WO2005098919A1

WO2005098919A1 - 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体

Info

Publication number: WO2005098919A1
Application number: PCT/JP2005/006675
Authority: WO
Inventors: Masaru Amai; Kenji Sekiguchi; Takehiko Orii; Hiroki Ohno; Satoru Tanaka; Takuya Mori
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2004-04-06
Filing date: 2005-04-05
Publication date: 2005-10-20
Also published as: JPWO2005098919A1; US20070175501A1; EP1737025A4; CN1965395A; US7803230B2; EP1737025A1; TW200537570A; KR20060008952A; JP4423289B2; TWI286782B; CN100449702C; KR100648165B1

Abstract

　基板洗浄装置及び基板処理方法は、基板Ｗを回転させながら，ブラシ３を基板Ｗに接触させ，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂを基板Ｗの中心部から周縁部に向かって基板Ｗと相対的に移動させ，二流体ノズル５から液滴とガスからなる処理流体を基板Ｗに噴射させ，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを基板Ｗの中心部から周縁部に向かって基板Ｗと相対的に移動させ，前記ブラシ３による洗浄位置Ｓｂを基板Ｗの中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを前記ブラシ３による洗浄位置Ｓｂより中心ＰＯ側に配置することとし、ブラシから汚れが転写してウェハが汚れることを防止できる。

Description

明細書

基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体

技術分野

[0001] この発明は、例えば半導体基板等に付着している汚染物を除去する洗浄処理に使用する基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体に関するものである。背景技術

[0002] 例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハに付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物のコンタミネーシヨンを除去する洗浄処理が行われて!/、る。力うな洗浄処理として，ブラシをウェハに接触させてウェハをスクラブ洗浄する方法が知られている（例えば，特開 2003— 332287号公報参照)。ブラシによるスクラブ洗浄は，特に，デバイスが形成されないウェハの裏面を洗浄する場合に行われている。また，二流体ノズルを用いて洗浄液を液滴状にしてウェハに噴射することにより洗浄する方法が知られている（例えば，特開 2003— 197597号公報参照)。

[0003] 従来の洗浄処理にあっては，ブラシによるウェハの洗浄を数多く行うと，ブラシが汚染され，ブラシに付着した汚れがウェハに転写し，ウェハを十分に洗浄できない問題があった。特に，半導体デバイスのパターンの微細化が進むと，例えばドライエツチング工程においてウェハの裏面を静電チャックによって保持した場合に，裏面に付着したパーティクルを十分に除去しな、と，その後のリソグラフイエ程でデフォーカスが生じる懸念などがある。

[0004] 本発明の目的は，ブラシ力汚れが転写してウェハが汚れることを防止できる基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体を提供することにある。

発明の開示

[0005] 上記課題を解決するために，本発明によれば，基板を洗浄する装置であって，基板を回転させるスピンチャックと，基板に接触して基板を洗浄するブラシと，液滴を噴射する二流体ノズルとを備え，前記ブラシによる洗浄位置及び前記二流体ノズルによる洗浄位置は，いずれも基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動する構成とし，かつ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向力つて移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシによる洗浄位置よりも常に基板の中心側に配置する構成としたことを特徴とする，基板洗浄装置が提供される。カゝかる基板洗浄装置によれば，ブラシが接触した後の面に液滴が噴射されるので，ブラシからウェハに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。

[0006] この基板洗浄装置にあっては，前記ブラシを支持するブラシ支持アームと，前記二流体ノズルを支持する二流体ノズル支持アームと，前記ブラシ支持アーム及び前記二流体ノズル支持アームの移動を制御する制御部とを備えることとしても良、。前記制御部は，前記二流体ノズル支持アームの移動速度が前記ブラシ支持アームの移動速度より速くなるように制御することが好ましい。また，前記制御部は，前記ブラシ支持アームの移動方向と反対方向に，前記二流体ノズル支持アームを移動させることが好ましい。さらに，前記制御部は，基板の周縁部においてブラシを基板力も離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板から離隔する直前に接触して、た部分に移動させるように制御することが好ま、。

[0007] また，前記ブラシ及び前記二流体ノズルを支持して移動する支持アームと，前記支持アームの移動を制御する制御部とを備え，前記支持アームにおいて，基板に対する移動方向に対して前記ブラシの後方に前記二流体ノズルを配置し，基板の回転方向に対して前記ブラシの後方に，第 2の二流体ノズルを配置することとしても良い。

[0008] 前記制御部は，前記二流体ノズルカゝら基板に液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部力移動させたら

,前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動させるように制御することとしても良、。

[0009] さらに，前記制御部は，基板の中心部から周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるように制御することが好ま、。

[0010] また，本発明によれば，基板を洗浄する方法であって，基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動させ，二流体ノズルから液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて基板と相対的に移動させ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて移動させる間 ,前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置することを特徴とする，基板洗浄方法が提供される。

[0011] この基板洗浄方法にあっては，前記二流体ノズルカゝら基板に液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて基板と相対的に移動させることとしても良、。

[0012] また，基板の周縁部においてブラシを基板力も離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板力離隔する直前に接触していた部分に移動させることが好ましい。前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に，前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させることとしても良い。

[0013] さらに，基板の中心部力周縁部に向力に従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにすることが好ましい。また，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにすることが好ま、。

[0014] また，本発明によれば，基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて基板と相対的に移動させ、二流体ノズル力ゝら液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて移動させる間、前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置する手順をコンビュータに実行させるためのプログラム及びこのプログラムが記録された媒体が提供される。

[0015] 前記プログラムは、前記二流体ノズル力基板に液滴を噴射させながら、前記ブラシを基板の中心部に接触させ、前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ、その後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。

