arm resonator S3. Furthermore, in FIG. 3, insulating films, which will be described later, are indicated by hatching. The same applies to other schematic plan views.
  • the series arm resonator S3 has an IDT electrode 5, a first reflector 6A and a second reflector 6B.
  • An IDT electrode 5 is provided on the piezoelectric substrate 4 .
  • a first reflector 6A and a second reflector 6B are provided on the piezoelectric substrate 4 on both sides of the IDT electrode 5 in the elastic wave propagation direction.
  • the series arm resonator S3 is a surface acoustic wave resonator.
  • the IDT electrode 5 has a first busbar 16 and a second busbar 17 and a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19 .
  • the first busbar 16 and the second busbar 17 face each other.
  • One ends of the plurality of first electrode fingers 18 are each connected to the first bus bar 16 .
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17 .
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • the electrode finger extending direction is orthogonal to the elastic wave propagation direction in this embodiment.
  • the first reflector 6A and the second reflector 6B have a grating structure.
  • the first reflector 6A has a first reflector busbar 13A, a second reflector busbar 14A, and a plurality of reflector electrode fingers 15A.
  • the first reflector busbar 13A and the second reflector busbar 14A face each other. Both ends of the plurality of reflector electrode fingers 15A are respectively connected to the first reflector busbar 13A and the plurality of second reflector busbars 14A.
  • the first reflector busbar 13A is located on the first busbar 16 side of the IDT electrode 5 .
  • the second reflector 6B similarly has a third reflector busbar 13B and a fourth reflector busbar 14B, and a plurality of reflector electrode fingers 15B.
  • the fourth reflector busbar 14B is connected to the second busbar 17 .
  • the fourth reflector busbar 14B does not have to be connected to the second busbar 17 .
  • a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators other than the series arm resonator S3 similarly have IDT electrodes, first reflectors, and second reflectors.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • a first wiring electrode 7A is provided on the first bus bar 16 of the IDT electrode 5 . Thereby, the electric resistance of the IDT electrode 5 can be lowered.
  • a first insulating film 9A is provided on the first reflector bus bar 13A of the first reflector 6A.
  • the first wiring electrode 7A is provided over both the first bus bar 16 and the first insulating film 9A.
  • a first laminated portion A1 is configured by the first reflector bus bar 13A, the first insulating film 9A, and the first wiring electrode 7A.
  • the first wiring electrode 7A and the first reflector bus bar 13A are electrically insulated by the first insulating film 9A.
  • the first wiring electrode 7A and the first bus bar 16 are electrically connected.
  • a dielectric film 11 is provided on the piezoelectric substrate 4 so as to cover the IDT electrodes 5, the first wiring electrodes 7A and the second wiring electrodes 7B. Therefore, the dielectric film 11 protects the IDT electrodes 5 . Therefore, the IDT electrode 5 is less likely to be damaged. Furthermore, by adjusting the thickness of the dielectric film 11, the frequency of the series arm resonator S3 can be easily adjusted. Silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, for example, can be used for the dielectric film 11 . However, the dielectric film 11 may not necessarily be provided.
  • the second laminated portion A2 is formed also on the second bus bar 17 side. More specifically, a second insulating film 9B is provided on the second reflector busbar 14A. A second wiring electrode 7B is provided over both the second bus bar 17 and the second insulating film 9B. The second wiring electrode 7B and the second reflector bus bar 14A are electrically insulated by the second insulating film 9B. A second laminated portion A2 is composed of the second reflector bus bar 14A, the second insulating film 9B, and the second wiring electrode 7B.
  • the first insulating film 9A and the second insulating film 9B are made of silicon oxide such as SiO2 .
  • the material of the first insulating film 9A and the second insulating film 9B is not limited to the above, and may be made of an inorganic dielectric material other than silicon oxide, resin, or the like.
  • connection electrode 12 is provided on the piezoelectric substrate 4 .
  • the connection electrode 12 connects the ground terminal 3C and the first reflector bus bar 13A of the first reflector 6A.
  • the first reflector bus bar 13A may be directly connected to the ground terminal 3C without providing the connection electrode 12.
  • the feature of this embodiment is that the first laminated portion A1 including the first reflector busbar 13A is configured, and the first reflector busbar 13A is connected to the ground terminal 3C. Thereby, heat dissipation can be improved. Details of this effect will be described below by comparing the present embodiment with the first and second comparative examples.
  • the first laminated portion A1 and the second laminated portion A2 are not configured, and the reflector is not connected to the external connection terminal. It differs from this embodiment.
  • the second comparative example differs from the present embodiment in that the first laminated portion A1 and the second laminated portion A2 are not formed.
  • the dielectric film 11 shown in FIG. 4 is also provided in the first and second comparative examples.
  • the first reflector 6A is connected to the ground terminal 3C by the connection electrode 12.
  • heat cannot be efficiently propagated from the IDT electrode 5 to the first reflector 6A. Therefore, the second comparative example also has insufficient heat dissipation.
  • the first laminated portion A1 is configured. Therefore, the heat generated in the portion where the IDT electrode 5 is provided can be efficiently propagated from the first wiring electrode 7A to the first reflector 6A.
  • the first wiring electrode 7A and the first reflector bus bar 13A sandwich the first insulating film 9A and face each other in the thickness direction of the first insulating film 9A. Therefore, the facing area between the first wiring electrode 7A and the first reflector bus bar 13A can be easily increased. Therefore, the heat generated in the portion where the IDT electrode 5 is provided can be efficiently propagated to the first reflector 6A in the first lamination portion A1. Furthermore, the first reflector 6A is connected by a connection electrode 12 to a ground terminal 3C as an external connection terminal. Thereby, the heat propagated from the IDT electrode 5 to the first reflector 6A can be efficiently propagated to the outside. Therefore, in this embodiment, heat dissipation can be effectively improved.
  • the temperature difference of the series arm resonator S3 when the series arm resonator S3 is in operation and when it is not in operation can be made 38% smaller than in the second comparative example.
  • the heat dissipation in this embodiment is high.
  • the first reflector busbar 13A is connected to the external connection terminal, and the first laminated portion A1 including the first reflector busbar 13A is configured.
  • the second reflector busbar 14A may be connected to the external connection terminal, and the first laminated portion A1 including the first reflector busbar 13A may be configured. It is sufficient that the first reflector bus bar 13A or the second reflector bus bar 14A is connected to the external connection terminal.
