TW202303267A - 多層極紫外線反射器 - Google Patents

Abstract

揭示極紫外線(EUV)遮罩毛胚、其製造系統、與降低粗糙度的方法。EUV遮罩毛胚包括在基板上的多層反射堆疊，該多層反射堆疊包括複數對的交替層，該交替層包含第一層與第二層，第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的第一元素；及第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的第二元素。本文所述的一些EUV遮罩毛胚包括在第一層與第二層之間的介面層，介面層包括選自由Si、B、C、Al、Mo、及Ru所組成的群組的介面元素。

Description

多層極紫外線反射器

本發明大體上關於極紫外線微影術。更具體地，本發明關於包含具有不同材料的交替層的多層反射堆疊之極紫外線遮罩毛胚及降低多層反射堆疊的粗糙度的方法。

極紫外線(EUV)微影術用於製造0.0135微米與更小的最小特徵尺寸的半導體裝置。透過使用一系列的鏡子、或透鏡元件、及反射元件、或遮罩毛胚，其被塗佈有非反射吸收劑遮罩圖案，圖案化的光被反射到光阻塗佈的半導體基板上。

極紫外線微影術系統的透鏡元件與遮罩毛胚被諸如鉬與矽的反射多層塗層的材料所塗佈。第1圖顯示習知的EUV反射遮罩10，其由EUV遮罩毛胚所形成，EUV遮罩毛胚包括基板14上的反射多層堆疊12，反射多層堆疊12藉由布拉格干涉而反射在未遮蓋部分處的EUV輻射。藉由蝕刻緩衝層18與吸收劑層20而形成習知的EUV反射遮罩10的遮蓋(非反射)區域16。覆蓋層22形成在反射多層堆疊12上方且在蝕刻處理期間保護反射多層堆疊12。經蝕刻遮罩毛胚具有(非反射)區域16與反射區域24。

由於光透射進入多層堆疊(被周知為Z效應(Z _eff))，多層反射器的有效鏡平面離開吸收劑一距離。Z _eff致使反射光的相變化及在圖案化吸收劑上的EUV光的雙繞射。此雙繞射造成落在反射器的數值孔徑之內的額外的繞射光，及因而致使被稱為遮罩3D效應的事物，諸如非遠心度(non-telecentricity)、透過聚焦的邊緣放置誤差、透過特徵的最佳聚焦變動及透過衰減的對比損耗。

有著對於提供具有多層反射堆疊的EUV遮罩毛胚的需求，此多層反射堆疊具有低Z _eff及在最小化遮罩3D效應的反射角的大頻寬上的高反射率，尤其是用於高NA EUV掃描器。此外，多層反射堆疊必須滿足EUV遮罩毛胚的其他要求，包括粗糙度、均勻性、應力及熱穩定性。

本發明的一或多個實施例關於極紫外線(EUV)遮罩毛胚，包含在基板上的多層反射堆疊，此多層反射堆疊包含複數對的交替層，此交替層包含第一層與第二層，第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的第一元素；及第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的第二元素，其中第一層包含以下的至少一者：第一元素的一者或多者的合金、第一元素的氮化物、第一元素的碳化物、第一元素的氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的矽化物；或第二層包含以下的至少一者：第二元素的一者或多者的合金、第二元素的氮化物、第二元素的碳化物、第二元素的氧化物、及第二元素的矽化物；在多層反射堆疊上的覆蓋層；及在覆蓋層上的吸收劑層。

額外的實施例關於極紫外線(EUV)遮罩毛胚，包含在基板上的多層反射堆疊，此多層反射堆疊包含複數對的交替層，此交替層包含第一層與第二層，第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的第一元素；及第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的第二元素；在第一層與第二層之間的介面層，介面層包括選自由Si、B、C、Al、Mo、Ru所組成的群組的介面元素、介面元素的合金、介面元素的氮化物、介面元素的碳化物、介面元素的氧化物、及介面元素的矽化物，其中當介面層包含Si及第一層包含Si時，介面層的性質與第一層的性質不同，及其中相較於不包括在第一層與第二層之間的介面層的多層反射堆疊，此介面層降低此多層反射堆疊的粗糙度；在多層反射堆疊上的覆蓋層；及在覆蓋層上的吸收劑層。

本發明的進一步實施例關於降低多層反射堆疊的粗糙度的方法，包含在基板上形成多層反射堆疊，此多層反射堆疊包含複數對的交替層，此交替層包含第一層與第二層，第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的第一元素；及第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的第二元素；在第一層與第二層的至少一者中形成：第一元素的兩者或更多者的合金、第一元素的氮化物、第一元素的碳化物、第一元素的氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的矽化物中的至少一者；第二元素的兩者或更多者的合金、第二元素的氮化物、第二元素的碳化物、第二元素的氧化物、及第二元素的矽化物中的至少一者；在多層反射堆疊上形成覆蓋層；及在覆蓋層上形成吸收劑層。

在說明本發明的若干範例實施例之前，將理解到本發明並不限於在以下說明中所述的構造或處理步驟的細節。本發明能夠為其他的實施例且可被各種方式實踐或執行。

在此使用的術語「水平的」界定為平行於遮罩毛胚的平面或表面的平面，而無關此平面的定向。術語「垂直的」指稱與剛剛所界定的水平的正交的方向。諸如「之上」、「之下」、「底部」、「頂部」、「側部」(如在「側壁」中)、「較高的」、「較低的」、「上部」、「上方」及「下方」的術語為關於水平的平面來界定，如圖示中所示。

術語「在……上」指示在元件之間有著直接接觸。術語「直接在……上」指示在元件之間有著直接接觸且無中介元件。

在此說明書與隨附申請專利範圍中使用時，術語「前驅物」、「反應物」、「反應氣體」、及類似物可互換地使用以指稱與基板表面反應的任何氣態物種。

在此說明書與隨附申請專利範圍中使用時，術語「反射多層堆疊」、「多層反射堆疊」、「反射層的多層堆疊」可互換地使用以指稱反射元件，諸如EUV遮罩毛胚。

本領域的熟習技藝者將理解到諸如「第一」與「第二」的序數的使用以說明處理區並不意指處理腔室內的特定區位，或處理腔室內的暴露順序。

當在本說明書與隨附申請專利範圍中使用，術語「基板」指稱一表面、或表面的一部分，在此表面上進行處理。除非上下文清楚地另外指明，本領域的熟習技藝者也將理解到提及一基板僅指稱此基板的一部分。此外，提及在基板上的沉積意指赤裸基板與具有沉積或形成在基板上的一或多個膜或特徵的基板兩者。

現在參照第2圖，顯示極紫外線微影術系統100的範例實施例。極紫外線微影術系統100包括用於產生極紫外光112的極紫外光源102、一組反射元件、及目標晶圓110。反射元件包括聚光器104、EUV反射遮罩106、光學縮減組件108、遮罩毛胚、鏡子、或前述物的組合。

極紫外光源102產生極紫外光112。極紫外光112是具有波長在範圍5至50奈米(nm)中的電磁輻射。例如，極紫外光源102包括雷射、雷射產生電漿、放電產生電漿、自由電子雷射、同步輻射、或前述物的組合。極紫外光源102產生在一波長範圍中的寬頻極紫外線輻射。例如，極紫外光源102產生具有波長範圍從5至50 nm的極紫外光112。

在一或多個實施例中，極紫外光源102產生具有狹窄頻寬的極紫外光112。例如，極紫外光源102產生在13.5 nm處的極紫外光112。波長峰的中心為13.5 nm。

聚光器104是用於反射與聚焦極紫外光112的光學單元。聚光器104將來自極紫外光源102的極紫外光112反射並集中以照射EUV反射遮罩106。儘管聚光器104顯示為單一元件，但理解到聚光器104在某些實施例中包括一或多個反射元件，諸如凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、或前述物的組合，用於反射並集中極紫外光112。例如，聚光器104在示出的實施例中為單一凹面鏡或具有凸面、凹面、及平坦光學元件的光學組件。

EUV反射遮罩106是具有遮罩圖案114的極紫外線反射元件。EUV反射遮罩106創造微影圖案以形成將形成在目標晶圓110上的電路佈局。EUV反射遮罩106反射極紫外光112。遮罩圖案114界定電路佈局的一部分。

