JP3529676B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3529676B2 JP3529676B2 JP26271199A JP26271199A JP3529676B2 JP 3529676 B2 JP3529676 B2 JP 3529676B2 JP 26271199 A JP26271199 A JP 26271199A JP 26271199 A JP26271199 A JP 26271199A JP 3529676 B2 JP3529676 B2 JP 3529676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- plate
- shield
- circle
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D45/00—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces
- B01D45/04—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by utilising inertia
- B01D45/08—Separating dispersed particles from gases or vapours by gravity, inertia, or centrifugal forces by utilising inertia by impingement against baffle separators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
や真空蒸着装置等のＰＶＤ法による半導体製造装置に係
わり、特に遮蔽板の洗浄頻度を低くすることができるマ
ルチカソードスパッタリング装置とその遮蔽板、遮蔽器
と半導体装置の製造方法に関する。
や真空蒸着装置等のＰＶＤ法による半導体製造装置に係
わり、特に遮蔽板の洗浄頻度を低くすることができるマ
ルチカソードスパッタリング装置とその遮蔽板、遮蔽器
と半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置においては、グランドルール
の縮小化と配線の多層化によって、層間接続孔のアスペ
クト比（接続孔深さ／孔径）がますます大きくなり、通
常のスパッタリング法による埋め込みが困難になってき
ている。従来は通常のスパッタリング法に比べターゲッ
トと基板との距離を伸ばしたロングスロースパッタリン
グ法を用いていた。スパッタリングされた粒子の基板に
直進した成分のみで成膜するので、層間接続孔内でも成
膜が可能になり、膜のカバレッジも信頼性が確保できる
所定の水準に達していた。しかし、ロングスロースパッ
タリング法は原理的に基板の周辺部に位置する層間接続
孔内の膜のカバレッジに非対称性が生じるという問題が
あった。また基板全面の膜厚の均一性を高く維持するの
は難しいという問題があった。今後、基板であるシリコ
ンウェーハの大口径化によって、成膜時の均一性および
カバレッジの非対称性はますます問題となると考えられ
る。
の縮小化と配線の多層化によって、層間接続孔のアスペ
クト比（接続孔深さ／孔径）がますます大きくなり、通
常のスパッタリング法による埋め込みが困難になってき
ている。従来は通常のスパッタリング法に比べターゲッ
トと基板との距離を伸ばしたロングスロースパッタリン
グ法を用いていた。スパッタリングされた粒子の基板に
直進した成分のみで成膜するので、層間接続孔内でも成
膜が可能になり、膜のカバレッジも信頼性が確保できる
所定の水準に達していた。しかし、ロングスロースパッ
タリング法は原理的に基板の周辺部に位置する層間接続
孔内の膜のカバレッジに非対称性が生じるという問題が
あった。また基板全面の膜厚の均一性を高く維持するの
は難しいという問題があった。今後、基板であるシリコ
ンウェーハの大口径化によって、成膜時の均一性および
カバレッジの非対称性はますます問題となると考えられ
る。
【０００３】そこで、これらの問題を解決する方法とし
て、チャンバ内に各々ターゲットを持つ複数のカソード
を備えたマルチカソードスパッタリング装置が特開平１
０−１２１２３５号と特開平１１−２９８５９号公報に
提案されている。マルチカソードスパッタリング装置で
は、各カソードからスパッタリングされた粒子によって
カソード直下の領域にしか成膜されないように遮蔽板が
設けられており、膜のカバレッジの非対称性が生じなく
なっている。
て、チャンバ内に各々ターゲットを持つ複数のカソード
を備えたマルチカソードスパッタリング装置が特開平１
０−１２１２３５号と特開平１１−２９８５９号公報に
提案されている。マルチカソードスパッタリング装置で
は、各カソードからスパッタリングされた粒子によって
カソード直下の領域にしか成膜されないように遮蔽板が
設けられており、膜のカバレッジの非対称性が生じなく
なっている。
【０００４】図１０は従来のマルチカソードスパッタリ
ング装置の成膜時の状態図である。チャンバー５には３
個のカソードに取り付けられた３個のターゲット４１、
４２、４３が設けてある。ターゲット４１、４２、４３
に対向して基板８が載置される。ターゲット４１、４
２、４３と基板８の間にはそれぞれターゲット４１、４
２、４３に対応した開口を有する遮蔽板７１、７２、７
３が設けてある。開口の径はターゲット４１、４２、４
３の径より大きい。真空排気口６には図示されない真空
ポンプがつなげられている。
ング装置の成膜時の状態図である。チャンバー５には３
個のカソードに取り付けられた３個のターゲット４１、
４２、４３が設けてある。ターゲット４１、４２、４３
に対向して基板８が載置される。ターゲット４１、４
２、４３と基板８の間にはそれぞれターゲット４１、４
２、４３に対応した開口を有する遮蔽板７１、７２、７
３が設けてある。開口の径はターゲット４１、４２、４
３の径より大きい。真空排気口６には図示されない真空
ポンプがつなげられている。
【０００５】成膜の際は、チャンバー５内を所定の圧力
まで真空引きし、ガス導入口７よりＡｒガスがスパッタ
圧力まで導入される。その後、電源６１、６２、６３で
各カソードに所定の電力を投入する事により、ターゲッ
ト４１、４２、４３上でプラズマが生成させ、ターゲッ
ト４１、４２、４３から粒子をスパッタリングさせる。
スパッタリングされた粒子は、遮蔽板７１、７２、７３
に開けられた開口を通過し、対向した基板８に膜が堆積
する。
まで真空引きし、ガス導入口７よりＡｒガスがスパッタ
圧力まで導入される。その後、電源６１、６２、６３で
各カソードに所定の電力を投入する事により、ターゲッ
ト４１、４２、４３上でプラズマが生成させ、ターゲッ
ト４１、４２、４３から粒子をスパッタリングさせる。
スパッタリングされた粒子は、遮蔽板７１、７２、７３
に開けられた開口を通過し、対向した基板８に膜が堆積
する。
【０００６】これによれば各ターゲット４１、４２、４
３でスパッタリングされた粒子はコサイン則でターゲッ
トの法線方向からある角度を持って直進する。大きな角
度を持った粒子は遮蔽板７１、７２、７３に衝突して付
着してしまい、基板８まで到達できない。基板８へは幾
何学的に到達可能な法線方向からの粒子のみが到達する
こととなり、段差部や接続孔の上部でのオーバーハング
が抑制され、カバレッジの良い異方性成膜ができ、かつ
カバレッジの非対称性を解消できる。また個々のカソー
ド間の電力を変えることによって、カバレッジおよび膜
厚のウェーハ面内の均一性を向上させることができる。
３でスパッタリングされた粒子はコサイン則でターゲッ
トの法線方向からある角度を持って直進する。大きな角
度を持った粒子は遮蔽板７１、７２、７３に衝突して付
着してしまい、基板８まで到達できない。基板８へは幾
何学的に到達可能な法線方向からの粒子のみが到達する
こととなり、段差部や接続孔の上部でのオーバーハング
が抑制され、カバレッジの良い異方性成膜ができ、かつ
カバレッジの非対称性を解消できる。また個々のカソー
ド間の電力を変えることによって、カバレッジおよび膜
厚のウェーハ面内の均一性を向上させることができる。
【０００７】しかしこの装置では、もっともカソードに
近い遮蔽板７１の開口の周辺部のみに粒子が付着するの
でこの部分の膜が厚くなりやすく、膜厚がある膜厚より
厚くなるとこの膜が剥がれて基板８の上に落ちてパーテ
ィクルの発生原因になるという問題があった。このため
遮蔽板７１上の膜を除去するための遮蔽板７１の洗浄頻
度が著しく高くなり装置としての利用効率を落とすとい
う問題も生じた。この膜剥がれは窒化チタン（ＴｉＮ）
や窒化タンタル（ＴａＮ）といった応力の大きな膜でよ
り顕著であり、マルチカソードスパッタリング装置の生
産性を著しく落としていた。
近い遮蔽板７１の開口の周辺部のみに粒子が付着するの
でこの部分の膜が厚くなりやすく、膜厚がある膜厚より
厚くなるとこの膜が剥がれて基板８の上に落ちてパーテ
ィクルの発生原因になるという問題があった。このため
遮蔽板７１上の膜を除去するための遮蔽板７１の洗浄頻
度が著しく高くなり装置としての利用効率を落とすとい
う問題も生じた。この膜剥がれは窒化チタン（ＴｉＮ）
や窒化タンタル（ＴａＮ）といった応力の大きな膜でよ
り顕著であり、マルチカソードスパッタリング装置の生
産性を著しく落としていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
付着するスパッタリング膜が厚くなりにくい遮蔽板を提
供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
付着するスパッタリング膜が厚くなりにくい遮蔽板を提
供することにある。
【０００９】また、本発明の目的は、付着するスパッタ
リング膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽板を提供
することにある。
リング膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽板を提供
することにある。
【００１０】本発明の目的は、付着するスパッタリング
膜が厚くなりにくい遮蔽器を提供することにある。
膜が厚くなりにくい遮蔽器を提供することにある。
【００１１】本発明の目的は、付着するスパッタリング
膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽器を提供するこ
とにある。
膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽器を提供するこ
とにある。
【００１２】本発明の目的は、遮蔽板に付着するスパッ
タリング膜が厚くなりにくい半導体製造装置を提供する
ことにある。
タリング膜が厚くなりにくい半導体製造装置を提供する
ことにある。
【００１３】本発明の目的は、遮蔽板に付着するスパッ
タリング膜が剥がれても基板の上に落ちない半導体製造
装置を提供することにある。
タリング膜が剥がれても基板の上に落ちない半導体製造
装置を提供することにある。
【００１４】最後に、本発明の目的は、遮蔽板に付着す
るスパッタリング膜が厚くなりにくい半導体装置の製造
方法を提供することにある。
るスパッタリング膜が厚くなりにくい半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記問題点を
解決するための本発明の第１の特徴は、複数の円形の開
口が設けられた平板と、この平板の上に設けられ開口と
同形の下部開口面が開口に重なり、上部開口面が円形で
下部開口面より小さく、上部開口面の円の中心を通る法
線と下部開口面の円の中心を通る法線とが一致し平板の
法線に平行であり、開口と同数である円筒とを有する遮
蔽板であることである。このことにより、遮蔽板の円筒
の側面にスパッタ膜が付着するので、付着する表面積が
増え、堆積する膜が分散付着し堆積する膜厚が薄くな
る。膜剥がれが発生までの期間が長くなり、パーティク
ルの発生が抑制され、遮蔽板のライフがさらに延長され
る。さらに、遮蔽板表面で膜剥がれが発生した場合で
も、剥がれた膜は筒の側面を越えられず遮蔽板で受け止
められる構造であるため、基板にパーティクルが落下す
ることがない。遮蔽板に開けられた開口の直上のターゲ
ットに隣接するターゲットからのスパッタ粒子を遮断す
る効果が大きくなり、指向性、面内均一性が向上する。
また隣接されたターゲットより、放出される粒子は遮蔽
板に対しして直角近傍の方向から付着するため、付着強
度が強く、膜剥がれが生じにくくなる。
解決するための本発明の第１の特徴は、複数の円形の開
口が設けられた平板と、この平板の上に設けられ開口と
同形の下部開口面が開口に重なり、上部開口面が円形で
下部開口面より小さく、上部開口面の円の中心を通る法
線と下部開口面の円の中心を通る法線とが一致し平板の
法線に平行であり、開口と同数である円筒とを有する遮
蔽板であることである。このことにより、遮蔽板の円筒
の側面にスパッタ膜が付着するので、付着する表面積が
増え、堆積する膜が分散付着し堆積する膜厚が薄くな
る。膜剥がれが発生までの期間が長くなり、パーティク
ルの発生が抑制され、遮蔽板のライフがさらに延長され
る。さらに、遮蔽板表面で膜剥がれが発生した場合で
も、剥がれた膜は筒の側面を越えられず遮蔽板で受け止
められる構造であるため、基板にパーティクルが落下す
ることがない。遮蔽板に開けられた開口の直上のターゲ
ットに隣接するターゲットからのスパッタ粒子を遮断す
る効果が大きくなり、指向性、面内均一性が向上する。
また隣接されたターゲットより、放出される粒子は遮蔽
板に対しして直角近傍の方向から付着するため、付着強
度が強く、膜剥がれが生じにくくなる。
【００１６】本発明の第１の特徴は、円筒が、互いの下
部開口面と側壁の一部が重なっており、他方の円筒の内
側に位置する側壁が除去されていることにより効果的で
ある。
部開口面と側壁の一部が重なっており、他方の円筒の内
側に位置する側壁が除去されていることにより効果的で
ある。
【００１７】このことにより、ターゲットとターゲット
の間隔を円筒の形状によらず任意に設定することができ
る。