[0016] また、前記プログラムは、基板の周縁部においてブラシを基板力も離隔させた後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を、前記ブラシが基板から離隔する直前に接触して!、た部分に移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもょ、。

[0017] さらに、前記プログラムは、前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に、前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。

[0018] また、前記プログラムは、基板の中心部力周縁部に向力うに従い、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度、及び、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにする手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。

[0019] さらに、前記プログラムは、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度力前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにする手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。

[0020] 本発明によれば，ブラシと二流体ノズルを設け，基板上のブラシによる洗浄位置より中心側に二流体ノズルによって液滴を噴射することで，ブラシが接触した後の面を液滴の噴流によって洗浄できる。従って，ブラシ力もウェハに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。

図面の簡単な説明

[0021] [図 1]は、本発明に係る基板洗浄装置の一実施の形態の基本構成を示す側面図である。 [図 2]は、本実施の形態にかかる基板洗浄装置の基本構成を示す平面図である。

[図 3]は、二流体ノズルの縦断面図である。

[図 4]は、ブラシによる洗浄位置と二流体ノズルによる洗浄位置の移動を説明する説明図である。

[図 5]は、ブラシをウェハの中心に接触させるとき二流体ノズル力液滴を噴射する実施形態を説明する説明図である。

[図 6]は、図 5の状態後の二流体ノズルとブラシの動きを示す説明図である。

[図 7]は、本発明の他の実施の形態の基本構成を示す平面図。

[図 8]は、実施例及び比較例 2におけるウェハの洗浄枚数とパーティクルの除去率との関係を示すグラフである。

発明を実施するための最良の形態

[0022] 以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板としてのウェハ Wの裏面（半導体デバイスが形成されなヽ面)を洗浄する基板洗浄装置に基づ!ヽて説明する。図 1に示すように，本実施の形態に力かる基板洗浄装置 1は，略円板形のウェハ Wを略水平に保持するスピンチャック 2と，ウェハ Wの上面 (裏面）に接触してウェハ Wを洗浄するブラシ 3と，洗浄液とガスとを混合して形成した液滴をウェハ Wの上面に噴射する二流体ノズル 5とを備えている。さらに，純水などの洗浄液をウエノ、 Wの上面に供給する供給ノズル 7が備えられている。スピンチャック 2,ブラシ 3,二流体ノズル 5,供給ノズル 7 は，密閉構造のチャンバ一 8内に収納されている。また，チャンバ一 8内には，スピンチャック 2に保持されたウェハ Wの周囲を囲むインナーカップ 10,アウターカップ 11 が備えられている。インナーカップ 10は，アウターカップ 11の内側において昇降可能であり，インナーカップ 10を上昇させインナーカップ 10によってウェハ Wの周囲を囲む状態と，インナーカップ 10を下降させアウターカップ 11によってウェハ Wの周囲を囲む状態とにすることができる。図 2に示すように，チャンバ一 8には，ウェハ Wを搬入出するための開口 20と，開口 20を開閉するシャツタ 21が設けられている。

[0023] また，基板洗浄装置 1の各部の制御は，図 1及び図 2に示すように、制御ソフトゥェァが記録された記録媒体 91を有する制御コンピュータ 90を備えた制御部 15の命令によって行われる。ここで、記録媒体 91は、制御コンピュータ 90に固定的に設けられるもの、或いは制御コンピュータ 90に設けられた読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態としては、記録媒体 91は、基板洗浄装置メーカーのサービスマンによって制御ソフトウエアがインストールされたノヽードディスクドライブである。他の実施形態にお、ては

、記録媒体 91は、制御ソフトウェアが書き込まれた CD— ROMまたは DVD— ROM のようなリムーバブルディスクであり、このようなリムーバブルディスクは制御コンビユータ 90に設けられた光学的読取装置により読み取られる。記録媒体 91は、 RAM (random access memory)または ROM(read only memory)のいずれの开式のものであつてもよく、また、記録媒体 91は、カセット式の ROM或いはメモリカードのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体 91として用いることが可能である。なお、複数の基板洗浄装置が配置される工場においては、各基板洗浄装置の制御コンピュータ 90を統括的に制御する管理コンピュータに制御ソフトウェアが格納されていてもよい。この場合、各基板洗浄装置は通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定の基板洗浄プロセスを実行する。

[0024] スピンチャック 2は，上部に 3個の保持部材 25を備えている。これら保持部材 25をゥェハ Wの周縁 3箇所にそれぞれ当接させ， 3個の保持部材 25によってウェハ Wの周縁を囲むようにして保持するようになっている。図 1に示すように，スピンチャック 2の下部には，スピンチャック 2を垂直方向の回転中心軸を中心として回転させるモータ 2

6が取り付けられている。このモータ 26の駆動により，スピンチャック 2を回転させ，ゥェハ Wの中心 Pを回転中心として，ウェハ Wをスピンチャック 2と一体的に略水平面 o

内で回転させるようになつている。モータ 26の駆動は，制御部 15によって制御される

[0025] 図 1に示すように，スピンチャック 2に支持されたウェハ Wの上方には，ブラシ 3を支持するブラシ支持アーム 40が配設されている。ブラシ 3は，ブラシ支持アーム 40の先端下面に固定された昇降回転機構 41の下方に突出する昇降回転軸 42の下端に取り付けられている。昇降回転軸 42は，昇降回転機構 41により昇降及び回転自在になつており，これにより，ブラシ 3は，任意の高さに昇降され，かつ回転させられるようになっている。昇降回転機構 41は，昇降回転軸 42に対して上下方向に推力を適宜付与することにより，ブラシ 3をスピンチャック 2に支持されたウェハ Wの上面に任意の接触圧で押し付けることが可能である。昇降回転機構 41の駆動は，制御部 15によって制御される。