光學縮減組件108是用於縮減遮罩圖案114的影像的光學單元。來自EUV反射遮罩106的極紫外光112的反射被光學縮減組件108縮減並反射至目標晶圓110上。某些實施例的光學縮減組件108包括鏡子與其他光學元件以縮減遮罩圖案114的影像的尺寸。例如，光學縮減組件108在某些實施例中包括凹面鏡，用於反射並聚焦極紫外光112。

光學縮減組件108縮減在目標晶圓110上遮罩圖案114的影像的尺寸。例如，遮罩圖案114藉由光學縮減組件108在目標晶圓110上以4:1的比例成像，以在目標晶圓110上形成藉由遮罩圖案114呈現的電路。極紫外光112同步地掃描EUV反射遮罩106與目標晶圓110，以在目標晶圓110上形成遮罩圖案114。

現在參照第3圖，顯示極紫外線反射元件生產系統200的實施例。極紫外線反射元件包括EUV遮罩毛胚204、極紫外光鏡205、或諸如EUV反射遮罩106的其他反射元件。

極紫外線反射元件生產系統200生產遮罩毛胚、鏡子、或反射第2圖的極紫外光112的其他元件。極紫外線反射元件生產系統200藉由施加薄塗層至源基板203來製造反射元件。

EUV遮罩毛胚204是用於形成第2圖的EUV反射遮罩106的多層結構。使用半導體製造技術來形成EUV遮罩毛胚204。EUV反射遮罩106具有藉由蝕刻與其他處理形成在EUV遮罩毛胚204上的第2圖的遮罩圖案114。

極紫外線鏡205是反射在極紫外光範圍中的多層結構。使用半導體製造技術來形成極紫外線鏡205。EUV遮罩毛胚204與極紫外線鏡205在某些實施例中為關於形成在各元件上的層的類似的結構，然而，極紫外線鏡205不具有遮罩圖案114。

反射元件是極紫外光112的有效反射器。在一實施例中，EUV遮罩毛胚204與極紫外線鏡205具有大於60%的極紫外線反射率。若反射元件反射多於60%的極紫外光112時，反射元件是有效的。

極紫外線反射元件生產系統200包括晶圓裝載及載具處理系統202，源基板203被載入晶圓裝載及載具處理系統202中，及反射元件從晶圓裝載及載具處理系統202載出。大氣處理系統206提供出入口至晶圓處理真空腔室208。晶圓裝載及載具處理系統202包括基板傳送盒、裝載閘、及其他部件以將基板從大氣移送至系統內的真空。因為EUV遮罩毛胚204用以形成非常小尺度的裝置，源基板203與EUV遮罩毛胚204在真空系統中處理以避免污染與其他缺陷。

晶圓處理真空腔室208含有兩個真空腔室，第一真空腔室210與第二真空腔室212。第一真空腔室210包括第一晶圓處理系統214，而第二真空腔室212包括第二晶圓處理系統216。儘管晶圓處理真空腔室208被描述為具有兩個真空腔室，但可理解到此系統可具有任意數目的真空腔室。

晶圓處理真空腔室208具有環繞其周圍的複數個埠，用於附接各種其他系統。第一真空腔室210具有除氣系統218、第一物理氣相沉積系統220、第二物理氣相沉積系統222、及預清洗系統224。除氣系統218用於從基板熱脫附水分。預清洗系統224用於清洗晶圓、遮罩毛胚、鏡子、或其他光學部件的表面。

物理氣相沉積系統，諸如第一物理氣相沉積系統220與第二物理氣相沉積系統222，在某些實施例中用以在源基板203上形成導電材料的薄膜。例如，某些實施例的物理氣相沉積系統包括真空沉積系統，諸如磁控濺鍍系統、離子濺鍍系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或前述物的組合。物理氣相沉積系統，諸如磁控濺鍍系統，在源基板203上形成薄層，薄層包括矽層、金屬層、合金層、化合物層、或前述物的組合。

在一或多個實施例中，物理氣相沉積系統形成反射層、覆蓋層、及吸收劑層。例如，物理氣相沉積系統經設置以形成下列的層：矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、氧化鈮、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉭、氮化物、化合物、或前述物的組合。儘管一些化合物被描述成氧化物，理解到此等化合物包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物、或前述物的組合。

第二真空腔室212具有與其連接的第一多陰極源226、化學氣相沉積系統228、固化腔室230、及極平滑沉積腔室232。例如，某些實施例的化學氣相沉積系統228包括可流動化學氣相沉積系統(FCVD)、電漿輔助化學氣相沉積系統(CVD)、氣溶膠輔助CVD、熱燈絲CVD系統、或類似系統。在另一實例中，化學氣相沉積系統228、固化腔室230、與極平滑沉積腔室232在與極紫外線反射元件生產系統200分開的系統中。

化學氣相沉積系統228在源基板203上形成材料薄膜。例如，化學氣相沉積系統228用於在源基板203上形成材料層，材料層包括單晶層、多晶層、非晶層、磊晶層、或前述層的組合。化學氣相沉積系統228形成下列的層：矽、氧化矽、碳氧化矽、碳、鎢、碳化矽、氮化矽、氮化鈦、金屬、合金、及適用於化學氣相沉積的其他材料。例如，化學氣相沉積系統形成平面化層。

第一晶圓處理系統214能將源基板203在大氣處理系統206與環繞在連續真空中的第一真空腔室210的周圍的各種系統之間移動。第二晶圓處理系統216能將源基板203移動環繞第二真空腔室212，同時維持源基板203在連續真空中。極紫外線反射元件生產系統200將源基板203與EUV遮罩毛胚204在連續真空中於第一晶圓處理系統214、第二晶圓處理系統216之間移送。

現在參照第4圖，顯示極紫外線反射元件302的一實施例。在一或多個實施例中，極紫外線反射元件302是第3圖的EUV遮罩毛胚204或第3圖的極紫外線鏡205。EUV遮罩毛胚204與極紫外線鏡205是用於反射第2圖的極紫外光112的結構。EUV遮罩毛胚204用以形成第2圖所示的EUV反射遮罩106。

極紫外線反射元件302包括基板304、多層反射堆疊306、及覆蓋層308。在一或多個實施例中，極紫外線鏡205用以形成用於使用在第2圖的聚光器104中或第2圖的光學縮減組件108中的反射結構。

極紫外線反射元件302，其在某些實施例中為EUV遮罩毛胚204，包括基板304、多層反射堆疊306、覆蓋層308、及在覆蓋層308上的吸收劑層310。極紫外線反射元件302在某些實施例中為EUV遮罩毛胚204，其用以藉由以所需的電路佈局圖案化吸收劑層310來形成第2圖的EUV反射遮罩106。

當在本說明書與隨附申請專利範圍中使用，為了簡明，用於EUV遮罩毛胚204的術語與用於極紫外線鏡205的術語可互換地使用。在一或多個實施例中，EUV遮罩毛胚204包括帶有額外添加的吸收劑層310的極紫外線鏡205的部件以形成第2圖的遮罩圖案114。

EUV遮罩毛胚204是用於形成具有遮罩圖案114的EUV反射遮罩106的光學平坦結構。在一或多個實施例中，EUV遮罩毛胚204的反射表面形成用於反射諸如第2圖的極紫外光112的入射光的平坦焦平面。

基板304是提供結構支撐於極紫外線反射元件302的元件。在一或多個實施例中，基板304由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成，以在溫度改變期間提供穩定性。在一或多個實施例中，基板304具有性質，諸如對於機械循環、熱循環、晶體形成、或前述性質的組合的穩定性。根據一或多個實施例的基板304由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷、或前述物的組合的材料所形成。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊306是反射極紫外光112的結構。在一或多個實施例中，多層反射堆疊306包含複數對的交替層，交替層包含第一層312與第二層314。第一層312與第二層314可具有各種結構。在一實施例中，第一層312與第二層314兩者形成為單一層、多個層、分隔層結構、非均勻結構、或前述物的組合。

第一層312與第二層314由各種材料所形成。在一或多個實施例中，第一層312包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成群組的第一元素。在一或多個實施例中，第二層314包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成群組的第二元素。