の間隔を円筒の形状によらず任意に設定することができ
る。
【００１８】本発明の第１の特徴は、平板が円板あるこ
とにより効果的である。このことにより、スパッタリン
グ装置内で容易に遮蔽板を回転させることができ、基板
面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上させることがで
きる。
とにより効果的である。このことにより、スパッタリン
グ装置内で容易に遮蔽板を回転させることができ、基板
面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上させることがで
きる。
【００１９】本発明の第２の特徴は、複数の円形の開口
を有する平板である第１の遮蔽板と、第１の遮蔽板の平
板と平行な平板であり、第１の遮蔽板の開口と同数で第
１の遮蔽板の開口より小さい円形の開口を有し、この開
口の円の中心を通る法線と第１の遮蔽板が有する開口の
円の中心を通る法線とが一致する第２の遮蔽板とを有す
る遮蔽器であることである。このことにより、遮蔽板に
開口されている穴がカソードに近い穴から順に小さくな
るように遮蔽器をスパッタリング装置に配置すれば、遮
蔽板に捕獲された粒子の量は遮蔽板の間で平均化され、
遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚
数が、従来の同じ開口径を持つ３枚の遮蔽板に比べ改善
できる。遮蔽板の洗浄サイクルを延ばすことができる。
を有する平板である第１の遮蔽板と、第１の遮蔽板の平
板と平行な平板であり、第１の遮蔽板の開口と同数で第
１の遮蔽板の開口より小さい円形の開口を有し、この開
口の円の中心を通る法線と第１の遮蔽板が有する開口の
円の中心を通る法線とが一致する第２の遮蔽板とを有す
る遮蔽器であることである。このことにより、遮蔽板に
開口されている穴がカソードに近い穴から順に小さくな
るように遮蔽器をスパッタリング装置に配置すれば、遮
蔽板に捕獲された粒子の量は遮蔽板の間で平均化され、
遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚
数が、従来の同じ開口径を持つ３枚の遮蔽板に比べ改善
できる。遮蔽板の洗浄サイクルを延ばすことができる。
【００２０】本発明の第２の特徴は、第１の遮蔽板の平
板が円板であり、第２の遮蔽板の平板が、第１の遮蔽板
の円板の直径と直径が等しい円板であり、この円板の中
心を通る法線と第１の遮蔽板の円板の中心を通る法線と
が一致することにより効果的である。このことにより、
スパッタリング装置内で容易に遮蔽器を回転させること
ができ、基板面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上さ
せることができる。
板が円板であり、第２の遮蔽板の平板が、第１の遮蔽板
の円板の直径と直径が等しい円板であり、この円板の中
心を通る法線と第１の遮蔽板の円板の中心を通る法線と
が一致することにより効果的である。このことにより、
スパッタリング装置内で容易に遮蔽器を回転させること
ができ、基板面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上さ
せることができる。
【００２１】本発明の第２の特徴は、第２の遮蔽板の平
板と平行で第２の遮蔽板を挟んで第１の遮蔽板の反対側
に位置する平板であり、第２の遮蔽板の開口と同数で第
２の遮蔽板の開口より小さい円形の開口を有し、この開
口の円の中心を通る法線と第２の遮蔽板の開口の円の中
心を通る法線とが一致する第３の遮蔽板を有することに
より一層効果的である。このことにより、遮蔽板に捕獲
された粒子の量は遮蔽板の間で一層分散され、遮蔽板か
ら膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚数を増や
すことができる。
板と平行で第２の遮蔽板を挟んで第１の遮蔽板の反対側
に位置する平板であり、第２の遮蔽板の開口と同数で第
２の遮蔽板の開口より小さい円形の開口を有し、この開
口の円の中心を通る法線と第２の遮蔽板の開口の円の中
心を通る法線とが一致する第３の遮蔽板を有することに
より一層効果的である。このことにより、遮蔽板に捕獲
された粒子の量は遮蔽板の間で一層分散され、遮蔽板か
ら膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚数を増や
すことができる。
【００２２】本発明の第２の特徴は、複数の円形の開口
が設けられた平板とこの平板の上に設けられ開口と同形
の下部開口面が開口に重なり上部開口面が円形で下部開
口面より小さく上部開口面の円の中心を通る法線と下部
開口面の円の中心を通る法線とが一致し平板の法線に平
行であり開口と同数である円筒とを有する第１の遮蔽板
と、第１の遮蔽板の平板と平行で第１の遮蔽板前記の平
板の下方に位置し複数の円形の開口が設けられた平板と
この平板の上に設けられこの開口と同形の下部開口面が
この開口に重なり上部開口面が円形で下部開口面と第１
の遮蔽板の上部開口面より小さく上部開口面の円の中心
を通る法線と下部開口面の円の中心を通る法線と第１の
遮蔽板の上部開口面の円の中心を通る法線が一致し平板
の法線に平行であり開口と同数である円筒とを有する第
２の遮蔽板とを備えることであってもよい。このことに
より、第１と第２の遮蔽板の円筒の側面にスパッタ膜が
付着するので表面積が増え、堆積する膜が分散付着し堆
積する膜厚が薄くなる。膜剥がれが発生するまでの期間
が長くなる。それにより、パーティクルの発生が抑制さ
れ、遮蔽板のライフがさらに延長される。さらに、遮蔽
板表面で膜剥がれが発生した場合でも、剥がれた膜は筒
の側面を越えられず遮蔽板で受け止められる構造である
ため、基板にパーティクルが落下することがない。遮蔽
板に開けられた開口の直上のターゲットに隣接するター
ゲットからのスパッタ粒子を遮断する効果が大きくな
り、指向性、面内均一性が向上する。また隣接されたタ
ーゲットより、放出される粒子は遮蔽板に対しして直角
近傍の方向から付着するため、付着強度が強く、膜剥が
れが生じにくくなる。遮蔽板に開口されている穴はカソ
ードに近い穴から順に小さくなっているため、遮蔽板に
捕獲された粒子の量は遮蔽板間で分散され、遮蔽板から
膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚数を増やす
ことができる。発明の第２の特徴は、第１の遮蔽板の円
筒が互いの下部開口面と側壁の一部が重なっており、他
方の円筒の内側に位置する側壁が除去されていることに
より効果的である。
が設けられた平板とこの平板の上に設けられ開口と同形
の下部開口面が開口に重なり上部開口面が円形で下部開
口面より小さく上部開口面の円の中心を通る法線と下部
開口面の円の中心を通る法線とが一致し平板の法線に平
行であり開口と同数である円筒とを有する第１の遮蔽板
と、第１の遮蔽板の平板と平行で第１の遮蔽板前記の平
板の下方に位置し複数の円形の開口が設けられた平板と
この平板の上に設けられこの開口と同形の下部開口面が
この開口に重なり上部開口面が円形で下部開口面と第１
の遮蔽板の上部開口面より小さく上部開口面の円の中心
を通る法線と下部開口面の円の中心を通る法線と第１の
遮蔽板の上部開口面の円の中心を通る法線が一致し平板
の法線に平行であり開口と同数である円筒とを有する第
２の遮蔽板とを備えることであってもよい。このことに
より、第１と第２の遮蔽板の円筒の側面にスパッタ膜が
付着するので表面積が増え、堆積する膜が分散付着し堆
積する膜厚が薄くなる。膜剥がれが発生するまでの期間
が長くなる。それにより、パーティクルの発生が抑制さ
れ、遮蔽板のライフがさらに延長される。さらに、遮蔽
板表面で膜剥がれが発生した場合でも、剥がれた膜は筒
の側面を越えられず遮蔽板で受け止められる構造である
ため、基板にパーティクルが落下することがない。遮蔽
板に開けられた開口の直上のターゲットに隣接するター
ゲットからのスパッタ粒子を遮断する効果が大きくな
り、指向性、面内均一性が向上する。また隣接されたタ
ーゲットより、放出される粒子は遮蔽板に対しして直角
近傍の方向から付着するため、付着強度が強く、膜剥が
れが生じにくくなる。遮蔽板に開口されている穴はカソ
ードに近い穴から順に小さくなっているため、遮蔽板に
捕獲された粒子の量は遮蔽板間で分散され、遮蔽板から
膜剥がれが発生するまで処理できる基板の枚数を増やす
ことができる。発明の第２の特徴は、第１の遮蔽板の円
筒が互いの下部開口面と側壁の一部が重なっており、他
方の円筒の内側に位置する側壁が除去されていることに
より効果的である。
【００２３】本発明の第３の特徴は、真空チャンバー
と、この真空チャンバー内に設けられた複数のカソード
と、このカソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれ
の底面が同一平面上にくるように配置される円板状のタ
ーゲットと、このターゲットの直下にこのターゲットと
同数の開口を有し、このそれぞれの開口がカソードの底
面による同一平面と平行な同一平面上に有り、ターゲッ
トから遠い遮蔽板ほど開口の開口径が小さい２枚以上の
遮蔽板とを有する半導体製造装置であることである。こ
のことにより、遮蔽板に開口されている穴はカソードに
近い穴から順に小さくなっているため、遮蔽板に捕獲さ
れた粒子の量は遮蔽板間で分散され、遮蔽板から膜剥が
れが発生するまで処理できる基板の枚数を従来の同じ開
口径を持つ遮蔽板に比べ増やすことができる。そして、
遮蔽板の洗浄サイクルを延ばすことができる。
と、この真空チャンバー内に設けられた複数のカソード
と、このカソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれ
の底面が同一平面上にくるように配置される円板状のタ
ーゲットと、このターゲットの直下にこのターゲットと
同数の開口を有し、このそれぞれの開口がカソードの底
面による同一平面と平行な同一平面上に有り、ターゲッ
トから遠い遮蔽板ほど開口の開口径が小さい２枚以上の
遮蔽板とを有する半導体製造装置であることである。こ
のことにより、遮蔽板に開口されている穴はカソードに
近い穴から順に小さくなっているため、遮蔽板に捕獲さ
れた粒子の量は遮蔽板間で分散され、遮蔽板から膜剥が
れが発生するまで処理できる基板の枚数を従来の同じ開
口径を持つ遮蔽板に比べ増やすことができる。そして、
遮蔽板の洗浄サイクルを延ばすことができる。
【００２４】本発明の第３の特徴は、真空チャンバー
と、この真空チャンバー内に設けられた複数のカソード
と、このカソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれ
の底面が同一平面上にくるように配置される円板状のタ
ーゲットと、第１の遮蔽板の開口の円の中心を通る法線
とターゲットの底面の円の中心を通る法線とが一致する
ように配置される本発明の第２の特徴である遮蔽器とを
有することであってもよい。本発明の第３の特徴は、遮
蔽板の円筒の側壁の内側の面を延長した面が、それぞれ
の遮蔽板とターゲットの間の１点を通って広がり、さら
に延長した面が直上のターゲットに交わらないことによ
り効果的である。ここで、「１点を通って広がる」と
は、円錐の頂点の上にもう１つの円錐を頂点を下にして
配置した形状のことである。このことにより、スパッタ
膜は遮蔽板のターゲット側にしか付着しない角度になっ
ているため、遮蔽板の裏面にスパッタ粒子が実質的に付
着せず、遮蔽板の裏面からの膜剥がれが発生しない。
と、この真空チャンバー内に設けられた複数のカソード
と、このカソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれ
の底面が同一平面上にくるように配置される円板状のタ
ーゲットと、第１の遮蔽板の開口の円の中心を通る法線
とターゲットの底面の円の中心を通る法線とが一致する
ように配置される本発明の第２の特徴である遮蔽器とを
有することであってもよい。本発明の第３の特徴は、遮
蔽板の円筒の側壁の内側の面を延長した面が、それぞれ
の遮蔽板とターゲットの間の１点を通って広がり、さら
に延長した面が直上のターゲットに交わらないことによ
り効果的である。ここで、「１点を通って広がる」と
は、円錐の頂点の上にもう１つの円錐を頂点を下にして
配置した形状のことである。このことにより、スパッタ
膜は遮蔽板のターゲット側にしか付着しない角度になっ
ているため、遮蔽板の裏面にスパッタ粒子が実質的に付
着せず、遮蔽板の裏面からの膜剥がれが発生しない。
【００２５】本発明の第３の特徴は、開口の直径がター
ゲットの直径よりも大きいことにより効果的である。こ
のことにより、遮蔽板に捕獲される粒子の量を減らせる
ので、遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理できる基
板の枚数を増やすことができる。
ゲットの直径よりも大きいことにより効果的である。こ
のことにより、遮蔽板に捕獲される粒子の量を減らせる
ので、遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理できる基
板の枚数を増やすことができる。
【００２６】本発明の第３の特徴は、カソードが裏面に
固定された回転可能なヘッドを有することにより効果的
である。さらに、ヘッドに遮蔽板が固定されたことによ
り一層効果的である。このことにより、スパッタ膜の成
膜中にターゲットと遮蔽板を回転させることができ、基
板面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上させることが
できる。
固定された回転可能なヘッドを有することにより効果的
である。さらに、ヘッドに遮蔽板が固定されたことによ
り一層効果的である。このことにより、スパッタ膜の成
膜中にターゲットと遮蔽板を回転させることができ、基
板面内のスパッタ膜の膜厚の均一性を向上させることが
できる。
【００２７】本発明の第４の特徴は、チャンバー内を減
圧にする工程と、このチャンバー内にアルゴンガスを導
入する工程と、カソードに電力を投入しターゲットの下
方にアルゴン又はメタルイオンプラズマを生成させる工
程と、このアルゴン又はメタルイオンプラズマによって