[0026] ブラシ 3は，円柱状のブラシ本体 43を備えている。ブラシ本体 43には，例えば榭脂等力もなる略円柱状のスポンジや，例えば毛足の硬、ナイロンブラシからなる硬質なブラシや，毛足の柔らかいモヘアブラシ力もなる軟質なブラシなどが，洗浄の種類に応じて適宜用いられる。

[0027] また，スピンチャック 2に支持されたウェハ Wの上方には，二流体ノズル 5を支持する二流体ノズル支持アーム 50が配設されている。二流体ノズル 5は，二流体ノズル支持アーム 50の先端下面に固定された昇降機構 51の下方に突出する昇降軸 52の下端に取り付けられている。昇降軸 52は，昇降機構 51により昇降自在になっており，これにより，二流体ノズル 5は，任意の高さに昇降されるようになっている。昇降機構 51 の駆動は，制御部 15によって制御される。

[0028] 図 3に示すように，二流体ノズル 5は，二流体ノズル 5の内部に例えば窒素（N )等

2 のガスを供給するガス供給路 53と，二流体ノズル 5の内部に例えば純水等を洗浄液として供給する液体供給路 54と，二流体ノズル 5の内部で形成した洗浄液の液滴を導出する導出路 55とを備えた，内部混合型の二流体ノズルである。ガス供給路 53から供給された窒素ガスと液体供給路 54から供給された純水は，二流体ノズル 5の内部において混合される。そして，純水と窒素ガスと混合した結果，純水が無数の微粒子状の液滴となり，窒素ガスによって加速されながら導出路 55内を通過する。導出路 55は略鉛直に配置されており，導出路 55の下端力も液滴を下方に向力つて噴射するようになつている。ガス供給路 53,液体供給路 54には，それぞれ開閉弁 56, 57 が介設されている。開閉弁 56, 57の開閉動作は，図 1に示す制御部 15によってそれぞれ制御される。

[0029] 図 2に示すように，ブラシ支持アーム 40の基端部と二流体ノズル支持アーム 50の基端部は，アウターカップ 11を挟んで開口 20と反対側に略水平に配置されたガイドレール 60, 61に沿ってそれぞれ移動自在に支持されている。ブラシ支持アーム 40と二流体ノズル支持アーム 50は，いずれもアウターカップ 11の上方を横切って平行移動することが可能である。

[0030] また，ガイドレール 60に沿ってブラシ支持アーム 40を移動させる駆動機構 62と，ガイドレール 61に沿って二流体ノズル支持アーム 50を移動させる駆動機構 63とが備えられている。駆動機構 62,駆動機構 63の駆動は，制御部 15によって制御される。

[0031] 制御部 15による駆動機構 62,駆動機構 63の制御により，ブラシ支持アーム 40は，ウェハ Wの上方とアウターカップ 11の右方（図 2において開口 20側力もみて右方）との間で移動し，二流体ノズル支持アーム 50は，ウェハ Wの上方とアウターカップ 11 の左方（図 2において開口 20側からみて左方）との間で移動するようになっている。ブラシ支持アーム 40の移動速度や位置，また，二流体ノズル支持アーム 50の移動速度や位置は，駆動機構 62,駆動機構 63を制御することにより，それぞれ適宜変化させることができるように構成されて!、る。

[0032] また，ブラシ支持アーム 40と二流体ノズル支持アーム 50が移動することに伴って，ブラシ 3と二流体ノズル 5力いずれもスピンチャック 2に支持されたウェハ Wの中心部から周縁部に向かってウェハ Wと相対的に移動できるように構成されて、る。ブラシ 3 は，ウェハ Wの中心部上方とアウターカップ 11の右方との間で移動し，二流体ノズル 5は，ウェハ Wの中心部上方とアウターカップ 11の左方との間で移動する。また，ブラシ支持アーム 40と二流体ノズル支持アーム 50の各移動速度を変化させることにより ,ブラシ 3と二流体ノズル 5の各移動速度を適宜変化させることができるように構成されている。

[0033] 例えば，スピンチャック 2にウエノ、 Wを授受する際は，ブラシ 3及びブラシ支持ァーム 40をアウターカップ 11の右方に待機させ，二流体ノズル 5及び二流体ノズル支持アーム 50をアウターカップ 11の左方に待機させる。ウエノ、 Wを洗浄する際は，図 4に示すように，ウェハ Wをスピンチャック 2によって回転させながら，ブラシ 3をウェハ Wに接触させつつ，ウェハ Wの中心 P力も右方に向かって移動させる。即ち，ブラシ 3に

o

よる洗浄位置 Sbを，回転するウェハ Wの中心 P力も右側の周縁部に向力つて移動さ

o

せることにより，中心 P力もブラシ 3による洗浄位置 Sbまでの間の距離を半径とした

o

略円状の領域 Abを万遍なくスクラブ洗浄しながら，領域 Abを拡大していくことができる。また，ブラシ 3によって洗浄する間，二流体ノズル 5から液滴を噴射させながら，二流体ノズル 5をウェハ Wの中心 P力も左方に向かって移動させる。即ち，液滴が噴射

o

される二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを，回転するウェハ Wの中心 Pから左側の

o

周縁部に向力つて移動させることにより，中心 P力も二流体ノズル 5による洗浄位置

o

Snまでの間の距離を半径とした略円状の領域 Anに，万遍なく液滴を噴射しながら，領域 Anを拡大していくことができる。また，二流体ノズル 5を中心 Pから周縁部に向