在一或多個實施例中，第一層312與第二層314形成反射對316。在此說明書與隨附申請專利範圍中使用時，用語「反射對」與「複數對的交替層」可互換地使用以指稱一或多個反射層。在一非限制實例中，多層反射堆疊306包括範圍為20-60個反射對316，用於總計至多120個反射層。

在一或多個實施例中，複數對的交替層316包含第一層312與第二層314，包括包含選自下列至少一材料的第一層312：第一元素的兩者或多者的合金、第一元素的氮化物、第一元素的碳化物、第一元素的氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的矽化物；或包含選自下列至少一材料的第二層314：第二元素的兩者或多者的合金、第二元素的氮化物、第二元素的碳化物、第二元素的氧化物、及第二元素的矽化物。

根據一或多個實施例，第一層312的材料與第二層314的材料具有在折射率n上相對大的差異，例如，第一層312(高-n)的材料的n可為0.94-1.01和第二層314(低-n)的材料的n可為0.87-0.92，以形成帶有高EUV反射的介面。在一或多個實施例中，第一層312與第二層314的材料兩者具有低消光係數(例如，k ＜ 0.03)以最小化藉由多層的EUV吸收。

在一或多個實施例中，在第一層312中及/或在第二層314中形成合金造成第一層312及/或在第二層314中降低的粗糙度。根據一或多個實施例，合金的及/或氮化的層降低第一層312及/或第二層314的粗糙度，其造成EUV光的大頻寬及高反射兩者。

現在參照第4與5圖，在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金與兩個或多個第二元素的合金的每一者具有包含兩個元素的通式A _xB _y，其中x與y的總和等於1。在一或多個實施例中，通式A _xB _y包括A _0.1B _0.9、A _0.2B _0.8、A _0.3B _0.7、A _0.4B _0.6、A _0.5B _0.5、A _0.6B _0.4、A _0.7B _0.3、A _0.8B _0.2、及A _0.9B _0.1的一者或多者。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98，y從0.02至0.5。

兩個或多個第一元素的合金的實例具有包含兩個元素的通式A _xB _y，包括但不限於Si _xN _y、Si _xC _y、Si _xO _y、B _xN _y、B _xC _y、B _xO _y、Al _xN _y、Al _xC _y、Al _xO _y、Mg _xN _y、Mg _xC _y、Mg _xO _y、Zr _xN _y、Zr _xC _y、Zr _xO _y、Ba _xN _y、Ba _xC _y、Ba _xO _y、Nb _xN _y、Nb _xC _y、Nb _xO _y、Ti _xN _y、Ti _xC _y、Ti _xO _y、Gd _xN _y、Gd _xC _y、Gd _xO _y、Y _xN _y、Y _xC _y、Y _xO _y、Ca _xN _y、Ca _xC _y、Ca _xO _y、Si _xB _y、Si _xAl _y、Si _xMg _y、Si _xZr _y、Si _xBa _y、Si _xNb _y、Si _xTi _y、Si _xGd _y、Si _xY _y、Si _xCa _y、B _xAl _y、B _xMg _y、B _xZr _y、B _xBa _y、B _xNb _y、B _xTi _y、B _xGd _y、B _xY _y、B _xCa _y、Al _xMg _y、Al _xZr _y、Al _xBa _y、Al _xNb _y、Al _xTi _y、Al _xGd _y、Al _xY _y、Al _xCa _y、Mg _xZr _y、Mg _xBa _y、Mg _xNb _y、Mg _xTi _y、Mg _xGd _y、Mg _xY _y、Mg _xCa _y、Zr _xBa _y、Zr _xNb _y、Zr _xTi _y、Zr _xGd _y、Zr _xY _y、Zr _xCa _y、Ba _xNb _y、Ba _xTi _y、Ba _xGd _y、Ba _xY _y、Ba _xCa _y、Nb _xTi _y、Nb _xGd _y、Nb _xY _y、Nb _xCa _y、Ti _xGd _y、Ti _xY _y、Ti _xCa _y、Gd _xY _y、Gd _xCa _y、Y _xCa _y、及前述物的任何變化的一者或多者。在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金包括具有包含兩個元素的通式A _xB _y的其他化合物。

兩個或多個第二元素的合金的實例具有包含兩個元素的通式A _xB _y，包括但不限於Ru _xSi _y、Ru _xN _y、Ru _xC _y、Ru _xO _y、Ru _xMo _y、Ru _xTa _y、Ru _xSb _y、Ru _xTc _y、Ru _xNb _y、Ru _xIr _y、Ru _xPt _y、Ru _xPd _y、Mo _xSi _y、Mo _xN _y、Mo _xC _y、Mo _xO _y、Mo _xTa _y、Mo _xSb _y、Mo _xTc _y、Ta _xSi _y、Ta _xN _y、Ta _xC _y、Ta _xO _y、Ta _xSb _y、Ta _xTc _y、Sb _xSi _y、Sb _xN _y、Sb _xC _y、Sb _xO _y、Tc _xSi _y、Tc _xN _y、Tc _xC _y、Tc _xO _y、Nb _xSi _y、Nb _xN _y、Nb _xC _y、Nb _xO _y、Ir _xSi _y、Ir _xN _y、Ir _xC _y、Ir _xO _y、Pt _xSi _y、Pt _xN _y、Pt _xC _y、Pt _xO _y、Pd _xSi _y、Pd _xN _y、Pd _xC _y、Pd _xO _y、及前述物的任何變化的一者或多者。在一或多個實施例中，兩個或多個第二元素的合金包括具有包含兩個元素的通式A _xB _y的其他化合物。

在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金具有包含兩個元素的通式A _xB _y及兩個或多個第二元素的合金具有包含兩個元素的通式A _xB _y，可形成包括一或多個第一元素與一或多個第二元素的合金。

在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金與兩個或多個第二元素的合金的每一者具有包含兩個元素的通式A _xB _y，具有在兩個或多個第一元素及兩個或多個第二元素之間的鍵結強度。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少250 kJ。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少200 kJ、至少150 kJ、至少100 kJ或至少50 kJ。