  • the transmission filter 1A is a ladder filter. Specifically, between the input terminal 3A and the common connection terminal 2, a series arm resonator S1, a series arm resonator S2, a series arm resonator S3, a series arm resonator S4, and a series arm resonator S5 are arranged in this order. , are connected in series with each other.
  • the series arm resonator S1 is the series arm resonator positioned closest to the input terminal 3A.
  • the transmission filter 1A has a parallel arm resonator P1, a parallel arm resonator P2, a parallel arm resonator P3, and a parallel arm resonator P4.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonators S1 and S2 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between the connection point between the series arm resonators S3 and S4 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between the connection point between the series arm resonators S4 and S5 and the ground potential.
  • a capacitive element C1 is connected in parallel with the series arm resonator S4 between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S5.
  • An inductor L1 is connected between the input terminal 3A and the series arm resonator S1.
  • An inductor L2 is connected between the ground potential side ends of the parallel arm resonators P1 and P2 and the ground potential.
  • An inductor L3 is connected between the parallel arm resonator P3 and the ground potential.
  • the circuit configuration of the transmission filter 1A is not limited to the above.
  • the reception filter 1B has the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8, a plurality of series arm resonators, a plurality of parallel arm resonators, and the output terminal 3B, as described above.
  • a plurality of series arm resonators in the reception filter 1B are used as series traps.
  • the plurality of series arm resonators are specifically a series arm resonator S11 and a series arm resonator S12. Multiple parallel arm resonators are used as parallel traps.
  • the plurality of parallel arm resonators are specifically a parallel arm resonator P11, a parallel arm resonator P12 and a parallel arm resonator P13.
  • a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8 is connected between the common connection terminal 2 and the output terminal 3B.
  • a series arm resonator S ⁇ b>11 is connected between the common connection terminal 2 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8 .
  • a series arm resonator S12 is connected between the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8 and the output terminal 3B.
  • a parallel arm resonator P11 is connected between a connection point between the series arm resonator S11 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P12 is connected between a connection point between the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 8 and the series arm resonator S12 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P13 is connected between the output terminal 3B and the ground potential.
  • An inductor L4 is connected between the connection point between the series arm resonator S12 and the parallel arm resonator P13 and the output terminal 3B.
  • the circuit configuration of the reception filter 1B is not limited to the above.
  • An inductor L5 is connected between the inductor L1 and the ground potential.
  • a capacitive element C0 and an inductor L6 are connected in series between the wiring extending from the series arm resonator S5 to the common connection terminal 2 and the ground potential.
  • Inductor L5 and inductor L6 are commonly connected to the ground potential.
  • the inductor L6 includes a portion that is a three-dimensional cross wiring portion.
  • an inductor L7 is connected between the common connection terminal 2 and the ground potential.
  • the circuit configuration of the filter device 10 is not particularly limited.
  • all resonators of the transmission filter 1A and the reception filter 1B share the piezoelectric substrate 4.
  • the transmission filter 1A and the reception filter 1B may have separate piezoelectric substrates.
  • each resonator of the transmit filter 1A and the receive filter 1B may have separate piezoelectric substrates.
  • the piezoelectric substrate 4 in the filter device 10 is a substrate consisting only of a piezoelectric layer.
  • the piezoelectric substrate 4 may be a laminated substrate including piezoelectric layers.
  • lithium niobate, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used for the piezoelectric layer.
  • first reflector busbar 13A, the second reflector busbar 14A, and the like may be collectively referred to as reflector busbars.
  • first busbar 16 and the second busbar 17 of the IDT electrode 5 may be collectively referred to as a busbar.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 may be collectively referred to as electrode fingers.
  • a first laminated portion A1 including a first reflector busbar 13A and a second laminated portion A2 including a second reflector busbar 14A are configured.
  • the insulating film may be provided on at least one of the first reflector busbar 13A and the second reflector busbar 14A.
  • the first reflector bus bar 13A and the second reflector bus bar 14A at least one reflector bus bar provided with an insulating film, the insulating film, and the wiring electrodes provided on the insulating film It suffices if only one laminated portion is configured.
  • the external connection terminal to which the first reflector 6A is connected is preferably connected to ground potential.
  • the filter device 10 is mounted, for example, on a mounting substrate. In the mounting substrate, the area of the electrode connected to the ground potential is often widened. Therefore, the efficiency of heat dissipation in the heat dissipation path can be more reliably increased. Therefore, heat dissipation can be improved more reliably and effectively.
  • the external connection terminal may be connected to a hot potential. Also in this case, heat dissipation can be improved.
  • the electrode finger pitch of the IDT electrode 5 is , preferably the longest. In this case, it is possible to improve the sharpness near the end of the passband on the high frequency side, and to improve the heat dissipation.
  • the electrode finger pitch is the center-to-center distance between adjacent electrode fingers.
  • high steepness means that the amount of change in frequency is small with respect to a certain amount of change in attenuation in the vicinity of the edge of the passband. The higher the steepness, the more reliably it is possible to suppress unnecessary signals from passing through the filter device 10 .
  • the series arm resonator S3 has the lowest anti-resonance frequency.
  • the attenuation pole can be brought closer to the end of the passband on the high frequency side.
  • the steepness near the end of the passband on the high frequency side can be enhanced.
  • the lower the antiresonant frequency the greater the heat generation in the series arm resonator. Therefore, the first laminated portion A1 is formed in the series arm resonator S3 having the lowest anti-resonance frequency, and the first reflector 6A is connected to the external connection terminal. heat dissipation can be enhanced.
  • At least one series arm resonator of the filter device 10 should have a laminated portion, and a reflector having a reflector bus bar included in the laminated portion should be connected to an external connection terminal. That is, each of the plurality of series arm resonators of the filter device 10 may have a laminated portion, and a reflector having a reflector bus bar included in the laminated portion may be connected to the external connection terminal.
  • the widths of the first busbar 16 and the second busbar 17 in the IDT electrode 5 are the same.
  • the widths of the first reflector busbar 13A and the second reflector busbar 14A are the same.
  • the width of the busbar and the reflector busbar is the dimension along the extending direction of the electrode fingers of the busbar and the reflector busbar.
  • the widths of the first busbar 16 and the second busbar 17 may be different from each other.
  • the widths of the first reflector busbar 13A and the second reflector busbar 14A may differ from each other.