O

かって移動させる間は，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snは，ブラシ 3による洗浄位置 Sbよりも常にウェハ Wの中心 P側に配置する。このようにすると，ブラシ 3が接触し

o

た後の領域 Abに液滴を噴射して洗浄することができる。従って，ブラシ 3からウェハ

Wの上面に汚れが転写しても，転写した汚れを二流体ノズル 5から噴射される液滴によって除去することができるので，ウェハ Wから確実に汚染物を除去することができる

。また，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snからウェハ Wの周縁に向かって流れる液滴がブラシ 3に供給されることにより，ブラシ 3に付着した汚染物を液滴によって洗い流すこともできる。なお，二流体ノズル支持アーム 50,二流体ノズル 5及び洗浄位置 Sn を，ブラシ支持アーム 40,ブラシ 3及び洗浄位置 Sbの移動方向である右方と反対方向である左方に移動させるようにすると，ブラシ支持アーム 40と二流体ノズル支持ァーム 50が衝突することを防止できる。

[0034] また，ウエノ、 Wの周縁部において，ブラシ 3がスピンチャック 2の保持部材 25と衝突することを避けるため，ブラシ 3による洗浄はウェハ Wの周縁端よりも中心 P側の位置

o

まで行う。即ち，ブラシ 3による洗浄位置 Sbを，ウェハ Wの周縁端より若干離隔した位置 Pまで移動させたら，ブラシ 3をウェハ Wから上昇させて離隔させるようにする。

[0035] なお，ブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動速度，即ち，ウェハ Wの中心 P に対してブ

o

ラシ 3が右方に移動する速度は，ウェハ Wの中心部から周縁部に向かうに従い，遅くなるようにすることが好ましい。このようにすると，ブラシ 3による汚染物除去性能を向上させることができる。また，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動速度，即ち，ゥヱハ Wの中心 P に対して二流体ノズル 5が左方に移動する速度も，ウェハ Wの中心

o

部から周縁部に向かうに従い，遅くなるようにすることが好ましい。これにより，二流体ノズル 5による汚染物除去性能を向上させることができる。 [0036] さらに，二流体ノズル 5はブラシ 3よりも速く移動させ，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動速度がブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動速度よりも速くなるようにすることが好ましい。これにより，ブラシ 3及び二流体ノズル 5によるウェハ Wの洗浄のスループットを向上させることができる。即ち，二流体ノズル 5による洗浄は，ブラシ 3を中心 P 力右方に移動させた後で二流体ノズル 5を中心 P の上方に移動させ，中心 P に o o o おいて液滴を噴射することで開始する。そして，ブラシ 3がウェハ Wから離隔すると同時に，ブラシ 3が離隔する直前に接触して、た部分に二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを移動させ，周縁部の洗浄が行われる。このように，二流体ノズル 5による洗浄は，ブラシ 3による洗浄より遅く開始及び終了するが，二流体ノズル 5による洗浄位置 Sn をブラシ 3による洗浄位置 Sbよりも速く移動させることにより，ブラシ 3による洗浄終了時間と二流体ノズル 5による洗浄終了時間との差を小さくすることができる。従って，ゥェハ Wの洗浄に要する時間を短縮することができるので，洗浄処理のスループットが向上する。

[0037] 図 1に示す供給ノズル 7は，図示しない駆動機構の駆動により，アウターカップ 11の外側とスピンチャック 2に保持されたウェハ Wの上方との間において移動自在になつている。また，供給ノズル 7には，洗浄液を供給する洗浄液供給路 70が接続されている。洗浄液供給路 70には，開閉弁 71が介設されている。

[0038] 図 1に示すように，モータ 26の駆動，昇降回転機構 41の駆動，昇降機構 51の駆動 ,開閉弁 56, 57の開閉動作，駆動機構 62,駆動機構 63の駆動，供給ノズル 7の駆動機構 (図示せず)の駆動，開閉弁 71の開閉動作などは，制御部 15の制御命令によってそれぞれ制御されるようになって!/ヽる。

[0039] 次に，以上のように構成された基板洗浄装置 1を用いたウエノ、 Wの洗浄方法について説明する。なお、以下の動作は、図 1及び図 2に示すように、制御ソフトウェアを記録した記録媒体 91を有する制御コンピュータ 90を備えた制御部 15によって制御される。

[0040] 先ず，図示しない搬送アームにより未だ洗浄されていないウェハ Wをチャンバ一 8 内に搬入し，図 1に示すようにウェハ Wをスピンチャック 2に受け渡す。このときウエノ、 Wは表面 (パターンが形成されて、る面）を下面として，裏面を上面とした状態でスピンチャック 2に受け渡される。ウエノ、 Wをスピンチャック 2に受け渡すときは，図 2にお Vヽてニ点鎖線で示すように，ブラシ 3及び二流体ノズル 5をアウターカップ 11の外側に退避させておく。

[0041] ウェハ Wがスピンチャック 2に受け渡されたら，図 1に示したモータ 26の駆動によりスピンチャック 2を回転させ，ウエノ、 Wの回転を開始させる。また，供給ノズル 7をウェハ