スパッタリングされターゲットから生じる粒子の源流を
形成する工程と、この源流の中に第１の遮蔽板を設置し
源流から支流を分岐させ第１の遮蔽板の上に第１のスパ
ッタ膜を堆積させる工程と、この分岐後の源流の中に第
２の遮蔽板を設置しさらに支流を分岐させ第２の遮蔽板
の上に膜厚が第１のスパッタ膜の膜厚とほぼ等しい第２
のスパッタ膜を堆積させる工程と、この第２の遮蔽板の
開口を通過した源流の残りを半導体基板上で止め、この
半導体基板の上に第３のスパッタ膜を堆積させる工程と
を具備する半導体装置の製造方法であることである。こ
のことにより、遮蔽板に捕獲された粒子の量が遮蔽板間
で分散され、遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理で
きる基板の枚数を従来の同じ開口径を持つ遮蔽板に比べ
増やすことができる。そして、遮蔽板の洗浄サイクルを
延ばすことができる。
圧にする工程と、このチャンバー内にアルゴンガスを導
入する工程と、カソードに電力を投入しターゲットの下
方にアルゴン又はメタルイオンプラズマを生成させる工
程と、このアルゴン又はメタルイオンプラズマによって
スパッタリングされターゲットから生じる粒子の源流を
形成する工程と、この源流の中に第１の遮蔽板を設置し
源流から支流を分岐させ第１の遮蔽板の上に第１のスパ
ッタ膜を堆積させる工程と、この分岐後の源流の中に第
２の遮蔽板を設置しさらに支流を分岐させ第２の遮蔽板
の上に膜厚が第１のスパッタ膜の膜厚とほぼ等しい第２
のスパッタ膜を堆積させる工程と、この第２の遮蔽板の
開口を通過した源流の残りを半導体基板上で止め、この
半導体基板の上に第３のスパッタ膜を堆積させる工程と
を具備する半導体装置の製造方法であることである。こ
のことにより、遮蔽板に捕獲された粒子の量が遮蔽板間
で分散され、遮蔽板から膜剥がれが発生するまで処理で
きる基板の枚数を従来の同じ開口径を持つ遮蔽板に比べ
増やすことができる。そして、遮蔽板の洗浄サイクルを
延ばすことができる。
【００２８】本発明の第４の特徴は、第３のスパッタ膜
を堆積させる工程において、ターゲットと第１の遮蔽板
と第２の遮蔽板とを固定するヘッドが回転することによ
り効果的である。このことにより、基板面内のスパッタ
膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
を堆積させる工程において、ターゲットと第１の遮蔽板
と第２の遮蔽板とを固定するヘッドが回転することによ
り効果的である。このことにより、基板面内のスパッタ
膜の膜厚の均一性を向上させることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態として遮蔽板、遮蔽器、半導体製造装置およ
び半導体装置の製造方法を説明する。以下の図面の記載
において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号
を付している。また、図面は模式的なものであり、厚み
と平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のもの
とは異なることに留意すべきである。
実施の形態として遮蔽板、遮蔽器、半導体製造装置およ
び半導体装置の製造方法を説明する。以下の図面の記載
において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号
を付している。また、図面は模式的なものであり、厚み
と平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のもの
とは異なることに留意すべきである。
【００３０】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る遮蔽器の構造図である。図１（ａ）
は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図
である。第１の実施の形態に係る遮蔽器は、第１の遮蔽
板１と、第２の遮蔽板２と第３の遮蔽板３とで構成さ
れ、遮蔽板１、２、３はスペーサ４で保持されている。
の実施の形態に係る遮蔽器の構造図である。図１（ａ）
は上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図
である。第１の実施の形態に係る遮蔽器は、第１の遮蔽
板１と、第２の遮蔽板２と第３の遮蔽板３とで構成さ
れ、遮蔽板１、２、３はスペーサ４で保持されている。
【００３１】第１の遮蔽板１は、円板で、７つの円形の
開口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７を有す
る。開口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７
は、それらの円の中心Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１
４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ１７と第１の遮蔽板１の円板の
中心との距離が適当に分散されるように配置される。開
口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７の直径は
等しく８０ｍｍである。
開口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７を有す
る。開口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７
は、それらの円の中心Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１
４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ１７と第１の遮蔽板１の円板の
中心との距離が適当に分散されるように配置される。開
口１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７の直径は
等しく８０ｍｍである。
【００３２】第２の遮蔽板２も、直径が第１の遮蔽板１
の円板と等しい円板で、７つの円形の開口２１、２２、
２３、２４、２５、２６、２７を有する。第２の遮蔽板
２は、第２の遮蔽板２の円板の中心を通る法線と第１の
遮蔽板１の円板の中心を通る法線とが一致するように配
置される。開口２１は、開口２１の円の中心Ｃ２１を通
る法線と開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。開口２２は、開口２２の円の中
心Ｃ２２を通る法線と開口１２の円の中心Ｃ１２を通る
法線とが一致するように配置される。開口２３は、開口
２３の円の中心Ｃ２３を通る法線と開口１３の円の中心
Ｃ１３を通る法線とが一致するように配置される。開口
２４は、開口２４の円の中心Ｃ２４を通る法線と開口１
４の円の中心Ｃ１４を通る法線とが一致するように配置
される。開口２５は、開口２５の円の中心Ｃ２５を通る
法線と開口１５の円の中心Ｃ１５を通る法線とが一致す
るように配置される。開口２６は、開口２６の円の中心
Ｃ２６を通る法線と開口１６の円の中心Ｃ１６を通る法
線とが一致するように配置される。開口２７は、開口２
７の円の中心Ｃ２７を通る法線と開口１７の円の中心Ｃ
１７を通る法線とが一致するように配置される。開口２
１、２２、２３、２４、２５、２６、２７の円の直径は
等しく７５ｍｍであり、開口１１、１２、１３、１４、
１５、１６、１７の直径より小さい。
の円板と等しい円板で、７つの円形の開口２１、２２、
２３、２４、２５、２６、２７を有する。第２の遮蔽板
２は、第２の遮蔽板２の円板の中心を通る法線と第１の
遮蔽板１の円板の中心を通る法線とが一致するように配
置される。開口２１は、開口２１の円の中心Ｃ２１を通
る法線と開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。開口２２は、開口２２の円の中
心Ｃ２２を通る法線と開口１２の円の中心Ｃ１２を通る
法線とが一致するように配置される。開口２３は、開口
２３の円の中心Ｃ２３を通る法線と開口１３の円の中心
Ｃ１３を通る法線とが一致するように配置される。開口
２４は、開口２４の円の中心Ｃ２４を通る法線と開口１
４の円の中心Ｃ１４を通る法線とが一致するように配置
される。開口２５は、開口２５の円の中心Ｃ２５を通る
法線と開口１５の円の中心Ｃ１５を通る法線とが一致す
るように配置される。開口２６は、開口２６の円の中心
Ｃ２６を通る法線と開口１６の円の中心Ｃ１６を通る法
線とが一致するように配置される。開口２７は、開口２
７の円の中心Ｃ２７を通る法線と開口１７の円の中心Ｃ
１７を通る法線とが一致するように配置される。開口２
１、２２、２３、２４、２５、２６、２７の円の直径は
等しく７５ｍｍであり、開口１１、１２、１３、１４、
１５、１６、１７の直径より小さい。
【００３３】第３の遮蔽板３も、直径が第１の遮蔽板１
の円板と等しい円板で、７つの円形の開口３１、３２、
３３、３４、３５、３６、３７を有する。第３の遮蔽板
３は、第３の遮蔽板３の円板の中心を通る法線と第１の
遮蔽板１の円板の中心を通る法線とが一致するように配
置される。開口３１は、開口３１の円の中心Ｃ３１を通
る法線と開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。開口３２は、開口３２の円の中
心Ｃ３２を通る法線と開口１２の円の中心Ｃ１２を通る
法線とが一致するように配置される。開口３３は、開口
３３の円の中心Ｃ３３を通る法線と開口１３の円の中心
Ｃ１３を通る法線とが一致するように配置される。開口
３４は、開口３４の円の中心Ｃ３４を通る法線と開口１
４の円の中心Ｃ１４を通る法線とが一致するように配置
される。開口３５は、開口３５の円の中心Ｃ３５を通る
法線と開口１５の円の中心Ｃ１５を通る法線とが一致す
るように配置される。開口３６は、開口３６の円の中心
Ｃ３６を通る法線と開口１６の円の中心Ｃ１６を通る法
線とが一致するように配置される。開口３７は、開口３
７の円の中心Ｃ３７を通る法線と開口１７の円の中心Ｃ
１７を通る法線とが一致するように配置される。開口３
１、３２、３３、３４、３５、３６、３７の円の直径は
等しく７０ｍｍであり、開口２１、２２、２３、２４、
２５、２６、２７の直径より小さい。
の円板と等しい円板で、７つの円形の開口３１、３２、
３３、３４、３５、３６、３７を有する。第３の遮蔽板
３は、第３の遮蔽板３の円板の中心を通る法線と第１の
遮蔽板１の円板の中心を通る法線とが一致するように配
置される。開口３１は、開口３１の円の中心Ｃ３１を通
る法線と開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。開口３２は、開口３２の円の中
心Ｃ３２を通る法線と開口１２の円の中心Ｃ１２を通る
法線とが一致するように配置される。開口３３は、開口
３３の円の中心Ｃ３３を通る法線と開口１３の円の中心
Ｃ１３を通る法線とが一致するように配置される。開口
３４は、開口３４の円の中心Ｃ３４を通る法線と開口１
４の円の中心Ｃ１４を通る法線とが一致するように配置
される。開口３５は、開口３５の円の中心Ｃ３５を通る
法線と開口１５の円の中心Ｃ１５を通る法線とが一致す
るように配置される。開口３６は、開口３６の円の中心
Ｃ３６を通る法線と開口１６の円の中心Ｃ１６を通る法
線とが一致するように配置される。開口３７は、開口３
７の円の中心Ｃ３７を通る法線と開口１７の円の中心Ｃ
１７を通る法線とが一致するように配置される。開口３
１、３２、３３、３４、３５、３６、３７の円の直径は
等しく７０ｍｍであり、開口２１、２２、２３、２４、
２５、２６、２７の直径より小さい。
【００３４】図２は本発明の第１の実施の形態に係るマ
ルチカソードスパッタリング装置の構造図である。この
マルチカソードスパッタリング装置は半導体装置の多層
配線の形成に使用される半導体製造装置である。第１の
実施の形態に係るマルチカソードスパッタリング装置
は、チャンバ５に３つの円板状のカソード５１、５２、
５３と紙面の前後に２つずつの計７つのカソードが設け
てある。カソードには直径６０ｍｍの円板状のターゲッ
ト４１、４２、４３（他の４つの図示省略）がそれぞれ
取り付けられている。ターゲット４１、４２、４３はそ
れらの底面が同一平面上にくるように配置される。ター
ゲット４１、４２、４３の底面に平行に対向して基板８
が載置される。ターゲット４１、４２、４３と基板８の
間には、ターゲット４１、４２、４３の側から第１の遮
蔽板１、第２の遮蔽板２、第３の遮蔽板３が設けてあ
る。この遮蔽板１、２、３で、図１で説明した第１の実
施の形態に係る遮蔽器を構成している。第１の遮蔽板１
の開口１１は、開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線と
ターゲット４１の底面の円の中心を通る法線とが一致す
るように配置される。開口１２は、開口１２の円の中心
Ｃ１２を通る法線とターゲット４２の底面の円の中心を
通る法線とが一致するように配置される。開口１３は、
開口１３の円の中心Ｃ１３を通る法線とターゲット４３
の底面の円の中心を通る法線とが一致するように配置さ
れる。図１の開口１４、１５、１６、１７に対しても図
示を省略した他の４つのターゲットと同様の位置関係に
なるように配置される。
ルチカソードスパッタリング装置の構造図である。この
マルチカソードスパッタリング装置は半導体装置の多層
配線の形成に使用される半導体製造装置である。第１の
実施の形態に係るマルチカソードスパッタリング装置
は、チャンバ５に３つの円板状のカソード５１、５２、
５３と紙面の前後に２つずつの計７つのカソードが設け
てある。カソードには直径６０ｍｍの円板状のターゲッ
ト４１、４２、４３（他の４つの図示省略）がそれぞれ
取り付けられている。ターゲット４１、４２、４３はそ
れらの底面が同一平面上にくるように配置される。ター
ゲット４１、４２、４３の底面に平行に対向して基板８
が載置される。ターゲット４１、４２、４３と基板８の
間には、ターゲット４１、４２、４３の側から第１の遮
蔽板１、第２の遮蔽板２、第３の遮蔽板３が設けてあ