  • the width of the first busbars 26 is narrower than the width of the second busbars 27 .
  • the width of the first reflector busbar 23A is narrower than the width of the second reflector busbar 24A.
  • the first bus bar 26 including the first wiring electrode 7A provided on the narrow first bus bar 26 as in the present modified example is arranged. It is preferable that the laminated portion A1 is configured. If the width of the busbar is narrow, the heat capacity is small. Therefore, the IDT electrode 25 is likely to be damaged due to a local temperature rise.
  • the first laminated portion A1 including the narrow first bus bar 26 is configured. Therefore, heat can be efficiently radiated from the first bus bar 26, and breakage of the IDT electrodes 25 can be suppressed.
  • a second laminated portion A2 is further formed including a second wiring electrode 7B provided on the second bus bar 27 and a second reflector bus bar 24A. is more preferable. Thereby, the number of heat dissipation paths can be increased, and heat dissipation can be further improved.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the second embodiment.
  • the present embodiment differs from the first embodiment in that the series arm resonator S31 in which the second laminated portion A2 is configured is the series arm resonator positioned closest to the input terminal 3A.
  • This embodiment also differs from the first embodiment in that the external connection terminal to which the first reflector bus bar 13A is connected is connected to a hot potential.
  • the first reflector bus bar 13A is connected to the first bus bar 16 of the IDT electrode 5, and no laminated portion including the first reflector bus bar 13A is formed. It differs from the first embodiment.
  • the filter device of this embodiment has the same configuration as the filter device 10 of the first embodiment.
  • the first bus bar 16 has the same potential as the input terminal 3A.
  • the first busbar 16 is then connected to the first reflector busbar 13A.
  • the first busbar 16 is connected to the input terminal 3A via the first reflector busbar 13A and the connection electrode 12 .
  • the second busbar 17 is connected to another resonator.
  • a second stack A2 is constructed that includes a second reflector busbar 14A.
  • the first reflector 6A is connected by a connection electrode 12 to an input terminal 3A as an external connection terminal. Therefore, heat dissipation can be effectively improved.
  • the first reflector 6A is connected to the input side of the external connection terminals connected to the hot potential.
  • the first reflector 6A may be connected to the output side of the external connection terminals connected to the hot potential.
  • the first reflector in at least one series arm resonator other than the series arm resonator S31 may be connected to the ground terminal.
  • a stack may be configured that includes the first reflector busbar or the second reflector busbar of the first reflector. In this case, it is possible to effectively improve the heat dissipation of the filter device as a whole.
  • the second busbar 17 of the IDT electrode 5 is connected to the fourth reflector busbar 14B of the second reflector 6B.
  • a stack may also be configured that includes a third reflector busbar 13B or a fourth reflector busbar 14B. An example of this is illustrated by the third embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing the vicinity of the series arm resonator and the ground terminal in the third embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the fourth reflector bus bar 14B of the second reflector 6B and the second bus bar 17 of the IDT electrode 5 are not connected.
  • a third laminated portion A43 including the third reflector busbar 13B of the second reflector 6B and a fourth laminated portion A44 including the fourth reflector busbar 14B are configured.
  • the filter device of this embodiment has the same configuration as the filter device 10 of the first embodiment. That is, also in this embodiment, the first laminated portion A1 and the second laminated portion A2 are configured.
  • a first wiring electrode 7A is provided on the first bus bar 16 of the IDT electrode 5, as in the first embodiment.
  • a third insulating film 49C is provided on the third reflector bus bar 13B of the second reflector 6B.
  • the first wiring electrode 7A is provided over both the first bus bar 16 and the third insulating film 49C.
  • the first wiring electrode 7A and the third reflector bus bar 13B are electrically insulated by a third insulating film 49C.
  • a third laminated portion A43 is configured by the third reflector bus bar 13B, the third insulating film 49C, and the first wiring electrode 7A.
  • a second wiring electrode 7B is provided on the second bus bar 17 of the IDT electrode 5.
  • a fourth insulating film 49D is provided on the fourth reflector bus bar 14B.
  • the second wiring electrode 7B is provided over both the second bus bar 17 and the fourth insulating film 49D.
  • the second wiring electrode 7B and the fourth reflector bus bar 14B are electrically insulated by a fourth insulating film 49D.
  • a fourth laminated portion A44 is composed of the fourth reflector bus bar 14B, the fourth insulating film 49D, and the second wiring electrode 7B.
  • the first wiring electrode 7A is provided over the first insulating film 9A, the first bus bar 16, and the third insulating film 49C.
  • the second wiring electrode 7B is provided over the second insulating film 9B, the second bus bar 17 and the fourth insulating film 49D.
  • a first lamination section A1 and a second lamination section A2 are configured.
  • the heat generated in the portion where the IDT electrode 5 is provided can be efficiently dissipated from the first reflector 6A side to the ground terminal 3C side.
  • the heat generated in the portion where the IDT electrode 5 is provided is also dissipated to the second reflector 6B side. be able to. Therefore, heat dissipation can be further improved. At least one of the third laminated portion A43 and the fourth laminated portion A44 should be formed.

