JPH05267270A - 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 - Google Patents
多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板Info
- Publication number
- JPH05267270A JPH05267270A JP9197292A JP9197292A JPH05267270A JP H05267270 A JPH05267270 A JP H05267270A JP 9197292 A JP9197292 A JP 9197292A JP 9197292 A JP9197292 A JP 9197292A JP H05267270 A JPH05267270 A JP H05267270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- porous
- porous semiconductor
- semiconductor
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910021425 protocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N silicide(1-) Chemical compound [Si-] HJELPJZFDFLHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多結晶半導体を用いて多孔質半導体を作成す
る方法を提供する。 【構成】 多結晶シリコンをフッ化水素酸と硝酸と酢酸
から構成されるエッチング液に浸漬してエッチングを行
う。エッチングは、多結晶シリコンの粒界（grain boun
dary）に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜選
定することにより、基板上に多数の結晶柱がわずかな間
隔をおいて立ち並んだ状態の多孔質シリコンが形成され
る。エッチングに先立って、酸化処理を施すようにして
も良い。
る方法を提供する。 【構成】 多結晶シリコンをフッ化水素酸と硝酸と酢酸
から構成されるエッチング液に浸漬してエッチングを行
う。エッチングは、多結晶シリコンの粒界（grain boun
dary）に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜選
定することにより、基板上に多数の結晶柱がわずかな間
隔をおいて立ち並んだ状態の多孔質シリコンが形成され
る。エッチングに先立って、酸化処理を施すようにして
も良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポーラス（多孔質）シ
リコンなどの多孔質半導体に関するものである。
リコンなどの多孔質半導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多孔質シリコンは、シリコンウェハの電
解研磨の研究中に発見されたシリコンの特殊形態であ
る。具体的には、シリコン単結晶を陽極としてフッ化水
素酸（ＨＦ）水溶液中で電気分解すると、全体として結
晶性を残した状態で、数十ｎｍ程度の大きさの無数の微
小孔ｈを含む多孔質シリコンの形態となる（図１参
照）。この作成方法は、基本的には通常の電解研磨と同
一で、フッ化水素酸中におけるシリコンウェハの陽極化
成である。ただし、多孔質シリコンは、通常の電解研磨
よりも比較的低電流密度及び高ＨＦ濃度の条件で形成さ
れる。
解研磨の研究中に発見されたシリコンの特殊形態であ
る。具体的には、シリコン単結晶を陽極としてフッ化水
素酸（ＨＦ）水溶液中で電気分解すると、全体として結
晶性を残した状態で、数十ｎｍ程度の大きさの無数の微
小孔ｈを含む多孔質シリコンの形態となる（図１参
照）。この作成方法は、基本的には通常の電解研磨と同
一で、フッ化水素酸中におけるシリコンウェハの陽極化
成である。ただし、多孔質シリコンは、通常の電解研磨
よりも比較的低電流密度及び高ＨＦ濃度の条件で形成さ
れる。
【０００３】多孔質シリコンは、（１）細長くのびた細
孔を多数含むため、細孔を含めた体積１ｃｍ3 当りの表
面積（比表面積）が極めて大きく、（２）基板の結晶性
を残した単結晶である、という特徴を持っている。そし
て多孔質シリコンは、（１）の特徴により、バルクシリ
コンに比べてはるかに大きな酸化速度を有するため、Ｓ
ＯＩ（Silicon On Insulator）構造の形成に利用された
り、（２）の特徴によりその表面にエピタキシャル成長
が可能であるため、ヘテロエピタキシャル成長のバッフ
ァ層としての応用も試みられている。また、多孔質シリ
コンには赤色光の発光現象が報告されている。（Applie
d Physics Letter Vol. 57 ，No. 10，3 September, 1
990 ）
孔を多数含むため、細孔を含めた体積１ｃｍ3 当りの表
面積（比表面積）が極めて大きく、（２）基板の結晶性
を残した単結晶である、という特徴を持っている。そし
て多孔質シリコンは、（１）の特徴により、バルクシリ
コンに比べてはるかに大きな酸化速度を有するため、Ｓ
ＯＩ（Silicon On Insulator）構造の形成に利用された
り、（２）の特徴によりその表面にエピタキシャル成長
が可能であるため、ヘテロエピタキシャル成長のバッフ
ァ層としての応用も試みられている。また、多孔質シリ
コンには赤色光の発光現象が報告されている。（Applie
d Physics Letter Vol. 57 ，No. 10，3 September, 1
990 ）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】多孔質シリコンは上述
のような特徴を有しているが、出発材料である単結晶
は、化学気相堆積（ＣＶＤ）で容易に形成される多結晶
材料に比べ高価であり、価格面で問題がある。
のような特徴を有しているが、出発材料である単結晶
は、化学気相堆積（ＣＶＤ）で容易に形成される多結晶
材料に比べ高価であり、価格面で問題がある。
【０００５】また、多結晶は単結晶に比べ、基板の一部