Wの上方に移動させ，純水などの洗浄液を回転するウェハ Wの上面の中心 P に供

o 給し，遠心力によりウエノ、 Wの上面全体に洗浄液を拡散させ，洗浄液の液膜を形成する。

[0042] ウェハ Wの上面に洗浄液の液膜を形成したら，ブラシ支持アーム 40をウェハ Wの上方に移動させ，ブラシ 3を図 4に示すウェハ Wの中心 Pの上方に移動させ，昇降

o

回転機構 41によってブラシ 3を回転させながら下降させ，ウェハ Wの中心 P にブラシ

o

本体 43の下面を接触させる。こうして，ブラシ 3による洗浄位置 Sbがウェハ Wの中心

P

oに配置された状態になる。

[0043] 次に，ブラシ 3を回転するウェハ Wに接触させたまま，ブラシ支持アーム 40をウェハ

Wの右側に向かって平行移動させ，ブラシ 3をウェハ Wの右側に向かって移動させる

。即ち，ブラシ 3による洗浄位置 Sbをウェハ Wの中心 P力ウェハ Wの右側の周縁部

o

に向力つて移動させる。こうして，ブラシ 3によって洗浄した領域 Abを拡大しながら，ウェハ Wの上面を洗浄して!/、く。

[0044] 一方，二流体ノズル支持アーム 50をウェハ Wの上方に移動させ，ブラシ 3を中心 P

o 力右方に移動させた後で，二流体ノズル 5を中心 P の上方に移動させるようにする

o

。そして，液滴の噴射を開始する。こうして，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snが中心

P に配置された状態になる。また，液滴の噴射を開始したら，供給ノズル 7からの洗 o

浄液の供給を停止させ，供給ノズル 7をアウターカップ 11の外側に移動させる。そして，二流体ノズル 5から回転するウェハ Wに液滴を噴射させながら，二流体ノズル支持アーム 50をウェハ Wの左側に向かって平行移動させ，二流体ノズル 5をウェハ W の左側に向かって移動させる。即ち，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snをウェハ Wの中心 P力もウェハ Wの左側の周縁部に向力つて移動させる。こうして，液滴を噴射し o

た領域 Anを拡大しながら，ウェハ Wの上面を洗浄していく。なお，二流体ノズル 5から噴射された液滴や供給ノズル 7から供給された洗浄液は，ウェハ Wの回転に伴う遠心力によりウェハ Wの周縁に向かって流れ，図 1に示すアウターカップ 11によって受け止められ，アウターカップ 11内から図示しな、排液路を介して排液される。

[0045] 二流体ノズル 5をウェハ Wの中心 P側力周縁部に向かって移動させて洗浄する o

間は，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snをブラシ 3による洗浄位置 Sbよりも常に中心

P側に配置し，ブラシ 3が接触した後の領域 Abに液滴が噴射されるようにする。これ o

により，ブラシ 3からウェハ Wの上面に汚れが転写しても，転写した汚れを液滴の噴流によって除去することができる。従って，ウェハ Wから確実に汚染物を除去することができる。

[0046] また，このように二流体ノズル 5による洗浄をブラシ 3による洗浄と同時に行うときは，供給ノズル 7からの洗浄液の供給を停止させると，洗浄液が飛び散ることを抑制して ,ウェハ Wの洗浄を好適に行うことができる。供給ノズル 7からの洗浄液の供給を停止させても，二流体ノズル 5から噴射された洗浄液の液滴がウェハ Wの上面にぉ、て拡散するので，洗浄液をブラシ 3の洗浄位置 Sbに供給させながら好適にスクラブ洗浄することができる。なお，ブラシ 3によってスクラブ洗浄された面が乾燥せず濡れている状態のうちに，二流体ノズル 5からスクラブ洗浄された面に液滴が噴射されるようにすることが好ましい。これにより，ウェハ Wから汚染物を確実に除去することができる。

[0047] また，ブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動速度と二流体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動速度は，ウェハ Wの中心部から周縁部に向かって移動するに従い，遅くなるようにすることが好ましい。これにより，汚染物除去性能が向上する。さらに，二流体ノズル 5はブラシ 3よりも速く移動させ，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動速度がブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動速度よりも速くなるようにすることが好ましい。これにより，ウェハ Wの洗浄時間を短縮することができる。二流体ノズル 5による洗浄位置 Sn の移動速度をブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動速度よりも速くする場合，ブラシ 3による洗浄位置 Sbがウェハ Wの周縁部に近づくに従い，中心 P力洗浄位置 Sbまで o

の距離と，中心 P力も洗浄位置 Snまでの距離との差が，次第に小さくなる。そして，

O

ブラシ 3を位置 Pにおいてウェハ Wから離隔させたとき，中心 P力二流体ノズル 5

1 o

による洗浄位置 Snまでの距離が，中心 Pから位置 Pまでの距離とほぼ等しくなるようにすることが好ましい。このようにすると，ブラシ 3による洗浄終了後，二流体ノズル 5 による洗浄位置 Snをブラシ 3が離隔する直前に接触していた部分に速やかに移動させ，二流体ノズル 5によるウェハ Wの周縁部の洗浄を速やかに行うことができる。従つて，ウェハ Wの洗浄時間を短縮することができる。

[0048] ブラシ 3による洗浄位置 Sbを位置 Pまで移動させたら，ブラシ 3を昇降回転機構 41 によって上昇させ，ウェハ Wからブラシ本体 43を離隔させる。これにより，ブラシ 3がスピンチャック 2の保持部材 25と衝突することを防止できる。そして，ブラシ 3をウェハ W 力離隔させると同時に，ブラシ 3が離隔する直前に接触していた部分に，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを移動させ，液滴の噴流によって周縁部を洗浄する。なお，液滴と保持部材 25とが衝突することによりウェハ Wに悪影響を及ぼす懸念がある場合は，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを保持部材 25に接近させすぎないようにすることが好ましく，中心 P力も二流体ノズル 5による洗浄位置 Snまでの距離が，中心 o

Pから位置 Pまでの距離とほぼ等しくなる位置で，液滴の噴射を終了させることが好

O 1

ましい。

[0049] ブラシ 3をウェハ Wから上昇させたら，ブラシ 3の回転を停止させ，ブラシ支持アーム 40をウェハ Wの上方からアウターカップ 11の右方に移動させる。その後，ウェハ Wの周縁部を液滴の噴流によって洗浄したら，二流体ノズル 5からの液滴の供給を停止させ，二流体ノズル支持アーム 50をウェハ Wの上方からアウターカップ 11の左方に移動させる。