る。この遮蔽板１、２、３で、図１で説明した第１の実
施の形態に係る遮蔽器を構成している。第１の遮蔽板１
の開口１１は、開口１１の円の中心Ｃ１１を通る法線と
ターゲット４１の底面の円の中心を通る法線とが一致す
るように配置される。開口１２は、開口１２の円の中心
Ｃ１２を通る法線とターゲット４２の底面の円の中心を
通る法線とが一致するように配置される。開口１３は、
開口１３の円の中心Ｃ１３を通る法線とターゲット４３
の底面の円の中心を通る法線とが一致するように配置さ
れる。図１の開口１４、１５、１６、１７に対しても図
示を省略した他の４つのターゲットと同様の位置関係に
なるように配置される。
【００３５】チャンバ５には真空排気口６が設けられ、
真空排気口６には図示されない真空ポンプがつながれ
る。チャンバ５にはガス導入口７が設けられ、ガス導入
口７にはアルゴン（Ａｒ）ガスの供給システムが接続さ
れる。カソード５１、５２、５３には電源６１、６２、
６３が接続されている。カソード５１、５２、５３はヘ
ッド１０に固定され、遮蔽板１、２、３もスペーサ４を
介してヘッド１０に固定される。ヘッド１０には図示さ
れない回転装置がつながれる。
真空排気口６には図示されない真空ポンプがつながれ
る。チャンバ５にはガス導入口７が設けられ、ガス導入
口７にはアルゴン（Ａｒ）ガスの供給システムが接続さ
れる。カソード５１、５２、５３には電源６１、６２、
６３が接続されている。カソード５１、５２、５３はヘ
ッド１０に固定され、遮蔽板１、２、３もスペーサ４を
介してヘッド１０に固定される。ヘッド１０には図示さ
れない回転装置がつながれる。
【００３６】図３は本発明の第１の実施の形態に係るマ
ルチカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法
を説明する図である。この成膜方法は半導体装置の多層
配線等に使用される導電膜の成膜工程に用いられる半導
体装置の製造方法である。第１の実施の形態に係るマル
チカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法を
以下に説明する。
ルチカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法
を説明する図である。この成膜方法は半導体装置の多層
配線等に使用される導電膜の成膜工程に用いられる半導
体装置の製造方法である。第１の実施の形態に係るマル
チカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法を
以下に説明する。
【００３７】（イ）チャンバ５内を真空排気口６につな
がれた真空ポンプで、５Ｅ−６Ｐａの圧力まで減圧引き
する。
がれた真空ポンプで、５Ｅ−６Ｐａの圧力まで減圧引き
する。
【００３８】（ロ）ヘッド１０が基板８に対して相対的
に６０ｒｐｍで回転する。このことにより、ターゲット
４１、４２、４３と開口３１、３２、３３が、基板８上
方を平行移動する。
に６０ｒｐｍで回転する。このことにより、ターゲット
４１、４２、４３と開口３１、３２、３３が、基板８上
方を平行移動する。
【００３９】（ハ）チャンバ５内にガス導入口７よりア
ルゴンガスを０．０５Ｐａのスパッタ圧力まで導入す
る。
ルゴンガスを０．０５Ｐａのスパッタ圧力まで導入す
る。
【００４０】（ニ）次に、カソード５１、５２、５３に
電源６１、６２、６３から１５０Ｗ〜３５０Ｗの電力を
投入し、ターゲット４１、４２、４３の下方にアルゴン
プラズマを生成させる。カソード５１、５２、５３に投
入される電力は、基板８上に成膜された膜１０４が均一
になるよう調整する。
電源６１、６２、６３から１５０Ｗ〜３５０Ｗの電力を
投入し、ターゲット４１、４２、４３の下方にアルゴン
プラズマを生成させる。カソード５１、５２、５３に投
入される電力は、基板８上に成膜された膜１０４が均一
になるよう調整する。
【００４１】（ホ）アルゴンプラズマによってターゲッ
ト４１、４２、４３からスパッタリングされた粒子が飛
び出し、この粒子がターゲット４１、４２、４３から離
れる方向へ流れるスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０を形成
する。
ト４１、４２、４３からスパッタリングされた粒子が飛
び出し、この粒子がターゲット４１、４２、４３から離
れる方向へ流れるスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０を形成
する。
【００４２】（ヘ）スパッタ粒子の流れの源流Ｆ０から
スパッタ粒子の流れの支流Ｆ１を分岐させる。具体的に
は、源流Ｆ０の中に第１の遮蔽板１を設置する。そし
て、遮蔽板１の上にスパッタ膜１０１を堆積させる。
スパッタ粒子の流れの支流Ｆ１を分岐させる。具体的に
は、源流Ｆ０の中に第１の遮蔽板１を設置する。そし
て、遮蔽板１の上にスパッタ膜１０１を堆積させる。
【００４３】（ト）次に、遮蔽板１の開口１１、１２、
１３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残りか
らスパッタ粒子の流れの支流Ｆ２を分岐させる。具体的
には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第２の遮蔽板２を設
置する。そして、遮蔽板２の上にスパッタ膜１０２を堆
積させる。スパッタ膜１０２の膜厚がスパッタ膜１０１
の膜厚と等しくなるように、遮蔽板２を設置する。
１３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残りか
らスパッタ粒子の流れの支流Ｆ２を分岐させる。具体的
には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第２の遮蔽板２を設
置する。そして、遮蔽板２の上にスパッタ膜１０２を堆
積させる。スパッタ膜１０２の膜厚がスパッタ膜１０１
の膜厚と等しくなるように、遮蔽板２を設置する。
【００４４】（チ）さらに、遮蔽板２の開口２１、２
２、２３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りからスパッタ粒子の流れの支流Ｆ３を分岐させる。具
体的には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第３の遮蔽板３
を設置する。そして、遮蔽板３の上にスパッタ膜１０３
を堆積させる。スパッタ膜１０３の膜厚がスパッタ膜１
０１の膜厚と等しくなるように、遮蔽板３を設置する。
２、２３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りからスパッタ粒子の流れの支流Ｆ３を分岐させる。具
体的には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第３の遮蔽板３
を設置する。そして、遮蔽板３の上にスパッタ膜１０３
を堆積させる。スパッタ膜１０３の膜厚がスパッタ膜１
０１の膜厚と等しくなるように、遮蔽板３を設置する。
【００４５】（リ）最後に、遮蔽板３の開口３１、３
２、３３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りであるスパッタ粒子の流れの幹流Ｆ４を基板８上で止
める。そして、基板８の上にスパッタ膜１０４を堆積さ
せる。
２、３３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りであるスパッタ粒子の流れの幹流Ｆ４を基板８上で止
める。そして、基板８の上にスパッタ膜１０４を堆積さ
せる。
【００４６】基板８には遮蔽板１、２、３の開口１１、
１２、１３、２１、２２、２３、３１、３２、３３を通
過できる垂直成分の粒子のみが到達でき、膜１０４が堆
積する。よって、カバレッジの非対称性は生じない。こ
の時、斜め成分の粒子は遮蔽板１、２、３に捕獲される
ため基板８まで到達できない。遮蔽板１、２、３に開口
されている穴はカソード５１、５２、５３に近い穴から
順に小さくなっているため、遮蔽板１、２、３に捕獲さ
れた粒子の量は３枚の遮蔽板１、２、３で平均化され、
遮蔽板１、２、３から膜剥がれが発生するまで処理でき
る基板８の枚数が、従来の同じ開口径を持つ３枚の遮蔽
板に比べ２．５倍と大幅に改善された。そして、遮蔽板
１、２、３の洗浄サイクルが大きく延びた。成膜された
膜均一性は±３％と良好である。
１２、１３、２１、２２、２３、３１、３２、３３を通
過できる垂直成分の粒子のみが到達でき、膜１０４が堆
積する。よって、カバレッジの非対称性は生じない。こ
の時、斜め成分の粒子は遮蔽板１、２、３に捕獲される
ため基板８まで到達できない。遮蔽板１、２、３に開口
されている穴はカソード５１、５２、５３に近い穴から
順に小さくなっているため、遮蔽板１、２、３に捕獲さ
れた粒子の量は３枚の遮蔽板１、２、３で平均化され、
遮蔽板１、２、３から膜剥がれが発生するまで処理でき
る基板８の枚数が、従来の同じ開口径を持つ３枚の遮蔽
板に比べ２．５倍と大幅に改善された。そして、遮蔽板
１、２、３の洗浄サイクルが大きく延びた。成膜された
膜均一性は±３％と良好である。
【００４７】（第２の実施の形態）図４は本発明の第２
の実施の形態に係る第３の遮蔽板３の構造図である。図
４（ａ）は鳥瞰図であり、（ｂ）は上面図であり、
（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。第３の遮
蔽板３は、円板８３と、円板の上に設けられる７つの円
筒１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、
１３７で構成される。円筒１３１は円形の上部開口面Ｕ
３１と下部開口面Ｄ３１を有する。すなわち、円板８３
にも下部開口面Ｄ３１の位置に同形の開口を有する。上
部開口面Ｕ３１の円の直径は７０ｍｍであり、下部開口
面Ｄ３１の円の直径より小さくなっている。上部開口面
Ｕ３１の円の中心を通る法線と下部開口面Ｄ３１の円の
中心を通る法線とが一致している。他の円筒１３２、１
３３、１３４、１３５、１３６、１３７も上部開口面Ｕ
３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３５、Ｕ３６、Ｕ３７と下部
開口面Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４、Ｄ３５、Ｄ３６、Ｄ３
７を有し、円筒１３１と同様の構造をしている。そし
て、上部開口面Ｕ３１、Ｕ３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３
５、Ｕ３６、Ｕ３７それぞれの円の中心を通る法線は互
いに平行である。
の実施の形態に係る第３の遮蔽板３の構造図である。図
４（ａ）は鳥瞰図であり、（ｂ）は上面図であり、
（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。第３の遮
蔽板３は、円板８３と、円板の上に設けられる７つの円
筒１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、
１３７で構成される。円筒１３１は円形の上部開口面Ｕ
３１と下部開口面Ｄ３１を有する。すなわち、円板８３
にも下部開口面Ｄ３１の位置に同形の開口を有する。上
部開口面Ｕ３１の円の直径は７０ｍｍであり、下部開口
面Ｄ３１の円の直径より小さくなっている。上部開口面
Ｕ３１の円の中心を通る法線と下部開口面Ｄ３１の円の
中心を通る法線とが一致している。他の円筒１３２、１
３３、１３４、１３５、１３６、１３７も上部開口面Ｕ
３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３５、Ｕ３６、Ｕ３７と下部
開口面Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４、Ｄ３５、Ｄ３６、Ｄ３
７を有し、円筒１３１と同様の構造をしている。そし
て、上部開口面Ｕ３１、Ｕ３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３
５、Ｕ３６、Ｕ３７それぞれの円の中心を通る法線は互
いに平行である。
【００４８】図５は本発明の第２の実施の形態に係る第
２の遮蔽板２の構造図である。図５（ａ）は鳥瞰図であ
り、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方
向の断面図である。第２の遮蔽板２は、円板８２と、円
板の上に設けられる７つの円筒１２１、１２２、１２
３、１２４、１２５、１２６、１２７で構成される。円
筒１２１は円形の上部開口面Ｕ２１と下部開口面Ｄ２１
を有する。すなわち、円板８２にも下部開口面Ｄ２１の
位置に同形の開口を有する。円筒１２１は、円筒１２
２、１２４、１２６と重なっており、側壁の接触部で接
続されている。上部開口面Ｕ２１の円の直径は７５ｍｍ
であり、下部開口面Ｄ２１の円の直径より小さくなって
おり、また、第３の遮蔽板の上部開口面Ｕ３１の直径よ
りも大きくなっている。上部開口面Ｕ２１の円の中心を
通る法線と下部開口面Ｄ２１の円の中心を通る法線とが
一致している。他の円筒１２２、１２３、１２４、１２
５、１２６、１２７も上部開口面Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２
４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ２７と下部開口面Ｄ２２、Ｄ２
３、Ｄ２４、Ｄ２５、Ｄ２６、Ｄ２７を有し、円筒１２
１と同様の構造をしている。そして、上部開口面Ｕ２
１、Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ２７
それぞれの円の中心を通る法線は互いに平行である。
２の遮蔽板２の構造図である。図５（ａ）は鳥瞰図であ
り、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方
向の断面図である。第２の遮蔽板２は、円板８２と、円
板の上に設けられる７つの円筒１２１、１２２、１２
３、１２４、１２５、１２６、１２７で構成される。円