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

放熱性を高めることができる、フィルタ装置を提供する。　本発明のフィルタ装置１０は、直列腕共振子Ｓ３と、並列腕共振子と、外部接続端子（グラウンド端子３Ｃ）とを備える。少なくとも１つの直列腕共振子（直列腕共振子Ｓ３）は、ＩＤＴ電極５と、ＩＤＴ電極５を挟むように配置されている第１，第２の反射器６Ａ，６Ｂとを有する。ＩＤＴ電極５は、対向し合う第１，第２のバスバー１６，１７と、複数の第１，第２の電極指１８，１９とを含む。第１の反射器６Ａは、対向し合う第１，第２の反射器バスバー１３Ａ，１３Ｂと、複数の反射器電極指１５Ａとを含む。フィルタ装置１０は、第１の反射器６Ａの第１の反射器バスバー１３Ａ上に設けられている絶縁膜（第１の絶縁膜９Ａ）と、ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６上及び第１の絶縁膜９Ａの両方に跨って設けられている配線電極（第１の配線電極７Ａ）とをさらに備える。第１の反射器バスバー１３Ａと、第１の絶縁膜９Ａと、第１の配線電極７Ａとにより、積層部（第１の積層部Ａ１）が構成されるとともに、第１の反射器バスバー１３Ａと第１の配線電極７Ａは第１の絶縁膜９Ａにより電気的に絶縁されている。第１の反射器バスバー１３Ａまたは第２の反射器バスバー１４Ａがグラウンド端子３Ｃに接続されている。

Description

フィルタ装置
　本発明は、弾性波共振子を有するフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波共振子を有するフィルタ装置は、携帯電話機などに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波フィルタの一例が開示されている。この弾性波フィルタにおいては、複数の共振子が用いられている。各共振子は、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極及び１対の反射器を有する。１つの共振子における一方の反射器が、グラウンドパターンに接続されている。グラウンドパターンは、グラウンド電位に接続される。
特開２０２０－０２８１０１号公報
　弾性波共振子では、弾性波の励振に伴い、ＩＤＴ電極が設けられている部分において発熱する。この発熱に伴い、弾性波共振子の温度が変化すると、弾性波共振子の電気的特性も、所望の特性から変化することがある。弾性波共振子の温度が高くなりすぎることにより、弾性波共振子が破損するおそれもある。特許文献１に記載された弾性波フィルタにおいては、反射器がグラウンドパターンに接続されているが、放熱性は不十分であった。
　本発明の目的は、放熱性を高めることができる、フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係るフィルタ装置は、直列腕共振子と、並列腕共振子と、外部接続端子とを備え、少なくとも１つの前記直列腕共振子が、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を挟むように配置されている第１の反射器及び第２の反射器とを有し、前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、複数の電極指とを含み、前記第１の反射器が、対向し合う第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーと、複数の反射器電極指とを含み、前記第１の反射器バスバー上に設けられている絶縁膜と、前記第１のバスバー上及び前記絶縁膜上の両方に跨って設けられている配線電極とをさらに備え、前記第１の反射器バスバーと、前記絶縁膜と、前記配線電極とにより積層部が構成されるとともに、前記第１の反射器バスバーと前記配線電極は前記絶縁膜により電気的に絶縁されており、かつ前記第１の反射器バスバーまたは前記第２の反射器バスバーが前記外部接続端子に接続されている。
　本発明に係るフィルタ装置によれば、放熱性を高めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の模式的回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。 図４は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 図５は、第１の比較例における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。 図６は、第２の比較例における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の変形例における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。 図９は、本発明の第３の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るフィルタ装置の模式的回路図である。
　本実施形態のフィルタ装置１０はデュプレクサである。フィルタ装置１０は、送信フィルタ１Ａ及び受信フィルタ１Ｂを有する。フィルタ装置１０の通信バンドは、Ｂａｎｄ８である。よって、送信フィルタ１Ａの通過帯域は８８０～９１５ＭＨｚである。受信フィルタ１Ｂの通過帯域は９２５～９６０ＭＨｚである。もっとも、フィルタ装置１０の通信バンドは上記に限定されない。さらに、本発明に係るフィルタ装置は、デュプレクサには限定されず、マルチプレクサなどであってもよい。あるいは、フィルタ装置は、デュプレクサやマルチプレクサなどのような複合フィルタ装置には限定されず、受信フィルタまたは送信フィルタなどの帯域通過型フィルタであってもよい。または、フィルタ装置は帯域阻止フィルタなどであってもよい。
　図１に示すように、フィルタ装置１０は共通接続端子２を有する。共通接続端子２は、本実施形態では、アンテナに接続される。共通接続端子２に、送信フィルタ１Ａ及び受信フィルタ１Ｂが共通接続されている。送信フィルタ１Ａは、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子と、入力端子３Ａとを有する。受信フィルタ１Ｂは、縦結合共振子型弾性波フィルタ８と、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子と、出力端子３Ｂとを有する。以下においては、直列腕共振子、並列腕共振子及び縦結合共振子型弾性波フィルタをまとめて、共振子と記載することがある。
　フィルタ装置１０の回路構成は特に限定されず、ラダー型回路部が含まれていればよい。ラダー型回路部は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有していればよい。なお、本実施形態の特徴的な構成は送信フィルタ１Ａに含まれる。
　図２は、第１の実施形態に係るフィルタ装置の略図的平面図である。図２においては、フィルタ装置１０における各共振子は、多角形に２本の対角線を加えた略図により示す。図２においては、後述する誘電体膜を省略している。以下の各模式的平面図においても同様である。
　フィルタ装置１０は圧電性基板４を有する。圧電性基板４上において、送信フィルタ１Ａの各共振子が構成されている。さらに、圧電性基板４上には、複数の外部接続端子が設けられている。複数の外部接続端子は、ホット電位に接続される端子、及びグラウンド電位に接続される端子を含む。より具体的には、本実施形態においては、ホット電位に接続される複数の外部接続端子は、共通接続端子２、入力端子３Ａ及び出力端子３Ｂである。すなわち、ホット電位とは、信号電位を指す。グラウンド電位に接続される複数の外部接続端子は、複数のグラウンド端子３Ｃである。
