JP4758799B2 - 半導体基板の洗浄装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の参考例について説明する。図1は、第1の参考例に係る半導体基板の洗浄装置を示す模式図である。
次に、第2の参考例について説明する。図6は、第2の参考例に係る半導体基板の洗浄装置を示す模式図である。第2の参考例は、ノズル1の外面を洗浄する手段が設けられていない点で、第1の参考例と相違する。即ち、洗浄ライン10、ドレンライン11、ノズル洗浄槽12及びノズル13が設けられていない。
次に、本発明の実施形態について説明する。図10は、本発明の実施形態において用いる半導体基板の洗浄装置を示す模式図である。本実施形態は、薬液用のノズル1の移動速度を、アームを介して制限する速度制限部15が設けられている点で、第2の参考例と相違する。速度制限部15は、ノズル1の移動速度を2cm/秒以下に制限する。
半導体基板に対して薬液を吹き付ける薬液ノズルと、
前記半導体基板から離間した位置で、前記薬液ノズルの外面に付着した物質に対して洗浄液を吹き付けることにより、前記物質を除去する除去手段と、
を有することを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
前記洗浄液は、純水であることを特徴とする付記1に記載の半導体基板の洗浄装置。
前記半導体基板に対して吹き付けられた後の薬液を収める処理槽を有し、
前記除去手段は、前記処理層から離間した位置に配置されたノズル洗浄槽を有することを特徴とする付記1又は2に記載の半導体基板の洗浄装置。
前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限する速度制限手段を有することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体基板の洗浄装置。
半導体基板に対して薬液を吹き付ける薬液ノズルと、
前記薬液ノズルの移動速度を制限する速度制限手段と、
を有することを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
前記半導体基板に対して純水を吹き付ける純水ノズルを有することを特徴とする付記5に記載の半導体基板の洗浄装置。
前記薬液は、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有していることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の半導体基板の洗浄装置。
半導体基板に対して薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程と、
前記半導体基板から離間した位置で、前記薬液ノズルの外面に付着した物質に対して洗浄液を吹き付けることにより、前記物質を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記洗浄液として、純水を用いることを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。
前記物質の除去を、前記半導体基板に対して吹き付けられた後の薬液を収める処理槽から離間した位置に配置されたノズル洗浄槽上で行うことを特徴とする付記8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
前記薬液を吹き付ける工程の後に、
前記半導体基板上に残留する前記薬液を洗い流す工程と、
前記半導体基板を乾燥する工程と、
を有し、
前記物質の除去を、前記薬液の洗い流し又は前記半導体基板の乾燥の少なくとも一方と並行して行うことを特徴とする付記8乃至10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記薬液を吹き付ける工程の前に、前記半導体基板の表面に液膜を形成する工程を有することを特徴とする付記8乃至11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
半導体基板の表面に液膜を形成する工程と、
前記半導体基板に対して薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記液膜として、純水の膜を形成することを特徴とする付記12又は13に記載の半導体装置の製造方法。
前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限する工程を有することを特徴とする付記8乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
半導体基板に対して薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記薬液として、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有するものを用いることを特徴とする付記8乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板として、直径が300mm以上のものを用いることを特徴とする付記8乃至17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の表面には、比誘電率が3.0以下、ヤング率が20GPa以下の絶縁膜のパターンが形成されていることを特徴とする付記8乃至18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
2:ヒータ
3:ポンプ
4:タンク
5:処理層
6:ステージ
8:純水供給部
9:基板
10:洗浄ライン
11:ドレンライン
12:ノズル洗浄槽
15:速度制限部
Claims (9)
- 半導体基板に対して、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有する薬液を吹き付ける薬液ノズルと、
前記半導体基板から離間した位置で、前記薬液ノズルの外面に付着した物質に対して洗浄液を吹き付けることにより、前記物質を除去する除去手段と、
前記半導体基板への前記薬液の吹き付けを伴う前記半導体基板の洗浄後の前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限する速度制限手段と、
を有することを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 前記除去手段は、前記洗浄液として純水を吹き付けることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の洗浄装置。
- 半導体基板に対して、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有する薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程と、
前記半導体基板から離間した位置で、前記薬液ノズルの外面に付着した物質に対して洗浄液を吹き付けることにより、前記物質を除去する工程と、
を有し、
前記半導体基板への前記薬液の吹き付けを伴う前記半導体基板の洗浄後の前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記物質の除去を、前記半導体基板に対して吹き付けられた後の薬液を収める処理槽から離間した位置に配置されたノズル洗浄槽上で行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薬液を吹き付ける工程の後に、
前記半導体基板上に残留する前記薬液を洗い流す工程と、
前記半導体基板を乾燥する工程と、
を有し、
前記物質の除去を、前記薬液の洗い流し又は前記半導体基板の乾燥の少なくとも一方と並行して行うことを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記薬液を吹き付ける工程の前に、前記半導体基板の表面に液膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記洗浄液として純水を吹き付けることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の表面に液膜を形成する工程と、
前記半導体基板に対して、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有する薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程と、
を有し、
前記半導体基板への前記薬液の吹き付けを伴う前記半導体基板の洗浄後の前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板に対して、フッ化アンモニウム又は燐酸アンモニウムを含有する薬液を薬液ノズルから吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板への前記薬液の吹き付けを伴う前記半導体基板の洗浄後の前記薬液ノズルの移動速度を2cm/秒以下に制限することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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