JP4652946B2 - 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4652946B2 JP4652946B2 JP2005303956A JP2005303956A JP4652946B2 JP 4652946 B2 JP4652946 B2 JP 4652946B2 JP 2005303956 A JP2005303956 A JP 2005303956A JP 2005303956 A JP2005303956 A JP 2005303956A JP 4652946 B2 JP4652946 B2 JP 4652946B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reflective mask
- film
- mask blank
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 255
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 201
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 123
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 58
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 40
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
このような反射型マスクは、基板上に露光光であるEUV光を反射する多層反射膜を有し、更に、多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜がパターン状に設けられた構造をしている。このような反射型マスクを搭載した露光機(パターン転写装置)を用いてパターン転写を行なうと、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射された光が反射光学系を通して半導体基板(レジスト付きシリコンウエハ)上に転写される。
多層反射膜は、基板上に、例えば、イオンビームスパッタ法により形成することができる。MoとSiを含む場合、SiターゲットとMoターゲットを用いて交互にスパッタし、30〜60周期程度、好ましくは40周期程度積層する。
EUV露光は紫外線露光よりも解像性に優れるため、極めて微細なパターンの形成に好適である。そのため、EUV露光用フォトマスクで問題となる欠陥の大きさは、紫外線露光用フォトマスクの場合よりも極めて小さくなる。例えば、ハーフピッチ45nmノードで問題となる最小欠陥サイズは30nm程度と極めて小さい値が予想されている。
ところで、EUV用マスクブランクの基板は、低欠陥と同時に高平滑であることも要求される。EUV光に対する反射率をより高めるためには、多層反射膜の表面粗さを小さくする必要があるが、多層反射膜の表面粗さは基板の表面粗さに大きく依存するからである。特にEUV光と同じ程度の空間周波数を有する表面粗さは、反射光のフレアの原因となり、反射率の低下や露光機(パターン転写装置)の解像性低下という問題を生じる。
上記基板としては通常ガラス基板が用いられるが、このようなガラス基板に発生する欠陥は、研磨工程で発生する傷やピット、研磨剤の残り、検査や輸送の際の保持による異物付着や作業環境に存在する異物付着によるものが代表的である。基板上に多層反射膜を形成する前に、基板洗浄を行うことにより、基板上に存在する異物をある程度除去することは可能であるが、この洗浄には基板を僅かに溶かす(浸食する)性質を有する薬液を用いるため、研磨工程で鏡面に研磨された基板主表面の表面粗さを大きくしてしまう(主表面を粗くする)という問題がある。
尚、基板の表面粗さを小さくする手段として、例えば特許文献2に記載されているイオンビーム加工処理を用いることが考えられる。
すなわち、基板に対する適切なイオンビームの入射角度を選択しないと、イオンビーム加工処理により基板の表面粗さがかえって大きくなる場合がある。たとえば、基板面に対して小さい入射角度でイオンビームを入射させた場合、及び基板面に対して垂直方向からイオンビームを入射させた場合には、イオンビーム処理後の基板の表面粗さがイオンビーム処理前の基板の表面粗さよりも大きくなってしまう。前述したように、EUV用マスクブランクに用いる基板は、低欠陥で高平滑であることが要求されるため、多層反射膜を形成する前の基板主表面の表面粗さは十分に低減されることが重要である。
(構成1)ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨し、しかる後、イオンビームが前記透光性基板の主表面に対して入射角度20度以上90度未満で入射するように配置し、且つ、前記透光性基板を回転させながら、イオンビーム照射を行うことを特徴とする反射型マスクブランク用基板の製造方法である。
構成1にあるように、上記透光性基板の主表面を所定の研磨をした後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度20度以上90度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながら、イオンビーム照射を行うことにより、イオンビーム照射後の基板主表面の表面粗さをイオンビーム照射前の基板主表面の表面粗さよりも小さくすることができ、低欠陥で、表面平滑性の高い反射型マスクブランク用基板が得られる。
構成2にあるように、上記イオンビーム照射の前に、透光性基板の主表面に存在する異物を除去するための表面処理を行うことが好ましい。イオンビーム照射の前に、予め透光性基板の主表面に存在する異物を除去しておくことにより、続くイオンビーム照射による基板主表面の表面粗さを小さくする作用が好適に発揮され、そのため低欠陥で、表面平滑性の高い反射型マスクブランク用基板が得られる。
尚、透光性基板の主表面に存在する異物を除去するための表面処理は、例えば基板を浸食する性質を有する薬液を用いた洗浄によって実施されるが、これによって異物は除去できるものの、薬液による浸食で基板主表面の表面粗さは大きくなることが予想される。本発明では、このような異物を除去するための表面処理により増加した基板主表面の表面粗さをイオンビーム照射により小さくして実質的に相殺或いは更に小さくできるので、異物等による欠陥のない高平滑な反射型マスクブランク用基板が得られる。