在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金與兩個或多個第二元素的合金的每一者具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z，其中x、y、及z的總和等於1。在一或多個實施例中，通式A _xB _yC _z包括A _0.1B _0.45C _0.45、A _0.2B _0.4C _0.4、A _0.3B _0.35C _0.35、A _0.4B _0.3C _0.3、A _0.5B _0.25C _0.25、A _0.6B _0.2C _0.2、A _0.7B _0.2C _0.1、A _0.8B _0.1C _0.1、A _0.9B _0.05C _0.05、A _0.45B _0.1C _0.45、A _0.4B _0.2C _0.4、A _0.35B _0.3C _0.35、A _0.3B _0.4C _0.3、A _0.25B _0.5C _0.25、A _0.2B _0.6C _0.2、A _0.2B _0.7C _0.1、A _0.1B _0.8C _0.1、A _0.05B _0.9C _0.05、A _0.45B _0.45C _0.1、A _0.4B _0.4C _0.2、A _0.35B _0.35C _0.3、A _0.3B _0.3C _0.4、A _0.25B _0.25C _0.5、A _0.2B _0.2C _0.6、A _0.1B _0.2C _0.7、A _0.1B _0.1C _0.8、A _0.05B _0.05C _0.9的一者或多者。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98，y從0.02至0.5。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第一元素的合金的實例包括但不限於Si _xB _yN _z、Si _xB _yC _z、Si _xB _yO _z、Si _xAl _yN _z、Si _xAl _yC _z、Si _xAl _yO _z、Si _xMg _yN _z、Si _xMg _yC _z、Si _xMg _yO _z、Si _xZr _yN _z、Si _xZr _yC _z、Si _xZr _yO _z、Si _xBa _yN _z、Si _xBa _yC _z、Si _xBa _yO _z、Si _xNb _yN _z、Si _xNb _yC _z、Si _xNb _yO _z、Si _xTi _yN _z、Si _xTi _yC _z、Si _xTi _yO _z、Si _xGd _yN _z、Si _xGd _yC _z、Si _xGd _yO _z、Si _xY _yN _z、Si _xY _yC _z、Si _xY _yO _z、Si _xCa _yN _z、Si _xCa _yC _z、Si _xCa _yO _z、B _xAl _ySi _z、B _xAl _yN _z、B _xAl _yC _z、B _xAl _yO _z、B _xMg _ySi _z、B _xMg _yN _z、B _xMg _yC _z、B _xMg _yO _z、B _xZr _ySi _z、B _xZr _yN _z、B _xZr _yC _z、B _xZr _yO _z、B _xBa _ySi _z、B _xBa _yN _z、B _xBa _yC _z、B _xBa _yO _z、B _xNb _ySi _z、B _xNb _yN _z、B _xNb _yC _z、B _xNb _yO _z、B _xTi _ySi _z、B _xTi _yN _z、B _xTi _yC _z、B _xTi _yO _z、B _xGd _ySi _z、B _xGd _yN _z、B _xGd _yC _z、B _xGd _yO _z、B _xY _ySi _z、B _xY _yN _z、B _xY _yC _z、B _xY _yO _z、B _xCa _ySi _z、B _xCa _yN _z、B _xCa _yC _z、B _xCa _yO _z、Al _xMg _ySi _z、Al _xMg _yN _z、Al _xMg _yC _z、Al _xMg _yO _z、Al _xZr _ySi _z、Al _xZr _yN _z、Al _xZr _yC _z、Al _xZr _yO _z、Al _xBa _ySi _z、Al _xBa _yN _z、Al _xBa _yC _z、Al _xBa _yO _z、Al _xNb _ySi _z、Al _xNb _yN _z、Al _xNb _yC _z、Al _xNb _yO _z、Al _xTi _ySi _z、Al _xTi _yN _z、Al _xTi _yC _z、Al _xTi _yO _z、Al _xGd _ySi _z、Al _xGd _yN _z、Al _xGd _yC _z、Al _xGd _yO _z、Al _xY _ySi _z、Al _xY _yN _z、Al _xY _yC _z、Al _xY _yO _z、Al _xCa _ySi _z、Al _xCa _yN _z、Al _xCa _yC _z、Al _xCa _yO _z、Mg _xZr _ySi _z、Mg _xZr _yN _z、Mg _xZr _yC _z、Mg _xZr _yO _z、Mg _xBa _ySi _z、Mg _xBa _yN _z、Mg _xBa _yC _z、Mg _xBa _yO _z、Mg _xNb _ySi _z、Mg _xNb _yN _z、Mg _xNb _yC _z、Mg _xNb _yO _z、Mg _xTi _ySi _z、Mg _xTi _yN _z、Mg _xTi _yC _z、Mg _xTi _yO _z、Mg _xGd _ySi _z、Mg _xGd _yN _z、Mg _xGd _yC _z、Mg _xGd _yO _z、Mg _xY _ySi _z、Mg _xY _yN _z、Mg _xY _yC _z、Mg _xY _yO _z、Mg _xCa _ySi _z、Mg _xCa _yN _z、Mg _xCa _yC _z、Mg _xCa _yO _z、Zr _xBa _ySi _z、Zr _xBa _yN _z、Zr _xBa _yC _z、Zr _xBa _yO _z、Zr _xNb _ySi _z、Zr _xNb _yN _z、Zr _xNb _yC _z、Zr _xNb _yO _z、Zr _xTi _ySi _z、Zr _xTi _yN _z、Zr _xTi _yC _z、Zr _xTi _yO _z、Zr _xGd _ySi _z、Zr _xGd _yN _z、Zr _xGd _yC _z、Zr _xGd _yO _z、Zr _xY _ySi _z、Zr _xY _yN _z、Zr _xY _yC _z、Zr _xY _yO _z、Zr _xCa _ySi _z、Zr _xCa _yN _z、Zr _xCa _yC _z、Zr _xCa _yO _z、Ba _xNb _ySi _z、Ba _xNb _yN _z、Ba _xNb _yC _z、Ba _xNb _yO _z、Ba _xTi _ySi _z、Ba _xTi _yN _z、Ba _xTi _yC _z、Ba _xTi _yO _z、Ba _xGd _ySi _z、Ba _xGd _yN _z、Ba _xGd _yC _z、Ba _xGd _yO _z、Ba _xY _ySi _z、Ba _xY _yN _z、Ba _xY _yC _z、Ba _xY _yO _z、Ba _xCa _ySi _z、Ba _xCa _yN _z、Ba _xCa _yC _z、Ba _xCa _yO _z、Nb _xTi _ySi _z、Nb _xTi _yN _z、Nb _xTi _yC _z、Nb _xTi _yO _z、Nb _xGd _ySi _z、Nb _xGd _yN _z、Nb _xGd _yC _z、Nb _xGd _yO _z、Nb _xY _ySi _z、Nb _xY _yN _z、Nb _xY _yC _z、Nb _xY _yO _z、Nb _xCa _ySi _z、Nb _xCa _yN _z、Nb _xCa _yC _z、Nb _xCa _yO _z、Ti _xGd _ySi _z、Ti _xGd _yN _z、Ti _xGd _yC _z、Ti _xGd _yO _z、Ti _xY _ySi _z、Ti _xY _yN _z、Ti _xY _yC _z、Ti _xY _yO _z、Ti _xCa _ySi _z、Ti _xCa _yN _z、Ti _xCa _yC _z、Ti _xCa _yO _z、Gd _xY _ySi _z、Gd _xY _yN _z、Gd _xY _yC _z、Gd _xY _yO _z、Gd _xCa _ySi _z、Gd _xCa _yN _z、Gd _xCa _yC _z、Gd _xCa _yO _z、Y _xCa _ySi _z、Y _xCa _yN _z、Y _xCa _yC _z、Y _xCa _yO _z、及前述物的任何變化的一者或多者。在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金包括具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的其他化合物。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第二元素的合金的實例包括但不限於Ru _xMo _ySi _z、Ru _xMo _yN _z、Ru _xMo _yC _z、Ru _xMo _yO _z、Ru _xTa _ySi _z、Ru _xTa _yN _z、Ru _xTa _yC _z、Ru _xTa _yO _z、Ru _xSb _ySi _z、Ru _xSb _yN _z、Ru _xSb _yC _z、Ru _xSb _yO _z、Ru _xTc _ySi _z、Ru _xTc _yN _z、Ru _xTc _yC _z、Ru _xTc _yO _z、Mo _xTa _ySi _z、Mo _xTa _yN _z、Mo _xTa _yC _z、Mo _xTa _yO _z、Mo _xSb _ySi _z、Mo _xSb _yN _z、Mo _xSb _yC _z、Mo _xSb _yO _z、Mo _xTc _ySi _z、Mo _xTc _yN _z、Mo _xTc _yC _z、Mo _xTc _yO _z、Ta _xSb _ySi _z、Ta _xSb _yN _z、Ta _xSb _yC _z、Ta _xSb _yO _z、Ta _xTc _ySi _z、Ta _xTc _yN _z、Ta _xTc _yC _z、Ta _xTc _yO _z、Sb _xTc _ySi _z、Sb _xTc _yN _z、Sb _xTc _yC _z、Sb _xTc _yO _z、Nb _xMo _ySi _z、Nb _xMo _yN _z、Nb _xMo _yC _z、Nb _xMo _yO _z、Nb _xTa _ySi _z、Nb _xTa _yN _z、Nb _xTa _yC _z、Nb _xTa _yO _z、Nb _xSb _ySi _z、Nb _xSb _yN _z、Nb _xSb _yC _z、Nb _xSb _yO _z、Nb _xTc _ySi _z、Nb _xTc _yN _z、Nb _xTc _yC _z、Nb _xTc _yO _z、Nb _xIr _ySi _z、Nb _xIr _yN _z、Nb _xIr _yC _z、Nb _xIr _yO _z、Nb _xPt _ySi _z、Nb _xPt _yN _z、Nb _xPt _yC _z、Nb _xPt _yO _z、Nb _xPd _ySi _z、Nb _xPd _yN _z、Nb _xPd _yC _z、Nb _xPd _yO _z、Ir _xMo _ySi _z、Ir _xMo _yN _z、Ir _xMo _yC _z、Ir _xMo _yO _z、Ir _xTa _ySi _z、Ir _xTa _yN _z、Ir _xTa _yC _z、Ir _xTa _yO _z、Ir _xSb _ySi _z、Ir _xSb _yN _z、Ir _xSb _yC _z、Ir _xSb _yO _z、Ir _xTc _ySi _z、Ir _xTc _yN _z、Ir _xTc _yC _z、Ir _xPt _ySi _z、Ir _xPt _yN _z、Ir _xPt _yC _z、Ir _xPt _yO _z、Ir _xPd _ySi _z、Ir _xPd _yN _z、Ir _xPd _yC _z、Ir _xPd _yO _z、Pt _xMo _ySi _z、Pt _xMo _yN _z、Pt _xMo _yC _z、Pt _xMo _yO _z、Pt _xTa _ySi _z、Pt _xTa _yN _z、Pt _xTa _yC _z、Pt _xTa _yO _z、Pt _xSb _ySi _z、Pt _xSb _yN _z、Pt _xSb _yC _z、Pt _xSb _yO _z、Pt _xTc _ySi _z、Pt _xTc _yN _z、Pt _xTc _yC _z、Pt _xPd _ySi _z、Pt _xPd _yN _z、Pt _xPd _yC _z、Pt _xPd _yO _z、Pd _xMo _ySi _z、Pd _xMo _yN _z、Pd _xMo _yC _z、Pd _xMo _yO _z、Pd _xTa _ySi _z、Pd _xTa _yN _z、Pd _xTa _yC _z、Pd _xTa _yO _z、Pd _xSb _ySi _z、Pd _xSb _yN _z、Pd _xSb _yC _z、Pd _xSb _yO _z、Pd _xTc _ySi _z、Pd _xTc _yN _z、Pd _xTc _yC _z、及前述物的任何變化的一者或多者。在一或多個實施例中，兩個或多個第二元素的合金包括具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的其他化合物。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第一元素的合金及具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第二元素的合金可形成包括一或多個第一元素與一或多個第二元素的合金。

