JP5917082B2 - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるシリコン基板表面に微細な凹凸構造を形成するシリコン基板の加工方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した微細な凹凸構造を有するシリコン基板を用いて形成することのできる光電変換装置、およびその作製方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態2で説明した光電変換装置とは異なる構成の光電変換装置、およびその作製方法を説明する。
本実施の形態では、実施の形態2および3で説明した光電変換装置とは異なる構成の光電変換装置、並びにその作製方法を説明する。
110 第1の領域
130 第2の領域
150 絶縁層
170 第1の電極
190 第2の電極
200 シリコン基板
211 第1のシリコン半導体層
212 第2のシリコン半導体層
213 第3のシリコン半導体層
214 第4のシリコン半導体層
260 透光性導電膜
270 第1の電極
290 第2の電極
300 シリコン基板
311 第1の領域
312 第2の領域
321 第1の絶縁層
322 第2の絶縁層
370 第1の電極
390 第2の電極
Claims (7)
- シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜をスパッタ法又は蒸着法により形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第1の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第2の電極を形成する工程と、を有し、
前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときにあり、
前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜をスパッタ法又は蒸着法により形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第1の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第2の電極を形成する工程と、を有し、
前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときにあり、
前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜をスパッタ法又は蒸着法により形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第1の領域を形成する工程と、
前記第1の領域と接する、第1の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第2の領域を形成する工程と、
前記第2の領域と接する、第2の電極を形成する工程と、を有し、
前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときにあり、
前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有し、
前記第1の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
前記第2の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
前記第2の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜をスパッタ法又は蒸着法により形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第1の領域を形成する工程と、
前記第1の領域と接する、第1の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第2の領域を形成する工程と、
前記第2の領域と接する、第2の電極を形成する工程と、を有し、
前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときにあり、
前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有し、
前記第1の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
前記第2の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
前記第2の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項3又は請求項4において、
前記第2の領域は、前記第2の電極を形成した後、加熱処理を行い、前記第2の電極が有する材料を、前記シリコン基板へ拡散させて、形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記薄膜の膜厚は、30nm未満であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記薄膜における開口部の割合は、8%以上50%以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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