構成3にあるように、イオンビーム照射による基板主表面の平滑化の効果がより得られやすいように、上記表面処理を行った後、透光性基板の主表面上に非晶質材料からなる薄膜を形成することができる。この薄膜を構成する非晶質材料としては、例えばケイ素(Si)が好ましく挙げられる。
構成4にあるように、構成1乃至3の何れかに記載の反射型マスクブランク用基板の製造方法により得られた反射型マスクブランク用基板を使用し、その低欠陥で高平滑な表面とされた基板上に多層反射膜と吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを製造するので、低欠陥でしかもマスクの反射面となる多層反射膜の表面粗さが小さく露光光反射率を高めた反射型マスクブランクを得ることができる。
なお、上記吸収体膜と多層反射膜との間に、吸収体膜へのパターン形成時に多層反射膜を保護するためのエッチングストッパー機能を有するバッファ膜を設けることができる。
構成5にあるように、前記イオンビーム照射を減圧下で行った後、減圧状態に保持したまま反射型マスクブランク用基板上に、少なくとも多層反射膜を形成することにより、基板表面を異物付着等のない清浄な状態に保ったまま多層反射膜を成膜でき、低欠陥の高品質の反射型マスクブランクが得られる。
構成6にあるように、構成4又は5に記載の反射型マスクブランクを使用し、その吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを製造するので、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、露光光反射率を高めた、パターン転写性に優れた反射型マスクを得ることができる。
また、本発明によれば、上述の反射型マスクブランク用基板を用いて、この基板上に露光光を反射する多層反射膜と露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより、低欠陥でしかも多層反射膜の露光光反射率を高めた高品質の反射型マスクブランクを提供することができる。
さらに、本発明によれば、上述の反射型マスクブランクを用いて、その吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することにより、マスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、露光光反射率を高めた、パターン転写性に優れた高品質の反射型マスクを提供することができる。
本発明による反射型マスクブランク用基板は、ガラスを主成分とする透光性基板(以下、単に「基板」と呼ぶ。)の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨し、しかる後、イオンビームが前記基板の主表面に対して入射角度20度以上90度未満で入射するように配置し、且つ、前記基板を回転させながら、イオンビーム照射を行うことにより製造される。
このように、上記基板の主表面を所定の研磨をした後、イオンビームが基板の主表面に対して特定の入射角度で入射するように配置し、且つ、基板を回転させながら、イオンビーム照射を行うことにより、イオンビーム照射後の基板主表面の表面粗さをイオンビーム照射前の基板主表面の表面粗さよりも小さくすることができ、その結果、低欠陥で、しかも表面平滑性の高い反射型マスクブランク用基板が得られる。
また、本発明では、基板を回転させながら、イオンビーム照射を行う。イオンビーム照射を行う際、基板を回転させることにより、基板全面でイオンビーム照射による作用の均一性が得られる。また、イオンビームの入射角度や基板面に対するイオンソースの位置関係を調整することによっても、イオンビーム照射による作用の面内均一性を調整することが可能である。
これによると、真空容器70の内部には、イオンソース72及び基板ホルダー73がそれぞれ所定の位置に配された構成としている。イオンソース72より発せられるイオンビームは、基板ホルダー73上に取り付けられた基板主表面に対して所定の入射角度で入射するように構成されており、基板ホルダー73を所定方向に回転させることによって、イオンビームが基板主表面に対して入射する入射角度を、20度以上90度未満の範囲で変更することができる。例えば、同図(a)に示す基板ホルダー73の位置にあっては、基板位置Aは、基板主表面に対してイオンビーム入射軸iの成す角度が56度、つまり基板主表面に対するイオンビームの入射角度が56度となる基板位置である。一方、基板ホルダー73上に基板保持部品74を介して取り付けられた基板位置Bは、基板主表面に対して垂直方向、つまりイオンビームの入射角度が90度となる基板位置である。また、同図(b)に示すように、基板位置Aに対応する基板ホルダー73の位置から所定方向に基板ホルダー73を回転させた位置(破線で示す位置)において、基板位置Cは、基板主表面に対するイオンビームの入射角度が17度となる基板位置である。また、基板ホルダー73の回転によって、基板ホルダー73上に取り付けられた基板は同時に回転されるが、基板位置A(イオンビームの入射角度56度)における基板回転軸をmで、基板位置C(イオンビームの入射角度17度)における基板回転軸をnで示している。
上述の装置を用いてイオンビーム照射を行う場合、イオンビームの入射角度以外の条件、例えば、イオンソースと基板中心との距離、イオンソースのビーム電圧及びビーム電流、イオンビーム照射時間、基板回転数などの各条件については、イオンビーム照射前の基板主表面の表面粗さを考慮した上で、目標とする表面粗さが得られるように適宜決定する。
基板主表面に存在する異物を除去するための表面処理は、例えば基板を浸食する性質を有する薬液を用いて洗浄することにより実施される。本発明の基板はガラスを主成分とするため、これを浸食する性質を有する薬液としては、例えばフッ酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等を用いるのが好ましい。また、異物の除去効果を大きくするため、界面活性剤の添加や、超音波洗浄を併用してもよい。
尚、薬液による浸食で基板主表面の表面粗さは大きくなることが予想されるので、異物は十分除去できる限りにおいて、基板主表面の表面粗さをあまり大きくしないように、処理時間、薬液濃度等を適宜調整することが好ましい。本発明では、このような異物を除去するための表面処理により増加した基板主表面の表面粗さをイオンビーム照射により小さくして実質的に相殺或いは更に小さくできるので、異物等による欠陥のない高平滑な反射型マスクブランク用基板が得られる。
また、基板主表面を研磨した後、研磨剤等を除去するための洗浄処理が通常行われるが、上述の基板主表面に存在する異物を除去するための表面処理は上記洗浄処理を兼用してもよい。