　送信フィルタ１Ａの複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５である。本実施形態では、直列腕共振子Ｓ３の電極を含む、一点鎖線により示される第１の積層部Ａ１及び第２の積層部Ａ２が構成されている。直列腕共振子Ｓ３付近の構成の詳細を以下において示す。
　図３は、第１の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。なお、図３においては、直列腕共振子Ｓ３及びグラウンド端子３Ｃと、直列腕共振子Ｓ３以外の共振子との接続の構成などは省略している。さらに、図３においては、後述する絶縁膜をハッチングにより示す。他の模式的平面図においても同様である。
　直列腕共振子Ｓ３は、ＩＤＴ電極５と、第１の反射器６Ａ及び第２の反射器６Ｂとを有する。圧電性基板４上にＩＤＴ電極５が設けられている。ＩＤＴ電極５に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電性基板４上における、ＩＤＴ電極５の弾性波伝搬方向両側に第１の反射器６Ａ及び第２の反射器６Ｂが設けられている。このように、直列腕共振子Ｓ３は弾性表面波共振子である。
　ＩＤＴ電極５は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７と、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ、第１のバスバー１６に接続されている。複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ、第２のバスバー１７に接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９が延びる方向を電極指延伸方向としたとき、本実施形態では、電極指延伸方向は弾性波伝搬方向と直交している。
　第１の反射器６Ａ及び第２の反射器６Ｂはグレーチング構造を有する。具体的には、第１の反射器６Ａは、第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａと、複数の反射器電極指１５Ａとを有する。第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａは互いに対向している。複数の反射器電極指１５Ａの両端はそれぞれ、第１の反射器バスバー１３Ａ及び複数の第２の反射器バスバー１４Ａに接続されている。なお、第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａのうち、第１の反射器バスバー１３Ａが、ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６側に位置している。
　第２の反射器６Ｂも同様に、第３の反射器バスバー１３Ｂ及び第４の反射器バスバー１４Ｂと、複数の反射器電極指１５Ｂとを有する。本実施形態では、第４の反射器バスバー１４Ｂは第２のバスバー１７に接続されている。もっとも、第４の反射器バスバー１４Ｂは第２のバスバー１７に接続されていなくともよい。
　直列腕共振子Ｓ３以外の複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子もそれぞれ同様に、ＩＤＴ電極と、第１の反射器及び第２の反射器とを有する。
　図４は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
　ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６上に、第１の配線電極７Ａが設けられている。これにより、ＩＤＴ電極５の電気抵抗を低くすることができる。他方、第１の反射器６Ａの第１の反射器バスバー１３Ａ上に、第１の絶縁膜９Ａが設けられている。第１の配線電極７Ａは、第１のバスバー１６上及び第１の絶縁膜９Ａ上の両方に跨って設けられている。第１の反射器バスバー１３Ａと、第１の絶縁膜９Ａと、第１の配線電極７Ａとにより、第１の積層部Ａ１が構成されている。なお、第１の配線電極７Ａ及び第１の反射器バスバー１３Ａは、第１の絶縁膜９Ａによって、電気的に絶縁されている。一方、第１の配線電極７Ａ及び第１のバスバー１６は、電気的に接続されている。
　圧電性基板４上には、ＩＤＴ電極５並びに第１の配線電極７Ａ及び第２の配線電極７Ｂを覆うように、誘電体膜１１が設けられている。そのため、誘電体膜１１によりＩＤＴ電極５が保護される。よって、ＩＤＴ電極５が破損し難い。さらに、誘電体膜１１の厚みを調整することにより、直列腕共振子Ｓ３の周波数を容易に調整することができる。誘電体膜１１には、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などを用いることができる。もっとも、誘電体膜１１は必ずしも設けられていなくともよい。
　図３に戻り、第２のバスバー１７側においても、第２の積層部Ａ２が構成されている。より具体的には、第２の反射器バスバー１４Ａ上に、第２の絶縁膜９Ｂが設けられている。第２のバスバー１７上及び第２の絶縁膜９Ｂ上の両方に跨って、第２の配線電極７Ｂが設けられている。なお、第２の配線電極７Ｂ及び第２の反射器バスバー１４Ａは、第２の絶縁膜９Ｂによって、電気的に絶縁されている。第２の反射器バスバー１４Ａと、第２の絶縁膜９Ｂと、第２の配線電極７Ｂとにより、第２の積層部Ａ２が構成されている。本実施形態では、第１の絶縁膜９Ａ及び第２の絶縁膜９Ｂは、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素からなる。もっとも、第１の絶縁膜９Ａ及び第２の絶縁膜９Ｂの材料は上記に限定されず、酸化ケイ素以外の無機誘電体や、樹脂などからなっていてもよい。
　圧電性基板４上には接続電極１２が設けられている。接続電極１２により、グラウンド端子３Ｃ、及び第１の反射器６Ａの第１の反射器バスバー１３Ａが接続されている。もっとも、接続電極１２を設けずに、第１の反射器バスバー１３Ａが直接、グラウンド端子３Ｃに接続されていてもよい。
　本実施形態の特徴は、第１の反射器バスバー１３Ａを含む第１の積層部Ａ１が構成されており、かつ第１の反射器バスバー１３Ａがグラウンド端子３Ｃに接続されていることにある。それによって、放熱性を高めることができる。この効果の詳細を、本実施形態と、第１の比較例及び第２の比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　図５に示すように、第１の比較例においては、第１の積層部Ａ１及び第２の積層部Ａ２が構成されておらず、かつ反射器が外部接続端子に接続されていない点において、本実施形態と異なる。図６に示すように、第２の比較例においては、第１の積層部Ａ１及び第２の積層部Ａ２が構成されていない点において本実施形態と異なる。なお、図示しないが、第１の比較例及び第２の比較例においても、図４に示した誘電体膜１１が設けられている。
　弾性波が励振されると、ＩＤＴ電極５が設けられている部分において熱が生じる。第１の比較例においては、ＩＤＴ電極５から、誘電体膜１１及び圧電性基板４に熱が伝搬される。この熱は、さらに第１の反射器６Ａにも伝搬される。しかしながら、誘電体膜１１及び圧電性基板４の熱伝導率は十分に高くはない。さらに、ＩＤＴ電極５及び第１の反射器６Ａが誘電体膜１１を介して対向している部分の対向面積は狭い。加えて、第１の比較例では、第１の反射器６Ａから外部などへの、効率的な放熱経路は設けられていない。そのため、放熱性を高めることは困難である。
