KR100879139B1

KR100879139B1 - 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법

Info

Publication number: KR100879139B1
Application number: KR1020070088456A
Authority: KR
Inventors: 안진호; 김태근; 정창영; 김병헌
Original assignee: 한양대학교 산학협력단
Priority date: 2007-08-31
Filing date: 2007-08-31
Publication date: 2009-01-19

Abstract

본 발명은 반사형 마스크에서 흡수영역이 반사영역과 180°의 위상차와 극자외선 파장에서의 6%이상의 반사도를 가지고 있도록 하고, 결함 검사 효율을 높이기 위해 DUV(Deep Ultra Violet) 파장에서의 5% 미만의 낮은 반사도를 가지고 있도록 하며, 쉐도우 효과(shadow effect)를 최소화하기 위해 60nm 이하의 두께를 가지고 있도록 하는 극자외선 노광 공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 특징이 있다.

극자외선, 노광 공정, 어테뉴에이티드, 위상반전, 마스크

Description

위상 반전 마스크 및 이의 제조방법{PHASE SHIFT MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 극자외선 노광 공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

지난 30년 이상 반도체 산업은 18개월 마다 집적도가 2배로 증가한다는 Moor의 법칙을 따라 집적도를 증가시켜 왔으며 반도체 산업이 지속적으로 성장하기 위해서는 미래에도 이와 같은 속도의 집적도의 증가 또는 선폭의 감소가 요구되고 있다.

이에, 반도체 소자에 있어 집적도의 증가 또는 선폭의 감소는 리소그래피(Lithography) 기술의 발달에 의해 주도되어 왔으며, 이 리소그래피(Lithography) 기술은 해상도를 높이기 위해 연구를 진행하고 있으며, 적용되고 있는 기술은 크게 파장의 감소, 렌즈 개구수의 증가, 위상반전 마스크의 적용, OPC(Optical Proximity Effect)의 적용으로 나눌 수 있다.

상기 리소그래피(Lithography)에 사용되는 광원은 G-line(436nm), I- line(365nm), KrF(248nm)를 거쳐 현재 ArF(193nm) 광원이 사용되고 있으며, 렌즈의 경우는 이론적 한계 값인 '1'에 거의 다다른 '0.93'의 개구수를 갖는 렌즈가 상용화되기에 이르렀다.

위상반전 마스크는 광을 흡수하는 물질로 투과율이 '0'인 크롬(Cr) 대신에 투과율을(6 ~ 100%) 가지고 위상차가 180°인 물질을 이용하여 패턴 에지(edge)에서의 콘트라스트(contrast)를 향상시켜 해상도를 증가시키는 기술로서, 투과도에 따라 어테뉴에이티드 위상반전 마스크(attenuated phase shift mask)와 얼터내이팅 위상반전 마스크(alternating phase shift mask)로 나눌 수 있으며, 이에 마스크 제작의 용이성, 레이아웃(layout) 구성의 어려움 때문에 얼터내이팅 위상 반전 마스크는 현재 반도체 공정에 적용이 되고 있지 않고 있으나, 어테뉴에이티드 위상반전 마스크는 중요 레이어(layer)에 적용되고 있는 실정이다.

그리고, 차세대 노광기술인 극자외선 노광공정에서는 극자외선이 대부분의 물질 및 공기 중에서 산란되는 특성을 나타내기 때문에, 투과형 마스크를 사용하지 못하고, 13.5nm의 극자외선에 대한 반사형 마스크를 사용한다.

기본적으로 극자외선용 마스크는 Mo/Si 또는 Mo/Be과 같은 이종의 다층박막(multilayer)이 교대로 적층되어 있고, 그 다층박막을 보호하기 위한 캡핑층(capping layer)이 도포되어 있으며, 또 그 위에 선택적으로 극자외선을 흡수하기 위해 흡수체(absorber layer)가 선택적으로 도포되어 있다.

이에 따른, 상기의 구조를 갖는 반사용 마스크에서는 해상도 향상을 위해 기존의 투과용 마스크에 적용했던 위상반전 마스크 방법을 동일하게 적용하는 것이 불가능하기에 실질적인 사용상의 신뢰도 및 만족도가 극소화되는 것이다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술이 갖는 제반 문제점들을 해결하고자 창출된 것으로 다음과 같은 목적을 갖는다.