筒１２１は円形の上部開口面Ｕ２１と下部開口面Ｄ２１
を有する。すなわち、円板８２にも下部開口面Ｄ２１の
位置に同形の開口を有する。円筒１２１は、円筒１２
２、１２４、１２６と重なっており、側壁の接触部で接
続されている。上部開口面Ｕ２１の円の直径は７５ｍｍ
であり、下部開口面Ｄ２１の円の直径より小さくなって
おり、また、第３の遮蔽板の上部開口面Ｕ３１の直径よ
りも大きくなっている。上部開口面Ｕ２１の円の中心を
通る法線と下部開口面Ｄ２１の円の中心を通る法線とが
一致している。他の円筒１２２、１２３、１２４、１２
５、１２６、１２７も上部開口面Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２
４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ２７と下部開口面Ｄ２２、Ｄ２
３、Ｄ２４、Ｄ２５、Ｄ２６、Ｄ２７を有し、円筒１２
１と同様の構造をしている。そして、上部開口面Ｕ２
１、Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ２７
それぞれの円の中心を通る法線は互いに平行である。
【００４９】図６は本発明の第２の実施の形態に係る第
１の遮蔽板１の構造図である。図６（ａ）は鳥瞰図であ
り、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方
向の断面図である。第１の遮蔽板１は、円板８１と、円
板の上に設けられる７つの円筒１１１、１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７で構成される。円
筒１１１は円形の上部開口面Ｕ１１と下部開口面Ｄ１１
を有する。すなわち、円板８１にも下部開口面Ｄ１１の
位置に同形の開口を有する。円筒１１１は、円筒１１
２、１１４、１１６と重なっており、側壁の接触部で接
続されている。円筒１１２、１１４、１１６の内側に位
置する円筒１１１の側壁は除去され、同様に、円筒１１
１の内側に位置する円筒１１２、１１４、１１６の側壁
は除去されている。従って、下部開口面Ｄ１１も、下部
開口面Ｄ１２、Ｄ１４、Ｄ１６と重なり、全体で１つの
下部開口面Ｄ１となっている。上部開口面Ｕ１１の円の
直径は８０ｍｍであり、下部開口面Ｄ１１の円の直径よ
り小さくなっており、また、第２の遮蔽板の上部開口面
Ｕ２１の直径よりも大きくなっている。上部開口面Ｕ１
１の円の中心を通る法線と下部開口面Ｄ１１の円の中心
を通る法線とが一致している。他の円筒１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７も上部開口面Ｕ１
２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ１７と下部開
口面Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ１５、Ｄ１６、Ｄ１７
を有し、円筒１１１と同様の構造をしている。そして、
上部開口面Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、
Ｕ１６、Ｕ１７それぞれの円の中心を通る法線は互いに
平行である。
１の遮蔽板１の構造図である。図６（ａ）は鳥瞰図であ
り、（ｂ）は上面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＩ−Ｉ方
向の断面図である。第１の遮蔽板１は、円板８１と、円
板の上に設けられる７つの円筒１１１、１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７で構成される。円
筒１１１は円形の上部開口面Ｕ１１と下部開口面Ｄ１１
を有する。すなわち、円板８１にも下部開口面Ｄ１１の
位置に同形の開口を有する。円筒１１１は、円筒１１
２、１１４、１１６と重なっており、側壁の接触部で接
続されている。円筒１１２、１１４、１１６の内側に位
置する円筒１１１の側壁は除去され、同様に、円筒１１
１の内側に位置する円筒１１２、１１４、１１６の側壁
は除去されている。従って、下部開口面Ｄ１１も、下部
開口面Ｄ１２、Ｄ１４、Ｄ１６と重なり、全体で１つの
下部開口面Ｄ１となっている。上部開口面Ｕ１１の円の
直径は８０ｍｍであり、下部開口面Ｄ１１の円の直径よ
り小さくなっており、また、第２の遮蔽板の上部開口面
Ｕ２１の直径よりも大きくなっている。上部開口面Ｕ１
１の円の中心を通る法線と下部開口面Ｄ１１の円の中心
を通る法線とが一致している。他の円筒１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７も上部開口面Ｕ１
２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ１７と下部開
口面Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ１５、Ｄ１６、Ｄ１７
を有し、円筒１１１と同様の構造をしている。そして、
上部開口面Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、
Ｕ１６、Ｕ１７それぞれの円の中心を通る法線は互いに
平行である。
【００５０】図７は本発明の第２の実施の形態に係る遮
蔽器の構造図である。図７（ａ）は上面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。第２の実
施の形態に係る遮蔽器は、図６の第２の実施の形態に係
る第１の遮蔽板１と、図５の第２の実施の形態に係る第
２の遮蔽板２と図４の第２の実施の形態に係る第３の遮
蔽板３とで構成され、遮蔽板１、２、３はスペーサ４で
保持されている。遮蔽板１、２、３はそれぞれの円板８
１、８２、８３の中心を通る法線が一致するように配置
される。第１の遮蔽板１の円筒１１１、１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７（すなわち開口１
１、１２、１３、１４、１５、１６、１７）は、それら
の上部開口面Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１
５、Ｕ１６、Ｕ１７の円の中心Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１
３、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ１７と第１の遮蔽板１
の円板の中心との距離が適当に分散するように配置され
る。
蔽器の構造図である。図７（ａ）は上面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。第２の実
施の形態に係る遮蔽器は、図６の第２の実施の形態に係
る第１の遮蔽板１と、図５の第２の実施の形態に係る第
２の遮蔽板２と図４の第２の実施の形態に係る第３の遮
蔽板３とで構成され、遮蔽板１、２、３はスペーサ４で
保持されている。遮蔽板１、２、３はそれぞれの円板８
１、８２、８３の中心を通る法線が一致するように配置
される。第１の遮蔽板１の円筒１１１、１１２、１１
３、１１４、１１５、１１６、１１７（すなわち開口１
１、１２、１３、１４、１５、１６、１７）は、それら
の上部開口面Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１
５、Ｕ１６、Ｕ１７の円の中心Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１
３、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ１７と第１の遮蔽板１
の円板の中心との距離が適当に分散するように配置され
る。
【００５１】第２の遮蔽板２の円筒１２１（開口２１）
は、上部開口面Ｕ２１の円の中心Ｃ２１を通る法線と第
１の遮蔽板１の上部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通
る法線とが一致するように配置される。他の円筒１２
２、１２３、１２４、１２５、１２６、１２７（すなわ
ち開口２２、２３、２４、２５、２６、２７）も、第１
の遮蔽板１の上部開口面Ｕ１２、１３、１４、１５、１
６、１７と同様な位置関係になるように配置される。第
３の遮蔽板３の円筒１３１（開口３１）は、上部開口面
Ｕ３１の円の中心Ｃ３１を通る法線と第１の遮蔽板１の
上部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。他の円筒１３２、１３３、１３
４、１３５、１３６、１３７（すなわち開口３２、３
３、３４、３５、３６、３７）も、第１の遮蔽板１の上
部開口面Ｕ１２、１３、１４、１５、１６、１７と同様
な位置関係になるように配置される。
は、上部開口面Ｕ２１の円の中心Ｃ２１を通る法線と第
１の遮蔽板１の上部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通
る法線とが一致するように配置される。他の円筒１２
２、１２３、１２４、１２５、１２６、１２７（すなわ
ち開口２２、２３、２４、２５、２６、２７）も、第１
の遮蔽板１の上部開口面Ｕ１２、１３、１４、１５、１
６、１７と同様な位置関係になるように配置される。第
３の遮蔽板３の円筒１３１（開口３１）は、上部開口面
Ｕ３１の円の中心Ｃ３１を通る法線と第１の遮蔽板１の
上部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とが一致
するように配置される。他の円筒１３２、１３３、１３
４、１３５、１３６、１３７（すなわち開口３２、３
３、３４、３５、３６、３７）も、第１の遮蔽板１の上
部開口面Ｕ１２、１３、１４、１５、１６、１７と同様
な位置関係になるように配置される。
【００５２】図８は本発明の第２の実施の形態に係るマ
ルチカソードスパッタリング装置の構造図である。この
マルチカソードスパッタリング装置は半導体装置の多層
配線の形成に使用される半導体製造装置である。第２の
実施の形態に係るマルチカソードスパッタリング装置
は、第１の実施の形態に係るマルチカソードスパッタリ
ング装置に比べ、第１の遮蔽板１、第２の遮蔽板２、第
３の遮蔽板３の構造のみが異なっている。この遮蔽板
１、２、３で、図７で説明した第２の実施の形態に係る
遮蔽器を構成している。
ルチカソードスパッタリング装置の構造図である。この
マルチカソードスパッタリング装置は半導体装置の多層
配線の形成に使用される半導体製造装置である。第２の
実施の形態に係るマルチカソードスパッタリング装置
は、第１の実施の形態に係るマルチカソードスパッタリ
ング装置に比べ、第１の遮蔽板１、第２の遮蔽板２、第
３の遮蔽板３の構造のみが異なっている。この遮蔽板
１、２、３で、図７で説明した第２の実施の形態に係る
遮蔽器を構成している。
【００５３】第１の遮蔽板１の上部開口面Ｕ１１は、上
部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とターゲッ
ト４１の底面の円の中心を通る法線とが一致するように
配置される。上部開口面Ｕ１２は、上部開口面Ｕ１２の
円の中心Ｃ１２を通る法線とターゲット４２の底面の円
の中心を通る法線とが一致するように配置される。上部
開口面Ｕ１３は、上部開口面Ｕ１３の円の中心Ｃ１３を
通る法線とターゲット４３の底面の円の中心を通る法線
とが一致するように配置される。図７の上部開口面Ｕ１
４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ１７に対しても図示を省略した
他の４つのターゲットと同様の位置関係になるように配
置される。また、遮蔽板１、２、３の円筒１１１、１１
２、１１３、１２１、１２２、１２３、１３１、１３
２、１３３の側壁の内側の面を延長した面が、それぞれ
の遮蔽板１、２、３とターゲット４１、４２、４３の間
の１点を通って広がり、この広がった面が直上のターゲ
ット４１、４２、４３に交わらないように、遮蔽板１、
２、３は配置される。
部開口面Ｕ１１の円の中心Ｃ１１を通る法線とターゲッ
ト４１の底面の円の中心を通る法線とが一致するように
配置される。上部開口面Ｕ１２は、上部開口面Ｕ１２の
円の中心Ｃ１２を通る法線とターゲット４２の底面の円
の中心を通る法線とが一致するように配置される。上部
開口面Ｕ１３は、上部開口面Ｕ１３の円の中心Ｃ１３を
通る法線とターゲット４３の底面の円の中心を通る法線
とが一致するように配置される。図７の上部開口面Ｕ１
４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ１７に対しても図示を省略した
他の４つのターゲットと同様の位置関係になるように配
置される。また、遮蔽板１、２、３の円筒１１１、１１
２、１１３、１２１、１２２、１２３、１３１、１３
２、１３３の側壁の内側の面を延長した面が、それぞれ
の遮蔽板１、２、３とターゲット４１、４２、４３の間
の１点を通って広がり、この広がった面が直上のターゲ
ット４１、４２、４３に交わらないように、遮蔽板１、
２、３は配置される。
【００５４】図９は本発明の第２の実施の形態に係るマ
ルチカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法
を説明する図である。この成膜方法は半導体装置の多層
配線等に使用される導電膜の成膜工程に用いられる半導
体装置の製造方法である。第２の実施の形態に係るマル
チカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法を
以下に説明する。チャンバ５内の減圧引き、ヘッド１０
の回転、アルゴンガスの導入、カソード５１、５２、５
３への電力の投入、アルゴンプラズマの生成とスパッタ
粒子の流れの源流Ｆ０の形成は、第１の実施の形態と同
様である。
ルチカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法
を説明する図である。この成膜方法は半導体装置の多層
配線等に使用される導電膜の成膜工程に用いられる半導