　第２の比較例においては、第１の反射器６Ａは、接続電極１２により、グラウンド端子３Ｃに接続されている。しかしながら、第１の比較例と同様に、ＩＤＴ電極５から第１の反射器６Ａに熱を効率的に伝搬させることはできない。そのため、第２の比較例においても、放熱性は不十分である。
　これらに対して、本実施形態においては、第１の積層部Ａ１が構成されている。それによって、ＩＤＴ電極５が設けられている部分において生じた熱を、第１の配線電極７Ａから、第１の反射器６Ａに効率的に伝搬させることができる。
　より詳細には、第１の配線電極７Ａ及び第１の反射器バスバー１３Ａは、第１の絶縁膜９Ａを挟み、第１の絶縁膜９Ａの厚み方向において互いに対向している。そのため、第１の配線電極７Ａ及び第１の反射器バスバー１３Ａの対向面積を容易に広くすることができる。よって、ＩＤＴ電極５が設けられている部分において生じた熱を、第１の積層部Ａ１において、第１の反射器６Ａに効率的に伝搬させることができる。さらに、第１の反射器６Ａは、接続電極１２により、外部接続端子としてのグラウンド端子３Ｃに接続されている。これにより、ＩＤＴ電極５から第１の反射器６Ａに伝搬した熱を、外部に効率的に伝搬させることができる。従って、本実施形態においては、放熱性を効果的に高めることができる。
　例えば、本実施形態では、直列腕共振子Ｓ３が動作しているとき、及び動作していないときの直列腕共振子Ｓ３の温度差を、第２の比較例より３８％小さくすることができる。このように、本実施形態における放熱性は高い。
　本実施形態においては、第１の反射器バスバー１３Ａが外部接続端子に接続されており、かつ第１の反射器バスバー１３Ａを含む第１の積層部Ａ１が構成されている。もっとも、第２の反射器バスバー１４Ａが外部接続端子に接続されており、かつ第１の反射器バスバー１３Ａを含む第１の積層部Ａ１が構成されていてもよい。第１の反射器バスバー１３Ａまたは第２の反射器バスバー１４Ａが外部接続端子に接続されていればよい。
　以下において、本実施形態の構成のさらなる詳細を説明する。
　図１に示すように、送信フィルタ１Ａはラダー型フィルタである。具体的には、入力端子３Ａ及び共通接続端子２の間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５がこの順序において、互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１が最も入力端子３Ａ側に位置する直列腕共振子である。
　さらに、送信フィルタ１Ａは、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４を有する。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。
　直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ５との間には、直列腕共振子Ｓ４と並列に容量素子Ｃ１が接続されている。入力端子３Ａと直列腕共振子Ｓ１との間には、インダクタＬ１が接続されている。並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２のグラウンド電位側の端部と、グラウンド電位との間には、インダクタＬ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ３とグラウンド電位との間には、インダクタＬ３が接続されている。もっとも、送信フィルタ１Ａの回路構成は上記に限定されない。
　受信フィルタ１Ｂは、上述したように、縦結合共振子型弾性波フィルタ８と、複数の直列腕共振子と、複数の並列腕共振子と、出力端子３Ｂとを有する。受信フィルタ１Ｂにおける複数の直列腕共振子は、直列トラップとして用いられている。複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２である。複数の並列腕共振子は、並列トラップとして用いられている。複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２及び並列腕共振子Ｐ１３である。
　共通接続端子２及び出力端子３Ｂの間に縦結合共振子型弾性波フィルタ８が接続されている。共通接続端子２及び縦結合共振子型弾性波フィルタ８の間に、直列腕共振子Ｓ１１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ８及び出力端子３Ｂの間に、直列腕共振子Ｓ１２が接続されている。直列腕共振子Ｓ１１及び縦結合共振子型弾性波フィルタ８の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ８及び直列腕共振子Ｓ１２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１２が接続されている。出力端子３Ｂとグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１３が接続されている。直列腕共振子Ｓ１２及び並列腕共振子Ｐ１３の間の接続点と、出力端子３Ｂとの間に、インダクタＬ４が接続されている。もっとも、受信フィルタ１Ｂの回路構成は上記に限定されない。
　インダクタＬ１及びグラウンド電位の間には、インダクタＬ５が接続されている。直列腕共振子Ｓ５から共通接続端子２に向かう配線とグラウンド電位との間には、容量素子Ｃ０及びインダクタＬ６が互いに直列に接続されている。インダクタＬ５及びインダクタＬ６は、グラウンド電位に共通接続されている。なお、図２においては絶縁膜などを図示しないが、インダクタＬ６は立体交叉配線部とされている部分を含む。他方、図１に戻り、共通接続端子２とグラウンド電位との間には、インダクタＬ７が接続されている。もっとも、上述したように、フィルタ装置１０の回路構成は特に限定されない。
　本実施形態においては、送信フィルタ１Ａ及び受信フィルタ１Ｂの全ての共振子は、圧電性基板４を共有している。もっとも、例えば、送信フィルタ１Ａ及び受信フィルタ１Ｂは、別個の圧電性基板を有していても構わない。あるいは、送信フィルタ１Ａ及び受信フィルタ１Ｂの各共振子は、別個の圧電性基板を有していてもよい。
　フィルタ装置１０における圧電性基板４は圧電体層のみからなる基板である。もっとも、圧電性基板４は、圧電体層を含む積層基板であってもよい。圧電体層には、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。
　以下において、本実施形態の好ましい構成を示す。なお、以下においては、第１の反射器バスバー１３Ａや第２の反射器バスバー１４Ａなどをまとめて反射器バスバーと記載することがある。同様に、ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７をまとめてバスバーと記載することがある。第１の電極指１８及び第２の電極指１９をまとめて電極指と記載することがある。
　図３に示すように、第１の反射器バスバー１３Ａを含む第１の積層部Ａ１と、第２の反射器バスバー１４Ａを含む第２の積層部Ａ２とが構成されていることが好ましい。これにより、ＩＤＴ電極５から第１の反射器６Ａに、熱をより一層効率的に伝搬させることができる。よって、放熱性をより一層高めることができる。もっとも、絶縁膜は、第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａのうち少なくとも一方に設けられていればよい。第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａのうち絶縁膜が設けられている反射器バスバーと、該絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられている配線電極とにより、少なくとも１つの積層部が構成されていればよい。