在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金與兩個或多個第二元素的合金的每一者具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z，具有在兩個或多個第一元素及兩個或多個第二元素之間的鍵結強度。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少250 kJ。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少200 kJ、至少150 kJ、至少100 kJ或至少50 kJ。

因為大部分的材料吸收在極紫外線波長處的光，所使用的光學元件是反射性而非在其他微影系統中使用的穿透性。藉由使交替的材料薄層帶有不同的光學性質以創造布拉格反射器或鏡子，多層反射堆疊306形成反射結構。

多層反射堆疊306以各種方法形成。在一實施例中，第一層312與第二層314以磁控濺鍍、離子濺鍍系統、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或前述方法的組合來形成。

在一說明性實施例中，使用諸如磁控濺鍍的物理氣相沉積技術形成多層反射堆疊306。在一實施例中，多層反射堆疊306的第一層312與第二層314具有藉由磁控濺鍍技術所形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度、及層間的乾淨介面。在一實施例中，多層反射堆疊306的第一層312與第二層314具有藉由物理氣相沉積所形成的特性，包括精確厚度、低粗糙度、及層間的乾淨界面。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊306具有的粗糙度相較於不包括第一層312的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者，或第二層314的合金、氮化物、碳化物、氧化物、或矽化物的至少一者的多層反射堆疊為降低的。

在一或多個實施例中，不包括第一層312的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者，或第二層314的合金、氮化物、碳化物、氧化物、或矽化物的至少一者的多層反射堆疊具有粗糙度為大於0.3 nm。

在一或多個實施例中，具有第一層312的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者，或第二層314的合金、氮化物、碳化物、氧化物、或矽化物的至少一者的多層反射堆疊306具有粗糙度在範圍從約0.15 nm至約0.30 nm、從約0.16 nm至約0.29 nm、從約0.17 nm至約0.28 nm、從約0.18 nm至約0.27 nm、從約0.19 nm至約0.26 nm、從約0.20 nm至約0.25 nm、從約0.21 nm至約0.24 nm、或從約0.22 nm至約0.23 nm。

在一實施例中，每個交替層具有對於極紫外光112相異的光學常數。當交替層的厚度的週期是極紫外光112的波長的一半時，交替層提供共振反射率。在一實施例中，對於波長13 nm處的極紫外光112，交替層是約6.5 nm厚。理解到所提供的尺寸與尺度是在典型元件的一般工程容限內。

使用物理氣相沉積技術形成的多層反射堆疊306的層的實際尺寸被精確控制以增加反射率。層的厚度規定極紫外線反射元件的峰值反射率波長。若層的厚度不正確，則在期望的波長13.5 nm處的反射率會降低。在一或多個實施例中，第一層312與第二層314的每一者具有厚度在範圍從約2 nm至約5 nm。在一或多個實施例中，第一層312與第二層314的每一者具有厚度在範圍從約2.5 nm至約4.5 nm或範圍從約3 nm至約4 nm。在一或多個實施例中，第一層312的厚度與第二層314的厚度不同。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊306的每一對的交替層316具有厚度在範圍從約5 nm至約10 nm。在一或多個實施例中，多層反射堆疊306的每一對的交替層316具有厚度在範圍從約6 nm至約9 nm或從約7 nm至約8 nm。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊306具有厚度在範圍從約150 nm至約400 nm。在一或多個實施例中，多層反射堆疊306具有厚度在範圍從約175 nm至約375 nm、從約200 nm至約350 nm、從約225 nm至約325 nm、或從約250 nm至約300 nm。

在一實施例中，多層反射堆疊306具有大於60%的反射率。在一實施例中，使用物理氣相沉積形成的多層反射堆疊306具有範圍為66%-67%的反射率。在一或多個實施例中，在以較硬的材料形成的多層反射堆疊306上方形成覆蓋層308改善反射率。在一些實施例中，使用低粗糙度層、層間的乾淨界面、改善的層材料、或前述物的組合來達成大於70%的反射率。

現在參照第5圖，顯示極紫外線反射元件402的一實施例。在一或多個實施例中，極紫外線反射元件402是第3圖的EUV遮罩毛胚204或第3圖的極紫外線鏡205。EUV遮罩毛胚204與極紫外線鏡205為用於反射第2圖的極紫外光112的結構。EUV遮罩毛胚204用以形成第2圖中顯示的EUV反射遮罩106。

在一或多個實施例中，極紫外線反射元件402包括基板404、多層反射堆疊406、及覆蓋層408。在一或多個實施例中，極紫外線鏡205用以形成反射結構，其用於使用在第2圖的聚光器104或第2圖的光學縮減組件108。

在一或多個實施例中，極紫外線反射元件402(其在一些實施例中為EUV遮罩毛胚204)包括基板404、多層反射堆疊406，包含複數對的交替層，交替層包含第一層412與第二層416、介面層414，在第一層412與第二層416之間、覆蓋層408、及吸收劑層410，在覆蓋層408上。在一些實施例中，極紫外線反射元件402為EUV遮罩毛胚204，其藉由以所需求的電路佈局圖案化吸收劑層410而用以形成第2圖的EUV反射遮罩106。在一或多個實施例中，當交替的第一層412與第二層416的多層堆疊被形成帶有在其之間且作用為平滑層的介面層414時，介面層414降低第二層416的粗糙度以促進在第二層416的頂部上的平滑第一層412的成長。在一或多個實施例中，多層堆疊的粗糙度降低增加多層的反射率與增強反射的頻寬。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊406為反射極紫外光112的結構。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406包含複數對的交替層，交替層包含第一層412與第二層416。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406包含在第一層412與第二層416之間的介面層414。

在一或多個實施例中，第一層412、第二層416與介面層414形成反射層的群組418。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406具有20-60個反射層的群組418。

在一或多個實施例中，第一層412包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的第一元素。在一或多個實施例中，第一層412包括兩個或多個第一元素的合金、第一元素的氮化物、第一元素的碳化物、第一元素的氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的矽化物。

在一或多個實施例中，第二層416包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的第二元素。在一或多個實施例中，第二層416包括兩個或多個第二元素的合金、第二元素的氮化物、第二元素的碳化物、第二元素的氧化物、及第二元素的矽化物。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊406包含在第一層412與第二層416之間的介面層414。在一或多個實施例中，介面層414包括選自由Si、B、C、Al、Mo、Ru所組成的群組的介面元素、介面元素的合金、介面元素的氮化物、介面元素的碳化物、介面元素的氧化物、及介面元素的矽化物。在一或多個實施例中，當介面層414包含Si與第一層412包含Si時，介面層414的性質與第一層412的性質不同。在一或多個實施例中，當介面層414包含Ru與第二層416包含Ru時，介面層414的性質與第二層416的性質不同。在一或多個實施例中，當介面層414包含Mo與第二層416包含Mo時，介面層414的性質與第二層416的性質不同。