図1(a)は、本発明により得られる反射型マスクブランクの一実施の形態の断面図である。これによると、反射型マスクブランク10は、前述の基板(本発明による反射型マスクブランク用基板1)上に、多層反射膜2、バッファ膜3、吸収体膜4を順に有する構成である。低欠陥で高平滑な表面とされた基板上に多層反射膜とバッファ膜と吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを製造するので、低欠陥でしかもマスクの反射面となる多層反射膜の表面粗さが小さく露光光反射率を高めた反射型マスクブランクを得ることができる。
ところで、前述のイオンビーム照射は通常減圧下で行われるため、イオンビーム照射を減圧下で行った後、雰囲気を大気圧に戻して、基板を一旦空気中に取り出すと、空気中の異物や、酸素、水分等が基板主表面に付着する恐れがある。そこで、前記イオンビーム照射を減圧下で行った後、減圧状態に保持したまま基板上に、少なくとも多層反射膜を形成することにより、基板表面を異物付着等のない清浄な状態に保ったまま多層反射膜を成膜できるので、低欠陥の高品質の反射型マスクブランクが得られる。
図4に示す装置は、4つの真空容器60〜90が連結された構造を有し、このうち前述のイオンビーム照射を行う真空容器70(図3における真空容器70に相当)と、多層反射膜の成膜を行う真空容器80は、それぞれ仕切弁71、仕切弁81を介して、内部に基板搬送ロボット91が設置された真空容器90と連結されている。真空容器70の内部にはイオンソース72及び基板ホルダー73が配設され、真空容器80の内部には2種類の材質(例えばSiとMo)のスパッタリングターゲット82,83と基板ホルダー84が配設されている。また、基板導入部である真空容器60は仕切弁62を介して上記真空容器90に連結されており、仕切弁61を介して基板が装置内に導入されるように構成されている。
尚、図4では、基板を減圧状態に保持したまま連続してイオンビーム照射工程と多層反射膜の成膜工程を実施する場合を説明したが、基板を減圧状態のまま多層反射膜の成膜に続いて、上記バッファ膜及び吸収体膜の成膜を実施することがより好ましい。
これらの吸収体膜は、通常のスパッタ法(DCスパッタ、RFスパッタ)、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することが出来る。吸収体膜の膜厚は、露光光である例えばEUV光が十分に吸収できる厚みであればよいが、通常は30〜100nm程度である。
また、上記バッファ膜3は、吸収体膜4に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、本実施の形態では多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。なお、バッファ膜は必要に応じて設ければよい。
バッファ膜の材料としては、吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ膜と吸収体膜のエッチング選択比は5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上である。更に、低応力で、平滑性に優れた材料が好ましく、とくに0.3nmRms以下の平滑性を有していることが好ましい。このような観点から、バッファ膜を形成する材料は、微結晶あるいはアモルファス構造であることが好ましい。
一方、吸収体膜として、Cr単体や、Crを主成分とする材料を用いる場合には、バッファ膜には、Taを主成分とする材料、例えば、TaとBを含む材料や、TaとBとNを含む材料等を用いることができる。
このバッファ膜は、反射型マスク形成時には、マスクの反射率低下を防止するために、吸収体膜に形成されたパターンに従って、パターン状に除去してもよいが、バッファ膜に露光光の透過率の大きい材料を用い、膜厚を十分薄くすることが出来れば、パターン状に除去せずに、多層反射膜を覆うように残しておいてもよい。バッファ膜は、例えば、通常のスパッタ法(DCスパッタ、RFスパッタ)、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することができる。バッファ膜の膜厚は、集束イオンビーム(Focussed Ion Beam:FIB)を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、20〜60nm程度にするのが好ましいが、FIBを用いない場合には、5〜15nm程度としてもよい。
吸収体膜へのパターン形成は、リソグラフィーの手法を用いて形成することができる。図1の(b)乃至(d)を参照して説明すると、まず、この反射型マスクブランク10(図1(a)参照)の吸収体膜4上にレジスト層を設け、このレジスト層に所定のパターン描画、現像を行ってレジストパターン5aを形成する(図1(b)参照)。次に、このレジストパターン5aをマスクとして、吸収体膜4にエッチングなどの手法でパターン4aを形成する。例えばTaを主成分とする吸収体膜の場合には、塩素ガスやトリフロロメタンを含むガスを用いるドライエッチングを適用することが出来る。
吸収体膜4にパターン4aを形成した後、バッファ膜3を吸収体膜パターン4aにしたがって除去し、吸収体膜パターン4aのない領域では多層反射膜2を露出させた反射型マスク20が得られる(図1(d)参照)。ここで、例えばCr系材料からなるバッファ膜の場合は、塩素と酸素を含む混合ガスでのドライエッチングを用いることが出来る。尚、バッファ膜3を除去しなくても必要な反射率が得られる場合は、図1(c)のように、バッファ膜3を吸収体膜と同様のパターン状に加工せず、多層反射膜2上に残すこともできる。
本発明によれば、上述の反射型マスクブランクを使用して反射型マスクとしているので、とくにマスクの反射面での表面欠陥に起因するパターン欠陥の無い、露光光反射率を高めた、パターン転写性に優れた反射型マスクを得ることができる。
(実施例1)
基板として、外形152mm角、厚みが6.35mmの低熱膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、厚みの均一性が50nm以内になるように形状加工し、さらに機械研磨により、0.15nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度となるようにした。
続いて、フッ酸を0.2%添加したフッ酸水溶液を用いて基板の洗浄を行い、さらに純水によるリンスとIPA蒸気による乾燥を行った。
得られた基板表面を欠陥検査装置(レーザーテック社製 MAGICS M-1350)及び原子間力顕微鏡(AFM)を用いて検査したところ、大きさが約150nm以上の異物は存在していなかったが、高さが10nmで大きさが80nm程度の異物の存在が確認された。尚、上記フッ酸水溶液を用いた洗浄によって、基板主表面の表面粗さは0.18nmRmsに増加していた。