[0050] ウェハ Wの洗浄後，ウェハ Wを洗浄時より高速で回転させ，ウェハ Wをスピン乾燥させる。スピン乾燥後，スピンチャック 2を停止させ，図示しない搬送アームをチャンバ一 8内に進入させ，ウェハ Wをスピンチャック 2から受け取り，チャンバ一 8から搬出する。

[0051] 力かる基板処理装置 1によれば，ブラシ 3による洗浄位置 Sbより中心 P側に，二流 o

体ノズル 5によって液滴を噴射することで，ブラシ 3が接触した後の領域 Abを液滴の噴流によって洗浄することができる。従って，ブラシ 3からウェハ Wに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。また，ウェハ Wの周縁を保持するスピンチャック 2の保持部材 25との衝突を避けるため，ブラシ 3をウェハ Wの周縁部まで接触させない場合であっても，二流体ノズル 5によってウェハ Wの周縁部を洗浄することができる。複数枚のウェハ Wの洗浄を続けても，ブラシ 3からウェハ Wに汚れが転写することを防止できる。従って，ブラシ 3を途中で洗浄したり交換したりすることなく，複数枚のゥヱハ Wの洗浄を連続的に行うことができ，スループットが向上する。

[0052] 以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他の LCD基板用ガラスや CD基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。

[0053] 二流体ノズル 5は純水の液滴を噴射することとしたが，二流体ノズル 5から噴射される液滴は，かかるものに限定されず，例えば薬液等，純水以外の洗浄液からなるものであっても良い。二流体ノズル 5内で洗浄液と混合するガスは，窒素ガス以外のガスであっても良い。また，二流体ノズル 5の構造は，実施の形態に示した内部混合型のものに限定されず，例えば，洗浄液とガスを外部で混合する外部混合型の構造であつても良い。

[0054] 供給ノズル 7から供給される洗浄液は，純水に限定されず，例えば薬液等の純水以外の処理液であっても良い。また，ウェハ Wの中心 P に洗浄液を供給することとした

o

力他の箇所に供給しても良い。例えばウェハ wの中心 pと周縁との間の中間の位

O

置にも，洗浄液を供給するようにしても良い。

[0055] また，供給ノズル 7からの洗浄液の供給を行わなくても良い。この場合は，図 5に示すように，二流体ノズル 5からウェハ Wに液滴を噴射させながら，回転するウェハ Wの中心 P にブラシ 3を接触させて洗浄を開始すると良い。即ち，液滴を噴射することに o

より，液滴がウエノヽ wの上面全体に拡散して，ウェハ wの上面に洗浄液の液膜を形成することができる。また，ウェハ Wの中心 P に位置するブラシ 3の洗浄位置 Sbにも

o

,二流体ノズル 5から噴射された液滴が拡散して供給され，スクラブ洗浄を好適に行うことができる。なお，ウェハ Wの中心 P にブラシ 3を接触させるときの二流体ノズル 5

o

の位置は，ブラシ 3による洗浄位置 Sbの近傍に液滴が噴射されるような位置にすることが好ましい。これにより，液滴をウェハ Wの上面全体に好適に拡散させ，また，液滴を洗浄位置 Sbに好適に供給することができる。こうしてウェハ Wの中心 P にブラシ 3

o

を接触させたら，図 6に示すように，ブラシ 3の移動を開始し，洗浄位置 Sbをウェハ W の中心 P力も右方に移動させる。そして，二流体ノズル 5を右方に移動させて中心 P o

の上方に移動させ，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを中心 P に配置させる。その o o

後，実施の形態に示した方法と同様に，ブラシ 3を右方に移動させて洗浄位置 Sbをウェハ Wの周縁部に向かって移動させながら，二流体ノズル 5を左方に移動させて洗浄位置 Snをウェハ Wの中心 P力周縁部に向かって移動させるようにすれば良！、。

o

[0056] 本実施の形態では，ウェハ Wの洗浄中，二流体ノズル支持アーム 50及び二流体ノズル 5は，ブラシ支持アーム 40及びブラシ 3の移動方向と反対方向の左方に移動するようにし，ブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動方向である右方と反対方向の左方に，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを移動させることとしたが，ブラシ支持アーム 40, ブラシ 3及び洗浄位置 Sbの移動方向や，二流体ノズル支持アーム 50,二流体ノズル 5及び洗浄位置 Snの移動方向は，力かるものに限定されない。例えば，二流体ノズル支持アーム 50,二流体ノズル 5及び洗浄位置 Snは，ブラシ支持アーム 40,ブラシ 3及び洗浄位置 Sbの移動方向と同じ方向に移動するようにしても良、。

[0057] 図 7に示すように，ブラシ 3及び二流体ノズル 5を支持して移動する支持アーム 80を備えても良い。図 7において，支持アーム 80の基端部は，ガイドレール 82に沿って移動自在に支持されている。さらに，ガイドレール 82に沿って支持アーム 80を移動させる駆動機構 83が備えられている。駆動機構 83の駆動は，制御部 15によって制御され，支持アーム 80の移動速度や位置は，駆動機構 83を制御することにより変化させることができる。この支持アーム 80には，ブラシ 3による洗浄中のウェハ Wに対するブラシ 3の移動方向に対して，ブラシ 3の後方に二流体ノズル 5を配置して支持するようにする。例えば，ブラシ 3による洗浄中，支持アーム 80及びブラシ 3を右方に移動させる場合は，ブラシ 3の左方に二流体ノズル 5を設ける。これにより，ブラシ 3による洗浄位置 Sbの左側，即ち中心 P側に，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snを配置する

o

ことができる。さらに，支持アーム 80には，ウェハ Wの回転方向に対してブラシ 3の後方に，第 2の二流体ノズル 85を配置することが好ましい。このようにすると，ブラシ 3によってウェハ Wの周縁部を洗浄した後，ブラシ 3の後方で瞬時に第 2の二流体ノズル 85から液滴を噴射して洗浄することができ，ブラシ 3を離隔させる際には，第 2の二流体ノズル 85による洗浄も終了させることができる。即ち，ブラシ 3による洗浄後，支持アーム 80を移動させることなく，すぐにウェハ Wの周縁部に液滴を噴射できるので，効率的に洗浄することができ，スループットが向上する。また， 1本の支持アーム 80で構成することができ，構造や制御の簡略ィ匕が可能である。