在一或多個實施例中，介面元素的合金具有包含兩個元素的通式A _xB _y，其中x與y的總和等於1。在一或多個實施例中，通式A _xB _y包括A _0.1B _0.9、A _0.2B _0.8、A _0.3B _0.7、A _0.4B _0.6、A _0.5B _0.5、A _0.6B _0.4、A _0.7B _0.3、A _0.8B _0.2、及A _0.9B _0.1的一者或多者。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98。在一或多個實施例中，其中x從0.5至0.98，y從0.02至0.5。

在一或多個實施例中，具有包含兩個元素的通式A _xB _y的介面元素的合金的實例包括但不限於Si _xN _y、Si _xC _y、Si _xO _y、B _xSi _y、B _xN _y、B _xC _y、B _xO _y、C _xSi _y、C _xN _y、C _xO _y、Al _xN _y、Al _xSi _y、Al _xC _y、Al _xO _y、Si _xB _y、Si _xAl _y、B _xC _y、B _xAl _y、C _xAl _y、Mo _xSi _y、Mo _xN _y、Mo _xC _y、Mo _xO _y、Ru _xSi _y、Ru _xN _y、Ru _xC _y、Ru _xO _y、Mo _xRu _y、及前述物的變化的一者或多者。在一或多個實施例中，介面元素的合金包括具有包含兩個元素的通式A _xB _y的其他化合物。

在一或多個實施例中，具有包含兩個元素的通式A _xB _y的兩個或多個第一元素的合金、具有包含兩個元素的通式A _xB _y的兩個或多個第二元素的合金、及具有包含兩個元素的通式A _xB _y的介面元素的合金可形成包括一或多個第一元素、一或多個第二元素、及一或多個介面元素的合金。

在一或多個實施例中，介面元素的合金具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z，其中x、y、與z的總和等於1。在一或多個實施例中，通式A _xB _yC _z包括A _0.1B _0.45C _0.45、A _0.2B _0.4C _0.4、A _0.3B _0.35C _0.35、A _0.4B _0.3C _0.3、A _0.5B _0.25C _0.25、A _0.6B _0.2C _0.2、A _0.7B _0.2C _0.1、A _0.8B _0.1C _0.1、A _0.9B _0.05C _0.05、A _0.45B _0.1C _0.45、A _0.4B _0.2C _0.4、A _0.35B _0.3C _0.35、A _0.3B _0.4C _0.3、A _0.25B _0.5C _0.25、A _0.2B _0.6C _0.2、A _0.2B _0.7C _0.1、A _0.1B _0.8C _0.1、A _0.05B _0.9C _0.05、A _0.45B _0.45C _0.1、A _0.4B _0.4C _0.2、A _0.35B _0.35C _0.3、A _0.3B _0.3C _0.4、A _0.25B _0.25C _0.5、A _0.2B _0.2C _0.6、A _0.1B _0.2C _0.7、A _0.1B _0.1C _0.8、A _0.05B _0.05C _0.9的一者或多者。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98。在一或多個實施例中，x從0.5至0.98，y從0.02至0.5。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的介面元素的合金的實例包括但不限於Si _xB _yN _z、Si _xB _yC _z、Si _xB _yO _z、Si _xC _yN _z、Si _xC _yO _z、Si _xAl _yO _z、Si _xAl _yN _z、Si _xAl _yC _z、B _xC _ySi _z、B _xC _yN _z、B _xC _yO _z、B _xAl _ySi _z、B _xAl _yN _z、B _xAl _yC _z、B _xAl _yO _z、C _xAl _ySi _z、C _xAl _yN _z、C _xAl _yO _z、Mo _xB _yN _z、Mo _xB _yC _z、Mo _xB _yO _z、Mo _xC _yN _z、Mo _xC _yO _z、Mo _xAl _yO _z、Mo _xAl _yN _z、Mo _xAl _yC _z、Mo _xRu _ySi _z、Mo _xRu _yN _z、Mo _xRu _yC _z、Mo _xRu _yO _z、Ru _xB _yN _z、Ru _xB _yC _z、Ru _xB _yO _z、Ru _xC _yN _z、Ru _xC _yO _z、Ru _xAl _yO _z、Ru _xAl _yN _z、Ru _xAl _yC _z、及前述物的任何變化的一者或多者。在一或多個實施例中，介面元素的合金包括具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的其他化合物。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第一元素的合金、具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第二元素的合金、及具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的介面元素的合金可形成包括一或多個第一元素、一或多個第二元素、及一或多個介面元素的合金。

在一或多個實施例中，具有包含三個元素的通式A _xB _yC _z的兩個或多個第一元素的合金、兩個或多個第二元素的合金、與介面元素的合金的每一者具有在兩個或多個第一元素、兩個或多個第二元素、及介面元素之間的鍵結強度。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少250 kJ。在一或多個實施例中，鍵結強度為至少200 kJ、至少150 kJ、至少100 kJ或至少50 kJ。

在一或多個實施例中，兩個或多個第一元素的合金、兩個或多個第二元素的合金、與介面元素的合金之間的鍵結強度大於不具有介面元素的合金之兩個或多個第一元素的合金與兩個或多個第二元素的合金之間的鍵結強度。

在一或多個實施例中，第一層412與第二層416的每一者具有厚度在範圍從約2 nm至約5 nm。在一或多個實施例中，第一層412與第二層416的每一者具有厚度在範圍從約2.5 nm至約4.5 nm或在範圍從約3 nm至約4 nm。在一或多個實施例中，第一層412的厚度與第二層416的厚度不同。

在一或多個實施例中，介面層414具有厚度在範圍從約0 nm至約1.3 nm。在一或多個實施例中，介面層414具有厚度在範圍從約0.1 nm至約1.3 nm、從約0.2 nm至約1.2 nm、從約0.3 nm至約1.1 nm、從約0.4 nm至約1.0 nm、從約0.5 nm至約0.9 nm、或約0.6 nm至約0.8 nm。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊406的反射層的每個群組418具有厚度在範圍從約5 nm至約10 nm。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406的反射層的每個群組418具有厚度在範圍從約6 nm至約9 nm或從約7 nm至約8 nm。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406具有40個反射層的群組418，每個群組418具有一厚度。在一或多個實施例中，反射層的每個群組418具有相同厚度。在一或多個實施例中，反射層的每個群組418具有不同厚度。

在一或多個實施例中，多層反射堆疊406具有厚度在範圍從約150 nm至約450 nm。在一或多個實施例中，多層反射堆疊406具有厚度在範圍從約175 nm至約425 nm、從約200 nm至約400 nm、從約225 nm至約375 nm、從約250 nm至約350 nm、或從約275 nm至約325 nm。

在一或多個實施例中，相較於不包括第一層412的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、第二層416的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、或介面層414的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者的多層反射堆疊，多層反射堆疊406具有降低的粗糙度。

在一或多個實施例中，不包括第一層412的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、第二層416的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、或介面層414的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者的多層反射堆疊具有粗糙度為大於0.3 nm。

在一或多個實施例中，包括第一層412的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、第二層416的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者、或介面層414的合金、氮化物、碳化物、氧化物或矽化物的至少一者的多層反射堆疊406具有粗糙度在範圍從約0.15 nm至約0.30 nm、從約0.16 nm至約0.29 nm、從約0.17 nm至約0.28 nm、從約0.18 nm至約0.27 nm、從約0.19 nm至約0.26 nm、從約0.20 nm至約0.25 nm、從約0.21 nm至約0.24 nm、或從約0.22 nm至約0.23 nm。

在一或多個實施例中，介面層414具有多層堆疊406的密度的至少95%的密度。在一或多個實施例中，介面層414具有多層堆疊406的密度的至少85%、至少75%、至少65%或至少50%的密度。

在一或多個實施例中，介面層414在至少1400 °C的溫度下是熱穩定的。 在一或多個實施例中，介面層在至少1200 °C、至少1000 °C、至少800 °C、至少600 °C、或至少400 °C的溫度下是熱穩定的。