また、得られた多層反射膜表面の表面粗さを測定したところ、0.13nmRmsとなり、得られた多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0°で反射率を測定したところ、67.1%と高い反射率であった。尚、多層反射膜の欠陥評価は、イオンビーム照射前の基板上に存在していた高さが10nmで大きさが80nm程度の異物をAFMにより追跡して行ったが、多層反射膜上には、上記異物による欠陥は確認できなかった。
次いで、上記バッファ膜上に、波長13〜14nmの露光光に対する吸収体膜として、Taを主成分とし、BとNを含む膜を形成した。成膜方法は、Ta及びBを含むターゲットを用いて、Arに窒素を10%添加して、DCマグネトロンスパッタリング装置によって行った。膜厚は、露光光を十分に吸収できる厚さとして、70nmとした。成膜されたTaBN膜の組成比は、Taは0.8、Bは0.1、Nは0.1であった。
以上のようにして、本実施例の反射型マスクブランクが得られた。
まず、上記反射型マスクブランク上にEBレジストを塗布し、EB描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜であるTaBN膜を塩素を用いてドライエッチングし、吸収体膜パターンを形成した。
次いで、この吸収体膜に形成されたパターンをマスクとして、バッファ膜であるCrN膜を、塩素と酸素の混合ガス(混合比は体積比で1:1)を用いてドライエッチングし、吸収体膜に形成されたパターンに従ってパターン状に除去した。
尚、本実施例では、イオンビーム照射による効果を確認するため、イオンビーム照射後、一旦基板を空気中に出したが、イオンビーム照射後、減圧状態のまま連続して成膜工程を実施することがより好適である。
実施例1と同様にして研磨、フッ酸水溶液による洗浄を行ったガラス基板を用意した。研磨後の基板主表面の表面粗さは0.15nmRms、洗浄後の表面粗さは0.18nmRmsであった。この基板上に、スパッタ成膜により厚さ300nmのSi膜を形成した。このSi膜の表面粗さは0.21nmRmsであった。
次に、得られたSi膜を形成した基板に、実施例1の場合と同じ条件でイオンビーム照射を行った。イオンビーム照射による基板表面のSi膜の除去(エッチング)厚みは199nmであった。そして、基板主表面の表面粗さは、イオンビーム照射前の0.23nmRmsから0.13nmRmsに減少していた。
次に、上記多層反射膜上に、実施例1と同様にバッファ膜及び吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを作製した。次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、反射型マスクを作製した。前記欠陥検査装置でパターン欠陥を測定したところ、パターン欠陥の無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて、図2に示すようなパターン転写装置により、半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、半導体基板上に良好な転写パターン精度で転写像が得られた。
(比較例1〜3)
実施例1において、イオンビーム照射時のイオンビームの基板主表面に対する入射角度を17度(比較例1)(図3の基板位置Cを参照)、90度(比較例2)(図3の基板位置Bを参照)としたこと以外は実施例1と同様にして基板に対するイオンビーム照射を行った。尚、比較例2の場合においてはイオンビーム照射時の基板回転は行わなかった。
イオンビーム照射による基板表面の除去(エッチング)厚みは135nm(比較例1)、210nm(比較例2)であった。そして、基板主表面の表面粗さは、イオンビーム照射前の0.18nmRmsから1.24nmRms(比較例1)、0.20nmRms(比較例2)となり、何れの場合も増加し、特にイオンビームの入射角度の小さい比較例1の場合は増加が顕著であった。
次に、上記多層反射膜上に、実施例1と同様にバッファ膜及び吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを作製した。次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、反射型マスクを作製した。
この反射型マスクを用いて、実施例1と同様に半導体基板上へのパターン転写を行なったところ、比較例1〜3の何れの場合も多層反射膜の露光光反射率が低いために、実施例1と比べると精度の良好なパターン転写が行なえなかった。
実施例2において、イオンビーム照射時のイオンビームの基板主表面に対する入射角度を17度(比較例4)(図3の基板位置Cを参照)、90度(比較例5)(図3の基板位置Bを参照)としたこと以外は実施例2と同様にして基板上のSi膜に対するイオンビーム照射を行った。尚、比較例2の場合においてはイオンビーム照射時の基板回転は行わなかった。
イオンビーム照射による基板表面のSi膜の除去(エッチング)厚みは132nm(比較例4)、225nm(比較例5)であった。そして、基板主表面の表面粗さは、イオンビーム照射前の0.23nmRmsから1.28nmRms(比較例4)、0.22nmRms(比較例5)となり、特にイオンビームの入射角度の小さい比較例4の場合は増加が顕著であった。
次に、上記多層反射膜上に、実施例2と同様にバッファ膜及び吸収体膜を形成して反射型マスクブランクを作製した。次に、この反射型マスクブランクを用いて、実施例2と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、反射型マスクを作製した。
この反射型マスクを用いて、実施例2と同様に半導体基板上へのパターン転写を行なったところ、比較例4〜6の何れの場合も多層反射膜の露光光反射率が低いために、実施例2と比べると精度の良好なパターン転写が行なえなかった。
2 多層反射膜
3 バッファ膜
4 吸収体膜
5a レジストパターン
10 反射型マスクブランク
20 反射型マスク
50 パターン転写装置
70 イオンビーム照射用真空容器
72 イオンソース
73 基板ホルダー
80 成膜用真空容器
82,83 スパッタリングターゲット
Claims (6)
- ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨し、前記研磨後の前記透光性基板の主表面に対し、前記透光性基板を浸食する性質を有する薬液を用いて洗浄し、前記主表面に存在する異物を除去する表面処理を行い、前記表面処理後、イオンビームが前記透光性基板の主表面に対して入射角度20度以上90度未満で入射するように配置し、且つ、前記透光性基板を回転させながら、イオンビーム照射を行うことを特徴とする反射型マスクブランク用基板の製造方法。