分上にのみ選択的に成長させることが、きわめて容易で
ある。さらに、多結晶はシリコン酸化膜など単結晶基板
以外の基板上に容易に形成できるが、単結晶はそのよう
に成長させることはできない。
分上にのみ選択的に成長させることが、きわめて容易で
ある。さらに、多結晶はシリコン酸化膜など単結晶基板
以外の基板上に容易に形成できるが、単結晶はそのよう
に成長させることはできない。
【０００６】また、陽極化成には正孔の存在が必要であ
ることがわかっており、ｐ型半導体の場合には多孔質シ
リコンの形成が容易であるが、ｎ型の場合には形成が困
難である。
ることがわかっており、ｐ型半導体の場合には多孔質シ
リコンの形成が容易であるが、ｎ型の場合には形成が困
難である。
【０００７】また、細孔の形成は化学反応に依存してい
るため、細孔の径は制御しにくく、形成できる範囲も限
られている。
るため、細孔の径は制御しにくく、形成できる範囲も限
られている。
【０００８】本発明は上述した点に鑑みてなされたもの
であり、価格面で有利な多結晶半導体を用いて多孔質半
導体を得ることのできる作成方法及び多孔質半導体基板
を提供することを目的としている。
であり、価格面で有利な多結晶半導体を用いて多孔質半
導体を得ることのできる作成方法及び多孔質半導体基板
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の第１の多孔質半導体の作成方法は、多結晶
半導体の表面から結晶の粒界に沿ってエッチングを行う
ことにより、表面に多数の結晶柱を形成することを特徴
としている。
め、本発明の第１の多孔質半導体の作成方法は、多結晶
半導体の表面から結晶の粒界に沿ってエッチングを行う
ことにより、表面に多数の結晶柱を形成することを特徴
としている。
【００１０】本発明の第２の多孔質半導体の作成方法
は、多結晶半導体の表面から酸化処理を行い、該酸化処
理によって粒界に沿って形成された酸化物をエッチング
によって取り除くことにより、表面に多数の結晶柱を形
成することを特徴としている。
は、多結晶半導体の表面から酸化処理を行い、該酸化処
理によって粒界に沿って形成された酸化物をエッチング
によって取り除くことにより、表面に多数の結晶柱を形
成することを特徴としている。
【００１１】本発明の多孔質半導体基板は、半導体基板
の表面に形成された多結晶半導体層の表面から結晶の粒
界の方向にエッチングを行うことにより表面に多数の結
晶柱を形成したことを特徴としている。
の表面に形成された多結晶半導体層の表面から結晶の粒
界の方向にエッチングを行うことにより表面に多数の結
晶柱を形成したことを特徴としている。
【００１２】
【作用】本発明では、多結晶半導体の表面から結晶の粒
界に沿ってエッチングを行うことにより、表面に多数の
結晶柱を形成する。以下、本発明を図面を参照して詳説
する。
界に沿ってエッチングを行うことにより、表面に多数の
結晶柱を形成する。以下、本発明を図面を参照して詳説
する。
【００１３】
【実施例】図２は本発明に基づく多孔質半導体作成の手
順の一例を示している。作成に先立って、シリコン単結
晶基板ｍｃ−Ｓi （１００面）を用意し、図２（ａ）に
示すように、その表面に多結晶シリコンｐｃ−Ｓi を成
長させる。基板は単結晶に限定されず、シリコン酸化膜
などの誘電体膜等を表面に有するものでもよい。膜厚
は、例えば１μｍ、結晶の粒径は５０ｎｍ程度とする。
次に、例えばフッ化水素酸と硝酸と酢酸から構成される
エッチング液（ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝３：
５０：５０）に浸漬してエッチングを行う（図２
（ｂ））。図２（ｃ）はエッチング後の断面図を示して
おり、エッチングは、多結晶シリコンの粒界（grain bo
undary）に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜
選定することにより、図２（ｃ）に示すように基板上に
多数の結晶柱ａがわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態
の多孔質シリコンが形成される。
順の一例を示している。作成に先立って、シリコン単結
晶基板ｍｃ−Ｓi （１００面）を用意し、図２（ａ）に
示すように、その表面に多結晶シリコンｐｃ−Ｓi を成
長させる。基板は単結晶に限定されず、シリコン酸化膜
などの誘電体膜等を表面に有するものでもよい。膜厚
は、例えば１μｍ、結晶の粒径は５０ｎｍ程度とする。
次に、例えばフッ化水素酸と硝酸と酢酸から構成される
エッチング液（ＨＦ：ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ＝３：
５０：５０）に浸漬してエッチングを行う（図２
（ｂ））。図２（ｃ）はエッチング後の断面図を示して
おり、エッチングは、多結晶シリコンの粒界（grain bo
undary）に沿って奥へ進むため、エッチング時間を適宜
選定することにより、図２（ｃ）に示すように基板上に
多数の結晶柱ａがわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態
の多孔質シリコンが形成される。
【００１４】このようにして作成した多孔質シリコン
は、比表面積が極めて大きいため大きな酸化速度を持
ち、また、結晶性を有しているためその上にエピタキシ
ャル成長が可能であり、単結晶から作成した従来の多孔
質シリコンと同等に扱うことができる。
は、比表面積が極めて大きいため大きな酸化速度を持
ち、また、結晶性を有しているためその上にエピタキシ
ャル成長が可能であり、単結晶から作成した従来の多孔
質シリコンと同等に扱うことができる。
【００１５】さらに、図２の手順に従って作成した多孔
質シリコンに、紫外光であるＨe −Ｃd レーザ（波長３
２５ｎｍ）を照射したところ、波長約７００ｎｍ付近に
ピークを持つ明るいオレンジ色の発光が確認された。図
３は発光スペクトルの一例を示している。発光波長は、
多結晶シリコンの粒径やプロセス条件により変化し、制
御が可能である。発光のメカニズムは、単結晶シリコン
から作成した従来の多孔質シリコンと同様とみられる。
質シリコンに、紫外光であるＨe −Ｃd レーザ（波長３
２５ｎｍ）を照射したところ、波長約７００ｎｍ付近に
