TWI821984B - 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 - Google Patents
具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI821984B TWI821984B TW111114004A TW111114004A TWI821984B TW I821984 B TWI821984 B TW I821984B TW 111114004 A TW111114004 A TW 111114004A TW 111114004 A TW111114004 A TW 111114004A TW I821984 B TWI821984 B TW I821984B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- platinum
- chromium
- nickel
- layer
- tantalum
- Prior art date
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 79
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 32
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 30
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 platinum-tantalum borate Chemical compound 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 16
- DEJLIHRUIUTRQI-UHFFFAOYSA-N chromium nickel platinum Chemical compound [Cr][Pt][Ni] DEJLIHRUIUTRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- FQBJPFOJDVOWKE-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Cr].[Zn] Chemical compound [Ni].[Cr].[Zn] FQBJPFOJDVOWKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- UQOGYSUHTXBMCK-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Ni].[Sb] Chemical compound [Cr].[Ni].[Sb] UQOGYSUHTXBMCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- CMHKGULXIWIGBU-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Pt] Chemical compound [Fe].[Pt] CMHKGULXIWIGBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WIBSEVJFWFQGCP-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Cr].[Sn] Chemical compound [Ni].[Cr].[Sn] WIBSEVJFWFQGCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- YNMICVQQTIWUQI-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Pt] Chemical compound [Sb].[Pt] YNMICVQQTIWUQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XRBURMNBUVEAKD-UHFFFAOYSA-N chromium copper nickel Chemical compound [Cr].[Ni].[Cu] XRBURMNBUVEAKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- MMAADVOQRITKKL-UHFFFAOYSA-N chromium platinum Chemical compound [Cr].[Pt] MMAADVOQRITKKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WBLJAACUUGHPMU-UHFFFAOYSA-N copper platinum Chemical compound [Cu].[Pt] WBLJAACUUGHPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- FHMDYDAXYDRBGZ-UHFFFAOYSA-N platinum tin Chemical compound [Sn].[Pt] FHMDYDAXYDRBGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- SKJKDBIPDZJBPK-UHFFFAOYSA-N platinum zinc Chemical compound [Zn].[Pt] SKJKDBIPDZJBPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- IOOOFYZYXDAZST-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Ir] Chemical compound [Zn].[Ir] IOOOFYZYXDAZST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KFZAUHNPPZCSCR-UHFFFAOYSA-N iron zinc Chemical compound [Fe].[Zn] KFZAUHNPPZCSCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 269
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 37
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 11
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MMLLNGAMHOZEAP-UHFFFAOYSA-N [Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] Chemical compound [Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] MMLLNGAMHOZEAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052767 actinium Inorganic materials 0.000 description 5
- QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N actinium atom Chemical compound [Ac] QQINRWTZWGJFDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000541 cathodic arc deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOUPYJKFGJZQMH-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Ru] Chemical compound [Nb].[Ru] WOUPYJKFGJZQMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000995 aerosol-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N molybdenum ruthenium Chemical compound [Mo].[Ru] OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AJTVWPGZWVJMEA-UHFFFAOYSA-N ruthenium tungsten Chemical compound [Ru].[Ru].[W].[W].[W] AJTVWPGZWVJMEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/52—Reflectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Respiratory Apparatuses And Protective Means (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
揭露了極紫外(EUV)遮罩坯料及其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包含在覆蓋層上的吸收層，吸收層由至少兩種吸收材料的合金所製成。
Description
本揭露書關於極紫外線微影術，且更具體地關於具有合金吸收劑的極紫外遮罩坯料和製造方法。
極紫外(EUV)微影術(也稱為軟X射線投影微影術)可用於製造0.0135微米和更小的最小特徵尺寸的半導體裝置。然而，通常在5至100奈米波長範圍中的極紫外光在幾乎所有的材料中被強烈地吸收。因此，極紫外系統藉由反射而不是藉由光的透射而工作。透過使用塗佈有非反射吸收遮罩圖案的一系列鏡子或透鏡元件以及反射元件或遮罩坯料，圖案化的光化學光線反射到抗蝕劑塗佈的半導體基板上。
極紫外線微影術系統的透鏡元件和遮罩坯料塗佈有材料(諸如鉬和矽)的反射多層塗層。藉由使用塗佈有多層塗層的基板已獲得了每一透鏡元件或遮罩坯料約65%的反射值，多層塗層強烈地反射了極窄的紫外帶通內的光，例如對於13.5奈米的紫外光而言，12.5至14.5奈米的帶通。
第1圖顯示了由EUV遮罩坯料所形成的傳統EUV反射遮罩10，其包括在基板14上的反射多層堆疊12，其藉由布拉格干涉而反射未遮蔽部分的EUV輻射。EUV反射遮罩10的遮罩(非反射)區域16藉由蝕刻緩衝層18和吸收層20而形成。吸收層通常具有51nm至77nm的範圍中的厚度。覆蓋層22形成在反射多層堆疊12之上，並在蝕刻製程期間保護多層堆疊12。如下面將進一步討論的，EUV遮罩坯料由塗佈有多層、覆蓋層和吸收層的低熱膨脹材料基板所製成，接著將其蝕刻以提供遮罩(非反射)區域16和反射區域24。