본 발명은 종래의 바이너리 형태의 극자외선 노광공정용 마스크에 형성된 마스크 기판, 다층박막층 및 캡핑층의 상부에 위상반전막, 스페이서막 및 어테뉴에이터막의 3개층을 패터링을 실시하여 형성시키고, 상기 다층박막층의 스캐터러층을 몰리브덴(Mo)으로, 상기 스페이서막을 규소(Si) 또는 알루미나(Al₂O₃)로, 상기 어테뉴에이터막(39)을 TaN 물질로 형성시킴으로써, 반사형 마스크에서 흡수영역이 반사영역과 180°의 위상차와 극자외선 파장에서의 6%이상의 반사도를 가지고 있도록 하고, 결함 검사 효율을 높이기 위해 DUV(Deep Ultra Violet) 파장에서의 5% 미만의 낮은 반사도를 가지고 있도록 하며, 쉐도우 효과(shadow effect)를 최소화하기 위해 60nm 이하의 두께를 가지고 있도록 하는 극자외선 노광 공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이하, 상기한 본 발명에 대해서 구체적으로 살펴보기로 한다.

본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 사용자 및 생산자의 의도 또는 관례에 따라 달라 질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

먼저, 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크에서는 이종의 물질이 교대로 적층된 다층박막(multilayer)을 기판 위에 형성한다.

상기 다층박막의 보호를 위해 캡핑층(capping layer)을 도포하고, 상기 캡핑층 위에 위상을 반전시키기 위한 위상 반전막(phase shift layer)을 형성하며, 상기 위상 반전막 위에 스페이서(spacer) 막을 형성하고, 상기 스페이서 막 위에 극자외선에 대한 반사도를 낮추기 위한 어테뉴에이터(attenuater) 층을 도포한다.

이에 따라, 상기에서 형성된 마스크 구조에 대하여 선택적인 위상반전 효과와 극자외선의 반사 효과를 얻기 위해 상기 어테뉴에이터와 상기 스페이서, 상기 위상반전막을 식각 공정에 의해 제거한다.

상기 위상반전막, 상기 스페이서 및 상기 어테뉴에이터는 스퍼터링 시스템을 이용하여 형성하는 것이 바람직하며, 상기 위상반전막은 Mo이 바람직하며, 상기 스페이서는 Al₂O₃가 바람직하며, 상기 어테뉴에이터는 TaN을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 상기에서 실시되는 극자외선 노광 공정용 마스크의 제조방법은 소정의 마스크 기판 상부에 Mo층과 Si층을 교대로 증착하여 다층박막층을 형성하는 단계 와, 상기 다층박막층의 상부에 Ru를 증착하여 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 캡핑층 상부에 소정의 두께로 위상반전 막을 증착하여 형성하는 단계와, 상기 위상반전 막 상부에 스페이서 막을 형성하는 단계와, 상기 스페이서 막 상부에 어테뉴에이터 막을 형성하는 단계와, 상기 위상반전막과 그 위에 형성된 스페이서 막과 그 위에 형성된 어테뉴에이터 막을 패터닝하는 단계로 진행된다.

이때, 상기 위상반전막으로 사용된 Mo은 28~33nm의 두께가 바람직하고, 상기 스페이서 막은 18~22nm의 두께로 형성시키는 바람직하며, 상기 어테뉴에이터 막은 2~5nm의 두께로 형성시키는 바람직하다.

또한 상기 위상반전막이 28nm의 두께로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 상기 스페이서막은 21nm의 두께로 형성되는 것이 보다 바람직하며, 상기 어테뉴에이터 막은 3nm의 두께로 형성되는 것이 보다 바람직하다.

또한, 상기 패터닝하는 단계는 e-beam 노광공정으로 실시하는 것이 바람직하다.

본 발명은 Mo와 Si의 다층박막과 Ru 캡핑층으로 구성되는 극자외선 반사다층 미러 상부에 위상반전막과 스페이서 막과 어테뉴에이터를 얇게 형성 및 제조가 가능하게 되어 흡수체의 높이(height)를 낮추어 쉐도우 효과(shadow effect)를 감소시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 DUV 반사도에 대한 콘트라스트가 향상되어 DUV를 이용한 마스크 검사에 효율성이 높아지는 효과와, EUV(Extreme Ultra Violet) 콘트라스트도 향상되어 EUV를 이용한 노광 단계에서의 효율성이 향상되는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 반사방지막과 흡수체로 구성되는 기존의 바이너리 마스크(binary mask)보다 높은 공정여유도를 얻을 수 있는 등의 실질적인 신뢰도 및 만족도가 극대화되는 등의 여러 효과가 있다.

상기한 본 발명을 이루기 위한 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 구체적으로 살펴보기로 한다.