[0058] 上記動作も、制御ソフトウェアを記録した記録媒体 91を有する制御コンピュータ 90 を備えた制御部 15によって行われる。なお、記録媒体 91の具体的な態様については、図 1及び図 2に示す記録媒体 91について説明したものと同様であるためその説明を省略する。

[0059] 二流体ノズル 5及び洗浄位置 Snの移動方向と，ブラシ 3及び洗浄位置 Snの移動方向は，同一直線上にある形態に限定されず，例えば互いに角度を有する配置にしても良い。また，二流体ノズル 5及び二流体ノズルによる洗浄位置 Snの移動方向と，ブラシ 3及びブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動方向は，直線方向でなくても良い。二流体ノズル 5やブラシ 3の移動手段は，ブラシ支持アーム 40,二流体ノズル支持ァーム 50及びガイドレール 60, 61によるものに限定されない。例えば，ブラシ 3を支持してウェハ Wの上方で回動するアームを設け，ブラシ 3による洗浄位置 Sbをウェハ Wの上面で中心 P力も周縁部に向力つて回動させるように移動させても良い。また，二流

o

体ノズル 5を支持してウェハ Wの上方で回動するアームを設け，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snをウェハ Wの上面で中心 P力周縁部に向かって回動させるように移

o

動させても良、。ブラシ 3及び二流体ノズル 5を支持してウェハ Wの上方で回動するアームを設け，ブラシ 3による洗浄中のウエノ、 Wに対するブラシ 3の移動方向に対して，ブラシ 3の後方に二流体ノズル 5を配置して支持するようにし，ブラシ 3による洗浄位置 Sb及び二流体ノズル 5による洗浄位置 Snをウェハ Wの上面で中心 Pから周縁

o

部に向力つて回動させるように移動させても良い。

[0060] 本実施の形態では，ブラシ 3をウエノ、 Wの中心 P に接触させ，ブラシ 3による洗浄

o

位置 Sbの移動をウェハ Wの中心 P力開始することとした力ブラシ 3の移動方向に

o

おいてウェハ Wの中心 Pより後方からオーバースキャンさせるようにしても良い。即ち

o

,ブラシ 3による洗浄位置 Sbの移動を，洗浄位置 Sbの移動方向において中心 Pより

o 後方から開始させるようにしても良い。また，本実施の形態では，二流体ノズル 5の噴射をウェハ Wの中心 P において開始させ，二流体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動をウェハ Wの中心 P力も開始することとしたが，二流体ノズル 5の移動方向において

O

ウェハ Wの中心 Pより後方からオーバースキャンさせるようにしても良い。即ち，二流

o

体ノズル 5による洗浄位置 Snの移動を，洗浄位置 Snの移動方向において中心 Pよ

o り後方から開始させるようにしても良い。これにより，ウェハ wの中心 p を確実に洗浄

O

することができる。

[0061] 本実施の形態では，ブラシ 3による洗浄位置 Sbはウェハ Wの周縁端より中心 P側

o まで移動させることとして，スピンチャック 2の保持部材 25とブラシ 3が衝突することを防止することとしたが，例えばスピンチャックがウェハ Wの下面を吸着保持する構成である場合など，スピンチャック 2の保持部材 25とブラシ 3が衝突する懸念がな、場合は，ブラシ 3による洗浄位置 Sbをウェハ Wの周縁まで移動させ，ウェハ Wの上面全体をスクラブ洗净するようにしても良、。

[0062] 実施の形態に示した洗浄方法を行い，ウェハ Wの洗浄効果を確認する実験を行つた。 5枚のウェハ Wの裏面洗浄を連続して行い， 5枚目のウェハ Wの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測した。そして，パーティクルの除去率を調べた。ウェハ Wは，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによつて裏面を下面にして保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。その結果，表 1に示すように，パーティクルの除去率は約 95. 1%であり，ウェハ Wの裏面全体力汚染物を良好に除去できることが確認された。

[0063] (比較例 1)

ウェハ Wの裏面をブラシのみによってスクラブ洗浄し，その後，高圧ジェットノズルによって洗浄液として純水を噴射して，ウェハ Wの裏面全体を洗浄する実験を行った。この洗浄方法によってウェハ Wを 5枚連続して洗浄し， 5枚目のウェハ Wの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測し，パーティクルの除去率を調ベた。ウェハ Wは，実施例と同様に，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによって裏面を保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。また，ブラシの回転速度，移動速度，ブラシによるスクラブ洗浄の処理時間などは，実施例におけるブラシによる洗浄と同じ条件とした。以上の実験の結果，表 1に示すように，パーティクルの除去率は約 88. 0%であり，本実施の形態に示した洗浄方法と比較して汚染物除去性能が低いことが確認された。特に，ウェハ Wの中心部にパーティクルが多く残りやす、ことがわ力つた。

(比較例 2)