再次參照第4與5圖，覆蓋層是容許極紫外光112穿透的保護層。在一或多個實施例中，第4圖的覆蓋層308與第5圖的覆蓋層408具有相同性質及可參照第4圖與第5圖的任一者或兩者來說明。參照第5圖，覆蓋層408直接形成在多層反射堆疊406上。在一或多個實施例中，覆蓋層408保護多層反射堆疊406免於污染物與機械損傷。在一個實施例中，多層反射堆疊406對於氧、碳、碳氫化合物、或前述物的組合的污染是敏感的。根據一實施例的覆蓋層408與污染物相互作用以中和污染物。

在一或多個實施例中，覆蓋層408是對於極紫外光112為透明的光學均勻結構。極紫外光112通過覆蓋層408以從多層反射堆疊406反射。在一或多個實施例中，覆蓋層408具有1%至2%的總反射率損失。在一或多個實施例中，不同材料的各者具有取決於厚度的不同反射率損失，但反射率損失的總體會在1%至2%的範圍中。

在一或多個實施例中，覆蓋層408具有平滑表面。例如，覆蓋層408的表面在某些實施例中具有小於0.2 nm RMS(均方根量測)的粗糙度。在另一實例中，覆蓋層408的表面具有對於長度在範圍1/100 nm與1/1 µm中的0.08 nm RMS的粗糙度。RMS粗糙度會隨著所量測的範圍而變動。對於100 nm至1微米的特定範圍，粗糙度為0.08 nm或更小。在較大的範圍上的粗糙度會是較高的。

覆蓋層408以各種方法形成。在一實施例中，覆蓋層408以磁控濺鍍、離子濺鍍系統、離子束沉積、電子束蒸鍍、射頻(RF)濺鍍、原子層沉積(ALD)、脈衝雷射沉積、陰極電弧沉積、或前述方法的組合而形成在或直接在多層反射堆疊406上。在一或多個實施例中，覆蓋層408具有藉由磁控濺鍍技術所形成的實體特性，包括精確厚度、低粗糙度、及層間的乾淨界面。在一實施例中，覆蓋層408具有藉由物理氣相沉積所形成的實體特性，包括精確厚度、低粗糙度、及層間的乾淨界面。

在一或多個實施例中，覆蓋層408由具有足以在清洗期間抵抗腐蝕的硬度的各種材料形成。在一個實施例中，釕用於作為覆蓋層材料，因為其是良好的蝕刻終止且在操作條件下是相對惰性的。然而，理解到在某些實施例中使用其他材料以形成覆蓋層408。在特定實施例中，覆蓋層408具有範圍為2.5與5.0 nm中的厚度。

再次參照第4與5圖，吸收劑層是吸收極紫外光112的層。在一或多個實施例中，第4圖的吸收劑層310與第5圖的吸收劑層410具有相同性質且可參照第4圖與第5圖的任一者或兩者來說明。參照第5圖，吸收劑層410用於藉由提供不反射極紫外光112的區域來在EUV反射遮罩106上形成圖案。根據一或多個實施例的吸收劑層410包含具有對於極紫外光112的特定頻率(諸如約13.5 nm)的高吸收係數的材料。在一實施例中，吸收劑層410直接形成在覆蓋層408上，且使用光微影處理來蝕刻吸收劑層410以形成EUV反射遮罩106的圖案。

根據一或多個實施例，諸如極紫外線鏡205的極紫外線反射元件402被形成具有基板404、多層反射堆疊406、及覆蓋層408。極紫外光鏡205具有光學平坦表面且有效地及均勻地反射極紫外光112。

根據一或多個實施例，諸如EUV遮罩毛胚204的極紫外線反射元件402被形成具有基板404、多層反射堆疊406、覆蓋層408、吸收劑層410。遮罩毛胚204具有光學平坦表面且有效地及均勻地反射極紫外光112。在一實施例中，以EUV遮罩毛胚204的吸收劑層410來形成遮罩圖案114。

根據一或多個實施例，在覆蓋層408上方形成吸收劑層410增加EUV反射遮罩106的可靠性。覆蓋層408作為用於吸收劑層410的蝕刻終止層。當第2圖的遮罩圖案114被蝕刻進入吸收劑層410時，吸收劑層410之下的覆蓋層408停止蝕刻動作以保護多層反射堆疊406。在一或多個實施例中，吸收劑層410對於覆蓋層408為蝕刻選擇性的。在一些實施例中，覆蓋層408包含釕，且吸收劑層410對於釕是蝕刻選擇性的。

在一或多個實施例中，吸收劑層410具有「n」值為小於0.92，其提供範圍從約180度至約220度的相位移。小於約0.92的「n」值改善標準化影像對數斜率(NILS)與減緩3D效應。在此說明書與隨附申請專利範圍中使用時，「標準化影像對數斜率(NILS)」指稱敘述空中影像(aerial image)的微影品質的度量。在此說明書與隨附申請專利範圍中使用時，「n」或「n」值指稱折射率。折射率是當從一介質行進進入另一介質時的光線的彎曲的測量。低「n」值改善NILS與減緩3D效應。

在一實施例中，吸收劑層410具有厚度為小於約55 nm，包括小於約50 nm、小於約45 nm、小於約40 nm、小於約35 nm、小於約30 nm、小於約25 nm、小於約20 nm、小於約15 nm、小於約10 nm、小於約5 nm、小於約1 nm、或小於約0.5 nm。在其他實施例中，吸收劑層310具有厚度在範圍為約0.5 nm至約55 nm，包括範圍為約1 nm至約54 nm、1 nm至約50 nm、及15 nm至約50 nm。

現在參照第6圖，顯示出根據一實施例的多陰極腔室600的上部分。多陰極腔室600包括帶有被頂配接器604覆蓋的圓柱體部分602的基底結構601。頂配接器604配備有若干個陰極源，諸如陰極源606、608、610、612、及614，定位環繞頂配接器604。根據一或多個實施例之陰極源606、608、610、612、及614包含如本文所述的不同材料以形成多層反射堆疊。

在某些實施例中，多陰極源腔室600為第3圖所示的系統的一部分。在一實施例中，極紫外線(EUV)遮罩毛胚生產系統包含用於創造真空的基板處理真空腔室，在真空中的基板處理平台用於移送載入在基板處理真空腔室中的基板，及藉由基板處理平台而可進出的多個子腔室用於形成EUV遮罩毛胚，包括基板上的反射層的多層堆疊，包括複數個反射層對的多層堆疊，反射層的多層堆疊上的覆蓋層，及覆蓋層上的吸收劑層。此系統用以製造關於第4圖或第5圖所示的EUV遮罩毛胚，且具有關於上文第4-5圖所述的EUV遮罩毛胚的任何性質。

處理通常可儲存在記憶體中作為軟體常式，當藉由處理器執行軟體常式時，使得處理腔室執行本揭示的處理。軟體常式也可藉由位於被處理器所控制的硬體遠端處的第二處理器(未示出)被儲存及/或執行。本揭示的一些或所有的方法也可執行在硬體中。因此，此處理可實施在軟體中並使用電腦系統執行在硬體中，例如，作為特殊應用積體電路或其他類型的硬體實施方式，或作為軟體及硬體的組合。當藉由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉變為特定目的電腦(控制器)，其控制腔室操作以執行處理。

本說明書中從頭到尾提及「一個實施例(one embodiment)」、「某些實施例」、「一或多個實施例」、或「一實施例(an embodiment)」意指關於實施例中所說明的特定特徵、結構、材料、或特性被包括在本揭示的至少一個實施例中。因此，在本說明書中從頭到尾的各處出現的諸如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中(in one embodiment)」或「在一實施例中(in an embodiment)」的片語並不必然指稱本揭示中相同的實施例。再者，特定的特徵、結構、材料、或特性可以任何合適的方式結合在一或多個實施例中。

儘管本揭示在此已經參照特定實施例說明，但將理解到這些實施例僅為範例。在不背離本揭示的精神與範疇下，可對本揭示的方法與設備進行各種修改與變化，對於本領域的熟習技藝者是顯而易見的。因此，本揭示意於包括落在隨附申請專利範圍及其等效物的範疇內的修改與變化。