体装置の製造方法である。第２の実施の形態に係るマル
チカソードによるスパッタリングを用いての成膜方法を
以下に説明する。チャンバ５内の減圧引き、ヘッド１０
の回転、アルゴンガスの導入、カソード５１、５２、５
３への電力の投入、アルゴンプラズマの生成とスパッタ
粒子の流れの源流Ｆ０の形成は、第１の実施の形態と同
様である。
【００５５】（イ）スパッタ粒子の流れの源流Ｆ０から
スパッタ粒子の流れの支流Ｆ１を分岐させる。具体的に
は、源流Ｆ０の中に第１の遮蔽板１を設置する。そし
て、遮蔽板１の上にスパッタ膜１０１を堆積させる。
スパッタ粒子の流れの支流Ｆ１を分岐させる。具体的に
は、源流Ｆ０の中に第１の遮蔽板１を設置する。そし
て、遮蔽板１の上にスパッタ膜１０１を堆積させる。
【００５６】遮蔽板１の円筒の側面にスパッタ膜１０１
が付着するので、第１の実施の形態に比べ付着する表面
積が増え、堆積する膜１０１が分散付着し、堆積する膜
厚が薄くなる。膜剥がれが発生までの期間が長くなる。
それにより、パーティクルの発生が抑制され、遮蔽板１
のライフがさらに延長される。
が付着するので、第１の実施の形態に比べ付着する表面
積が増え、堆積する膜１０１が分散付着し、堆積する膜
厚が薄くなる。膜剥がれが発生までの期間が長くなる。
それにより、パーティクルの発生が抑制され、遮蔽板１
のライフがさらに延長される。
【００５７】また膜１０１は遮蔽板１のターゲット側に
しか付着しない角度になっているため、遮蔽板１の裏面
にスパッタ粒子が実質的に付着せず、遮蔽板１の裏面か
らの膜剥がれが発生しない。遮蔽板１表面で膜剥がれが
発生した場合でも、剥がれた膜は筒の側面を越えられず
遮蔽板１で受け止められる構造であるため、基板８にパ
ーティクルが落下することがない。
しか付着しない角度になっているため、遮蔽板１の裏面
にスパッタ粒子が実質的に付着せず、遮蔽板１の裏面か
らの膜剥がれが発生しない。遮蔽板１表面で膜剥がれが
発生した場合でも、剥がれた膜は筒の側面を越えられず
遮蔽板１で受け止められる構造であるため、基板８にパ
ーティクルが落下することがない。
【００５８】遮蔽板１に開けられた開口の直上のターゲ
ットに隣接するターゲットからのスパッタ粒子を遮断す
る効果が大きくなり、指向性、面内均一性が向上する。
また隣接されたターゲットより、放出される粒子は遮蔽
板に対しして直角近傍の方向から付着するため、付着強
度が強く、膜剥がれが生じにくくなる。
ットに隣接するターゲットからのスパッタ粒子を遮断す
る効果が大きくなり、指向性、面内均一性が向上する。
また隣接されたターゲットより、放出される粒子は遮蔽
板に対しして直角近傍の方向から付着するため、付着強
度が強く、膜剥がれが生じにくくなる。
【００５９】（ロ）次に、遮蔽板１の開口１１、１２、
１３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残りか
らスパッタ粒子の流れの支流Ｆ２を分岐させる。具体的
には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第２の遮蔽板２を設
置する。そして、遮蔽板２の上にスパッタ膜１０２を堆
積させる。スパッタ膜１０２の膜厚がスパッタ膜１０１
の膜厚とほぼ等しくなるように、遮蔽板２を設置する。
遮蔽板２でも遮蔽板１と同様な効果を得る事ができる。
１３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残りか
らスパッタ粒子の流れの支流Ｆ２を分岐させる。具体的
には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第２の遮蔽板２を設
置する。そして、遮蔽板２の上にスパッタ膜１０２を堆
積させる。スパッタ膜１０２の膜厚がスパッタ膜１０１
の膜厚とほぼ等しくなるように、遮蔽板２を設置する。
遮蔽板２でも遮蔽板１と同様な効果を得る事ができる。
【００６０】（ハ）さらに、遮蔽板２の開口２１、２
２、２３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りからスパッタ粒子の流れの支流Ｆ３を分岐させる。具
体的には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第３の遮蔽板３
を設置する。そして、遮蔽板３の上にスパッタ膜１０３
を堆積させる。スパッタ膜１０３の膜厚がスパッタ膜１
０１の膜厚と等しくなるように、遮蔽板３を設置する。
遮蔽板３でも遮蔽板１と同様な効果を得る事ができる。
２、２３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りからスパッタ粒子の流れの支流Ｆ３を分岐させる。具
体的には、源流Ｆ０の残りの流れの中に第３の遮蔽板３
を設置する。そして、遮蔽板３の上にスパッタ膜１０３
を堆積させる。スパッタ膜１０３の膜厚がスパッタ膜１
０１の膜厚と等しくなるように、遮蔽板３を設置する。
遮蔽板３でも遮蔽板１と同様な効果を得る事ができる。
【００６１】（ニ）最後に、遮蔽板３の開口３１、３
２、３３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りであるスパッタ粒子の流れの幹流Ｆ４を基板８上で止
める。そして、基板８の上にスパッタ膜１０４を堆積さ
せる。
２、３３を通過したスパッタ粒子の流れの源流Ｆ０の残
りであるスパッタ粒子の流れの幹流Ｆ４を基板８上で止
める。そして、基板８の上にスパッタ膜１０４を堆積さ
せる。
【００６２】基板８には遮蔽板１、２、３の開口１１、
１２、１３、２１、２２、２３、３１、３２、３３を通
過できる垂直成分の粒子のみが到達でき、膜１０４が堆
積する。よって、カバレッジの非対称性は生じない。遮
蔽板１、２、３の上部開口面の大きさはカソード５１、
５２、５３に近い方から順に小さくなっているため、遮
蔽板１、２、３に捕獲された粒子の量は３枚の遮蔽板
１、２、３で平均化され、遮蔽板１、２、３から膜剥が
れが発生するまで処理できる基板８の枚数が、従来の同
じ開口径を持つ３枚の遮蔽板に比べ２．５倍と大幅に改
善された。そして、遮蔽板１、２、３の洗浄サイクルが
大きく延びた。成膜された膜均一性は±３％と良好であ
る。
１２、１３、２１、２２、２３、３１、３２、３３を通
過できる垂直成分の粒子のみが到達でき、膜１０４が堆
積する。よって、カバレッジの非対称性は生じない。遮
蔽板１、２、３の上部開口面の大きさはカソード５１、
５２、５３に近い方から順に小さくなっているため、遮
蔽板１、２、３に捕獲された粒子の量は３枚の遮蔽板
１、２、３で平均化され、遮蔽板１、２、３から膜剥が
れが発生するまで処理できる基板８の枚数が、従来の同
じ開口径を持つ３枚の遮蔽板に比べ２．５倍と大幅に改
善された。そして、遮蔽板１、２、３の洗浄サイクルが
大きく延びた。成膜された膜均一性は±３％と良好であ
る。
【００６３】（その他の実施の形態）上記のように、本
発明は２つの実施の形態によって記載したが、この開示
の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもので
あると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとな
ろう。
発明は２つの実施の形態によって記載したが、この開示
の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するもので
あると理解すべきではない。この開示から当業者には様
々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとな
ろう。
【００６４】本発明の実施例では、開口の形状を円とし
たが、これに限ることはなく、ターゲットの底面の形状
に合わせればよい。また、開口の数や遮蔽板の枚数は、
７つと３枚に限られるものではなく、２つ以上、２枚以
上であればよい。
たが、これに限ることはなく、ターゲットの底面の形状
に合わせればよい。また、開口の数や遮蔽板の枚数は、
７つと３枚に限られるものではなく、２つ以上、２枚以
上であればよい。
【００６５】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
付着するスパッタリング膜が厚くなりにくい遮蔽板を提
供できる。
付着するスパッタリング膜が厚くなりにくい遮蔽板を提
供できる。
【００６７】また、本発明によれば、付着するスパッタ
リング膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽板を提供
できる。
リング膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽板を提供
できる。
【００６８】本発明によれば、付着するスパッタリング
膜が厚くなりにくい遮蔽器を提供できる。
膜が厚くなりにくい遮蔽器を提供できる。
【００６９】本発明によれば、付着するスパッタリング
膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽器を提供でき
る。
膜が剥がれても基板の上に落ちない遮蔽器を提供でき
る。
【００７０】本発明によれば、遮蔽板に付着するスパッ
タリング膜が厚くなりにくい半導体製造装置を提供でき
る。
タリング膜が厚くなりにくい半導体製造装置を提供でき
る。
【００７１】本発明によれば、遮蔽板に付着するスパッ
タリング膜が剥がれても基板の上に落ちない半導体製造
装置を提供できる。
タリング膜が剥がれても基板の上に落ちない半導体製造
装置を提供できる。
【００７２】本発明によれば、遮蔽板に付着するスパッ
タリング膜が厚くなりにくい半導体装置の製造方法を提
供できる。
タリング膜が厚くなりにくい半導体装置の製造方法を提
供できる。
【００７３】これらのことにより、遮蔽板上の膜を除去
するための遮蔽板の洗浄頻度を低くすることができ、半
導体製造装置の生産性を高めることができる。
するための遮蔽板の洗浄頻度を低くすることができ、半
導体製造装置の生産性を高めることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る遮蔽器の構造
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るマルチカソー
ドスパッタリング装置の構造図である。
ドスパッタリング装置の構造図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るマルチカソー
ドによるスパッタリングを用いての成膜方法を説明する
図である。
ドによるスパッタリングを用いての成膜方法を説明する
図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る第３の遮蔽板
３の構造図である。
３の構造図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る第２の遮蔽板
２の構造図である。
２の構造図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る第１の遮蔽板
１の構造図である。
１の構造図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る遮蔽器の構造
図である。
図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係るマルチカソー
ドスパッタリング装置の構造図である。
ドスパッタリング装置の構造図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るマルチカソー
ドによるスパッタリングを用いての成膜方法を説明する
図である。
ドによるスパッタリングを用いての成膜方法を説明する
図である。
【図１０】従来のマルチカソードスパッタリング装置の
成膜時の状態図である。
成膜時の状態図である。
１、７１ 第１の遮蔽板
２、７２ 第２の遮蔽板
３、７３ 第３の遮蔽板
４ スペーサ
５ チャンバー
６ 真空排気口
７ ガス導入口
８ 基板
９ 遮蔽筒
１０ ヘッド
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７ 法線
Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１６、Ｃ
１７ 中心 Ｃ２１、Ｃ２２、Ｃ２３、Ｃ３１、Ｃ３２、Ｃ３３ 中
心 １１、１２、１３、１４、１５、１６、１７ 開口 ２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７ 開口 ３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７ 開口 Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ
１７ 上部開口面 Ｕ２１、Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ
２７ 上部開口面 Ｕ３１、Ｕ３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３５、Ｕ３６、Ｕ
３７ 上部開口面 Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ１５、Ｄ１６、Ｄ
１７ 下部開口面 Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ２、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ３
３、Ｄ３ 下部開口面 ４１、４２、４３ ターゲット ５１、５２、５３ カソード ６１、６２、６３ 電源 ８１、８２、８３ 円板 １０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６ ス
パッタ膜 １１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１
１７ 円筒 １２１、１２２、１２３、１２４、１２５、１２６、１
２７ 円筒 １３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１
