KR100879415B1 - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents
기판처리방법 및 기판처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100879415B1 KR100879415B1 KR1020070045558A KR20070045558A KR100879415B1 KR 100879415 B1 KR100879415 B1 KR 100879415B1 KR 1020070045558 A KR1020070045558 A KR 1020070045558A KR 20070045558 A KR20070045558 A KR 20070045558A KR 100879415 B1 KR100879415 B1 KR 100879415B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- discharge port
- discharge
- discharge nozzle
- cleaning liquid
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 396
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 40
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 77
- 238000011161 development Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연(周緣)에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제1항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 기판의 회전속도를 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제1항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 기판의 회전속도를 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서 기판의 회전속도를 저하하게 하도록 상기 기판회전수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처 리방법.
- 제5항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출유량을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제5항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출유량을 점차 저감하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출유량을 저감하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 기판을 수평자세로 파지하여 연직축 주위로 회전하게 하는 동시에, 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서, 상기 토출노즐의 토출구를 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 기판처리방법에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제9항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 도중에 세정액의 토출압을 적어도 1회 변경하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 제9항에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동함에 따라서 세정액의 토출압을 점차 저하하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
- 기판을 수평자세로 파지하는 기판파지수단과,이 기판파지수단에 의해 파지된 기판을 연직축 주위로 회전하게 하는 기판회전수단과,상기 기판파지수단에 의해 파지되어 상기 기판회전수단에 의해 회전하게 되는 기판의 표면으로 토출구로부터 세정액을 토출하는 토출노즐과,이 토출노즐로 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,상기 토출노즐의 토출구를, 그 토출구로부터 기판의 표면으로 세정액을 토출하게 하면서 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 주사하는 노즐 이동수단을 구비한 기판처리장치에 있어서,상기 토출노즐의 토출구가 기판의 중심에 대향하는 위치로부터 기판의 주연에 대향하는 위치까지 이동하는 과정에서, 상기 토출노즐의 토출구로부터 기판의 표면으로 토출되는 세정액의 토출압을 저하하게 하도록 상기 세정액공급수단을 제어하는 제어수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00137182 | 2006-05-17 | ||
JP2006137182A JP2007311439A (ja) | 2006-05-17 | 2006-05-17 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070111339A KR20070111339A (ko) | 2007-11-21 |
KR100879415B1 true KR100879415B1 (ko) | 2009-01-19 |
Family
ID=38710894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070045558A KR100879415B1 (ko) | 2006-05-17 | 2007-05-10 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070267047A1 (ko) |
JP (1) | JP2007311439A (ko) |
KR (1) | KR100879415B1 (ko) |
CN (1) | CN101075553B (ko) |
TW (1) | TWI358751B (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4684858B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5166802B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2013-03-21 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5192206B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2013-05-08 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN101459047B (zh) * | 2007-12-13 | 2010-11-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体晶片表面的清洗方法 |
JP5151629B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP5305331B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP5261077B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-08-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP4927158B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
CN102125921B (zh) * | 2010-01-20 | 2012-09-05 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 一种光掩模在清洗过程中的传输方法 |
US20110180113A1 (en) * | 2010-01-28 | 2011-07-28 | Chin-Cheng Chien | Method of wafer cleaning and apparatus of wafer cleaning |
KR101266620B1 (ko) | 2010-08-20 | 2013-05-22 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP5615650B2 (ja) | 2010-09-28 | 2014-10-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2012114409A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体 |
JP5789400B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
JP5712061B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-05-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法及び基板処理ユニット |
JP6076011B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理ブラシ及び基板処理装置 |
JP6444438B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2018-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理ブラシ及び基板処理装置 |
CN102580941A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 提高晶圆清洁度的清洗方法及清洗甩干设备 |
CN103464401B (zh) * | 2012-06-08 | 2017-12-19 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 用于倒装芯片清洗的方法与装置 |
CN106507684B (zh) | 2014-06-16 | 2020-01-10 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备、转移衬底的方法和器件制造方法 |
JP6454245B2 (ja) * | 2014-10-21 | 2019-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
CN107148665B (zh) * | 2014-10-31 | 2018-04-20 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洗装置及基板清洗方法 |
JP7177069B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2022-11-22 | ティーイーエル マニュファクチュアリング アンド エンジニアリング オブ アメリカ,インコーポレイテッド | 基板をプロセスチャンバ内で回転及び並進するためのシステム及び方法 |
JP6769335B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2020-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理レシピの評価方法、記憶媒体、処理レシピ評価用の支援装置、及び液処理装置 |
JP6980457B2 (ja) * | 2017-08-23 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP7088810B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-06-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001232307A (ja) | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Hitachi Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2004014844A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2005015627A1 (en) | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus |
WO2005098919A1 (ja) | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19522525A1 (de) * | 1994-10-04 | 1996-04-11 | Kunze Concewitz Horst Dipl Phy | Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen |
JP3315611B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置 |
JP3834542B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2006-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2005235736A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-09-02 | Aisin Seiki Co Ltd | 燃料電池用膜電極接合体及びその製造方法、燃料電池 |
JP4324527B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び現像装置 |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137182A patent/JP2007311439A/ja active Pending
-
2007
- 2007-05-10 KR KR1020070045558A patent/KR100879415B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-14 TW TW096117037A patent/TWI358751B/zh active
- 2007-05-15 US US11/748,654 patent/US20070267047A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-16 CN CN2007101041032A patent/CN101075553B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001232307A (ja) | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Hitachi Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
JP2004014844A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
WO2005015627A1 (en) | 2003-08-07 | 2005-02-17 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate holding apparatus |
WO2005098919A1 (ja) | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Tokyo Electron Limited | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI358751B (en) | 2012-02-21 |
KR20070111339A (ko) | 2007-11-21 |
TW200805450A (en) | 2008-01-16 |
JP2007311439A (ja) | 2007-11-29 |
CN101075553B (zh) | 2010-06-09 |
CN101075553A (zh) | 2007-11-21 |
US20070267047A1 (en) | 2007-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100879415B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
KR100940136B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
JP4937678B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR100879690B1 (ko) | 현상장치 및 현상방법 | |
KR20080031618A (ko) | 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치 | |
KR101184820B1 (ko) | 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 | |
KR101493647B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
KR20080031617A (ko) | 기판의 현상처리방법 및 기판의 현상처리장치 | |
KR101042762B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP4866165B2 (ja) | 基板の現像処理方法および基板の現像処理装置 | |
JP4730787B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20120116352A (ko) | 액처리 방법 및 액처리 장치 | |
JP2010050226A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
KR20120049808A (ko) | 기판 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 기판 처리 장치 | |
US20080008973A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2008016781A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR102186415B1 (ko) | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 | |
KR100749544B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
KR20110077705A (ko) | 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법 | |
JPH10340836A (ja) | 現像装置および現像方法 | |
US20120162618A1 (en) | Substrate processing device and method | |
KR101935073B1 (ko) | 네거티브 현상 처리 방법 및 네거티브 현상 처리 장치 | |
US10042262B2 (en) | Negative developing method and negative developing apparatus | |
KR100826095B1 (ko) | 반도체 제조용 현상장치 | |
KR20210149961A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141219 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161219 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191219 Year of fee payment: 12 |