- 前記薬液は、フッ酸または水酸化ナトリウムを含有する水溶液であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク用基板の製造方法。
- 前記表面処理を行った後、前記透光性基板の主表面上に非晶質材料からなる薄膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の反射型マスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1乃至3の何れかに記載の反射型マスクブランク用基板の製造方法により得られた反射型マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至3の何れかに記載の反射型マスクブランク用基板の製造方法における前記イオンビーム照射を減圧下で行った後、減圧状態に保持したまま前記反射型マスクブランク用基板上に、少なくとも前記多層反射膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項4又は5に記載の反射型マスクブランクの製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303956A JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005303956A JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007114336A JP2007114336A (ja) | 2007-05-10 |
JP4652946B2 true JP4652946B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=38096617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005303956A Active JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2005-10-19 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4652946B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5559948B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-07-23 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法 |
KR20130007570A (ko) * | 2010-03-16 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피 광학 부재용 기재, 및 그의 제조 방법 |
US9581895B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
US9612522B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
US9581889B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
TWI763686B (zh) | 2016-07-27 | 2022-05-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統 |
TWI811037B (zh) | 2016-07-27 | 2023-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
TW202026770A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
US11194244B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-12-07 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture |
TW202035792A (zh) | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線(euv)遮罩素材及其製造方法 |
US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TWI818151B (zh) | 2019-03-01 | 2023-10-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積腔室及其操作方法 |
US11639544B2 (en) | 2019-03-01 | 2023-05-02 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition system and processes |
TW202043905A (zh) | 2019-03-01 | 2020-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 物理氣相沉積系統與處理 |
TWI836072B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩 |
TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TWI836073B (zh) | 2019-05-22 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體及其製造方法 |
US11275304B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
TW202104667A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
TWI836207B (zh) | 2020-04-17 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