３７ 円筒 Ｆ０ スパッタ粒子の源流 Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３ スパッタ粒子の支流 Ｆ４ スパッタ粒子の幹流
１７ 中心 Ｃ２１、Ｃ２２、Ｃ２３、Ｃ３１、Ｃ３２、Ｃ３３ 中
心 １１、１２、１３、１４、１５、１６、１７ 開口 ２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７ 開口 ３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７ 開口 Ｕ１１、Ｕ１２、Ｕ１３、Ｕ１４、Ｕ１５、Ｕ１６、Ｕ
１７ 上部開口面 Ｕ２１、Ｕ２２、Ｕ２３、Ｕ２４、Ｕ２５、Ｕ２６、Ｕ
２７ 上部開口面 Ｕ３１、Ｕ３２、Ｕ３３、Ｕ３４、Ｕ３５、Ｕ３６、Ｕ
３７ 上部開口面 Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ１５、Ｄ１６、Ｄ
１７ 下部開口面 Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ２、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ３
３、Ｄ３ 下部開口面 ４１、４２、４３ ターゲット ５１、５２、５３ カソード ６１、６２、６３ 電源 ８１、８２、８３ 円板 １０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６ ス
パッタ膜 １１１、１１２、１１３、１１４、１１５、１１６、１
１７ 円筒 １２１、１２２、１２３、１２４、１２５、１２６、１
２７ 円筒 １３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６、１
３７ 円筒 Ｆ０ スパッタ粒子の源流 Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３ スパッタ粒子の支流 Ｆ４ スパッタ粒子の幹流
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/203,21/363
C23C 14/34
Claims (15)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に設けられた複数のカソードと、 前記カソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれの底
面が同一平面上にくるように配置される円板状のターゲ
ットの直下に前記ターゲットと同数の開口を有しそれぞ
れの前記開口が前記同一平面と平行な 平板と、前記平板
の上に設けられ前記開口と同形の下部開口面が前記開口
に重なり上部開口面が円形で前記下部開口面より小さく
前記上部開口面の円の中心を通る法線と前記下部開口面
の円の中心を通る法線とが一致し前記平板の法線に平行
であり前記開口と同数である円筒とを有する遮蔽板とを
有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記円筒が、互いの前記下部開口面と側
壁の一部が重なっており、他方の前記円筒の内側に位置
する前記側壁が除去されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記平板が円板であることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に設けられた複数のカソードと、 前記カソードのそれぞれの下面に設けられそれぞれの底
面が同一平面上にくるように配置される円板状のターゲ
ットの直下に前記ターゲットと同数の開口を有し、それ
ぞれの前記開口が前記同一平面と平行な同一平面上に有
り、前記ターゲットから遠い遮蔽板ほど前記開口の開口
径が小さい２枚以上の遮蔽板とを有することを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項５】 真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に設けられた複数のカソードと、複数の円形の開口を有する平板である第１の遮蔽板と、
前記平板と平行な平板であり、前記開口と同数で前記開
口より小さい円形の開口を有し、該開口の円の中心を通
る法線と前記第１の遮蔽板が有する前記開口の円の中心
を通る法線とが一致する第２の遮蔽板を有し、 前記第１
の遮蔽板の前記開口の円の中心を通る法線と前記カソー
ドのそれぞれの下面に設けられそれぞれの底面が同一平
面上にくるように配置される円板状のターゲットの底面
の円の中心を通る法線とが一致するように配置される遮
蔽器とを有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記第１の遮蔽板の前記平板が円板であ
り、 前記第２の遮蔽板の前記平板が、前記円板の直径と直径
が等しい円板であり、該円板の中心を通る法線と前記第
１の遮蔽板の前記円板の中心を通る法線とが一致するこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記第２の遮蔽板の前記平板と平行で前
記第２の遮蔽板を挟んで前記第１の遮蔽板の反対側に位
置する平板であり、前記第２の遮蔽板の前記開口と同数
で前記第２の遮蔽板の前記開口より小さい円形の開口を
有し、該開口の円の中心を通る法線と前記第２の遮蔽板
の前記開口の円の中心を通る法線とが一致する第３の遮
蔽板を有することを特徴とする請求項５記載の半導体製
造装置。 - 【請求項８】 真空チャンバーと、 前記真空チャンバー内に設けられた複数のカソードと、複数の円形の開口が設けられた平板と前記平板の上に設
けられ前記開口と同形の下部開口面が前記開口に重なり
上部開口面が円形で前記下部開口面より小さく前記上部
開口面の円の中心を通る法線と前記下部開口面の円の中
心を通る法線とが一致し前記平板の法線に平行であり前
記開口と同数である円筒とを有する第１の遮蔽板と、前
記平板と平行で前記平板の下方に位置し複数の円形の開
口が設けられた平板と該平板の上に設けられ前記開口と
同形の下部開口面が前記開口に重なり上部開口面が円形
で前記下部開口面と前記第１の遮蔽板の前記上部開口面
より小さく前記上部開口面の円の中心を通る法線と前記
下部開口面の円の中心を通る法線と前記第１の遮蔽板の
前記上部開口面の円の中心を通る法線が一致し前記平板
の法線に平行であり前記開口と同数である円筒とを有す
る第２の遮蔽板とを 備え、 前記第１の遮蔽板の前記開口
の円の中心を通る法線と、前記カソードのそれぞれの下
面に設けられ、それぞれの底面が同一平面上にくるよう
に配置される円板状のターゲットの底面の円の中心を通
る法線とが一致するように配置される遮蔽器とを有する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項９】 前記第１の遮蔽板の前記円筒が互いの前
記下部開口面と側壁の一部が重なっており、他方の前記
円筒の内側に位置する前記側壁が除去されていることを
特徴とする請求項８記載の半導体製造装置。 - 【請求項１０】 前記遮蔽板の前記円筒の側壁の内側の
面を延長した面が、それぞれの前記遮蔽板と前記ターゲ
ットの間の１点を通って広がり、前記面が直上の前記タ
ーゲットに交わらないこと特徴とする請求項８記載の半
導体製造装置。 - 【請求項１１】 前記開口の直径が前記ターゲットの直
径よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至１０のい
ずれか１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１２】 前記カソードが裏面に固定された回転
可能なヘッドを有することを特徴とする請求項１乃至１
１のいずれか１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１３】 前記ヘッドに前記遮蔽板が固定された
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１４】 チャンバー内を減圧にする工程と、 前記チャンバー内にアルゴンガスを導入する工程と、 カソードに電力を投入し、ターゲットの下方にアルゴン
又はメタルイオンプラズマを生成させる工程と、 前記アルゴン又はメタルイオンプラズマによってスパッ
タリングされターゲットから生じる粒子の源流を形成す
る工程と、 前記源流の中に第１の遮蔽板を設置し、前記源流から支
流を分岐させ、前記第１の遮蔽板の上に第１のスパッタ
膜を堆積させる工程と、 前記分岐後の前記源流の中に第２の遮蔽板を設置し、さ
らに支流を分岐させ、前記第２の遮蔽板の上に膜厚が前
記第１のスパッタ膜の膜厚とほぼ等しい第２のスパッタ
膜を堆積させる工程と、 前記第２の遮蔽板の開口を通過した前記源流の残りを半
導体基板上で止め、前記半導体基板の上に第３のスパッ
タ膜を堆積させる工程とを具備することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記第３のスパッタ膜を堆積させる工
程において、前記ターゲットと前記第１の遮蔽板と前記
第２の遮蔽板とを固定するヘッドが回転することを特徴
とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271199A JP3529676B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| TW089118094A TW466590B (en) | 1999-09-16 | 2000-09-05 | Shielding plate, shielding device, apparatus for manufacturing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device |
| KR10-2000-0054160A KR100413741B1 (ko) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | 차폐판, 차폐기, 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법 |
| US09/662,838 US6521010B1 (en) | 1999-09-16 | 2000-09-15 | Filter, filtering frame, and semiconductor device manufacturing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271199A JP3529676B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085332A JP2001085332A (ja) | 2001-03-30 |
| JP3529676B2 true JP3529676B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=17379540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26271199A Expired - Lifetime JP3529676B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6521010B1 (ja) |
| JP (1) | JP3529676B2 (ja) |
| KR (1) | KR100413741B1 (ja) |
| TW (1) | TW466590B (ja) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040086639A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-05-06 | Grantham Daniel Harrison | Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly |
| US7897008B2 (en) * | 2006-10-27 | 2011-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for regional plasma control |
| US7909961B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7943005B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| KR20090131453A (ko) * | 2008-06-18 | 2009-12-29 | 주식회사 엔씰텍 | 스퍼터링 장치 및 이를 구비하는 멀티 챔버 |
| JP5415979B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2014-02-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法 |
| US8202339B2 (en) * | 2009-07-29 | 2012-06-19 | Cummins Filtration Ip Inc. | Inertial impactor with enhanced separation |
| US8178280B2 (en) * | 2010-02-05 | 2012-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special) |
| JP5319021B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| DE112014001711T5 (de) | 2013-03-28 | 2015-12-10 | Cummins Filtration Ip, Inc. | Luft-Ölabscheider mit strahlverstärkter Impaktion und zugehöriges Verfahren |