ウェハ Wの裏面をブラシのみによってスクラブ洗浄する実験を行った。この洗浄方法によってウェハ Wを 5枚連続して洗浄し， 5枚目のウエノ、 Wの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測し，パーティクルの除去率を調べた。ゥェハ Wは，実施例及び比較例 1と同様に，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによって裏面を保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。また，ブラシの回転速度，移動速度，ブラシによるスクラブ洗浄の処理時間などは，実施例及び比較例 1におけるブラシによる洗浄と同じ条件とした。以上の実験の結果，表 1に示すように，パーティクルの除去率は約 85. 5%であり，本実施の形態に示した洗浄方法や比較例 1に示した洗浄方法と比較して，汚染物除去性能が低いことが確認された。特に，ウェハ Wの中心部にパーティクルが多く残りやすいことがわかった。

[表 1]

また，実施例及び比較例 2に示した洗浄方法によって，それぞれ 25枚のウェハ W の裏面洗浄を連続して行い，パーティクルの除去率の変化を調べた。その結果，図 8 に示すように，実施例の洗浄方法は，比較例 2の洗浄方法と比較して除去率が高いことがわ力つた。特に，比較例 2の洗浄方法では，ウェハ Wの洗浄枚数が増加するに従い除去率が低下したが，実施例の洗浄方法では，ウェハ Wの洗浄枚数が増力!]しても除去率が殆ど変わらな力つた。即ち，本発明によれば，ウェハ Wの洗浄を繰り返しても，洗浄性能の低下を防止できることが確認された。

Claims

請求の範囲

[1] 基板を洗浄する装置であって，

基板を回転させるスピンチャックと，基板に接触して基板を洗浄するブラシと，液滴を

噴射する二流体ノズルとを備え，

前記ブラシによる洗浄位置及び前記二流体ノズルによる洗浄位置は， Vヽずれも基板の中心部力も周縁部に向力つて基板と相対的に移動する構成とし，かつ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシによる洗浄位置よりも常に基板の中心側に配置する構成としたことを特徴とする，基板洗浄装置。

[2] 前記ブラシを支持するブラシ支持アームと，前記二流体ノズルを支持する二流体ノズル支持アームと，前記ブラシ支持アーム及び前記二流体ノズル支持アームの移動を制御する制御部とを備えることを特徴とする，請求項 1に記載の基板洗浄装置。

[3] 前記制御部は，前記二流体ノズル支持アームの移動速度が前記ブラシ支持アームの移動速度より速くなるように制御することを特徴とする，請求項 2に記載の基板洗浄装置。

[4] 前記制御部は，前記ブラシ支持アームの移動方向と反対方向に，前記二流体ノズル支持アームを移動させることを特徴とする，請求項 2又は 3に記載の基板洗浄装置

[5] 前記制御部は，基板の周縁部においてブラシを基板力も離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板力離隔する直前に接触して、た部分に移動させるように制御することを特徴とする，請求項 2ないし 4のいずれか 1項に記載の基板洗浄装置。

[6] 前記ブラシ及び前記二流体ノズルを支持して移動する支持アームと，前記支持ァームの移動を制御する制御部とを備え，

前記支持アームにおいて，基板に対する移動方向に対して前記ブラシの後方に前記二流体ノズルを配置し，基板の回転方向に対して前記ブラシの後方に，第 2の二流体ノズルを配置したことを特徴とする，請求項 1に記載の基板洗浄装置。

[7] 前記制御部は，前記二流体ノズルカゝら基板に液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，

前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部力移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向力つて基板と相対的に移動させるように制御することを特徴とする，請求項 2ないし 6のいずれか 1項に記載の基板洗浄装置。

[8] 前記制御部は，基板の中心部力も周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるように制御することを特徴とする，請求項 2な、し 7の、ずれか 1項に記載の基板洗浄装置。

[9] 基板を洗浄する方法であって，

基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，

二流体ノズルから液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，

前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向力つて移動させる間，

前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置することを特徴とする，基板洗浄方法。

[10] 前記二流体ノズル力基板に液滴を噴射させながら，前記ブラシを基板の中心部に接触させ，

前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部力移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力も周縁部に向力つて基板と相対的に移動させることを特徴とする，請求項 9に記載の基板洗浄方法。

[11] 基板の周縁部においてブラシを基板力も離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板力離隔する直前に接触して、た部分に移動させることを特徴とする，請求項 9又は 10に記載の基板洗浄方法。

[12] 前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に，前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させることを特徴とする，請求項 9ないし 11のいずれか 1項に記載の基板洗浄方法。

[13] 基板の中心部力も周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにすることを特徴とする，請求項 9ないし 12のいずれか 1項に記載の基板洗浄方法。

[14] 前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにすることを特徴とする，請求項 9 な!、し 13の、ずれか 1項に記載の基板洗浄方法。

[15] 基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、二流体ノズルから液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動させ、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部力周縁部に向力つて移動させる間、前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置する手順をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した媒体。

[16] 前記プログラムは、前記二流体ノズル力基板に液滴を噴射させながら、前記ブラシを基板の中心部に接触させ、前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ、その後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部カゝら周縁部に向カゝつて基板と相対的に移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項 15に記載の媒体。

[17] 前記プログラムは、基板の周縁部においてブラシを基板力離隔させた後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を、前記ブラシが基板力も離隔する直前に接触して、た部分に移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項 15又は 1 6に記載の媒体。

[18] 前記プログラムは、前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に、前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項 15ないし 17のいずれか 1項に記載の媒体。

[19] 前記プログラムは、基板の中心部力も周縁部に向かうに従い、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度、及び、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにする手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項 15ないし 18のいずれか 1項に記載の媒体。

[20] 前記プログラムは、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度力前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにする手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項 15ないし 19のいずれか 1項に記載の媒体。