　第１の反射器６Ａが接続された外部接続端子が、グラウンド電位に接続されることが好ましい。フィルタ装置１０は、例えば実装基板に実装される。実装基板においては、グラウンド電位に接続される電極の面積が広くされることが多い。よって、放熱経路における放熱の効率をより確実に高くすることができる。よって、放熱性をより確実に、効果的に高めることができる。もっとも、上記外部接続端子は、ホット電位に接続されてもよい。この場合においても、放熱性を高めることができる。
　複数の直列腕共振子のうち、第１の積層部Ａ１が構成されており、かつ第１の反射器６Ａが外部接続端子に接続された直列腕共振子Ｓ３におけるＩＤＴ電極５の電極指ピッチが、最も長いことが好ましい。この場合には、通過帯域の高域側の端部付近の急峻性を高めることができ、かつ放熱性を高めることができる。なお、電極指ピッチとは、隣り合う電極指の中心間距離である。本明細書において急峻性が高いとは、通過帯域の端部付近において、ある一定の減衰量の変化量に対して、周波数の変化量が小さいことをいう。急峻性が高いほど、不要な信号がフィルタ装置１０を通過することを、より確実に抑制することができる。
　より詳細には、電極指ピッチが長いほど、***振周波数が低い。よって、複数の直列腕共振子のうち、直列腕共振子Ｓ３の***振周波数は最も低い。そして、***振周波数が低い直列腕共振子が配置されていることにより、減衰極を、通過帯域の高域側の端部に近づけることができる。それによって、通過帯域の高域側の端部付近の急峻性を高めることができる。一方で、***振周波数が低いほど、直列腕共振子における発熱が大きくなる。従って、***振周波数が最も低い直列腕共振子Ｓ３において第１の積層部Ａ１が構成されており、かつ第１の反射器６Ａが外部接続端子に接続されていることにより、フィルタ装置１０全体としての放熱性を高めることができる。
　なお、フィルタ装置１０の少なくとも１つの直列腕共振子において、積層部が構成されており、かつ積層部に含まれる反射器バスバーを有する反射器が、外部接続端子に接続されていればよい。すなわち、フィルタ装置１０の複数の直列腕共振子においてそれぞれ、積層部が構成されており、かつ積層部に含まれる反射器バスバーを有する反射器が、外部接続端子に接続されていてもよい。
　本実施形態においては、ＩＤＴ電極５における第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７の幅は同じである。同様に、第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａの幅は同じである。バスバー及び反射器バスバーの幅とは、バスバー及び反射器バスバーの電極指延伸方向に沿う寸法である。なお、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７の幅は互いに異なっていてもよい。同様に、第１の反射器バスバー１３Ａ及び第２の反射器バスバー１４Ａの幅は互いに異なっていてもよい。
　例えば、図７に示す第１の実施形態の変形例においては、第１のバスバー２６の幅は、第２のバスバー２７の幅よりも細い。第１の反射器バスバー２３Ａの幅は、第２の反射器バスバー２４Ａの幅よりも細い。この場合には、本変形例のように第１のバスバー２６及び第２のバスバー２７のうち、幅が細い第１のバスバー２６上に設けられている第１の配線電極７Ａを含む第１の積層部Ａ１が構成されていることが好ましい。バスバーの幅が細い場合には、熱容量が小さい。そのため、局所的な温度の上昇により、ＩＤＴ電極２５が破損し易い。これに対して、本変形例においては、幅が細い第１のバスバー２６を含む第１の積層部Ａ１が構成されている。よって、第１のバスバー２６から効率的に放熱することができ、ＩＤＴ電極２５の破損を抑制することができる。
　もっとも、図７に示すように、第２のバスバー２７上に設けられている第２の配線電極７Ｂと、第２の反射器バスバー２４Ａとを含む第２の積層部Ａ２がさらに構成されていることがより好ましい。それによって、放熱経路を増加させることができ、放熱性をより一層高めることができる。
　図８は、第２の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。
　本実施形態は、第２の積層部Ａ２が構成された直列腕共振子Ｓ３１が、最も入力端子３Ａ側に位置する直列腕共振子である点において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第１の反射器バスバー１３Ａが接続された外部接続端子がホット電位に接続される点においても、第１の実施形態と異なる。さらに、本実施形態は、第１の反射器バスバー１３ＡがＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６に接続されており、第１の反射器バスバー１３Ａを含む積層部が構成されていない点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１０と同様の構成を有する。
　直列腕共振子Ｓ３１においては、ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７のうち、第１のバスバー１６が入力端子３Ａと同じ電位である。そして、第１のバスバー１６は、第１の反射器バスバー１３Ａに接続されている。第１のバスバー１６は、第１の反射器バスバー１３Ａ及び接続電極１２を介して、入力端子３Ａに接続されている。他方、第２のバスバー１７は、他の共振子に接続されている。
　第１のバスバー１６が、第１の反射器バスバー１３Ａに接続されていることによって、ＩＤＴ電極５が設けられた部分において生じた熱を、第１のバスバー１６から第１の反射器６Ａに効率的に伝搬させることができる。加えて、第１の実施形態と同様に、第２の反射器バスバー１４Ａを含む第２の積層部Ａ２が構成されている。それによって、ＩＤＴ電極５から第１の反射器６Ａへの放熱経路を増加させることができる。そして、第１の反射器６Ａは、接続電極１２により、外部接続端子としての入力端子３Ａに接続されている。従って、放熱性を効果的に高めることができる。
　本実施形態では、第１の反射器６Ａは、ホット電位に接続される外部接続端子のうち、入力側に接続されている。もっとも、第１の反射器６Ａは、ホット電位に接続される外部接続端子のうち、出力側に接続されていてもよい。
　なお、直列腕共振子Ｓ３１以外の少なくとも１個の直列腕共振子における第１の反射器が、グラウンド端子に接続されていてもよい。この場合において、該第１の反射器の第１の反射器バスバーまたは第２の反射器バスバーを含む積層部が構成されていてもよい。この場合には、フィルタ装置全体としての放熱性を効果的に高めることができる。
　第１の実施形態及び第２の実施形態においては、ＩＤＴ電極５の第２のバスバー１７は、第２の反射器６Ｂの第４の反射器バスバー１４Ｂに接続されている。これにより、放熱性を高めることができる。一方で、第３の反射器バスバー１３Ｂまたは第４の反射器バスバー１４Ｂを含む積層部が構成されていてもよい。この例を第３の実施形態により示す。
　図９は、第３の実施形態における、直列腕共振子及びグラウンド端子付近を示す模式的平面図である。