US11815803B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflector materials |
US11782337B2 (en) | 2021-09-09 | 2023-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multilayer extreme ultraviolet reflectors |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216010A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | X線マスク製造装置および製造方法 |
JPH08213303A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 反射型x線マスク及びその製造法 |
JP2003282411A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 |
JP2004228563A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Carl-Zeiss-Stiftung | Euvマイクロリソグラフィー用基板およびその製造方法 |
JP2004246366A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Carl-Zeiss-Stiftung | フォトマスク・ブランク、フォトマスク、フォトマスク・ブランクを製造するための方法と装置 |
JP2004281967A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
JP2004291209A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Hoya Corp | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法 |
-
2005
- 2005-10-19 JP JP2005303956A patent/JP4652946B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216010A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Toshiba Corp | X線マスク製造装置および製造方法 |
JPH08213303A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 反射型x線マスク及びその製造法 |
JP2003282411A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | リソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法 |
JP2004228563A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Carl-Zeiss-Stiftung | Euvマイクロリソグラフィー用基板およびその製造方法 |
JP2004246366A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Carl-Zeiss-Stiftung | フォトマスク・ブランク、フォトマスク、フォトマスク・ブランクを製造するための方法と装置 |
JP2004281967A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
JP2004291209A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Hoya Corp | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、及びマスクブランクスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007114336A (ja) | 2007-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4652946B2 (ja) | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
US10295900B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
JP6574034B2 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、及び透過型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP4666365B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP6388841B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP4905914B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP4703354B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
KR102107799B1 (ko) | 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조방법 | |
JP4834205B2 (ja) | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP5677812B2 (ja) | 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 | |
JP4703353B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク | |
JP2009272317A (ja) | 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 | |
JP6855645B1 (ja) | 薄膜付基板、多層反射膜付基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4652946 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |