WO2005059985A1 - 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 - Google Patents

多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 Download PDF

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Michio Matsumura
Kazuya Tsujino
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention belongs to a method for producing a silicon substrate with a porous layer, and particularly relates to a method for efficiently forming a silicon substrate for a solar cell that requires a texture structure.
  • the energy conversion efficiency has been improved by selectively etching the surface of the substrate with an alkali so as to form a so-called textured shape in which a large number of pyramids are connected. This is different from the case where the substrate surface is flat, even if the light reflected by the slope of the pyramid is received by the slope of the adjacent pyramid and incident by refraction there. It is.
  • Patent Document 1 As a method of forming the texture shape on a silicon substrate that is not a single crystal such as a polycrystalline silicon substrate or an amorphous silicon substrate, a machining method (Patent Document 1) and a reactive ion etching method ( Patent document 2) is known.
  • Patent Document 2 a machining method
  • Patent Document 2 a reactive ion etching method
  • Patent Document 3 a technique of using porous silicon as a texture structure has been proposed.
  • Known methods for producing porous silicon on a silicon substrate include an electrochemical reaction method (Patent Document 4) and a chemical etching method (Patent Documents 3 and 5).
  • the electrochemical reaction method involves immersing a silicon substrate in a hydrofluoric acid aqueous solution and causing an electrochemical reaction using a silicon substrate as an electrode.
  • the chemical etching method is a method for forming a porous layer by immersing a silicon substrate in a hydrofluoric acid aqueous solution containing an oxidizing agent such as nitric acid, chromic acid, or a metal redox pair. Furthermore, in recent years, methods utilizing the oxidation action by metal ions (Non-Patent Documents 1 and 2) have also been proposed.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 9148603
  • Patent Document 2 JP-A-9-102625
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 9-167850
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 7-230983
  • Patent Document 5 US Patent No. 5421958
  • Non-Patent Document 1 K. Peng et al., Adv. Funct. Mater. 13 (2003) 127
  • Non-Patent Document 2 P. Gorostiza et al., J. Electroanal. Chem. 469 (1999) 48
  • Non-Patent Literature 3 Proceedings of the 50th Joint Conference on Applied Physics, 28a-ZC-5
  • Non-Patent Literature 4 3rd World Conference on Photovoltaic Energy onvension, Abstracts for the Technical Program, 4LN-D-08
  • the equipment must be made of materials that can withstand this, and the number of processed sheets at a time is small, resulting in high costs.
  • the electrochemical reaction method requires a current generator and is expensive.
  • the chemical etching method and the method using the oxidization effect by metal ions are expensive because they consume a large amount of metal ions such as nitric acid, chromic acid, and metal redox.
  • an object of the present invention is to provide a method for producing a silicon substrate with a porous layer at low cost and without adversely affecting the environment.
  • the method for manufacturing a silicon substrate with a porous layer includes immersing the silicon substrate in a mixed aqueous solution of an oxidizing agent and hydrofluoric acid containing metal ions. A porous silicon layer is formed on the surface of the substrate.
  • the metal ion examples include one or more ions selected from silver, copper, nickel, platinum, palladium, and gold.
  • a metal is deposited on the surface of a silicon substrate in a liquid containing metal ions, and the metal is a catalyst for reducing an oxidizing agent such as hydrogen peroxide or hydrogen.
  • the oxidant quickly receives electrons from the silicon substrate. This leaves holes in the substrate. These holes promote the dissolution of the substrate material in the acid and liquid.
  • the surface of the substrate is a double layer composed of a porous layer consisting of a large number of small pores with a diameter of about several nanometers and a porous layer containing a large number of large pores with a diameter of about several hundreds of nm below it. It becomes.
  • metal ions are only precipitated and function as a catalyst, so a small amount is sufficient.
  • the porous layer can be formed at low cost.
  • the reaction proceeds slowly, it is easy to control the thickness of the porous layer.
  • hydrogen peroxide, oxygen or ozone is used as the oxidizing agent, water is the only by-product of these reduction reactions (H 0 + 2H + + 2e ⁇ 2H 0, 0 + 4H + +
  • FIG. 1 is a scanning electron micrograph of the surface of a silicon substrate with a porous layer in Example 1.
  • FIG. 2 is a graph showing the results of measuring the reflectance of the substrate of Example 1 and a control substrate.
  • FIG. 3 is a scanning electron micrograph of the surface of a silicon substrate with a porous layer in Example 2.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of measuring the reflectance of a substrate of Example 2, a control substrate, and a comparative substrate.
  • the substrate having the double layer can be used as a gas sensor, a biosensor, a low dielectric constant film, a light emitting element, or an electron emitting element.
  • the upper porous layer can also be used for solar cells as an antireflection film, and when the upper porous layer is dissolved in an alkaline aqueous solution, it becomes a textured surface consisting of many irregularities with a diameter of about several hundred nm, Either way, it is suitable as a substrate for solar cells.
  • a p-type polycrystalline silicon substrate doped with boron, sliced to an average thickness of 350 ⁇ m Prepared what was made.
  • the layer damaged by the blade during slicing was removed by immersing in 6% NaOH aqueous solution at 80 ° C for 10 minutes.
  • the specific resistance was 0.5-2 ⁇ cm.
  • This substrate was ultrasonically washed in acetone for 5 minutes and then washed with pure water.
  • Figure 1 shows the results of observing the surface of the obtained substrate with a scanning electron microscope.
  • a porous layer consisting of many small pores having a diameter of about several nm was formed on the surface of the substrate.
  • the resulting substrate was measured for reflectance at wavelengths from 300 nm to 800 nm using an ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-2450) and an integrating sphere for reflection spectrum measurement.
  • UV-2450 ultraviolet-visible spectrophotometer
  • Figure 2 shows the measurement results. In the figure, the solid line is this example, and the broken line is the control.
  • the formation of the porous layer significantly reduced the reflectivity compared to before the formation.
  • Example 1 The substrate obtained in Example 1 was further washed with pure water, and immersed in a 1% NaOH aqueous solution for 10 minutes to remove the upper porous layer. Next, after washing with pure water again, the silver remaining on the surface was removed by immersing in 30% nitric acid for 30 minutes.
  • Figure 3 shows the results of observation of the surface of the substrate thus obtained with a scanning electron microscope.
  • the porous layer can be formed on the surface of the silicon substrate by a method suitable for mass production: useful for the spread of various sensors and solar cells.

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Abstract

【課題】有害ガスを副生することなく、多孔質層を安価に形成することのできる、量産性に富んだ太陽電池製造方法を提供する。 【解決手段】銀イオンを含有する、過酸化水素などの酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、多結晶シリコン基板を浸すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とし、場合により更にアルカリ処理をして上方の多孔質層を除去することによりテクスチャー構造を形成することを特徴とする。

Description

明 細 書
多孔質層付きシリコン基板を製造する方法
技術分野
[0001] この発明は、多孔質層付きシリコン基板を製造する方法に属し、特にテクスチャー 構造の必要な太陽電池用シリコン基板を効率よく形成する方法に関する。
背景技術
[0002] 太陽電池においてセルとなるシリコン基板に太陽光が達した場合、基板内部に進 入する光と基板表面で反射する光とに分かれる。このうち内部に進入する光のみが 光起電力効果に寄与する。
そこで従来、結晶系太陽電池においては、基板の表面をアルカリにより選択エッチ ングして多数のピラミッドが連なった所謂テクスチャー形状とすることにより、エネルギ 一変換効率の向上が図られていた。これは、基板表面が平坦である場合と異なり、一 且はピラミッドの斜面で反射した光であっても隣のピラミッドの斜面が受光してそこで の屈折により入射させるという光閉じ込め効果を利用したものである。
[0003] 上記のテクスチャー形状を多結晶シリコン基板、非晶質シリコン基板などのように単 結晶でな ヽシリコン基板に形成する方法として、機械加工法 (特許文献 1)および反 応性イオンエッチング法 (特許文献 2)が知られている。また、多孔質シリコンをテクス チヤ一構造として利用するという技術も提案されている。多孔質シリコンをシリコン基 板に作製する方法として、電気化学反応法 (特許文献 4)、化学エッチング法 (特許文 献 3及び 5)などが知られている。電気化学反応法とは、フッ化水素酸水溶液にシリコ ン基板を浸し、シリコン基板を電極として電気化学反応を起こさせるものである。これ により電極となったシリコン基板の表面のシリコンが溶出して多孔質層が形成される。 化学エッチング法とは、硝酸、クロム酸、金属レドックス対等の酸化剤を含むフッ化水 素酸水溶液にシリコン基板を浸すことにより、多孔質層を形成する方法である。更に また近年、金属イオンによる酸化作用を利用した方法 (非特許文献 1及び 2)も提案さ れている。
[0004] 特許文献 1：特開平 9 148603号公報 特許文献 2：特開平 9-102625号公報
特許文献 3：特開平 9— 167850号公報
特許文献 4：特開平 7- 230983号公報
特許文献 5 :米国特許 5421958号公報
非特許文献 1 : K. Peng et al.， Adv. Funct. Mater. 13 (2003) 127
非特許文献 2 : P. Gorostiza et al.， J. Electroanal. Chem. 469 (1999) 48
非特許文献 3：第 50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集、 28a - ZC - 5 非特干文献 4： 3rd World Conference on Photovoltaic Energyし onvension, Abstracts for the Technical Program, 4LN - D - 08
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] しかし、機械加工法では 1枚ずつ切削する必要上、所望の多数の溝を形成するに は時間が力かりすぎてコスト高となる。反応性イオンエッチング法は、エッチング室に 導入される上記の SF、 CF 、 C1などのガスが腐食性であることから、これらに対して
6 4 2
耐える材料で装置を構成しなければならな 、うえ、一度の処理枚数が少量であるか ら、結局コスト高となる。多孔質シリコンを利用する方法のうち、電気化学反応法は、 電流発生装置の必要があり、コストが高い。化学エッチング法や金属イオンによる酸 化作用を利用した方法では、硝酸、クロム酸、金属レドックス対ゃ金属イオンを多量 に消費するので、コストが高い。
それ故、この発明の課題は、多孔質層付きのシリコン基板を安価に且つ環境に悪 影響を及ぼすことなく製造する方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0006] その課題を解決するために、この発明の多孔質層付きシリコン基板の製造方法は、 金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸 すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とする。
金属イオンとしては、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム及び金のうちカゝら選ばれる 1種以上のイオンが挙げられる。この発明の方法によれば、金属イオンを含む液中で 金属がシリコン基板表面に析出し、その金属が過酸ィ匕水素等の酸化剤の還元触媒と して働き、酸化剤がシリコン基板から速やかに電子を受け取る。それによつて、基板 内に正孔が残る。この正孔が基板材料の酸ィ匕及び液中への溶解を促進する。その 結果、基板の表面が、直径数 nm程度の多数の小さな孔カゝらなる多孔質層とその下 に位置する直径数百 nm程度の多数の大きな孔カもなる多孔質層との二重層となる。 発明の効果
[0007] この発明の方法によれば、金属イオンは析出して触媒として機能するだけであるの で、少量で足りる。し力も、同じ溶液中に多数の基板を一度に浸すことが可能である から、量産性に富むし、高価な装置や手間がかからない。従って、安価に多孔質層 を形成することができる。また、反応は緩やかに進行するので、多孔質層の厚さを制 御しやすい。更に、酸化剤として過酸化水素、酸素あるいはオゾンを用いれば、それ らの還元反応による副生物は水だけである（H 0 + 2H+ + 2e→ 2H 0、 0 + 4H+ +
2 2 2 2
4e→ 2H 0、 0 + 2H+ + 2e→ H 0+0 )ので、環境を汚染しない。
2 3 2 2
図面の簡単な説明
[0008] [図 1]実施例 1の多孔質層付きシリコン基板の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
[図 2]実施例 1の基板と対照の基板について反射率を測定した結果を示すグラフであ る。
[図 3]実施例 2の多孔質層付きシリコン基板の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
[図 4]実施例 2の基板と対照の基板と比較例の基板について反射率を測定した結果 を示すグラフである。
発明を実施するための最良の形態
[0009] 上記の二重層を有する基板は、ガスセンサ、バイオセンサ、低誘電率膜、発光素子 または電子放出素子として用いることができる。また、上方の多孔質層を反射防止膜 として太陽電池に利用することもできるし、その上方の多孔質層をアルカリ水溶液で 溶かすと、直径数百 nm程度の多数の凹凸からなるテクスチャ一面となり、いずれにし ても太陽電池用基板に適する。
実施例 1
[0010] ホウ素ドープされた p型多結晶シリコン基板であって、平均厚さ 350 μ mに薄切りさ れたものを準備した。薄切り時に刃物により損傷を受けた層は、 80°Cの 6%NaOH水 溶液に 10分間浸すことにより除去した。比抵抗は 0. 5— 2 Ω cmであった。この基板 をアセトン中で 5分間超音波洗浄した後、純水で洗浄した。次に、 10— 4Mの過塩素酸 銀 AgCIOを含有する、 10%フッ化水素酸と 30%過酸化水素との 10対 1混合水溶
4
液に基板を 10分間浸した。得られた基板の表面を走査型電子顕微鏡で観察した結 果を図 1に示す。
[0011] 図 1に見られるように、基板の表面には直径数 nm程度の多数の小さな孔カ なる 多孔質層が形成されていた。得られた基板について、紫外可視分光光度計（ UV-2450)と反射スペクトル測定用の積分球を用いて 300nmから 800nmの波長に おける反射率を測定した。対照として上記混合水溶液に浸して ヽな 、基板にっ ヽて も同様に測定した。測定結果を図 2に示す。図中、実線がこの実施例、破線が対照 である。図 2に見られるように、多孔質層を形成することにより、形成する前よりも反射 率が著しく低下した。
実施例 2
[0012] 実施例 1で得られた基板を更に純水で洗浄し、 l%NaOH水溶液に 10分間浸すこ とにより、上方の多孔質層を除去した。次に、再び純水で洗浄後、 30%硝酸に 30分 間浸すことにより表面に残留している銀を取り除いた。こうして得られた基板の表面を 走査型電子顕微鏡で観察した結果を図 3に示す。
[0013] 図 3に見られるように、基板の表面には直径 500nm— 1 μ m程度の多数の孔から なる多孔質層が形成されていた。この基板についても実施例 1と同様に反射率を測 定した。測定結果を図 4に示す。比較のために、上記混合水溶液に 10分間浸すこと に代えて、イソプロピルアルコールを 0.8 mol/L含有する、 80°Cの 6%NaOH水溶液 に 10分間浸した (アルカリエッチング法)以外は、実施例 1と同一条件で処理した基 板についても反射率を測定した。図中、実線力 Sこの実施例、破線が実施例 1で記載 した対照、細実線が上記比較例である。図 3及び図 4に見られるように、上方の多孔 質層を除去して下方の多孔質層を露出させることにより、表面にテクスチャー構造が 形成されるとともに、アルカリエッチング法による比較例のテクスチャー構造よりも反射 率が低下した。 産業上の利用可能性
この発明によれば、シリコン基板表面に多孔質層を量産性に適した方法で: 形成することができるので、各種センサや太陽電池の普及に有益である。

Claims

請求の範囲
[1] 金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸 すことにより、基板の表面に多孔質シリコン層を形成することを特徴とする多孔質層 付きシリコン基板の製造方法。
[2] 前記金属イオンが、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウム及び金のうち力 選ばれる 1 種以上のイオンである請求項 1に記載の方法。
[3] 前記酸化剤が、過酸化水素、酸素及びオゾンのうちから選ばれる 1種以上である請 求項 1に記載の方法。
[4] 前記シリコン基板を前記混合水溶液に浸した後、アルカリ水溶液に浸す請求項 1に 記載の方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2182556A1 (en) * 2007-10-24 2010-05-05 Mitsubishi Electric Corporation Process for manufacturing solar cell
EP2255380A2 (en) * 2008-03-21 2010-12-01 Alliance for Sustainable Energy, LLC Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions
US8729798B2 (en) 2008-03-21 2014-05-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Anti-reflective nanoporous silicon for efficient hydrogen production
US8815104B2 (en) 2008-03-21 2014-08-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces
US8828765B2 (en) 2010-06-09 2014-09-09 Alliance For Sustainable Energy, Llc Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces
US9034216B2 (en) 2009-11-11 2015-05-19 Alliance For Sustainable Energy, Llc Wet-chemical systems and methods for producing black silicon substrates
US9076916B2 (en) 2010-02-15 2015-07-07 Hikaru Kobayashi Method and device for manufacturing semiconductor devices, semiconductor device and transfer member
RU2703909C2 (ru) * 2017-09-01 2019-10-23 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке
US11251318B2 (en) 2011-03-08 2022-02-15 Alliance For Sustainable Energy, Llc Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100472817C (zh) * 2004-05-28 2009-03-25 夏普株式会社 太阳能电池用半导体基板及其制造方法和太阳能电池
TW200620451A (en) * 2004-11-09 2006-06-16 Univ Osaka Method for forming hole in crystal substrate, and crystal substrate having hole formed by the method
TWI267897B (en) * 2005-11-10 2006-12-01 Tatung Co Substrate with anti-reflection layer and its manufacturing method
GB0601318D0 (en) * 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd Method of etching a silicon-based material
CN100467670C (zh) * 2006-03-21 2009-03-11 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
WO2012150627A1 (ja) 2011-05-02 2012-11-08 三菱電機株式会社 シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法
JP5880055B2 (ja) * 2012-01-12 2016-03-08 株式会社Sumco 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
JP5724614B2 (ja) * 2011-05-17 2015-05-27 株式会社Sumco 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
JP5724718B2 (ja) * 2011-07-25 2015-05-27 株式会社Sumco 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
US8883543B2 (en) 2011-05-17 2014-11-11 Sumco Corporation Method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module
JP6120172B2 (ja) * 2011-08-12 2017-04-26 小林　光 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、半導体装置、半導体装置の製造プログラム、半導体用処理剤、並びに転写用部材
JP5917082B2 (ja) 2011-10-20 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
JP2013131723A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の改質方法
CN103390688A (zh) * 2012-05-11 2013-11-13 华中科技大学 一种太阳能电池表面覆膜结构的制备方法
JP2014165354A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Panasonic Corp 多孔質シリコンの作製方法
TW201501193A (zh) * 2013-03-15 2015-01-01 Hikaru Kobayashi 矽基板表面處理方法、半導體裝置的製造方法、半導體的製造裝置、轉印用元件及其製造方法、太陽能電池及其製造方法
CN103219428B (zh) * 2013-04-12 2015-08-19 苏州大学 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN104993019A (zh) * 2015-07-09 2015-10-21 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种局部背接触太阳能电池的制备方法
CN108054237B (zh) * 2017-12-06 2019-11-12 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种湿法黑硅链式制绒设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4991585A (ja) * 1972-12-29 1974-09-02
JPS61163286A (ja) * 1985-01-14 1986-07-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 保油性のある摺動面の形成方法
JPH05109888A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Yokogawa Electric Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
JPH05267270A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Takashi Katoda 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板
JPH06216027A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Canon Inc 半導体基板の製造方法
JPH1154478A (ja) * 1997-06-05 1999-02-26 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法
JP2002252202A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Takashi Matsuura 半導体基材表面への微細構造形成方法およびその方法により微細構造を形成した半導体基材ならびにそれを用いたデバイス

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4991585A (ja) * 1972-12-29 1974-09-02
JPS61163286A (ja) * 1985-01-14 1986-07-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 保油性のある摺動面の形成方法
JPH05109888A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Yokogawa Electric Corp Ｓｏｉ基板の製造方法
JPH05267270A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Takashi Katoda 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板
JPH06216027A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Canon Inc 半導体基板の製造方法
JPH1154478A (ja) * 1997-06-05 1999-02-26 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法
JP2002252202A (ja) * 2001-02-27 2002-09-06 Takashi Matsuura 半導体基材表面への微細構造形成方法およびその方法により微細構造を形成した半導体基材ならびにそれを用いたデバイス

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8119438B2 (en) 2007-10-24 2012-02-21 Mitsubishi Electric Corporation Method of manufacturing solar cell
EP2182556A1 (en) * 2007-10-24 2010-05-05 Mitsubishi Electric Corporation Process for manufacturing solar cell
EP2182556A4 (en) * 2007-10-24 2011-05-18 Mitsubishi Electric Corp PROCESS FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL
US8815104B2 (en) 2008-03-21 2014-08-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces
EP2255380A4 (en) * 2008-03-21 2013-10-30 Alliance Sustainable Energy ANTIREFLECTION OF SILICON SURFACES CATALYZED WITH IONIC METAL SOLUTIONS
US8729798B2 (en) 2008-03-21 2014-05-20 Alliance For Sustainable Energy, Llc Anti-reflective nanoporous silicon for efficient hydrogen production
EP2255380A2 (en) * 2008-03-21 2010-12-01 Alliance for Sustainable Energy, LLC Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions
US9034216B2 (en) 2009-11-11 2015-05-19 Alliance For Sustainable Energy, Llc Wet-chemical systems and methods for producing black silicon substrates
US9076916B2 (en) 2010-02-15 2015-07-07 Hikaru Kobayashi Method and device for manufacturing semiconductor devices, semiconductor device and transfer member
US8828765B2 (en) 2010-06-09 2014-09-09 Alliance For Sustainable Energy, Llc Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces
US9076903B2 (en) 2010-06-09 2015-07-07 Alliance For Sustainable Energy, Llc Forming high-efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces
US11251318B2 (en) 2011-03-08 2022-02-15 Alliance For Sustainable Energy, Llc Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response
RU2703909C2 (ru) * 2017-09-01 2019-10-23 Акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (АО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова") Способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке

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