ピークを持つ明るいオレンジ色の発光が確認された。図
３は発光スペクトルの一例を示している。発光波長は、
多結晶シリコンの粒径やプロセス条件により変化し、制
御が可能である。発光のメカニズムは、単結晶シリコン
から作成した従来の多孔質シリコンと同様とみられる。
【００１６】図４は本発明に基づく多孔質半導体作成の
手順の他の例を示している。まず、図４（ａ）に示すよ
うに、図２（ａ）と同様、シリコン単結晶基板（１００
面）の表面に膜厚１μｍ、粒径５０ｎｍ程度の多結晶シ
リコンを成長させる。
手順の他の例を示している。まず、図４（ａ）に示すよ
うに、図２（ａ）と同様、シリコン単結晶基板（１００
面）の表面に膜厚１μｍ、粒径５０ｎｍ程度の多結晶シ
リコンを成長させる。
【００１７】次に、図４（ｂ）に示すように、酸素雰囲
気中に１５０℃で１時間置き、酸化処理を行う。酸素
は、粒界の奥深くまで短時間で侵入するため、酸化処理
の結果、図４（ｂ）で斜線で示すように、粒界に沿って
酸化物が形成される。
気中に１５０℃で１時間置き、酸化処理を行う。酸素
は、粒界の奥深くまで短時間で侵入するため、酸化処理
の結果、図４（ｂ）で斜線で示すように、粒界に沿って
酸化物が形成される。
【００１８】次に、図４（ｃ）に示すように図２の場合
と同じエッチング液を用いて酸化物を除去するエッチン
グを行う。図４（ｄ）はエッチング後の断面図を示して
おり、エッチングにより多結晶シリコンの粒界（grain
boundary）に沿って形成された酸化物が除去されるた
め、エッチング時間を適宜選定することにより、基板上
に多数の結晶柱がわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態
の多孔質シリコンが形成される。
と同じエッチング液を用いて酸化物を除去するエッチン
グを行う。図４（ｄ）はエッチング後の断面図を示して
おり、エッチングにより多結晶シリコンの粒界（grain
boundary）に沿って形成された酸化物が除去されるた
め、エッチング時間を適宜選定することにより、基板上
に多数の結晶柱がわずかな間隔をおいて立ち並んだ状態
の多孔質シリコンが形成される。
【００１９】このようにして作成した多孔質シリコン
は、図２の手順に従って作成した多孔質シリコンと同じ
条件で同様の光を発生した。
は、図２の手順に従って作成した多孔質シリコンと同じ
条件で同様の光を発生した。
【００２０】なお、本発明は、シリコンに限らず、ゲル
マニウムにも適用できることが確認されており、その他
の半導体にも適用できる。
マニウムにも適用できることが確認されており、その他
の半導体にも適用できる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述の如く、本発明においては、多
結晶半導体を用いて多孔質半導体を形成することができ
るため、価格的に有利である、多結晶の粒径は堆積条件
により制御が可能であるため、最終的に残る結晶柱の径
も容易に制御することができる、陽極化成を行わないた
め、ｐ型，ｎ型の区別なく適用できる、誘電体など単結
晶以外の材料上への形成が可能である、選択的な形成が
容易である、などの優れた効果が得られる。
結晶半導体を用いて多孔質半導体を形成することができ
るため、価格的に有利である、多結晶の粒径は堆積条件
により制御が可能であるため、最終的に残る結晶柱の径
も容易に制御することができる、陽極化成を行わないた
め、ｐ型，ｎ型の区別なく適用できる、誘電体など単結
晶以外の材料上への形成が可能である、選択的な形成が
容易である、などの優れた効果が得られる。
【図１】単結晶シリコンから陽極化成により多孔質シリ
コンを作成する従来の手順を説明するための図。
コンを作成する従来の手順を説明するための図。
【図２】本発明に基づく多孔質半導体作成の手順の一例
を示す図。
を示す図。
【図３】図２の手順で作成した多孔質シリコンの発光ス
ペクトルの例を示す図。
ペクトルの例を示す図。
【図４】本発明に基づく多孔質半導体作成の手順の一例
を示す図。
を示す図。
Claims (3)
- 【請求項１】 多結晶半導体の表面から結晶の粒界に沿
ってエッチングを行うことにより、表面に多数の結晶柱
を形成することを特徴とする多孔質半導体の作成方法 - 【請求項２】 多結晶半導体の表面から酸化処理を行
い、該酸化処理によって粒界に沿って形成された酸化物
をエッチングによって取り除くことにより、表面に多数
の結晶柱を形成することを特徴とする多孔質半導体の作
成方法 - 【請求項３】 半導体基板の表面に形成された多結晶半
導体層の表面から結晶の粒界の方向にエッチングを行う
ことにより表面に多数の結晶柱を形成したことを特徴と
する多孔質半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197292A JPH05267270A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197292A JPH05267270A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267270A true JPH05267270A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14041448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197292A Pending JPH05267270A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267270A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278267B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-02-01 | 김영환 | 캐패시터의제조방법 |
| JP2004500481A (ja) * | 1999-06-03 | 2004-01-08 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物 |
| WO2005059985A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