먼저, 본 발명은 종래의 바이너리 형태의 극자외선 노광공정용 마스크에 형성된 마스크 기판, 다층박막층 및 캡핑층의 상부에 위상반전막, 스페이서막 및 어테뉴에이터막의 3개층을 패터링을 실시하여 형성시키고, 상기 다층박막층의 스캐터러층을 몰리브덴(Mo)으로, 상기 스페이서막을 규소(Si) 또는 알루미나(Al₂O₃)로, 상기 어테뉴에이터막(39)을 TaN 물질로 형성시키게 되는 것이다.

이에, 첨부도면 도 1은 종래의 바이너리 형태의 극자외선 노광공정용 마스크 의 단면을 보여주는 예시도로서, 이는 마스크 기판(21), 다층박막층(22, 23), 캡핑층(24), 흡수체층(25) 및 반사방지막(26)으로 형성되게 된다.

첨부도면 도 2는 본 발명에 의한 위상반전막, 스페이서, 어테뉴에이터의 3층 구조를 가지는 흡수체를 이용한 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크 구조의 단면를 보여주는 예시도이고, 도 3은 도 2의 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크 구조에 따른 제조 공정을 보여주는 예시도를 나타 낸 것으로, 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크 구조는 마스크 기판 준비 단계, 다층박막층 증착 단계, 캡핑층 증착 단계, 위상반전막 증착 단계, 스페이서 증착 단계, 어테뉴에이터 증착 단계, 패터닝 단계를 거쳐 형성되게 된다.

이에 따라, 상기의 극자외선 노광 공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크는 마스크 기판(31), 다층박막층(32, 33), 캡핑층(34), 위상반전막(37), 스페이서막(38), 어테뉴에이터막(39)으로 구성되어 형성되게 되는 것이다.

이에, 상기의 마스크 기판(31)으로는 낮은 열팽창을 갖는 기판 재질로 됨이 바람직하다.

또한, 상기의 다층박막층(32, 33)은 조사되는 극자외선을 반사시키며, 마스크 기판(31)의 상부에 형성되고, 이러한 다층박막층(32, 33)은 스캐터러층과 스페이서막이 교대로 적층되어 이루어지며, 특히 스캐터러층은 몰리브덴(Mo)으로 형성되고, 스페이서막은 규소(Si)로 형성되게 되는 것이다.

상기의 다층박막층은 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition: PLD), 이온 플레이팅법 등의 물리적 증착법, CVD법 등의 화학적 증착법 등으로 행하여질 수 있는 증착법에 의하여 형성될 수 있다.

특히, 본 발명에 있어서는 스퍼터링법이 바람직하며, Si층은 0.3 ~ 1.5mTorr의 압력하에서 RF50~150W로, Mo층은 0.3 ~ 1.5mTorr의 압력하에서 DC50~150W로 형성된다.

또한, 상기의 캡핑층(34)은 다층박막층을 보호하도록 다층박막층의 상부에 형성되며, 루덴늄(Ru) 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

이에, 상기 캡핑층(34)은 스퍼터링법을 이용할 때, 0.3 ~ 1.5mTorr 압력에서 DC50~150W로 대략 2nm의 두께로 형성된다.

또한, 상기의 위상반전막(37)은 다층박막층과 180°의 위상차를 가질 수 있도록 캡핑층(34)의 상부에 형성되고, 몰리브덴(Mo) 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

이에 따른, 상기 위상반전막(37)의 형성은 스퍼터링법을 이용할 때, Mo층은 0.3 ~ 1.5 mTorr 압력에서 DC50~150W로 형성된다.

이러한 위상반전막(37)은 구조에 따라 대략 28~33nm 범위의 두께로 형성되고, 바람직하게는 28nm의 두께로 형성되게 된다.

또한, 상기의 스페이서막(38) 및 어테뉴에이터막(39)은 낮은 DUV 반사도와 5~10%의 EUV 반사도를 동시에 가질 수 있도록 위상반전막(37)의 상부에 스페이서막(38)이 형성되고, 상기 스페이서막(38)의 상부에 어테뉴에이터막(39)이 형성되는 것이 바람직하다.

이에, 상기 스페이서막(38)은 알루미나(Al₂O₃)의 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 어테뉴에이터막(39)은 TaN 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 스페이서막(38) 및 어테뉴에이터막(39)은 스퍼터링법을 이용할 때, Al₂O₃층은 0.3~1.5mTorr 압력에서 RF50~150W로 형성하고, TaN층은 0.3~1.5mTorr 압력에서 DC50~150W로 형성된다.