國際半導體技術路線圖(ITRS)將節點的覆蓋要求指定為技術最小半間距特徵尺寸的一部分。由於對所有反射微影術系統中固有的圖像放置和覆蓋誤差的影響，EUV反射遮罩將需要遵守更精確的平面度規格以供未來的生產。另外，使用具有多層反射器和吸收層的EUV反射遮罩的EUV微影技術，減少三維(3D)遮罩效應是非常具有挑戰性的。存在有提供EUV遮罩坯料和用於製造EUV遮罩坯料的方法的需求，用以製造EUV反射遮罩和鏡子，其將能夠減少重疊誤差和3D遮罩效應。還需要提供EUV遮罩坯料，其中可以訂作吸收層的特性以實現不同的吸收層性質和蝕刻性質。
本揭露書的一或多個實施方案涉及一種製造極紫外(EUV)遮罩坯料的方法，包含以下步驟：提供
基板；在基板上形成反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；在多層堆疊上形成覆蓋層；及在覆蓋層上形成吸收層，吸收層包含至少兩種不同的吸收材料的合金。
本揭露書的另外的實施例涉及一種極紫外(EUV)遮罩坯料，包含：基板；反射層的多層堆疊，在基板上，多層堆疊包括複數個反射層對；覆蓋層，在多層堆疊上；及吸收層，包含至少兩種不同吸收材料的合金。
本揭露書的其它實施例涉及一種極紫外(EUV)遮罩坯料生產系統，包含：基板處理真空腔室，用於產生真空；基板處理平台，在真空中，用於輸送負載在基板處理真空腔室中的超低膨脹基板；及多個子腔室，由基板處理平台進入，用於形成EUV遮罩坯料，EUV遮罩坯料包括：反射層的多層堆疊，在基板上，多層堆疊包括複數個反射層對；覆蓋層，在多層堆疊上；及吸收層，包含至少兩種不同吸收材料的合金。
10:反射遮罩
12:多層堆疊
14:基板
16:遮罩(非反射)區域
18:緩衝層
20:吸收層
22:覆蓋層
24:反射區域
100:極紫外線微影術系統
102:極紫外光源
104:聚光器
106:反射遮罩
108:光學減少組件
110:目標晶圓
112:極紫外光
114:遮罩圖案
200:極紫外反射元件生產系統
202:晶圓裝載和載體處理系統
203:來源基板
204:遮罩坯料
205:極紫外(EUV)鏡
206:大氣處理系統
208:晶圓處理真空腔室
210:第一真空腔室
212:第二真空腔室
214:第一晶圓處理系統
216:第二晶圓處理系統
218:脫氣系統
220:第一物理氣相沉積系統
222:第二物理氣相沉積系統
224:預清潔系統
226:第一多陰極源
228:化學氣相沉積系統
230:固化腔室
232:超平滑沉積腔室
302:極紫外反射元件
304:基板
306:多層堆疊
308:覆蓋層
310:吸收層
312:第一反射層
314:第二反射層
316:反射對
400:遮罩坯料
412:反射層
414:基板
420:吸收層/多層堆疊
420a:吸收層對/吸收層
420b:吸收層對/吸收層
420c:吸收層對/吸收層
420d:吸收層對/吸收層
420e:吸收層對/吸收層
420f:吸收層對/吸收層
422:覆蓋層
500:多陰極源腔室
501:底座結構
502:圓柱形主體部分
504:頂部配接器
506:陰極源
508:陰極源
510:陰極源
512:陰極源
514:陰極源
因此，可詳細了解本揭露書的上述特徵的方式，簡要概述於上的本揭露書的更具體的描述可藉由參考實施例而獲得，其中一些實施例顯示在附隨的圖式。然而，應當注意附隨的圖式僅顯示了本揭露書的典型實施例，且因此不應將其視為限制其範圍，因為本揭露書可允許其他等效的實施例。
第1圖示意性地顯示了採用傳統吸收劑的背景技術的EUV反射遮罩；第2圖示意性地顯示了極紫外線微影術系統的實施例；第3圖顯示了極紫外反射元件生產系統的實施例；第4圖顯示了諸如EUV遮罩坯料的極紫外反射元件的實施例；第5圖顯示了諸如EUV遮罩坯料的極紫外反射元件的實施例；第6圖是遮罩坯料的反射曲線；第7圖是遮罩坯料的反射曲線；及第8圖顯示了多陰極物理沉積腔室的實施例。
在描述本揭露書的若干示例性實施例之前，應當理解本揭露書不限於以下的描述中所提出的構造或處理步驟的細節。本揭露書能夠具有其他實施例並能夠以各種方式而實施或執行。
於此所用的術語「水平」被定義為平行於遮罩坯料的平面或表面的平面，而不管其定向如何。術語「垂直」是指剛剛定義的垂直於水平的方向。術語，諸如「之上方(above)」、「之下方(below)」、「底部」、「頂部」、「側面」(如「側壁」)、「更高」、「更低」、
「之上(over)」、「之下(under)」是相對於水平面而定義，如圖所示。
術語「上(on)」表示元件之間存在直接接觸。術語「直接上(directly on)」表示在沒有中間元件的元件之間存在直接接觸。
如在本說明書和附隨的申請專利範圍中所使用的，術語「前驅物」、「反應物」、「反應性氣體」及類似者可互換使用，以表示可與基板表面反應的任何氣體物種。
熟悉本領域者將理解使用諸如「第一」和「第二」的序數來描述處理區域並不意味著處理腔室內的特定位置，或處理腔室內的曝光次序。
現在參考第2圖，顯示了極紫外線微影術系統100的示例性實施例。極紫外線微影術系統100包括用於產生極紫外光112的極紫外光源102、一組反射元件和目標晶圓110。反射元件包括聚光器104，EUV反射遮罩106，光學減少組件108，遮罩坯料，鏡子或其組合。
極紫外光源102產生極紫外光112。極紫外光112是具有在5至50奈米(nm)的範圍中的波長的電磁輻射。例如，極紫外光源102包括雷射，產生雷射的電漿，放電產生的電漿，自由電子雷射，同步加速輻射或其組合。
極紫外光源102產生具有各種特性的極紫外光112。極紫外光源102在波長範圍上產生寬帶極紫外輻
射。例如，極紫外光源102產生具有範圍從5至50nm的波長的極紫外光112。
在一或多個實施例中，極紫外光源102產生具有窄帶寬的極紫外光112。例如，極紫外光源102產生13.5nm的極紫外光112。波長峰的中心為13.5nm。
聚光器104是用於反射和聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104反射並集中來自極紫外光源102的極紫外光112，以照射EUV反射遮罩106。
儘管聚光器104被顯示為單個元件，但是應當理解聚光器104可包括一或多個反射元件，諸如凹面鏡，凸面鏡，平面鏡或其組合，用於反射和集中極紫外光112。例如，聚光器104可為單個凹面鏡或具有凸面，凹面和平面的光學元件的光學組件。
EUV反射遮罩106是具有遮罩圖案114的極紫外反射元件。EUV反射遮罩106產生微影術圖案，以形成待在目標晶圓110上形成的電路佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114界定電路佈局的一部分。
光學減少組件108是用於減小遮罩圖案114的圖像的光學單元。來自EUV反射遮罩106的極紫外光112的反射藉由光學減少組件108而減少並反射到目標晶圓110上。光學減少組件108可包括鏡子和其它光學元件，以減小遮罩圖案114的圖像的尺寸。例如，光學減少組件108可包括用於反射和聚焦極紫外光112的凹面鏡。
光學減少組件108減小目標晶圓110上的遮罩圖案114的圖像的尺寸。例如，遮罩圖案114可藉由光學減少組件108以4：1的比例而成像在目標晶圓110上，以形成藉由遮罩圖案114而呈現在目標晶圓110上的電路。極紫外光112可與目標晶圓110同步地掃描反射遮罩106，以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。
現在參考第3圖，顯示了極紫外反射元件生產系統200的實施例。極紫外反射元件包括EUV遮罩坯料204，極紫外(EUV)鏡205或其它反射元件，諸如EUV反射遮罩106。
極紫外反射元件生產系統200可產生遮罩坯料，鏡子或反射第2圖的極紫外光112的其它元件。極紫外反射元件生產系統200藉由將薄塗層施加到來源基板203而製造反射元件。
EUV遮罩坯料204是用於形成第2圖的EUV反射遮罩106的多層結構。可使用半導體製造技術形成EUV遮罩坯料204。EUV反射遮罩106可具有藉由蝕刻和其它製程而形成在遮罩坯料204上的第2圖的遮罩圖案114。
極紫外鏡205是在極紫外光的範圍中反射的多層結構。可使用半導體製造技術而形成極紫外鏡205。EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205可為相對於在每個元件上形成的層的相似結構，然而極紫外鏡205不具有遮罩圖案114。
反射元件是極紫外光112的有效反射器。在一實施例中，EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205具有大於60%的極紫外反射率。若反射元件反射超過60%的極紫外光112，則反射元件是有效的。
極紫外反射元件生產系統200包括晶圓裝載和載體處理系統202，來源基板203被加載到晶圓裝載和載體處理系統202中，且反射元件從晶圓裝載和載體處理系統卸載。大氣處理系統206提供對晶圓處理真空腔室208的進入。晶圓裝載和載體處理系統202可包括基板輸送箱、裝載閘和其它部件，以將基板從大氣轉移到系統內側的真空。因為使用EUV遮罩坯料204以非常小的尺寸形成裝置，來源基板203和EUV遮罩坯料204在真空系統中處理，以防止污染和其它缺陷。
晶圓處理真空腔室208可含有兩個真空腔室，第一真空腔室210和第二真空腔室212。第一真空腔室210包括第一晶圓處理系統214，且第二真空腔室212包括第二晶圓處理系統216。雖然用兩個真空腔室描述了晶圓處理真空腔室208，但應理解的是系統可具有任何數量的真空腔室。
晶圓處理真空腔室208可具有圍繞其周邊的複數個埠，用於附接各種其它系統。第一真空腔室210具有脫氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222和預清潔系統224。脫氣系統218用於
從基板熱解吸濕氣。預清潔系統224用於清潔晶圓，遮罩坯料，反射鏡或其它光學部件的表面。
可使用物理氣相沉積系統(諸如第一物理氣相沉積系統220和第二物理氣相沉積系統222)在來源基板203上形成導電材料的薄膜。例如，物理氣相沉積系統可包括真空沉積系統，諸如磁控濺射系統，離子濺射系統，脈衝雷射沉積，陰極電弧沉積，或其組合。物理氣相沉積系統(諸如磁控管濺射系統)在來源基板203上形成包括矽，金屬，合金，化合物，或其組合的層的薄層。
物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層和吸收層。例如，物理氣相沉積系統可形成矽，鉬，氧化鈦，二氧化鈦，氧化釕，氧化鈮，釕鎢，釕鉬，釕鈮，鉻，鉭，氮化物，化合物，或其組合的層。雖然一些化合物被描述為氧化物，但是應當理解化合物可包括氧化物，二氧化物，具有氧原子的原子混合物，或其組合。
第二真空腔室212具有第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230和與其連接的超平滑沉積腔室232。例如，化學氣相沉積系統228可包括可流動的化學氣相沉積系統(FCVD)，電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)，氣溶膠輔助CVD，熱絲CVD系統或類似的系統。在另一個實例中，化學氣相沉積系統228、固化腔室230和超平滑沉積腔室232可在與極紫外反射元件生產系統200分離的系統中。
化學氣相沉積系統228可在來源基板203上形成材料的薄膜。例如，化學氣相沉積系統228可用以在來源基板203上形成包括單晶層，多晶層層，非晶層，磊晶層，或其組合的材料層。化學氣相沉積系統228可形成矽、氧化矽、碳氧化矽、碳、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金及適於化學氣相沉積的其它材料的層。例如，化學氣相沉積系統可形成平坦化層。
第一晶圓處理系統214能夠在大氣處理系統206和圍繞第一真空腔室210的周邊的各種系統之間在連續真空中移動來源基板203。第二晶圓處理系統216能夠使來源基板203圍繞第二真空腔室212移動，同時將來源基板203維持在連續的真空中。極紫外反射元件生產系統200可在連續的真空中將來源基板203和EUV遮罩坯料204在第一晶圓處理系統214，第二晶圓處理系統216之間傳送。
現在參考第4圖，顯示了極紫外反射元件302的實施例。在一或多個實施例中，極紫外反射元件302是第3圖的EUV遮罩坯料204或第3圖的極紫外鏡205。EUV遮罩坯料204和極紫外鏡205是用於反射第2圖的極紫外光112的結構。EUV遮罩坯料204可用以形成第2圖所示的EUV反射遮罩106。
極紫外反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306和覆蓋層308。在一或多個實施例中，極紫
外鏡205用以形成在第2圖的聚光器104，或第2圖的光學減少組件108中使用的反射結構。
可為EUV遮罩坯料204的極紫外反射元件302包括基板304、反射層的多層堆疊306、覆蓋層308和吸收層310。極紫外反射元件302可為EUV遮罩坯料204，其用以藉由將吸收層310圖案化成具有所需電路的佈局而形成第2圖的反射遮罩106。
在以下部分中，為了簡化，用於EUV遮罩坯料204的術語與用於極紫外鏡205的術語可互換使用。在一或多個實施例中，除了形成第2圖的遮罩圖案114之外，遮罩坯料204包括添加了吸收層310的極紫外鏡205的部件。
EUV遮罩坯料204是用於形成具有遮罩圖案114的反射遮罩106的光學平坦結構。在一或多個實施例中，EUV遮罩坯料204的反射表面形成用於反射入射光(諸如第2圖的極紫外光112)的平坦焦平面。
基板304是用於向極紫外反射元件302提供結構支撐的元件。在一或多個實施例中，基板304由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料所製成，以在溫度改變期間提供穩定性。在一或多個實施例中，基板304具有諸如針對機械循環，熱循環，晶體形成，或其組合的穩定性的性質。根據一或多個實施例的基板304由諸如矽，玻璃，氧化物，陶瓷，玻璃陶瓷，或其組合的材料所形成。
多層堆疊306是對極紫外光112反射的結構。多層堆疊306包括第一反射層312和第二反射層314的交替反射層。
第一反射層312和第二反射層314形成第4圖的反射對316。在非限制性的實施例中，多層堆疊306包括總共多達120個反射層的20-60個反射對316的範圍。
第一反射層312和第二反射層314可由各種材料所形成。在一個實施例中，第一反射層312和第二反射層314分別由矽和鉬所形成。雖然這些層被顯示為矽和鉬，但是應當理解交替層可由其它材料所形成或具有其它內部結構。
第一反射層312和第二反射層314可具有各種結構。在一個實施例中，第一反射層312和第二反射層314均形成有單層，多層，分層結構，不均勻結構，或其組合。
因為大多數材料吸收極紫外波長的光，所用的光學元件是反射性的，而不是如在其它微影術系統中所使用的透射性的。多層堆疊306藉由具有不同光學性質的交替薄層材料而形成反射結構，以產生布拉格反射器或鏡。
在一實施例中，每個交替層對於極紫外光112具有不同的光學常數。當交替層的厚度的週期是極紫外光112的波長的一半時，交替層提供諧振反射率。在一實施例中，對於波長13nm的極紫外光112而言，交替層約為
6.5nm厚。應當理解所提供的大小和尺寸在典型元件的正常工程公差內。
多層堆疊306可以各種方式形成。在一實施例中，第一反射層312和第二反射層314由磁控濺射，離子濺射系統，脈衝雷射沉積，陰極電弧沉積，或其組合而形成。
在說明性實施例中，使用諸如磁控濺射的物理氣相沉積技術而形成多層堆疊306。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由磁控濺射技術所形成的特徵，包括精確的厚度、低粗糙度及在層之間的清潔界面。在一實施例中，多層堆疊306的第一反射層312和第二反射層314具有藉由物理氣相沉積所形成的特徵，包括精確的厚度、低粗糙度和在層之間的清潔界面。
可精確地控制使用物理氣相沉積技術而形成的多層堆疊306的層的物理尺寸以增加反射率。在一實施例中，第一反射層312(諸如矽層)具有4.1nm的厚度。第二反射層314(諸如鉬層)具有2.8nm的厚度。層的厚度指示極紫外反射元件的峰值反射率波長。若層的厚度不正確，則可能減少所需波長13.5nm處的反射率。
在一實施例中，多層堆疊306具有大於60%的反射率。在一實施例中，使用物理氣相沉積而形成的多層堆疊306具有在66%-67%的範圍中的反射率。在一或多個實施例中，在由較硬材料所形成的多層堆疊306之上
形成覆蓋層308提高了反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層，在層之間的清潔界面，改進的層材料，或其組合來實現大於70%的反射率。
在一或多個實施例中，覆蓋層308是允許透射極紫外光112的保護層。在一實施例中，覆蓋層308直接形成在多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308保護多層堆疊306免受污染物和機械損壞。在一個實施例中，多層堆疊306對於氧，碳，碳氫化合物或其組合的污染敏感。根據實施例的覆蓋層308與污染物相互作用以中和它們。
在一或多個實施例中，覆蓋層308是對極紫外光112透明的光學均勻結構。極紫外光112通過覆蓋層308以反射離開多層堆疊306。在一或多個實施例，覆蓋層308具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中，每個不同的材料根據厚度具有不同的反射率損失，但是它們都將在1%至2%的範圍中。
在一或多個實施例中，覆蓋層308具有光滑表面。例如，覆蓋層308的表面可具有小於0.2nm RMS(均方根值)的粗糙度。在另一實例中，覆蓋層308的表面在1/100nm和1/1μm的範圍中的長度而言具有0.08nm RMS的粗糙度。RMS粗糙度將根據其量測範圍而變化。對於100nm到1微米的特定範圍而言，粗糙度為0.08nm以下。在較大的範圍中，粗糙度會更高。
覆蓋層308可以各種方法而形成。在一實施例中，覆蓋層308藉由磁控濺射，離子濺射系統，離子束沉積，電子束蒸發，射頻(RF)濺射，原子層沉積(ALD)，脈衝雷射沉積，陰極電弧沉積，或其組合而形成在或直接形成在多層堆疊306上。在一或多個實施例中，覆蓋層308具有藉由磁控濺射技術所形成的物理特徵，包括精確的厚度、低粗糙度和在層之間的清潔界面。在一實施例中，覆蓋層308具有藉由物理氣相沉積所形成的物理特性，包括精確的厚度、低的粗糙度和在層之間的清潔界面。
在一或多個實施例中，覆蓋層308由具有足以在清潔期間抵抗侵蝕的硬度的各種材料所形成。在一個實施例中，釕用作覆蓋層材料，因為它是良好的蝕刻停止且在操作條件下是相對惰性的。然而，應當理解可使用其它材料來形成覆蓋層308。在特定的實施例中，覆蓋層308具有在2.5和5.0nm範圍中的厚度。
在一或多個實施例中，吸收層310是吸收極紫外光112的層。在一實施例中，吸收層310用以藉由提供不反射極紫外光112的區域而在反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例的吸收層310包含對於極紫外光112的特定頻率(諸如約13.5nm)具有高吸收係數的材料。在一實施例中，吸收層310直接形成在覆蓋層308上，且使用微影術製程蝕刻吸收層310，以形成反射遮罩106的圖案。
根據一或多個實施例，極紫外反射元件302(諸如極紫外鏡205)與基板304、多層堆疊306和覆蓋層308一起形成。極紫外鏡205具有光學平坦的表面，且可有效地和均勻地反射極紫外光112。
根據一或多個實施例，極紫外反射元件302(諸如EUV遮罩坯料204)與基板304，多層堆疊306，覆蓋層308和吸收層310一起形成。遮罩坯料204具有光學平坦表面並且可有效地和均勻地反射極紫外光112。在一實施例中，遮罩圖案114由遮罩坯料204的吸收層310形成。
根據一或多個實施例，在覆蓋層308之上形成吸收層310增加了反射遮罩106的可靠性。覆蓋層308用作吸收層310的蝕刻停止層。當第2圖的遮罩圖案114被蝕刻到吸收層310中時，吸收層310下面的覆蓋層308停止蝕刻作用以保護多層堆疊306。
在一實施例中，吸收層310由至少兩個吸收材料的合金所製成。在一或多個實施例中，合金由具有彼此不同的消光係數(k)值和彼此不同的折射率值(n)的兩種不同的吸收材料組成。在一或多個實施例中，「吸收材料」是指單一元素(諸如Ta或Ni)。在其它實施例中，「吸收材料」是週期表的金屬元素和非金屬元素的化合物，例如TaN。在又其它的實施例中，「吸收材料」是兩種金屬的合金，且在這種實施例中，吸收層310可包含第一吸收材料的合金，第一吸收材料的合金是兩種金屬的合
金，例如Ni8Cr2，及第二吸收材料，例如Ta。在又其它的實施例中，吸收層可包括兩種金屬的第一合金和兩種金屬的第二合金。在一或多個實施例中，鉻不是於此所使用的「吸收材料」。在一或多個實施例中，用以形成吸收層的吸收材料包括選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO2)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni8Cr2、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、銻(Sb)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)和硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的至少兩種吸收材料。儘管鎳鉻是於此所使用的「吸收材料」，但鉻不是於此所使用的「吸收材料」。在一或多個實施例中，「合金」不包括作為合金的一部分的包含鉻的金屬混合物。
在一或多個實施例中，吸收層具有在5nm和60nm的範圍中的厚度。在一或多個實施例中，吸收層具有在51nm和57nm的範圍中的厚度。在一或多個實施例中，選擇吸收層中的材料以實現吸收層的蝕刻性質。在一或多個實施例中，吸收層的合金是在物理沉積室中所形成的共濺射的合金吸收材料，其可提供更薄的吸收層厚度(小於30nm)並實現小於2%的反射率和所欲的蝕刻性質。在一實施例中，吸收層的蝕刻性質和其它所欲性質可藉由控制合金的百分比來訂製到規格。在一實施例中，可