10:EUV反射遮罩 12:反射多層堆疊 14:基板 16:遮蓋(非反射)區域 18:緩衝層 20:吸收劑層 22:覆蓋層 24:反射區域 100:極紫外線微影術系統 102:極紫外光源 104:聚光器 106:EUV反射遮罩 108:光學縮減組件 110:目標晶圓 112:極紫外光 114:遮罩圖案 200:極紫外線反射元件生產系統 202:晶圓裝載及載具處理系統 203:源基板 204:EUV遮罩毛胚 205:極紫外線鏡 206:大氣處理系統 208:晶圓處理真空腔室 210:第一真空腔室 212:第二真空腔室 214:第一晶圓處理系統 216:第二晶圓處理系統 218:除氣系統 220:第一物理氣相沉積系統 222:第二物理氣相沉積系統 224:預清洗系統 226:第一多陰極源 228:化學氣相沉積系統 230:固化腔室 232:極平滑沉積腔室 302:極紫外線反射元件 304:基板 306:多層反射堆疊 308:覆蓋層 310:吸收劑層 312:第一層 314:第二層 316:交替層 402:極紫外線反射元件 404:基板 406:多層反射堆疊 408:覆蓋層 410:吸收劑層 412:第一層 414:介面層 416:第二層 418:反射層的群組 600:多陰極源腔室 601:基底結構 602:圓柱體部分 604:頂配接器 606,608,610,612,614:陰極源

藉由參照實施例，其中一些實施例繪示在隨附圖式中，可獲得簡短總結於上之本發明的更具體的說明，而可詳細理解本發明的上述特徵所用方式。然而，將注意到隨附圖式僅繪示本發明的典型實施例且因而不當作限制本發明的範疇，本發明可容許其他等效實施例。

第1圖圖解地繪示利用習知吸收劑的EUV反射遮罩的背景技術；

第2圖圖解地繪示極紫外線微影術系統的實施例；

第3圖繪示極紫外線反射元件生產系統的實施例；

第4圖繪示諸如EUV遮罩毛胚的極紫外線反射元件的實施例；

第5圖繪示諸如EUV遮罩毛胚的極紫外線反射元件的實施例；及

第6圖繪示多陰極物理沉積腔室的實施例。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

402:極紫外線反射元件

404:基板

406:多層反射堆疊

408:覆蓋層

410:吸收劑層

412:第一層

414:介面層

416:第二層

418:反射層的群組

Claims (20)

1. 一種極紫外線(EUV)遮罩毛胚，包含： 在一基板上的一多層反射堆疊，該多層反射堆疊包含複數對的交替層，該等交替層包含一第一層與一第二層，該第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的一第一元素；及該第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的一第二元素，其中 該第一層包含以下的至少一者：該第一元素的兩者或更多者的一合金、該第一元素的一氮化物、該第一元素的一碳化物、該第一元素的一氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的一矽化物；或 該第二層包含以下的至少一者：該第二元素的兩者或更多者的一合金、該第二元素的一氮化物、該第二元素的一碳化物、該第二元素的一氧化物、及該第二元素的一矽化物； 在該多層反射堆疊上的一覆蓋層；及 在該覆蓋層上的一吸收劑層。
2. 如請求項1所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊具有一粗糙度，該粗糙度相較於不包括該第一層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者，或該第二層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者的一多層反射堆疊是降低的。
3. 如請求項2所述之EUV遮罩毛胚，其中該第一層與該第二層的每一者具有在從約2 nm至約5 nm的一範圍中的一厚度。
4. 如請求項3所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊的該等交替層的每一對具有在從約5 nm至約10 nm的一範圍中的一厚度。
5. 如請求項4所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊具有在從約150 nm至約450 nm的一範圍中的一厚度。
6. 如請求項1所述之EUV遮罩毛胚，其中該兩個或更多個第一元素的該合金及該兩個或更多個第二元素的該合金的每一者具有包含兩個元素的一通式A _xB _y，其中x與y的總和等於1。
7. 如請求項1所述之EUV遮罩毛胚，其中該兩個或更多個第一元素的該合金及該兩個或更多個第二元素的該合金的每一者具有包含三個元素的一通式A _xB _yC _z，其中x、y與z的總和等於1。
8. 一種極紫外線(EUV)遮罩毛胚，包含： 在一基板上的一多層反射堆疊，該多層反射堆疊包含複數對的交替層，該等交替層包含一第一層與一第二層，該第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的一第一元素；及該第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的一第二元素； 在該第一層與該第二層之間的一介面層，該介面層包括選自由Si、B、C、Al、Mo、Ru所組成的群組的一介面元素、該介面元素的一合金、該介面元素的一氮化物、該介面元素的一碳化物、該介面元素的一氧化物、及該介面元素的一矽化物，其中當該介面層包含Si及該第一層包含Si時，該介面層的性質不同於該第一層的性質，及其中相較於不包括在該第一層與該第二層之間的一介面層的一多層反射堆疊，該介面層降低該多層反射堆疊的粗糙度； 在該多層反射堆疊上的一覆蓋層；及 在該覆蓋層上的一吸收劑層。
9. 如請求項8所述之EUV遮罩毛胚，其中該第一層與該第二層的每一者具有在從約2 nm至約5 nm的一範圍中的一厚度。
10. 如請求項8所述之EUV遮罩毛胚，其中該介面層具有在從約0 nm至約1.3 nm的一範圍中的一厚度。
11. 如請求項8所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊的反射層的每個群組具有在從約5 nm至約10 nm的一範圍中的一厚度。
12. 如請求項8所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊具有在從約150 nm至約450 nm的一範圍中的一厚度。
13. 如請求項8所述之EUV遮罩毛胚，其中該多層反射堆疊具有一粗糙度，該粗糙度相較於不包括該第一層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者，該第二層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者，或該介面層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者的一多層反射堆疊是降低的。
14. 一種降低一多層反射堆疊的粗糙度的方法，該方法包含以下步驟： 在一基板上形成多層反射堆疊，該多層反射堆疊包含複數對的交替層，該等交替層包含一第一層與一第二層，該第一層包括選自由Si、B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca所組成的群組的一第一元素；及該第二層包括選自由Ru、Mo、Ta、Sb、Tc、Nb、Ir、Pt、及Pd所組成的群組的一第二元素； 在該第一層與該第二層的至少一者中形成： 該第一元素的兩者或更多者的一合金、該第一元素的一氮化物、該第一元素的一碳化物、該第一元素的一氧化物、及B、Al、Mg、Zr、Ba、Nb、Ti、Gd、Y、及Ca的一矽化物中的至少一者； 該第二元素的兩者或更多者的一合金、該第二元素的一氮化物、該第二元素的一碳化物、該第二元素的一氧化物、及該第二元素的一矽化物中的至少一者； 在該多層反射堆疊上形成一覆蓋層；及 在該覆蓋層上形成一吸收劑層。
15. 如請求項14所述之方法，進一步包含以下步驟：在該第一層與該第二層之間形成一介面層，該介面層包括選自由Si、B、C、Al、Mo、Ru所組成的群組的一介面元素、該介面元素的一合金、該介面元素的一氮化物、該介面元素的一碳化物、該介面元素的一氧化物、及該介面元素的一矽化物，其中當該介面層包含Si及該第一層包含Si時，該介面層的性質不同於該第一層的性質。
16. 如請求項14所述之方法，其中該第一層與該第二層的每一者具有在從約2 nm至約5 nm的一範圍中的一厚度。
17. 如請求項15所述之方法，其中該介面層具有在從約0 nm至約1.3 nm的一範圍中的一厚度。
18. 如請求項14所述之方法，其中該多層反射堆疊具有在從約150 nm至約450 nm的一範圍中的一厚度。
19. 如請求項14所述之方法，其中該兩個或更多個第一元素的該合金及該兩個或更多個第二元素的該合金的每一者具有以下的一者或多者：包含兩個元素的一通式A _xB _y，其中x與y的總和等於1，及包含三個元素的一通式A _xB _yC _z，其中x、y與z的總和等於1。
20. 如請求項14所述之方法，其中該多層反射堆疊具有一粗糙度，該粗糙度相較於不包括該第一層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者，或該第二層的該合金、該氮化物、該碳化物、該氧化物、或該矽化物的至少一者的一多層反射堆疊是降低的。

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