　本実施形態は、第２の反射器６Ｂの第４の反射器バスバー１４Ｂ及びＩＤＴ電極５の第２のバスバー１７が接続されていない点において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第２の反射器６Ｂの第３の反射器バスバー１３Ｂを含む第３の積層部Ａ４３と、第４の反射器バスバー１４Ｂを含む第４の積層部Ａ４４とが構成されている点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のフィルタ装置は第１の実施形態のフィルタ装置１０と同様の構成を有する。すなわち、本実施形態においても、第１の積層部Ａ１と、第２の積層部Ａ２とが構成されている。
　第１の実施形態と同様に、ＩＤＴ電極５の第１のバスバー１６上に、第１の配線電極７Ａが設けられている。第２の反射器６Ｂの第３の反射器バスバー１３Ｂ上に、第３の絶縁膜４９Ｃが設けられている。第１の配線電極７Ａは、第１のバスバー１６上及び第３の絶縁膜４９Ｃ上の両方に跨って設けられている。第１の配線電極７Ａ及び第３の反射器バスバー１３Ｂは、第３の絶縁膜４９Ｃによって、電気的に絶縁されている。第３の反射器バスバー１３Ｂと、第３の絶縁膜４９Ｃと、第１の配線電極７Ａとにより、第３の積層部Ａ４３が構成されている。
　同様に、ＩＤＴ電極５の第２のバスバー１７上に、第２の配線電極７Ｂが設けられている。第４の反射器バスバー１４Ｂ上に、第４の絶縁膜４９Ｄが設けられている。第２の配線電極７Ｂは、第２のバスバー１７上及び第４の絶縁膜４９Ｄ上の両方に跨って設けられている。第２の配線電極７Ｂ及び第４の反射器バスバー１４Ｂは、第４の絶縁膜４９Ｄによって、電気的に絶縁されている。第４の反射器バスバー１４Ｂと、第４の絶縁膜４９Ｄと、第２の配線電極７Ｂとにより、第４の積層部Ａ４４が構成されている。
　なお、より詳細には、本実施形態では、第１の配線電極７Ａは、第１の絶縁膜９Ａ上、第１のバスバー１６上及び第３の絶縁膜４９Ｃ上に跨って設けられている。他方、第２の配線電極７Ｂは、第２の絶縁膜９Ｂ上、第２のバスバー１７上及び第４の絶縁膜４９Ｄ上に跨って設けられている。
　本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、第１の積層部Ａ１及び第２の積層部Ａ２が構成されている。それによって、ＩＤＴ電極５が設けられた部分において生じた熱を、第１の反射器６Ａ側からグラウンド端子３Ｃ側に、効率的に放熱することができる。加えて、第３の積層部Ａ４３及び第４の積層部Ａ４４が構成されていることにより、ＩＤＴ電極５が設けられている部分において生じた熱を、第２の反射器６Ｂ側にも放熱することができる。従って、放熱性をより一層高めることができる。なお、第３の積層部Ａ４３及び第４の積層部Ａ４４のうち少なくとも一方が構成されていればよい。
１Ａ…送信フィルタ
１Ｂ…受信フィルタ
２…共通接続端子
３Ａ…入力端子
３Ｂ…出力端子
３Ｃ…グラウンド端子
４…圧電性基板
５…ＩＤＴ電極
６Ａ，６Ｂ…第１，第２の反射器
７Ａ，７Ｂ…第１，第２の配線電極
８…縦結合共振子型弾性波フィルタ
９Ａ，９Ｂ…第１，第２の絶縁膜
１０…フィルタ装置
１１…誘電体膜
１２…接続電極
１３Ａ，１３Ｂ…第１，第３の反射器バスバー
１４Ａ，１４Ｂ…第２，第４の反射器バスバー
１５Ａ，１５Ｂ…反射器電極指
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２３Ａ，２４Ａ…第１，第２の反射器バスバー
２５…ＩＤＴ電極
２６，２７…第１，第２のバスバー
４９Ｃ，４９Ｄ…第３，第４の絶縁膜
Ａ１，Ａ２…第１，第２の積層部
Ａ４３，Ａ４４…第３，第４の積層部
Ｃ０，Ｃ１…容量素子
Ｌ１～Ｌ７…インダクタ
Ｐ１～Ｐ４，Ｐ１１～Ｐ１３…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ３１…直列腕共振子

Claims (8)

  1. 　直列腕共振子と、
    　並列腕共振子と、
    　外部接続端子と、
    を備え、
    　少なくとも１つの前記直列腕共振子が、ＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極を挟むように配置されている第１の反射器及び第２の反射器と、を有し、
    　前記ＩＤＴ電極が、対向し合う第１のバスバー及び第２のバスバーと、複数の電極指と、を含み、前記第１の反射器が、対向し合う第１の反射器バスバー及び第２の反射器バスバーと、複数の反射器電極指と、を含み、
    　前記第１の反射器バスバー上に設けられている絶縁膜と、
    　前記第１のバスバー上及び前記絶縁膜上の両方に跨って設けられている配線電極と、
    をさらに備え、
    　前記第１の反射器バスバーと、前記絶縁膜と、前記配線電極とにより積層部が構成されるとともに、前記第１の反射器バスバーと前記配線電極は前記絶縁膜により電気的に絶縁されており、かつ前記第１の反射器バスバーまたは前記第２の反射器バスバーが前記外部接続端子に接続されている、フィルタ装置。
  2. 　前記ＩＤＴ電極の前記第１のバスバーの幅が、前記第２のバスバーの幅よりも細い、請求項１に記載のフィルタ装置。
  3. 　前記絶縁膜が第１の絶縁膜であり、前記配線電極が第１の配線電極であり、
    　前記第２の反射器バスバー上に設けられている第２の絶縁膜と、
    　前記第２のバスバー上及び前記第２の絶縁膜上の両方に跨って設けられている第２の配線電極と、
    をさらに備える、請求項１または２に記載のフィルタ装置。
  4. 　前記絶縁膜が第１の絶縁膜であり、前記配線電極が第１の配線電極であり、
    　前記第２の反射器が、対向し合う第３の反射器バスバー及び第４の反射器バスバーと、複数の反射器電極指と、を含み、
    　前記第３の反射器バスバー上に設けられている第３の絶縁膜をさらに備え、
    　前記第１の配線電極が、前記第１のバスバー上及び前記第３の絶縁膜上の両方に跨って設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  5. 　前記絶縁膜が第１の絶縁膜であり、前記配線電極が第１の配線電極であり、
    　前記第２の反射器が、対向し合う第３の反射器バスバー及び第４の反射器バスバーと、複数の反射器電極指と、を含み、
    　前記第４の反射器バスバー上に設けられている第４の絶縁膜と、
    　前記第２のバスバー上及び前記第４の絶縁膜上の両方に跨って設けられている第２の配線電極と、
    をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  6. 　複数の前記直列腕共振子を備え、
    　前記複数の直列腕共振子がそれぞれ、前記複数の電極指を含む前記ＩＤＴ電極を有し、
    　前記複数の直列腕共振子のうち、電極指ピッチが最も長い直列腕共振子における前記第１の反射器が前記外部接続端子に接続されており、かつ該直列腕共振子において前記積層部が構成されている、請求項１～５のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  7. 　前記外部接続端子がグラウンド電位に接続される、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
  8. 　前記第１の反射器が、前記第１のバスバー及び前記第２のバスバーのうち一方に接続されており、
    　前記外部接続端子がホット電位に接続される、請求項１～６のいずれか１項に記載のフィルタ装置。
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