藉由操作諸如物理氣相沉積腔室的電壓，壓力，流量等的參數來精確地控制合金的百分比。在一實施例中，使用處理氣體來進一步改變材料性質，例如，使用N2氣體來形成Ta、Ni、Sb等的氮化物。合金可包含以下重量百分比的第一吸收材料和第二吸收材料：95/5，90/10，85/15，80/20，75/25，70/30，65/35，60/40，55/45，50/50，45/55，40/60，35/65，30/70，25/75，20/80，15/85，10/90或5/95。第一和第二材料可為上述材料的任一種，例如，在一實施例中的第一材料是TaN，且第二材料是Ni。EUV遮罩坯料可在具有包含第一吸收材料的第一陰極、包含第二吸收材料的第二陰極、包含第三吸收材料的第三陰極、包含第四吸收材料的第四陰極及包括第五吸收材料的第五陰極的物理沉積腔室中製造，其中第一吸收材料、第二吸收材料、第三吸收材料、第四吸收材料及第五吸收材料彼此不同，且吸收材料的每一個的消光係數不同於其他材料，且吸收材料的每一個具有不同於其它吸收材料的折射率。
現在參考第5圖，極紫外(EUV)遮罩坯料400顯示為包含基板414、在基板414上的反射層412的多層堆疊、包括複數個反射層對的反射層412的多層堆疊。EUV遮罩坯料400進一步包括在反射層412的多層堆疊上的覆蓋層422，且在覆蓋層422上存在吸收層420的多層堆疊420。吸收層的多層堆疊420包括複數個吸收層對420a、420b、420c、420d、420e、420f、每對
(420a/420b、420c/420d、420e/420f)包含具有不同的消光係數(k)值和不同的折射率值(n)的兩種不同的吸收材料。例如，吸收層420a由具有與形成吸收層420b的材料的消光係數值(k)不同的消光係數值(k)的材料所製成。類似地，吸收層420c由具有與形成吸收層420d的材料的消光係數值(k)不同的消光係數值(k)的材料所製成，且吸收層420e由具有與形成吸收層420f的材料的消光係數值(k)不同的消光係數值(k)的材料所製成。此外，吸收層420a由具有與形成吸收層420b的材料的折射率值(n)不同的折射率值(n)的材料所製成。類似地，吸收層420c由具有與形成吸收層420d的材料的折射率值(n)不同的折射率值(n)的材料所製成，且吸收層420e由具有與形成吸收層420f的材料的折射率值(n)不同的折射率值(n)的材料所製成。
在一個實施例中，極紫外遮罩坯料400包括複數個反射層412選自含鉬(Mo)材料和含矽(Si)材料，例如，鉬(Mo)和矽(Si)。用以形成吸收層420a、420b、420c、420d、420e和420f的吸收材料選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO2)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni8Cr2、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、銻(Sb)、鉭(Ta)、氮
化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)和硼酸鉭(TaBO)所組成的群組。
在一或多個實施例中，吸收層對420a/420b、420c/420d、420e/420f包含第一層(420a、420c、420e)及第二層(420b、420d、420f)，第一層(420a、420c、420e)包括選自由鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的吸收材料，第二層(420b、420d、420f)包括選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO2)、鈷(Co)、鎳鉻合金(特別是Ni8Cr2)、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)及銻(Sb)所組成的群組的吸收材料。在特定的實施例中，吸收層對包含第一層(420a、420c、420e)及第二層(420b、420d、420f)，第一層(420a、420c、420e)包括選自鎳(Ni)的吸收材料，第二層(420b、420d、420f)包括選自氮化鉭(TaN)的吸收材料。
根據一或多個實施例，吸收層對包含第一吸收層(420a、420c、420e)和第二吸收層(420b、420d、420f)，第一吸收層(420a、420c、420e)和第二吸收層(420b、420d、420f)的每一者具有在0.1nm和10nm的範圍中的厚度，例如在1nm和5nm的範圍中，或
在1nm和3nm的範圍中。在一或多個特定的實施例中，第一層420a的厚度為0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm、0.9nm、1nm、1.1nm、1.2nm、1.3nm、1.4nm、1.5nm、1.6nm、1.7nm、1.8nm、1.9nm、2nm、2.1nm、2.2nm、2.3nm、2.4nm、2.5nm、2.6nm、2.7nm、2.8nm、2.9nm、3nm、3.1nm、3.2nm、3.3nm、3.4nm、3.5nm、3.6nm、3.7nm、3.8nm、3.9nm、4nm、4.1nm、4.2nm、4.3nm、4.4nm、4.5nm、4.6nm、4.7nm、4.8nm、4.9nm及5nm。在一或多個實施例中，每對的第一吸收層和第二吸收層的厚度是相同或不同的。例如，第一吸收層和第二吸收層具有使得第一吸收層厚度與第二吸收層厚度的比率為1：1，1.5：1，2：1，2.5：1，3：1，3.5：1，4：1，4.5：1，5：1，6：1，7：1，8：1，9：1，10：1，11：1，12：1，13：1，14：1，15：1，16：1，17：1，18：1，19：1或20：1的厚度，這導致在每一對中的第一吸收層具有等於或大於第二吸收層厚度的厚度。替代地，第一吸收層和第二吸收層具有使得第二吸收層厚度與第一吸收層厚度的比率為1.5：1，2：1，2.5：1，3：1，3.5：1，4：1，4.5：1，5：1，6：1，7：1，8：1，9：1，10：1，11：1，12：1，13：1，14：1，15：1，16：1，17：1，18：1，19：1或20：1的厚度，這導致在每一對中的第二吸收層具有等於或大於第一吸收層厚度的厚度。
根據一或多個實施例，選擇不同的吸收材料和吸收層的厚度，使得由於吸光度及由於由來自反射層的多層堆疊的光的破壞性干擾所引起的相位變化而吸收極紫外光。儘管在第5圖中所示的實施例顯示了三個吸收層對420a/420b、420c/420d和420e/420f，申請專利範圍不應受限於特定數量的吸收層對。根據一或多個實施例，EUV遮罩坯料400可包括在5和60個吸收層對的範圍中，或在10和40個吸收層對的範圍中。
根據一或多個實施例，吸收層具有提供小於2%的反射率和其它蝕刻性質的厚度。可使用供應氣體來進一步改變吸收層的材料性質，例如，氮(N2)氣可用以形成以上所提供的材料的氮化物。根據一或多個實施例的吸收層的多層堆疊是不同材料的單獨厚度的重複圖案，使得EUV光不僅由於吸收率，且由於多層吸收劑堆疊所引起的相位變化將破壞性地干擾來自下面的反射材料的多層堆疊的光而被吸收，以提供更好的對比度。
例如，考慮第一種情況，在40ML的Mo和Si上具有15nm的TaN的10nm的Ni的吸收劑堆疊。基於Ni和TaN的n和k，吸收劑堆疊將吸收13.5nm的EUV。在根據一實施例的第二種情況中，可在40ML的Mo和Si的頂部上製造厚度2和3nm的Ni和TaN的5個雙層。在第二種情況中，光不僅被總厚度10nm的Ni和15nm的TaN吸收，而且額外地提供了破壞性地干擾從40ML的Mo和Si鏡所反射的光的相位變化，從而提供增強的對比度。
因此，第二種情況的堆疊對於反射率損失將提供超過50%的改良。可進一步優化伽馬(為Ni與TaN的厚度的比率)、單層的厚度及多層的數目，以提供更大的對比度。第6圖是用於第一種情況的反射率曲線，而第7圖是用於第二種情況的反射率曲線。
本揭露書的另一態樣關於一種製造極紫外(EUV)遮罩坯料的方法，包含以下步驟：提供基板；在基板上形成反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對；在反射層的多層堆疊上形成覆蓋層；及形成包含至少兩種不同吸收材料的合金的吸收層。在一或多個實施例中，合金由具有彼此不同的消光係數(k)值和彼此不同的折射率值(n)的兩種不同的吸收材料所組成。EUV遮罩坯料可具有上面關於第4圖和第5圖而描述的實施例的任何特徵，且該方法可在關於第3圖所描述的系統中執行。
因此，在一實施例中，複數個反射層選自含鉬(Mo)材料和含矽(Si)材料，且吸收層由選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO2)、鈷(Co)、鎳鉻合金、Ni8Cr2、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、銻(Sb)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的兩或更多
個吸收材料的合金所製成。替代地，在一實施例中，吸收層是選自由鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、氮氧化鉭(TaNO)、硼酸鉭(TaBO)所組成的群組的兩或更多個吸收材料的合金，且第二層由選自由鉑(Pt)、鋅(Zn)、金(Au)、氧化鎳(NiO)、氧化銀(Ag2O)、銥(Ir)、鐵(Fe)、二氧化錫(SnO2)、鈷(Co)、鎳鉻合金(特別是Ni8Cr2)、氧化錫(SnO)、銅(Cu)、銀(Ag)、錒(Ac)、碲(Te)、碘化銫(CsI)、錫(Sn)、碲化鋅(ZnTe)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrN)及銻(Sb)所組成的群組的材料所製成。在特定的實施例中，吸收層包含選自鎳(Ni)和氮化鉭(TaN)的至少兩種吸收材料的合金。
在另一個特定的方法實施例中，不同的吸收層形成在具有包含第一吸收材料的第一陰極和包含第二吸收材料的第二陰極的物理沉積腔室中。現在參考第8圖，根據一實施例顯示了多陰極源腔室500的上部。第一多陰極源腔室500包括具有藉由頂部配接器504所覆蓋的圓柱形主體部分502的底座結構501。頂部配接器504具有用於數個陰極源(諸如陰極源506、508、510、512及514)的設置，定位在頂部配接器504周圍。
在一或多個實施例中，該方法形成具有在5nm和60nm的範圍中的厚度的吸收層。在一或多個實施例中，吸收層具有在51nm和57nm的範圍中的厚度。在一或多個實施例中，選擇用以形成吸收層的材料以實現吸收層的蝕刻性質。在一或多個實施例中，吸收層的合金是
藉由共濺射在物理沉積室中所形成的合金吸收材料而形成，其可提供更薄的吸收層厚度(小於30nm)並實現小於2%的反射率和所欲的蝕刻性質。在一實施例中，吸收層的蝕刻性質和其它所欲性質可藉由控制每個吸收材料的合金的百分比來訂製到規格。在一實施例中，可藉由操作諸如物理氣相沉積腔室的電壓，壓力，流量等的參數來精確地控制合金的百分比。在一實施例中，使用處理氣體來進一步改變材料性質，例如，使用N2氣體來形成Ta、Ni、Sb等的氮化物。合金吸收材料可包含以下重量百分比的第一吸收材料和第二吸收材料：95/5，90/10，85/15，80/20，75/25，70/30，65/35，60/40，55/45，50/50，45/55，40/60，35/65，30/70，25/75，20/80，15/85，10/90或5/95。第一和第二材料可為上述材料的任一種，例如，在一實施例中的第一材料是TaN，且第二材料是Ni。用以形成EUV遮罩坯料的方法可在具有包含第一吸收材料的第一陰極、包含第二吸收材料的第二陰極、包含第三吸收材料的第三陰極、包含第四吸收材料的第四陰極及包括第五吸收材料的第五陰極的物理沉積腔室中製造，其中第一吸收材料、第二吸收材料、第三吸收材料、第四吸收材料及第五吸收材料彼此不同，且吸收材料的每一個的消光係數不同於其他材料，且吸收材料的每一個具有不同於其它吸收材料的折射率。