| US20150107199A1 (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Bha Altair, Llc | Cylindrical Filtration Apparatus Assembly |
| JP5985581B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| JP6039117B1 (ja) * | 2016-01-25 | 2016-12-07 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| TWI811037B (zh) | 2016-07-27 | 2023-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| JP6970624B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法 |
| TW202026770A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
| CN109355631B (zh) * | 2018-11-29 | 2020-12-22 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 用于溅射***上提高薄膜均匀性的装置及其加工方法 |
| CN111261482B (zh) * | 2018-11-30 | 2023-02-28 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法 |
| WO2020117335A1 (en) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | Cummins Filtration Ip, Inc. | Chimney for impactor nozzles and integrated assembly |
| US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
| TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法 |
| US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202035792A (zh) | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
| TW202043905A (zh) | 2019-03-01 | 2020-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積系統與處理 |
| US11639544B2 (en) * | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
| US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
| TWI836073B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體及其製造方法 |
| TW202104667A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TWI836072B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 |
| CN110306161B (zh) * | 2019-07-01 | 2021-11-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工腔室及半导体加工设备 |
| US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
| KR102209205B1 (ko) * | 2019-08-21 | 2021-02-01 | 주식회사 미래보 | 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치 |
| US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| TWI836207B (zh) | 2020-04-17 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
| US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11762278B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-09-19 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
| US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
| US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1970488A (en) * | 1933-06-16 | 1934-08-14 | Joseph F Butts | Device for arresting cinders, flyash, etc. |
| US3957465A (en) * | 1972-05-12 | 1976-05-18 | Pircon Ladislav J | Pollution control apparatus and method |
| DE2801923C2 (de) * | 1978-01-17 | 1980-01-31 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von gas- oder dampfförmigen Stoffen, insbesondere Isotopen, nach dem Trenndüsenprinzip |
| JPH0642935B2 (ja) * | 1988-08-04 | 1994-06-08 | ヴィルヘルム ジンマーライン‐エルルバッハー、エヴァルト | 濾過装置 |
| JPH046271A (ja) | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Anelva Corp | マルチカソードスパッタリング装置 |
| US5223108A (en) * | 1991-12-30 | 1993-06-29 | Materials Research Corporation | Extended lifetime collimator |
| JPH0634805A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回折格子のプレス成形用型及びその作製方法ならびに回折格子の作製方法 |
| EP0600303B1 (en) * | 1992-12-01 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabrication of dielectric thin film |
| EP0682125A1 (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-15 | Applied Materials, Inc. | Controlling material sputtered from a target |
| JP3808148B2 (ja) | 1996-10-21 | 2006-08-09 | 株式会社アルバック | 複合スパッタリングカソード、そのカソードを用いたスパッタリング装置 |
| GB9701114D0 (en) * | 1997-01-20 | 1997-03-12 | Coherent Optics Europ Ltd | Three-dimensional masking method for control of optical coating thickness |
| US6010554A (en) * | 1997-06-23 | 2000-01-04 | Battelle Memorial Institute | Micro-machined virtual impactor and method of operation |
| JPH11131228A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-18 | Canon Inc | スパッタ装置 |
| US6135367A (en) * | 1998-09-03 | 2000-10-24 | Hsu; Tsung-Ming | Atomizing boards with asymmetrically distributed atomizing holes |
| JP4137277B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2008-08-20 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
-
1999
- 1999-09-16 JP JP26271199A patent/JP3529676B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-05 TW TW089118094A patent/TW466590B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-09-15 US US09/662,838 patent/US6521010B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-15 KR KR10-2000-0054160A patent/KR100413741B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100413741B1 (ko) | 2003-12-31 |
| KR20010030393A (ko) | 2001-04-16 |
| US6521010B1 (en) | 2003-02-18 |
| TW466590B (en) | 2001-12-01 |
| JP2001085332A (ja) | 2001-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3529676B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| TWI669752B (zh) | 用於pvd濺射腔室的可偏壓通量優化器/準直器 | |
| KR101968691B1 (ko) | Ｐｖｄ 챔버용 스퍼터링 타겟 | |
| JP4137277B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH111770A (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
| TWI780173B (zh) | 濺鍍裝置 | |
| JPH10152774A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH04371578A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| US4897172A (en) | Sputtering chamber structure for high-frequency bias sputtering process | |
| JP4233702B2 (ja) | カーボンスパッタ装置 | |
| JP6456010B1 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP6688385B2 (ja) | 成膜装置、プラテンリング | |
| TWI770421B (zh) | 濺鍍裝置及濺鍍方法 | |
| JP2000265270A (ja) | スパッタリング装置のマグネトロンカソード | |
| JP7044887B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH1030174A (ja) | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 | |
| JPH0665731A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10121234A (ja) | スパッタリング装置及びそれに用いるコリメータ | |
| JPH08203828A (ja) | スパッタリング方法およびその装置 | |
| JPH0794412A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH042771A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH10130832A (ja) | 低圧遠隔スパッタ装置 | |
| JPH01309964A (ja) | スパッタリング法による機能性堆積膜形成装置 | |
| JPH0480358A (ja) | 反応性マグネトロンスパッタ装置の回転マグネット式カソード | |
| JP5342425B2 (ja) | スパッタリング装置および方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040225 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 9 |