이러한 상기 스페이서막(38)은 구조에 따라 대략 18~22nm 범위의 두께로 형성되고, 바람직하게는 21nm의 두께로 형성된다.

또한, 상기의 어테뉴에이터막(39)은 구조에 따라 대략 3~4nm 범위의 두께로 형성되고, 바람직하게는 3nm 범위의 두께로 형성되게 된다.

상기와 같이 형성된 위상반전막(37), 스페이서막(38) 및 어테뉴에이터막(39)은 패터닝 공정에 의하여 패턴이 형성되며, 특히 상기 패터닝 공정으로는 미세 패턴의 형성이 가능한 e-beam 노광공정을 이용함이 바람직하다. 이렇게 일부가 패터닝된 위상반전막(37), 스페이서막(38) 및 어테뉴에이터막(39)을 도 2에 도시된 바와 같이 나타낸 것이다.

첨부도면 도 4a 및 도 4b는 본 발명에 의한 실시예에 있어 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 TaN 어테뉴에이터막과 Al₂O₃ 스페이서막의 두께에 따른 DUV 반사도를 등고선 형태로 나타낸 그래프로서, 도 4a에서는 검사장비에서 사용되는 광원인 199nm 파장에서 DUV 반사도를 나타내고 있는 것이고, 도 4b에서는 257nm의 파장을 갖는 DUV 광원에서의 DUV 반사도에 대한 전산모사 결과를 나타내고 있는 것이다.

이에, 도 4a 및 도 4b에서 나타난 바와 같이, 본 발명에 의한 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 어테뉴에이트막(39)인 TaN층의 두께가 3~4nm의 두께를 가지고, 스페이서막(38)인 Al₂O₃층의 두께가 18~22nm의 두께를 가질 때, DUV에 대한 반사도는 검사파장 199nm와 257nm의 파장에서 동시에 5%이하의 낮은 DUV 반사도를 가지게 되는 것이다.

첨부도면 도 5는 본 발명의 실시에 있어 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 13.5nm의 짧은 파장에서 Mo 위상반전막의 두께에 따른 위상변위와 EUV 반사도를 나타낸 그래프로서, 이는 본 발명에 의한 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 위상반전막(37)인 Mo의 두께가 28nm에서 33nm의 두께를 가질 때 본 발명에 적용하고자 하는 180˚의 위상차와 5~10%의 EUV 반사도를 만족하고 있음을 확인할 수가 있다.

첨부도면 도 6은 종래에 실시하고 있는 극자외선 노광공정용 바이너리 마스크와 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 간에 aerial image intensity 그래프로서, 이는 본 발명에 따른 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 최적조건인 3nm-TaN / 21nm-Al₂O₃ / 28nm-Mo / 1.8nm-Ru / ML(MultiLayer)와 종래의 바이너리 마스크의 최적조건인 20nm-Al₂O₃ / 27nm-TaN / 1.8nm-Ru / ML에 있어 14nm 단일 패턴에 대한 aerial image intensity이다.

이때, 비교 분석에 있어 이미지 콘트라스트는 흡수체층과 다층박막층의 상대적 반사도 값으로 얻을 수 있고, 가장자리 콘트라스트는 aerial image intensity의 기울기를 계산적으로 얻은 NILS(normalized intensity loge slop)값으로 알 수 있다.

이에, 비교 분석한 결과, 14nm 단일 패턴 구조에서 본 발명의 어테뉴에이티 드 위상반전 마스크의 구조에서는 78%의 이미지 콘트라스트와 2.6의 NILS(normalized intensity loge slop)값을 가지고, 종래의 바이너리 마스크 구조에서는 71%의 콘트라스트와 1.25의 NILS값을 가진다.

이는 14nm 단일 패턴에 대하여 노광했을 때, 종래의 바이너리 마스크에 비해 어테뉴에이티드 위상반전 마스크가 해상도가 더 우수한 것을 의미한 것이고, 이때 해상도 차이의 발생 원인은 빛의 간섭 등의 광학적 현상에 기인한다.

첨부도면 도 7a 및 도 7b는 종래에 실시하고 있는 바이너리 마스크 구조에 대한 process window(도 7a 참조)와 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크에 대한 process window(도 7b 참조) 그래프를 각각 나타낸 것으로, 이는 22nm의 단일 패턴 구조에 대하여 노광 공정에서의 -0.2um에서 0.2um의 포커스 변화와 3[mJ/cm²]에서 5[mJ/cm²] 도즈량의 변화에 따라 패턴이 형성되는 노광 공정 범위를 나타낸 그래프이다.