多陰極源腔室500可為第3圖所示的系統的一部分。在一實施例中，極紫外(EUV)遮罩坯料生產系統包含用於產生真空的基板處理真空腔室，在真空中的基板處理平台，用於輸送負載在基板處理真空腔室中的基板，及由基板處理平台進入的多個子腔室，用於形成EUV遮罩坯料，包括在基板上的反射層的多層堆疊，多層堆疊包括複數個反射層對，反射層的多層堆疊上的覆蓋層，及覆蓋層上的吸收層，吸收層由至少兩種吸收材料的合金所製成。在一或多個實施例中，兩種不同的吸收材料具有彼此不同的消光係數(k)值和彼此不同的折射率值(n)。該系統可用以製造相關於第4圖或第5圖所顯示的EUV遮罩坯料，並具有相關於第4圖或第5圖所描述於上的相關於EUV遮罩坯料所描述的任何特質。
貫穿這份說明書對「一個實施例」，「某些實施例」，「一或多個實施例」或「一實施例」的參照意味著結合實施例所描述的特定特徵，結構，材料或特性包括在本揭露書的至少一個實施例中。因此，在整個這份說明書中的各個地方中，諸如「在一或多個實施例中」，「在某些實施例中」，「在一個實施例中」或「在一實施例中」的短語的出現不一定指代本揭露書的相同實施例。此外，特定的特徵，結構，材料或特性可以任何合適的方式組合在一或多個實施例中。
儘管已經參考特定實施例而描述了於此的揭露書，但是應當理解這些實施例僅僅是本揭露書的原理和
應用的說明。對於熟悉本領域者將顯而易見的是，可對本揭露書的方法和設備進行各種修改和變化而不背離本揭露書的精神和範圍。因此，本揭露書旨在包括在附隨的申請專利範圍及其等效元件的範圍內的修改和變化。
302:極紫外反射元件
304:基板
306:多層堆疊
308:覆蓋層
310:吸收層
312:第一反射層
314:第二反射層
316:反射對
Claims (16)
- 一種極紫外線（EUV）遮罩坯料，包含： 一基板； 多個反射層的一多層堆疊，在該基板上，多個反射層的該多層堆疊包括複數個反射層，該複數個反射層包括多個反射層對； 一覆蓋層，在多個反射層的該多層堆疊上；及 一吸收層，包含一合金，該合金選自由以下所組成的群組：鉑-鐵、鉑-錫、鉑-SnO 2、鉑-SnO、鉑-鉻-鎳、鉑-Ni 8Cr 2、鉑-氮化鉻、鉑-鉻-鎳、鉑-銅、鉑-碲、鉑-碲化鋅、鉑-銻、鉑-硼酸鉭、鋅-銥、鋅-鐵、鋅-鉻-鎳、鋅-Ni 8Cr 2、鉻-鎳-SnO、鉻-鎳-銅、鉻-鎳-碲、鉻-鎳-錫、鉻-鎳-碲化鋅、鉻-鎳-銻、Ni 8Cr 2-SnO、Ni 8Cr 2-銅、Ni 8Cr 2-碲、Ni 8Cr 2-錫、Ni 8Cr 2-碲化鋅、Ni 8Cr 2-銻、Ni 8Cr 2-鉭、Ni 8Cr 2-氮化鉭、Ni 8Cr 2-氮氧化鉭、Ni 8Cr 2-鉻、Ni 8Cr 2-氮化鉻以及Ni 8Cr 2-硼酸鉭。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：鉑-鐵、鉑-錫、鉑-SnO 2、鉑-SnO、鉑-鉻-鎳、鉑-Ni 8Cr 2、鉑-氮化鉻、鉑-鉻-鎳、鉑-銅、鉑-碲、鉑-碲化鋅、鉑-銻以及鉑-硼酸鉭。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：碲化鋅-銻、碲化鋅-鉭、碲化鋅-氮化鉭、碲化鋅-氮氧化鉭、碲化鋅-鉻、碲化鋅-氮化鉻以及碲化鋅-硼酸鉭。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：鉻-鎳-SnO、鉻-鎳-銅、鉻-鎳-碲、鉻-鎳-錫、鉻-鎳-碲化鋅以及鉻-鎳-銻。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：Ni 8Cr 2-SnO、Ni 8Cr 2-銅、Ni 8Cr 2-碲、Ni 8Cr 2-錫、Ni 8Cr 2-碲化鋅、Ni 8Cr 2-銻、Ni 8Cr 2-鉭、Ni 8Cr 2-氮化鉭、Ni 8Cr 2-氮氧化鉭、Ni 8Cr 2-鉻、Ni 8Cr 2-氮化鉻以及Ni 8Cr 2-硼酸鉭。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層具有在5 nm與60 nm的一範圍中的一厚度。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該吸收層具有在51 nm與57 nm的一範圍中的一厚度。
- 如請求項1所述之極紫外線（EUV）遮罩坯料，其中該合金經選擇以實現該吸收層的多個蝕刻性質。
- 一種製造一極紫外線（EUV）遮罩坯料的方法，包含以下步驟： 提供一基板； 在該基板上形成多個反射層的一多層堆疊，多個反射層的該多層堆疊包括複數個反射層對； 在多個反射層的該多層堆疊上形成一覆蓋層；及 在該覆蓋層上形成一吸收層，該吸收層包含一合金，該合金選自由以下所組成的群組：鉑-鐵、鉑-錫、鉑-SnO 2、鉑-SnO、鉑-鉻-鎳、鉑-Ni 8Cr 2、鉑-氮化鉻、鉑-鉻-鎳、鉑-銅、鉑-碲、鉑-碲化鋅、鉑-銻、鉑-硼酸鉭、鋅-銥、鋅-鐵、鋅-鉻-鎳、鋅-Ni 8Cr 2、鉻-鎳-SnO、鉻-鎳-銅、鉻-鎳-碲、鉻-鎳-錫、鉻-鎳-碲化鋅、鉻-鎳-銻、Ni 8Cr 2-SnO、Ni 8Cr 2-銅、Ni 8Cr 2-碲、Ni 8Cr 2-錫、Ni 8Cr 2-碲化鋅、Ni 8Cr 2-銻、Ni 8Cr 2-鉭、Ni 8Cr 2-氮化鉭、Ni 8Cr 2-氮氧化鉭、Ni 8Cr 2-鉻、Ni 8Cr 2-氮化鉻以及Ni 8Cr 2-硼酸鉭。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：鉑-鐵、鉑-錫、鉑-SnO 2、鉑-SnO、鉑-鉻-鎳、鉑-Ni 8Cr 2、鉑-氮化鉻、鉑-鉻-鎳、鉑-銅、鉑-碲、鉑-碲化鋅、鉑-銻以及鉑-硼酸鉭。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：碲化鋅-銻、碲化鋅-鉭、碲化鋅-氮化鉭、碲化鋅-氮氧化鉭、碲化鋅-鉻、碲化鋅-氮化鉻以及碲化鋅-硼酸鉭。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：鉻-鎳-SnO、鉻-鎳-銅、鉻-鎳-碲、鉻-鎳-錫、鉻-鎳-碲化鋅以及鉻-鎳-銻。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層包含選自由以下所組成的群組的一合金：Ni 8Cr 2-SnO、Ni 8Cr 2-銅、Ni 8Cr 2-碲、Ni 8Cr 2-錫、Ni 8Cr 2-碲化鋅、Ni 8Cr 2-銻、Ni 8Cr 2-鉭、Ni 8Cr 2-氮化鉭、Ni 8Cr 2-氮氧化鉭、Ni 8Cr 2-鉻、Ni 8Cr 2-氮化鉻以及Ni 8Cr 2-硼酸鉭。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層具有在5 nm與60 nm的一範圍中的一厚度。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層形成在一物理沉積腔室中，該物理沉積腔室具有包含一第一吸收材料的一第一陰極及包含一第二吸收材料的一第二陰極。
- 如請求項9所述之方法，其中該吸收層形成在一物理沉積腔室中，該物理沉積腔室具有包含一第一吸收材料的一第一陰極、包含一第二吸收材料的一第二陰極、包含一第三吸收材料的一第三陰極、包含一第四吸收材料的一第四陰極及包含一第五吸收材料的一第五陰極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662367390P | 2016-07-27 | 2016-07-27 | |
| US62/367,390 | 2016-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202232225A TW202232225A (zh) | 2022-08-16 |
| TWI821984B true TWI821984B (zh) | 2023-11-11 |
Family
ID=61012029
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111114004A TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-11 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
| TW106123154A TWI763686B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-11 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106123154A TWI763686B (zh) | 2016-07-27 | 2017-07-11 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10877368B2 (zh) |
| JP (2) | JP2019527382A (zh) |
| SG (1) | SG11201811602QA (zh) |
| TW (2) | TWI821984B (zh) |
| WO (1) | WO2018022372A1 (zh) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
| TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| EP3454120B1 (en) * | 2017-09-09 | 2024-05-01 | IMEC vzw | Method for manufacturing euv reticles and reticles for euv lithography |
| US10802393B2 (en) * | 2017-10-16 | 2020-10-13 | Globalfoundries Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask |
| US10996553B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with reduced wafer neighboring effect and method of manufacturing the same |
| CN112335021A (zh) | 2018-06-22 | 2021-02-05 | 应用材料公司 | 金属膜的催化沉积 |
| TW202008073A (zh) * | 2018-07-19 | 2020-02-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| JP2020034666A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| TW202026770A (zh) * | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