| JP2007300094A (ja) * | 2007-04-19 | 2007-11-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法 |
| US8119438B2 (en) | 2007-10-24 | 2012-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing solar cell |
| JP2015502045A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-01-19 | インテル コーポレイション | 少なくとも１個の多孔質多結晶基板を有するエネルギー貯蔵デバイス |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP9197292A patent/JPH05267270A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100278267B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-02-01 | 김영환 | 캐패시터의제조방법 |
| JP2004500481A (ja) * | 1999-06-03 | 2004-01-08 | ザ ペン ステイト リサーチ ファンデーション | 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物 |
| WO2005059985A1 (ja) * | 2003-12-17 | 2005-06-30 | Kansai Technology Licensing Organization Co., Ltd. | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
| JP2007300094A (ja) * | 2007-04-19 | 2007-11-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 多溝性表面を有するシリコン基板及びその製造方法 |
| US8119438B2 (en) | 2007-10-24 | 2012-02-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing solar cell |
| JP2015502045A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-01-19 | インテル コーポレイション | 少なくとも１個の多孔質多結晶基板を有するエネルギー貯蔵デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6468663B1 (en) | Semiconductor substrate and process for producing the same | |
| KR960006687B1 (ko) | 반도체기판의 제조방법 | |
| US5767020A (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| KR100246902B1 (ko) | 반도체기판 및 그의 제작방법 | |
| US3385729A (en) | Composite dual dielectric for isolation in integrated circuits and method of making | |
| US5868947A (en) | Si substrate and method of processing the same | |
| JPH05275663A (ja) | 半導体素子基体及びその作製方法 | |
| JP2994837B2 (ja) | 半導体基板の平坦化方法、半導体基板の作製方法、及び半導体基板 | |
| JPH05217893A (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| JPH05217823A (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| US6171512B1 (en) | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution | |
| JPH05267270A (ja) | 多孔質半導体の作成方法及び多孔質半導体基板 | |
| JP3297600B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
| JP3157030B2 (ja) | 半導体基体とその作製方法 | |
| US3961353A (en) | High power semiconductor device | |
| US4006045A (en) | Method for producing high power semiconductor device using anodic treatment and enhanced diffusion | |
| JP3201793B2 (ja) | Ｓｉ基体の加工方法 | |
| JPS60145625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06342784A (ja) | 多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法 | |
| JPH05217994A (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
| JPH05217828A (ja) | 半導体基体及びその作製方法 | |
| JPH0590243A (ja) | Ｓｉ基体の加工方法 | |
| JPH0536951A (ja) | 半導体基材の作製方法 | |
| JPH05217993A (ja) | 半導体基板とその作製方法 | |
| JP3080196B2 (ja) | 半導体基材及びその作製方法 |