이에, 비교분석 결과, 22nm 단일 패턴 구조에 대하여 20~22nm 사이의 패턴을 형성하며, 패턴의 측벽 각도가 83°이상을 만족하는 조건에서 본 발명의 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 구조와 종래의 바이너리 마스크의 구조를 비교해 볼 때, 에테뉴에이키드 위상반전 마스크가 더 큰 process window를 가지는 것을 확인할 수 있다.

따라서, 본 발명의 어테뉴에이티드 위상반전 마스크는 위상변위의 효과를 가짐으로써 종래의 바이너리 마스크의 구조에 비해 작은 패턴을 형성함에 있어 해상 도와 공정여유도가 향상되는 효과가 있음을 알 수 있다.

이상과 같이, 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다. 즉 본 발명을 실시하고 있는 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법에 있어 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 종래의 바이너리 형태의 극자외선 노광공정용 마스크 구조를 보여주는 예시도,

도 2는 본 발명에 의한 위상반전막, 스페이서, 어테뉴에이터의 3층 구조를 가지는 흡수체를 이용한 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크의 단면를 보여주는 예시도,

도 3은 도 2의 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상 반전 마스크에 따른 제조 공정을 보여주는 예시도,

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 의한 실시예에 있어 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 TaN 어테뉴에이터막과 Al₂O₃ 스페이서막의 두께에 따른 DUV 반사도를 등고선 형태로 나타낸 그래프로서, 도 4a에서는 검사장비에서 사용되는 광원인 199nm 파장에서 DUV 반사도를 나타내고 있는 그래프이고, 도 4b에서는 257nm의 파장을 갖는 DUV 광원에서의 DUV 반사도에 대한 전산모사 결과를 나타낸 그래프,

도 5는 본 발명의 실시에 있어 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크의 13.5nm의 짧은 파장에서 Mo 위상반전막의 두께에 따른 위상변위와 EUV 반사도를 나타낸 그래프,

도 6은 종래에 실시하고 있는 극자외선 노광공정용 바이너리 마스크와 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크 간에 aerial image intensity 그래프,

도 7a는 종래에 실시하고 있는 바이너리 마스크에 대한 process window그래프,

도 7b는 본 발명에 따른 극자외선 노광공정용 어테뉴에이티드 위상반전 마스크에 대한 process window 그래프.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

31 : 마스크 기판 32,33 : 다층박막층

34 : 캡핑층 37 : 위상반전막

38 : 스페이서막 39 : 어테뉴에이터막

Claims

마스크 기판;

상기 마스크 기판의 상부에 스캐터러층과 스페이서막이 교대로 형성되는 다층박막층;

상기 다층박막층의 상부에 형성되는 캡핑층;

상기 캡핑층 상부의 일부에 형성되는 위상반전막;

상기 위상반전막의 상부에 형성되는 스페이서막; 및

상기 스페이서막의 상부에 형성되는 어테뉴에이터막;

을 포함하며, 기판과의 위상이 반전되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서,

상기 위상반전막은 Mo으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서,

상기 스페이서막은 Al₂O₃로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서,

상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마 스크.
제1항에 있어서,

상기 위상반전막은 28nm 내지 33nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서,

상기 스페이서막은 18nm 내지 22nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
제1항에 있어서,

상기 어테뉴에이터막은 3nm 내지 4nm 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
마스크 기판의 상부에 Mo층과 Si층을 교대로 증착하여 다층박막층을 형성하는 단계;

상기 다층박막층의 상부에 Ru를 증착하여 캡핑층을 형성하는 단계;

상기 캡핑층의 상부에 위상반전막을 증착하여 형성하는 단계;

상기 위상반전막의 상부에 스페이서막을 형성하는 단계; 및

상기 스페이서막의 상부에 어테뉴에이터막을 증착하여 형성하는 단계;

로 실행하는 것을 특징으로 하는 제1항의 위상 반전 마스크의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 위상반전막과 스페이서막 및 어테뉴에이터막을 패터닝하는 단계를 더 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 위상반전막은 Mo로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 스페이서막은 Al₂O₃으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 어테뉴에이터막은 TaN으로 형성시키도록 실행하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기에서 실행하는 패터닝하는 단계는 e-beam 노광공정에 의해 형성시키는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.
제1항에 있어서,

상기 위상 반전 마스크는 기판과의 위상 차이가 180도인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조방법.