| TWI835896B (zh) * | 2018-10-26 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有後側塗層的極紫外線掩模 |
| US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
| TWI828843B (zh) * | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法 |
| US11249390B2 (en) * | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202035792A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
| US11639544B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
| TW202043905A (zh) | 2019-03-01 | 2020-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積系統與處理 |
| TWI818151B (zh) | 2019-03-01 | 2023-10-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積腔室及其操作方法 |
| TW202104617A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US20200371427A1 (en) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202104667A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| TWI836072B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 |
| TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
| TW202104668A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TWI836073B (zh) * | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體及其製造方法 |
| KR102285098B1 (ko) * | 2019-07-12 | 2021-08-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법 |
| US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
| US11531262B2 (en) * | 2019-12-30 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask blanks and methods for depositing layers on mask blank |
| US11204545B2 (en) | 2020-01-16 | 2021-12-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| US11221554B2 (en) | 2020-01-17 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV masks to prevent carbon contamination |
| US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| TWI836207B (zh) * | 2020-04-17 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| DE102020206117A1 (de) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element, EUV-Lithographiesystem und Verfahren zum Bilden von Nanopartikeln |
| US11829062B2 (en) * | 2020-05-22 | 2023-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| CN113267956A (zh) * | 2020-05-29 | 2021-08-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Euv光掩模及其制造方法 |
| US11592737B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| US11619875B2 (en) * | 2020-06-29 | 2023-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
| JPWO2022065421A1 (zh) | 2020-09-28 | 2022-03-31 | ||
| US11609490B2 (en) * | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| JPWO2022138360A1 (zh) | 2020-12-25 | 2022-06-30 | ||
| US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| WO2022164760A1 (en) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | The Regents Of The University Of California | Mask absorber layers for extreme ultraviolet lithography |
| US20220382148A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with alloy based absorbers |
| US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
| US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140272684A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US20150064611A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme Ultraviolet (Euv) Mask And Method Of Fabricating The Euv Mask |
| TWI477927B (zh) * | 2012-04-20 | 2015-03-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | 光罩、極紫外光光罩與其製法 |
| WO2016007613A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| US20160011502A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
| TW201606358A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-16 | 應用材料股份有限公司 | 極紫外線覆蓋層及其之製造與微影方法 |
Family Cites Families (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
| US6323131B1 (en) | 1998-06-13 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Passivated copper surfaces |
| US6013399A (en) | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
| US6562522B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
| US6583068B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
| DE10155112B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-02 | Infineon Technologies Ag | Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür |
| EP1333323A3 (en) | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
| EP2317383A3 (en) | 2002-04-11 | 2011-12-28 | HOYA Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask |
| US6835503B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
| US6641899B1 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same |
| US6908713B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-21 | Intel Corporation | EUV mask blank defect mitigation |
| JP4099589B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 |
| US7407729B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-08-05 | Infineon Technologies Ag | EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof |
| EP1791168A1 (en) | 2004-09-17 | 2007-05-30 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for euv lithography and method for producing same |
| JP2006130375A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Bridgestone Corp | 水素貯蔵及び発生用触媒構造体並びにそれを用いた水素の貯蔵及び発生方法 |
| US8575021B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-11-05 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing including a masking layer |
| US20060222961A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Pei-Yang Yan | Leaky absorber for extreme ultraviolet mask |
| FR2884965B1 (fr) | 2005-04-26 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase |
| US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
| KR20070036519A (ko) | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
| JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2011-03-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| US20070090084A1 (en) | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Pei-Yang Yan | Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products |
| JP4926523B2 (ja) | 2006-03-31 | 2012-05-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| KR20080001023A (ko) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
| JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JP5584409B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-09-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびその制御方法 |
| KR100972863B1 (ko) | 2008-04-22 | 2010-07-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법 |
| CN102089860B (zh) | 2008-07-14 | 2014-03-12 | 旭硝子株式会社 | Euv光刻用反射型掩模基板及euv光刻用反射型掩模 |
| DE102008042212A1 (de) | 2008-09-19 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US8587662B1 (en) | 2008-11-06 | 2013-11-19 | Target Brands, Inc. | Theft trend analysis and response |
| KR101095681B1 (ko) | 2008-12-26 | 2011-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
| JP5609865B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2014-10-22 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランク |
| EP2264460A1 (en) | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Nxp B.V. | Device having self-assembled-monolayer |
| JP5766393B2 (ja) | 2009-07-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
| KR20130007537A (ko) * | 2010-03-02 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| KR101625382B1 (ko) | 2010-04-29 | 2016-05-30 | (주)에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
| WO2011157643A1 (en) * | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask |
| US8764995B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| WO2012026463A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| EP2617076B1 (en) | 2010-09-15 | 2014-12-10 | Ricoh Company, Limited | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof |
| JP6013720B2 (ja) | 2010-11-22 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| DE102011075579A1 (de) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
| JP5935804B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-06-15 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20140099226A (ko) | 2011-11-25 | 2014-08-11 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| JP2013120868A (ja) | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法 |
| US8691476B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and method for forming the same |
| KR20130085774A (ko) | 2012-01-20 | 2013-07-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Ｅｕｖ 마스크 |
| US8658333B2 (en) | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
| US8765331B2 (en) * | 2012-08-17 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography |
| US9335206B2 (en) * | 2012-08-30 | 2016-05-10 | Kla-Tencor Corporation | Wave front aberration metrology of optics of EUV mask inspection system |
| US8932785B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
| JP6081134B2 (ja) * | 2012-10-17 | 2017-02-15 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US9146458B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EUV mask |
| US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
| US9135499B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-09-15 | Tyco Fire & Security Gmbh | Predictive theft notification for the prevention of theft |
| US20140254001A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Globalfoundries Inc. | Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making |
| US9298081B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making |
| US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US9310675B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof |
| US9091947B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof |
| KR101567057B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| JP6301127B2 (ja) | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| US10279488B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-05-07 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US9329597B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-05-03 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US9195132B2 (en) * | 2014-01-30 | 2015-11-24 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
| US11183375B2 (en) | 2014-03-31 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof |
| KR20160002332A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US9612522B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
| US10031411B2 (en) * | 2014-11-26 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle for EUV mask and fabrication thereof |
| US9709884B2 (en) * | 2014-11-26 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and manufacturing method by using the same |
| US9471866B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-10-18 | Tyco Fire and Securtiy GmbH | Anti-theft system used for customer service |
| KR101726045B1 (ko) | 2015-06-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법 |
| TWI694304B (zh) | 2015-06-08 | 2020-05-21 | 日商Ａｇｃ股份有限公司 | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底 |
| KR101829604B1 (ko) | 2015-08-17 | 2018-03-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법 |
| US9673042B2 (en) | 2015-09-01 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers |
| US20170092533A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor |
| US10163629B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low vapor pressure aerosol-assisted CVD |
| US9791771B2 (en) * | 2016-02-11 | 2017-10-17 | Globalfoundries Inc. | Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure |
| CN117334560A (zh) | 2016-03-03 | 2024-01-02 | 应用材料公司 | 利用间歇性空气-水暴露的改良自组装单层阻挡 |
| US10061191B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High durability extreme ultraviolet photomask |
| TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
| JP6863169B2 (ja) | 2017-08-15 | 2021-04-21 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、および反射型マスク |
| EP3454119B1 (en) | 2017-09-09 | 2023-12-27 | IMEC vzw | Euv absorbing alloys |
-
2017
- 2017-07-11 TW TW111114004A patent/TWI821984B/zh active
- 2017-07-11 TW TW106123154A patent/TWI763686B/zh active
- 2017-07-18 US US15/652,501 patent/US10877368B2/en active Active
- 2017-07-19 JP JP2019503652A patent/JP2019527382A/ja active Pending
- 2017-07-19 SG SG11201811602QA patent/SG11201811602QA/en unknown
- 2017-07-19 WO PCT/US2017/042748 patent/WO2018022372A1/en active Application Filing
-
2020
- 2020-12-24 US US17/133,760 patent/US20210124256A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-02-10 US US17/668,901 patent/US20220163882A1/en active Pending
- 2022-12-28 JP JP2022211287A patent/JP2023052147A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI477927B (zh) * | 2012-04-20 | 2015-03-21 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | 光罩、極紫外光光罩與其製法 |
| US20140272684A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US20150064611A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme Ultraviolet (Euv) Mask And Method Of Fabricating The Euv Mask |
| WO2016007613A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| US20160011502A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
| TW201602646A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-01-16 | 應用材料股份有限公司 | 具有多層堆疊之極紫外線反射元件及其製造方法 |
| TW201606358A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-02-16 | 應用材料股份有限公司 | 極紫外線覆蓋層及其之製造與微影方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018022372A1 (en) | 2018-02-01 |
| US20220163882A1 (en) | 2022-05-26 |
| US20180031965A1 (en) | 2018-02-01 |
| TW202232225A (zh) | 2022-08-16 |
| TWI763686B (zh) | 2022-05-11 |
| JP2023052147A (ja) | 2023-04-11 |
| SG11201811602QA (en) | 2019-02-27 |
| JP2019527382A (ja) | 2019-09-26 |
| TW201830122A (zh) | 2018-08-16 |
| US10877368B2 (en) | 2020-12-29 |
| US20210124256A1 (en) | 2021-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI821984B (zh) | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 | |
| TWI730139B (zh) | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 | |
| US20200371429A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11609490B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| WO2020160353A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| WO2020018631A1 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| TWI827922B (zh) | 極紫外線遮罩素材及其製造方法 | |
| KR20220130786A (ko) | 극자외선 마스크 블랭크 하드 마스크 재료들 | |
| CN115427888A (zh) | 极紫外掩模吸收体材料 | |
| JP7288959B2 (ja) | 裏側コーティングを有する極紫外線マスク | |
| TW202129401A (zh) | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 | |
| US11630385B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| CN115485616A (zh) | 远紫外掩模吸收材料 | |
| TWI836073B (zh) | 極紫外光遮罩坯體及其製造方法 | |
| US11592738B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11513437B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11300872B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber materials | |
| US11275304B2 (en) | Extreme ultraviolet mask absorber matertals | |
| TW202045350A (zh) | 具有多層吸收體之極紫外光遮罩坯體及製造方法 | |
| TW202309645A (zh) | 多層極紫外反射器材料 |